CN102194665A - 处理室、半导体制造设备及使用其的基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种半导体制造设备，其包括设有基板移动装置以移动基板的传送室，对准基板并将基板装载到传送室和从传送室卸载该基板的真空室，和处理从传送室转移的基板的至少一个处理室。该至少一个处理室中的每一个都包括室主体、基板支架和至少一个分隔器，该室主体设有形成在其侧表面上的基板入口，该基板支架设在室主体内以将至少两个基板设置在基板支架上，该至少一个分隔器设在室主体内以对准该至少两个基板。

Description

处理室、半导体制造设备及使用其的基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种半导体制造设备，并且特别地，涉及一种处理基板如半导体器件的处理室，以及在室之间转移基板的设备和方法。
背景技术
通常，为了制造半导体器件、平板显示器和太阳能电池，需要将由特定材料形成的薄膜沉积在晶片或玻璃表面上的薄膜沉积工艺、使用光致抗蚀剂材料暴露或遮挡薄膜的所选区域的光刻工艺、和通过从所选区域去除薄膜来根据要求对薄膜进行构图的蚀刻工艺。
而且，为了实施上述工艺，分别在多个处理室进行薄膜沉积工艺、蚀刻工艺等。基板在多个处理室之间的转移是经由传送室来进行的。
上述常规处理室和具有该些处理室的半导体制造设备具有如下问题。
各处理室每一个处理一个基板。因此，在将一个基板转移到一个处理室并在真空气氛下于该处理室中处理该基板之后，必须将该基板转移到另一处理室。由此，降低了产率。
即，只要将一个基板转移到一个处理室，就需要操作该处理室，而且只要一个基板进入或者离开该处理室，就需要打开和关闭该处理室入口并且需要在处理室中重新形成真空气氛。
发明内容
本发明涉及处理室、半导体制造设备及使用其的基板处理方法。
本发明的目的是提供一种处理基板如半导体器件的处理室，和在室之间转移基板的设备和方法。
本发明的其他优点、目标和特征将部分在随后的描述中进行阐述，而部分则将在本领域技术人员研究下文之后变得清楚明白，或者可以通过本发明的实践来了解。可以通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及所附附图中具体指明的结构来实现和获得本发明的目的及其他优点。
为了实现这些及其它益处、并根据本发明的目的，正如此处所具体实现和概括描述的，处理室包括室主体、基板支架和至少一个分隔器，该室主体设有形成在其侧表面上的基板入口，基板支架设在室主体内以使至少两个基板设置在该基板支架上，而该至少一个分隔器设在室主体内以对准至少两个基板。
该至少一个分隔器中的每一个都包括支撑该至少两个基板边缘部分的支撑部件和接触该至少两个基板以使该至少两个基板彼此分离的分离部件。
该至少一个分隔器可包括具有直线形状的分隔器，以使彼此面对的一对基板分开并对准，或者包括彼此交叉的两个直线形状的分隔器，以使四个基板分开并对准。
该至少一个分隔器可具有4～60mm的线宽。
该至少一个分隔器可在相同高度上对准该至少两个基板。
该至少一个分隔器可由陶瓷或者阳极氧化涂覆的铝形成。
基板支架可包括支撑该至少两个基板下表面的最外部区域的至少一个装载框和支撑该至少两个基板下表面中心区域的定位针。
本发明的另一方面中，一种半导体制造设备包括：设有基板移动装置以移动基板的传送室，对准基板以及将基板装载到传送室和从传送室卸载基板的真空室，以及处理从传送室转移的基板的至少一个处理室，其中该至少一个处理室中的每一个都包括室主体、基板支架和至少一个分隔器，该室主体设有形成在其侧表面上的基板入口、基板支架设在室主体内从而在基板支架上设置至少两个基板，该至少一个分隔器设在室主体内以使该至少两个基板对准。
半导体制造设备还包括设在真空室中以对准基板的对准部件。
该对准部件可设在其上容纳有基板的支架的至少两个拐角处。
彼此面对的两个基板可设在真空室内，并且对准部件可包括设在两个基板之间的固定部件或转动部件。
可在真空室内提供四个基板，并且对准部件可包括矩形的、彼此交叉且设在四个基板相遇的四个基板中心位置处的一对对准部件。
该一对对准部件可包括分别设在四个基板之间的至少四个转动部件并且四个基板通过转动部件的转动对准。
在真空室内的对准部件和在处理室内的至少一个分隔器可按相同模式对准基板。
在本发明的另一方面中，基板处理方法包括：将至少两个基板顺序装载至设有对准部件的第一室中，使用对准部件对准至少两个基板的拐角，使用基板输送单元将该至少两个基板从第一室输送到第二室，和使用基板输送单元将该至少两个基板从第二室输送到第三室，其中以与第一室中至少两个基板对准模式相同的模式将至少两个基板装载在第三室中。
该至少一个分隔器可在第三室中以相同高度和预定间隔使该至少两个基板分开并对准。
应理解，上文的一般描述和下文对本发明的具体描述都是示意性和说明性的，且旨在提供对所要求保护的发明的进一步说明。
附图说明
包括附图以提供本发明的进一步理解并且它们结合到本申请中并构成本申请的一部分，附图图解了本发明的实施例并与说明书一起用于解释本发明的原理。在图中：
图1A至1F是示出根据本发明实施例的处理室的视图；
图2A和2B是示出装载在图1A基板支架上的基板的视图；
图3是示出根据本发明一个实施例的半导体制造设备的视图；
图4是示出图3的真空室中基板对准的视图；
图5A至5F是示出根据本发明实施例的图4的对准部件的视图；
图6和7是示出根据本发明一个实施例的基板移动设备的视图；和
图8是示出根据本发明另一实施例的半导体制造设备的视图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的优选实施例，在附图中图解其实例。尽可能地，贯穿附图使用相同的参考数字表示相同和相似的部件。
附图中，为了清楚起见放大了几个层以及区域的厚度。在图中各层的厚度比例不表示实际的厚度比例。
图1A至1F是示出根据本发明实施例的处理室的视图，而图2A和2B是示出装载在图1A的基板支架上的基板的视图。以下，将参考图1A以及图2A和2B描述根据本发明一个实施例的处理室。
在该实施例中，多个基板16同时装载在处理室中，并且同时进行诸如在该多个基板16上沉积半导体层的工艺。
图1A示出了处理室内部，并且在一室主体10中设有四个基板16。此处，各基板16装载在室主体10内的基板支架上。
基板支架包括装载框12和定位针14。装载框12支撑各基板16面对室主体10的表面。即，假设将四个基板16当作一个基板，则装载框12支撑该基板的边缘。
而且，定位针14支撑各基板16面对分隔器40的边缘。即，如果各基板16具有矩形截面，则每个基板16面对室主体10的两条边都由装载框12支撑并且每个基板16剩下的两条边由定位针14支撑。
基板16可由装载框12或者由定位针14单独支撑。此处，需要提供装载框12或者定位针14以支撑四个基板16的所有边缘。
而且，四个基板16被分隔器40分开。此处，如果在处理室中设有四个基板16，则分隔器40被提供成使得矩形形状的分隔器40相互交叉，从而将四个基板16彼此分开。即，当分隔器40使四个基板16分开时，分隔器40形成类似十字交叉的形状。
图2A示出了装载在图1A的基板支架12和14上的基板16。基板16由基座50支撑，并且装载框12仅支撑基板16的边缘。
图2B是图2A的部分D的放大图。
分隔器40在直接接触基板16的同时使基板16分开并对准。每个分隔器40都包括支撑部件40a和分离部件40b。支撑部件40a支撑基板16的边缘部分而分离部件40b使基板16彼此分离，以便相邻基板16不会彼此接触。此处，分离部件40b具有梯形形状，并且在使基板16彼此分离的同时减少与基板16直接接触的面积，从而防止对基板16的损伤。
此处，相邻基板16彼此分开至少分离部件40b下部的宽度T1。该实施例中，相邻基板16彼此分开4～60mm。即，如果分隔器40具有两侧对称结构，则基板16与分隔器40的中心分开至少2～30mm，从而防止在处理室中的各基板16之间产生干扰。
而且，由于通过同一分隔器40的支撑部件40a来支撑基板16，因此可以以相同高度来支撑基板16。
即，由于允许装载在机械手上的相邻基板16的余量是4mm，因此如果分隔器40的分离部件40b具有小于4mm的宽度，则当将基板16装载在基座50上时，相邻基板16会由于余量不足而彼此碰撞，从而被损坏。而且，装载在分隔器40上的部分基板16的面积增加，且装载在分隔器40上的那部分基板16由未接地绝缘体制成，由此会降低形成在基板16上的薄膜的均匀性。
而且，例如，在薄膜沉积工艺期间，分隔器40的分离部件40b允许在相邻基板16上形成的薄膜不相连且防止支撑基板16的基座50暴露于等离子体，从而允许在基板16上沉积所需厚度的薄膜。
另一方面，如果分隔器40的分离部件40b具有大于60mm的宽度，则由于室主体10内部空间受限，导致空间效用不够。即，当分隔器40的线宽增加时，基座50的面积也增加。
而且，当分隔器的分离部件40b的线宽增加时，基板16可单独装载在基座50上。这种情况下，当基座50暴露于等离子体时，会发生基座50的电弧放电，并且等离子体会沉积在基座50上并由此在后续基板处理期间不能有效对准基板16。
优选地，在诸如薄膜沉积工艺和蚀刻工艺的工艺期间，分隔器40不与等离子体以及蚀刻剂反应。该实施例中，分隔器40由绝缘体如陶瓷或阳极氧化涂覆的铝形成。由于基座50接地，因此当由绝缘体形成的分隔器40面积增大时，不产生等离子体的区域面积也增大。由此，能实现产生较低等离子体密度并且能降低将形成的薄膜均匀性。
由于分隔器40仅具有足以显示出上述效果的高度，因此分隔器40的分离部件40b与相邻基板16的高度差值可为±10mm以下。
图1B示出了在将基板16装载在室主体10中后室主体10关闭的条件下，根据图1A所示实施例的处理室。即，图1A示出了基板输送单元20的臂22将基板16转移至室主体10内部的处理室，而图1B示出了在将基板16装载在基板支架上之后，阀30关闭室主体10的处理室。
此处，阀30包括阀罩和在阀罩中移动以打开和关闭阀套上的开口的闸片。
根据图1C的另一实施例除了将两个基板16装载在处理室的一个室主体10中之外，根据图1C中所示实施例的处理室与根据图1B的上一实施例的处理室相似。如图1C中所示，提供具有直线形状以将两个基板16彼此分开的一个分隔器40。分隔器40的线宽和高度与根据前一实施例的分隔器40相同。两个基板16彼此相对的表面由定位针14支撑，方式与前一实施例相同。
图1D至1E示出了基板16由定位针14单独支撑而不需图1A至1C中所示的装载框12的另一实施例的处理室。
即，图1D示出了在室主体10中沿着各基板16的边缘来提供定位针14以支撑基板16的处理室，而图1E示出了在将基板16装载到图1D的室主体10上之后，室主体10关闭的处理室。
而且，图1F示出了根据另一实施例的处理室，其中在一个室主体10中提供两个基板16并且定位针14支撑各基板16的边缘。即，假设处理室是具有8.5G(2,200mm*2,600mm)尺寸的能处理用于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中的大基板的室，则根据图1A中所示实施例的处理室能一次装载以及处理尺寸为5G(1,100mm*1,300mm)的四个基板，而根据图1C中所示实施例的处理室能一次装载以及处理两个更大基板。
而且，根据上述实施例的处理室可一次装载以及处理与上述基板相比具有不同尺寸且以不同数量提供的其他基板。此处，可提供分隔器40以将各基板彼此分开或隔离。
图3是示出根据本发明一个实施例的半导体制造设备的视图，图4是示出图3的真空室中基板对准的视图，而图5A至5F是示出根据本发明实施例的图4的对准部件的视图。以下将参考图3至5F描述根据该实施例的半导体制造设备。
根据该实施例的半导体制造设备包括上述处理室。即，半导体制造设备包括真空室LC、传送室TC和处理室PC，并且在各室之间提供闸门100和110。
真空室LC将来自外部的基板S装载到传送室TC中，以及将自传送室TC提供的基板卸载到外部。而且，传送室TC设有基板移动装置120以在传送室TC中移动基板S，从而将基板S转移到其他室。此处，在固定和转移基板S期间，连接到基板移动装置120的臂125支撑基板S。
更具体地，处理室PC具有与根据图1A以及图2A和2B的实施例的处理室相同的结构。即，处理室PC包括室主体和分隔器并且实施基板处理，该室主体设有形成在其一个侧表面上的基板入口，该分隔器设在室主体内以使多个基板彼此分开。
因此，在处理室PC中具有直线形状的分隔器彼此交叉以便使四个基板彼此分开，且该分隔器由陶瓷或阳极氧化涂覆的铝形成。
而且，处理室PC包括基板支架，该基板支架具有支撑基板面对室主体的表面的装载框和支撑基板面对分隔器的表面的定位针，方式与根据图1A和图2A和2B的实施例的处理室相同。
在真空室LC中设有对准部件，由此实施基板S的对准。即，当从外部向真空室LC提供基板时，真空室LC使用对准部件实施基板S的对准然后将基板提供到传送室TC。
即，当将四个基板S提供到处理室PC时，四个基板S必须通过分隔器对准然后装载。但是，考虑到处理效率，不希望在处理室PC内部对准基板S，而考虑到后续沉积工艺，则不希望长时间打开处理室PC。
此处，处理室PC可在从传送室TC转移的各基板S上实施工艺，如沉积工艺、清洗工艺、预加热工艺、干燥工艺、热处理工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、扩散工艺和离子注入工艺。如稍后将描述的，可提供多个处理室。
因此，真空室LC将基板S对准然后以方向A将基板S提供到传送室TC，以及传送室TC以方向C将基板T提供给处理室。
此处，在传送室TC内部的基板S可在方向B上水平移动。传送室TC自身不移动但是基板移动装置120和臂125移动从而移动基板S。
即，如图3中所示，基板移动装置120可在方向B上移动而臂125可在方向A和方向C上移动。而且，尽管图3仅示出了一个处理室PC，但是可提供一批处理室PC以连续实施多个处理并且稍后将参考图8描述这样的结构。
图4是示出在真空室LC内部的视图，以详细展示基板S的对准。
图4中，真空室LC包括在其中提供基板S的主体150，和对准基板S的对准部件。此处，在真空室LC内部提供四个基板S，并且在真空室LC中心A或者边缘对准基板S。
即，对准部件在真空室LC中心A对准基板S，如图5A、5C和5D中所示，或者在真空室LC边缘B对准基板S，如图5B中所示。可选择性地提供或者可同时提供这两种类型的对准部件。
而且，对准部件可包括固定部件或转动部件。图5A、5E和5F示出了辊子作为转动部件，而图5B、5D和5E示出了直线形状的对准部件作为固定部件。此处，转动部件诸如辊子接触基板S并使用转动引起的摩擦力移动基板S，由此能够对准基板S。
图5A示出了设在真空室LC中间的对准部件170。如图5A中所示，在四个基板S相遇的位置处提供对准部件170。此处，对准部件170设在各基板S的边缘彼此面接触的区域。该实施例中，四个对准部件172、174、176和178设在四个基板S相遇的位置处。
各对准部件172、174、176和178的尺寸(直径)为4～60mm，并且该尺寸可与处理室中分隔器的分离部件的线宽相同。
在图5A中，各对准部件172、174、176和178中的每一个都包括多个圆辊。上述尺寸4～60mm表示相邻基板S之间的分离距离。包括圆辊的对准部件172、174、176和178用于通过对准部件172、174、176和178的转动和摩擦在对准部件172、174、176和178与各基板S面接触的位置处精确对准基板S。
图5C和5D示出了根据本发明其它实施例的对准部件。图5C中，具有直线形状的一对对准部件180在四个基板S相遇的真空室LC中心彼此交叉，与处理室中的分隔器相似。此处，对准部件180的线宽可为4～60mm。
但是，与处理室PC中的分隔器不同，在真空室LC中的对准部件用于对准基板，并由此仅调整在基板S中心处的基板S之间的间隔，而不与基板S的所有边缘都面接触。
在图5D中，在一个室中提供两个基板S，且由此提供具有直线形状的一个对准部件182。
图5B示出在如图4中所示使基板S真空室LC边缘B处对准的对准部件162。参考图5B，对准部件162包围基板S的边缘并且对准部件162的操作受微调装置160控制。
图5A中所示的对准部件控制基板S使得相邻基板S彼此不会过于接近，而图5B的对准部件162控制基板S使得基板S彼此不会过度远离。此处，应理解，图5B的对准部件162设在各基板S的拐角处。
而且，图5E示出了根据本发明另一实施例包括圆辊的对准部件172、174、176和178。与图5A的实施例不同，该实施例示出了在每条线中设置两个辊子。
而且，图5F中，在一个室中提供两个基板S，并且由此提供包括辊子的对准部件170。在真空室LC中由上述对准部件对准的基板S可经由传送室TC转移到处理室PC。此处，基板S以与在真空室LC中相同的模式被转移到处理室TC。
上述在室之间的基板转移是通过基板移动装置来进行的。基板移动装置包括在水平方向上转移基板的基板传送单元和通过滑动将基板传送到真空室和处理室的基板输送单元。
此处，基板传送单元可在图3的方向B上移动基板。而且，基板输送单元可在图3的方向A或方向C上移动基板。即，基板传送单元和基板输送单元可分别在相互垂直的方向上移动基板。
基板输送单元可包括垂直移动部分和水平移动部分。即，水平移动部分通过滑动臂在方向A和方向C上滑动基板。
而且，垂直移动部分负责装载和卸载基板。当将基板装载到处理室或从处理室卸载基板时，为了防止由于与分隔器接触导致对基板边缘的损伤，在水平移动部分将基板水平移动至最佳位置之后，垂直移动部分提升或降低基板。
图8是示出根据本发明另一实施例的半导体器件设备的视图而图6和7是示出图3的基板移动装置的视图。
在根据图3实施例的半导体制造设备中，传送室TC实施基板在一个真空室LC和一个处理室PC之间的转移。另一方面，根据图8实施例的半导体制造设备包括设在多个处理室PC之间的传送室TC。
因此，基板在图8的不同处理室之间的转移对应于基板在图3的方向A或方向C上的转移，而基板通过转移导向器210在图8水平方向上的转移对应于基板在图3的方向B上的转移。
此处，基板移动装置包括基板传送单元200和基板输送单元300。基板传送单元200装配在传送室TC的纵向上，并由此在水平方向上移动基板输送单元300。为此目的，基板传送单元200可以是直线电机。
而且，基板传送单元200包括转移导向器210和转移模块部分220。转移导向器210导向转移模块部分220的水平转移。例如，转移导向器210可以是直线电机的定子。
转移模块部分220装配在转移导向器210上从而是可转移的，且由此可沿着转移导向器210在水平方向上转移。例如，转移模块部分220可以是直线电机的转子(或者线圈部分)。
基板输送单元300包括基架310、叉架320、第一和第二双向滑动叉单元330和340，叉提升单元350和叉提升导向单元360。
基架310装配在基板传送单元200的转移模块部分220上且与转移模块部分220一起在水平方向上移动。
叉架320包括第一支撑架322、多个侧壁支架324和第二支撑架326。
第一支撑架322装配在基架310上的指定高度上且由叉提升单元350支撑以便提升和降低。在第一支撑架322的第一和第二侧表面上形成有凸起328，叉提升单元350穿过该凸起328。
多个侧壁支架324沿第一支撑架322的边缘以指定间隔装配，由此支撑第二支撑架326。
第二支撑架326装配在多个侧壁支架324上以便与第一支撑架322重叠。第二支撑架326的提升和降低与第一支撑架322的提升和降低一起。
根据一个实施例的第一双向滑动叉单元330包括第一和第二滑动叉410和420、第一叉滑动器430和多个第一基板支撑垫440。
第一和第二滑动叉410和420在第一支撑架322上以指定间隔并行装配，并根据第一叉滑动器430的驱动在第一水平方向或与第一水平方向相反的第二水平方向上转移。第一和第二滑动叉410和420中的每一个都包括第一导向模块412和第一至第三滑杆414、416和418。
第一和第二滑动叉410和420的第一导向模块412装配在第一支撑架322两侧之间的第一支撑架322上并导向第一滑杆414的滑动。
第一和第二滑动叉410和420的第一滑杆414装配在第一导向模块412上，并根据第一叉滑动器430的驱动在第一水平方向或者与第一水平方向相反的第二水平方向上转移。
第一和第二滑动叉410和420的第二滑杆416装配在第一滑杆414的侧表面上，并且连同第一滑杆414在水平方向上转移。
第一和第二滑动叉410和420的第三滑杆418装配在第二滑杆416的侧表面上并连同第二滑杆416的滑动在水平方向上转移。
另一方面，第二和第三滑杆416和418可顺序叠置在第一滑杆414的上表面上，并连同第一滑杆414的滑动在水平方向上转移。
第一叉滑动器430装配在第一支撑架322两个侧面之间以便设置在第一和第二滑动叉410和420之间，由此在第一水平方向或与第一水平方向相反的第二水平方向上同时转移第一和第二滑动叉410和420。
第一叉滑动器430包括装配在第一支撑架322两个侧面之间以便由托架支撑的第一导杆432，和装配在第一导杆432上以便可转移并设有连杆(未示出)的第一转移柱体434，该连杆分别连接到第一和第二滑动叉410和420。该第一叉滑动器430可以是液动柱体或气动柱体以使用提供到第一导杆432至少一个侧表面的液压或气压来转移第一转移柱体434。
多个第一基板支撑垫440以指定间隔装配在第三滑杆418上，并且当输送基板时支撑基板的背面。
尽管该实施例描述第一双向滑动叉单元330包括两个滑动叉410和420，但第一双向滑动叉单元330的结构不限于此且第一双向滑动叉单元330可包括两个和更多个滑动叉以便实现稳定的基板输送。而且，尽管该实施例描述了第一双向滑动叉单元330的第一叉滑动器430是液动柱体或气动柱体，但是第一叉滑动器430不限于此且滑动叉410和420可通过LM导向器、滚珠螺杆和传送带中的至少一个或者至少两者的组合滑动。
第一双向滑动叉单元330可进一步包括位置传感器，以便当滑杆414、416和418在两个方向上滑动时检测滑杆414、416和418的滑动位置从而控制第一叉滑动器430。
如上所述，第一双向滑动叉单元330的第一和第二滑动叉410和420可拉伸或缩回以便使用第一滑动器430同时在第一传送方向或者与第一传送方向相反的第二传送方向上滑动，从而在两个方向上将基板转移到设置在传送室TC一侧或者另一侧上的处理室PC。
根据该实施例的第二双向滑动叉单元330包括第三和第四滑动叉510和520、第二叉滑动器530和多个第二基板支撑垫540。
第三和第四滑动叉510和520在第二支撑架326上以指定间隔并行装配，并根据第二叉滑动器530的驱动在第一水平方向或者与第一水平方向相反的第二水平方向上转移。为此目的，第三和第四滑动叉510和520中的每一个都包括第二导向模块512和第四至第六滑杆514、516和518。
第三和第四滑动叉510和520的第二滑动模块512装配在第二支撑架326的两个侧面之间的第二支撑架326上并导向第四滑杆514的滑动。
第三和第四滑动叉510和520的第四滑杆514装配在第二导向模块512上，并根据第二叉滑动器530的驱动在第一水平方向或者与第一水平方向相反的第二水平方向上转移。
第三和第六滑动叉510和520的第五滑杆516装配在第四滑杆514的侧表面上，并连同第四滑杆514的滑动在水平方向上转移。
第四和第六滑动叉510和520的第六滑杆518装配在第五滑杆516的侧表面上，并连同第五滑杆516的滑动在水平方向上转移。
另一方面，第五和第六滑杆516和518可顺序叠置在第四滑杆514的上表面上，并连同第四滑杆514的滑动在水平方向上转移。
第二叉滑动器530装配在第二支撑架326的两个侧面之间以设置在第三和第四滑动叉510和520之间，从而在第一水平方向上或与第一水平方向相反的第二水平方向上同时转移第三和第四滑动叉510和520。
第二叉滑动器530包括装配在第二支撑架326两个侧面之间以便通过托架来支撑的第二导杆532，和装配在第二导杆532上以便可转移并设有连杆536的第二转移柱体534，该连杆536分别连接到第三和第四滑动叉510和520。该第二叉滑动器530可以是液动柱体或气动柱体以使用提供到第二导杆532的至少一个侧表面的液压或气压来转移第二转移柱体534。
多个第二基板支撑垫540以指定间隔装配在第六滑杆518上，并且当转移基板时支撑基板的背表面。
尽管该实施例描述了第二双向滑动叉单元340包括两个滑动叉510和520，但是第二双向滑动叉单元340的结构不限于此且第二双向滑动叉单元340可包括两个或更多个滑动叉以便实现稳定的基板传送。而且，尽管该实施例描述了第二双向滑动叉单元340的第二叉滑动器530是液动柱体或气动柱体，但是第二叉滑动器530不限于此且滑动叉510和520可通过LM导向器、滚珠螺杆和传送带中的至少一个或者至少两者的组合滑动。
第二双向滑动叉单元340可进一步包括位置传感器以当滑杆514、516和518在两个方向上滑动时检测滑杆514、516和518的滑动位置，以便控制第二叉滑动器530。
如上所述，第二双向滑动叉单元340的第三和第四滑动叉510和520可拉伸或缩回以便使用第二滑动器530在第一输送方向或者与第一输送方向相反的第二输送方向上同时滑动，从而在两个方向上将基板转移到设置在传送室TC一侧或另一侧上的处理室TC。
根据该实施例的叉提升单元350包括第一提升支架352a、第二提升支架352b、第一提升电机354a、第二提升电机(未示出)、第一滚珠螺杆356a、第二滚珠螺杆356b和联锁轴(interlocking shaft)358。
第一提升支架352a在叉架320第一侧表面处垂直装配在基架310上。
第二提升支架352b在叉架320第二侧表面处垂直装配在基架310上以面对第一提升支架352a。
第一提升电机354a装配在基架310上以便与第一提升支架352a的内表面相邻，由此在第一方向或与第一方向相反的第二方向上转动第一滚珠螺杆356a。
第二提升电机装配在基架310上以便与第二提升支架352b的内表面相邻，由此在与第一滚珠螺杆356a相同的方向上转动第二滚珠螺杆356b。
第一滚珠螺杆356a装配在第一提升支架352a和第一提升电机354a之间以便穿过形成在叉架320的第一支撑架322上的凸起328，由此根据第一提升电机354a的转动来提升或降低叉架320的第一侧。此处，形成在第一支撑架322上的凸起328设有与第一滚珠螺杆356a啮合的螺纹。
第二滚珠螺杆356b装配在第二提升支架352b和第二提升电机之间以便穿过形成在叉架320的第一支撑架322上的凸起328，由此根据第二提升电机354b的转动来提升或降低叉架320的第二侧。此处，形成在第一支撑架322上的凸起328设有与第二滚珠螺杆356b啮合的螺纹。
联锁轴358装配在第一提升电机354a和第二提升电机之间并用于将第一提升电机354a或第二提升电机中一个的转动力传输至第一提升电机354a或第二提升电机中的另一个，从而联锁第一提升电机354a的转动和第二提升电机的转动，以便使得第一提升电机354a的转动和第二提升电机的转动同步。
如上所述，由于第一提升电机354a和第二提升电机的转动，导致叉提升单元350根据第一和第二滚珠螺杆356a和356b的转动而提升或降低叉架320，由此提升或降低第一和第二双向滑动叉单元330和340至所需高度。
叉提升单元350可进一步包括位置传感器，以当叉架320提升或降低时检测叉架320的位置，以便控制第一提升电机354a和第二提升电机的转动。
根据该实施例的叉提升导向单元360包括多个提升导向模块362和多个提升导轨364。
多个提升导向模块362装配在与叉架320的第一和第二侧表面拐角对应的侧壁支架324上。此处，两个提升导向模块362可装配在叉架320的第一和第二侧表面中的每一个上。
多个提升导轨364垂直装配在基架310上以便连接到各提升导向模块362，从而当提升或降低叉架320时引导各提升导向模块362的提升或降低。
如上所述，基板移动装置可在传送室TC内经由基板传送单元200的水平转移来转移基板并使用基板输送单元300在两个方向上将基板输送到处理室PC或者真空室LC。
以下，将描述上述半导体制造设备的基板处理方法，即基板移动方法。
首先，将多个基板顺序装载在设有对准部件的第一室(真空室)中。此处，在真空室中的上述对准部件使该多个基板的四个拐角对准。上面已经描述了使用对准部件的辊子对准四个基板。
除了设在基板拐角处的对准部件之外，可在多个基板在真空室中相遇的位置处提供其他对准部件。当在真空室内提供四个基板时，后来的对准部件可是一对具有直线形状对准部件，它们在四个基板相遇的真空室中心处相互交叉，以便在水平和垂直方向上对准四个基板。
之后，基板输送单元将多个基板从真空室输送至第二室(传送室)。
之后，基板传送单元在传送室内转移基板。此处，基板传送单元将基板从与真空室平行的一位置转移到与处理室平行的一位置。
之后，基板输送单元将多个基板从传送室输送到第三室(处理室)。此处，多个基板以与真空室中的对准模式相同的模式被装载在处理室中。
可在处理室中设有分隔器。分隔器以与对准部件相同的模式提供，即具有直线形状的一对彼此交叉的分隔器，从而在水平和垂直方向上对准四个基板。
而且，当基板输送单元将基板从卸载室向装载室输送时，基板输送单元在卸载室中垂直提升基板，将基板从卸载室水平转移到装载室，然后在装载室中垂直降低并装载基板。
对本领域技术人员显而易见的是，可对本发明作出各种修改和变化而不背离本发明的精神和范围。由此，只要这些修改和变化落入所附权利要求及其等效范围内，本发明旨在涵盖它们。

Claims (20)

1.一种处理室，包括：
室主体，设有形成在其侧表面上的基板入口；
基板支架，设在室主体内从而使至少两个基板设置在基板支架上；和
至少一个分隔器，设在室主体内以对准该至少两个基板。
2.如权利要求1的处理室，其中该至少一个分隔器中的每一个都包括支撑该至少两个基板的边缘部分的支撑部件和接触该至少两个基板以将该至少两个基板彼此分离的分离部件。
3.如权利要求1的处理室，其中该至少一个分隔器包括具有直线形状的分隔器以使彼此面对的一对基板分开并对准，或者包括彼此交叉的具有直线形状的两个分隔器以分开并对准四个基板。
4.如权利要求1的处理室，其中该至少一个分隔器具有4～60mm的线宽。
5.如权利要求1的处理室，其中该至少一个分隔器在相同高度上对准至少两个基板。
6.如权利要求1的处理室，其中该至少一个分隔器是由陶瓷或者阳极涂覆的铝形成的。
7.如权利要求1的处理室，其中该基板支架包括支撑该至少两个基板下表面的最外面区域的至少一个装载框和支撑该至少两个基板下表面的中心区域的定位针。
8.一种半导体制造设备，包括：
传送室，其设有移动基板的基板移动装置；
真空室，其对准基板并将基板装载到传送室和从传送室卸载基板；和
处理从传送室转移的基板的至少一个处理室，
其中该至少一个处理室中的每一个都包括：
室主体，设有形成在其侧表面上的基板入口；
基板支架，设在室主体内以使至少两个基板设置在基板支架上；和
至少一个分隔器，设在室主体内以对准该至少两个基板。
9.如权利要求8的半导体制造设备，还包括设在真空室中以对准基板的对准部件。
10.如权利要求9的半导体制造设备，其中对准部件设在其上容纳了基板的支架的至少两个拐角处。
11.如权利要求8的半导体制造设备，其中该至少一个分隔器中的每一个都包括支撑该至少两个基板的边缘部分的支撑部件和接触该至少两个基板以将至少两个基板彼此分离的分离部件。
12.如权利要求8的半导体制造设备，其中该至少一个分隔器包括具有直线形状的分隔器以分开并对准彼此面对的一对基板，或者包括彼此交叉的具有直线形状的两个分隔器以分开并对准四个基板。
13.如权利要求10的半导体制造设备，其中彼此面对的两个基板设在真空室内，并且对准部件包括设在两个基板之间的固定部件或者转动部件。
14.如权利要求10的半导体制造设备，其中在真空室内设有四个基板，并且对准部件包括具有直线形状、彼此交叉并设在四个基板相遇的四个基板中心的一对对准部件。
15.如权利要求14的半导体制造设备，其中该一对对准部件包括分别设在四个基板之间的至少四个转动部件，且四个基板通过转动部件的转动对准。
16.如权利要求14的半导体制造设备，其中在真空室内的对准部件和在处理室内的至少一个分隔器以相同模式对准基板。
17.如权利要求16的半导体制造设备，其中该至少一个分隔器是由陶瓷或者阳极氧化涂覆的铝形成的。
18.如权利要求8的半导体制造设备，其中该至少一个分隔器以相同高度对准至少两个基板。
19.一种基板处理方法，包括：
将至少两个基板顺序装载至设有对准部件的第一室中；
使用对准部件对准该至少两个基板的拐角；
使用基板输送单元将该至少两个基板从第一室输送至第二室；和
使用基板输送单元将该至少两个基板从第二室输送至第三室；
其中，以与第一室中该至少两个基板的对准模式相同的模式，将该至少两个基板装载在第三室中。
20.如权利要求19的基板处理方法，其中该至少一个分隔器在第三室中以预定间隔在相同高度分开并对准该至少两个基板。
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