CN109216513A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光装置及其制造方法，使发光单元单独发光的分割性良好。发光装置的制造方法包括：准备将第一半导体层与第二半导体层层压的半导体层压体的第1A工序(SA1)、将到达第一半导体层的槽部设为行列状且形成多个发光单元的第2A工序(SA2)、在各发光单元中使第一半导体层的一部分从第二半导体层露出的第3A工序(SA3)、在发光单元及槽部形成具有第一孔的第一绝缘层的第4A工序(SA4)、形成通过第一孔与各发光单元的第一半导体层导通的布线电极的第5A工序(SA5)、在第一绝缘层形成第二孔的第6A工序(SA6)、在各发光单元形成通过第二孔与第二半导体层导通的第二电极的第7A工序(SA7)、除去第一半导体层而不到达槽部的第一绝缘层的第8A工序(SA8)、以及在槽部的位置使第一绝缘层从第一半导体层露出且使第一半导体层表面粗糙化的第9A工序(SA9)。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及发光装置以及发光装置的制造方法。
背景技术
以往，作为高发光效率的半导体发光装置，已知一种使多个发光单元在平面上配置为形成纵横格子状的阵列状的结构(参照专利文献1)。该半导体发光装置具有：至少一个第一电极，其将半导体结构层划分为多个发光段；至少一个光反射槽，其在多个发光段中相邻的发光段之间的第一半导体层的表面形成且在侧面形成有光反射膜。
另外，作为发光装置，已经公开了在与第一面相同的基板一侧具有第一电极的结构，该第一面形成有第二导电型氮化物半导体层的粗糙表面(参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：(日本)特开2015-156431号公报
专利文献2：(日本)特开2013-016875号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
但是，在现有的半导体发光装置中，第一电极即n侧电极与半导体结构层导通的配置结构处于多个发光单元之间。因此，在现有的半导体发光装置中，至少两个发光单元发光，难以单独进行发光。另外，在半导体发光装置中，因为半导体结构层部分在横向上连续、以及半导体结构层在划分发光段的光反射槽底面之上也存在，所以光向半导体结构层传播，成为分割性(見切り)不好的状态。
因此，本发明的实施方式的目的在于提供一种在使发光单元单独发光时分割性良好的发光装置及其制造方法。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的实施方式的发光装置的制造方法包括：第1A工序，其准备具有第一半导体层、以及在所述第一半导体层的上表面设置的第二半导体层的半导体层压体；第2A工序，其通过在所述半导体层压体形成从所述半导体层压体的上表面侧到达所述第一半导体层的多个槽部，而形成配置为行列状的多个发光单元；第3A工序，其在所述多个发光单元的每个单元中，将所述第二半导体层从所述第二半导体层的上表面侧部分地除去，由此使所述第一半导体层的一部分从所述第二半导体层露出；第4A工序，其在所述多个发光单元各自的从所述第二半导体层露出的所述第一半导体层的上方，在所述多个发光单元及所述多个槽部连续形成具有第一孔的第一绝缘层；第5A工序，其在除了所述第二半导体层的上表面的规定区域以外的区域的上方，覆盖所述第一绝缘层而形成布线电极，该布线电极通过所述第一孔与所述多个发光单元各自的所述第一半导体层导通；第6A工序，其在所述多个发光单元各自的所述第二半导体层的上表面的所述规定区域的上方，在所述第一绝缘层形成第二孔；第7A工序，其在所述多个发光单元的每个单元形成通过所述第二孔与所述第二半导体层导通的第二电极；第8A工序，其从所述第一半导体层的下表面侧通过干蚀刻或抛光除去所述第一半导体层，而不到达形成于所述槽部的所述第一绝缘层；第9A工序，其在所述第8A工序之后，通过湿蚀刻从所述第一半导体层的下表面侧除去所述第一半导体层的厚度方向的一部分，在所述槽部的位置使所述第一绝缘层从所述第一半导体层露出，并且对由所述第8A工序除去的第一半导体层的表面进行表面粗糙化加工。
另外，本发明的实施方式的发光装置的制造方法包括：第1B工序，其准备具有第一半导体层、以及在所述第一半导体层的上表面设置的第二半导体层的半导体层压体；第2B工序，其在所述半导体层压体形成从所述半导体层压体的上表面侧到达所述第一半导体层的多个槽部，由此形成配置为行列状的多个发光单元；第3B工序，在所述多个发光单元的每个单元，将所述第二半导体层从所述第二半导体层的上表面侧部分地除去，由此使所述第一半导体层的一部分从所述第二半导体层露出；第4B工序，其在所述多个发光单元各自的所述第二半导体层的上表面的规定区域的上方，在所述多个发光单元以及所述多个槽部连续形成具有第二孔的第一绝缘层；第5B工序，其在除了所述第二半导体层的上表面的所述规定区域以外的其它区域的上方，覆盖所述第一绝缘层而形成布线电极，该布线电极通过所述第二孔与所述发光单元各自的所述第二半导体层导通；第6B工序，其在所述多个发光单元各自的从所述第二半导体层露出的所述第一半导体层的上方，在所述第一绝缘层形成第一孔；第7B工序，其在所述多个发光单元的每个单元形成在所述第一孔中与所述第一半导体层导通的第一电极；第8B工序，其从所述第一半导体层的下表面侧通过干蚀刻或抛光除去所述第一半导体层，而不到达形成于所述槽部的所述第一绝缘层；第9B工序，其在进行所述干蚀刻的工序之后，通过湿蚀刻从所述第一半导体层的下表面侧除去所述第一半导体层的厚度方向的一部分，在所述槽部的位置使所述第一绝缘层从所述第一半导体层露出，并且对由所述第8B工序除去的第一半导体层的表面进行表面粗糙化加工。
此外，本发明的实施方式的发光装置具有：多个发光单元，其配置为行列状，分别具有半导体层压体，该半导体层压体具备第一半导体层、以及在所述第一半导体层的上表面使所述第一半导体层的上表面的一部分露出而设置的第二半导体层；第一绝缘层，其在所述多个发光单元连续设置，具有在所述多个发光单元各自的从所述第二半导体层露出的所述第一半导体层的上方设置的第一孔、以及在所述多个发光单元各自的所述第二半导体层的上方设置的第二孔；布线电极，其具有光反射性，覆盖所述第一绝缘层而设置，通过所述第一孔与所述多个发光单元各自的所述第一半导体层导通；第二电极，其设置于所述多个发光单元的每个单元，通过所述第二孔与所述第二半导体层导通；所述第一绝缘层在所述多个发光单元之间，从所述第一半导体层露出，所述第一半导体层的下表面具有凹凸形状。
另外，本发明的实施方式的发光装置也可以具有：多个发光单元，其配置为行列状，分别具有半导体层压体，该半导体层压体具备第一半导体层、以及在所述第一半导体层的上表面设置的第二半导体层；第一绝缘层，其在所述多个发光单元连续设置，具有在所述多个发光单元各自的从所述第二半导体层露出的所述第一半导体层的上方设置的第一孔、以及在所述多个发光单元各自的所述第二半导体层的上方设置的第二孔；第一电极，其设置于所述多个发光单元的每个单元，通过所述第一孔与所述第一半导体层导通；布线电极，其具有光反射性，覆盖所述第一绝缘层而设置，通过所述第二孔与所述多个发光单元各自的所述第二半导体层导通；所述第一绝缘层在所述多个发光单元之间，从所述第一半导体层露出，所述第一半导体层的下表面具有凹凸形状。
发明的效果
根据本发明的实施方式的发光装置，能够提高使多个发光单元单独发光时的分割性。另外，根据本发明的实施方式的发光装置的制造方法，能够制造出分割性良好的发光装置。
附图说明
图1是示意性地表示本实施方式的发光装置的一个例子的侧视图。
图2A是示意性地表示本实施方式的发光装置的发光单元的一部分的俯视图。
图2B是放大并示意性地表示图2A的一部分的部分放大图。
图3A是以剖面表示本实施方式的发光装置的制造方法的示意图，是表示将形成了凸部的发光单元群安装于形成了保护层的IC基板电极的状态的示意图。
图3B是表示本实施方式的发光装置的制造方法的示意图，是以剖面表示在安装后的发光单元群形成底膜的状态的示意图。
图3C是表示本实施方式的发光装置的制造方法的示意图，是以剖面表示除去设有发光单元群的基板的状态的示意图。
图3D是表示本实施方式的发光装置的制造方法的示意图，是以剖面表示对发光单元群的半导体层进行干蚀刻的状态的示意图。
图3E是以剖面表示本实施方式的发光装置的制造方法的示意图，是表示对半导体层压体进行湿蚀刻的状态的示意图。
图3F是以剖面表示本实施方式的发光装置的制造方法的示意图，是表示在发光单元群设置荧光体层后的状态的示意图。
图4是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的流程图。
图5A是放大并示意性地表示在第一实施方式的发光装置的制造方法中在半导体层压体上形成了整面电极层的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图5B是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图5A的VB-VB线的剖视图。
图5C是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图5A的VC-VC线的剖视图。
图6A是放大并示意性地表示在第一实施方式的发光装置的制造方法中对半导体层压体的一部分进行蚀刻而形成了槽部的状态的一部分的部分放大俯视图。
图6B是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图6A的VIB-VIB线的剖视图。
图6C是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图6A的VIC-VIC线的剖视图。
图7A是放大并示意性地表示在第一实施方式的发光装置的制造方法中除去整面电极及第一半导体层的一部分并形成第一半导体层从第二半导体层露出的开口的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图7B是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图7A的VIIB-VIIB线的剖视图。
图7C是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图7A的VIIC-VIIC线的剖视图。
图8A是放大并示意性地表示在第一实施方式的发光装置的制造方法中在发光单元群及槽部形成了连续的第一绝缘层的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图8B是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图8A的VIIIB-VIIIB线的剖视图。
图8C是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图8A的VIIIC-VIIIC线的剖视图。
图9A是放大并示意性地表示在第一实施方式的发光装置的制造方法中在第一半导体层形成了第一孔的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图9B是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图9A的IXB-IXB线的剖视图。
图9C是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图9A的IXC-IXC线的剖视图。
图10A是放大并示意性地表示在第一实施方式的发光装置的制造方法中在与第一半导体层导通的第一孔形成了连接电极的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图10B是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图10A的XB-XB线的剖视图。
图10C是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图10A的XC-XC线的剖视图。
图11A是放大并示意性地表示在第一实施方式的发光装置的制造方法中在第一绝缘层上形成了布线电极的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图11B是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图11A的XIB-XIB线的剖视图。
图11C是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图11A的XIC-XIC线的剖视图。
图12A是放大并示意性地表示在第一实施方式的发光装置的制造方法中在布线电极上形成了第二绝缘层的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图12B是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图12A的XIIB-XIIB线的剖视图。
图12C是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图12A的XIIC-XIIC线的剖视图。
图13A是放大并示意性地表示在第一实施方式的发光装置的制造方法中形成了第二绝缘层的第三孔与第一绝缘层的第二孔的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图13B是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图13A的XIIIB-XIIIB线的剖视图。
图13C是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图13A的XIIIC-XIIIC线的剖视图。
图13D是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图13A的XIIID-XIIID线的剖视图。
图14A是放大并示意性地表示在第一实施方式的发光装置的制造方法中在第二绝缘层上形成了第二电极的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图14B是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图14A的XIVB-XIVB线的剖视图。
图14C是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图14A的XIVC-XIVC线的剖视图。
图14D是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图14A的XIVD-XIVD线的剖视图。
图15A是放大并示意性地表示在第一实施方式的发光装置的制造方法中在第一电极上及第二电极上形成了凸部的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图15B是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图15A的XVB-XVB线的剖视图。
图15C是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图15A的XVC-XVC线的剖视图。
图15D是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的图15A的XVD-XVD线的剖视图。
图16是示意性地部分放大并示意性地表示在第一实施方式的发光装置的制造方法中进行干蚀刻并减薄半导体层后的发光单元的状态的剖视图。
图17是示意性地部分放大并示意性地表示在本实施方式的发光装置的制造方法中进行湿蚀刻并对半导体层的表面进行了表面粗糙化加工的发光单元的状态的剖视图。
图18是表示第二实施方式的发光装置的制造方法的流程图。
图19A是放大并示意性地表示在第二实施方式的发光装置的制造方法中在半导体层压体上形成了整面电极层的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图19B是第二实施方式的发光装置的制造方法的图19A的XIXB-XIXB线的剖视图。
图19C是第二实施方式的发光装置的制造方法的图19A的XIXC-XIXC线的剖视图。
图20A是放大并示意性地表示在第二实施方式的发光装置的制造方法中对半导体层压体的一部分进行蚀刻并形成了槽部的状态的一部分的部分放大俯视图。
图20B是第二实施方式的发光装置的制造方法的图20A的XXB-XXB线的剖视图。
图20C是第二实施方式的发光装置的制造方法的图20A的XXC-XXC线的剖视图。
图21A是放大并示意性地表示在第二实施方式的发光装置的制造方法中除去整面电极及第一半导体层的一部分并形成了第一半导体层从第二半导体层露出的开口的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图21B是第二实施方式的发光装置的制造方法的图21A的XXIB-XXIB线的剖视图。
图21C是第二实施方式的发光装置的制造方法的图21A的XXIC-XXIC线的剖视图。
图22A是放大并示意性地表示在第二实施方式的发光装置的制造方法中在发光单元群及槽部形成了连续的第一绝缘层的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图22B是第二实施方式的发光装置的制造方法的图22A的XXIIB-XXIIB线的剖视图。
图22C是第二实施方式的发光装置的制造方法的图22A的XXIIC-XXIIC线的剖视图。
图23A是放大表示在第二实施方式的发光装置的制造方法中在第一绝缘层形成了第二孔的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图23B是第二实施方式的发光装置的制造方法的图23A的XXIIIB-XXIIIB线的剖视图。
图23C是第二实施方式的发光装置的制造方法的图23A的XXIIIC-XXIIIC线的剖视图。
图24A是放大并示意性地表示在第二实施方式的发光装置的制造方法中在第一绝缘层上形成了布线电极的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图24B是第二实施方式的发光装置的制造方法的图24A的XXIVB-XXIVB线的剖视图。
图24C是第二实施方式的发光装置的制造方法的图24A的XXIVC-XXIVC线的剖视图。
图25A是放大并示意性地表示在第二实施方式的发光装置的制造方法中在布线电极上形成了第二绝缘层的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图25B是第二实施方式的发光装置的制造方法的图25A的XXVB-XXVB线的剖视图。
图25C是第二实施方式的发光装置的制造方法的图25A的XXVC-XXVC线的剖视图。
图26A是放大并示意性地表示在第二实施方式的发光装置的制造方法中在第二绝缘层形成了第三孔并在第一绝缘层形成了第一孔的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图26B是第二实施方式的发光装置的制造方法的图26A的XXVIB-XXVIB线的剖视图。
图26C是第二实施方式的发光装置的制造方法的图26A的XXVIC-XXVIC线的剖视图。
图26D是第二实施方式的发光装置的制造方法的图26A的XXVID-XXVID线的剖视图。
图27A是放大并示意性地表示在第二实施方式的发光装置的制造方法中形成了第一电极及第二电极的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图27B是第二实施方式的发光装置的制造方法的图27A的XXVIIB-XXVIIB线的剖视图。
图27C是第二实施方式的发光装置的制造方法的图27A的XXVIIC-XXVIIC线的剖视图。
图27D是第二实施方式的发光装置的制造方法的图27A的XXVIID-XXVIID线的剖视图。
图28A是放大并示意性地表示在第二实施方式的发光装置的制造方法中在第一电极上及第二电极上形成了凸部的发光单元的一部分的部分放大俯视图。
图28B是第二实施方式的发光装置的制造方法的图28A的XXVIIIB-XXVIIIB线的剖视图。
图28C是第二实施方式的发光装置的制造方法的图28A的XXVIIIC-XXVIIIC线的剖视图。
图28D是第二实施方式的发光装置的制造方法的图28A的XXVIIID-XXVIIID线的剖视图。
图29是示意性地部分放大并示意性地表示在第二实施方式的发光装置的制造方法中进行干蚀刻并减薄半导体层压体后的状态的剖视图。
图30是示意性地部分放大并示意性地表示在第二实施方式的发光装置的制造方法中进行湿蚀刻并对半导体层压体的表面进行表面粗糙化加工后的发光单元的状态的剖视图。
图31是放大并以剖面示意性地表示第二实施方式的发光装置的一部分的一部分放大俯视图。
图32A是放大并示意性地表示在各实施方式的发光装置的制造方法中对表示变形例的半导体层压体的一部分进行蚀刻并由槽部划分一个发光单元而形成的状态的一部分的部分放大俯视图。
图32B是放大并示意性地表示在各实施方式的发光装置的制造方法中对表示变形例的半导体层压体的一部分进行蚀刻并在一个发光单元的区域内形成了槽部的状态的一部分的部分放大俯视图。
图32C是各实施方式的发光装置的制造方法的变形例的图32B的XXXIIC-XXXIIC线的剖视图。
具体实施方式
下面，参照附图，针对实施方式的发光装置的制造方法以及发光装置进行说明。需要说明的是，在以下的说明中所参照的附图为了概要性地表示本实施方式，而有时夸张了各部件的刻度及间隔、以及位置关系等，或者省略了部件的一部分的图示。另外，在以下的说明中，作为原则，针对相同的名称及标记，表示相同或同性质的部件，适当省略详细的说明。
《发光装置100》
首先，参照图1至图3F，针对本实施方式的发光装置100的概要进行说明。
发光装置100具有：多个发光单元的集合体即发光单元群10、以及设有发光单元群10的IC基板20。另外，发光装置系统100S具有：具有发光单元群10及IC基板20的发光装置100、安装发光装置100的IC基板20的二次安装基板30、与二次安装基板30连接的控制器50、以及设置于二次安装基板的散热器60。
(第一实施方式)
＜发光装置100的制造方法＞
参照图3A～图17，说明第一实施方式的发光装置100的制造方法。
发光装置100的制造方法包括：准备半导体层压体的第1A工序SA1、形成由多个发光单元构成的发光单元群的第2A工序SA2、使第一半导体层从第二半导体层露出的第3A工序SA3、形成第一绝缘层的第4A工序SA4、形成布线电极的第5A工序SA5、形成第二孔的第6A工序SA6、形成第二电极的第7A工序SA7、使半导体层薄化的第8A工序SA8、以及使半导体层表面粗糙化的第9A工序SA9。需要说明的是，第一半导体层12n、第二半导体层12p、发光层12a在附图中的表示只存在于图5B及图5C中，在图6A～图17的其他附图中进行了省略，为半导体层压体12。
如图5A～图5C所示，第1A工序SA1即准备半导体层压体的半导体层压体准备工序是准备在基板11上形成的半导体层压体12的工序。该工序准备的半导体层压体12从基板11侧依次具有在基板11上形成的第一半导体层12n即n型半导体层、发光层12a、以及第二半导体层12p即p型半导体层。需要说明的是，半导体层压体12的大小设定为能够与形成有发光单元1的区域10Ea相邻并形成外部区域10Eb。
然后，进行在半导体层压体12上形成p侧整面电极即整面电极层13的整面电极形成工序。在整面电极形成工序中，整面电极层13例如可以通过溅射法等形成。
接着，进行第2A工序SA2即形成发光单元1的发光单元形成工序。如图6A～图6C所示，该发光单元形成工序是通过在半导体层压体12形成多个槽部14a、将半导体层压体12划分为构成多个发光单元的区域来形成发光单元群10的工序。发光单元形成工序通过将多个槽部14a形成为格子状，而形成配置为行列状的多个发光单元1，槽部14a构成为从在半导体层压体12上表面形成的整面电极层13侧到达第一半导体层12n。槽部14a通过部分地除去半导体层压体12的蚀刻等方法来形成。在此，经由掩模，向下挖掘至第一半导体层12n，格子状地形成槽部14a，使之俯视成为长方形的发光单元1。由槽部14a划分而形成的发光单元1的数量例如为纵15～40列×横15～40行。另外，槽部14a的深度例如可以为2.0～5.0μm的范围。
另外，在发光单元形成工序中，可以形成槽部14a，使之与配置为行列状的多个发光单元1相邻，并且配置有在多个发光单元的行方向及列方向的至少一个方向延伸的外部区域10Eb。在此，位于列方向一端的槽部14a对与形成发光单元群10的半导体层压体12的区域10Ea相邻的外部区域10Eb进行划分。而且，外部区域10Eb以规定的宽度连续形成，并形成为在形成用来与外部电极连接的第一电极2时所需要的大小。
在此，虽然形成了在发光单元群10的列方向上延伸的一个外部区域10Eb，但也可以在列方向上形成两个外部区域10Eb，另外，也可以不但在列方向上而在行方向上也可以形成外部区域10Eb，以包围发光单元群10。此外，也可以包围发光单元群10而形成环状的外部区域10Eb。通过形成多个外部区域10Eb，并在每个外部区域10Eb连接外部电源，能够降低对于多个发光单元1供给的电流差异。由此，能够降低发光单元群10整体的电流密度分布的差异，并能够减少发光不均匀。在外部区域10Eb的部分上，延伸形成布线电极17，并形成与该布线电极17导通的第一电极2。
如图7A～图7C所示，第3A工序SA3即露出第一半导体层12n的第一半导体层露出工序是除去第二半导体层12p及整面电极层13而使第一半导体层12n的一部分从第二半导体层12p露出的工序。该露出工序在除了使之露出的部分以外的其它位置上设置掩模，进行蚀刻等，使第一半导体层12n的一部分从整面电极层13及第二半导体层12p露出，形成俯视观察为大致圆形状的露出区域14b。
如图9A～图9C所示，第4A工序SA4是形成第一绝缘层15的第一绝缘层形成工序，该第一绝缘层15形成有第一孔15a。在该第一绝缘层形成工序中，在整面电极层13上、槽部14a上、以及露出区域14b上进行覆盖，而形成第一绝缘层15。第一绝缘层15例如是由二氧化硅形成的层与氧化铌形成的层交替地多层层压的电介质多层膜，具有反射来自半导体层压体12的光的反射层的作用。作为一个例子，第一绝缘层15通过溅射法，以600nm～1.5μm范围的厚度形成。
另外，在形成了第一绝缘层15后，进行形成第一孔15a的第一孔形成工序。在该第一孔形成工序中，在第一绝缘层15之中覆盖露出区域14b的区域形成第一孔15a。第一孔15a为了在第一半导体层12n电连接后面叙述的布线电极17而形成。通过蚀刻等除去相当于露出区域14b全部的区域或相当于露出区域14b的一部分的区域的第一绝缘层15，由此而形成第一孔15a。并且，在设有第一孔15a的区域，第一半导体层12n从第一绝缘层15露出。
接着，如图10A～图10C所示，在进行下一道工序之前，进行在第一孔15a内设置与第一半导体层12n连接、与第一半导体层12n导通的连接电极16的连接电极形成工序。连接电极形成工序是通过由掩模覆盖第一孔15a的周围而进行溅射法等，在第一孔15a及其周围的第一绝缘层15的上表面形成连接电极16的工序。连接电极16例如可以使用钛、铝或以上述金属为主成分的合金。需要说明的是，连接电极16也可以是将所述的金属单体层与金属合金层进行层压的层压体。通过形成连接电极16，能够降低连接电极16与第一半导体层12n的电阻，与直接连接第一半导体层12n与布线电极17的情况相比，能够减少发光单元1的正向电压Vf的升高。
如图11A～图11C所示，第5A工序SA5是形成经由第一孔15a而与第一半导体层12n导通的布线电极17的布线电极形成工序。在该布线电极形成工序中，形成布线电极17，以覆盖在第一孔15a中与第一半导体层12n导通的连接电极16上、以及第一绝缘层15上规定的区域。布线电极17在预定形成与第二电极19导通的第二孔15b(及第三孔18a)的预定区域17e以外的区域形成。也就是说，通过形成覆盖预定区域17e的掩模，并执行溅射法等，形成布线电极17。如图11A所示，预定区域17e通过掩模形成为大致圆形状的孔部。布线电极17例如由以铝为主成分的合金形成。需要说明的是，布线电极17可以是铝合金层与其它金属层的层压体，另外，也可以通过将钛等金属单体层与金属合金层进行层压而形成。此外，虽然对一个发光单元1设两个预定区域17e，但可以不限定其数量。
然后，进行形成第二绝缘层18的第二绝缘层形成工序SA5a，该第二绝缘层18形成有第三孔18a。
如图12A～图12C所示，第二绝缘层形成工序是在布线电极17上、以及在预定区域17e中在从布线电极17露出的第一绝缘层15上形成第二绝缘层18的工序。第二绝缘层18例如通过溅射法等形成。另外，第二绝缘层18例如可以设有由SiO2形成的绝缘层，使其膜厚为300nm～700nm的范围。
接着，进行在第二绝缘层18形成第三孔18a、并且在第一绝缘层15形成第二孔15b的孔形成工序SA6。如图13A～图13C所示，孔形成工序SA6是在第二绝缘层18中预定区域17e的位置上设置的第二绝缘层18形成第二孔15b及第三孔18a的工序。该孔形成工序SA6包括作为第6A工序的工序。也就是说，在孔形成工序SA6中，在多个发光单元1各自的第二半导体层12p上表面的规定区域上方(预定区域17e)，进行在第一绝缘层15形成第二孔的第二孔形成工序。
如图13A及图13B所示，孔形成工序SA6是在俯视观察与预定区域17e重合的区域18e内，在第一绝缘层15及第二绝缘层18形成用来将布线电极17与整面电极层13连接并与第二半导体层12p导通的第二孔15b及第三孔18a的工序。通过在第二绝缘层18上形成在区域18e的一部分具有开口的掩模，并经由该掩模对第一绝缘层15及第二绝缘层18进行蚀刻，形成第二孔15b及第三孔18a。需要说明的是，形成于第一绝缘层15的第二孔15b与形成于第二绝缘层18的第三孔18a只要在第二绝缘层18的区域18e内即可，不限定其大小形状。第二孔15b与第三孔18a以连通的方式形成，使整面电极层13的一部分从第二绝缘层18及第一绝缘层15露出。
如图14A～图14C所示，第7A工序SA7是在设有第二孔15b及第三孔18a的区域中、形成经由整面电极层13而与第二半导体层12p导通的第二电极19的第二电极形成工序。该第二电极形成工序包括形成第二电极19并且形成凸部3的凸部形成工序。在第二电极形成工序中，在设有第二孔15b以及与第二孔15b连通的第三孔18a的区域形成第二电极19，经由整面电极层13使第二半导体层12p与第二电极19导通。第二电极19是金属或合金的单体或者层压体，利用掩模，通过溅射法等形成。第二电极19在剖视观察下，设有连接电极16的区域即中央部19c形成为凹状，与整面电极层13连接的连接部19g的部分形成为凹状。第二电极19在一个发光单元1中，在由槽部14a包围的区域中从槽部14a分离形成为长方形。而且，第二电极19在俯视观察下，相对于由槽部14a包围的区域，作为一个例子，可以形成在面积率为50～95％的范围内。第二电极19的厚度优选在300nm～700nm的范围内形成。需要说明的是，如图14D所示，在形成第二电极19时，可以在外部区域10Eb形成从第二电极19分离、与布线电极17导通的第一电极2。
形成第二电极19及第一电极2后，进行在第二电极19及第一电极2的规定位置形成用来与后面叙述的IC基板20连接的凸部3的凸部形成工序。如图15A～图15D所示，在凸部形成工序中，在由发光单元1的槽部14a划分的一个区域形成四个凸部3。另外，在形成第一电极2的位置上，在中央部2c的周围形成四个凸部3。需要说明的是，凸部3的个数、直径、以及高度未特别限定。凸部的直径例如可以为3.0μm～10μm左右。
如图3A所示，在凸部形成工序之后，进行将设有发光单元群10的基板11经由凸部3，在IC基板20的IC基板电极22实施倒装片安装的发光单元群安装工序SA7a。然后，如图3B所示，在将发光单元群10利用凸部3安装后，在IC基板20的上表面与发光单元群10的下表面或侧面之间设有底膜4。接着，如图3C所示，利用激光剥离技术等剥离方法，将基板11从安装于IC基板20的发光单元群10进行剥离(基板剥离工序SA8)。需要说明的是，安装于IC基板20的发光单元群10的各发光单元1的第二电极19处于与在IC基板20上对应每个发光单元1而形成的IC基板电极22分别连接的状态。由此，发光单元群10的各发光单元1例如通过利用控制器50进行控制，成为能够单独控制发光的状态。
如图3D及图16所示，第8A工序SA8是使剥离了基板11之后的半导体层压体12的第一半导体层12n薄化的半导体层薄化工序。该半导体层薄化工序通过干蚀刻或者抛光，从剥离第一半导体层12n的基板11的一侧除去第一半导体层12n，而不到达形成于槽部14a的第一绝缘层15。在半导体层薄化工序中，作为干蚀刻，例如可以利用使用了氯素气体的活性粒子蚀刻，作为抛光，例如可以利用使用研磨液等来进行机械式抛光的CMP(化学性的机械式抛光)。
如图3E及图17所示，第9A工序SA9是对第一半导体层12n薄膜化后的一侧表面进行表面粗糙化的半导体层表面粗糙化工序。该半导体层表面粗糙化工序通过湿蚀刻除去第一半导体层12n的厚度方向的一部分，在槽部14a的位置使第一绝缘层15从第一半导体层12n露出，并且对由第8A工序SA除去的第一半导体层12n的表面进行表面粗糙化加工。在此，在槽部14a的位置使第一绝缘层15从第一半导体层12n露出的情况下，也可以在一个工序中进行，而不像本实施方式所述，分为第8A工序SA8及第9A工序SA9两个工序。例如，通过从剥离了第一半导体层12n的基板11一侧的表面侧进行干蚀刻等，能够使第一绝缘层15从第一半导体层12n露出。
然而，在该情况下，设置于槽部14a的布线电极17、第一绝缘层15、以及第二绝缘层18等由于干蚀刻可能发生变质或者劣化。其结果是，由于在槽部14a的位置布线电极17发生断线等而引起发光单元1的发光出现问题。因此，在本实施方式中，在半导体层薄化工序中，在通过干蚀刻或者抛光除去第一半导体层12n，而不到达第一绝缘层15后，在半导体层表面粗糙化工序中，通过湿蚀刻除去位于第一绝缘层15下方的第一半导体层12n。由此，与只通过干蚀刻使第一绝缘层15露出的情况相比，能够减少布线电极17、第一绝缘层15、以及第二绝缘层18的变质或者劣化。此外，因为同时进行使第一绝缘层15露出的工序与第一半导体层12n的表面粗糙化工序，所以不会增加工序。
作为在半导体层表面粗糙化工序中进行的湿蚀刻，例如可以使用含有TMAH的水溶液来进行。在上述的湿蚀刻中，由SiO2等构成的第一绝缘层15难以被蚀刻，半导体层压体12被选择性地蚀刻。第一半导体层12n被表面粗糙化的表面的粗糙度例如使凹部的深度为2.5μm左右地进行加工。通过使第一半导体层12n表面粗糙化，能够在第一半导体层12n的表面形成凹凸形状，提高来自发光层12a的发光效率。
在半导体层表面粗糙化工序中，优选进行湿蚀刻，以使第一半导体层12n的下表面比设置于槽部14a的布线电极17更位于第二半导体层12p侧。由此，来自发光单元1的光难以向相邻的发光单元1传播，另外，来自发光单元1的光由于设置于槽部14a的布线电极17而容易被反射。因此，能够提高发光装置100的分割性。
图3D与图16的关系是以不同的角度表示相同的工序，图3D为了理解装置整体的状态而以剖面示意性地表示整体，图16放大并示意性地表示发光单元的一个状态。此外，图3E与图17的关系也是以不同的角度表示相同的工序，图3E为了理解装置整体的状态而以剖面示意性地表示整体，图17放大并示意性地表示发光单元的一个状态。
在半导体层表面粗糙化工序之后，进行为了覆盖被表面粗糙化的第一半导体层12n而在作为母材的树脂上形成波长转换部件即含有荧光体的荧光体层5的荧光体层形成工序。在荧光体层形成工序中，作为一个例子，利用灌封等滴灌方法或喷涂及涂布方法，设置荧光体层5。
如图1所示，由上述的工序制造的发光装置100还在二次安装基板30上进行安装，在该二次安装基板30连接控制机构即控制器50，并且设置用来冷却二次安装基板30的散热器60，由此而形成发光装置系统100S。作为二次安装基板30，例如可以使用氮化铝等陶瓷材料、玻璃环氧树脂。作为散热器60，例如可以使用铝或铝合金等金属。
接着，适当参照附图，针对发光装置100的结构进行说明。
发光装置100具有：具有多个发光单元1的发光单元群10、连接有发光单元群10的IC基板20、以及覆盖发光单元群10的表面的荧光体层5。另外，在发光装置100的发光单元群10与IC基板20之间设有在作为母材的树脂中含有光扩散材料的底膜4。底膜4的母材优选是较少地吸收来自发光单元1的光的材料，例如可以使用环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂等。作为在底膜4中含有的光扩散材料，可以使用氧化钛或氧化铝等。通过设置底膜4，来自发光单元群10的光容易被与配置有IC基板20的一侧相反一侧的光输出面侧反射，能够实现光的输出效率的提高。
发光装置100具有：第一绝缘层15，其在发光单元1的每个单元具有第一孔15a及第二孔15b；布线电极17，其覆盖第一绝缘层15而设置且通过第一孔15a与发光单元1各自的第一半导体层12n导通；第二电极19，其设置于发光单元1的每个单元且通过第二孔15b与第二半导体层12p导通；第二绝缘层18，其具有设置于布线电极17与第二电极19之间的第三孔18a。此外，发光装置100在多个发光单元1之间，第一绝缘层15从第一半导体层12n露出，作为第一半导体层12n的下表面的光输出面具有凹凸形状。需要说明的是，发光装置100也可以具有在第一孔内与第一半导体层12n相接而设置的连接电极16，经由该连接电极16，使布线电极17与第一半导体层12n导通。
下面，针对发光装置100的各结构进行说明。
发光单元群10具有多个发光单元1，该多个发光单元1分别具有半导体层压体12，该半导体层压体12具备第一半导体层12n、以及在第一半导体层12n的上表面以第一半导体层12n的上表面的一部分露出的方式而设置的第二半导体层12p。如图2A所示，多个发光单元1设置为在区域10Ea于行方向及列方向上排列形成。另外，设有与区域10Ea相邻并沿着行方向或者列方向的外部区域10Eb，在该外部区域10Eb形成第一电极2。区域10Ea及外部区域10Eb都由半导体层压体12形成。
作为发光单元1，优选使用发光二极管(LED)。发光二极管可以选择任意的波长。例如，作为蓝色、绿色的发光二极管，可以使用ZnSe或氮化物类半导体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaP。
IC基板20具有：IC支承基板21、以及形成于该IC支承基板21的多个IC基板电极22。
IC支承基板21例如可以使用硅基板、SiC基板、以及GaN基板等。俯视观察下的形状例如可以形成为长方形。IC支承基板21在基板表面或基板内等形成布线且形成为能够与外部电极连接。
IC基板电极22是用来电连接发光单元群10的发光单元1及第一电极2的电极，通过由控制器50进行控制，能够控制使多个发光单元1单独发光。IC基板电极22对应于每个凸部3而形成，以使形成于发光单元1的上表面的凸部3及形成于第一电极2的上表面的凸部3能够各自连接。
发光单元1的、形成有第一半导体层12n的凹凸形状的一侧为光输出面。而且，发光单元1在IC支承基板21侧的半导体层压体12具有电极结构，通过将该电极结构与IC基板电极22导通，能够单独发光。作为发光单元1的电极结构，具有使第一半导体层12n与第一电极2电连接的布线电极17、以及与第二半导体层12p电连接的第二电极19。发光单元1在此具有与布线电极17进行电连接的连接电极16，经由该连接电极16，第一半导体层12n与布线电极17连接。另外，发光单元1中，在半导体层压体12的第二半导体层12p上，在除去露出区域14b以外的其它位置形成整面电极层13。并且，发光单元1中，在整面电极层13与布线电极17之间形成第一绝缘层15，在布线电极17与第二电极19之间形成第二绝缘层18。发光单元1的第一电极2与第二电极19配置在发光单元1的同一面侧。
第一电极2是用来对第一半导体层12n供给电流的电极。第一电极2在外部区域10Eb覆盖第二绝缘层18而形成，并经由第二绝缘层18的第四孔18d，与布线电极17连接。而且，第一电极2经由布线电极17及连接电极16，与第一半导体层12n导通。俯视观察，第一电极2在外部区域10Eb形成为长方形。作为第一电极2，例如优选利用从Ti、Al、Al合金、Ag、Ag合金中选择的至少一种来形成。
第二电极19是用来对第二半导体层12p供给电流的电极。第二电极19起到在第二半导体层12p使电流均匀扩散的电极的作用，并且也起到对来自发光单元1的光进行反射的反射膜的作用。俯视观察，第二电极19在发光单元1的上表面形成为长方形。第二电极19经由第二绝缘层18的第三孔18a及第一绝缘层15的第二孔15b，与整面电极层13连接，经由整面电极层13，与第二半导体层12p导通。第二电极19例如可以由含有从Ti、Al、Al合金、Ag、Ag合金中选择的至少一种的金属膜形成。需要说明的是，第一电极2及第二电极19在此由相同的金属，通过溅射等成膜方法，在相同时刻形成。
剖视观察发光单元1，作为发光单元1的半导体层压体12的光输出面的下表面优选比布线电极17更位于半导体层压体12的上表面侧，该比布线电极17位于设有从半导体层压体12露出的第一绝缘层15的区域。由此，因为从发光单元1向横向传播的光能够由布线电极17进行反射，所以能够提高使相邻的发光单元1发光时的分割性。具体而言，发光单元1的半导体层压体12的厚度例如为1～10μm，发光单元1之间的间隔为3～25μm。
整面电极层13例如由ITO膜形成，与第二半导体层12p连接并与第二电极19导通。该整面电极层13在除了槽部14a的位置与露出区域14b以外的第二半导体层12p之上形成。该整面电极层13是用来使电流在第二半导体层12p的整个面扩散的层。整面电极层13也在外部区域10Eb的第二半导体层12p上形成。
第一绝缘层15形成于整面电极层13与布线电极17之间，用来将整面电极层13与布线电极17电绝缘。在一个发光单元1的区域内，第一绝缘层15具有形成于第一半导体层12n上的第一孔15a、以及形成于第二半导体层12p的第二孔15b，并覆盖整面电极层13而形成。另外，在多个发光单元1之间，第一绝缘层15从第一半导体层12n露出。该第一绝缘层15也起到半导体层压体12的保护以及防止带电的作用。第一绝缘层15例如由单层或进行层压而形成，可以由SiO2、Nb2O5、ZrO2、SiN、SiON、SiC、AlN等构成。第一绝缘层15可以是层压了多个电介质层的电介质多层膜，例如可以是设计成将由SiO2形成的层与由Nb2O5形成的层交替层压并对来自发光单元1的光进行反射的电介质多层膜。由此，能够将从发光单元1向横向传播的光进行反射，提高使多个发光单元1发光时的分割性。
连接电极16为了容易使布线电极17与第一半导体层12n连接而形成。该连接电极16优选由层压了AlCu、Ti、Ru等金属的层压结构体形成。连接电极16在包括至第一绝缘层15的第一孔15a的周缘的圆形区域的区域中形成。
布线电极17具有光反射性，以覆盖第一绝缘层15的方式设置。布线电极17形成为与发光单元1各自的第一半导体层12n导通。布线电极17在此经由连接电极16与第一半导体层12n导通而进行连接。另外，布线电极17形成为用于将第二电极19与整面电极层13导通的预定区域17e在连接电极16的两侧开口。布线电极17在此作为层压体而形成，例如，通过将AlCu、Ti、SiO2等以各自的厚度进行层压而形成。俯视观察，在第一绝缘层15从半导体层压体12露出的区域形成有布线电极17，由此而能够成为不受来自相邻的发光单元1的光的影响的发光单元1。另外，设置于相邻的发光单元之间的布线电极17的一部分优选设置为向比第一半导体层12n的下表面更靠下表面侧突出。由此，因为从发光单元1向横向传播的光能够由布线电极17进行反射，所以能够抑制光无意识地向相邻的发光单元1传播，提高发光单元群10的分割性。
第二绝缘层18形成于布线电极17与第二电极19之间，用来使布线电极17与第二电极19电绝缘。在一个发光单元1的区域内，第二绝缘层18形成于布线电极17上，具有形成于预定区域17e内的第三孔18a。需要说明的是，第二绝缘层18利用布线电极17的预定区域17e，形成布线电极17的厚度程度凹陷的区域18e。另外，第二绝缘层18的第三孔18a与第一绝缘层15的第二孔15b连通。需要说明的是，第二绝缘层18在发光单元群10连续形成，并且也形成在外部区域10Eb侧的布线电极17上。
半导体层压体12形成于发光单元群10的每个单元，在多个发光单元1之间露出第一绝缘层15，由此而划分为各发光单元1。另外，第一半导体层12n的下表面具有凹凸形状，容易输出来自半导体层压体12的光。
荧光体层5覆盖发光单元群10而形成，各发光单元1的下表面由荧光体层5覆盖。荧光体层5例如可以使用在作为母材的透光性树脂中含有波长转换材料即荧光体粒子的材料。
透光性树脂优选对于从发光元件射出的光具有透光性，例如可以使用硅树脂、环氧树脂、酚醛树脂，聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或上述树脂的改性树脂。
作为荧光体，可以适当选择在该领域中使用的荧光体，关于荧光体的种类、以及浓度等未特别限定。
荧光体层5的层厚例如优选为50μm以下。通过使荧光体层5的层厚为50μm以下，对于面内方向，路径在物理上变窄，所以光难以传播。由此，在使发光单元1单独发光时，能够抑制光从发光的发光单元1向相邻的发光单元1传播。
如上所述构成的发光装置100与二次安装基板30接合，在二次安装基板30设置有作为控制部的控制器50。
(第二实施方式)
＜发光装置100B的制造方法＞
接着，参照图18～图31，针对第二实施方式的发光装置的制造方法进行说明。需要说明的是，第二实施方式的发光装置的制造方法相对于在第一实施方式的发光装置的制造方法中各发光单元1的凸部3所连接的电极为p侧电极(第二电极19)，不同之处在于形成于各发光单元1的上表面并且凸部3所连接的电极为n侧电极(第一电极2)。因此，即使是相同的名称、相同的标记，也存在说明所形成的位置及时刻不同的情况。
发光装置100B的制造方法包括：准备半导体层压体12的第1B工序SB1、形成由多个发光单元构成的发光单元群的第2B工序SB2、使第一半导体层12n从第二半导体层12p露出的第3B工序SB3、形成第一绝缘层15的第4B工序SB4、形成布线电极17的第5B工序SB5、在第一绝缘层15形成第一孔15a的第6B工序SB6、形成第一电极2的第7B工序SB7、使半导体层压体12薄化的第8B工序SB8、以及使半导体层压体12表面粗糙化的第9B工序SB9。需要说明的是，第一半导体层12n、第二半导体层12p、发光层12a在附图中的表示只存在于图19B及图19C中，在图19A～图31的其它附图中进行了省略而为半导体层压体12。另外，针对已经说明的各部件的材质及配置等，使用相同的标记，在此有时适当省略说明。
第1B工序SB1即半导体层压体的准备工序是准备形成于基板11的半导体层压体12的工序。该准备工序准备半导体层压体12，该半导体层压体12从基板11侧依次具有形成于基板11上的第一半导体层12n即n型半导体层、发光层12a、以及第二半导体层12p即p型半导体层。需要说明的是，半导体层压体12的大小设定为能够与形成有发光单元1的区域10Ea相邻并形成外部区域10Eb。
然后，进行在半导体层压体12上形成p侧整面电极即整面电极层13的整面电极形成工序。在整面电极形成工序中，整面电极层13例如可以通过溅射法等形成。
接着，进行第2B工序SB2即形成发光单元1的发光单元形成工序。如图20A～图20C所示，该发光单元形成工序是通过在半导体层压体12形成多个槽部14a，将半导体层压体12划分为构成多个发光单元1的区域来形成发光单元群10的工序。发光单元形成工序通过蚀刻等将多个槽部14a形成为格子状而划分形成配置为行列状的多个发光单元1，槽部14a构成为从在半导体层压体12上表面形成的整面电极层13侧到达第一半导体层12n。
另外，在发光单元形成工序中，能够形成槽部14a，使之与配置为行列状的多个发光单元1相邻，并配置有在多个发光单元的行方向及列方向的至少一个方向延伸的外部区域10Eb。在外部区域10Eb的一部分上延伸形成有布线电极17，并形成有与该布线电极17导通的第二电极19。在此，虽然形成了在发光单元群10的列方向延伸的一个外部区域10Eb，但与所述第一实施方式相同，能够改变外部区域10Eb的配置。
如图21A～图21C所示，第3B工序SB3即露出第一半导体层12n的第一半导体层露出工序是除去一部分第二半导体层12p及整面电极层13，使第一半导体层12n的一部分经由掩模通过蚀刻等从第二半导体层12p露出的工序。该露出工序使第一半导体层12n从整面电极层13及第二半导体层12p露出，俯视观察，形成为大致圆形状的露出区域14b。
如图22A～图22C所示，第4B工序SB4是形成第一绝缘层15的第一绝缘层形成工序，该第一绝缘层15形成有第一孔15a及第二孔15b。在该第一绝缘层形成工序中，在整面电极层13上、槽部14a上、以及露出区域14b上进行覆盖而形成第一绝缘层15。第一绝缘层15可以使用与所述第一实施方式相同的材料。
另外，在形成第一绝缘层15后，进行形成第二孔15b的第二孔形成工序。第二孔15b与由第一绝缘层15覆盖的露出区域14b的两侧分离而在两个位置形成。在该第二孔形成工序中，形成第二孔15b，以使布线电极17经由整面电极层13而与第二半导体层12p导通。第二孔15b虽然在此形成为圆形，但不限定所形成的数量、形状以及大小。另外，第一绝缘层15中，在覆盖露出区域14b的区域形成有凹部15c。第一绝缘层15也设置于槽部14a内。
如图24A～图24C所示，第5B工序SB5是形成经由第二孔15b与第二半导体层12p导通的布线电极17的布线电极形成工序。在该布线电极形成工序中，在因第二孔15b而露出的整面电极层13的一部分之上、以及除了凹部15c以外的其它第一绝缘层15上进行覆盖而形成布线电极17。布线电极17由于该布线电极17的开口17a而形成在除了形成与第一电极2导通的第一孔15a的预定的凹部15c区域以外的第一绝缘层15上。也就是说，通过形成覆盖凹部15c位置的掩模，进行溅射法等来形成布线电极17。布线电极17形成在第一绝缘层15上，使之经由第二孔15b，通过连接部17g与整面电极层13连接。需要说明的是，布线电极17的与整面电极层13连接的连接部17g处于根据第二孔15b以膜厚程度凹陷的状态。另外，布线电极17也形成在槽部14a内的第一绝缘层15上。
接着，进行形成第二绝缘层18的第二绝缘层形成工序SB5a，该第二绝缘层18形成有第三孔18a。
如图25A～图25C所示，第二绝缘层形成工序SB5a是在布线电极17上、以及因布线电极17的开口17a而露出的第一绝缘层15的凹部15c上形成第二绝缘层18的工序。第二绝缘层18例如可以通过溅射法等形成。另外，第二绝缘层18随着第一绝缘层15的凹部15c的凹陷，形成第二绝缘层18的中央凹部18c，并且与布线电极17的连接部17g一起形成凹部18g。第二绝缘层18也形成于槽部14a的布线电极17上。第二绝缘层18例如通过以300～700nm范围的膜厚设置由SiO2形成的层而形成。
接着，进行在第一绝缘层15形成第一孔15a、并且在第二绝缘层18形成第三孔18a的孔形成工序SB6。如图26A～图26D所示，孔形成工序SB6是在第二绝缘层18的中央凹部18c的位置上形成第一绝缘层15的第一孔15a及第二绝缘层18的第三孔18a的工序。该孔形成工序包括作为第6B工序SB6的工序。也就是说，在孔形成工序SB6中，在多个发光单元1各自的第一半导体层12n上表面的规定区域的上方(中央凹部18c)形成第二绝缘层18的第三孔18a，并且同时进行在第一绝缘层15形成第一孔15a的第一孔形成工序。
如图26A及图26B所示，俯视观察，孔形成工序SB6在第二绝缘层18的中央凹部18c即圆形凹状的区域内，形成第一绝缘层15的第一孔15a及第二绝缘层18的第三孔18a。第一孔15a及第三孔18a通过形成在第二绝缘层18的中央凹部18c的区域内开口的掩模，并经由该掩模进行蚀刻而形成。需要说明的是，只要形成于第一绝缘层15的第一孔15a、以及形成于第二绝缘层18的第三孔18a位于第二绝缘层18的中央凹部18c内即可，不限定其大小形状。第一孔15a与第三孔18a以连通的方式形成，使第一半导体层12n的一部分从第二绝缘层18及第一绝缘层15露出。
此外，如图26D所示，在孔形成工序中，在外部区域10Eb的位置，在第二绝缘层18形成用来与第二半导体层12p导通的第四孔18d。该第四孔18d在形成第一绝缘层15的第一孔15a、以及第二绝缘层18的第三孔18a的时刻形成。也就是说，在第二绝缘层18的中央凹部18c的区域内开口，并且形成在第四孔18d的位置开口的掩模，经由该掩模进行蚀刻，由此，第四孔18d也与第一孔15a及第三孔18a同时形成。
如图27A～图27D所示，第7B工序SB7是在设有第一绝缘层15的第一孔15a及第二绝缘层18的第三孔18a的区域内形成与第一半导体层12n导通的第一电极2的第一电极形成工序。该第一电极形成工序形成第一电极2，并且在外部区域10Eb的位置的第二绝缘层18上形成第二电极19。需要说明的是，在第一电极形成工序中，包括形成凸部3的凸部形成工序。在第一电极形成工序中，在设有第一孔15a及第三孔18a的区域形成第一电极2，并与第一半导体层12n导通。第一电极2是电极中应用的金属或合金的单体或层压体，利用掩模，通过溅射法等形成。
剖视观察，第一电极2形成有形成为凹状的中央部2c、以及与其两侧分离而形成的凹部2g。第一电极2在一个发光单元1中，在由槽部14a包围的区域中央，例如从槽部14a分离而形成为长方形。而且，俯视观察，第一电极2相对于由槽部14a包围的区域，作为一个例子而能够形成在面积率为50～95％的范围。第一电极2的厚度优选使其厚度在300～700nm的范围内。需要说明的是，如图27D所示，当形成第一电极时，可以在相同的工序中形成与第二半导体层12p导通的第二电极19。
在第7B工序SB7中，在槽部14a以及由槽部14a包围的第二绝缘层18上的规定区域设置掩模，在区域10Ea的第二绝缘层18上、以及外部区域10Eb的第二绝缘层18上形成第一电极2及第二电极19。第一电极2及第二电极19是应用于电极的金属或合金的单体或者层压体，利用掩模，通过溅射等形成。第一电极2在一个发光单元1中，在由槽部14a包围的中央，例如从槽部14a分离并形成为长方形，作为一个例子而形成在面积率为50～95％的范围内。第一电极2及第二电极19优选使其厚度在300～700nm的范围内形成。需要说明的是，形成于外部区域10Eb的第二电极19经由槽部14a，从第一电极2分离。
在形成第一电极2及第二电极19后，进行在第一电极2及第二电极19的规定位置形成用来与后面叙述的IC基板20连接的凸部3的凸部形成工序。如图28A～图28D所示，在凸部形成工序中，在由发光单元1的槽部14a划分的一个区域形成四个凸部3。另外，在第二电极19的位置，在各电极连接部19g的周围形成四个凸部3。需要说明的是，凸部3可以使用与所述第一实施方式相同的材料。
另外，在凸部形成工序之后，如图3A所示，与第一实施方式相同，进行将设有发光单元群10的基板11经由凸部3而在IC基板20的IC基板电极22倒装片安装的IC基板安装工序。而且，与第一实施方式相同，如图3B所示，设有底膜4，如图3C所示，通过激光剥离技术剥离基板11，如图3E及图29所示，进行第8B工序SB8即半导体层薄化工序，此外，如图3F及图30所示，进行第9B工序SB9即半导体层表面粗糙化工序。
图3D与图29的关系是以不同的角度表示相同的工序，图3D为了理解装置整体的状态而以剖面示意性地表示整体，图29放大并示意性地表示发光单元的一个状态。此外，图3E与图30的关系也是以不同的角度表示相同的工序，图3E为了理解装置整体的状态而以剖面示意性地表示整体，图30放大并示意性地表示发光单元的一个状态。
在半导体层表面粗糙化工序之后，也可以与所述第一实施方式相同，进行荧光体层形成工序等。
接着，针对通过第二实施方式的发光装置的制造方法制造的发光装置100B进行说明。发光装置100B相对于已经说明的发光装置100，使第一电极2与第二电极19的位置相反而形成。也就是说，在外部区域10Eb设置第二电极19，在设有发光单元1的区域10Ea设置第一电极2。下面，针对第二实施方式的发光装置100B，主要说明与第一实施方式的发光装置100不同的第一电极2及第二电极19的结构。
发光装置100B具有：具有多个发光单元1的发光单元群10、连接发光单元群10的IC基板20、以及覆盖发光单元群10的表面的荧光体层5。发光装置100B具有：第一绝缘层15，其在每个发光单元1中具有第一孔15a及第二孔15b；布线电极17，其覆盖第一绝缘层15而设置且通过第二孔15b与发光单元1各自的第二半导体层12p导通；第二电极19，其设置于每个发光单元1且连接通过第二孔15b与第二半导体层12p导通的布线电极17；第二绝缘层18，其具有设置于布线电极17与第二电极19之间的第三孔18a。此外，发光装置100B在多个发光单元1之间，第一绝缘层15从第一半导体层12n露出，作为第一半导体层12n下表面的光输出面具有凹凸形状。需要说明的是，发光装置100B在第二半导体层12p上设有整面电极层13。
发光单元群10具有在行列方向上排列而设置的多个发光单元1。发光单元1中，半导体层压体12从IC支承基板21侧依次具有第二半导体层12p、发光层12a以及第一半导体层12n，第一半导体层12n侧为光输出面。
发光单元1的电极结构具有：第一电极，其通过第一孔15a与第一半导体层12n导通；布线电极17，其具有光反射性且设置为覆盖第一绝缘层并与多个发光单元1各自的第二半导体层12p经由第二孔15b而导通。此外，在布线电极17上设置有具有与发光单元1各自的第一孔15a连通的第三孔的第二绝缘层18。
第一电极2是用来对第一半导体层12n供给电流的电极。第一电极2覆盖第二绝缘层18而俯视观察形成为长方形。并且，第一电极2经由第二绝缘层18的第三孔18a及第一绝缘层15的第一孔15a，与第一半导体层12n连接并导通。第一电极2可以使用与所述第一实施方式相同的材料。
第二电极19是用来对第二半导体层12p供给电流的电极。第二电极19形成为在外部区域10Eb覆盖第二绝缘层18，并经由第二绝缘层18的第四孔18d，与布线电极17连接，经由该布线电极17而与第二半导体层12p导通。第二电极19在外部区域10Eb俯视观察形成为长方形。第二电极19可以使用与所述第一实施方式相同的材料。
设置于相邻的发光单元1之间的布线电极17的一部分与第一实施方式相同，设置为比第一半导体层12n的下表面更向下表面侧突出。
在发光装置100B中，具有如上所述的第一电极2及第二电极19的发光单元1以能够对每个发光单元1单独进行发光控制的状态，作为发光单元群10而安装于IC基板20。
在具有上述结构的第二实施方式的发光装置100B的制造方法以及发光装置100B中，也能够起到与所述第一实施方式相同的效果。
需要说明的是，如图32A、图32B及图32C所示，第2A工序SA2或者第2B工序SB2即形成发光单元1的发光单元形成工序也可以在由槽部14a包围的长方形的范围即发光单元1的区域内除去半导体层压体12的一部分，形成从半导体层压体12的上表面到达第一半导体层12n的槽部14w。上述槽部14w不是为了将上述半导体层压体12划分为构成多个发光单元1的区域而设置，而是为了抑制从由槽部14a划分的相邻的发光单元1传播的光的行进而设置。在此，在控制使多个发光单元1单独发光而使一个发光单元1发光的情况下，光可能向位于该发光单元1周边的并非发光对象的发光单元1传播，而使分割性恶化。然而，通过在由槽部14a划分的发光单元1的区域内形成上述槽部14w，能够抑制向并非发光对象的发光单元1传播的光的行进，从而能够提高分割性。作为在构成发光单元1的区域中形成的槽部14w，例如可以相对于构成发光单元1的区域，形成为行状或列状、格子状、或同心圆状。槽部14w可以在形成槽部14a之后形成，或者在形成槽部14a时一起形成。另外，槽部14w的深度可以与上述槽部14a相同。图32B、图32C表示在发光单元1的区域内将上述槽部14w设置为格子状的例子。如图32B所示，在由槽部14w将发光单元1分割为多个区域的情况下，在多个区域(附图中为九个区域)的每个区域设置有第一孔15a及第二孔15b，依次进行各工序，使之成为与已经说明的图15A～图15D或图28A～图28D相同的剖面。此时，第一电极2或第二电极19在由槽部14w分割的多个区域(在附图中，作为一个例子，为九个区域，其它：2×3、1×2、2×2等多个区域)的每个区域与第一孔15a或第二孔15b导通。需要说明的是，除了在构成发光单元1的区域形成槽部14w以外，之后的工序都与其他实施方式相同，所以省略说明。另外，在图32B中描述的第一孔15a及第二孔15b以与在发光单元1内形成的状态相同的方式被虚拟地描述，表示其在其它的工序中形成，所以是在以后的工序中适当形成的，而不是在形成槽部14w时形成的。
另外，如图1所示，发光装置系统100S的控制器50例如以无源矩阵方式驱动多个发光单元1。通过控制器50，用于以无源矩阵方式驱动发光单元1的布线形成在IC基板20及二次安装基板侧。在发光装置系统100S中，因为能够以无源矩阵方式使多个发光单元1的每个单元发光，所以，例如通过使所有的发光单元1发光，如图1所示，能够输出宽范围的照射光B1。另外，在发光装置系统100S中，通过使位于发光单元群10的中央侧的发光单元1不发光，使位于外周部的发光单元1发光，能够输出照射光B2这样的中央昏暗而其周围为环状的明亮的光。此外，通过只使位于发光单元群10的中央的发光单元1发光，使位于外周部的发光单元1不发光，能够输出照射光B3这样的只有中央明亮的光。
需要说明的是，虽然在发光装置系统100S中使发光单元1发光时会产生热H，但在二次安装基板30设置有散热器60。因此，在发光装置系统100S中产生的热H经由散热器60被散热。因此，在发光装置系统100S中，能够维持稳定的动作。
在所述的实施方式中，虽然说明了设有连接电极16的结构，但也可以是不设置连接电极16而形成布线电极17的结构。
另外，虽然说明了设有第二绝缘层18的结构，但也可以不设置该第二绝缘层18，也可以进行配置以使第一电极2与第二电极19不会电导通。
此外，在发光装置100、100B中，也可以不设置形成于第二半导体层12p的整面电极层13。
附图标记说明
1 发光单元；2 第一电极；2a 电极连接部；2c 中央部；3 凸部；4 底膜；5 荧光体层；10 发光单元群；10Ea 区域；10Eb 外部区域；11 基板；12 半导体层压体；12a 发光层；12n 第一半导体层；12p 第二半导体层；13 整面电极层；14 发光元件部；14a，14w 槽部；14b 露出区域；15 第一绝缘层；15a 第一孔；15b 第二孔；15c 凹部；16 连接电极；17 布线电极；17a 开口；17e 预定区域；17g 连接部；18 第二绝缘层；18a 第三孔；18c 中央凹部；18d 第四孔；18e 区域；18g 凹部；19 第二电极；19c 中央部；19g 连接部；20 IC基板；21IC支承基板；22 IC基板电极；30 二次安装基板；50 控制器；60 散热器；100 发光装置；100B 发光装置；100S 发光装置系统；SA1 半导体层压体准备工序(第1A工序)；SA2 发光单元群形成工序(第2A工序)；SA3 第一半导体层露出工序(第3A工序)；SA4 第一绝缘层形成工序(第4A工序)；SA5 布线电极形成工序(第5A工序)；SA6 孔形成工序(第6A工序)；SA7 第二电极形成工序(第7A工序)；SA8 半导体层薄化工序(第8A工序)；SA9 半导体层表面粗糙化工序(第9A工序)；SB1 半导体层压体准备工序(第1B工序)；SB2 发光单元群形成工序(第2B工序)；SB3 第一半导体层露出工序(第3B工序)；SB4 第一绝缘层形成工序(第4B工序)；SB5 布线电极形成工序(第5B工序)；SB6 孔形成工序(第6B工序)；SB7 第二电极形成工序(第7B工序)；SB8 半导体层薄化工序(第8B工序)；SB9 半导体层表面粗糙化工序(第9B工序)。

Claims (26)

1.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
第1A工序，其准备具有第一半导体层、以及在所述第一半导体层的上表面设置的第二半导体层的半导体层压体；
第2A工序，其通过在所述半导体层压体形成从所述半导体层压体的上表面侧到达所述第一半导体层的多个槽部，而形成配置为行列状的多个发光单元；
第3A工序，其在所述多个发光单元的每个单元中，将所述第二半导体层从所述第二半导体层的上表面侧部分地除去，由此使所述第一半导体层的一部分从所述第二半导体层露出；
第4A工序，其在所述多个发光单元各自的从所述第二半导体层露出的所述第一半导体层的上方，在所述多个发光单元及所述多个槽部连续形成具有第一孔的第一绝缘层；
第5A工序，其在除了所述第二半导体层的上表面的规定区域以外的区域的上方，覆盖所述第一绝缘层而形成布线电极，该布线电极通过形成于所述第一绝缘层的所述第一孔与所述多个发光单元各自的所述第一半导体层导通；
第6A工序，其在所述多个发光单元各自的所述第二半导体层的上表面的所述规定区域的上方，在所述第一绝缘层形成第二孔；
第7A工序，其在所述多个发光单元的每个单元形成通过所述第二孔与所述第二半导体层导通的第二电极；
第8A工序，其从所述第一半导体层的下表面侧通过干蚀刻或抛光除去所述第一半导体层，而不到达形成于所述槽部的所述第一绝缘层；
第9A工序，其在所述第8A工序之后，通过湿蚀刻从所述第一半导体层的下表面侧除去所述第一半导体层的厚度方向的一部分，在所述槽部的位置使所述第一绝缘层从所述第一半导体层露出，并且对由所述第8A工序除去的第一半导体层的表面进行表面粗糙化加工。
2.如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述布线电极的工序之后，在所述布线电极以及从所述布线电极露出的所述第一绝缘层上进行形成第二绝缘层的第二绝缘层形成工序，所述第二绝缘层形成有与所述第二孔连通的第三孔，
在所述第7A工序中，在所述第二绝缘层的上方形成所述第二电极，经由所述第二孔以及形成于所述第二绝缘层的所述第三孔，与所述第二半导体层导通。
3.如权利要求1或2所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述第5A工序之前，进行设置连接电极的连接电极形成工序，该连接电极在所述第一孔内与所述第一半导体层相接并与所述第一半导体层导通。
4.如权利要求1至3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述半导体层压体形成多个槽部的工序中，形成所述多个槽部，以使所述多个发光单元配置为行列状，并且形成所述槽部，使之与配置为行列状的所述多个发光单元相邻，并配置有在所述多个发光单元的行方向及列方向的至少一个方向上延伸的外部区域，
所述布线电极在所述外部区域上延伸而形成，与设置于所述外部区域的第一电极导通。
5.如权利要求1至4中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述半导体层压体形成多个槽部的所述第2A工序中，在所述发光单元的区域内，在所述半导体层压体形成从所述半导体层压体的上表面侧到达所述第一半导体层的槽部。
6.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
第1B工序，其准备具有第一半导体层、以及在所述第一半导体层的上表面设置的第二半导体层的半导体层压体；
第2B工序，其在所述半导体层压体形成从所述半导体层压体的上表面侧到达所述第一半导体层的多个槽部，由此形成配置为行列状的多个发光单元；
第3B工序，在所述多个发光单元的每个单元，将所述第二半导体层从所述第二半导体层的上表面侧部分地除去，由此使所述第一半导体层的一部分从所述第二半导体层露出；
第4B工序，其在所述多个发光单元各自的所述第二半导体层的上表面的规定区域的上方，在所述多个发光单元以及所述多个槽部连续形成具有第二孔的第一绝缘层；
第5B工序，其在除了所述第二半导体层的上表面的所述规定区域以外的其它区域的上方，覆盖所述第一绝缘层而形成布线电极，该布线电极通过所述第二孔与所述发光单元各自的所述第二半导体层导通；
第6B工序，其在所述多个发光单元各自的从所述第二半导体层露出的所述第一半导体层的上方，在所述第一绝缘层形成第一孔；
第7B工序，其在所述多个发光单元的每个单元形成在所述第一孔中与所述第一半导体层导通的第一电极；
第8B工序，其从所述第一半导体层的下表面侧通过干蚀刻或抛光除去所述第一半导体层，而不到达形成于所述槽部的所述第一绝缘层；
第9B工序，其在进行所述干蚀刻的工序之后，通过湿蚀刻从所述第一半导体层的下表面侧除去所述第一半导体层的厚度方向的一部分，在所述槽部的位置使所述第一绝缘层从所述第一半导体层露出，并且对由所述第8B工序除去的第一半导体层的表面进行表面粗糙化加工。
7.如权利要求6所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述布线电极的工序之后，在所述布线电极以及从所述布线电极露出的所述第一绝缘层上进行形成第二绝缘层的第二绝缘层形成工序，所述第二绝缘层具有与所述第一孔连通的第三孔，
在所述第7B工序中，在所述第二绝缘层的上方形成所述第一电极，经由所述第一孔及所述第三孔，与所述第一半导体层导通。
8.如权利要求7所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述半导体层压体形成多个槽部的工序中，形成所述多个槽部，以使所述多个发光单元配置为行列状，并且形成所述槽部，使之与配置为行列状的所述多个发光单元相邻，并配置有在所述多个发光单元的行方向及列方向的至少一个方向上延伸的外部区域，
所述布线电极在所述外部区域上延伸而形成，与设置于所述外部区域的第二电极导通。
9.如权利要求6至8中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述半导体层压体形成多个槽部的所述第2B工序中，在所述发光单元的区域内，在所述半导体层压体形成从所述半导体层压体的上表面侧到达所述第一半导体层的槽部。
10.如权利要求1至9中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
进行所述湿蚀刻，以使所述第一半导体层的下表面比设置于所述槽部的所述布线电极更位于所述第二半导体层侧。
11.如权利要求1至4或8中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在基板上形成所述半导体层压体，
在形成所述第二电极的工序之后，进行剥离所述基板的基板剥离工序。
12.如权利要求1至11中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述半导体层压体形成多个槽部的工序之前，在所述第二半导体层的上表面进行形成与所述第二半导体层导通的整面电极层的整面电极形成工序。
13.一种发光装置，其特征在于，具有：
多个发光单元，其配置为行列状，分别具有半导体层压体，该半导体层压体具备第一半导体层、以及在所述第一半导体层的上表面使所述第一半导体层的上表面的一部分露出而设置的第二半导体层；
第一绝缘层，其在所述多个发光单元连续设置，具有在所述多个发光单元各自的从所述第二半导体层露出的所述第一半导体层的上方设置的第一孔、以及在所述多个发光单元各自的所述第二半导体层的上方设置的第二孔；
布线电极，其具有光反射性，覆盖所述第一绝缘层而设置，通过所述第一孔与所述多个发光单元各自的所述第一半导体层导通；
第二电极，其设置于所述多个发光单元的每个单元，通过所述第二孔与所述第二半导体层导通；
所述第一绝缘层在所述多个发光单元之间，从所述第一半导体层露出，
所述第一半导体层的下表面具有凹凸形状。
14.如权利要求13所述的发光装置，其特征在于，
具有第二绝缘层，其设置于所述布线电极上，具有与所述发光单元各自的所述第二孔连通的第三孔，
所述第二电极设置于所述第二绝缘层的上方，经由所述第二孔及所述第三孔与所述第二半导体层导通。
15.如权利要求13或14所述的发光装置，其特征在于，
所述布线电极具有在所述第一孔内与所述第一半导体层相接而设置的连接电极。
16.如权利要求13至15中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述布线电极的至少一部分与第一电极连接，该第一电极连接与所述多个发光单元相邻并相对于所述多个发光单元在行方向或列方向上延伸而形成。
17.如权利要求13至16中任一项所述的发光装置，其特征在于，
在所述多个发光单元各自的所述第二半导体层的上表面设置具有光反射性的整面电极层，
所述第二电极经由所述第二孔而与所述整面电极层导通。
18.如权利要求13至17中任一项所述的发光装置，其特征在于，
俯视观察所述发光单元，所述第二电极的一部分与所述布线电极重叠设置。
19.一种发光装置，其特征在于，具有：
多个发光单元，其配置为行列状，分别具有半导体层压体，该半导体层压体具备第一半导体层、以及在所述第一半导体层的上表面使所述第一半导体层的上表面的一部分露出而设置的第二半导体层；
第一绝缘层，其在所述多个发光单元连续设置，具有在所述多个发光单元各自的从所述第二半导体层露出的所述第一半导体层的上方设置的第一孔、以及在所述多个发光单元各自的所述第二半导体层的上方设置的第二孔；
第一电极，其设置于所述多个发光单元的每个单元，通过所述第一孔与所述第一半导体层导通；
布线电极，其具有光反射性，覆盖所述第一绝缘层而设置，通过所述第二孔与所述多个发光单元各自的所述第二半导体层导通；
所述第一绝缘层在所述多个发光单元之间，从所述第一半导体层露出，
所述第一半导体层的下表面具有凹凸形状。
20.如权利要求19所述的发光装置，其特征在于，
具有第二绝缘层，其设置于所述布线电极上，具有与所述发光单元各自的所述第一孔连通的第三孔，
所述第一电极设置于所述第二绝缘层上，经由所述第一孔及所述第三孔，与所述第一半导体层导通。
21.如权利要求19或20所述的发光装置，其特征在于，
所述布线电极的至少一部分与第二电极连接，该第二电极与所述多个发光单元相邻并相对于所述多个发光单元在行方向或列方向上延伸而形成。
22.如权利要求20或21所述的发光装置，其特征在于，
在所述多个发光单元各自的所述第二半导体层的上表面设置有具有光反射性的整面电极层，
所述布线电极经由所述第二孔与所述整面电极层导通。
23.如权利要求19至22中任一项所述的发光装置，其特征在于，
俯视观察所述发光单元，所述第一电极的一部分与所述布线电极重叠设置。
24.如权利要求13至23中任一项所述的发光装置，其特征在于，
设置于相邻的所述发光单元之间的所述布线电极的一部分比所述第一半导体层的下表面更向下表面侧突出设置。
25.如权利要求16或21所述的发光装置，其特征在于，
所述第一电极为n电极，
所述第二电极为p电极，
所述第一半导体层为n侧半导体层，
所述第二半导体层为p侧半导体层。
26.如权利要求13至25中任一项所述的发光装置，其特征在于，
在所述发光单元的区域内，设置从所述半导体层压体的上表面侧到达所述第一半导体层的槽部。
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