CN109294586A - 一种纳米晶体及其合成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种纳米晶体及其合成方法。所述纳米晶体的合成方法包括：提供包含量子点核的反应体系；于所述反应体系中加入硫属化合物和阳离子，从而在量子点核上包覆壳层，形成具有核壳结构的纳米晶体。本发明在量子点核上生长含硫壳层，并以硫属化合物取代三辛基膦硫(TOPS)和三丁基膦硫(TBPS)，可避免使用昂贵的三丁基硫(TBP)和三辛基膦(TOP)为配体，且避免了配置TOPS及TBPS所需时间和能耗，降低了成本及溶剂使用量，还使产物的荧光波段控制简单，合成工艺简单，适合规模化生产，尤为适应目前量子点产业化的各方面需求。本发明所获纳米晶体尺寸均一，单分散性较好，发射波长可调控，量子效率高。

Description

一种纳米晶体及其合成方法
技术领域
本发明涉及纳米材料制备技术领域，具体的涉及一种纳米晶体及其合成方法。
背景技术
纳米技术在过去的几十年中迅速发展，而量子点更是其中出类拔萃的一个，高质量的量子点发光性能优异，吸收带窄，发射峰窄，亮度高，在发光二极管，显示，照明等方面有着巨大的作用。
自上世纪80年代起，由于制备方法的限制，量子点的性能并没有完全展示出，直到90年代有机相合成体系的出现让量子点的发展往前跨了一大步。在紧接着的20年内，不同结构的量子点，不同组分的量子点等相继问世，并且如CdSe等量子点在显示、照明、医学检测上有了很大的应用。随着世界能源危机的加重，合成绿色、高质量、低能耗、低成本的量子点成为材料学家们一致最求的目标。
在现有传统的合成方法中，为了提高量子点的稳定性和保护量子点核的作用，都会在量子点外包裹壳层，由于ZnS的带隙较宽，与绝大多说量子点匹配。其成为了必不可少的壳层。但是在生长ZnS层过程中，为了提高S的浓度和活性，不得不引入三辛基膦或三丁基膦作为载体，需将S粉融入到三辛基膦(TOP)或三丁基膦(TBP)内。这大大的提高了量子点的制备成本和量子点制备的步骤。影响了量子点规模化生产及其终端产品的平民化进程。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种纳米晶体及其合成方法，以克服现有技术中的不足。
为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
本发明实施例提供了一种纳米晶体的合成方法，包括：
提供包含量子点核的反应体系；
于所述反应体系中加入硫属化合物和阳离子，从而在量子点核上包覆壳层，形成具有核壳结构的纳米晶体。
本发明实施例还提供一种纳米晶体，其由前述任一项所述方法合成。
与现有技术相比，本发明的有益效果包括：
(1)本发明在II-VI、III-V、I-III-VI和I-VI量子点核外，生长含硫壳层，以硫属化合物取代三辛基膦硫(TOPS)和三丁基膦硫(TBPS)，避免使用昂贵的三丁基硫(TBP)和三辛基膦(TOP)为配体。同时，无需再通过加热超声等办法将硫与TOP及TBP配位，避免了TOPS及TBPS配置的时间和能耗。
(2)本发明所得纳米晶体的尺寸较为均一，尺寸为3～15nm，单分散性较好，发射波长可调控。其中Cd类纳米晶体的半峰宽小于25nm，量子效率可大于90％。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一中纳米晶体的谱图；
图2是本发明实施例二中纳米晶体的谱图；
图3是本发明实施例三中纳米晶体的谱图。
具体实施方式
鉴于现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
本专利提出一种新的生长含硫化合物的方法，巧妙的取代三辛基膦硫(TOPS)和三丁基膦硫(TBPS)，降低了量子点制备成本，简化了合成步骤。
本发明实施例提供的一种纳米晶体的合成方法，包括：
提供包含量子点核的反应体系；
于所述反应体系中加入硫属化合物和阳离子，从而在量子点核上包覆壳层，形成具有核壳结构的纳米晶体。
在一些实施方案中，所述量子点核包括II-VI、III-V、I-III-VI和I-VI量子点中的任意一种或两种以上的组合。
进一步地，所述量子点核包括CdSe、CdS、CdSeS、CdZnSeS、In(Zn)P、ZnSe、CuInS、CuInSe、CuInZnS、CuInZnSe和CdTe中的任意一种或两种以上的组合。
在一些具体实施方案中，对于II-VI、III-V、I-III-VI和I-VI量子点的制备可参考业界已知的方法，例如，可参考文献Mapping the Optical Properties of CdSe/CdSHeterostructure Nanocrystals：The Effects of Core Size and Shell Thickness等。
例如，CdZnSe量子点的制备方法包括：使包含有油酸镉、油酸锌和溶剂的混合反应体系于100～130℃反应30min～2h，之后于300～310℃加入Se-ODE反应10～30min，形成CdZnSe量子点。
其中，溶剂包括十四烯、十五烯、十六烯、十七烯、十八烯、十四烷、十五烷、十六烷、十七烷、十八烷、十九烷、二十烷、二十一烷、二十二烷、二十三烷、二十四烷和液体石蜡中的至少一种，但不限于此。
其中，油酸镉与油酸锌的摩尔比为1∶1～1∶30。
镉源包括羧酸镉，其中羧酸镉包括油酸镉、十七酸镉、十六酸镉、十五酸镉、十四酸镉、十二酸镉、十酸镉、壬酸镉和硬脂酸镉等中的任意一种或两种以上的组合，但不限于此。
在一些实施方案中，所述阳离子包括Cd2+、Zn2+和In3+中的任意一种或两种以上的组合。
在一些实施方案中，所述壳层包括ZnS、ZnSe、ZnSeS、CdS、CdZnSe、CdZnS、In2S3和InZnS中的任意一种或两种以上的组合。
在一些实施方案中，包括以下步骤：
(1)提供包含量子点核的反应体系；
(2)于250～320℃，向所述反应体系中滴加硫属化合物和第一阳离子源，反应1-60min，得到包覆有第一壳层的纳米晶体；
(3)于150～300℃，向步骤(2)所获反应体系中滴加硫属化合物和第二阳离子源，反应1-60min，得到包覆有第二壳层的纳米晶体。
在一些较为优选的实施方案中，所述步骤(1)与步骤(2)之间还包括：于200～320℃，向反应体系中滴加锌源和硒源，反应1-30min，得到包覆有ZnSe壳层的纳米晶体。
在一些实施方案中，所述硒源包括硒粉、二氧化硒、三辛基膦硒、三丁基膦硒、硒油胺溶液、二氧化硒油胺溶液、硒的十四烯溶液、硒的十五烯溶液、硒的十六烯溶液、硒的十七烯溶液、硒的十八烯溶液、硒醇、二硒化物、硒脲、硒醚、硒代酸酯、硒代酰胺、硒吩和硒唑中的任意一种或两种以上的组合。
在一些实施方案中，所述硫属化合物包括三异丁基硫膦、三异辛基硫膦、二(2，4，4-三甲基戊基)次膦酸、二(2，4，4-三甲基戊基)一硫代次膦酸和二(2，4，4-三甲基戊基)二硫代次膦酸中的任意一种或两种以上的组合。
在一些较为优选的实施方案中，所述硫属化合物中三异丁基硫膦、三异辛基硫膦、二(2，4，4-三甲基戊基)次膦酸、二(2，4，4-三甲基戊基)一硫代次膦酸和二(2，4，4-三甲基戊基)二硫代次膦酸的摩尔比为(0～1)∶(0～1)∶(0～1)∶(0～1)∶(0～1)。其中不能全部为0。
在一些实施方案中，所述反应体系中包括配位溶剂和/或非配位溶剂。
进一步地，所述配位溶剂包括碳原子数量≥5的饱和或不饱和脂肪酸和/或碳原子数量≥6的饱和或不饱和胺类。
进一步地，所述非配位溶剂包括碳原子数量≥10的烷烃类、烯烃类、醚类和芳香族化合物中的任意一种或两种以上的组合。
本发明实施例还提供由前述任一项方法合成的纳米晶体。
在一些实施方案中，所述纳米晶体的尺寸为3-15nm。
该纳米晶体的尺寸较为均一，尺寸为3～15nm，单分散性较好，发射波长可调控。其中Cd类纳米晶体的半峰宽小于25nm，量子效率可大于90％。
以下通过实施例并结合附图进一步详细说明本发明的技术方案。然而，所选的实施例仅用于说明本发明，而不限制本发明的范围。
本发明如下实施例中应用的各类试剂、作为核的量子点、硫属化合物等可以从市售途径获取，也可以参考现有方法合成。例如，其中一些反应试剂的制备方法如下：
油酸镉配制方法(Cd(OA)2 0.2mmol/ml)
氧化镉CdO 20mmol 阿尔法试剂 98％
油酸OA20ml 阿尔法试剂 90％
十八烯ODE 80ml 阿尔法试剂 90％
将上述原料置于250ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空，至无气泡后升温至260℃溶解后降温至80℃备用。
硬脂酸锌溶液配制方法(Zn(st/)2ODE 1mmol/ml)
将上述原料置于250ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，得到无色透明溶液后降温至80℃后备用。
铟前驱体溶液配制方法(In/OLAM 0.5mmol/ml)
将上述原料置于100ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，得到无色透明溶液后降温至80℃后备用。
油酸锌溶液配制方法(Zn(OA)2 0.5mmol/ml)
将上述原料置于250ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，得到无色透明溶液后降温至80℃后备用。
Se-ODE溶液(0.2mmol/ml)
将上述原料置于250ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，得到无色透明溶液后降温至80℃后备用。
油胺锌溶液配制方法(Zn-OLAM0.5mmol/ml)
将上述原料置于250ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，得到无色透明溶液后降温至80℃后备用。
S源配置
S-R1(三异丁基硫膦∶三异辛基硫膦∶二(2，4，4-三甲基戊基)次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)一硫代次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)二硫代次膦酸＝0∶0∶1∶0∶0)10ml
S-R2(三异丁基硫膦∶三异辛基硫膦∶二(2，4，4-三甲基戊基)次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)一硫代次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)二硫代次膦酸＝0∶0∶0∶1∶0)10ml
S-R3(三异丁基硫膦∶三异辛基硫膦∶二(2，4，4-三甲基戊基)次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)一硫代次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)二硫代次膦酸＝0∶0∶0∶0∶1)10ml
S-R4(三异丁基硫膦∶三异辛基硫膦∶二(2，4，4-三甲基戊基)次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)一硫代次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)二硫代次膦酸＝0∶0∶1∶1∶1)10ml
S-R5(三异丁基硫膦∶三异辛基硫膦∶二(2，4，4-三甲基戊基)次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)一硫代次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)二硫代次膦酸＝1∶1∶1∶1∶1)10ml
S-R6(三异丁基硫膦∶三异辛基硫膦∶二(2，4，4-三甲基戊基)次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)一硫代次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)二硫代次膦酸＝0∶0∶0∶0∶1)10ml
S-R7(三异丁基硫膦∶三异辛基硫膦∶二(2，4，4-三甲基戊基)次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)一硫代次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)二硫代次膦酸＝0∶0.5∶0.4∶0.3∶1)10ml
S-R8(三异丁基硫膦∶三异辛基硫膦∶二(2，4，4-三甲基戊基)次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)一硫代次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)二硫代次膦酸＝0.1∶0.1∶0.5∶0.5∶1)10ml
S-R9(三异丁基硫膦∶三异辛基硫膦∶二(2，4，4-三甲基戊基)次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)一硫代次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)二硫代次膦酸＝0.1∶0.1∶1∶0.5∶1)10ml
S-R10(三异丁基硫膦∶三异辛基硫膦∶二(2，4，4-三甲基戊基)次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)一硫代次膦酸∶二(2，4，4-三甲基戊基)二硫代次膦酸＝0.1∶0.1∶1∶0.5∶1)10ml
Cd类纳米晶体合成
实施例1
纳米晶体的合成方法：CdZnSe/CdS/ZnS
Cd(OA)2 0.2mmol/ml 10ml
十八烯(ODE) 50ml 阿尔法试剂 90％
Zn(OA)2 0.5mmol/ml 20ml
将上述原料置于250ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，升温至300℃，加入Se-ODE溶液10ml，反应20min，得到CdZnSe量子点核
将温度降至250℃，向溶液中加入Cd(OA)210ml和新硫源S-R15ml反应30min
将温度降至180℃，向溶液中加入二乙基二硫代氨基甲酸锌-十八烯溶液(0.5M)10ml反应30min，得到最终产物。所得纳米晶体的谱图如图1所示，该纳米晶体的单分散性较好，发射波长可调控，半峰宽小于25nm，量子效率大于90％。
实施例2
纳米晶体的合成方法：CdZnSe/ZnSe/CdS/ZnS
Cd(OA)2 0.2mmol/ml 10ml
十八烯(ODE) 50ml 阿尔法试剂 90％
Zn(OA)2 0.5mmol/ml 20ml
将上述原料置于250ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，升温至300℃，加入Se-ODE溶液10ml，反应20min，得到CdZnSe量子点核
将温度降至250℃，向溶液中加入Cd(OA)210ml和新硫源S-R25ml反应30min
将温度降至180℃，向溶液中加入二乙基二硫代氨基甲酸锌-十八烯溶液(0.5M)10ml反应30min，得到最终产物。所得纳米晶体的谱图如图2所示，该纳米晶体的单分散性较好，发射波长可调控，半峰宽小于25nm，量子效率大于90％。
实施例3
纳米晶体的合成方法：CdZnSe/ZnSe/CdS/ZnS
Cd(OA)2 0.2mmol/ml 10ml
十八烯(ODE) 50ml 阿尔法试剂 90％
Zn(OA)2 1mmol/ml 20ml
将上述原料置于250ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，升温至300℃，加入Se-ODE溶液15ml，反应20min，得到CdZnSe量子点核
将温度降至250℃，向溶液中加入Cd(OA)210ml和新硫源S-R35ml反应30min
将温度降至180℃，向溶液中加入二乙基二硫代氨基甲酸锌-十八烯溶液(0.5M)10ml反应30min，得到最终产物。所得纳米晶体的谱图如图3所示，该纳米晶体的单分散性较好，发射波长可调控，半峰宽小于25nm，量子效率大于90％。
实施例4
纳米晶体的合成方法：CdZnSeS/CdS/ZnS
Cd(OA)2 0.2mmol/ml 10ml
十八烯(ODE) 50ml 阿尔法试剂 90％
Zn(OA)2 0.5mmol/ml 20ml
将上述原料置于250ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，升温至320℃，加入Se-ODE溶液10ml+S-R4 0.2ml，反应20min，得到CdZnSeS量子点核
将温度降至250℃，向溶液中加入Cd(OA)210ml和新硫源S-R25ml反应30min
将温度降至220℃，向溶液中加入二乙基二硫代氨基甲酸锌-十八烯溶液(0.5M)10ml反应30min，得到最终产物。
实施例5
纳米晶体的合成方法：CdZnSeS/ZnSe/CdS/ZnS
Cd(OA)2 0.2mmol/ml 10ml
十八烯(ODE) 50ml 阿尔法试剂 90％
Zn(OA)2 0.5mmol/ml 20ml
将上述原料置于250ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，升温至320℃，加入Se-ODE溶液10ml+S-R50.2ml，反应20min，得到CdZnSeS量子点核。
将温度降至280℃，加入Se-ODE 2.8ml反应10min
将温度降至250℃，向溶液中加入Cd(OA)210ml和新硫源S-R25ml反应30min
将温度降至220℃，向溶液中加入二乙基二硫代氨基甲酸锌-十八烯溶液(0.5M)10ml反应30min，得到最终产物。
PbS类纳米晶体合成
实施例6
纳米晶体的合成方法：PbS
(1)在100ml三口烧瓶中，加入氧化铅0.5mmol，油酸5ml，十八烯20ml氩气氛围下
(2)升温至220℃，新硫源S-R5 4.5ml+5.5ml油胺混合液，形成PbS量子点反应20min后降至室温得到最终产物。
Ag2S类纳米晶体合成
实施例7
纳米晶体的合成方法：Ag2S/ZnS
(1)在100ml三口烧瓶中，加入硝酸银0.1mmol，油酸2ml，十八烯10ml，硫粉0.1mmol氩气氛围下；
(2)升温至150℃，新硫源S-R61.5ml+0.5ml油胺混合液，形成Ag2S量子点核，反应20min；
(3)加入Zn-OLAM 2ml，在230℃反应30min
(4)加入新硫源S-R6 1.5ml，Zn(st)2/ODE 10ml，在300℃反应20min；
(5)加入新硫源S-R6 2.8ml，在300℃反应20min后得到最终产物。
InP类纳米晶体合成
实施例8
纳米晶体的合成方法：In(Zn)P/In2S3/ZnS或InP/In2S3/ZnS
(1)在100ml三口烧瓶中，加入上述配制的In/OLAM溶液2ml、硬脂酸锌Zn(st)2粉末0.8mmol、OLAM 5ml、ODE 5ml，升温至100℃，反应30min，氩气氛围；
(2)升温至150℃，加入三(二甲胺基)膦(P(EDA)3)1ml，反应10min，形成InP或InZnP量子点核，反应20min；
(3)加入In-OLAM 2ml，在250℃反应30min，加入新硫源S-R73ml，反应10min；
(4)加入新硫源S-R7 2.2ml，Zn(st)2/ODE 10ml，在300℃反应20min；
(5)加入新硫源S-R7 3ml 2.8ml，在320℃反应20min后得到最终产物。
实施例9
纳米晶体的合成方法：In(Zn)P/ZnSeS/ZnS
(1)在100ml三口烧瓶中，加入上述配制的In/OLAM溶液2.3ml、硬脂酸锌Zn(st)2粉末1mmol、OLAM 5ml、ODE 5ml，升温至100℃，反应30min，氩气氛围；
(2)升温至150℃，加入三(二甲胺基)膦(P(EDA)3)1.5ml，反应10min，形成InP或InZnP量子点核，反应20min；
(3)加入In-OLAM 2ml，在230℃反应30min，加入Se-ODE 3ml加入新硫源S-R8 3ml，反应10min；
(4)加入新硫源S-R8 1.5ml，Zn(st)2/ODE 10ml，在290℃反应20min；
(5)加入新硫源S-R8 2.8ml，在300℃反应20min后得到最终产物。
实施例10
纳米晶体的合成方法：In(Zn)P/ZnSe/ZnS
(1)在100ml三口烧瓶中，加入上述配制的In/OLAM溶液2.3ml、硬脂酸锌Zn(st)2粉末1mmol、OLAM 5ml、ODE 5ml，升温至100℃，反应30min，氩气氛围；
(2)升温至150℃，加入三(二甲胺基)膦(P(EDA)3)1.5ml，反应10min，形成InP或InZnP量子点核，反应20min；
(3)加入Zn-OLAM 2ml，在230℃反应30min，加入Se-ODE 3ml反应10min；
(4)加入新硫源S-R9 1.5ml，Zn(st)2/ODE 10ml，在290℃反应20min；
(5)加入新硫源S-R9 2.8ml，在320℃反应20min后得到最终产物。
实施例11
纳米晶体的合成方法：In(Zn)P/ZnSe/In2S3/ZnS
(1)在100ml三口烧瓶中，加入上述配制的In/OLAM溶液2ml、硬脂酸锌Zn(st)2粉末0.8mmol、OLAM 5ml、ODE 5ml，升温至120℃，反应30min，氩气氛围；
(2)升温至180℃，加入三(二甲胺基)膦(P(EDA)3)1ml，反应10min，形成InP或InZnP量子点核，反应20min；
(3)加入Zn-OLAM 2ml，在220℃反应30min，加入Se-ODE 3ml反应10min；
(4)加入In-OLAM 2ml，在260℃反应30min，加入新硫源S-R102.4ml，反应10min；
(5)加入新硫源S-R10 2.2ml，Zn(st)2/ODE 10ml，在300℃反应20min；
(6)加入新硫源S-R10 3.5ml，在310℃反应20min后得到最终产物。
此外，本案发明人还参照以上实施例的方式，以本说明书中列出的其它原料和条件等进行了试验，同样可以制得量子效率高、光学性能好、稳定性高的量子点。
应当理解，以上所述的仅是本发明的一些实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的创造构思的前提下，还可以做出其它变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种纳米晶体的合成方法，其特征在于包括：
提供包含量子点核的反应体系；
于所述反应体系中加入硫属化合物和阳离子，从而在量子点核上包覆壳层，形成具有核壳结构的纳米晶体。
2.根据权利要求1所述的纳米晶体的合成方法，其特征在于：所述量子点核包括II-VI、III-V、I-III-VI和I-VI量子点中的任意一种或两种以上的组合；优选的，所述量子点核包括CdSe、CdS、CdSeS、CdZnSeS、In(Zn)P、ZnSe、CuInS、CuInSe、CuInZnS、CuInZnSe和CdTe中的任意一种或两种以上的组合；和/或，所述阳离子包括Cd2+、Zn2+和In3+中的任意一种或两种以上的组合；和/或，所述壳层包括ZnS、ZnSe、ZnSeS、CdS、CdZnSe、CdZnS、In2S3和InZnS中的任意一种或两种以上的组合。
3.根据权利要求1所述的纳米晶体的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供包含量子点核的反应体系；
(2)于250～320℃，向所述反应体系中滴加硫属化合物和第一阳离子源，反应1-60min，得到包覆有第一壳层的纳米晶体；
(3)于150～300℃，向步骤(2)所获反应体系中滴加硫属化合物和第二阳离子源，反应1-60min，得到包覆有第二壳层的纳米晶体。
4.根据权利要求3所述的纳米晶体的合成方法，其特征在于，所述步骤(1)与步骤(2)之间还包括：于200～320℃，向反应体系中滴加锌源和硒源，反应1-30min，得到包覆有ZnSe壳层的纳米晶体。
5.根据权利要求1所述的纳米晶体的合成方法，其特征在于：所述硒源包括硒粉、二氧化硒、三辛基膦硒、三丁基膦硒、硒油胺溶液、二氧化硒油胺溶液、硒的十四烯溶液、硒的十五烯溶液、硒的十六烯溶液、硒的十七烯溶液、硒的十八烯溶液、硒醇、二硒化物、硒醚、硒代酸酯、硒代酰胺、硒吩和硒唑中的任意一种或两种以上的组合。
6.根据权利要求1所述的纳米晶体的合成方法，其特征在于：所述硫属化合物包括三异丁基硫膦、三异辛基硫膦、二(2，4，4-三甲基戊基)次膦酸、二(2，4，4-三甲基戊基)一硫代次膦酸和二(2，4，4-三甲基戊基)二硫代次膦酸中的任意一种或两种以上的组合。
7.根据权利要求6所述的纳米晶体的合成方法，其特征在于：所述硫属化合物中三异丁基硫膦、三异辛基硫膦、二(2，4，4-三甲基戊基)次膦酸、二(2，4，4-三甲基戊基)一硫代次膦酸和二(2，4，4-三甲基戊基)二硫代次膦酸的摩尔比为(0～1)：(0～1)：(0～1)：(0～1)：(0～1)。
8.根据权利要求1所述的纳米晶体的合成方法，其特征在于：所述反应体系中包括配位溶剂和/或非配位溶剂。
9.根据权利要求8所述的纳米晶体的合成方法，其特征在于：所述配位溶剂包括碳原子数量≥5的饱和或不饱和脂肪酸和/或碳原子数量≥6的饱和或不饱和胺类；和/或，所述非配位溶剂包括碳原子数量≥10的烷烃类、烯烃类、醚类和芳香族化合物中的任意一种或两种以上的组合。
10.由权利要求1-9中任一项所述的方法合成的纳米晶体；优选的，所述纳米晶体的尺寸为3-15nm。
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