CN109521641A - 一种uv模具版光刻制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种UV模具版光刻制作工艺,包括如下步骤:S1、提供一掩膜版,掩膜版为三层结构,包括上层光学高分子PC复合板材、下层中性UV光刻胶和将其两者粘接在一起的中间第一密着层;光刻胶通过光刻曝光形成纳米图纹;S2、提供一UV母模,母模为三层结构,包括上层中性UV固体胶、下层PC板材和将其两者粘接在一起的中间第二密着层;S3、将掩膜版放置于UV母模上,通过EVA紫外直射在光学高分子PC复合板材上对中性UV固体胶进行光刻,形成阴影区;S4、取出UV母模,对UV母模进行显影脱水;S5、坚膜。本发明采用PC板材来作为模具版,其生产成本大大降低;利用光学高分子PC板材、第一密着层和UV光刻胶来制作掩膜版,大大降低制作周期,更佳方便。
Description
技术领域
本发明涉及光刻制作领域,特别涉及一种UV模具版光刻制作工艺。
背景技术
现有的光刻制作大多是在玻璃上进行的,通过在玻璃制作工艺图案,会有明显的凸起,较容易磨损。玻璃制品都是在玻璃表面涂上薄膜层,再通过光刻胶作为掩膜对玻璃上不需要的薄膜层进行腐蚀,形成图案。但采用玻璃制作,其成本较高,也较容易损坏。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种成本低,便于制作的的UV模具版光刻制作工艺。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为:一种UV模具版光刻制作工艺,其特征在于:包括如下步骤:
S1、提供一掩膜版,所述掩膜版为三层结构,包括上层光学高分子PC复合板材、下层中性UV光刻胶和将其两者粘接在一起的中间第一密着层;所述光刻胶通过光刻曝光形成纳米图纹;
S2、提供一UV母模,所述母模为三层结构,包括上层中性UV固体胶、下层PC板材和将其两者粘接在一起的中间第二密着层;
S3、将所述掩膜版放置于所述UV母模上,通过EVA紫外直射在光学高分子PC复合板材上对中性UV固体胶进行光刻,形成阴影区;
S4、取出UV母模,对UV母模进行显影脱水;
S5、坚膜。
优选的,在步骤S1中,具体包括如下步骤:
S11、提供一光学高分子PC复合板材;
S12、在所述光学高分子PC复合板材上涂抹第一密着层,通过自然流平方式使第一密着层平铺至整个光学高分子PC复合板材上;
S13、待所述第一密着层晾干后,在其上涂抹中性UV光刻胶,通过旋转甩平方式将中性UV光刻胶平铺在第一密着层上;
S14、进行烘烤固化;
S15、通过光刻直写掩膜机对中性UV光刻胶进行光刻,再通过显影、坚膜形成纳米图案。
这样,制作的掩膜版成本较低,制作方便。
优选的,在步骤S14中,将涂抹处理后的所述光学高分子PC复合板材置于100-110℃中烘烤10-25min,进行固化,使各层之间紧密连接。
优选的,所述UV光刻胶由中性UV油、光刻胶和助剂按照4:5:1的比例混合而成。按照这个比例混合的UV光刻胶其性能最好。
优选的,在步骤S4中,对UV母模进行显影脱水具体步骤为:
S41、将所述UV母模倾斜放入一显影槽内进行浸泡显影,所述显影槽内设有显影液;
S42、静置一段时间,再通过一喷头进行水洗UV母模;
S43、重复步骤S41-S42,直至显示出相应的图案。
相比于传统的直接水平的放入显影槽,采用倾斜放入,这样既容易倒又不会集聚气泡。
优选的,所述显影液包括氢氧化钠、助剂和活性水。
在步骤S5中,所述坚膜采用烘烤坚膜方式,烘烤温度为100-110℃,烘烤时间为15-30min。
与现有技术相比,本发明的优点在于:采用PC板材来作为模具版,其生产成本大大降低;利用光学高分子PC板材、第一密着层和UV光刻胶来制作掩膜版,相比于传统的玻璃制作,大大降低了其制作的周期,更佳方便;通过改进相应的第一密着层、第二密着层和中性UV光刻胶的主要组成成分,使其具备较强的粘性,让第一密着层、第二密着层能够粘接在光学高分子PC复合板材上,同时中性UV光刻胶能够粘接在第一密着层。
附图说明
图1本发明掩膜版结构示意图;
图2本发明UV模具版光刻结构示意图;
图3本发明UV模具版显影结构示意图;
图4本发明UV模具版坚膜后结构示意图。
图中标号说明:1、光学高分子PC复合板材,2、第一密着层,3、中性UV光刻胶,4、PC板材,5、第二密着层,6、中性UV固体胶,61、阴影区。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例作进一步描述。
如图1-4所示,本实施例涉及一种UV模具版光刻制作工艺,其特征在于:包括如下步骤:
S1、提供一掩膜版,掩膜版为三层结构,包括上层光学高分子PC复合板材1、下层中性UV光刻胶3和将其两者粘接在一起的中间第一密着层2;光刻胶通过光刻曝光形成纳米图纹。
具体的为:
S11、提供一光学高分子PC复合板材1;
S12、在光学高分子PC复合板材1上涂抹第一密着层2,通过自然流平方式使第一密着层2平铺至整个光学高分子PC复合板材1上;
S13、待第一密着层2晾干后,在其上涂抹中性UV光刻胶3,通过旋转甩平方式将中性UV光刻胶3平铺在第一密着层2上;
S14、进行烘烤固化;
S15、通过光刻直写掩膜机对中性UV光刻胶3进行光刻,再通过显影、坚膜形成纳米图案。
在本实施例中,步骤S13为涂胶步骤,即需要在光学高分子PC复合板材1上涂抹一层光刻胶,涂胶效果控制好坏直接影响光刻质量,因此在操作时应将光刻胶按要求准备好,并控制好光刻胶的涂层厚度及均匀性、涂层表面状态等。本实施例采用中性UV光刻胶3来进行涂抹。为了更好的将中性UV光刻胶3涂抹在光学高分子PC复合板材1上,需要先将在光学高分子PC复合板材1先涂抹一层第一密着层2,以提高各层的黏着性。第一密着层2的表面平整,同时耐高温。涂胶方法有浸涂、甩涂、辊涂等,其中辊涂的涂覆质量好于其他两种,它是通过胶辊将感光胶均匀地涂在玻璃上。本申请采用甩涂方式来进行,因为这种操作方式更加的便捷。
在步骤S14中,将涂抹处理后的光学高分子PC复合板材1置于100-110℃中烘烤10-25min,进行固化,使各层之间紧密连接。
为保证胶膜的质量,涂胶工序应在洁净条件下进行,最好在密封的无尘环境中进行。
在本实施例中的UV光刻胶3由中性UV油、光刻胶和助剂按照4:5:1的比例混合而成。
在步骤S14中,通过电脑绘制相应的图案,再通过光刻直写掩膜机对中性UV光刻胶3进行光刻,形成纳米图案。这样完整的掩膜版就制作好了。
S2、提供一UV母模,母模为三层结构,包括上层中性UV固体胶6、下层PC板材4和将其两者粘接在一起的中间第二密着层5。
本步骤与制作掩膜版的技术相似,先找一块PC板材4,其材料与掩膜版中的光学高分子PC复合板材1不同,只需要普通的PC板材4就行。而掩膜版中使用的是光学高分子PC复合板材1,需具有一定的透光性。然后,在PC板材4上涂抹一层第二密着层5,也是用于将各层之间黏连在一起,其材质与第一密着层2基本相似,但因其连接的材料不同,第二密着层5与第一密着层2还是有一些区别的。最后在第二密着层5上涂抹一层中性UV固体胶6。
S3、将掩膜版放置于UV母模上,通过EVA紫外直射在光学高分子PC复合板材1上对中性UV固体胶6进行光刻,形成阴影区61。
本步骤为光刻,就是在涂好中性UV固体胶6的PC板材4表面覆盖掩模版,通过紫外光进行选择性照射,使受光照部位的中性UV固体胶6发生化学反应,改变了这部分胶膜在显影液中的溶解度;不受光照部分的中性UV固体胶6形成阴影区61。显影后,感光胶膜显现出与掩模版相对应的图形。
一般光刻的过程是:先将光刻直写掩膜机的紫外光灯打开预热,待电源稳定,掩膜版放在印框上通过显微镜进行对位。然后再将UV母模的涂有中性UV固体胶6一面朝上放在光刻平台,进行定位。最后调节紫外光的照射时间和强度进行光刻。照射时间过短,光刻感光不足,其化学应不充分,显影时受光部分溶解不彻底,易留底膜;曝光时间过长不该曝光部分边缘也被微弱感光,刻蚀后图形边界模糊,细线条变开严重。
S4、取出UV母模,对UV母模进行显影脱水。
对UV母模进行显影脱水具体步骤为:
S41、将UV母模倾斜放入一显影槽内进行浸泡显影,显影槽内设有显影液;
S42、静置一段时间,再通过一喷头进行水洗UV母模;
S43、重复步骤S41-S42,直至显示出相应的图案。
本步骤为显影,就是将感光部分的中性UV固体胶6溶除,留下未感光部分的胶膜从而显示所需要的图形。显影过程是将光刻后的UV母模倾斜放入显影槽,显影液通过浸泡UV母模,或者通过摇摆的喷头喷洒在UV母模的中性UV固体胶6面上,过一定时间显出图形后,UV母模再通过水洗,将显影液冲掉。
显影液有两种,一种是与UV固体胶配套的专用显影液;另一种是定浓度的碱液(主要包括KOH或NaOH、助剂和活性水)。第二种使用普遍些,本实施例也采用第二种方式。碱液配置是在专用调制槽中进行的,先在槽中注入一定量活性水,然后根据溶液浓度称量一定量的碱放入槽中搅拌,待碱液完全溶解后,将配好的液注入显影槽。显影时必须控制好时间和温度,温度和时间直接影响显影速度,若显影时间不足或温度低,则中性UV固体胶6的阴影区61不能完溶解,留有一层感光胶,在刻蚀时,这层胶会起保护作用,使应该刻蚀的部分被保护下来。若显影时间过长或温度过高,显影时未被曝光的中性UV固体胶6会从边缘向里钻溶,使图形边缘变差,再严重会使中性UV固体胶6大片剥落。
S5、坚膜。
由于显影使中性UV固体胶6发生软化、膨胀,影响胶膜的抗蚀能力,因此显影后必须用适当温度烘焙整个UV母模以去除水分,增强与底层PC板材4的粘着性,这个过程叫坚膜。坚膜的方式有两种,一种是用烘箱坚膜,另一种是用红外光坚膜。坚膜也需要着重控制温度和时间,这两个条件对坚膜质量的影响很大。
在本申请中,坚膜采用烘烤坚膜方式,烘烤温度为100-110℃,烘烤时间为15-30min。
本发明的有益效果为:采用PC板材来作为模具版,其生产成本大大降低;利用光学高分子PC板材、第一密着层和UV光刻胶来制作掩膜版,相比于传统的玻璃制作,大大降低了其制作的周期,更佳方便;通过改进相应的第一密着层、第二密着层和中性UV光刻胶的主要组成成分,使其具备较强的粘性,让第一密着层、第二密着层能够粘接在光学高分子PC复合板材上,同时中性UV光刻胶能够粘接在第一密着层。
上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施例,但如前,应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文发明构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围,则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
Claims (7)
1.一种UV模具版光刻制作工艺,其特征在于:包括如下步骤:
S1、提供一掩膜版,所述掩膜版为三层结构,包括上层光学高分子PC复合板材、下层中性UV光刻胶和将其两者粘接在一起的中间第一密着层;所述光刻胶通过光刻曝光形成纳米图纹;
S2、提供一UV母模,所述母模为三层结构,包括上层中性UV固体胶、下层PC板材和将其两者粘接在一起的中间第二密着层;
S3、将所述掩膜版放置于所述UV母模上,通过EVA紫外直射在光学高分子PC复合板材上对中性UV固体胶进行光刻,形成阴影区;
S4、取出UV母模,对UV母模进行显影脱水;
S5、坚膜。
2.根据权利要求1所述的UV模具版光刻制作工艺,其特征在于:在步骤S1中,具体包括如下步骤:
S11、提供一光学高分子PC复合板材;
S12、在所述光学高分子PC复合板材上涂抹第一密着层,通过自然流平方式使第一密着层平铺至整个光学高分子PC复合板材上;
S13、待所述第一密着层晾干后,在其上涂抹中性UV光刻胶,通过旋转甩平方式将中性UV光刻胶平铺在第一密着层上;
S14、进行烘烤固化;
S15、通过光刻直写掩膜机对中性UV光刻胶进行光刻,再通过显影、坚膜形成纳米图案。
3.根据权利要求2所述的UV模具版光刻制作工艺,其特征在于:在步骤S14中,将涂抹处理后的所述光学高分子PC复合板材置于100-110℃中烘烤10-25min,进行固化,使各层之间紧密连接。
4.根据权利要求1所述的UV模具版光刻制作工艺,其特征在于:所述UV光刻胶由中性UV油、光刻胶和助剂按照4:5:1的比例混合而成。
5.根据权利要求1所述的UV模具版光刻制作工艺,其特征在于:在步骤S4中,对UV母模进行显影脱水具体步骤为:
S41、将所述UV母模倾斜放入一显影槽内进行浸泡显影,所述显影槽内设有显影液;
S42、静置一段时间,再通过一喷头进行水洗UV母模;
S43、重复步骤S41-S42,直至显示出相应的图案。
6.根据权利要求5所述的UV模具版光刻制作工艺,其特征在于:所述显影液包括氢氧化钠、助剂和活性水。
7.根据权利要求1所述的UV模具版光刻制作工艺,其特征在于:在步骤S5中,所述坚膜采用烘烤坚膜方式,烘烤温度为100-110℃,烘烤时间为15-30min。
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