CN109119356A - 阵列基板的检测设备及检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板的检测设备及检测方法，属于显示技术领域。阵列基板的检测设备，用于对待检测的阵列基板进行检测，包括：驱动电路，用于向阵列基板的像素电极输入预设画面的显示数据；发光器件，发光器件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的多个发光单元；测试机构，用于将发光器件的第一电极与阵列基板的像素电极电连接，向发光器件的第二电极输入预设电信号；处理机构，用于获取发光器件发出光线的光学信息，根据光学信息判断阵列基板是否存在电学不良。本发明能够对OLED显示基板的完成薄膜晶体管制程后的阵列基板进行检测，将阵列基板的性能与蒸镀有机发光层后的OLED显示基板的情况进行匹配。

Description

阵列基板的检测设备及检测方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种阵列基板的检测设备及检测方法。
背景技术
现有技术在制作显示基板时，在完成薄膜晶体管制程后，需要进行阵列基板检测工序，以检测薄膜晶体管制程完成后像素和信号线是否存在电性不良，但现有技术尚未有检测设备能够很好地对OLED(有机电致发光二极管)显示基板进行阵列基板检测，并将阵列基板的性能与蒸镀有机发光层后的OLED显示基板的情况进行匹配。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板的检测设备及检测方法，能够对OLED显示基板的完成薄膜晶体管制程后的阵列基板进行检测，将阵列基板的性能与蒸镀有机发光层后的OLED显示基板的情况进行匹配。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，本发明的实施例提供一种阵列基板的检测设备，用于对待检测的阵列基板进行检测，包括：
驱动电路，用于向所述阵列基板的像素电极输入预设画面的显示数据；
发光器件，所述发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的多个发光单元，在所述第一电极和第二电极之间电场的作用下，所述发光单元能够发光；
测试机构，用于将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接，向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号；
处理机构，用于获取所述发光器件发出光线的光学信息，根据所述光学信息判断所述阵列基板是否存在电学不良。
进一步地，所述处理机构包括：
位于所述发光器件出光侧的光学检测器件，用于获取所述发光器件发出光线的光学信息；
与所述光学检测器件连接的光电转换器件，用于将所述光学信息转换为电信号；
处理器，用于根据所述电信号判断所述阵列基板是否存在电学不良。
进一步地，所述发光器件包括多组发光单元，每组发光单元包括多个能够发出不同颜色光的发光单元，每组发光单元发光的光线能够混合成白光；
所述光学检测器件获取所述发光器件发出光线的光学信息，具体为获取所述白光的光学信息。
进一步地，所述测试机构具体用于将所述发光器件的第一电极与阵列基板的像素电极通过探针进行电连接，所述像素电极与所述第一电极一一对应，每一所述像素电极与对应的第一电极电连接。
进一步地，所述测试机构具体用于将所述发光器件和所述阵列基板置入封闭的测试腔室内，将所述发光器件的第一电极朝向所述阵列基板放置，所述第一电极与所述阵列基板之间的距离小于预设阈值，在所述第一电极和所述阵列基板之间通入导电粒子，通过所述导电粒子将所述阵列基板的像素电极的电信号传递给所述第一电极。
本发明实施例还提供了一种阵列基板的检测方法，应用于如上所述的阵列基板的检测设备，用于对待检测的阵列基板进行检测，包括：
向所述阵列基板的像素电极输入预设画面的显示数据；
将发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接，所述发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的多个发光单元，在所述第一电极和第二电极之间电场的作用下，所述发光单元能够发光；
向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号；
获取所述发光器件发出光线的光学信息，根据所述光学信息判断所述阵列基板是否存在电学不良。
进一步地，所述发光器件的面积小于所述阵列基板的面积，所述测试方法具体包括：
将所述发光器件移动至所述阵列基板的第一区域上方，将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的第一区域的像素电极电连接，向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号，获取所述发光器件发出光线的光学信息；
将所述发光器件移动至所述阵列基板的第二区域上方，将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的第二区域的像素电极电连接，向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号，获取所述发光器件发出光线的光学信息；
以此类推；
将所述发光器件移动至所述阵列基板的第N区域上方，将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的第N区域的像素电极电连接，向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号，获取所述发光器件发出光线的光学信息，其中，N为大于1的整数，所述第一区域至所述第N区域能够覆盖所述阵列基板的全部。
进一步地，所述将发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接包括：
将所述发光器件的第一电极与阵列基板的像素电极通过探针进行电连接，所述像素电极与所述第一电极一一对应，每一所述像素电极与对应的第一电极电连接。
进一步地，所述将发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接包括：
将所述发光器件和所述阵列基板置入封闭的测试腔室内；
将所述发光器件的第一电极朝向所述阵列基板放置，所述第一电极与所述阵列基板之间的距离小于预设阈值；
在所述第一电极和所述阵列基板之间通入导电粒子，通过所述导电粒子将所述阵列基板的像素电极的电信号传递给所述第一电极。
进一步地，所述根据所述光学信息判断所述阵列基板是否存在电学不良包括：
利用光电转换器件将所述光学信息转换为电信号，并根据所述电信号判断所述阵列基板是否存在电学不良。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，向待检测的阵列基板输入预设画面的显示数据，将发光器件的第一电极与阵列基板的像素电极电连接，向发光器件的第二电极输入预设电信号，获取发光器件发出光线的光学信息，并根据光学信息判断阵列基板是否存在电学不良，本发明的技术方案能够对OLED显示基板的完成薄膜晶体管制程后的阵列基板进行检测，将阵列基板的性能与蒸镀有机发光层后的OLED显示基板的情况进行匹配，从而方便预测蒸镀有机发光层后的OLED显示基板的性能，在预测OLED显示基板的性能不能满足要求时，可以对阵列基板进行拦截，不再在不良的阵列基板上蒸镀有机发光层，从而能够节省OLED显示基板的生产成本。
附图说明
图1为本发明实施例阵列基板的检测设备的示意图；
图2为本发明实施例发光器件的示意图；
图3为本发明实施例将发光器件移动至阵列基板第一区域上方的示意图。
附图标记
1 阵列基板
11 第一区域
2 驱动电路
3 光学器件
31 第一电极
32 第二电极
33 发光单元
4 导电粒子
51 光学检测器件
52 光电转换器件
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明的实施例提供一种阵列基板的检测设备及检测方法，能够对OLED显示基板的完成薄膜晶体管制程后的阵列基板进行检测，将阵列基板的性能与蒸镀有机发光层后的OLED显示基板的情况进行匹配。
本发明实施例还提供了一种阵列基板的检测设备，用于对待检测的阵列基板进行检测，包括：
驱动电路，用于向所述阵列基板输入预设画面的显示数据；
发光器件，所述发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的多个发光单元，在所述第一电极和第二电极之间电场的作用下，所述发光单元能够发光；
测试机构，用于将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接，向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号；
处理机构，用于获取所述发光器件发出光线的光学信息，根据所述光学信息判断所述阵列基板是否存在电学不良。
本实施例中，向待检测的阵列基板输入预设画面的显示数据，将发光器件的第一电极与阵列基板的像素电极电连接，向发光器件的第二电极输入预设电信号，获取发光器件发出光线的光学信息，并根据光学信息判断阵列基板是否存在电学不良，本发明的技术方案能够对OLED显示基板的完成薄膜晶体管制程后的阵列基板进行检测，将阵列基板的性能与蒸镀有机发光层后的OLED显示基板的情况进行匹配，从而方便预测蒸镀有机发光层后的OLED显示基板的性能，在预测OLED显示基板的性能不能满足要求时，可以对阵列基板进行拦截，不再在不良的阵列基板上蒸镀有机发光层，从而能够节省OLED显示基板的生产成本。
进一步地，所述发光器件包括多组发光单元，每组发光单元包括多个能够发出不同颜色光的发光单元，每组发光单元发光的光线能够混合成白光。具体地，发光器件的每组发光单元可以包括红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元。
其中，发光器件的面积可以与待检测的阵列基板的面积相等，为了节约成本，发光器件的面积也可以小于待检测的阵列基板的面积。在所述发光器件的面积小于所述阵列基板的面积时，每次检测可以利用发光器件检测阵列基板的部分区域，通过多次检测完成阵列基板全部区域的检测。
进一步地，所述处理机构包括：
位于所述发光器件出光侧的光学检测器件，用于获取所述发光器件发出光线的光学信息；
与所述光学检测器件连接的光电转换器件，用于将所述光学信息转换为电信号；
处理器，用于根据所述电信号判断所述阵列基板是否存在电学不良。
其中，光学检测器件可以为光学传感器、光电二极管或者图像采集器件等，为了能够降低光学检测的难度，向阵列基板输入的显示数据优选为纯色画面的显示数据，包括但不限于白色画面的显示数据、红色画面的显示数据、绿色画面的显示数据和蓝色画面的显示数据等。获取到的光学信息包括但不限于光线的波长和光线的强度。为了准确地判断阵列基板是否存在电学不良，可以利用利用光电转换器件将获取的光学信息转换为电信号，并根据所述电信号判断所述阵列基板是否存在电学不良。
一具体实施例中，所述测试机构具体用于将所述发光器件的第一电极与阵列基板的像素电极通过探针进行电连接，所述像素电极与所述第一电极一一对应，每一所述像素电极与对应的第一电极电连接。
另一具体实施例中，所述测试机构具体用于将所述发光器件和所述阵列基板置入封闭的测试腔室内，将所述发光器件的第一电极朝向所述阵列基板放置，所述第一电极与所述阵列基板之间的距离小于预设阈值，在所述第一电极和所述阵列基板之间通入导电粒子，通过所述导电粒子将所述阵列基板的像素电极的电信号传递给所述第一电极。
为了保证导电粒子可以将阵列基板的像素电极的电信号传递给第一电极，第一电极与阵列基板之间的距离不能设置的过大，预设阈值可以为100微米。具体地，第一电极与所述阵列基板之间的距离可以为30微米、50微米或80微米。
在利用导电粒子将阵列基板待检测区域的像素电极的电信号传递给第一电极时，为了避免阵列基板其他区域产生信号干扰，可以将导电粒子的输入装置设置在待检测区域的旁边，由上而下进行导电粒子的输入，导电粒子的输入范围与待检测区域的范围一致，这样可以避免阵列基板其他区域对待检测区域的信号干扰。
利用发光器件可以预测阵列基板上形成有机发光层后的发光效果，发光器件的发光单元与阵列基板的像素一一对应，第一电极与阵列基板的对应像素的像素电极连接，发光器件的第二电极接预设电信号，在向阵列基板输入预设画面的显示数据时，发光器件的每个发光单元的显示效果等同于阵列基板上形成有机发光层后对应像素的显示效果，如果通过获得的光学信息发现某一个发光单元不显示或者亮度明显低于其他发光单元，则可以判断阵列基板的相应像素存在电学不良。如果出现电学不良的像素的数量超过预设值，则可以判断阵列基板的性能不能满足要求，为不良的阵列基板，从而后续工艺中不再在不良的阵列基板上蒸镀有机发光层，避免了在不良的阵列基板上蒸镀有机发光层造成有机发光材料的浪费，从而能够节省OLED显示基板的生产成本。
本发明的实施例提供一种阵列基板的检测方法，应用于如上所述的阵列基板的检测设备，用于对待检测的阵列基板进行检测，包括：
向所述阵列基板输入预设画面的显示数据；
将发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接，所述发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的多个发光单元，在所述第一电极和第二电极之间电场的作用下，所述发光单元能够发光；
向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号；
获取所述发光器件发出光线的光学信息，根据所述光学信息判断所述阵列基板是否存在电学不良。
本实施例中，向待检测的阵列基板输入预设画面的显示数据，将发光器件的第一电极与阵列基板的像素电极电连接，向发光器件的第二电极输入预设电信号，获取发光器件发出光线的光学信息，并根据光学信息判断阵列基板是否存在电学不良，本发明的技术方案能够对OLED显示基板的完成薄膜晶体管制程后的阵列基板进行检测，将阵列基板的性能与蒸镀有机发光层后的OLED显示基板的情况进行匹配，从而方便预测蒸镀有机发光层后的OLED显示基板的性能，在预测OLED显示基板的性能不能满足要求时，可以对阵列基板进行拦截，不再在不良的阵列基板上蒸镀有机发光层，从而能够节省OLED显示基板的生产成本。
进一步地，所述发光器件包括多组发光单元，每组发光单元包括多个能够发出不同颜色光的发光单元，每组发光单元发光的光线能够混合成白光。具体地，发光器件的每组发光单元可以包括红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元。
其中，发光器件的面积可以与待检测的阵列基板的面积相等，为了节约成本，发光器件的面积也可以小于待检测的阵列基板的面积。
在所述发光器件的面积小于所述阵列基板的面积时，所述测试方法具体包括：
将所述发光器件移动至所述阵列基板的第一区域上方，将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的第一区域的像素电极电连接，向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号，获取所述发光器件发出光线的光学信息；
将所述发光器件移动至所述阵列基板的第二区域上方，将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的第二区域的像素电极电连接，向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号，获取所述发光器件发出光线的光学信息；
以此类推；
将所述发光器件移动至所述阵列基板的第N区域上方，将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的第N区域的像素电极电连接，向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号，获取所述发光器件发出光线的光学信息，其中，N为大于1的整数，所述第一区域至所述第N区域能够覆盖所述阵列基板的全部。
一具体实施例中，所述将发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接包括：
将所述发光器件的第一电极与阵列基板的像素电极通过探针进行电连接，所述像素电极与所述第一电极一一对应，每一所述像素电极与对应的第一电极电连接。
另一具体实施例中，所述将发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接包括：
将所述发光器件和所述阵列基板置入封闭的测试腔室内；
将所述发光器件的第一电极朝向所述阵列基板放置，所述第一电极与所述阵列基板之间的距离小于预设阈值；
在所述第一电极和所述阵列基板之间通入导电粒子，通过所述导电粒子将所述阵列基板的像素电极的电信号传递给所述第一电极。
为了保证导电粒子可以将阵列基板的像素电极的电信号传递给第一电极，第一电极与阵列基板之间的距离不能设置的过大，预设阈值可以为100微米。具体地，第一电极与所述阵列基板之间的距离可以为30微米、50微米或80微米。
利用发光器件可以预测阵列基板上形成有机发光层后的发光效果，发光器件的发光单元与阵列基板的像素一一对应，第一电极与阵列基板的对应像素的像素电极连接，发光器件的第二电极接预设电信号，在向阵列基板输入预设画面的显示数据时，发光器件的每个发光单元的显示效果等同于阵列基板上形成有机发光层后对应像素的显示效果，如果通过获得的光学信息发现某一个发光单元不显示或者亮度明显低于其他发光单元，则可以判断阵列基板的相应像素存在电学不良。如果出现电学不良的像素的数量超过预设值，则可以判断阵列基板的性能不能满足要求，为不良的阵列基板，从而后续工艺中不再在不良的阵列基板上蒸镀有机发光层，避免了在不良的阵列基板上蒸镀有机发光层造成有机发光材料的浪费，从而能够节省OLED显示基板的生产成本。
其中，可以利用设置在发光器件的出光侧的光学检测器件获取所述发光器件发出光线的光学信息，光学检测器件可以为光学传感器、光电二极管或者图像采集器件等，为了能够降低光学检测的难度，向阵列基板输入的显示数据优选为纯色画面的显示数据，包括但不限于白色画面的显示数据、红色画面的显示数据、绿色画面的显示数据和蓝色画面的显示数据等。获取到的光学信息包括但不限于光线的波长和光线的强度。
进一步地，所述根据所述光学信息判断所述阵列基板是否存在电学不良包括：
利用光电转换器件将所述光学信息转换为电信号，并根据所述电信号判断所述阵列基板是否存在电学不良。
为了准确地判断阵列基板是否存在电学不良，可以利用利用光电转换器件将获取的光学信息转换为电信号，并根据所述电信号判断所述阵列基板是否存在电学不良。
下面结合附图以及具体的实施例对本发明的技术方案进行进一步介绍：
如图1所示，本实施例的阵列基板的检测设备包括与待检测的阵列基板1连接的驱动电路2，驱动电路2向阵列基板输入预设画面的显示数据，本实施例中，驱动电路2依次向阵列基板1输入白色画面的显示数据、红色画面的显示数据、蓝色画面的显示数据、绿色画面的显示数据；位于阵列基板1上方的发光器件3，如图2所示，发光器件3包括第一电极31、第二电极32以及位于第一电极31和第二电极32之间的多个发光单元33，发光单元包括红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元，在第一电极31和第二电极33之间电场的作用下，发光单元33能够发光，本实施例中，第一电极31采用反光导电材料制成，具体可以采用ITO/Ag/ITO，第二电极32采用透明导电材料制成，具体可以采用ITO或IZO，发光单元33发出的光线经过第二电极32出射。本实施例的阵列基板的检测设备还包括测试机构，测试机构在位于封闭的测试腔室内的阵列基板1和发光器件3之间通入导电粒子4，导电粒子4将阵列基板1上像素电极上的电信号传递给第一电极31，测试机构还向第二电极32输入预设电信号，使得第一电极31和第二电极32之间产生电场，驱动发光单元33发光。本实施例的阵列基板的检测设备还包括处理机构，处理机构包括位于第二电极32一侧的光学检测器件51和与光学检测器件51连接的光电转换器件52，光学检测器件51采集发光单元33发出的光线的光学信息，光电转换器件52将光学信息转换为电信号，并通过电信号判断阵列基板是否出现电学不良。
本实施例中，在对阵列基板进行检测时，通过驱动电路使阵列基板的像素电极处有电压，电压通过导电粒子4传递给第一电极31，由于第一电极31和第二电极32之间存在电压差，使得发光单元发光，通过收集发光单元发出的光线的强度、波长等信息，并通过光电转换器件52将光学信息转换为电信号，可以得到每个像素电极处电压的大小，输出阵列基板的电学图片，并通过单独分析发光器件发出的红光、蓝光和绿光，可以输出阵列基板的不同颜色的像素的光学图片；通过电学图片和光学图片，可以筛选出电学性能较好的阵列基板进行有机发光层蒸镀。本实施例这种模拟后端有机发光层蒸镀后的OLED显示基板发RGBW光的方式，对阵列基板进行筛选，可以有效的预测有机发光层蒸镀后，OLED显示基板显示BGRW画面的状态和点线Mura(亮斑)等不良的状态，从而有效拦截不良的阵列基板。
本实施例中，如图3所示，光学器件3的面积小于待检测的阵列基板1的面积，可以将阵列基板1划分为N个区域，每个区域的面积与光学器件3的面积相等，首先将光学器件3移动至阵列基板1的第一区域11的上方，利用光学器件3对第一区域11进行检测，之后可以将光学器件3移动至阵列基板1的第二区域的上方，利用光学器件3对第二区域进行检测，以此类推，通过N次检测即可完成对阵列基板1的全部区域的检测。
本实施例中，利用发光器件可以预测阵列基板上形成有机发光层后的发光效果，将阵列基板的性能与蒸镀有机发光层后的OLED显示基板的情况进行匹配，在向阵列基板输入白色画面的显示数据时，发光器件的每个发光单元的显示效果等同于阵列基板上形成有机发光层后对应像素的显示效果，如果通过获得的光学信息发现某一个发光单元不显示或者亮度明显低于其他发光单元，则可以判断阵列基板的相应像素存在电学不良。如果出现电学不良的像素的数量超过预设值，则可以判断阵列基板的性能不能满足要求，为不良的阵列基板，可以对不良的阵列基板进行拦截，防止不良的阵列基板流通到后续工艺中，从而后续工艺中不再在不良的阵列基板上蒸镀有机发光层，避免了在不良的阵列基板上蒸镀有机发光层造成有机发光材料的浪费，从而能够节省OLED显示基板的生产成本。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板的检测设备，其特征在于，用于对待检测的阵列基板进行检测，包括：
驱动电路，用于向所述阵列基板的像素电极输入预设画面的显示数据；
发光器件，所述发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的多个发光单元，在所述第一电极和第二电极之间电场的作用下，所述发光单元能够发光；
测试机构，用于将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接，向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号；
处理机构，用于获取所述发光器件发出光线的光学信息，根据所述光学信息判断所述阵列基板是否存在电学不良。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的检测设备，其特征在于，所述处理机构包括：
位于所述发光器件出光侧的光学检测器件，用于获取所述发光器件发出光线的光学信息；
与所述光学检测器件连接的光电转换器件，用于将所述光学信息转换为电信号；
处理器，用于根据所述电信号判断所述阵列基板是否存在电学不良。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的检测设备，其特征在于，所述发光器件包括多组发光单元，每组发光单元包括多个能够发出不同颜色光的发光单元，每组发光单元发光的光线能够混合成白光；
所述光学检测器件获取所述发光器件发出光线的光学信息，具体为获取所述白光的光学信息。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的检测设备，其特征在于，所述测试机构具体用于将所述发光器件的第一电极与阵列基板的像素电极通过探针进行电连接，所述像素电极与所述第一电极一一对应，每一所述像素电极与对应的第一电极电连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的检测设备，其特征在于，所述测试机构具体用于将所述发光器件和所述阵列基板置入封闭的测试腔室内，将所述发光器件的第一电极朝向所述阵列基板放置，所述第一电极与所述阵列基板之间的距离小于预设阈值，在所述第一电极和所述阵列基板之间通入导电粒子，通过所述导电粒子将所述阵列基板的像素电极的电信号传递给所述第一电极。
6.一种阵列基板的检测方法，其特征在于，应用于如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板的检测设备，用于对待检测的阵列基板进行检测，包括：
向所述阵列基板的像素电极输入预设画面的显示数据；
将发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接，所述发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的多个发光单元，在所述第一电极和第二电极之间电场的作用下，所述发光单元能够发光；
向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号；
获取所述发光器件发出光线的光学信息，根据所述光学信息判断所述阵列基板是否存在电学不良。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的检测方法，其特征在于，所述发光器件的面积小于所述阵列基板的面积，所述测试方法具体包括：
将所述发光器件移动至所述阵列基板的第一区域上方，将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的第一区域的像素电极电连接，向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号，获取所述发光器件发出光线的光学信息；
将所述发光器件移动至所述阵列基板的第二区域上方，将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的第二区域的像素电极电连接，向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号，获取所述发光器件发出光线的光学信息；
以此类推；
将所述发光器件移动至所述阵列基板的第N区域上方，将所述发光器件的第一电极与所述阵列基板的第N区域的像素电极电连接，向所述发光器件的所述第二电极输入预设电信号，获取所述发光器件发出光线的光学信息，其中，N为大于1的整数，所述第一区域至所述第N区域能够覆盖所述阵列基板的全部。
8.根据权利要求6所述的阵列基板的检测方法，其特征在于，所述将发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接包括：
将所述发光器件的第一电极与阵列基板的像素电极通过探针进行电连接，所述像素电极与所述第一电极一一对应，每一所述像素电极与对应的第一电极电连接。
9.根据权利要求6所述的阵列基板的检测方法，其特征在于，所述将发光器件的第一电极与所述阵列基板的像素电极电连接包括：
将所述发光器件和所述阵列基板置入封闭的测试腔室内；
将所述发光器件的第一电极朝向所述阵列基板放置，所述第一电极与所述阵列基板之间的距离小于预设阈值；
在所述第一电极和所述阵列基板之间通入导电粒子，通过所述导电粒子将所述阵列基板的像素电极的电信号传递给所述第一电极。
10.根据权利要求6所述的阵列基板的检测方法，其特征在于，所述根据所述光学信息判断所述阵列基板是否存在电学不良包括：
利用光电转换器件将所述光学信息转换为电信号，并根据所述电信号判断所述阵列基板是否存在电学不良。
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