CN109300835B - 一种晶片支撑结构、预热腔室和半导体处理设备 - Google Patents

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CN109300835B CN201710610276.5A CN201710610276A CN109300835B CN 109300835 B CN109300835 B CN 109300835B CN 201710610276 A CN201710610276 A CN 201710610276A CN 109300835 B CN109300835 B CN 109300835B
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Abstract

本发明提供一种晶片支撑结构、预热腔室和半导体处理设备，通过在预热腔室内设置晶片支撑结构，晶片支撑结构包括至少一个第一支撑架和一个第二支撑架，其中第一支撑架设置在第二支撑架正上方，且第一支撑架的边缘与第二支撑架的边缘接触，不同的晶片分别放置在第一支撑架和第二支撑架的上表面，由于第一支撑架和第二支撑架的外轮廓的形状与预热腔室内周壁的形状相同，可实现晶片与第一支撑架和第二支撑架的接触面积均较大，晶片升温速度较快，提高热传导效率和预热效率。

Description

一种晶片支撑结构、预热腔室和半导体处理设备
技术领域
本发明涉及半导体设备制造技术领域，具体涉及一种晶片支撑结构、预热腔室和半导体处理设备。
背景技术
目前，在半导体先进封装刻蚀设备中，预热腔通常用于对晶片预热，以保证晶片进入工艺腔室后，可以进行后续工艺。一种类型的晶片是通过硅片与玻璃进行键合后，在其下表面再粘贴聚酰亚胺胶带形成的。由于该类型晶片存在硅片和玻璃的键合以及粘贴的聚酰亚胺胶带，致使晶片存在内应力，导致晶片表面平整度达不到刻蚀工艺需求。因此，针对此类型晶片进行刻蚀工艺时，半导体刻蚀设备需安装预热腔，用于对晶片预热，从而优化晶片表面平整度。预热腔工作时处于真空状态，温度需控制在100℃左右，晶片升温所需热量主要来自于预热腔的热辐射，而晶片与晶片支撑结构之间的热传导比较小。因此，在满足刻蚀工艺窗口的情况下，如何改善晶片预热效果，提高晶片吸附成功率，进而提高预热腔产能，实现一个预热腔满足多个工艺腔刻蚀需求，将成为预热腔发展的关键因素。
现有技术中，如图1a所示，预热腔室包括：腔室本体21、隔热装置9、晶片支撑结构1、加热装置和温度检测装置，腔室本体21的内壁表面做有机氧化发黑处理，腔室本体21内安装三个晶片支撑结构1，如图1b所示，晶片支撑结构1为双层结构，包括两个结构相同的支撑板。
现有的晶片支撑结构1与晶片的接触面积较小，因此，晶片支撑结构1与晶片进行热传导效率低，晶片升温较慢，预热时间长。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述不足，提供一种晶片支撑结构、预热腔室和半导体处理设备，用以部分解决热传导效率低、晶片预热时间长的问题。
本发明为解决上述技术问题，采用如下技术方案：
本发明提供一种晶片支撑结构，容置并固定于预热腔室内，所述晶片支撑结构包括至少一个第一支撑架和一个第二支撑架，所述第一支撑架和所述第二支撑架的外轮廓的形状与所述预热腔室内周壁的形状相同，且所述第一支撑架位于所述第二支撑架的正上方，所述第一支撑架的边缘与所述第二支撑架的边缘接触，所述第一支撑架的非边缘部分与所述第二支撑架间隙设置。
优选的，所述第二支撑架的下表面与所述预热腔室的底壁贴合。
优选的，所述第二支撑架呈板状；所述第一支撑架包括挡墙和板状的第一支撑部，所述挡墙位于所述第一支撑部的边缘，并朝向所述第二支撑架的方向延伸。
优选的，所述第一支撑架和第二支撑架的形状由半圆形和矩形拼接形成，其中，所述矩形的长边与所述半圆形的直径等长且相拼接；
所述第一支撑架上与圆弧形边缘相对的一侧设有第一开口，所述第二支撑架上与圆弧形边缘相对的一侧设有第二开口，所述第一开口和所述第二开口在所述腔室的底壁上的正投影重合。
优选的，所述第一开口和所述第二开口的宽度大于用于与所述晶片支撑结构配合的机械手手指的宽度，且所述第一开口和所述第二开口的宽度与所述机械手手指的宽度之差为2-8mm。
优选的，所述第一开口和所述第二开口的长度大于所述机械手手指的长度，且所述第一开口和所述第二开口的长度与所述机械手手指的长度之差为2-8mm；所述第一开口和所述第二开口的长度为所述半圆形的圆心到所述第一开口和第二开口的端部的距离。
优选的，所述第一支撑架的数量为多个，各所述第一支撑架层叠设置，位于最下层的第一支撑架的挡墙的端面与所述第二支撑架的上表面边缘接触，其余的第一支撑架的挡墙的端面与位于下方相邻的第一支撑架的上表面边缘接触。
优选的，所述第一支撑架和所述第二支撑架在所述挡墙所在的区域，通过紧固件连接，并与所述腔室的底壁连接。
优选的，所述第一支撑架和所述第二支撑架的材料为铝，且所述第一支撑架和所述第二支撑架的表面具有硫酸硬质阳极氧化膜。
优选的，所述第一支撑架和所述第二支撑架的表面的粗糙度为0.8-6.3μm。
本发明还提供一种预热腔室，包括腔室本体和如前所述的晶片支撑结构，所述晶片支撑结构容置并固定在所述腔室本体内。
优选的，所述腔室本体的材料为铝，且所述腔室本体的内壁具有硫酸硬质阳极氧化膜。
本发明还提供一种半导体处理设备，包括如前所述的预热腔室，所述腔室本体的开口处设置有用于密封所述腔室的门阀。
进一步的，所述半导体处理设备还包括供气装置和加热装置，所述供气装置与所述腔室本体相连，用于向所述腔室本体内充入惰性气体，所述加热装置设置在所述腔室本体的底壁上，用于对所述腔室加热。
进一步的，所述的半导体处理设备还包括控制装置、抽气装置、温度检测装置和压力检测装置，所述温度检测装置和所述压力检测装置设置在所述腔室本体内，所述抽气装置与所述腔室本体相连；
所述控制装置用于，当所述温度检测装置检测到所述腔室本体内的温度达到预设温度时，开启所述抽气装置，以将所述腔室本体内的惰性气体抽出；以及，当所述压力检测装置检测到所述腔室本体内的压力达到预设压力时，开启所述门阀。
本发明能够实现以下有益效果：
本发明通过在预热腔室内设置晶片支撑结构，晶片支撑结构包括至少一个第一支撑架和一个第二支撑架，其中第一支撑架设置在第二支撑架正上方，且第一支撑架的边缘与第二支撑架的边缘接触，不同的晶片分别放置在第一支撑架和第二支撑架的上表面，由于第一支撑架和第二支撑架的外轮廓的形状与预热腔室内周壁的形状相同，可实现晶片与第一支撑架和第二支撑架的接触面积均较大，晶片升温速度较快，提高热传导效率和预热效率。
附图说明
图1a为现有的预热腔室的结构示意图；
图1b为现有的晶片支撑结构的结构示意图；
图2a为本发明实施例提供的第一支撑架的俯视图；
图2b为本发明实施例提供的第一支撑架的仰视图；
图2c为图2a中沿A-A’的剖面图；
图3a为本发明实施例提供的第二支撑架的俯视图；
图3b为本发明实施例提供的第二支撑架的仰视图；
图3c为图3a中沿B-B’的剖面图；
图4为本发明实施例提供的机械手的结构示意图；
图5a为本发明实施例提供的预热腔室的立体图；
图5b为本发明实施例提供的预热腔室的剖视图；
图6a为本发明实施例提供的半导体处理设备的仰视图；
图6b为本发明实施例提供的半导体处理设备的左视图。
图例说明：
1、晶片支撑结构 2、预热腔室 3、机械手
4、供气装置 5、加热装置 6、抽气装置
7、温度检测装置 8、压力检测装置 9、隔热装置
10、观察窗 11、第一支撑架 12、第二支撑架
61、定位孔 21、腔室本体 31、手指
111、挡墙 112、第一支撑部 113、第一开口
123、第二开口
具体实施方式
下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例改变现有的晶片支撑结构的形状和结构，通过增加晶片支撑架与晶片的接触面积，以及与预热腔室内壁的接触面积，提高晶片热传导效率和预热效率。
以下结合图2a-图2c、图3a-图3c、图4、图5a-图6b，详细说明本发明的技术方案。
如图5a所示，本发明实施例提供一种晶片支撑结构1，晶片支撑结构固定并容置在预热腔室2内，包括至少一个第一支撑架11和一个第二支撑架12，晶片支撑结构1的外轮廓的形状与预热腔室2内周壁的形状相同，即第一支撑架11和第二支撑架12的外轮廓的形状与预热腔室2内周壁的形状相同。第一支撑架11位于第二支撑架12的正上方，第一支撑架11的边缘与第二支撑架12的边缘接触，第一支撑架11的非边缘部分与第二支撑架12间隙设置。
一个或多个第一支撑架11叠置在第二支撑架12的正上方，晶片(图中未绘示)可以分别放置在第一支撑架11的上表面和第二支撑架12的上表面。热量能够经由预热腔室2的内壁、第二支撑架12和第一支撑架11依次传递，从而对位于相应支撑架上的晶片进行预热。
本发明通过在预热腔室2内设置晶片支撑结构，晶片支撑结构包括至少一个第一支撑架11和一个第二支撑架12，其中第一支撑架11设置在第二支撑架12正上方，且第一支撑架11的边缘与第二支撑架的边缘接触，不同的晶片分别放置在第一支撑架11和第二支撑架12的上表面，由于第一支撑架11和第二支撑架12的外轮廓的形状与预热腔室2内周壁的形状相同，可实现晶片与第一支撑架11和第二支撑架12的接触面积均较大，晶片升温速度较快，提高热传导效率和预热效率。
优选的，第二支撑架12的下表面与预热腔室2的底壁贴合，这样，增加了第二支撑架12与预热腔室2的接触面积，使得热量能够快速从预热腔室2传递到第二支撑架12上，从而进一步提高晶片预热效率。
图2a示出了第一支撑架11的上表面，图2b示出了第一支撑架11的下表面，图2c为图2a中沿A-A’的剖面图，优选的，如图2b和图2c所示，第一支撑架11包括挡墙111和板状的第一支撑部112，挡墙111位于第一支撑部112的边缘，并朝向第二支撑架12的方向延伸，即挡墙111设置在第一支撑架11的下表面的边缘，并向下延伸。
图3a示出了第二支撑架12的上表面，图3b示出了第二支撑架12的下表面，图3c为图2a中沿B-B’的剖面图，优选的，如图3c所示，第二支撑架12呈板状。
结合图2c和图3c所示，第一支撑架11呈L状，第二支撑架12呈板状，这样，第二支撑架12的下表面可以与预热腔室2的底壁完全贴合，从而增加第二支撑架12和预热腔室2接触面积，使得热量能够快速从预热腔室2传递到第二支撑架12上，从而进一步提高晶片预热效率。而且，第一支撑架11叠置在第二支撑架12上，在非边缘区域，第一支撑架11与第二支撑架12之间具有一定的间隙，方便拿取、放置晶片。
以下结合图2a-图2b、图3a-图3b、图5b，对晶片支撑架结构1的形状和结构进行详细说明。
结合图2a-图2b、图3a-图3b和图5b所示，第一支撑架11和第二支撑架12的形状由半圆形和矩形拼接形成，其中，所述矩形的长边与所述半圆形的直径等长且相拼接。如图2a-图2b、图3a-图3b所示，半圆形的半径为R，矩形的长边为2R。第一支撑架11上与圆弧形边缘相对的一侧设有第一开口113，第二支撑架12上与圆弧形边缘相对的一侧设有第二开口123，即第一支撑架11和第二支撑架12的外轮廓呈U型，且第一开口113和第二开口123也呈U型。第一开口113和第二开口123在预热腔室2的底壁上的正投影重合，即第一开口113和第二开口123的位置相对应。
需要说明的是，在本发明实施例中，第一支撑架11和第二支撑架12的形状由半圆形和矩形拼接形成，但是本领域技术人员可知，第一支撑架11和第二支撑架12的形状不限于此，也可以为圆形、正方形、长方形等，第一支撑架11和第二支撑架12的形状取决于预热腔室2的腔室本体21的形状，即第一支撑架11和第二支撑架12的形状与腔室本体21的形状相同。
在第一支撑架11上设置第一开口113以及在第二支撑架12上设置第二开口123，可以方便机械手拿取、放置晶片。
结合图4所示，机械手3包括手指31，机械手3的手指31的宽度为H1，第一开口113的宽度和第二开口123的宽度相等，均为H0，H0>H1。优选的，第一开口113和第二开口123的宽度H0与机械手3的手指31的宽度H1之差为2-8mm。也就是说，在第一支撑架11上设置第一开口113，在第二支撑架12上设置第二开口123，并令第一开口113和第二开口123的宽度H0略大于机械手3的手指31的宽度H1，避免机械手3的手指31与第一开口113和第二开口123的两侧干涉，在方便机械手3的手指31自如进出第一开口113和第二开口123的前提下，保证第一支撑架11和第二支撑架12承载晶片的有效承载面积，从而保证晶片的热传导速率。
进一步的，第一开口113和第二开口123的长度H3大于机械手3的手指31的长度H4，且第一开口113和第二开口123的长度H3与机械手3的手指31的长度H4之差为2-8mm。其中，如图2a和图3a所示，第一开口113和第二开口123的长度H3为所述半圆形的圆心到第一开口113和第二开口123的端部的距离。如图4所示，机械手3的手指31上设置有定位孔61，当机械手3的手指31伸入所述晶片支撑结构1内进行取片、放片操作时，定位孔61与第一支撑架11和第二支撑架12的半圆形的圆心重合。机械手3的手指31的长度H4为定位孔61到机械手3的手指31的端部的距离。令第一开口113和第二开口123的长度H3略大于机械手3的手指31的长度H4，避免机械手3的手指31与第一开口113和第二开口123的端部干涉，在方便机械手3自如进出第一开口113和第二开口123的前提下，保证第一支撑架11和第二支撑架12承载晶片的有效承载面积，从而保证晶片的热传导速率。
在本发明实施例中，如图5a所示，第二支撑架12为一个，第一支撑架11为多个，各第一支撑架11层叠设置且层叠设置在第二支撑架12上，位于最下层的第一支撑架11的挡墙111的端面与第二支撑架12的上表面边缘接触，其余的第一支撑架11的挡墙111的端面与位于该第一支撑架11下方相邻的第一支撑架11的上表面边缘接触。通过将多个第一支撑架11层叠设置，以及将各第一支撑架11层叠设置在第二支撑架12上，可以同时预热多个晶片，增加预热晶片的数量，从而提高晶片预热处理能力。
第一支撑架11和第二支撑架12在挡墙111所在的区域，通过紧固件(图中未绘示)连接，并与预热腔室2的底壁连接，所述紧固件可以为螺钉。如图2a和图3a所示，所述紧固件与第一支撑架11和第二支撑架12的安装孔13在第一支撑架11和第二支撑架12的边缘区域均匀分布。所述紧固件贯穿层叠设置的第一支撑架11和第二支撑架12上的安装孔13，以及预热腔室2的底壁上的安装孔(图中未绘示)，同时将各第一支撑架11和第二支撑架12与预热腔室2的底壁固定连接。
为了进一步提高热传导效率，晶片支撑结构1的材料可以选用热传导系数较高的金属，优选的，第一支撑架11和第二支撑架12的材料为铝。
优选的，第一支撑架11和第二支撑架12的表面具有硫酸硬质阳极氧化膜，即对第一支撑架11和第二支撑架12的表面进行硫酸硬质阳极氧化处理，所述硫酸硬质阳极氧化膜的厚度约为0.05-0.07mm。硫酸硬质阳极氧化膜为黑色膜层，有利于吸收热量，可以进一步提高热传导效率，而且，硫酸硬质阳极氧化膜长期使用不退色，不会对晶片造成污染。
优选的，第一支撑架11和第二支撑架12的表面的粗糙度为0.8-6.3μm。
本发明实施例还提供一种预热腔室，如图5a和图5b所示，预热腔室2包括腔室本体21和晶片支撑结构1，晶片支撑结构1容置并固定在腔室本体21内。
结合图5a和图5b所示，第二支撑架12的下表面与腔室本体21的底壁贴合，图5b中位于中部的阴影区域为第二支撑架12与腔室本体21底壁的接触区域S。
优选的，腔室本体21的材料为铝，以进一步提高热传导效率。
现有的预热腔室内部表面经过有机氧化发黑处理形成氧化膜，该氧化膜中有机染料混合成份较多并含有杂质，通常预热腔室的工作温度为100℃，氧化膜长期在高温环境下，会被蒸发或者氧化分解，黑色的氧化膜颜色逐渐变浅，会对预热腔室造成污染。为了解决上述问题，优选的，腔室本体21的内壁具有硫酸硬质阳极氧化膜。硫酸硬质阳极氧化膜为黑色膜层，有利于吸收热量，可以进一步提高热传导效率，而且，硫酸硬质阳极氧化膜长期使用不退色，不会对晶片造成污染。
本发明实施例还提供一种半导体处理设备，如图6a所示，所述半导体处理设备包括预热腔室2，预热腔室2可以为前述的预热腔室，其具体结构在此不再赘述。预热腔室2包括腔室本体21，结合图5a、图6a-图6b所示，腔室本21的开口处设置有用于密封预热腔室2的门阀22，优选的，门阀22可以为气动门阀。
为了避免预热腔室2的热量扩散，优选的，如图5a和图6a所示，所述半导体处理设备还可以包括隔热装置9，隔热装置9设置在腔室本体21与门阀22之间。
进一步的，结合图6a和图6b所示，所述半导体处理设备还可以包括供气装置4和加热装置5，供气装置4与腔室本体21相连，用于向腔室本体21内充入惰性气体，加热装置5设置在腔室本体21的底壁上，用于对预热腔室2加热。优选的，供气装置4与腔室本体21的底壁相连，所述惰性气体可以为氦气。
进一步的，为了便于观察晶片在预热腔室2内的情况，如图5b所示，所述腔室本体21上还开设有观察窗10，观察窗10设置在腔室本体21的后侧(即与腔室本体21的开口相对的一侧)。
需要说明的是，当供气装置4向腔室本体21内充入惰性气体时，门阀22为关闭状态，以减少惰性气体的流失，以及预热腔室2内热量损失。向预热腔室2内通入惰性气体的量可以根据预热腔室2的大小和预热时间决定。
由于第二支撑架12与预热腔室2的接触面积S(即第二支撑架12的整个面积)大于第一支撑架11与第二支撑架12的接触面积(即第一支撑架11的挡墙111端面的面积)，因此，位于第二支撑架12上的晶片升温速度大于位于第一支撑架11上的晶片的升温速度，造成晶片受热不均。而且第一支撑架11和第二支撑架12呈U型，中间为开口区域，与晶片接触的部分(即非开口区域)通过热传导像晶片传递热量，晶片升温较快，未与晶片接触的部分(即开口区域)通过热辐射向晶片传递热量，晶片升温较慢，热传导传递热量的速度大于热辐射传递热量的速度，因此，对于晶片来说，也存在受热不均的问题。通过向预热腔室2内充入惰性气体，惰性气体的比热容小，易扩散，即吸热散热速度快，可以在一定程度上缓解各层支撑架上晶片受热不均，以及，同一晶片的不同部分之间受热不均，从而有利于提高晶片加热均匀性。
为了使所述惰性气体充分充满整个腔室本体21，优选的，还可以在预热腔室2内与供气装置4的接口位置设置扩散器(图中未绘示)。
在本发明实施例中，通过控制第一支撑架11和第二支撑架12表面的粗糙度，即将第一支撑架11和第二支撑架12的表面的粗糙度控制在0.8-6.3μm，当通入惰性气体时，惰性气体在粗糙不平的表面发生爆破，热传导效果更好。
进一步的，所述半导体处理设备还包括控制装置(图中未绘示)、抽气装置6、温度检测装置7和压力检测装置8，温度检测装置7和压力检测装置8设置在腔室本体21内，抽气装置6与腔室本体21相连。
所述控制装置用于，当温度检测装置7检测到腔室本体21内的温度达到预设温度时，开启抽气装置6，以将腔室本体21内的惰性气体抽出；以及，当压力检测装置8检测到腔室本体21内的压力达到预设压力时，开启门阀22。
进一步的，所述控制装置还用于，当压力检测装置8检测到腔室本体21内的压力达到预设压力时，控制机械手3的手指31进入腔室本体21，并从晶片支撑架结构1上拿取晶片。
优选的，所述预设温度可以为80℃，所述预设压力为传递腔室的压力。
为了清楚说明本发明的技术方案，以下结合图2a-图6b，对本发明的半导体处理设备的工作过程进行详细说明。
首先，利用加热装置5将腔室本体21加热至100℃，在此过程中，门阀22关闭。然后，控制装置控制门阀22开启，并在机械手3的手指31将晶片传送至预热腔室2内后，控制门阀22关闭，并控制供气装置4将惰性气体充入预热腔室2。当温度检测装置7检测到预热腔室2内的温度达到预设的温度时，说明晶片预热结束，此时，控制装置控制抽气装置6开启，使抽气装置6将预热腔室2内的惰性气体抽走。在此过程中，压力检测装置8实时检测预热腔室2内的压力，当控制装置判断检测到的压力达到预设压力(即传递腔室的压力)时，开启门阀22，此时，机械手3的手指31伸入预热腔室2内，将预热好的晶片取走。
本发明的半导体处理设备可以为LED PECVD(等离子体增强化学气相沉积设备)，也可以是需要加热的其他类型的刻蚀设备、沉积设备。
本发明的晶片支撑结构、预热腔室和半导体处理设备能够在满足刻蚀工艺的前提下，提高晶片热传递效率，提高预热腔产能，可以满足多个刻蚀工艺腔室的刻蚀需求。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种晶片支撑结构，容置并固定于预热腔室内，其特征在于，所述晶片支撑结构包括至少一个第一支撑架和一个第二支撑架，所述第一支撑架和所述第二支撑架的外轮廓的形状与所述预热腔室内周壁的形状相同，且所述第一支撑架位于所述第二支撑架的正上方，所述第一支撑架的边缘与所述第二支撑架的边缘接触，所述第一支撑架的非边缘部分与所述第二支撑架间隙设置；其中，
所述第二支撑架的下表面与所述预热腔室的底壁贴合；并且，
所述第二支撑架呈板状；所述第一支撑架包括挡墙和板状的第一支撑部，所述挡墙位于所述第一支撑部的边缘，并朝向所述第二支撑架的方向延伸。
2.如权利要求1所述的晶片支撑结构，其特征在于，所述第一支撑架和第二支撑架的形状由半圆形和矩形拼接形成，其中，所述矩形的长边与所述半圆形的直径等长且相拼接；
所述第一支撑架上与圆弧形边缘相对的一侧设有第一开口，所述第二支撑架上与圆弧形边缘相对的一侧设有第二开口，所述第一开口和所述第二开口在所述腔室的底壁上的正投影重合。
3.如权利要求2所述的晶片支撑结构，其特征在于，所述第一开口和所述第二开口的宽度大于用于与所述晶片支撑结构配合的机械手手指的宽度，且所述第一开口和所述第二开口的宽度与所述机械手手指的宽度之差为2-8mm。
4.如权利要求3所述的晶片支撑结构，其特征在于，所述第一开口和所述第二开口的长度大于所述机械手手指的长度，且所述第一开口和所述第二开口的长度与所述机械手手指的长度之差为2-8mm；所述第一开口和所述第二开口的长度为所述半圆形的圆心到所述第一开口和第二开口的端部的距离。
5.如权利要求1所述的晶片支撑结构，其特征在于，所述第一支撑架的数量为多个，各所述第一支撑架层叠设置，位于最下层的第一支撑架的挡墙的端面与所述第二支撑架的上表面边缘接触，其余的第一支撑架的挡墙的端面与位于下方相邻的第一支撑架的上表面边缘接触。
6.如权利要求5所述的晶片支撑结构，其特征在于，所述第一支撑架和所述第二支撑架在所述挡墙所在的区域，通过紧固件连接，并与所述腔室的底壁连接。
7.如权利要求1-6任一项所述的晶片支撑结构，其特征在于，所述第一支撑架和所述第二支撑架的材料为铝，且所述第一支撑架和所述第二支撑架的表面具有硫酸硬质阳极氧化膜。
8.如权利要求1-6任一项所述的晶片支撑结构，其特征在于，所述第一支撑架和所述第二支撑架的表面的粗糙度为0.8-6.3μm。
9.一种预热腔室，其特征在于，包括腔室本体和如权利要求1-8任一项所述的晶片支撑结构，所述晶片支撑结构容置并固定在所述腔室本体内。
10.如权利要求9所述的预热腔室，其特征在于，所述腔室本体的材料为铝，且所述腔室本体的内壁具有硫酸硬质阳极氧化膜。
11.一种半导体处理设备，其特征在于，包括如权利要求9或10所述的预热腔室，所述腔室本体的开口处设置有用于密封所述腔室的门阀。
12.如权利要求11所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括供气装置和加热装置，所述供气装置与所述腔室本体相连，用于向所述腔室本体内充入惰性气体，所述加热装置设置在所述腔室本体的底壁上，用于对所述腔室加热。
13.如权利要求11所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括控制装置、抽气装置、温度检测装置和压力检测装置，所述温度检测装置和所述压力检测装置设置在所述腔室本体内，所述抽气装置与所述腔室本体相连；
所述控制装置用于，当所述温度检测装置检测到所述腔室本体内的温度达到预设温度时，开启所述抽气装置，以将所述腔室本体内的惰性气体抽出；以及，当所述压力检测装置检测到所述腔室本体内的压力达到预设压力时，开启所述门阀。
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