CN109122324A - 一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法,先利用野外环境下取正常生长的霍山石斛植株根及根部附近的腐殖质制作霍山石斛共生菌次生代谢产物,然后利用霍山石斛共生菌次生代谢产物制备营养培养基,利用营养培养基对霍山石斛种子进行培养、萌发。本发明所述技术方案,能够显著缩短霍山石斛种子的萌发生长时间,只需要35天种子即可萌发,萌发率达到90%以上。该方法简单易行,成本低,可以有效减少霍山石斛种苗的培育成本。
Description
技术领域
本发明涉及石斛的种植栽培技术领域,尤其涉及一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法。
背景技术
霍山石斛的快繁技术目前整个行业基本都是已种子作为培养体,然后通过增值诱导出数量较多的种苗。这种组培繁殖方法,在种子有限的前提下,提高种子的萌发率就显得尤为重要。目前行业内普遍采用MS培养基作为种子萌发培养的基础培养基,适当的添加土豆等有机辅料。这个方法对霍山石斛的萌发有一定的促进作用,萌发率在50%~60%上下,但是一直都处在这个瓶颈,无法再上一步。
发明内容
本发明针对现有技术存在的不足,提供了一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法,具体技术方案如下:
一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法,包括以下步骤:
步骤一、霍山石斛共生菌次生代谢产物的获得
在野外环境下取正常生长的霍山石斛植株根及根部附近的腐殖质,用无菌水浸泡3小时后,用双层纱布过滤,取滤液用微生物万能培养基摇瓶培养12小时;之后静置2小时取上清液备用;
步骤二、营养培养基的制作
用1/2MS培养基添加土豆泥、琼脂、葡萄糖、霍山石斛共生菌次生代谢产物上清液,PH调至5.8即得所述营养培养基;
步骤三、种子处理
选取饱满的未裂开的种子进行外植体消毒;
步骤四、接种方法
在无菌操作的环境下,用手术刀切开霍山石斛果荚的尾部,然后用镊子夹住果荚的上端,将果荚里面的种子均匀的撒到营养培养基上面,结束后盖好盖子,用手轻轻拍打瓶子,使种子与营养培养基充分接触;
步骤五、培养方法
将接种好的培养瓶,放置在培养架上,温度设定为为26~28℃,避光培养一周,然后放置在光照强度为2500lux,温度为25℃的培养架上培养10天,种子即可萌发发绿,25±1天后即可作增殖或者诱导。
作为上述技术方案的改进,所述营养培养基的制备方法为:先准备好干净的组培瓶、瓶盖并进行灭菌工作,按照配方准备好各种原材料;将天然复合物、琼脂各自煮开后均匀的混合在一起;按照营养培养基的配方将1/2MS培养基、土豆泥、琼脂、葡萄糖、霍山石斛共生菌次生代谢产物上清液混合成培养液,调节培养液的pH至5.8-6.0即得到所述营养培养基;对营养培养基进行灭菌、分装、存放、记录。
作为上述技术方案的改进,所述营养培养基放入灭菌锅内部采用湿热灭菌法进行灭菌,即灭菌锅内部的温度为121℃,灭菌锅内部的气压为0.11Mpa,灭菌时间为20min。
作为上述技术方案的改进,所述土豆泥的添加量为50g/L。
作为上述技术方案的改进,所述琼脂的添加量为5g/L。
作为上述技术方案的改进,所述葡萄糖的添加量30g/L。
作为上述技术方案的改进,所述霍山石斛共生菌次生代谢产物上清液的添加量为5ml/L。
作为上述技术方案的改进,所述微生物万能培养基为LB培养基。
本发明的有益效果:
1、霍山石斛种子在含有霍山石斛共生菌次生代谢产物的营养培养基上面,萌发生长的时间缩短,之前需要2个月左右,现在只需要35天。
2、霍山石斛种子在含有霍山石斛共生菌次生代谢产物的培养基上面,萌发率大大增加,用显微计数判断,萌发率达到90%以上。
3、霍山石斛种子在含有霍山石斛共生菌次生代谢产物的培养基上面萌发后,做实生苗时,种苗明显表现出粗壮,叶片墨绿的性状。
4、霍山石斛在野外的生长过程中,会产生共生菌,前期的种子培养,需要的培养基量小,这个方法简单易行,成本低,可以减少霍山石斛种苗的培育成本。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例1
1)、在野外环境下取正常生长的霍山石斛植株根及根部附近的腐殖质,用无菌水浸泡3小时后,用双层纱布过滤,取滤液用微生物万能培养基摇瓶培养12小时;之后静置2小时取上清液备用;该步骤为获取霍山石斛共生菌次生代谢产物的方法,该上清液中含有有利于霍山石斛种子萌发的活性成分。其中,所述微生物万能培养基为LB培养基。
2)、营养培养基的制作
用1/2MS培养基添加土豆泥、琼脂、葡萄糖、霍山石斛共生菌次生代谢产物上清液,PH调至5.8即得所述营养培养基;具体制备方法为:先准备好干净的组培瓶、瓶盖并进行灭菌工作,按照配方准备好各种原材料;将天然复合物、琼脂各自煮开后均匀的混合在一起;按照营养培养基的配方将1/2MS培养基、土豆泥、琼脂、葡萄糖、霍山石斛共生菌次生代谢产物上清液混合成培养液,调节培养液的pH至5.8-6.0即得到所述营养培养基;对营养培养基进行灭菌、分装、存放、记录。其中,所述土豆泥的添加量为50g/L,所述琼脂的添加量为5g/L,所述葡萄糖的添加量30g/L,所述霍山石斛共生菌次生代谢产物上清液的添加量为5ml/L。所述营养培养基放入灭菌锅内部采用湿热灭菌法进行灭菌,即灭菌锅内部的温度为121℃,灭菌锅内部的气压为0.11Mpa,灭菌时间为20min。
3)、种子处理
选取饱满的未裂开的种子进行外植体消毒;
4)、接种方法
在无菌操作的环境下,用手术刀切开霍山石斛果荚的尾部,然后用镊子夹住果荚的上端,将果荚里面的种子均匀的撒到营养培养基上面,结束后盖好盖子,用手轻轻拍打瓶子,使种子与营养培养基充分接触;
5)、培养方法
将接种好的培养瓶,放置在培养架上,温度设定为为26~28℃,避光培养一周,然后放置在光照强度为2500lux,温度为25℃的培养架上培养10天,种子即可萌发发绿,25±1天后即可作增殖或者诱导。
在该实施例中,所述霍山石斛种子萌发生长的时间为35天。用显微计数判断,所述霍山石斛种子的萌发率为90.8%。
实施例2
1)、培养基的准备
制作LB培养基
2)、种子处理
选取饱满的未裂开的种子进行外植体消毒;
3)、接种方法
在无菌操作的环境下,用手术刀切开霍山石斛果荚的尾部,然后用镊子夹住果荚的上端,将果荚里面的种子均匀的撒到LB培养基上面,结束后盖好盖子,用手轻轻拍打瓶子,使种子与营养培养基充分接触;
4)、培养方法
将接种好的培养瓶,放置在培养架上,温度设定为为26~28℃,避光培养一周,然后放置在光照强度为2500lux,温度为25℃的培养架上进行培养。
本实施例为实施例1中的对照实验,在本实施例中,霍山石斛种子萌发生长的时间为62天。用显微计数判断,霍山石斛种子的萌发率为56.6%。
在上述实施例中,通过对比实施例1和实施例2,霍山石斛种子通过在含有霍山石斛共生菌次生代谢产物的营养培养基进行培养,萌发生长的时间显著缩短,且萌发率显著提高。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤一、霍山石斛共生菌次生代谢产物的获得
在野外环境下取正常生长的霍山石斛植株根及根部附近的腐殖质,用无菌水浸泡3小时后,用双层纱布过滤,取滤液用微生物万能培养基摇瓶培养12小时;之后静置2小时取上清液备用;
步骤二、营养培养基的制作
用1/2MS培养基添加土豆泥、琼脂、葡萄糖、霍山石斛共生菌次生代谢产物上清液,PH调至5.8即得所述营养培养基;
步骤三、种子处理
选取饱满的未裂开的种子进行外植体消毒;
步骤四、接种方法
在无菌操作的环境下,用手术刀切开霍山石斛果荚的尾部,然后用镊子夹住果荚的上端,将果荚里面的种子均匀的撒到营养培养基上面,结束后盖好盖子,用手轻轻拍打瓶子,使种子与营养培养基充分接触;
步骤五、培养方法
将接种好的培养瓶,放置在培养架上,温度设定为为26~28℃,避光培养一周,然后放置在光照强度为2500lux,温度为25℃的培养架上培养10天,种子即可萌发发绿,25±1天后即可作增殖或者诱导。
2.根据权利要求1所述的一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法,其特征在于:所述营养培养基的制备方法为:先准备好干净的组培瓶、瓶盖并进行灭菌工作,按照配方准备好各种原材料;将天然复合物、琼脂各自煮开后均匀的混合在一起;按照营养培养基的配方将1/2MS培养基、土豆泥、琼脂、葡萄糖、霍山石斛共生菌次生代谢产物上清液混合成培养液,调节培养液的pH至5.8-6.0即得到所述营养培养基;对营养培养基进行灭菌、分装、存放、记录。
3.根据权利要求2所述的一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法,其特征在于:所述营养培养基放入灭菌锅内部采用湿热灭菌法进行灭菌,即灭菌锅内部的温度为121℃,灭菌锅内部的气压为0.11Mpa,灭菌时间为20min。
4.根据权利要求1所述的一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法,其特征在于:所述土豆泥的添加量为50g/L。
5.根据权利要求1所述的一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法,其特征在于:所述琼脂的添加量为5g/L。
6.根据权利要求1所述的一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法,其特征在于:所述葡萄糖的添加量30g/L。
7.根据权利要求1所述的一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法,其特征在于:所述霍山石斛共生菌次生代谢产物上清液的添加量为5ml/L。
8.根据权利要求1所述的一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法,其特征在于:所述微生物万能培养基为LB培养基。
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CN104904462A (zh) * | 2015-05-25 | 2015-09-16 | 浙江欧银农业发展有限公司 | 一种铁皮石斛种胚的直播方法 |
CN106888971A (zh) * | 2017-03-17 | 2017-06-27 | 皖西学院 | 一种采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法 |
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