CN109180749B - 一种利用过饱和结晶法制备高纯度n-乙酰神经氨酸水合物的方法 - Google Patents

一种利用过饱和结晶法制备高纯度n-乙酰神经氨酸水合物的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种利用过饱和结晶法制备高纯度N‑乙酰神经氨酸水合物的方法,是通过N‑乙酰神经氨酸的过饱和水溶液低温静置结晶的方式制备获得N‑乙酰神经氨酸水合物。本发明N‑乙酰神经氨酸水合物经烘干检测,其纯度至少为99%,可以满足其在食品、保健、医药等领域的要求,且本发明的方法简单易操作,特别适合于工业化发酵生产N‑乙酰神经氨酸水合物。

Description

一种利用过饱和结晶法制备高纯度N-乙酰神经氨酸水合物的 方法
技术领域
本发明涉及一种利用过饱和结晶法制备高纯度N-乙酰神经氨酸水合物的方法,属于生物化学工程技术领域。
背景技术
N-乙酰神经氨酸,也称唾液酸、燕窝酸,具有提高智力、记忆力和抗老年痴呆的功效。N-乙酰神经氨酸水合物是带有结晶水的N-乙酰神经氨酸,目前市场上N-乙酰神经氨酸二水合物需求较多,但其制备技术和产能均是关键问题,目前乙酰神经氨酸二水合物供不应求;另外N-乙酰神经氨酸二水合物晶体结构是单晶结构,因此化合物纯度较高,对纯度要求较高的应用领域如医药,保健食品等均有需求。随着微生物发酵法来源的N-乙酰神经氨酸被国家卫计委批准为新食品原料法规的通过,N-乙酰神经氨酸的需求也越来越大,高纯度N-乙酰神经氨酸的需求也越来越大,但是目前从微生物发酵法制备得到的N-乙酰神经氨酸纯度一般在98%左右,而再提高纯度就比较困难,目前市场上纯度99%的N-乙酰神经氨酸大约是纯度98%价格的一倍左右。较高的价格不利于N-乙酰神经氨酸的应用,因此高纯度N-乙酰神经氨酸的制备方法是一个技术瓶颈。如果先制备得到较高纯度(99%以上)的N-乙酰神经氨酸二水合物,然后再由高纯度N-乙酰神经氨酸二水合物转化为高纯度N-乙酰神经氨酸,也是制备高纯度N-乙酰神经氨酸的一个途径。因此从上述两方面考虑,高纯度N-乙酰神经氨酸二水合物的制备技术成为目前的关键问题。
发明内容
针对上述问题,本发明提供了一种利用N-乙酰神经氨酸过饱和水溶液结晶制备高纯度N-乙酰神经氨酸水合物(≥99%)的方法,满足食品、保健、医药、化妆品等领域的应用需求。
本发明利用过饱和结晶法制备高纯度N-乙酰神经氨酸水合物的方法,是通过N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液低温静置结晶的方式制备获得N-乙酰神经氨酸水合物,具体包括如下步骤:
步骤1:将纯净水预热,然后加入较高含量的N-乙酰神经氨酸,配制获得N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液;
步骤2:将步骤1获得的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液趁热过滤,除去少量杂质;
步骤3:过滤后的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液自然冷却,然后低温静置结晶,直至上清液浓度不再变化,析出的晶体洗涤并干燥,即可获得N-乙酰神经氨酸水合物。
步骤1中,所用原料N-乙酰神经氨酸的含量≥50%。
步骤1中,纯净水的预热温度为40-90℃。
步骤1中,N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液的浓度为50-600g/L。
步骤2中,过滤时采用的方式为膜过滤,其中膜孔径≤0.5um。
步骤3中,低温静置结晶的温度控制在0-30℃,结晶时间为10-60h。
步骤3中,洗涤所用溶剂为纯净水或醇类有机溶剂。
步骤3中,晶体干燥温度≤120℃。
本发明的有益效果体现在:
1、本发明利用过饱和结晶法制备高纯度N-乙酰神经氨酸水合物,除N-乙酰神经氨酸和纯净水外,不引入任何其他物质,结晶的晶体纯度≥99%,且晶体稳定,质量较好。
2、本发明利用过饱和结晶法制备高纯度N-乙酰神经氨酸水合物,可以较短时间内结晶出大量的N-乙酰神经氨酸水合物晶体,结晶时间短,工艺简单。
3、本发明利用过饱和结晶法制备高纯度N-乙酰神经氨酸水合物,不引入有机溶剂,因此环境友好,结晶母液处理简单,成本较低。
附图说明
图1为本发明实施例1得到的N-乙酰神经氨酸二水合物照片。
图2为本发明实施例1所得产品的高效液相色谱检测图谱。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步阐明本发明。但这些实施例仅用于说明本发明,而不构成对本发明范围的限制。
实施例1:
本实施例中利用过饱和结晶法制备高纯度N-乙酰神经氨酸二水合物的方法如下:
1、将纯净水预热至50℃,然后加入含量70%的N-乙酰神经氨酸,配制获得浓度为250g/L的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液;
2、将步骤1获得的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液趁热过滤,过滤膜为0.22um,除去少量杂质;
3、过滤后的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液自然冷却,然后4℃下静置结晶,晶体析出后再熟化24小时,然后进行晶体母液分离,分离后的晶体利用无水乙醇洗涤两次,100℃下干燥,即可获得N-乙酰神经氨酸二水合物。
利用高效液相色谱进行检测,N-乙酰神经氨酸含量为88.7%,计算N-乙酰神经氨酸二水合物纯度为99.0%,利用卡尔费休测水仪检测其水分含量为10.5%。晶体如图1所示,高效液相色谱图如图2所示。
实施例2:
本实施例中利用过饱和结晶法制备高纯度N-乙酰神经氨酸水合物的方法如下:
1、将纯净水预热至60℃,然后加入含量85%的N-乙酰神经氨酸,配制获得浓度为300g/L的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液;
2、将步骤1获得的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液趁热过滤,过滤膜为0.45um,除去少量杂质;
3、过滤后的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液自然冷却,然后10℃下静置结晶,晶体析出后再熟化36小时,然后进行晶体母液分离,分离后的晶体利用纯净水快速洗涤两次,80℃下干燥,即可获得N-乙酰神经氨酸二水合物。
利用高效液相色谱进行检测,N-乙酰神经氨酸含量为89.0%,计算N-乙酰神经氨酸二水合物纯度为99.4%,利用卡尔费休测水仪检测水分含量为10.6%。
实施例3:
本实施按照实施例2步骤,除步骤1的N-乙酰神经氨酸的水溶液浓度为40g/l之外,其他条件均同实施例4步骤,最终没有出现N-乙酰神经氨酸二水合物结晶。
实施例4:
本实施例中利用过饱和结晶法制备高纯度N-乙酰神经氨酸水合物的方法如下:
1、将纯净水预热至70℃,然后加入含量60%的N-乙酰神经氨酸,配制获得浓度为400g/L的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液;
2、将步骤1获得的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液趁热过滤,过滤膜为0.45um,除去少量杂质;
3、过滤后的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液自然冷却,然后20℃下静置结晶,晶体析出后再熟化24小时,然后进行晶体母液分离,分离后的晶体利用纯净水快速洗涤两次,60℃下干燥,即可获得N-乙酰神经氨酸二水合物。
利用高效液相色谱进行检测,N-乙酰神经氨酸含量为89.2%,计算N-乙酰神经氨酸二水合物纯度为99.6%,利用卡尔费休测水仪检测水分含量为10.4%。
实施例5:
本实施例中利用饱和水溶液结晶法制备高纯度N-乙酰神经氨酸水合物的方法如下:
1、将纯净水预热至80℃,然后加入含量95%的N-乙酰神经氨酸,配制获得浓度为500g/L的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液;
2、将步骤1获得的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液趁热过滤,过滤膜为0.45um,除去少量杂质;
3、过滤后的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液自然冷却,然后30℃下静置结晶,晶体析出后再熟化24小时,然后进行晶体母液分离,分离后的晶体利用乙醇快速洗涤两次,60℃下干燥,即可获得N-乙酰神经氨酸二水合物。
利用高效液相色谱进行检测,N-乙酰神经氨酸含量为89.4%,计算N-乙酰神经氨酸二水合物纯度为99.8%,利用卡尔费休测水仪检测水分含量为10.2%。
实施例6:
本实施按照实施例5步骤,除步骤1的N-乙酰神经氨酸的水溶液浓度为700g/l之外,其他条件均同实施例5步骤,最终得到的N-乙酰神经氨酸二水合物纯度为98.0%。
实施例7:
本实施例中利用过饱和结晶法制备高纯度N-乙酰神经氨酸水合物的方法如下:
1、将纯净水预热至90℃,然后加入含量90%的N-乙酰神经氨酸,配制获得浓度为600g/L的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液;
2、将步骤1获得的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液趁热过滤,过滤膜为0.22um,除去少量杂质;
3、过滤后的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液自然冷却,然后10℃下静置结晶,晶体析出后再熟化36小时,然后进行晶体母液分离,分离后的晶体利用乙醇快速洗涤两次,60℃下干燥,即可获得N-乙酰神经氨酸水合物。
利用高效液相色谱进行检测,N-乙酰神经氨酸含量为89.1%,计算N-乙酰神经氨酸二水合物纯度为99.5%,利用卡尔费休测水仪检测水分含量为10.6%。

Claims (4)

1.一种利用过饱和结晶法制备高纯度N-乙酰神经氨酸水合物的方法,其特征在于:
通过N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液低温静置结晶的方式制备获得N-乙酰神经氨酸水合物,包括如下步骤:
步骤1:将纯净水预热至40-90℃,然后加入较高含量的N-乙酰神经氨酸,配制获得N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液;
步骤2:将步骤1获得的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液趁热过滤,除去少量杂质;
步骤3:过滤后的N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液自然冷却,然后低温静置结晶,低温静置结晶的温度控制在0-30℃,结晶时间为10-60h,直至上清液浓度不再变化,析出的晶体洗涤并干燥,即可获得N-乙酰神经氨酸水合物;
步骤1中,所用原料N-乙酰神经氨酸的含量≥50%;
步骤1中,N-乙酰神经氨酸的过饱和水溶液的浓度为250-600g/L。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:
步骤2中,过滤时采用的方式为膜过滤,其中膜孔径≤0.5um。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:
步骤3中,洗涤所用溶剂为纯净水或醇类有机溶剂。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:
步骤3中,晶体干燥温度≤120℃。
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