CN109428007B - 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 182
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 174
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 44
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 37
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 claims description 8
- -1 hydroxyl compound Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 claims description 3
- 150000002513 isocyanates Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 109
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 3
- 125000000864 peroxy group Chemical group O(O*)* 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- LXEJRKJRKIFVNY-UHFFFAOYSA-N terephthaloyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=C(C(Cl)=O)C=C1 LXEJRKJRKIFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
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- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2401/00—Form of the coating product, e.g. solution, water dispersion, powders or the like
- B05D2401/10—Organic solvent
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2401/00—Form of the coating product, e.g. solution, water dispersion, powders or the like
- B05D2401/30—Form of the coating product, e.g. solution, water dispersion, powders or the like the coating being applied in other forms than involving eliminable solvent, diluent or dispersant
- B05D2401/31—Form of the coating product, e.g. solution, water dispersion, powders or the like the coating being applied in other forms than involving eliminable solvent, diluent or dispersant applied as mixtures of monomers and polymers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
本发明提供一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置,在不增加平坦层总厚度的前提下,通过分两次形成两个平坦化层,得到包括两段式平坦化结构的显示基板,在形成第一平坦化层后,可以有效降低显示基板表面的段差,从而在制备第二平坦化层时,降低工艺难度,并满足平坦化工艺的要求。经试验证明,两层平坦化工艺可将显示基板表面的段差降低到20nm以内,从而保证形成在平坦化层上的功能器件能够正常工作。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置。
背景技术
有机电子薄膜器件装置通常包括晶体管电路、发光装置(例如OLED)及光电感测元件。这些装置或元件从微观上看,通常都是由多层无机(如各种金属、半导体,绝缘介质等)薄膜和有机薄膜形成,且这些薄膜是图形化的,可以呈现线状,块状,条状等。图形化的薄膜相互交叠,即在不同区域交叠的薄膜层数不同导致厚度存在差异,出现凸凹不平的现象。图1为现有的显示基板的结构示意图,衬底基板300上设置有第一图形层100,第一图形层100上设置第二图形层200。图1中显示基板的最高点是两个图形层的重叠之处,其与衬底基板300所在平面的段差记为a1。在电路结构或晶体管器件(即上述图形层)制作完成后,会形成平坦化层400,以利于后续工艺步骤的进行,最常用的方法是在最上方的图形层表面涂覆液态的平坦化层材料,利用其流平特性进行平坦化,干燥固化后形成薄膜。
如图1所示,当图形层的段差a1过大时,单层的光刻胶涂覆很难满足平坦化的要求,或者,必须要足够厚的光刻胶才能达到一定的平坦度要求,这对后续工艺难度较大。对于某些功能器件而言,比如有机电致发光器件(OLED),功能层厚度通常较薄,一般在20-100nm范围内,其对底层基板的表面平坦性能的要求非常高,衬底基板表面的细微不平会体现在发光亮度上,导致发光不均。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述不足,提供一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置,用以至少部分解决现有的显示基板平坦化效果差,平坦化工艺难度大的问题。
本发明为解决上述技术问题,采用如下技术方案:
本发明提供一种显示基板的制备方法,包括以下步骤:
在衬底基板上形成图形层;
在所述图形层上至少涂覆第一预聚合溶液,在加热条件下通过聚合反应生成聚合物,以形成所述第一平坦化层;
在所述第一平坦化层上形成第二平坦化层。
优选的,所述第一预聚合溶液的粘度小于50厘泊。
优选的,所述在所述图形层上形成第一平坦化层,具体包括:
在所述图形层上至少涂覆第一预聚合溶液,在加热条件下通过聚合反应生成聚合物,以形成所述第一平坦化层。
优选的,所述在所述图形层上至少涂覆第一预聚合溶液,具体包括:
在所述图形层上依次涂覆第一预聚合溶液和第二预聚合溶液,以使所述第一预聚合溶液和所述第二预聚合溶液混合。
进一步的,所述显示基板的制备方法还包括:
在所述第一预聚合溶液和所述第二聚合溶液混合过程中,和/或,在聚合反应过程中,向所述混合溶液加载超声波。
优选的,所述第一预聚合溶液和/或所述第二预聚溶液中含有光学活性材料。
进一步的,所述生成聚合物之后,所述方法还包括:
去除未充分聚合的所述第一或第二预聚合溶液的混合溶液。
进一步的,所述涂覆第二预聚合溶液之前,所述方法还包括:
部分挥发所述第一预聚合溶液,以使挥发后的第一预聚合溶液的液面不高于所述最上层的图形层的上表面。
优选的,所述挥发后的第一预聚合溶液的体积为挥发前的第一预聚合溶液的体积的10-30%。
优选的,所述第一预聚合溶液和/或所述第二预聚合溶液含有催化剂或引发剂;所述通过聚合反应生成聚合物,具体包括:
所述第一预聚合溶液的第一预聚单体与所述第二预聚合溶液的第二预聚单体在所述催化剂或所述引发剂作用下发生共聚反应,生成所述聚合物。
优选的,所述第一预聚单体和所述第二预聚单体其中之一为异氰酸酯类单体,另一个为羟基化合物类单体。
优选的,所述通过聚合反应生成聚合物,具体包括:
所述第二预聚合溶液为引发剂,所述第一预聚合溶液的第一预聚单体在所述第二预聚合溶液的引发下发生自聚反应,生成所述聚合物;或者,
所述第一预聚合溶液为引发剂,所述第二预聚合溶液的第二预聚单体在所述第一预聚合溶液的引发下发生自聚反应,生成所述聚合物。
优选的,所述第一预聚合溶液为引发剂,所述挥发后的第一预聚合溶液的质量百分比浓度小于或等于0.5%。
优选的,所述引发剂为偶氮类引发剂或过氧类化合物引发剂。
优选的,所述在所述图形层上至少涂覆第一预聚合溶液,在加热条件下通过聚合反应生成聚合物,以形成所述第一平坦化层,具体包括:
在所述图形层上涂覆第一预聚合溶液,所述第一预聚合溶液为第一预聚单体溶液,且含有引发剂;
在加热条件下,所述第一预聚合溶液的第一预聚单体在所述引发剂的引发下发生本体聚合反应生成聚合物,以形成第一平坦化层。
进一步的,所述第一预聚合溶液的第一预聚单体在所述引发剂的引发下发生本体聚合反应生成聚合物之前,所述方法还包括:
部分挥发所述第一预聚合溶液,以使挥发后的第一预聚合溶液的液面不高于所述最上层的图形层的上表面。
优选的,所述第一预聚合溶液中含有光学活性材料。
进一步的,所述生成聚合物之后,所述方法还包括:
去除未充分聚合的所述第一预聚合溶液。
本发明还提供一种显示基板,采用如前所述的方法制备,包括:衬底基板、形成在所述衬底基板上的图形层、第一平坦化层和第二平坦化层,所述第一平坦化层形成在所述图形层上,所述第二平坦化层形成在所述第一平坦化层上。
优选的,所述第一平坦化层和所述第二平坦化层的材料中含有光学活性材料。
本发明还提供一种显示装置,包括如权利要求19或20所述的显示基板。
本发明能够实现以下有益效果:
本发明在不增加平坦层总厚度的前提下,通过分两次形成两个平坦化层,得到包括两段式平坦化结构的显示基板,在形成第一平坦化层后,可以有效降低显示基板表面的段差,从而在制备第二平坦化层时,降低工艺难度,并满足平坦化工艺的要求。经试验证明,两层平坦化工艺可将显示基板表面的段差降低到20nm以内,从而保证形成在平坦化层上的功能器件能够正常工作。
附图说明
图1为现有的显示基板的结构示意图;
图2为本发明实施例4提供的显示基板的结构示意图;
图3a-图3d为本发明实施例1、2提供的制备显示基板的第一平坦化层步骤示意图;
图4a-图4c为本发明实施例3提供的制备显示基板的第一平坦化层步骤示意图。
图例说明:
100、第一图形层 200、第二图形层 300、衬底基板
400、平坦化层 500、第一平坦化层 600、第二平坦化层
501、第一预聚合溶液 502、第二预聚合溶液
具体实施方式
下面将结合本发明中的附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
本发明实施例1提供一种显示基板的制备方法,结合图2和图3a-图3d所示,所显示基板的制备方法包括以下步骤:
步骤11,在衬底基板300上形成图形层。
具体的,在本发明实施例中,图形层可以包括第一图形层100和第二图形层200,第一图形层100和第二图形层200依次形成在衬底基板300上。
步骤12,在所述图形层上形成第一平坦化层500。
具体的,如图3a所示,在所述图形层(即第二图形层200)上至少涂覆第一预聚合溶液501,在加热条件下通过聚合反应生成聚合物,以形成第一平坦化层500。在实施例1中,如图3a和图3c所示,在所述图形层上依次涂覆第一预聚合溶液501和第二预聚合溶液502,以使第一预聚合溶液501和第二预聚合溶液502混合。步骤12具体包括以下步骤:
步骤121,在第二图形层200上涂覆第一预聚合溶液501(如图3a所示)。
具体的,第一预聚合溶液501中包括用于生成聚合物的第一预聚单体。
步骤122,涂覆第二预聚合溶液502(如图3c所示)。
具体的,在涂覆第二预聚合溶液502后,第二预聚合溶液502与第一预聚合溶液501相混合。为了提高第一预聚合溶液501和第二预聚合溶液502的混合效果,优选的,在第一预聚合溶液501和第二聚合溶液502混合过程中向所述混合溶液加载超声波。需要说明的是,在聚合反应过程中,也可以向第一预聚合溶液501和第二预聚合溶液502的混合溶液加载超声波。
由于需要在平坦化层上进行光刻工艺(例如曝光、显影)以图案化,因此,优选的,第一预聚合溶液501和/或第二预聚溶液502中含有光学活性材料,光学活性材料可以为叠氮醌类感光基团或聚肉桂酸类感光基团。
步骤123,在加热条件下通过聚合反应生成聚合物,以形成第一平坦化层500(如图3d所示)。
具体的,可以通过控制聚合反应的时间和温度等条件,实现对聚合反应聚合程度的控制。
优选的,第一预聚合溶液501和/或第二预聚合溶液502中含有催化剂或引发剂。在实施例1中,第一预聚合溶液501的第一预聚单体与第二预聚合溶液502的第二预聚单体在所述催化剂或引发剂作用下发生共聚反应,生成聚合物,所述聚合物即形成第一平坦化层500。
优选的,第一预聚单体和第二预聚单体其中之一为异氰酸酯类单体,另一个为羟基化合物类单体。
优选的,所述引发剂可以选用偶氮类引发剂,例如偶氮二异丁腈,或者,过氧类化合物引发剂,例如过氧化二苯甲酰。
进一步的,在涂覆第二预聚合溶液502(即步骤122)之前,所述方法还可以包括以下步骤:
步骤121’,部分挥发第一预聚合溶液501,以使挥发后的第一预聚合溶液501的液面低于最上层的图形层(即第二图形层200)的上表面。
具体的,如图3b所示,在涂覆第一预聚合溶液501之后、涂覆第二预聚合溶液502之前,使第一预聚合溶液501部分挥发。可以通过减压挥发的方式去除第一预聚合溶液501的部分溶剂,挥发后的第一预聚合溶液501由于自流平特性向显示基板的低洼区域流动,所述低洼区域即为所述图形层不同部分之间的区域。通过先将第一预聚合溶液501通过挥发减少,使第一预聚合溶液只停留在低洼区域,从而“选择性”地与第二预聚合溶液502聚合,才能达到预平坦化的效果。
进一步的,为了保证第一预聚合溶液501具备较好的流平性,可以通过溶剂的选择和浓度的控制,使第一预聚合溶液501保持低粘度,优选的,第一预聚合溶液501的粘度小于50厘泊。
根据不同类型溶剂挥发速率的不同,可以通过控制挥发时间控制的第一预聚合溶液501的剩余量,优选的,挥发后的第一预聚合溶液501的液面高度不超过所述图形层的高度(即第一图形层100和第二图形层200的高度之和)a1。这样,可以保证后续第一预聚溶液501仅在低洼区域内参与聚合反应,以初步减小显示基板表面段差。优选的,挥发后的第一预聚合溶液501的体积为挥发前的第一预聚合溶液的体积的10-30%。
通过部分挥发第一预聚合溶液501,自流平效果更好,使得第一预聚合溶液501能够在显示基板的表面均匀分布,平坦化效果更优,可以适用于各类复杂图案的低洼粗糙界面;而且第一预聚合溶液501的流平不受图案形状限制,适用范围更广。此外,还可以通过控制挥发时间控制第一预聚合溶液501的剩余量,从而实现第一平坦化层500的平坦化效果可控,更为灵活。
需要说明的是,当第一预聚合溶液501包含催化剂或引发剂时,催化剂或引发剂的浓度往往为很低,第一预聚合溶液501的溶剂挥发后,催化剂或引发剂的质量百分比浓度小于或等于0.5%。
进一步的,在生成聚合物(即步骤123)之后,所述方法还可以包括以下步骤:
步骤124,去除未充分聚合的第一预聚合溶液501或第二预聚合溶液502。
具体的,当聚合反应完成后,采用溶剂清洗的方式将多余的未充分聚合的第一预聚合溶液501或第二预聚合溶液502去除,得到第一平坦化层500。
步骤13,在第一平坦化层500上形成第二平坦化层600。
具体的,在已形成的第一平坦层500上,通过旋涂或刮刀涂覆第二平坦化层材料,通过交联、固化、后烘等工艺得到第二平坦化层600。第二平坦化层的材料可以与聚合后的第一平坦化层的材料(即生成的聚合物)相同,也可以不同。
通过步骤11-13可以看出,本发明通过分两次形成两个平坦化层,得到包括两段式平坦化结构的显示基板,在形成第一平坦化层500后,可以有效降低显示基板表面的段差,从而在制备第二平坦化层600时,降低工艺难度,经试验证明,经过两层平坦化工艺,可将显示基板表面的段差降低到20nm以内,从而保证形成在平坦化层上的功能器件能够正常工作。
在实施例1的一种具体实施方式中,第一预聚合溶液501中的第一预聚单体可以为二元醇,比如乙二醇,第一预聚合溶液501中含有催化剂,催化剂可以为路易斯酸,例如氯化铝,氯化锡等。第二预聚合溶液502可以为二元羧酸或二元酰氯等,例如对苯二甲酸、对苯二甲酰氯等。在这种情况下,第一预聚合溶液501和第二预聚合溶液502发生共聚反应,其反应温度可以为260-290℃,生成聚对苯二甲酸乙二醇酯(俗称PET),聚合度可以为100-200。。
实施例2
本发明实施例2提供一种显示基板的制备方法,实施例2的制备方法与实施例1的制备方法的区别在于:实施例2中第一预聚合溶液501和第二预聚合溶液502发生自聚反应。
具体的,在步骤123中,第二预聚合溶液502可以为引发剂,第一预聚合溶液501的第一预聚单体在第二预聚合溶液502的引发下发生自聚反应,生成所述聚合物。或者,第一预聚合溶液501可以为引发剂,第二预聚合溶液502的第二预聚单体在第一预聚合溶液501的引发下发生自聚反应,生成所述聚合物。
优选的,第一预聚合溶液501包括引发剂,在步骤121’中,挥发后的第一预聚合溶液501(即引发剂)的质量百分比浓度小于或等于0.5%。
优选的,所述引发剂为偶氮类引发剂或过氧类化合物引发剂。
优选的,发生自聚反应的预聚单体可以为苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯或丙烯腈。
实施例2的制备方法中的其他步骤均与实施例1相同,在此不再赘述。
在实施例2的一种具体实施方式中,第一预聚合溶液501可以选用包含偶氮二异丁腈或过氧化二苯甲酰的甲苯溶液,作为引发剂,第二预聚合溶液502可以选用包括苯乙烯或甲基丙烯酸甲酯等的甲苯溶液,此时第二预聚合溶液502中的苯乙烯单体或甲基丙烯酸甲酯单体可以在第一预聚合溶液501的引发下发生自聚合反应,所述自聚合反应的反应温度为40-80℃,生成聚苯乙烯(俗称PS)或聚甲基丙烯酸甲酯(俗称PMMA),聚合的分子量可以达到十万到百万量级。
实施例3
本发明实施例3提供一种显示基板的制备方法,实施例3的制备方法与实施例1和实施例2的制备方法的区别在于:在实施例3中,只涂覆第一预聚合溶液501,不再涂覆第二预聚合溶液502,第一预聚合溶液501发生本体聚合反应。
具体的,结合图4a-图4b所示,制备第一平坦化层的步骤具体包括以下步骤:
步骤21,在所述图形层(即第二图形层200)上涂覆第一预聚合溶液501(如图4a所示)。
具体的,第一预聚合溶液501为第一预聚单体溶液,且第一预聚合溶液501中含有引发剂,第一预聚单体可以为苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯或丙烯腈。引发剂可以为偶氮类引发剂或过氧类化合物引发剂。
优选的,第一预聚合溶液501中还可以含有光学活性材料。
步骤22,在加热条件下,第一预聚合溶液501的第一预聚单体在所述引发剂的引发下发生本体聚合反应生成聚合物,以形成第一平坦化层500(如图4c所示)。
优选的,在发生本体聚合反应(即步骤22)之前,所述方法还可以包括以下步骤:
步骤21’,部分挥发所述第一预聚合溶液501,以使挥发后的第一预聚合溶液501的液面不高于所述最上层的图形层的上表面。
具体的,如图4b所示,在涂覆第一预聚合溶液501之后、发生本体聚合反应之前,使第一预聚合溶液501部分挥发。可以通过减压挥发的方式去除第一预聚合溶液501的部分溶剂,挥发后的第一预聚合溶液501由于自流平特性向显示基板的低洼区域流动。
进一步的,为了保证第一预聚合溶液501具备较好的流平性,可以通过溶剂的选择和浓度的控制,使第一预聚合溶液501保持低粘度,优选的,第一预聚合溶液501的粘度小于50厘泊。
根据不同类型溶剂挥发速率的不同,可以通过控制挥发时间控制第一预聚合溶液501的剩余量,优选的,挥发后的第一预聚合溶液501的液面高度不超过所述图形层的高度(即第一图形层100和第二图形层200的高度之和)a1。这样,可以保证后续第一预聚溶液501仅在低洼区域内参与聚合反应,以初步减小显示基板表面段差。优选的,挥发后的第一预聚合溶液501的体积为挥发前的第一预聚合溶液的体积的10-30%。
通过部分挥发第一预聚合溶液501,自流平效果更好,使得第一预聚合溶液501能够在显示基板的表面均匀分布,平坦化效果更优,可以适用于各类复杂图案的低洼粗糙界面;而且第一预聚合溶液501的流平不受图案形状限制,适用范围更广。此外,还可以通过控制挥发时间控制第一预聚合溶液501的剩余量,从而实现第一平坦化层500的平坦化效果可控,更为灵活。
优选的,第一预聚合溶液501的溶剂挥发后,其中的引发剂的质量百分比浓度小于或等于0.5%。
进一步的,在生成聚合物(即步骤22)之后,所述方法还可以包括以下步骤:去除未充分聚合的第一预聚合溶液501。
在实施例3的一种具体实施方式中,第一预聚合溶液501中的第一预聚单体可选用苯乙烯,甲基丙烯酸甲酯,乙酸乙烯酯等。引发剂可以选用偶氮二异丁腈或过氧化二苯甲酰。第一预聚合溶液501中的第一预聚单体可以在引发剂的引发下发生本体聚合反应,本体聚合反应的反应温度为40-80℃,生成聚苯乙烯(俗称PS),PMMA或聚醋酸乙烯酯(俗称PVAc),聚合的分子量在几万到几十万量级之间。
实施例4
本发明实施例4提供一种显示基板,所述显示基板可以采用实施例1、2或3所述的方法制备,如图2所示,所述显示基板包括:衬底基板300、形成在衬底基板300上的图形层、第一平坦化层500和第二平坦化层600,第一平坦化层500形成在所述图形层上,第二平坦化层600形成在第一平坦化层500上。
优选的,第一平坦化层500和第二平坦化层600的材料中含有光学活性材料。
通过分两次形成两个平坦化层,得到包括两段式平坦化结构的显示基板,在形成第一平坦化层500后,可以有效降低显示基板表面的段差,从而在制备第二平坦化层600时,降低工艺难度,并满足平坦化工艺的要求,提高平坦化效果。经试验证明,可将显示基板表面的段差降低到20nm以内,从而保证形成在平坦化层上的功能器件能够正常工作。
实施例5
本发明实施例5提供一种显示基板,所述显示基板包括如实施例4的显示基板。
本发明通过在显示基板表面涂覆至少一层具有良好自流平特性的预聚合溶液,通过减压挥发的方式去除多余的溶剂,剩余的预聚溶液仅保留在显示基板的低洼区域,然后在一定的外部条件下发生聚合反应,反应生成的聚合物沉积在显示基板的低洼区域,形成第一平坦化层,从而达到降低初始段差的效果。然后在第一平坦化层上采用常规方法再形成第二平坦化层,从而最终大幅度改善显示基板表面的平坦度。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (17)
1.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在衬底基板上形成图形层;
在所述图形层上至少涂覆第一预聚合溶液,在加热条件下通过聚合反应生成聚合物,以形成第一平坦化层;
在所述第一平坦化层上形成第二平坦化层;
所述在所述图形层上至少涂覆第一预聚合溶液,包括:
在所述图形层上涂覆第一预聚合溶液;
部分挥发所述第一预聚合溶液,以使挥发后的第一预聚合溶液的液面低于最上层的图形层的上表面;
涂覆第二预聚合溶液,以使所述第一预聚合溶液和所述第二预聚合溶液混合。
2.如权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述第一预聚合溶液的粘度小于50厘泊。
3.如权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述第一预聚合溶液和所述第二预聚合溶液混合过程中,和/或,在聚合反应过程中,向所述第一预聚合溶液和所述第二预聚合溶液的混合溶液加载超声波。
4.如权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述第一预聚合溶液和/或所述第二预聚溶液中含有光学活性材料。
5.如权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述生成聚合物之后,所述方法还包括:
去除未充分聚合的所述第二预聚合溶液的混合溶液。
6.如权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述挥发后的第一预聚合溶液的体积为挥发前的第一预聚合溶液的体积的10-30%。
7.如权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述第一预聚合溶液和/或所述第二预聚合溶液含有催化剂或引发剂;所述通过聚合反应生成聚合物,具体包括:
所述第一预聚合溶液的第一预聚单体与所述第二预聚合溶液的第二预聚单体在所述催化剂或所述引发剂作用下发生共聚反应,生成所述聚合物。
8.如权利要求7所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述第一预聚单体和所述第二预聚单体其中之一为异氰酸酯类单体,另一个为羟基化合物类单体。
9.如权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述通过聚合反应生成聚合物,具体包括:
所述第二预聚合溶液为引发剂,所述第一预聚合溶液的第一预聚单体在所述第二预聚合溶液的引发下发生自聚反应,生成所述聚合物;或者,
所述第一预聚合溶液为引发剂,所述第二预聚合溶液的第二预聚单体在所述第一预聚合溶液的引发下发生自聚反应,生成所述聚合物。
10.如权利要求9所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述第一预聚合溶液为引发剂,所述挥发后的第一预聚合溶液的质量百分比浓度小于或等于0.5%。
11.如权利要求9所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述引发剂为偶氮类引发剂或过氧类化合物引发剂。
12.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在衬底基板上形成图形层;
在所述图形层上涂覆第一预聚合溶液,所述第一预聚合溶液为第一预聚单体溶液,且含有引发剂;
部分挥发所述第一预聚合溶液,以使挥发后的第一预聚合溶液的液面不高于最上层的图形层的上表面;
在加热条件下,所述第一预聚合溶液的第一预聚单体在所述引发剂的引发下发生本体聚合反应生成聚合物,以形成第一平坦化层;
在所述第一平坦化层上形成第二平坦化层。
13.如权利要求12所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述第一预聚合溶液中含有光学活性材料。
14.如权利要求12所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述生成聚合物之后,所述方法还包括:
去除未充分聚合的所述第一预聚合溶液。
15.一种显示基板,其特征在于,采用如权利要求1-11任一项或如权利要求12-14任一项所述的方法制备,包括:衬底基板、形成在所述衬底基板上的图形层、第一平坦化层和第二平坦化层,所述第一平坦化层形成在所述图形层上,所述第二平坦化层形成在所述第一平坦化层上。
16.如权利要求15所述的显示基板,其特征在于,所述第一平坦化层和所述第二平坦化层的材料中含有光学活性材料。
17.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求15或16所述的显示基板。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710755090.9A CN109428007B (zh) | 2017-08-29 | 2017-08-29 | 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 |
JP2018558407A JP7079208B2 (ja) | 2017-08-29 | 2018-03-26 | 表示基板、表示装置及びその製造方法 |
PCT/CN2018/080484 WO2019041793A1 (en) | 2017-08-29 | 2018-03-26 | DISPLAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY SUBSTRATE |
EP18785802.2A EP3676887B1 (en) | 2017-08-29 | 2018-03-26 | Display substrate, display apparatus, and method of manufacturing thereof |
US16/082,340 US11522167B2 (en) | 2017-08-29 | 2018-03-26 | Display substrate, display apparatus, and method of manufacturing thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710755090.9A CN109428007B (zh) | 2017-08-29 | 2017-08-29 | 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109428007A CN109428007A (zh) | 2019-03-05 |
CN109428007B true CN109428007B (zh) | 2020-06-26 |
Family
ID=65503478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710755090.9A Active CN109428007B (zh) | 2017-08-29 | 2017-08-29 | 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11522167B2 (zh) |
EP (1) | EP3676887B1 (zh) |
JP (1) | JP7079208B2 (zh) |
CN (1) | CN109428007B (zh) |
WO (1) | WO2019041793A1 (zh) |
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-
2017
- 2017-08-29 CN CN201710755090.9A patent/CN109428007B/zh active Active
-
2018
- 2018-03-26 JP JP2018558407A patent/JP7079208B2/ja active Active
- 2018-03-26 EP EP18785802.2A patent/EP3676887B1/en active Active
- 2018-03-26 US US16/082,340 patent/US11522167B2/en active Active
- 2018-03-26 WO PCT/CN2018/080484 patent/WO2019041793A1/en unknown
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---|---|
EP3676887A1 (en) | 2020-07-08 |
WO2019041793A1 (en) | 2019-03-07 |
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CN109428007A (zh) | 2019-03-05 |
JP2020531872A (ja) | 2020-11-05 |
US20210202920A1 (en) | 2021-07-01 |
JP7079208B2 (ja) | 2022-06-01 |
EP3676887A4 (en) | 2021-04-28 |
US11522167B2 (en) | 2022-12-06 |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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