CN109148348B - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供晶片的加工方法，能够可靠地将支承基板从晶片的正面剥离。晶片的加工方法包含如下的工序：支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片(2)进行支承的支承基板(8)；一体化工序，夹着通过紫外线的照射而降低粘接力的紫外线硬化型树脂将晶片的正面与支承基板粘贴从而进行一体化；加工工序，对晶片的背面实施规定的加工；紫外线硬化型树脂破坏工序，从支承基板侧会聚波长为300nm以下的紫外线区域的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏；以及剥离工序，将支承基板从晶片的正面剥离。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法，该晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件。
背景技术
由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI、功率器件、LED等多个器件的晶片通过切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片。分割得到的器件芯片被用于移动电话、个人计算机、通信设备等电气设备。
另外，为了能够实现器件的良好的散热性及轻量小型化，通过磨削装置对晶片的背面进行磨削而加工成期望的厚度。并且，当将晶片的厚度加工成薄至50μm、30μm时，晶片会像纸那样弯曲而难以进行向下一工序的搬送，因此本申请人提出了下述技术：将晶片的正面侧夹着UV硬化型树脂而粘贴在玻璃那样的支承基板上，从而即使将晶片加工得较薄，也能够进行向等离子蚀刻工序、溅射工序等下一工序的搬送(例如参照专利文献1)。
专利文献1：国际公开第03/049164号
但是，在上述专利文献1所公开的技术中，存在下述问题：有时即使从支承基板侧照射紫外线而使UV硬化型树脂硬化从而使粘接力降低，也无法使粘接力充分降低，无法将支承基板从晶片的正面剥离。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供晶片的加工方法，能够可靠地将支承基板从晶片的正面剥离。
根据本发明，提供晶片的加工方法，该晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片进行支承的支承基板；一体化工序，夹着通过紫外线的照射而降低粘接力的紫外线硬化型树脂将晶片的正面与该支承基板粘贴从而进行一体化；加工工序，在实施了该一体化工序之后，对晶片的背面实施规定的加工；紫外线硬化型树脂破坏工序，在实施了该加工工序之后，从该支承基板侧会聚波长为300nm以下的紫外区域的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏；以及剥离工序，在实施了该紫外线硬化型树脂破坏工序之后，将该支承基板从晶片的正面剥离。
优选晶片的加工方法还包含如下的框架支承工序：在该加工工序之后且在该紫外线硬化型树脂破坏工序之前，将晶片的背面粘贴在划片带上，并且将该划片带的外周粘贴在具有能够收纳晶片的开口的环状框架上，从而利用该环状框架对已与该支承基板成为一体的晶片进行支承。优选在该紫外线硬化型树脂破坏工序中，所使用的激光光线的峰值功率密度为5GW/cm2～50GW/cm2。优选该支承基板为玻璃基板，晶片包含在正面上具有薄膜构造的器件的Si晶片、SiC晶片或GaN晶片，其中，所述薄膜构造的器件包含功率器件、TFT(薄膜晶体管)或薄膜电感器。
根据本发明的晶片的加工方法，具有紫外线硬化型树脂破坏工序，从该支承基板侧会聚由波长为300nm以下的紫外线构成的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏，因此，能够将紫外线硬化型树脂破坏而可靠地将支承基板从晶片的正面剥离。
附图说明
图1是晶片和支承基板的立体图。
图2的(a)是实施了一体化工序的晶片和支承基板的立体图，图2的(b)是实施了一体化工序的晶片和支承基板的剖视图。
图3是示出将一体化的晶片和支承基板载置于磨削装置的卡盘工作台上的状态的立体图。
图4是示出实施加工工序的状态的立体图。
图5是示出实施框架支承工序的状态的立体图。
图6的(a)是示出实施UV硬化型树脂破坏工序的状态的立体图，图6的(b)是示出实施UV硬化型树脂破坏工序的状态的晶片和支承基板的剖视图。
图7是示出实施了剥离工序的状态的立体图。
标号说明
2：晶片；2a：正面；2b：背面；4：分割预定线；6：器件；8：支承基板；10：UV硬化型树脂；30：划片带；32：环状框架；32a：开口(框架)；LB：脉冲激光光线。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的晶片的加工方法的实施方式进行说明。
图1中示出能够通过本实施方式的晶片的加工方法而实施加工的晶片2。厚度为700μm左右的圆盘状的晶片2的正面2a由格子状的分割预定线4划分成多个矩形区域，在多个矩形区域分别形成有器件6。晶片2包含以Si(硅)为原材料的Si晶片、以SiC(碳化硅)为原材料的SiC晶片、以GaN(氮化镓)为原材料的GaN晶片。另外，器件6包含薄膜构造的器件，该薄膜构造的器件包含功率器件、TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)或薄膜电感器。
在本实施方式中，首先实施支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片2进行支承的支承基板。在本实施方式中，如图1所示，在支承基板准备工序中所准备的支承基板8为圆盘状的透明的玻璃基板，能够透过波长为300nm以下的紫外线。另外，支承基板8的直径与晶片2的直径大致相同，支承基板8的厚度为1000μm左右。因此，支承基板8具有如下的程度的刚性：即使对该支承基板8实施将晶片2的厚度薄至数十μm左右的磨削工序，也能够稳定地对晶片2进行支承。另外，支承基板只要是能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片2进行支承的基板，则可以不是玻璃基板，例如可以由PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等树脂材料形成。
在实施了支承基板准备工序之后，如图2的(a)和图2的(b)所示，实施一体化工序，将晶片2的正面2a和支承基板8的一个面夹着通过紫外线(UV)的照射而降低粘接力的UV硬化型树脂10进行粘贴，从而将晶片2和支承基板8一体化。图2的(a)中示出从晶片2的背面2b侧观察夹着UV硬化型树脂10而与支承基板8成为一体的晶片2的立体图。在本实施方式中，如图2的(a)所示，在使晶片2的径向中心与支承基板8的径向中心一致的状态下将晶片2和支承基板8一体化。作为在一体化工序中所使用的UV硬化型树脂10，例如可以使用Denka电化株式会社制造的NW-126-75S、日本化药株式会社制造的SU-8、日立化成株式会社制造的Hitaloid 7903。另外，如图2的(b)所示，对晶片2和支承基板8进行一体化时的UV硬化型树脂10的厚度为10μm左右。
在实施了一体化工序之后，实施加工工序，对晶片2的背面2b实施规定的加工。加工工序中包含对晶片2的背面2b进行磨削而使晶片2薄化的磨削工序。因此，在本实施方式中，作为加工工序，对磨削工序进行说明。磨削工序例如能够使用在图3和图4中示出一部分的磨削装置12来实施。如图4所示，磨削装置12具有：圆形状的卡盘工作台14，其对被加工物进行保持；以及磨削单元16，其对卡盘工作台14所保持的被加工物进行磨削。如图3所示，在卡盘工作台14的上表面配置有由多孔质材料形成且实质上水平延伸的圆形状的吸附卡盘18。吸附卡盘18通过流路而与吸引单元(未图示)连接。并且，在卡盘工作台14中，通过吸引单元在吸附卡盘18的上表面上生成吸引力，从而能够对载置于吸附卡盘18的上表面上的被加工物进行吸附保持。另外，卡盘工作台14通过旋转单元(未图示)以通过卡盘工作台14的径向中心而沿上下方向延伸的轴线为旋转中心进行旋转。如图4所示，磨削单元16包含：圆柱状的主轴20，其与电动机(未图示)连结且在上下方向上延伸；圆板状的磨轮安装座22，其固定于主轴20的下端。在磨轮安装座22的下表面上通过螺栓24固定有环状的磨削磨轮26。在磨削磨轮26的下表面的外周缘部，在周向上隔着间隔而固定有呈环状配置的多个磨削磨具28。磨削磨轮26的旋转中心相对于卡盘工作台14的旋转中心移位，以便使磨削磨具28通过卡盘工作台14的旋转中心。因此，在一边使卡盘工作台14和磨削磨轮26相互旋转一边使卡盘工作台14的上表面所保持的被加工物的上表面与磨削磨具28接触的情况下，通过磨削磨具28对被加工物的整个上表面进行磨削。
如图3所示，在磨削工序中，首先使晶片2的背面2b朝上而在磨削装置12的卡盘工作台14的上表面上对支承基板8侧进行吸附。此时，使晶片2的径向中心与卡盘工作台14的径向中心(旋转中心)一致。接着，如图4所示，利用旋转单元使卡盘工作台14从上方看逆时针地以规定的旋转速度(例如为300rpm)旋转。另外，利用电动机使主轴20从上方看逆时针地以规定的旋转速度(例如为6000rpm)旋转。接着，利用磨削装置12的升降单元(未图示)使主轴20下降，使磨削磨具28与晶片2的背面2b接触。于是，由于晶片2的径向中心与卡盘工作台14的径向中心一致，因此通过磨削磨具28对晶片2的整个背面2b进行磨削。并且，在使磨削磨具28与晶片2的背面2b接触之后，以规定的磨削进给速度(例如为1.0μm/s)使主轴20下降。由此，能够对晶片2的背面2b进行磨削而使晶片2薄化至期望的厚度(例如为30～50μm左右)。
在本实施方式中，在实施了磨削工序之后，如图5所示，实施框架支承工序，将晶片2的背面2b粘贴在划片带30上，并且将划片带30的外周粘贴在具有能够收纳晶片2的开口32a的环状框架32上，从而利用环状框架32对与支承基板8成为一体的晶片2进行支承。
在本实施方式中，在实施了框架支承工序之后，实施UV硬化型树脂破坏工序，从支承基板8侧会聚由波长为300nm以下的紫外线构成的激光光线而进行照射，从而将UV硬化型树脂10破坏。UV硬化型树脂破坏工序例如可以使用在图6的(a)中示出一部分的激光加工装置34来实施。激光加工装置34具有：激光振荡器(未图示)，其振荡出由波长为300nm以下的紫外线构成的脉冲激光光线LB；卡盘工作台(未图示)，其对被加工物进行保持；以及聚光器36，其会聚激光振荡器所振荡的脉冲激光光线LB而照射至卡盘工作台所保持的被加工物。圆形状的卡盘工作台构成为在上表面上对被加工物进行吸附，该卡盘工作台借助旋转单元(未图示)以通过卡盘工作台的径向中心而沿上下方向延伸的轴线为旋转中心进行旋转。聚光器36通过X轴方向移动单元(未图示)在X轴方向上进退，通过Y轴方向移动单元(未图示)在Y轴方向上进退。另外，X轴方向是图6的(a)中箭头X所示的方向，Y轴方向是图6的(a)中箭头Y所示的方向，是与X轴方向垂直的方向。X轴方向和Y轴方向所限制的平面实质上是水平的。
参照图6的(a)和图6的(b)继续进行说明，在UV硬化型树脂破坏工序中，首先使支承基板8侧朝上，在激光加工装置34的卡盘工作台的上表面上对被环状框架32支承的晶片2进行吸附。此时，使支承基板8的径向中心与卡盘工作台的径向中心一致。接着，利用激光加工装置34的拍摄单元(未图示)从上方(支承基板8侧)对与支承基板8成为一体的晶片2进行拍摄。接着，根据拍摄单元所拍摄的图像，利用激光加工装置34的X轴方向移动单元和Y轴方向移动单元使聚光器36移动，从而将聚光器36定位于支承基板8的径向中心的上方。接着，利用激光加工装置34的聚光点位置调整单元(未图示)使聚光器36在光轴方向(上下方向)上移动，按照UV硬化型树脂10中的脉冲激光光线LB的峰值功率密度为5～50GW/cm2的方式，对定位于UV硬化型树脂10的脉冲激光光线LB的光斑的直径D进行调整。接着，通过激光加工装置34的旋转单元使卡盘工作台从上方看顺时针地以规定的旋转速度旋转。接着，通过激光加工装置34的X轴方向移动单元或Y轴方向移动单元使聚光器36相对于卡盘工作台向卡盘工作台的径向外方(例如为图6的(a)中箭头A所示的方向)移动，同时从聚光器36照射由波长为300nm以下的紫外线构成的脉冲激光光线LB。即，如图6的(a)所示，从支承基板8侧呈螺旋状照射脉冲激光光线LB。支承基板8由能够透过波长为300nm以下的紫外线的玻璃基板形成，因此脉冲激光光线LB透过支承基板8而被UV硬化型树脂10吸收。由此，将UV硬化型树脂10破坏，从而UV硬化型树脂10的粘接力丧失。关于此处所说的UV硬化型树脂10的粘接力丧失，除了UV硬化型树脂10的粘接力完全丧失的情况之外，还包含UV硬化型树脂10的粘接力降低至足以将支承基板8从晶片2剥离的程度的情况。另外，在本实施方式中，将UV硬化型树脂10中的脉冲激光光线LB的峰值功率密度设定为5～50GW/cm2(5～50×109W/cm2)，因此能够更可靠地不破坏支承基板8和晶片2(即，也不会损伤形成在晶片2的正面2a上的器件6)而仅将UV硬化型树脂10破坏。另外，在图6的(a)中，为了便于说明，在支承基板8的径向上隔着间隔地描绘朝向与支承基板8成为一体的晶片2而照射的脉冲激光光线LB的照射痕38，但通过按照在径向上相邻的照射痕38在UV硬化型树脂10中重叠的方式照射脉冲激光光线LB，从而将UV硬化型树脂10整体破坏。另外，脉冲激光光线LB的峰值功率密度Ep(W/cm2)由脉冲激光光线LB的平均输出P(W)、重复频率数F(Hz)、脉冲宽度τ(s)、光斑的面积S＝πD2/4(cm2)规定(Ep＝P/(F·τ·S))。另外，如上所述D为脉冲激光光线LB的光斑的直径(光斑直径)。
并且，在实施了UV硬化型树脂破坏工序之后，实施剥离工序，将支承基板8从晶片2的正面2a剥离。由于在UV硬化型树脂破坏工序中不破坏支承基板8和晶片2而仅将UV硬化型树脂10破坏，因此在剥离工序中，能够不在晶片2的正面2a上残留UV硬化型树脂10而可靠地将支承基板8从晶片2的正面2a剥离。
如上所述，在本实施方式中，在UV硬化型树脂破坏工序中能够不破坏支承基板8和晶片2而仅将UV硬化型树脂10破坏，从而在剥离工序中，能够不在晶片2的正面2a上残留UV硬化型树脂10而可靠地将支承基板8从晶片2的正面2a剥离。
另外，关于UV硬化型树脂破坏工序，在本实施方式中对呈螺旋状照射脉冲激光光线LB的例子进行了说明，但也可以呈同心圆状照射脉冲激光光线LB，或者与X方向或Y方向等任意方向平行地呈条纹状照射脉冲激光光线LB。另外，在本实施方式中，对使激光加工装置34的卡盘工作台旋转并且使聚光器36向卡盘工作台的径向外方移动的例子进行了说明，但在UV硬化型树脂破坏工序中只要使卡盘工作台和聚光器36相对地移动即可，例如可以不使聚光器36移动而仅使卡盘工作台移动(不仅旋转，而且包含向X轴方向或Y轴方向等任意方向的移动)，或者也可以不使卡盘工作台移动而仅使聚光器36移动。
这里，关于在UV硬化型树脂破坏工序中所使用的激光光线的适当的条件，根据本申请发明人在下述实验条件下进行的实验的结果进行说明。
[实验的条件]
实验中所用的晶片：厚度为700μm的晶片
实验中所用的支承基板：厚度为1000μm的玻璃基板
实验中所用的UV硬化型树脂的种类：
Denka电化株式会社制造的NW-126-75S
日本化药株式会社制造的SU-8
日立化成株式会社制造的Hitaloid 7903
按照上述UV硬化型树脂的每个种类在下述条件下进行下述实验1至实验6。
实验中所用的激光光线的种类
波长：365nm、355nm、343nm、266nm、248nm、196nm
重复频率：200kHz
平均输出：1W～20W
脉冲宽度：10ps～200ps
UV硬化型树脂的厚度：5μm～50μm
光斑直径：利用散焦对定位于UV硬化型树脂的光斑直径进行调整
[实验1]
UV硬化型树脂：Denka电化株式会社制造的NW-126-75S，厚度为10μm
波长：365nm
重复频率：200kHz
平均输出：1W
脉冲宽度：10ps
光斑直径：3μm、5μm、10μm、15μm、20μm、
25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、
50μm、55μm、60μm、65μm、70μm、
75μm、80μm、85μm、90μm、95μm、
100μm、110μm、120μm、130μm、
140μm
[实验1的方法]
通过改变定位于UV硬化型树脂的光斑直径，从而使峰值功率密度改变，从支承基板侧对夹设在支承基板与晶片之间的UV硬化型树脂照射激光光线。
[实验1的结果]
[基于实验1的结论]
在实验1中，无法不破坏支承基板和晶片而仅将UV硬化型树脂破坏，因此可以说实验1的加工条件是不适合的加工条件。另外，实验1的结果中的加工状况的“良好”是指支承基板和晶片未因激光光线而发生破坏，这点在实验2至实验6的结果中也是同样的。
[实验2]
UV硬化型树脂：Denka电化株式会社制造的NW-126-75S，厚度为10μm
波长：355nm
重复频率：200kHz
平均输出：1W
脉冲宽度：10ps
光斑直径：3μm、5μm、10μm、15μm、20μm、
25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、
50μm、55μm、60μm、65μm、70μm、
75μm、80μm、85μm、90μm、95μm、
100μm、110μm、120μm、130μm、
140μm
[实验2的方法]
通过改变定位于UV硬化型树脂的光斑直径，从而使峰值功率密度改变，从支承基板侧对夹设在支承基板与晶片之间的UV硬化型树脂照射激光光线。
[实验2的结果]
[基于实验2的结论]
在实验2中，无法不破坏支承基板和晶片而仅将UV硬化型树脂破坏，因此可以说实验2的加工条件是不适当的加工条件。
[实验3]
UV硬化型树脂：Denka电化株式会社制造的NW-126-75S，厚度为10μm
波长：343nm
重复频率：200kHz
平均输出：1W
脉冲宽度：10ps
光斑直径：3μm、5μm、10μm、15μm、20μm、
25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、
50μm、55μm、60μm、65μm、70μm、
75μm、80μm、85μm、90μm、95μm、
100μm、110μm、120μm、130μm、
140μm
[实验3的方法]
通过改变定位于UV硬化型树脂的光斑直径，从而使峰值功率密度改变，从支承基板侧对夹设在支承基板与晶片之间的UV硬化型树脂照射激光光线。
[实验3的结果]
[基于实验3的结论]
在实验3中，无法不破坏支承基板和晶片而仅将UV硬化型树脂破坏，因此可以说实验3的加工条件是不适当的加工条件。
[实验4]
UV硬化型树脂：Denka电化株式会社制造的NW-126-75S，厚度为10μm
波长：266nm
重复频率：200kHz
平均输出：1W
脉冲宽度：10ps
光斑直径：3μm、5μm、10μm、15μm、20μm、
25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、
50μm、55μm、60μm、65μm、70μm、
75μm、80μm、85μm、90μm、95μm、
100μm、110μm、120μm、130μm、
140μm
[实验4的方法]
通过改变定位于UV硬化型树脂的光斑直径，从而使峰值功率密度改变，从支承基板侧对夹设在支承基板与晶片之间的UV硬化型树脂照射激光光线。
[实验4的结果]
[基于实验4的结论]
在实验4中，在峰值功率密度为5～50GW/cm2时，能够不破坏支承基板和晶片而仅将UV硬化型树脂破坏，因此可以说实验4的加工条件是适当的加工条件。
[实验5]
UV硬化型树脂：Denka电化株式会社制造的NW-126-75S，厚度为10μm
波长：248nm
重复频率：200kHz
平均输出：1W
脉冲宽度：10ps
光斑直径：3μm、5μm、10μm、15μm、20μm、
25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、
50μm、55μm、60μm、65μm、70μm、
75μm、80μm、85μm、90μm、95μm、
100μm、110μm、120μm、130μm、
140μm
[实验5的方法]
通过改变定位于UV硬化型树脂的光斑直径，从而使峰值功率密度改变，从支承基板侧对夹设在支承基板与晶片之间的UV硬化型树脂照射激光光线。
[实验5的结果]
/>
[基于实验5的结论]
在实验5中，在峰值功率密度为5～50GW/cm2时，能够不破坏支承基板和晶片而仅将UV硬化型树脂破坏，因此可以说实验5的加工条件是适当的加工条件。
[实验6]
UV硬化型树脂：Denka电化株式会社制造的NW-126-75S，厚度为10μm
波长：196nm
重复频率：200kHz
平均输出：1W
脉冲宽度：10ps
光斑直径：3μm、5μm、10μm、15μm、20μm、
25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、
50μm、55μm、60μm、65μm、70μm、
75μm、80μm、85μm、90μm、95μm、
100μm、110μm、120μm、130μm、
140μm
[实验6的方法]
通过改变定位于UV硬化型树脂的光斑直径，从而使峰值功率密度改变，从支承基板侧对夹设在支承基板与晶片之间的UV硬化型树脂照射激光光线。
[实验6的结果]
/>
[基于实验6的结论]
在实验6中，在峰值功率密度为5～50GW/cm2时，能够不破坏支承基板和晶片而仅将UV硬化型树脂破坏，因此可以说实验6的加工条件是适当的加工条件。
根据实验1至实验6的结果，对于在UV硬化型树脂破坏工序中适当的激光光线的条件进行研究。首先，在实验1(波长为365nm)、实验2(波长为355nm)和实验3(波长为343nm)中，不存在能够不破坏支承基板和晶片而仅将UV硬化型树脂破坏的条件；在实验4(波长为266nm)、实验5(波长为248nm)和实验6(波长为196nm)中，存在能够不破坏支承基板和晶片而仅将UV硬化型树脂破坏的条件，因此认为在UV硬化型树脂破坏工序中所使用的激光光线为波长300nm以下的紫外线是适当的。另外，关于激光光线的峰值功率密度，在实验4至实验6中，在峰值功率密度为5～50GW/cm2的情况下，能够不破坏支承基板和晶片而仅将UV硬化型树脂破坏，因此认为在UV硬化型树脂破坏工序中所使用的激光光线的峰值功率密度为5～50GW/cm2是适当的。
本申请发明人为了确认在UV硬化型树脂破坏工序中所使用的激光光线为波长300nm以下的紫外线、激光光线的峰值功率密度为5～50GW/cm2是适当的，还进行了以下的确认实验。在确认实验中，将激光光线的平均输出改变为5W、10W、15W、20W，并且对于平均输出5W使激光光线的脉冲宽度为50ps、对于平均输出10W使激光光线的脉冲宽度为100ps、对于平均输出15W使激光光线的脉冲宽度为150ps、对于平均输出20W使激光光线的脉冲宽度为200ps，实施上述的实验1至实验6，结果得到与上述的实验1至实验6的结果大致相同的结果，能够确认UV硬化型树脂破坏工序中所使用的激光光线为波长300nm以下的紫外线、激光光线的峰值功率密度为5～50GW/cm2是适当的。另外，在使UV硬化型树脂为日本化药株式会社制造的SU-8的情况下、以及使UV硬化型树脂为日立化成株式会社制造的Hitaloid 7903的情况下，实施上述的实验1至实验6，结果得到与上述的实验1至实验6的结果大致相同的结果。另外，使UV硬化型树脂的厚度在5μm至50μm之间按照每5μm改变而实施了上述的实验1至实验6的结果是，在UV硬化型树脂的厚度为20μm以下的情况下，UV硬化型树脂大致100％被破坏，在UV硬化型树脂的厚度为25μm以上的情况下，发现UV硬化型树脂的不完全破坏，但能够得到足以将支承基板从晶片剥离的破坏。

Claims (4)

1.一种晶片的加工方法，该晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：
支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片进行支承的支承基板；
一体化工序，夹着通过紫外线的照射而降低粘接力的紫外线硬化型树脂将晶片的正面与该支承基板粘贴从而进行一体化；
加工工序，在实施了该一体化工序之后，对晶片的背面实施规定的加工；
紫外线硬化型树脂破坏工序，在实施了该加工工序之后，从该支承基板侧会聚波长为300nm以下的紫外区域的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏；以及
剥离工序，在实施了该紫外线硬化型树脂破坏工序之后，将该支承基板从晶片的正面剥离，
在该紫外线硬化型树脂破坏工序中，对定位于紫外线硬化型树脂的激光光线的光斑的直径进行散焦而进行调整，以成为能够不破坏该支承基板和晶片而将紫外线硬化型树脂破坏的峰值功率密度，并且不将光斑的直径最小的聚光点定位于紫外线硬化型树脂。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法还具有如下的框架支承工序：在该加工工序之后且在该紫外线硬化型树脂破坏工序之前，将晶片的背面粘贴在划片带上，并且将该划片带的外周粘贴在具有能够收纳晶片的开口的环状框架上，从而利用该环状框架对已与该支承基板成为一体的晶片进行支承。
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该紫外线硬化型树脂破坏工序中，所使用的激光光线的峰值功率密度为5GW/cm2～50GW/cm2。
4.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该支承基板为玻璃基板，晶片包含在正面上具有薄膜构造的器件的Si晶片、SiC晶片或GaN晶片，其中，所述薄膜构造的器件包含功率器件、薄膜晶体管或薄膜电感器。
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