CN109428012B - 用于制造显示装置的设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了用于制造显示装置的设备。本发明的用于制造显示装置的设备包括腔室、掩模组件、源部、磁体部、激光照射部和激光感测部，其中，掩模组件布置在所述腔室内部，源部布置成与所述掩模组件相对并且向所述掩模组件喷射沉积物质以使沉积物质沉积到显示衬底上，磁体部布置在所述腔室内部并且向所述掩模组件施加电磁力以使所述掩模组件紧贴到所述显示衬底侧，激光照射部布置在所述腔室内部并且向所述显示衬底、所述掩模组件和所述磁体部照射激光，激光感测部布置在所述腔室内部并且感测由所述显示衬底、所述掩模组件和所述磁体部反射的激光，并且所述磁体部基于由所述激光感测部感测到的结果来调整施加至所述掩模组件的电磁力。

Description

用于制造显示装置的设备

技术领域

本发明实施方式涉及一种设备，更详细地涉及用于制造显示装置的设备。

背景技术

基于移动性的电子装置被广泛使用。最近，作为移动性电子装置，除了如移动电话的小型电子装置以外，平板PC也被广泛使用。

为了支持多种功能，如上所述的移动型电子装置包括显示装置以向用户提供诸如图像或视频的视觉信息。最近，随着用于驱动显示装置的其他部件被小型化，显示装置在电子装置中所占的比重呈逐渐增加的趋势，并且也在开发能够从平坦的状态弯曲成具有预定角度的结构。

发明内容

解决的技术问题

通常，在制造显示装置的情况下，可通过掩模组件来沉积沉积物质。在这种情况下，如果掩模组件因外力或自身重量而发生变形，则无法沉积出精细图案，从而可能会导致质量下降。因此，为了解决这种问题，本发明实施方式提供能够沉积出精细图案的用于制造显示装置的设备。

解决方法

本发明一实施方式公开了用于制造显示装置的设备，所述用于制造显示装置的设备包括腔室、掩模组件、源部、磁体部、激光照射部和激光感测部，其中，所述掩模组件布置在所述腔室内部，所述源部布置成与所述掩模组件相对并且向所述掩模组件喷射沉积物质以使沉积物质沉积到显示衬底上，所述磁体部布置在所述腔室内部并且向所述掩模组件施加电磁力以使所述掩模组件紧贴到所述显示衬底侧，所述激光照射部布置在所述腔室内部并且向所述显示衬底、所述掩模组件和所述磁体部照射激光，所述激光感测部布置在所述腔室内部并且感测由所述显示衬底、所述掩模组件和所述磁体部反射的激光，并且所述磁体部基于由所述激光感测部感测到的结果调节施加至所述掩模组件的电磁力。

在本实施方式中，所述磁体部可基于由所述激光感测部感测到的结果仅对施加至所述掩模组件的电磁力中的一部分进行调节。

在本实施方式中，所述用于制造显示装置的设备还可包括冷却板，所述冷却板布置在所述磁体部与所述显示衬底之间。

在本实施方式中，所述激光照射部可向所述冷却板照射激光，并且所述激光感测部可感测由所述冷却板反射的激光。

在本实施方式中，所述用于制造显示装置的设备还可包括控制部，所述控制部基于由所述激光感测部感测到的激光来分别分离出与所述掩模组件、所述显示衬底和所述磁体部对应的频率。

在本实施方式中，所述控制部可通过与所述掩模组件对应的频率来辨别所述掩模组件是否变形。

在本实施方式中，所述控制部可根据所述掩模组件是否变形来控制所述磁体部的电磁力。

在本实施方式中，所述控制部可对由所述激光感测部感测到的激光进行傅立叶变换(Fourier transform)以分别分离出与所述掩模组件、所述显示衬底和所述磁体部对应的频率。

在本实施方式中，所述控制部可根据所述掩模组件是否变形来调整所述磁体部的位置。

在本实施方式中，所述掩模组件可包括掩模框架和多个掩模片，其中，所述多个掩模片布置在所述掩模框架上并且彼此连接。

本发明的另一实施方式公开了显示装置的制造方法，所述方法包括以下步骤：将显示衬底插入到布置有掩模组件的腔室内部；使磁体部和冷却板进行线性运动以接近所述显示衬底，并且使所述磁体部、所述冷却板、所述显示衬底和所述掩模组件对齐；通过激光照射部向所述磁体部、所述冷却板、所述显示衬底和所述掩模组件照射激光；感测由所述磁体部、所述冷却板和所述掩模组件反射的激光，并基于所感测到的激光来辨别所述掩模组件是否变形；以及根据所述掩模组件是否变形来控制所述磁体部的电磁力。

在本实施方式中，所述方法还可包括以下步骤：基于感测到的激光来分别分离出与所述掩模组件、所述显示衬底、所述磁体部和所述冷却板对应的频率。

在本实施方式中，所述频率的分离可通过对感测到的激光进行傅立叶变换来分离。

在本实施方式中，当与所述掩模组件对应的频率与所述掩模组件的固有频率不同时，可判断出所述掩模组件发生变形。

在本实施方式中，所述方法还可包括以下步骤：使所述磁体部和所述冷却板进行线性运动使得所述显示衬底与所述掩模组件紧贴。

在本实施方式中，所述磁体部的电磁力可仅对所述掩模组件中变形的部分进行控制。

在本实施方式中，所述掩模组件可包括掩模框架和多个掩模片，其中，所述多个掩模片布置在所述掩模框架上并且彼此连接。

在本实施方式中，所述方法还可包括以下步骤：使所述显示衬底和所述掩模组件对齐。

本发明的又一实施方式公开了显示装置的制造方法，所述方法包括以下步骤：将显示衬底插入到布置有掩模组件的腔室内部；使磁体部和冷却板进行线性运动以接近所述显示衬底，并且使所述磁体部、所述冷却板、所述显示衬底和所述掩模组件对齐；通过激光照射部向所述磁体部、所述冷却板、所述显示衬底和所述掩模组件照射激光；感测由所述磁体部、所述冷却板和所述掩模组件反射的激光，并基于所感测到的激光来辨别所述掩模组件是否变形；以及根据所述掩模组件是否变形来控制所述磁体部的位置。

除了前述内容以外的其他方面、特征和优点将通过以下对附图、权利要求书以及发明的详细说明变得清楚。

这些一般且具体的方面可使用系统、方法、计算机程序或者系统、方法和计算机程序的任意的组合来实现。

有益效果

关于本发明实施方式的用于制造显示装置的设备能够制造出具有精细图案的显示装置。此外，关于本发明实施方式的用于制造显示装置的设备能够将沉积物质沉积成均匀的图案。

附图说明

图1为示出根据本发明一实施方式的用于制造显示装置的设备的剖视图。

图2为示出图1中所示的用于制造显示装置的设备的一部分的立体图。

图3为示出通过图1中所示的用于制造显示装置的设备制造的显示装置的平面图。

图4为沿图3的线Ⅳ-Ⅳ取得的剖视图。

具体实施方式

本发明可具有多种变型且可具有多种实施方式，并且将在附图中示出特定实施方式并在详细说明中对特定实施方式进行说明。参照下文中结合附图详细描述的实施方式，本发明的效果、特征以及实现它们的方法将变得明确。然而，本发明并不限于下文中所公开的实施方式，而是可实现为多种形态。

在下文中，将参照附图对本发明实施方式进行详细说明，并且在参照附图进行说明时，相同或相应的构成要素将被赋予相同的附图标记，并且将省略对其的重复说明。

在下面的实施方式中，第一、第二等措辞并不用于限定的含义，而是出于将一个构成要素与其他构成要素区分开的目的来使用。

在下面的实施方式中，除非上下文中另有明确不同的指示，否则单数表述包括复数表述。

在下面的实施方式中，包括或具有等措辞意味着说明书中所记载的特征或构成要素的存在，而不是提前排除一个以上的其他特征或构成要素被添加的可能性。

在下面的实施方式中，当膜、区域、构成要素等部分被称为在其他部分上时，其不仅包括直接在其他部分上的情况，而且还包括它们中间插置有其他膜、区域、构成要素等的情况。

出于说明的便利，在附图中构成要素的大小可被夸大或被缩小。例如，出于说明的便利，附图中示出的各个结构的大小和厚度被任意地示出，且因此本发明并不必须限定于附图中所示。

在下面的实施方式中，x轴、y轴和z轴并不限于正交坐标系上的三个轴，而是可被解释为包括其的广泛含义。例如，虽然x轴、y轴和z轴也可彼此正交，但是也可指定为彼此不正交的彼此不同的方向。

当某一实施方式能够以不同的方式实现时，特定工艺顺序也可按照与所说明的顺序不同的顺序执行。例如，连续说明的两个工艺也可实质上同时执行，并且可按照与所说明的顺序相反的顺序执行。

图1为示出根据本发明一实施方式的用于制造显示装置的设备的剖视图。图2为示出图1中所示的用于制造显示装置的设备的一部分的立体图。

参照图1和图2，用于制造显示装置的设备100可包括腔室110、掩模组件1、衬底支承部120、源部130、磁体部140、冷却板150、激光照射部161、激光感测部162、视觉部170、掩模安装部181、调压部182、线性驱动部183和控制部190。

腔室110可在内部形成有空间，并且腔室110的一部分可形成为被打开。此时，在腔室110的被打开的部分可布置有闸阀110A等，以选择性地打开或关闭腔室110的被打开的部分。

掩模组件1可包括掩模框架30、掩模片10和支承框架40。

掩模框架30可由多个框架连接而成，并且掩模框架30可形成为其中央部分被贯穿。此时，掩模框架30的内部可形成为格子形态。例如，掩模框架30可形成为类似于窗框。

掩模片10可以以拉伸的状态安装至掩模框架30。此时，掩模片10可设置为一个，并且可布置在掩模框架30上。作为另一实施方式，掩模片10可设置为多个，并且多个掩模片10可沿着掩模框架30的一边排列。各个掩模片10中可形成有多个开口部10A。此时，多个开口部10A可彼此相隔开地形成在各个掩模片10中。出于说明的便利，在下文中将以掩模片10设置为多个的情况为主进行详细说明。

支承框架40可布置在掩模框架30中。此时，支承框架40可布置在掩模框架30的中央部分处。支承框架40可设置为多个，并且多个支承框架40可在掩模框架30的长边方向和短边方向中的至少一个方向上布置。此时，掩模框架30的长边可以是多个掩模片10所排列的方向，并且掩模框架30的短边可以是各个掩模片10的长度方向。如上所述的多个支承框架40中布置在掩模框架30的长边方向上的支承框架40能够将掩模片10的多个开口部10A划分为多个区域。此外，多个支承框架40中布置在掩模框架30的短边方向上的支承框架40可布置在彼此相邻的掩模片10之间。

衬底支承部120可对显示衬底D进行支承。此时，衬底支承部120可形成为多种形态。例如，作为一实施方式，衬底支承部120可包括布置在腔室110的上侧并对显示衬底D进行支承的静电卡盘或粘合卡盘。此时，衬底支承部120可在腔室110内部进行线性运动(或升降运动)。作为另一实施方式，衬底支承部120也可包括对显示衬底D的下表面进行支承的框架或单独的装置(例如，梭、机械臂等)。在这种情况下，衬底支承部120能够对显示衬底D的位置进行微调。作为又一实施方式，衬底支承部120也可包括对显示衬底D的侧面进行把持或者与显示衬底D的侧面接触并对显示衬底D进行支承的夹具、框架或单独的装置(例如，梭、机械臂、缸体等)。此时，衬底支承部120并不限于上述配置，而是可包括与显示衬底D接触或者对显示衬底D进行把持以对显示衬底D的位置进行固定的所有结构和所有装置。然而，出于说明的便利，在下文中将以衬底支承部120呈对显示衬底D的侧面进行把持的夹具形态的情况为主进行详细说明。

源部130可以是点形态。作为另一实施方式，源部130可形成为线状。在这种情况下，源部130可在掩模组件1的长边方向和短边方向中的一个方向上布置。出于说明的便利，在下文中将以源部130形成为线状且在掩模组件1的长边方向上排列的情况为主进行详细说明。

源部130可布置在腔室110的底面处。此时，源部130可布置成与掩模组件1相对。源部130可使沉积物质蒸发或升华并将其提供到掩模组件1。沉积物质可穿过掩模组件1并沉积到显示衬底D上。源部130可固定地布置在腔室110内部，或者可以能够进行线性运动的方式布置在腔室110内部。此时，在源部130在腔室110内部进行线性运动的情况下，源部130可在掩模组件1的长边方向和短边方向中的一个方向上进行线性运动。尤其是，源部130可与布置在腔室110的底面处的如直线电机等装置连接，并且根据这种装置的操作进行线性运动。然而，出于说明的便利，在下文中将以源部130固定地布置在腔室110的底面处的情况为主进行详细说明。

如上所述的源部130可包括容纳沉积物质的坩埚131和布置在坩埚131处并对坩埚131进行加热的加热器132。此时，坩埚131可形成为其一侧被打开。作为另一实施方式，坩埚131的被打开的一侧处也可设置有具有喷嘴的覆盖件。

磁体部140可布置在腔室110内部。此时，磁体部140可形成为电磁体形态。尤其是，磁体部140能够对各个区域或特定部分的电磁力进行调整。例如，作为一实施方式，磁体部140能够仅将中央部分处的电磁力的强度保持为大于磁体部140的其他部分的电磁力的强度或者保持为小于磁体部140的其他部分的电磁力的强度。作为另一实施方式，磁体部140能够仅将中央部分处的电磁力保持为与初始电磁力相同，而将磁体部140的其他部分的电磁力保持为大于初始电磁力或者保持为小于初始电磁力。作为又一实施方式，也可将磁体部140的其他部分的电磁力保持为与初始电磁力相同，而将磁体部140的中央部分的电磁力的强度保持为大于磁体部140的其他部分的电磁力的强度或者保持为小于磁体部140的其他部分的电磁力的强度。此时，磁体部140并不限于上述配置，并且能够在多种部分处单独地对电磁力进行控制。在这种情况下，磁体部140可包括彼此相邻地排列并且彼此独立操作的多个磁体。

冷却板150可与磁体部140形成为一体，或者可与磁体部140连接。作为另一实施方式，冷却板150也可以与磁体部140相隔开并且相邻地布置。然而，出于说明的便利，在下文中将以冷却板150与磁体部140独立地形成并与磁体部140连接的情况为主进行详细说明。

冷却板150可形成为多种形态。例如，冷却板150可包括热电元件。作为另一实施方式，冷却板150也可以包括板以及布置在板的内部以供制冷剂循环的管道。此时，冷却板150并不限于上述配置，而是可包括能够对显示衬底D进行冷却的所有形态以及所有结构。

激光照射部161可布置在腔室110内部。此时，激光照射部161可向掩模组件1、显示衬底D、磁体部140和冷却板150照射激光。激光照射部161可向掩模组件1、显示衬底D、磁体部140和冷却板150照射线状激光。尤其是，激光照射部161可在一方向上朝向掩模组件1的下表面照射激光。例如，激光照射部161可在掩模框架30的长边方向或短边方向上朝向掩模组件1的下表面依次照射激光。

如上所述的激光照射部161可以以固定或者可摆动的方式设置在腔室110内部。作为另一实施方式，激光照射部161也可以能够进行线性运动的方式布置在腔室110内部。在这种情况下，激光照射部161可与布置在腔室110内部的如直线电机等驱动部163连接。出于说明的便利，在下文中将以激光照射部161与直线电机连接并在腔室110内部进行线性运动的情况为主进行详细说明。

当从激光照射部161发射的激光与掩模组件1、显示衬底D、磁体部140和冷却板150中的至少一个碰撞并被反射时，激光感测部162可感测被反射的激光。

如上所述的激光感测部162可以以固定或者可摆动的方式布置在腔室110内部。作为另一实施方式，激光感测部162也可以以能够与激光照射部161一起进行线性运动的方式布置在腔室110内部。出于说明的便利，在下文中将以激光感测部162与激光照射部161一起进行线性运动的情况为主进行详细说明。

视觉部170可布置在腔室110的内部。此时，视觉部170可感测掩模组件1和显示衬底D的位置。在这种情况下，视觉部170可包括相机。

掩模安装部181可用于安装掩模组件1。此时，掩模安装部181能够在彼此不同的三个方向上对掩模组件1进行微调。

调压部182可与腔室110连接并调节腔室110内部的压力。此时，调压部182可包括与腔室110连接的连接管道182A和布置在连接管道182A处的泵182B。

线性驱动部183可与磁体部140和冷却板150连接并使磁体部140和冷却板150进行线性运动。此时，线性驱动部183可形成为多种形态。作为一实施方式，线性驱动部183可包括与磁体部140和冷却板150连接的缸体。作为另一实施方式，线性驱动部183可包括与磁体部140和冷却板150连接的齿条、与齿条连接的齿轮以及与齿轮连接的电机。作为又一实施方式，线性驱动部183也可以包括与磁体部140和冷却板150连接的直线电机。此时，线性驱动部183并不限于上述配置，而是可包括与磁体部140和冷却板150连接并使磁体部140和冷却板150进行线性运动的所有装置和所有结构。然而，出于说明的便利，在下文中将以线性驱动部183包括与磁体部140和冷却板150连接的缸体的情况为主进行详细说明。

控制部190可设置在腔室110处，或者可布置成与腔室110相隔开。此时，控制部190可控制用于制造显示装置的设备100的操作。这种控制部190可形成为多种形态。例如，控制部190可包括电路显示基板、个人电脑、笔记本电脑、移动电话、PDA、便携式终端等。出于说明的便利，在下文中将以控制部190包括设置在腔室110处的电路显示基板的情况为主进行详细说明。

另外，参考如上所述的用于制造显示装置的设备100的操作，掩模组件1可被插入到腔室110内部并安装在掩模安装部181上。此时，在初始地布置在腔室110内部之后，掩模组件1可处于在执行数次沉积期间持续布置在腔室110内部的状态。

可将显示衬底D布置在腔室110内部。此时，腔室110内部的压力可以是大气压状态。具体地，可通过运行泵182B并经由连接管道182A将气体注入到腔室110内部。随后，可通过打开闸阀110A来打开腔室110的开口部，从而将显示衬底D插入到腔室110内部。此时，显示衬底D可通过布置在腔室110外部的机械臂等来进行移动。

当显示衬底D布置在腔室110内部时，视觉部170可对显示衬底D和掩模组件1的位置进行感测。此时，显示衬底D和掩模组件1处可分别形成有对齐标记。视觉部170可对如上所述的对齐标记进行拍摄并发送到控制部190。控制部190可对显示衬底D的对齐标记与掩模组件1的对齐标记的位置进行比较，以判断显示衬底D与掩模组件1之间的相对位置。

控制部190可根据显示衬底D与掩模组件1之间的相对位置对显示衬底D和掩模组件1中的至少一个的位置进行调整，从而使显示衬底D与掩模组件1彼此对应。此时，控制部190可通过衬底支承部120和掩模安装部181中的至少一个来对显示衬底D和掩模组件1中的至少一个的位置进行调整。

可通过对于如上所述的显示衬底D和掩模组件1中的至少一个的位置调整来使显示衬底D和掩模组件1对齐。

控制部190可使线性驱动部183操作为使得磁体部140和冷却板150接近显示衬底D。当磁体部140和冷却板150到达预定的位置时，控制部190可控制磁体部140以使磁体部140中产生预定的初始电磁力。

在磁体部140如上所述操作的情况下，磁体部140可朝着显示衬底D侧拉动掩模组件1，从而使显示衬底D与掩模组件1最大限度地接近。

控制部190可通过激光照射部161向掩模组件1、显示衬底D、冷却板150和磁体部140照射激光。此时，激光可以以线状照射到掩模组件1、显示衬底D、冷却板150和磁体部140上。

在如上所述的情况下，分别地，激光的一部分可与掩模组件1碰撞并反射，激光的另一部分可与显示衬底D碰撞并反射，激光的又一部分可与冷却板150碰撞并反射，而激光的又一部分可与磁体部140碰撞并反射。

激光感测部162可一次性地接收如上所述反射的激光并将其传送到控制部190。

控制部190可对在激光感测部162中感测到的激光进行分析。具体地，控制部190可通过对在激光感测部162中感测到的激光进行傅立叶变换来分别分离出与掩模组件1、显示衬底D、冷却板150和磁体部140对应的频率。

控制部190可将如上所述分离出的频率与预先设定于控制部190中的固有频率进行比较。具体地，控制部190可预先设定有掩模组件1、显示衬底D、冷却板150和磁体部140各自的固有频率。此时，在掩模组件1、显示衬底D、冷却板150和磁体部140分别为一个的情况下，掩模组件1、显示衬底D、冷却板150和磁体部140各自的固有频率可通过照射激光并进行测量而获得。

控制部190可在通过傅立叶变换分离出频率之后将分离出的频率与固有频率进行比较，从而辨别掩模组件1是否变形。例如，当判断为分离出的掩模组件1的频率与掩模组件1的固有频率不同时，控制部190可判断出掩模组件1发生变形。此时，控制部190可通过对掩模组件1的各个区域(或部分)分别进行如上所述的操作来辨别掩模组件1是否变形。

控制部190可将从掩模组件1的特定部分分离出的频率与固有频率进行比较。例如，控制部190可将掩模组件1划分为多个区域并针对各个区域辨别掩模组件1是否变形。作为另一实施方式，控制部190也可以在照射一次激光时根据直线辨别掩模组件1发生变形的部分。

控制部190可在对激光感测部162所感测到的激光进行傅立叶变换之后与各个装置的固有频率进行比较。此时，控制部190可通过如下方式辨别各个装置的频率，即，分离出的频率与各个固有频率一致，或者将分离出的频率中周期与各个固有频率相同的频率与各个固有频率彼此进行对应。其中，控制部190可通过将分离出的掩模组件1的频率与预设定的掩模组件1的固有频率进行比较来辨别掩模组件1是否变形。尤其是，控制部190可将掩模组件1的这样一部分判断为发生变形，即，对于该部分，分离出的掩模组件1的频率的振幅大于或小于预设定的掩模组件1的固有频率的振幅。此外，控制部190可在分离出的掩模组件1的频率被判断为非连续形态时将掩模组件1的产生非连续形态的部分判断为发生变形。

如上所述，控制部190可基于掩模组件1是否变形来改变磁体部140的电磁力。尤其是，控制部190能够在掩模组件1的特定部分(或区域)中改变磁体部140的电磁力。例如，控制部190可将磁体部140的电磁力改变为大于初始施加的初始电磁力或者改变为小于初始施加的初始电磁力。

当判断为掩模组件1发生变形时，控制部190可针对分离出的掩模组件1的频率中与预设定的掩模组件1的固有频率不同的部分改变磁体部140的电磁力。即，控制部190可改变磁体部140的电磁力，使得分离出的掩模组件1的频率变得与预设定的掩模组件1的固有频率相同。在这种情况下，可通过改变施加至掩模组件1的外力来抵消掩模组件1因荷重、外力等而导致的变形。此时，激光照射部161可持续地向掩模组件1照射激光，并且激光感测部162可感测被反射的激光。此外，控制部190可基于由激光感测部162感测到的激光来持续地执行上述操作，从而控制磁体部140以使得分离出的频率变得与预设定的固有频率相同。在这种情况下，根据分离出的频率与固有频率之间的振幅差异、分离出的频率中不存在于固有频率的周期上的频率等，对于磁体部140的磁力的控制可以以程序或数据形态预先设定在控制部190中。此外，控制部190也可以进行控制以改变磁体部140的电磁力，使得分离出的频率中出现固有频率的周期上所不存在的频率。

作为另一实施方式，控制部190也可以改变磁体部140的位置以使得分离出的频率与预设定的固有频率变得相同。此时，线性驱动部183的操作幅度可通过将分离出的频率与预设定的固有频率进行比较，并根据分离出的频率与预设定的固有频率的振幅差异、分离出的频率中是否出现固有频率的周期上所不存在的频率等，以程序或数据形态预先设定到控制部190中。此外，控制部190也可以进行控制以改变磁体部140的位置，使得分离出的频率中出现不存在于固有频率的周期上的频率。

另外，在一般的情况下，在布置了显示衬底和掩模组件之后通过磁体部施加电磁力的情况下，可对显示衬底的整个表面施加一定的电磁力。在这种情况下，可能会因显示衬底和掩模组件自身的荷重、设置掩模片时的拉伸力所导致的掩模片的变形以及因外部温度等的影响而导致出现掩模组件的一部分下垂或者变形的情况。在这种情况下，穿过掩模组件并沉积到显示衬底上的沉积物质无法形成均匀的图案。对于以这样的方式制造出的显示装置，其分辨率可能会低，并且可能会发生无法正常操作且呈现出的图像出现扭曲的问题。

然而，如上所述，通过辨别掩模组件1是否变形并且相应地控制磁体部140中所产生的电磁力，能够最大限度地减少掩模组件1的变形。

如上所述的操作可在显示衬底D的整个表面(全表面)或者掩模组件1的整个表面上执行。

当完成上述过程时，可由源部130供给沉积物质，并且将沉积物质沉积到显示衬底D上。此时，调压部182可将腔室110内部的压力保持为几乎真空状态。沉积物质可穿过掩模组件1并在显示衬底D上形成一定的图案的同时沉积到显示衬底D上。

完成沉积的控制部190可控制调压部182以将腔室110内部的压力保持为与大气压状态相同或相似。随后，显示衬底D可被移出至腔室110的外部，并通过执行其他工艺来制造显示装置。

由此，用于制造显示装置的设备100以及显示装置的制造方法能够制造出具有均匀的图案的显示装置。此外，用于制造显示装置的设备100以及显示装置的制造方法能够实现精细的沉积，因此能够制造出高分辨率的显示装置。

图3为示出通过图1中所示的用于制造显示装置的设备来制造的显示装置的平面图。图4为沿图3的线Ⅳ-Ⅳ取得的剖视图。

参照图3和图4，显示装置20可在衬底21上限定显示区域DA和位于显示区域DA的外围的非显示区域。显示区域DA中可布置有发光部(未标记)，并且非显示区域中可布置有电源布线(未示出)等。此外，非显示区域中可布置有焊盘部C。

显示装置20可包括显示衬底D、中间层28B、相对电极28C和封装层(未标记)。此时，显示衬底D可包括衬底21、缓冲层22、薄膜晶体管TFT、钝化膜27、像素电极28A和像素限定膜29。此外，所述封装层可包括与衬底21相同或相似的封装衬底(未示出)或者薄膜封装层E。此时，在所述封装层包括所述封装衬底的情况下，衬底21与所述封装衬底之间可布置有额外的密封部件(未示出)。然而，出于说明的便利，在下文中将以所述封装层包括薄膜封装层E的情况为主进行详细说明。

衬底21可使用塑料材料，并且也可使用诸如SUS、Ti的金属材料。此外，衬底21可使用聚酰亚胺(PI，Polyimide)。出于说明的便利，在下文中将以衬底21由聚酰亚胺形成的情况为主进行详细说明。

衬底21上可形成有发光部(未标记)。此时，所述发光部可设置有薄膜晶体管TFT，并且可形成有覆盖发光部和薄膜晶体管TFT的钝化膜27，并且该钝化膜27上可形成有有机发光器件28。

衬底21的上表面上还可以形成有由有机化合物和/或无机化合物构成的缓冲层22，其中，缓冲层22可由SiO_x(x≥1)、SiN_x(x≥1)形成。

在该缓冲层22上形成以预定图案排列的有源层23之后，有源层23通过栅极绝缘层24被埋置。有源层23具有源区23C和漏区23A，并且在源区23C与漏区23A之间还包括有沟道区23B。

这种有源层23可形成为包含多种物质。例如，有源层23可包含诸如非晶硅或结晶硅的无机半导体物质。作为另一示例，有源层23可包含氧化物半导体。作为又一示例，有源层23可包含有机半导体物质。然而，出于说明的便利，在下文中将以有源层23由非晶硅形成的情况为主进行详细说明。

这种有源层23可通过如下方式形成，即，在缓冲层22上形成非晶硅膜之后对非晶硅膜进行晶化来形成多晶硅膜，并且对该多晶硅膜进行图案化而形成有源层23。根据驱动薄膜晶体管(未示出)、开关薄膜晶体管(未示出)等薄膜晶体管的种类，有源层23的源区23C和漏区23A通过杂质被掺杂。

栅极绝缘层24的上表面处形成有与有源层23对应的栅电极25以及埋置栅电极25的层间绝缘层26。

此外，在层间绝缘层26和栅极绝缘层24中形成接触孔H1之后，在层间绝缘层26上将源电极27B和漏电极27A形成为分别与源区23C和漏区23A接触。

如此形成的薄膜晶体管TFT的上部形成有钝化膜27，并且该钝化膜27的上部形成有有机发光器件(OLED)28的像素电极28A。该像素电极28A通过形成在钝化膜27中的通孔H2与薄膜晶体管TFT的漏电极27A接触。钝化膜27可由无机物和/或有机物形成为单层或两层以上，其中，钝化膜27可以与下部膜的弯曲形态无关地形成为上表面呈平坦状的平坦化膜，或者也可形成为根据位于下部的膜的弯曲形态而呈弯曲状。此外，该钝化膜27优选地由透明绝缘体形成以便能够实现共振效果。

在钝化膜27上形成像素电极28A之后，由有机物和/或无机物形成像素限定膜29以覆盖该像素电极28A和钝化膜27，并且使像素限定膜29被打开以暴露像素电极28A。

此外，至少在所述像素电极28A上形成中间层28B和相对电极28C。

像素电极28A起到阳电极的作用，并且相对电极28C起到阴电极的作用，当然，这些像素电极28A和相对电极28C的极性可以被调换。

像素电极28A和相对电极28C通过中间层28B而彼此绝缘，并且通过向中间层28B施加具有彼此不同的极性的电压，使有机发光层实现发光。

中间层28B可设置有有机发光层。作为可选的另一示例，中间层28B可设置有有机发光层(organic emission layer)，此外还可设置有空穴注入层(HIL：hole injectionlayer)、空穴传输层(hole transport layer)、电子传输层(electron transport layer)和电子注入层(electron injection layer)中的至少一种。本实施方式并不限于此，并且中间层28B可设置有有机发光层，并且还可设置有其他多种功能层(未示出)。

此时，如上所述的中间层28B可通过在上文中说明的用于制造显示装置的设备(未示出)来形成。

另外，一个单位像素可由多个子像素构成，其中，多个子像素可发射出各种颜色的光。例如，多个子像素可设置有分别发射出红色光、绿色光和蓝色光的子像素，并且也可设置有分别发射出红色光、绿色光、蓝色光和白色光的子像素(未示出)。

另外，如上所述的薄膜封装层E可包括多个无机层，或者可包括无机层和有机层。

薄膜封装层E的有机层可由聚合物形成，且优选地可以是由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任一种形成的单层膜或叠层膜。更优选地，有机层可由聚丙烯酸酯形成，具体地，可包括由包含二丙烯酸酯系单体和三丙烯酸酯系单体的单体组合物聚合而成的产物。上述单体组合物中还可包含有单丙烯酸酯系单体。此外，上述单体组合物中还可包含有如TPO的已知光引发剂，但并不限于此。

薄膜封装层E的无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层膜或叠层膜。具体地，无机层可包括SiN_x、Al₂O₃、SiO₂和TiO₂中的任一种。

薄膜封装层E中暴露至外部的最上层可由无机层形成以防止水分渗透到有机发光器件28中。

薄膜封装层E可包括至少两个无机层之间插置有至少一个有机层的至少一个夹层结构。作为另一示例，薄膜封装层E可包括至少两个有机层之间插置有至少一个无机层的至少一个夹层结构。作为又一示例，薄膜封装层E也可包括至少两个无机层之间插置有至少一个有机层的夹层结构以及至少两个有机层之间插置有至少一个无机层的夹层结构。

薄膜封装层E可从有机发光器件28的上部依次包括第一无机层、第一有机层和第二无机层。

作为另一示例，薄膜封装层E可从有机发光器件28的上部依次包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。

作为又一示例，薄膜封装层E可从有机发光器件28的上部依次包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。

有机发光器件28与第一无机层之间可附加地包括包含LiF的金属卤化物层。金属卤化物层可在通过溅射方式形成第一无机层时防止有机发光器件28受损。

第一有机层的面积可小于第二无机层的面积，并且第二有机层的面积也可小于第三无机层的面积。

因此，显示装置20具有形成精细图案的中间层28B并且中间层28B被沉积并形成在正确的位置处，由此能够实现精细图像。此外，即使反复地沉积中间层28B，显示装置20也能够形成均匀的图案，由此随着连续的生产表现出均匀的品质。

如上所述，虽然已参照附图中所示的一实施方式对本发明进行了说明，但这仅仅是示例性的，并且本发明所属技术领域的普通技术人员将理解，能够由此进行多种变型以及实施方式的变型。因此，本发明真正的技术保护范围应由随附的权利要求书的技术思想来限定。

附图标记说明

1：掩模组件

10：掩模片

20：显示装置

30：掩模框架

40：支承框架

100：用于制造显示装置的设备

110：腔室

120：衬底支承部

130：源部

140：磁体部

150：冷却板

161：激光照射部

162：激光感测部

170：视觉部

181：掩模安装部

182：调压部

183：线性驱动部

190：控制部

Claims (10)

1.用于制造显示装置的设备，包括：

腔室；

掩模组件，所述掩模组件布置在所述腔室内部；

源部，所述源部布置成与所述掩模组件相对，并且向所述掩模组件喷射沉积物质以使所述沉积物质沉积到显示衬底上；

磁体部，所述磁体部布置在所述腔室内部，并且通过向所述掩模组件施加电磁力使所述掩模组件紧贴到所述显示衬底侧；

激光照射部，所述激光照射部布置在所述腔室内部，并且向所述显示衬底、所述掩模组件和所述磁体部照射激光；

激光感测部，所述激光感测部布置在所述腔室内部，并且感测由所述显示衬底、所述掩模组件和所述磁体部反射的激光；以及

控制部，所述控制部通过对由所述激光感测部感测到的激光进行分析来确定与所述掩模组件对应的频率，

其中，所述控制部根据与所述掩模组件对应的频率来调节由所述磁体部施加至所述掩模组件的电磁力。

2.如权利要求1所述的用于制造显示装置的设备，其中，所述磁体部基于由所述激光感测部感测到的结果仅调节施加至所述掩模组件的电磁力中的一部分。

3.如权利要求1所述的用于制造显示装置的设备，还包括：

冷却板，所述冷却板布置在所述磁体部与所述显示衬底之间。

4.如权利要求3所述的用于制造显示装置的设备，其中，所述激光照射部向所述冷却板照射激光，并且所述激光感测部感测由所述冷却板反射的激光。

5.如权利要求1所述的用于制造显示装置的设备，还包括：

控制部，所述控制部基于由所述激光感测部感测到的激光来分别分离出与所述掩模组件、所述显示衬底和所述磁体部对应的频率。

6.如权利要求5所述的用于制造显示装置的设备，其中，所述控制部通过与所述掩模组件对应的频率来辨别所述掩模组件是否变形。

7.如权利要求6所述的用于制造显示装置的设备，其中，所述控制部根据所述掩模组件是否变形来控制所述磁体部的电磁力。

8.如权利要求5所述的用于制造显示装置的设备，其中，所述控制部对由所述激光感测部感测到的激光进行傅立叶变换以分别分离出与所述掩模组件、所述显示衬底以及所述磁体部对应的频率。

9.如权利要求6所述的用于制造显示装置的设备，其中，所述控制部根据所述掩模组件是否变形来调整所述磁体部的位置。

10.如权利要求1所述的用于制造显示装置的设备，其中，所述掩模组件包括：

掩模框架；以及

多个掩模片，所述多个掩模片布置在所述掩模框架上并且彼此连接。