CN107760307A - 一种量子点及其制备方法、背光模组和显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种具有核壳结构的量子点，由内向外依次包括核、位于所述核表面的第一壳层，所述核的组成为CdxZn1‐xSeyS1‐y，所述第一壳层的组成为CdzZn1‐zS，0<x≤1，0<y≤1，0<z≤1，所述第一壳层在所述量子点中所占的质量分数范围为30％‐60％，所述量子点的发射峰波长范围为500nm‐650nm。本发明的量子点对蓝光具有更好的吸收，同时保持了较高的量子效率和较窄的半峰宽。本发明还揭示了一种背光模组和显示装置，以及一种量子点的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种量子点及其制备方法。本发明还涉及使用上述量子点的背光模组和显示装置。
背景技术
量子点又称为纳米晶体，为粒径通常为1-20纳米之间、并具有晶体结构的材料。由于量子点具有粒子大小可控、分散均匀、激发转化效率高、稳定且光效较高等优异的光学性质，其在显示器件领域已经展示出较大的应用前景。
量子点在显示器件领域的应用主要包括光致发光和电致发光两种方式，其中光致发光主要是通过蓝光激发包含红光量子点和绿光量子点的量子点层产生三原色，从而得到白光。在光致发光应用中，红光、绿光量子点需要充分吸收用来激发的蓝光才能得到较为纯粹的三原色，否则不仅量子点的用量较大，而且得到的光比较杂，影响显示的效果。所以如何提高红光、绿光量子点对蓝光的吸收能力对量子点在光致发光显示技术中的应用至关重要。
现有技术通过提升量子点在高分子材料中的浓度，来增加量子点的用量，从而增加对蓝光的吸收。这不仅增加了量子点的用量，还由于浓度提高导致的更大自吸收影响，也对降低量子点成膜的厚度技术提出了更高要求。
因此，有必要进一步对现有技术改进，以解决上述问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题为：提供一种量子点，能够提高对蓝光的吸收能力，更好地用于光致发光应用。
本发明提出了一种具有核壳结构的量子点，由内向外依次包括核、位于所述核表面的第一壳层，所述核的组成为CdxZn1‐xSeyS1‐y，所述第一壳层的组成为CdzZn1‐zS，0<x≤1，0<y≤1，0<z≤1，所述第一壳层在所述量子点中所占的质量分数范围为30％‐60％，所述量子点的发射峰波长范围为500nm‐650nm。
优选地，0<x≤0.5，0.5<y≤1，0.5<z≤1。
优选地，所述量子点为红光量子点，对450nm激发光的吸收值与自吸收值的比值大于20。
优选地，所述量子点为绿光量子点，对450nm激发光的吸收值与自吸收值的比值大于4。
优选地，所述量子点的量子效率大于80％。
优选地，所述量子点的量子效率大于90％。
优选地，所述量子点的粒径范围为8‐16nm，所述量子点的半峰宽范围为20‐30nm。
优选地，所述量子点还包括位于所述第一壳层表面的第二壳层，所述第二壳层组成为ZnS。
优选地，所述第一壳层在所述量子点中所占的质量分数范围为35％‐50％。
优选地，所述核在所述量子点中所占的质量分数范围为40％‐65％。
本发明还提出了一种背光模组，包括光源、导光模块和量子点模块，所述量子点模块包括主体材料和如上所述的量子点，所述量子点均匀的分散在所述主体材料中。
本发明还提出了一种显示装置，包括显示模块和如上所述的背光模组。
本发明还提出了一种量子点制备方法，所述量子点的发射峰波长范围为500nm‐650nm，所述制备方法包括步骤：制备核CdxZn1‐xSeyS1‐y，0<x≤1，0<y≤1；在所述核表面制备第一壳层CdzZn1‐zS，0<z≤1；在所述第一壳层表面制备第二壳层ZnS；通过控制所述第一壳层的前驱体用量和生长时间，使得所述第一壳层在所述量子点中所占的质量分数范围为30％‐60％。
优选地，所述第一壳层在所述量子点中所占的质量分数范围为35％‐45％。
本发明具有以下有益效果：本发明提出的量子点，不仅稳定性更高，自吸收也降低，而且对蓝光的吸收能力大大提高，更加有利于光致发光应用。本发明提出的背光模组和显示装置中，量子点的用量降低，量子点层的厚度更薄，在保持性能的基础上降低了成本。
附图说明
图1为本发明的量子点结构图；
图2是实施例3和对比例1的量子点的紫外‐可见吸收(ABS)光谱图；
图3为实施例4的量子点的发射光谱图；
图4为实施例5的量子点的吸收光谱和发射光谱图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式，对本发明实施例中的技术方案进行详细地描述，显然，所描述的实施方式仅仅用以理解本发明，是本发明一部分实施方式，而不是全部实施方式，不能限制本发明。本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护范围。
如图1所示，本发明公开了一种具有核壳结构的量子点，由内向外依次包括核、位于核表面的第一壳层，核的组成为CdxZn1‐xSeyS1‐y，第一壳层的组成为CdzZn1‐zS，0<x≤1，0<y≤1，0<z≤1，第一壳层在量子点中所占的质量分数范围为30％‐60％，量子点的发射峰波长范围为500nm‐650nm。
本发明将量子点在UV吸收光谱中450nm处的吸收值定义为OD450，其表示浓度一定的单位体积的量子点对激发波长为450nm的蓝光吸收能力。将量子点在发射峰波长附近的第一吸收峰处的自吸收峰值定义为OD1。将比值OD450/OD1定义为R450，表示量子点对450nm激发光的吸收与自吸收的相对比值。R450越大表示量子点对450nm激发光的吸收能力越强的同时，自吸收越小。通过实验，本发明的发明人发现了第一壳层的含量与R450的特殊关系，在一定的范围内，第一壳层的含量越大，R450越大，第一壳层的含量达到一定值，R450也会达到极限值。本发明通过控制第一壳层的含量来控制R450值，使本发明的量子点更加适用于蓝光激发的光致发光应用。
在一个优选的实施方式中，量子点为红光量子点，对450nm激发光的吸收值与自吸收值的比值大于20。量子点对450nm激发光的吸收值与自吸收值的比值大于20，即指R450值大于20。在一个优选的实施方式中，R450值大于50。在一个优选的实施方式中，R450值范围为80‐100。本发明的量子点结构对红光量子点的效果最好，而红光量子点中的含镉量最高，通过本发明的量子点结构可显著降低红光量子点的用量，降低镉含量。
在一个优选的实施方式中，量子点为绿光量子点，对450nm激发光的吸收值与自吸收值的比值大于4。在另一个优选的实施方式中，量子点为绿光量子点，对450nm激发光的吸收值与自吸收值的比值大于10。
通过本发明的量子点，解决了现有技术中硒化镉类红光量子点和绿光量子点对蓝光吸收效率低的问题。此外，本发明制备的量子点，还具有较高的量子效率和较窄的半峰宽，且基本没有自吸收。本发明的特殊量子点结构中，随着第一壳层的含量(厚度)增大，R450值、量子效率和半峰宽均增大，直至一个极限值。在本发明中，量子点的第一壳层的极限值范围为50‐60％。
在一个优选的实施方式中，本发明制备的量子点的量子效率高于90％，半峰宽低于30nm。
本发明特有的量子点结构以及元素组成使得量子点在保持较高光学特性的同时，增加了对蓝光的吸收，大大提高了光利用率，可减少量子点光学器件中的量子点总体用量，同时有利于量子点光学器件中量子点层变得更薄。
第一壳层在量子点中所占的质量分数通过控制第一壳层的厚度实现，第一壳层的厚度通过控制第一壳层的前驱体用量和生长时间实现。在一个优选的实施方式中，第一壳层在量子点中所占的质量分数范围为40％‐50％。
在一个优选的实施例中，0.5<z≤1。第一壳层中Cd含量的增加，更有利于量子点对蓝光的吸收。在一个优选的实施例中，0<x≤0.5，0.5<y≤1，0.5<z≤1。在一个优选的实施例中，0<x≤0.5，0.75<y≤1，0.75<z≤1。本发明中特定的Cd、Zn、Se、S摩尔比，使得本发明的量子点具有较好的量子效率和半峰宽。
为了增加量子点的稳定性，在一个优选的实施方式中，本发明的量子点还包括第二壳层，第二壳层的组成为ZnS，量子点结构为CdxZn1‐xSeyS1‐y/CdzZn1‐zS/ZnS。优选地，第二壳层在量子点中所占的质量分数范围为25％‐35％。优选地，核CdxZn1‐xSeyS1‐y在量子点中所占的质量分数范围为40％‐65％。在一个优选的实施例中，0.5<z≤1。在一个优选的实施例中，0<x≤0.5，0.5<y≤1，0.5<z≤1。在一个优选的实施例中，0<x≤0.5，0.75<y≤1，0.75<z≤1。
在一个具体实施例中，量子点结构为CdSe/CdS/ZnS。在一个具体实施例中，量子点结构为CdSe/CdZnS/ZnS。在一个具体实施例中，量子点结构为CdSeS/CdZnS/ZnS。在一个具体实施例中，量子点结构为CdZnSe/CdS/ZnS。在一个具体实施例中，量子点结构为CdZnSe/CdZnS/ZnS。在一个具体实施例中，量子点结构为CdZnSeS/CdS/ZnS。
本发明的量子点优选粒径范围为8‐16nm。在一个优选实施方式中，量子点为发射峰波长范围在600‐650nm的红光，量子点的粒径范围为13‐16nm。在另一个优选实施方式中，量子点为发射峰波长范围在500‐600nm范围的绿光，量子点的粒径范围为8‐10nm。相比较现有技术的红绿量子点，本发明的量子点具有较大的粒径，缺陷较少，更加稳定。
在一个优选的实施方式中，量子点的半峰宽范围为20‐30nm。具体的，红光量子点的半峰宽范围为20‐30nm，绿光量子点的半峰宽范围为20‐25nm。
本发明还公开了一种背光模组，包括光源、导光模块和量子点模块。光源发出蓝光的发光二极管或者发光二极管组件。导光模块包括导光板或者各类光学膜片。量子点模块包括量子点层、量子点条、量子点玻璃管、量子点膜片中的一种。量子点模块设置在光源与导光模块之间或者导光模块的出光面附近。量子点模块包括主体材料和如上所述的量子点，量子点均匀的分散在主体材料中。主体材料包括单体、聚合物或者高分子材料。优选地，主体材料为无影胶，能够在光照或者加热条件下固化的高分子材料。
在一个优选的实施方式中，光源与量子点模块为一个整体，具体的，量子点封装在发出蓝光的发光二极管中。发光二极管包括发光芯片和位于芯片表面的封装层，封装层包括但不限于硅胶。在一个具体实施例中，量子点分散在封装层的内部。在另一个具体实施例中，量子点分散在高分子材料中，位于封装层的表面，并位于发光芯片的发光方向上。优选地，量子点分散在高分子材料中，并封装在玻璃封闭的空间中，形成量子点玻璃体，量子点玻璃体设置在封装层的表面，并位于发光芯片的发光方向上。
本发明还公开了一种显示装置，包括显示模块和如上所述的背光模组。显示模块和背光模组之间还设置有多个光学膜片。本发明的显示装置具有更窄的边框，更少的量子点用量。
本发明还公开了一种量子点制备方法，所述制备方法包括步骤：制备核CdxZn1‐ xSeyS1‐y，0<x≤1，0<y≤1；在核表面制备第一壳层CdzZn1‐zS，0<z≤1；在所述第一壳层表面制备第二壳层ZnS；通过控制前驱体的用量和所述第一壳层的生长时间，使得第一壳层在量子点中所占的质量分数范围为30％‐60％。
在一个具体实施方式中，制备核CdxZn1‐xSeyS1‐y，包括以下步骤：将镉源、锌源溶解到高温有机溶剂中，除水除氧，升温到200‐350℃，快速加入溶解有硒源和硫源的高温有机溶剂，得到核CdxZn1‐xSeyS1‐y。经过乙醇沉淀后分散在高温有机溶剂中。将溶解有核CdxZn1‐ xSeyS1‐y的高温有机溶剂加热到200‐250℃，加入溶解有镉源、锌源和硫源的高温有机溶剂，生长第一壳层CdzZn1‐zS，继续升温到250‐300℃，加入锌源和硫源，生长第二壳层ZnS，得到本发明的量子点。可将产物通过醇沉淀，并分散在有机溶剂中。
上述多个场合提到的高温有机溶剂并不指同一种溶剂，包括但不限于长链烷烃、长链烯烃、长链烷基胺、长链烷醇、长链烷基酯、长链硫醇、长链烷基酸、长链烯酸或者有机磷化合物。长链烷烃包括1‐十八烷、1‐十七烷、1‐十六烷、1‐十二烷、1‐十四烷、1‐十三烷、1‐姥鲛烷、1‐植烷、1‐十五烷、石蜡、1‐二十烷、1‐二十八烷、1‐二十四烷中的至少一种。长链烯烃包括1‐十八烯(1‐octadencene，简称ODE)、1‐十二烯、1‐十六烯、1‐十四烯、1‐十七烯、1‐十九烯、1‐二十烯、1‐十三烯、1‐十五烯中的至少一种。长链烷基胺包括十六烷基胺、十八烷基胺(Octadecylamine，简称ODA)、十四烷基胺、癸烷基胺、十二烷基胺、十一烷基胺、十三烷基胺、1,12‐二氨基十二烷、1,18‐二氨基十八烷、1,16‐二氨基十六烷、1,14‐二氨基十四烷胺、油胺中的至少一种。长链烷醇包括1‐十八烷醇、1‐十六烷醇、1‐二十烷醇、1‐十二烷醇、1‐十三烷醇、1‐十四烷醇、1‐二十二烷醇、1‐十五烷醇、1‐十七烷醇、1‐十九烷醇、1‐二十烷醇中的至少一种。长链烷基酯包括硬脂基酯、乙酸十二烷基酯、乙酸十六烷基酯、乙酸二十烷基酯、十五烷基酯、十七烷基酯中的至少一种；长链烷基脂肪酸包括癸酸、十一烷酸、十二烷酸、十三烷酸、十四烷酸、十五烷酸、十六烷酸、十七烷酸、硬脂酸、二十烷酸中的至少一种；长链烷基硫醇包括1‐十一烷硫醇、1‐十二烷硫醇、1‐十四烷硫醇、1‐十五烷硫醇、1‐十六烷硫醇、1‐十八烷硫醇中的至少一种。长链烯酸包括但不限于油酸(Oleic acid，简称OA)、十六烯酸、十七烯酸、十九烯酸。有机磷化合物包括三辛基膦、三辛基氧化膦(trioctyl‐phosphine oxide，简称TOPO)、三苯基膦、三丁基膦中的至少一种。
镉源包括镉化合物，镉化合物包括但不限于醋酸镉、氯化镉、溴化镉、碳酸镉、氧化镉、硬脂酸镉中的至少一种。锌源包括锌化合物，锌化合物包括但不限于醋酸锌、氯化锌、溴化锌、碳酸锌、氧化锌、硬脂酸锌中的至少一种。硒源包括硒化合物或者硒单质，硒化合物包括但不限于二氧化硒，硒单质为硒粉。硫源包括但不限于硫粉、硫化物。基于本发明的方案，可通过控制投料量的比例、反应温度和反应时间得到不同粒径的CdxZn1‐xSeyS1‐y核。
在一个优选的实施方式中，第一壳层在量子点中所占的质量分数范围为35％‐45％。进一步地，第一壳层的含量可根据量子点的量子效率、发射峰波长进行调节。
在一个优选的实施方式中，为使量子点具有更好的性质，在制备核CdxZn1‐xSeyS1‐y时，Cd前体和Zn前体的摩尔比范围为1:2‐1:10。在一个更优选的实施方式中，Cd前体和Zn前体的摩尔比范围为1:3‐1:5。
在一个优选的实施方式中，为使量子点具有更好的性质，在制备核CdxZn1‐xSeyS1‐y时，Cd前体和Se前体的摩尔比范围为1:5‐1:20，反应时间10s‐300s。在一个更优选的实施方式中，Cd前体和Se前体的摩尔比范围为1:10‐1:15，反应时间30s‐120s。
在一个优选的实施方式中，本发明公开了一种红光量子点的制备方法，包括步骤：制备核CdxZn1‐xSeyS1‐y；在核表面制备第一壳层CdS；在所述第一壳层表面制备第二壳层ZnS；通过控制前驱体的用量和所述第一壳层的生长时间，使得第一壳层在量子点中所占的质量分数范围为35％‐45％，量子效率达90％以上，半峰宽达25nm以下，R450大于20。
在一个优选的实施方式中，本发明公开了一种绿光量子点的制备方法，包括步骤：制备核CdxZn1‐xSeyS1‐y；在核表面制备第一壳层CdZnS；在所述第一壳层表面制备第二壳层ZnS；通过控制前驱体的用量和所述第一壳层的生长时间，使得第一壳层在量子点中所占的质量分数范围为35％‐45％，量子效率达80％以上，半峰宽达25nm以下，R450大于6。
实施例1
一种CdxZn1‐xSeyS1‐y/CdzZn1‐zS/ZnS型量子点，0<x≤1，0<y≤1，0<z≤1，其中CdzZn1‐zS层在量子点中的质量分数为30‐60％。其制备方法包括以下步骤：将CdO、OA和ODE置于反应瓶中，100℃抽真空除水氧，220℃溶解，配制成Cd(OA)2溶液。将ZnO、OA和ODE置于反应瓶中，100℃抽真空除水氧，240℃溶解，配制成Zn(OA)2溶液。将Se粉和S粉，加入三辛基膦中，适当加热，使Se、S完全溶解，配制(Se+S)溶液。将S粉加入ODE溶液中，适当加热，使S粉完全溶解，配制S含量为0.2M的S溶液。量取一定量的Cd(OA)2和Zn(OA)2，加入ODE溶液，100℃抽真空除水氧，升温300℃，快速注入溶有(Se+S)溶液，高温下维持2min，得到CdxZn1‐xSeyS1‐y核。称取一定量的ODA和TOPO，加入CdxZn1‐xSeyS1‐y核溶液，除水氧，升温220℃，滴加Cd(OA)2溶液和S溶液，生长CdS层。升温至260℃，滴加Zn(OA)2溶液和S溶液，生长ZnS层，得到CdxZn1‐ xSeyS1‐y/CdzZn1‐zS/ZnS型量子点。
实施例2
一种CdSe/CdS量子点，其制备方法包括以下步骤：取400mg Se、5ml三辛基膦，混合后在Ar气氛中适当加热，完全溶解后成为浓度为1M的Se溶液。取16mg S、5ml三辛基膦，混合后在Ar气氛中适当加热，完全溶解后成为浓度为0.1M的S溶液。取1.28g CdO和1.5g OA，在Ar气氛中共热至300℃，得到浓度为0.1M的Cd(OA)2溶液。取1ml Se溶液，注入到10ml 300℃的Cd(OA)2溶液中，反应120秒，冷却至220℃，提纯得到CdSe核，加入到2g ODA和0.5gTOPO中，除水氧，加热到220℃，加入10ml Cd(OA)2溶液和10ml浓度为0.1M的S溶液，反应120min，生长CdS层。经测试，其中CdS在量子点中的质量分数约为40％。
实施例3
一种CdSe/CdS/ZnS量子点，其制备方法与实施例2相同，所不同的在于，生长CdS层后，升温至260℃，滴加1ml浓度为0.1M的Zn(OA)2溶液和1ml浓度为0.1M的S/TOP溶液，反应120min，生长ZnS层，得到CdSe/CdS/ZnS量子点。经测试，其中CdS在量子点中的质量分数约为35％，量子点粒径为11nm，发射峰620nm，量子效率达90％，半峰宽约为25nm。
实施例4
一种CdSe/CdS/ZnS量子点，其制备方法与实施例3相同，所不同的在于，生长CdS层时，加入15ml Cd(OA)2溶液和15ml浓度为0.1M的S溶液，反应120min。经测试，其中CdS在量子点中的质量分数约为50％，量子点粒径约为13nm，发射峰629nm，量子效率约为95％，半峰宽约为20nm，如图3所示。
实施例5
一种CdSe/CdZnS/ZnS量子点，其制备方法与实施例3相同，所不同的在于，取1mlSe溶液，注入到10ml 300℃的Cd(OA)2溶液中，反应30秒。生长CdZnS层时，加入2ml Cd(OA)2溶液，2ml浓度为0.1M的Zn(OA)2溶液和4ml浓度为0.1M的S溶液，反应120min，生长CdS层。经测试，其中CdS在量子点中的质量分数约为50％，量子点粒径约为9nm，发射峰521nm，量子效率约为90％，半峰宽约为25nm，如图4所示。
实施例6
一种背光模组，包括蓝光LED组件、量子点玻璃管和侧入式导光板，量子点玻璃管设置在导光板的入光面与LED组件之间。量子点玻璃管包括玻璃管和封闭在玻璃管中的量子点层，量子点层包括实施例3制备的CdSe/CdS/ZnS红光量子点和实施例5制备的CdSe/CdS/ZnS绿光量子点，以及无影胶。量子点均匀地分散在固化的无影胶中，浓度为2wt％。
实施例7
一种背光模组，包括蓝光LED组件、量子点膜层和侧入式导光板，量子点膜层设置在导光板的出光面附近。量子点膜层包括实施例3制备的CdSe/CdS/ZnS红光量子点和实施例5制备的CdSe/CdS/ZnS绿光量子点和无影胶。量子点均匀地分散在固化的无影胶中。量子点膜层的表面设置有隔氧隔水的阻隔层。
对比例1
与实施例3相同，所不同的在于，加入2ml Cd(OA)2溶液和2ml S溶液，反应120min，生长CdS层。经测试，其中CdS在量子点中的质量分数约为20％，量子点粒径约为8nm，发射峰610nm，量子效率达约为80％，半峰宽约为30nm。
对比例2
与对比例1相同，所不同的在于，取1ml Se溶液，注入到10ml 300℃的Cd(OA)2溶液中，反应60秒。。经测试，其中CdS在量子点中的质量分数约为20％，量子点粒径为约为8nm，发射峰520nm，量子效率达约为80％，半峰宽约为27nm。
对比例3
一种背光模组，与实施例6相同，所不同的在于，使用对比例1和对比例2制备的量子点，量子点浓度为20wt％。
如图2所示，实施例3制备的CdSe/CdS/ZnS量子点，OD’450＝0.3，OD’1＝0.0033，R’450＝90。对比例1制备的CdSe/CdS/ZnS量子点，OD450＝0.11，OD1＝0.0136，R450＝8。由此可见，实施例3制备的CdSe/CdS/ZnS量子点在450nm出的吸光度大大高于对比例1的吸光度，实施例3的第一吸收峰(自吸收峰)处的吸光度远低于对比例1的吸光度。
将实施例3,5和对比例1,2制备的量子点分别应用到背光模组中，即实施例6和对比例3，可以发现，实施例6中量子点使用量仅为对比例3的量子点使用量的10％，却可以达到相同的吸收激发光效果，由此减少了量子点和高分子材料的用量，降低了成本。通过降低量子点的浓度，还使得量子点膜可以做的更薄。此外，高分子材料中的量子点浓度有效降低，减少了自吸收带来的色差等负面影响。
尽管发明人已经对本发明的技术方案做了较详细的阐述和列举，应当理解，对于本领域技术人员来说，对上述实施例作出修改和/或变通或者采用等同的替代方案是显然的，都不能脱离本发明精神的实质，本发明中出现的术语用于对本发明技术方案的阐述和理解，并不能构成对本发明的限制。
Claims (13)
1.一种具有核壳结构的量子点，由内向外依次包括核、位于所述核表面的第一壳层，其特征在于，所述核的组成为CdxZn1‐xSeyS1‐y，所述第一壳层的组成为CdzZn1‐zS，0<x≤1，0<y≤1，0<z≤1，所述第一壳层在所述量子点中所占的质量分数范围为30％‐60％，所述量子点的发射峰波长范围为500nm‐650nm。
2.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于：0<x≤0.5，0.5<y≤1，0.5<z≤1。
3.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点为红光量子点，对450nm激发光的吸收值与自吸收值的比值大于20。
4.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点为绿光量子点，对450nm激发光的吸收值与自吸收值的比值大于4。
5.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点的量子效率大于80％。
6.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点的量子效率大于90％。
7.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点的粒径范围为8‐16nm，所述量子点的半峰宽范围为20‐30nm。
8.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点还包括位于所述第一壳层表面的第二壳层，所述第二壳层组成为ZnS。
9.根据权利要求1或8所述的量子点，其特征在于：所述第一壳层在所述量子点中所占的质量分数范围为35％‐50％。
10.根据权利要求1或8所述的量子点，其特征在于：所述核在所述量子点中所占的质量分数范围为40％‐65％。
11.一种背光模组，包括光源、导光模块和量子点模块，其特征在于，所述量子点模块包括主体材料和如权利要求1‐10中任一所述的量子点，所述量子点均匀的分散在所述主体材料中。
12.一种显示装置，其特征在于，包括显示模块和权利要求11所述的背光模组。
13.一种量子点制备方法，所述量子点的发射峰波长范围为500nm‐650nm，其特征在于，所述制备方法包括步骤：制备核CdxZn1‐xSeyS1‐y，0<x≤1，0<y≤1；在所述核表面制备第一壳层CdzZn1‐zS，0<z≤1；在所述第一壳层表面制备第二壳层ZnS；通过控制所述第一壳层的前驱体用量和生长时间，使得所述第一壳层在所述量子点中所占的质量分数范围为30％‐60％。
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