CN109075528B - 波长可变光源以及波长可变光源的波长切换控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的波长可变光源具有波长可变激光元件和控制装置，波长可变激光元件具有：M个激光二极管，它们进行激光振荡并输出光；合波分波器，其对从M个激光二极管输出的光进行合波，并分支成两部分进行输出；第一半导体光放大器，其对分支出的一个输出光进行放大而输出第一出射光；以及第二半导体光放大器，其对分支出的另一个输出光进行放大而输出第二出射光，控制装置通过切换向第二半导体光放大器提供的电力，执行第一出射光和第二出射光的波长的波长切换控制。

Description

波长可变光源以及波长可变光源的波长切换控制方法
技术领域
本发明涉及在数字相干通信中使用的波长可变光源以及波长可变光源的波长切换控制方法。
背景技术
近年来，为了支持持续跳跃式增长的通信需求，在光通信中，导入能够通过1条光纤实现大容量传输的波分复用(Wavelength Division Multiplexing，以下称作WDM)系统。对于光源而言，从维护/实用性的观点出发，理想的是使用能够输出任意波长的光的波长可变光源，而不是准备多个只输出对应波长的光源。
另外，作为通信方式，数字相干通信技术的应用已成为主流。在相干通信中，需要与传送数据的发送光不同的、在接收侧与发送光发生干涉来还原相位信息的本地光。为了准确地还原相位信息，需要发送光和本地光的波长是相同的。因此，发送光和本地光这两种光都要求波长可变性。
从降低功耗和减小安装面积的观点出发，提出了一种将1个波长可变光源兼用作发送光用光源和本地光用光源的结构(例如，参照专利文献1)。
作为波长可变光源的性能，对高速波长切换的要求越来越高。并且，理想的是应用到在故障恢复时切换到新的光路的波长恢复、以及不受电气的频带或延迟影响的光开关等。
对于在波长可变光源中使用的半导体激光元件，可以应用如下方法：通过温度调整对波长进行控制的方法、以及通过向为了控制波长而设置的控制层注入电流从而对波长进行控制的方法。在后者的方法中，存在当进行波长调整时谱线宽度劣化这样的问题。因此，后者的方法不适于要求窄线宽度光源的数字相干通信。
在前者的方法中，要想实现高速切换，从热收敛速度的观点出发，使用元件内热源的温度调整是有力的。例如，公开有如下方法：在集成多个激光二极管(以下称作LD)而成的半导体激光元件中，当进行波长切换时，通过改变向与进行激光振荡的LD相邻的LD提供的电力，进行温度调整(例如，参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-65406号公报
专利文献2：日本特开2015-207738号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，现有技术存在以下的课题。
一般来讲，在半导体激光元件中，集成有波长不同的多个LD、输入从LD输出的光进行合波而输出的多模干涉(Multi Mode Interference)型的光合波电路(以下称作MMI)、以及对从MMI输出的光进行放大的半导体光放大器(Semiconductor Optical Amplifier，以下称作SOA)。并且，以往的半导体激光元件通过选择进行激光振荡的LD以及调整LD的温度来输出期望波长的光。
在元件的构成要素中，LD和SOA作为热源发挥作用。并且，通过改变向LD和SOA注入的电流，发热量发生变化，因此，能够对LD的温度进行调整。但是，当向除了正在进行激光振荡的LD以外的LD注入电流时，即使在没有达到激光振荡的情况下，随着自发发射光的增加，串扰增大，通信性能劣化。
在将SOA作为热源的情况下，当注入到SOA的电流发生变化时，出射光的功率发生变化。因此，在用于数字相干通信的情况下存在如下课题：在对功率要求严格的发送光中，SOA电流的可调整范围较窄。
针对这样的课题，还存在如下方法：在元件内设置加热器等其他热源并应用到温度调整中。但是，存在需要用于设置其他电源的特殊结构这样的课题。
本发明正是为了解决上述问题而完成的，其目的在于得到一种波长可变光源以及波长可变光源的波长切换控制方法，能够扩大发送光的波长可变范围而不増大串扰。
用于解决课题的手段
本发明的波长可变光源具有波长可变激光元件和控制装置，该波长可变激光元件从2条以上的M条光中输出第一出射光和第二出射光，该控制装置通过控制波长可变激光元件，将第一出射光和第二出射光的波长切换控制成期望的值，波长可变激光元件具有：M个激光二极管，它们进行激光振荡并输出光；合波分波器，其对从M个激光二极管输出的光进行合波，并分支成两部分即第一输出光和第二输出光进行输出；第一半导体光放大器，其对从合波分波器输出的第一输出光进行放大而输出第一出射光；以及第二半导体光放大器，其对从合波分波器输出的第二输出光进行放大而输出第二出射光，控制装置切换向第二半导体光放大器提供的电力，将第二半导体光放大器作为热源进行温度调整，由此，执行第一出射光和第二出射光的波长的波长切换控制。
另外，本发明的波长可变光源的波长切换控制方法是在波长可变光源中由控制装置执行的，该波长可变光源具有波长可变激光元件和控制装置，波长可变激光元件构成为具有：M个激光二极管，它们进行激光振荡并输出光；合波分波器，其对从M个激光二极管输出的光进行合波，并分支成两部分即第一输出光和第二输出光进行输出；第一半导体光放大器，其对从合波分波器输出的第一输出光进行放大而输出第一出射光；以及第二半导体光放大器，其对从合波分波器输出的第二输出光进行放大而输出第二出射光，控制装置通过控制波长可变激光元件，将第一出射光和第二出射光的波长切换控制成期望的值，其特征在于，该波长可变光源的波长切换控制方法具有如下步骤：第一步骤，为了将第一出射光和第二出射光都从切换前的第一波长切换控制成切换后的第二波长，当设向M个激光二极管提供的电力为LD电力，向第一半导体光放大器提供的电力为第一SOA电力，向第二半导体光放大器提供的电力为第二SOA电力时，设第一SOA电力在波长切换前后是相同值，分别设用于成为第一波长的LD电力和第二SOA电力为第一电力和第二电力，分别设用于成为第二波长的LD电力和第二SOA电力为第三电力和第四电力，使存储部预先存储第一SOA电力、第一电力、第二电力、第三电力以及第四电力的对应关系；第二步骤，在输出第一出射光和第二出射光作为第一波长时，参照存储部中存储的对应关系，向第一半导体光放大器提供第一SOA电力，提供第一电力作为LD电力，且提供第二电力作为第二SOA电力；以及第三步骤，在从第一波长切换成第二波长而输出第一出射光和第二出射光时，参照存储部中存储的对应关系，将向第一半导体光放大器提供的电力维持在第一SOA电力，并且，提供第三电力作为LD电力，且提供第四电力作为第二SOA电力。
发明效果
根据本发明，具有如下结构：将2个SOA中的1个SOA作为热源，通过控制提供的电力量，将出射的激光的波长切换控制成期望的值。其结果是，能够得到一种波长可变光源以及波长可变光源的波长切换控制方法，能够扩大发送光的波长可变范围而不增大串扰。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的波长可变光源的结构图。
图2是示出在本发明的实施方式1中，根据存储部中存储的数据，通过控制处理部实施了波长切换时的各电流值的状态的时序图。
图3是示出在本发明的实施方式2中，根据存储部中存储的数据，通过控制处理部实施了波长切换时的各电流值的状态的时序图。
图4是示出在本发明的实施方式3中，根据存储部中存储的数据，通过控制处理部实施了波长切换时的各电流值的状态的时序图。
图5是本发明的实施方式4的波长可变光源的结构图。
图6是示出在本发明的实施方式4中，根据存储部中存储的数据，通过控制处理部实施了波长切换时的各电流值的状态的时序图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的波长可变光源以及波长可变光源的波长切换控制方法的优选实施方式进行说明。
实施方式1
图1是本发明的实施方式1的波长可变光源的结构图。本实施方式1中的相当于波长可变光源的波长可变激光元件1构成为具有LD2、MMI3、第一SOA4以及第二SOA5。
这里，图1中例示出的LD2由进行激光振荡而产生光的12个LD2a～LD2l构成。并且，MMI3对来自12个LD2a～LD2l的输出进行合波，分支成2条进行输出。
第一SOA4对来自MMI3的2条输出中的一个光进行放大，作为第一出射光6进行输出。另外，第二SOA5对来自MMI3的2条输出中的另一个光进行放大，作为第二出射光7进行输出。
另外，以下，将K输入(K是自然数)、L输出(L是自然数)的MMI3记载成K×L-MMI。本实施方式1中的图1所示的MMI3相当于12×2-MMI。
如上所述，从波长可变激光元件1出射2条激光即第一出射光6和第二出射光7。在本实施方式1中，设将第一出射光6用作发送光，将第二出射光7用作本地光进行如下说明。
波长可变激光元件1连接着具有存储部8a和控制处理部8b的控制装置8。存储部8a是在波长切换前后将分别注入到LD2、第一SOA4、以及第二SOA5的电流量与波长关联地进行保存的存储装置。另外，控制处理部8b是根据存储部8a中保存的数据，对分别注入到LD2、第一SOA4以及第二SOA5的电流量进行调整并执行波长切换控制的控制器。
接着，对进行波长切换动作时的控制方法进行具体说明。在本实施方式1的控制方法中，预先通过实验等，取得进行激光振荡的LD2、第一SOA4以及第二SOA5在波长切换前后的驱动条件(即提供的电流值)。以下，以将LD2a用作LD2的情况为例进行说明。
首先，使用波长仪和电流仪，分别取得向产生切换前的波长λ1的LD2a注入的电流ILDa-1、向第一SOA4注入的电流ISOA1-1以及向第二SOA5注入的电流ISOA2-1的值，将波长λ1与各电流值关联地作为λ1的数据存储到控制装置8内的存储部8a。
接着，从向LD2a注入电流ILDa-1，向第一SOA4注入电流ISOA1-1，向第二SOA5注入电流ISOA2-1的状态起实施切换，使得只改变向第二SOA5注入的电流。并且，为了在切换后产生波长λ2，使用波长仪和电流仪，取得向第二SOA5注入的电流ISOA2-2，将波长λ2与各电流值关联地作为λ2的数据存储到控制装置8内的存储部8a。
这里，在波长λ2与波长λ1相比是长波长的情况下，在波长切换时需要使LD的温度上升，因此，处于ISOA2-2＞ISOA2-1的关系。另一方面，在波长λ2与波长λ1相比是短波长的情况下，在波长切换时需要使LD的温度下降，因此，处于ISOA2-2＜ISOA2-1的关系。
另外，用于产生波长λ1的电流值数据的组合以及用于产生波长λ2的电流值数据的组合不是1组而存在多组。能够鉴于针对发送光和本地光的功率等的期望性能和功耗等适当确定这些组合。
另外，第一出射光6和第二出射光7均是由LD2产生的光分别被第一SOA4和第二SOA5放大后出射的光。这里，由于波长不会因各个SOA的放大而变化，因此，第一出射光6和第二出射光7的波长相同。
因此，在为了取得波长λ1和波长λ2的数据而预先进行的实验中对波长进行测量时，可以使用第一出射光6、第二出射光7中的任意出射光。
图2是示出在本发明的实施方式1中，根据存储部8a中存储的数据，通过控制处理部8b实施了波长切换时的各电流值的状态的时序图。如图2所示，在波长切换前处于如下状态：向LD2a施加电流ILDa-1，向第一SOA4施加电流ISOA1-1，向第二SOA5施加电流ISOA2-1。
并且，在波长切换后，控制处理部8b将向第二SOA5施加的电流从ISOA2-1切换成ISOA2-2而不改变向LD2a和第一SOA4施加的电流。这样的切换控制是通过前馈控制而进行的。
另外，在本例中，假设波长λ2与波长λ1相比是长波长的情况，ISOA2-2＞ISOA2-1。但是，在波长λ2与波长λ1相比是短波长的情况下，ISOA2-2＜ISOA2-1。
并且，在本例中，对假设是恒流源，控制装置8通过切换注入电流进行波长切换的情况进行了说明。但是，也可以是，控制装置8使用恒压源以代替恒流源，通过切换施加电压进行波长切换。换言之，只要是将SOA作为热源，通过控制提供的电力来进行温度调整，从而执行波长切换即可。
在这种情况下，在预先进行的实验中，使用波长仪和电压仪，取得在产生波长λ1时向LD2a施加的施加电压VLDa-1、向第一SOA4施加的施加电压VSOA1-1、向第二SOA5施加的施加电压VSOA2-1，以及在产生波长λ2时向第二SOA5施加的施加电压VSOA2-2，作为切换前后的数据存储到控制装置8内的存储部8a。
并且，在波长切换时，控制处理部8b从向LD2a施加电压VLDa-1、向第一SOA4施加电压VSOA1-1、向第二SOA5施加电压VSOA2-1的状态起，将向第二SOA5施加的电压从VSOA2-1切换成VSOA2-2。
接着，对本实施方式1的波长可变光源的作用效果进行说明。
在本实施方式1中，第一出射光6的波长和第二出射光7的波长都通过LD2a的温度调整而改变。因此，通过改变向作为热源发挥作用的第二SOA5注入的电流，其结果是能够对LD2a进行温度调整，由此，能够改变第一出射光6和第二出射光7双方的波长。
在为了数字相干通信而供给2个光源的情况下，作为发送光，需要比本地光大的功率。因此，通过将第一出射光6用作发送光，将第二出射光7用作本地光并进行本实施方式1的波长切换控制，根据以电流调整宽度较宽的本地光的SOA为热源的温度调整，不仅能够切换本地光的波长，而且能够切换发送光的波长。其结果是，具有发送光的波长可变范围扩大这样的效果。
另外，在本实施方式1的波长切换控制中，除了正在进行激光振荡的LD以外不注入电流。因此，能够在不增大串扰的情况下进行波长切换。
另外，在本实施方式1中使用12×2-MMI，但只要适当地设计MMI3，就能够按照与12×1-MMI时相同程度的比例，结合输出LD输出光。
因此，与准备2个使用12×1-MMI的光源而分别用作发送光和本地光的现有技术相比，由于向SOA输入的输入功率是相同程度，因此，SOA的电流调整范围不会变窄。
并且，在本实施方式1的波长可变激光元件1中，除了LD2、第一SOA4以及第二SOA5以外，没有设置加热器等的热源。因此，具有以下效果：能够减少控制装置8所需的电流源或者电压源的个数，能够降低波长可变光源的成本。
另外，在本实施方式1中，对在波长切换前后向第一SOA4注入的电流保持固定的情况进行了说明。但是，向第一SOA4注入的电流并不需要是固定的，也可以在满足发送光的功率要求的范围内改变。
并且，LD2不需要是12个，也可以少于12个，也可以多于12个。在这种情况下，MMI3的输入数与LD2的个数是相同的值。即，当LD2是M个(M为自然数)的情况下，MMI3是M×2-MMI。
另外，设发生振荡的LD为LD2a进行了说明，但并非一定是LD2a，根据所需的波长，有时也使其他LD振荡。
另外，在本实施方式1中，将第一出射光6用作发送光，将第二出射光7用作本地光，但也可以是，将第一出射光6用作本地光，将第二出射光7用作发送光。在这种情况下，控制处理部8b执行波长切换控制，使得在波长切换时，不切换向LD2a和第二SOA5注入的电流，只切换向第一SOA4注入的电流。
另外，在本实施方式1中，假设如数字相干通信那样要求发送光具有比本地光大的功率的情况，对在波长切换时改变向本地光侧的SOA注入的电流的情况进行了说明。但是，在要求本地光具有比发送光大的功率的用途下，也可以是，控制处理部8b在波长切换时改变向发送光侧的SOA注入的电流。
如上所述，根据实施方式1，具有如下结构：通过对向一个SOA注入的电流值进行控制，将出射的激光的波长切换控制成期望的值。其结果是，能够实现波长可变光源以及波长可变光源的控制方法，能够扩大发送光的波长可变范围而不増大串扰。
实施方式2
在前面的实施方式1中，对通过改变第二SOA5的电流值而进行波长切换控制的情况进行了说明。对此，在本实施方式2中，对通过除了改变第二SOA5的电流值以外还改变向LD2施加的电流值，从而进行波长切换控制的情况进行说明。另外，装置结构与前面的实施方式1的图1相同。
具体地说明本实施方式2的波长切换动作时的控制方法。首先，与前面的实施方式1相同，通过预先进行的实验等，取得电流ILDa-1、电流ISOA1-1以及电流ISOA2-1的各测量数据作为波长切换前的波长λ1的数据。并且，将取得的测量数据作为λ1的数据存储到控制装置8内的存储部8a。
接着，在取得波长切换后的波长λ2的数据时，从向LD2a注入电流ILDa-1、向第一SOA4注入电流ISOA1-1、向第二SOA5注入电流ISOA2-1的状态起，不仅第二SOA5的电流变化而且LD2的电流也变化，但是，向第一SOA4注入的电流不变化。
接着，使用波长仪和电流仪，取得向产生切换后的波长λ2的LD2a注入的注入电流ILDa-2、向第二SOA5注入的注入电流ISOA2-2，作为λ2的数据存储到控制装置8内的存储部8a。
图3是示出在本发明的实施方式2中，根据存储部8a中存储的数据，通过控制处理部8b实施了波长切换时的各电流值的状态的时序图。如图3所示，在波长切换前处于如下状态：向LD2a施加电流ILDa-1，向第一SOA4施加电流ISOA1-1，向第二SOA5施加电流ISOA2-1。
接着，在切换后，控制处理部8b不改变向第一SOA4施加的电流，而将向LD2a施加的电流从ILDa-1切换成ILDa-2，并且将向第二SOA5施加的电流从ISOA2-1切换成ISOA2-2。这样的切换控制是通过前馈控制进行的。
另外，在本例中，假设波长λ2与波长λ1相比是长波长的情况，ILDa-2＞ILDa-1，ISOA2-2＞ISOA2-1。但是，在波长λ2与波长λ1相比是短波长的情况下，ILDa-2＜ILDa-1，ISOA2-2＜ISOA2-1。
接着，对本实施方式2的波长可变光源的作用效果进行说明。
在本实施方式2中，不仅第二SOA5被用作调整LD2a的温度的热源，而且LD2a本身也被用作调整LD2a的温度的热源。这里，当LD2a的电流变化时，第一出射光6和第二出射光7的谱线宽度变化。
在数字相干通信中，为了使发送光与本地光稳定地干涉，还设置有谱线宽度的规定。因此，通过在满足谱线宽度的要求的范围内改变向LD2a的注入电流，与只将第一SOA4用作热源的情况相比，能够扩大LD2a的温度的可调整范围。其结果是，通过执行本实施方式2的波长切换控制，能够取得波长可变范围变宽这样的效果。
如上所述，根据实施方式2，具有如下结构：通过对向SOA注入的电流值以及向LD本身注入的电流值进行可变控制，将出射的激光的波长切换控制成期望的值。其结果是，能够取得与前面的实施方式1相同的效果，并且能够取得以下的进一步的效果：能够使波长可变范围变宽，能够扩大适用范围。
实施方式3
在前面的实施方式1、2中，对进行激光振荡的LD在波长切换前后只是LD2a的情况进行了说明。对此，在本实施方式3中，对进行激光振荡的LD在波长切换前后不同的情况进行说明。另外，装置结构与前面的实施方式1的图1相同。
具体地说明本实施方式3的波长切换动作时的控制方法。首先，与前面的实施方式1相同，通过预先进行的实验等，取得电流ILDa-1、电流ISOA1-1以及电流ISOA2-1的各测量数据作为波长切换前的波长λ1的数据。并且，将取得的测量数据作为λ1的数据存储到控制装置8内的存储部8a。
接着，在取得波长切换后的波长λ2的数据时，处于没有向在波长切换前振荡的LD2a注入电流而向在波长切换后振荡的LD2b注入电流ILDb-2的状态，并且从向第一SOA4注入电流ISOA1-1，向第二SOA5注入电流ISOA2-1的状态起，只改变向第二SOA5注入的电流，取得产生波长λ2的电流ISOA2-2。接着，将取得的测量数据作为λ2的数据存储到控制装置8内的存储部8a。
另外，将电流ILDb-2设定成，在向LD2a注入ILDa-1的情况下和向LD2b注入ILDb-2的情况下，LD的输出是相同程度。
图4是示出在本发明的实施方式3中，根据存储部8a中存储的数据，通过控制处理部8b实施了波长切换时的各电流值的状态的时序图。如图4所示，在波长切换前处于如下状态：向LD2a施加电流ILDa-1，向第一SOA4施加电流ISOA1-1，向第二SOA5施加电流ISOA2-1。
接着，在切换后，控制处理部8b不改变向第一SOA4施加的电流，不向LD2a注入电流而向LD2b注入ILDb-2，并且将向第二SOA5施加的电流从ISOA2-1切换成ISOA2-2。这样的切换控制是通过前馈控制进行的。
接着，对本实施方式3的波长可变电源的作用效果进行说明。
在本实施方式3中，在波长切换时，不仅对LD的温度进行了调整，而且对进行激光振荡的LD进行了变更。其结果是，具有能够扩大波长可变范围这样的效果。
另外，将波长切换前后的LD2的输出即波长切换前的LD2a的输出与波长切换后的LD2b的输出设定成相同程度。并且，向第一SOA4注入的电流也不变化。其结果是，发送光的功率在波长切换前后保持大致固定。
另外，在本实施方式3中，对进行激光振荡的LD进行了切换，但是，在波长切换之前和之后，只分别对1个LD注入了电流。因此，串扰也不会增大。
另外，在本实施方式3中，对电流ILDa-1、电流ILDb-2进行了设定，使得LD2的输出在波长切换前后不变化。但是，即使输出不严格地相同，只要在发送光的功率满足要求值的范围内，则电流ILDb-2也可以变动。
另外，在本例中，虽然ISOA2-2＞ISOA2-1，但是，根据切换后的波长λ2，有时也可能有ISOA2-2＜ISOA2-1的情况。即，只要是在向LD2b注入电流ILDb-2、向第一SOA4注入电流ISOA1-1、向第二SOA5注入电流ISOA2-1的状态下的切换后的波长λ2与切换前的波长λ1相比是长波长，由于需要使LD2的温度上升，因此ISOA2-2＞ISOA2-1。
另一方面，只要是切换后的波长λ2与切换前的波长λ1相比是短波长，由于需要使LD2的温度下降，因此ISOA2-2＜ISOA2-1。
另外，在本实施方式3中，例示出在波长切换前使LD2a振荡，在波长切换后使LD2b振荡的情况。但是，并非一定是该组合，根据在波长切换前后所需的波长，有时还是其他的LD组合。
如上所述，根据实施方式3，具有如下结构：在进行控制以使波长切换前后进行振荡的LD不同的基础上，将出射的激光的波长切换控制成期望的值。其结果是，能够取得与前面的实施方式1相同的效果，并且与前面的实施方式2同样，能够取得以下的进一步的效果：能够使波长可变范围变宽，能够扩大适用范围。
实施方式4
在前面的实施方式1～3中，对将SOA5用作对第二出射光7进行放大的SOA的结构进行了说明。对此，在本实施方式4中，对在SOA5的后级还具有SOA9的结构进行说明。
图5是本发明的实施方式4的波长可变光源的结构图。本实施方式4中的相当于波长可变光源的波长可变激光元件1构成为具有LD2、MMI3、第一SOA4、第二SOA5以及第三SOA9。本实施方式4的图5的结构与前面的实施方式1的图1的结构相比，不同点在于还具有第三SOA9。因此，以下以该不同点为中心进行说明。
第三SOA9形成于第二SOA5的后级，增益和长度与第二SOA5是相同程度。并且，在本实施方式4中，第二出射光7经由基于串联连接的前级的第二SOA5和后级的第三SOA9的二级放大后进行输出。
对本实施方式4的波长切换动作时的控制方法进行具体说明。首先，通过预先进行的实验等，使用波长仪和电流仪取得向LD2a注入的电流ILDa-1、向第一SOA4注入的电流ISOA1-1、向第二SOA5注入的电流ISOA2-1、向第三SOA9注入的电流ISOA3-1的各测量数据，作为波长切换前的波长λ1数据。并且，将取得的测量数据作为λ1的数据存储到控制装置8内的存储部8a。
接着，从向LD2a注入电流ILDa-1、向第一SOA4注入电流ISOA1-1、向第二SOA5注入电流ISOA2-1、向第三SOA9注入电流ISOA3-1的状态起，改变向第二SOA5和第三SOA9注入的电流。并且，使用波长仪和电流仪，取得产生切换后的波长λ2的第二SOA5的电流ISOA2-2、第三SOA9的电流ISOA3-2，作为λ2的数据存储到控制装置8内的存储部8a。
另外，在改变第二SOA5和第三SOA9的电流时，按照与第二SOA5的电流的变化量相反极性的相同值，改变第三SOA9的电流。
图6是示出在本发明的实施方式4中，根据存储部8a中存储的数据，通过控制处理部8b实施了波长切换时的各电流值的状态的时序图。如图6所示，在波长切换前处于如下状态：向LD2a注入ILDa-1，向第一SOA4注入ISOA1-1，向第二SOA5注入ISOA2-1，向第三SOA9注入ISOA3-1。
接着，在切换后，控制处理部8b不改变向LD2a和第一SOA4施加的电流，而是将向第二SOA5施加的电流从ISOA2-1切换成ISOA2-2，将向第三SOA9注入的电流从ISOA3-1切换成ISOA3-2。这样的切换控制是通过前馈控制进行的。
接着，对本实施方式4的波长可变光源的作用效果进行说明。
在本实施方式4的波长可变光源中进行如下控制：使向第二SOA5注入的电流上升某一值，使向第三SOA9注入的电流下降与第二SOA5上升的值相同的值。在这种情况下，由于第二SOA5和第三SOA9的增益和长度是相同程度，因此，第二出射光7的功率被保持成大致固定。
另外，对于LD2的温度变化，从第二SOA5到LD的热阻θ1与从第三SOA9到LD的热阻θ2有关。这里，二点之间的热阻θ是通过下式表示的。
θ＝L/(λ×A) (1)
在上式(1)中，L是沿着热传递的路径的二点之间的距离，λ是热传递的物质的导热率，A是热传递的路径的截面面积。
在本实施方式4中，通过热阻θ1和热阻θ2，λ、A是大致相同的，但由于第三SOA9被配置在比第二SOA5远离LD的位置，因此，L的值较大。即，θ1＜θ2。
在热阻较小的情况下，温度的变化量相对于相同的发热量变化较大。因此，在使第二SOA5的电流上升某一值且使第三SOA9的电流下降相同值的本实施方式4中，LD2的温度上升。因此，本实施方式4的波长可变光源能够得到以下的效果：能够进行波长切换而不改变第二出射光7的功率。
另外，在本实施方式4中，假设切换后的波长λ2与切换前的波长λ1相比是长波长的情况，在波长切换时使第二SOA5的电流增加，使第三SOA9的电流减少。相对于此，在切换后的波长λ2与切换前的波长λ1相比是短波长的情况下，在波长切换时使第二SOA5的电流减少，使第三SOA9的电流增加。
另外，在本实施方式4中，在第二SOA5和第三SOA9的增益和长度是相同程度的条件下进行了说明。但是，该条件并不是本发明不可欠缺的条件，而是用于取得本实施方式4的效果的优选条件。即，只要能够通过第三SOA9的电流变化来抵消由于第二SOA5的电流变化而导致的第二出射光7的功率变化，就不需要满足上述条件。
并且，在本实施方式4中，对将第三SOA9配置于第二SOA5的后级的情况进行了说明。但是，也可以是，不将第三SOA9配置在第二SOA5的后级而配置在第一SOA4的后级，使第一SOA4的电流上升某一值，使第三SOA9的电流下降相同值，从而能够得到相同的效果。
如上所述，根据实施方式4，具有如下结构：在将对出射光进行放大的SOA构成二级的基础上，将出射的激光的波长切换控制成期望的值。根据这样的结构，也能够取得与前面的实施方式1相同的效果。
另外，在上述的实施方式2～4中，对通过控制提供电流值来进行波长切换控制的情况进行了说明。但是，在实施方式2～4中，如在前面的实施方式1中说明的那样，通过控制施加电压值而不控制提供电流值，也能够实施波长切换控制，能够得到相同的效果。

Claims (9)

1.一种波长可变光源，该波长可变光源具有波长可变激光元件和控制装置，所述波长可变激光元件从2条以上的M条光中输出第一出射光和第二出射光，所述控制装置通过控制所述波长可变激光元件，将所述第一出射光和所述第二出射光的波长切换控制成期望的值，其特征在于，
所述波长可变激光元件具有：
M个激光二极管，它们进行激光振荡并输出光；
合波分波器，其对从所述M个激光二极管输出的光进行合波，并分支成两部分即第一输出光和第二输出光进行输出；
第一半导体光放大器，其对从所述合波分波器输出的所述第一输出光进行放大而输出所述第一出射光；以及
第二半导体光放大器，其对从所述合波分波器输出的所述第二输出光进行放大而输出所述第二出射光，
所述控制装置在波长切换前后维持向所述第一半导体光放大器提供的电力，另一方面，切换向所述激光二极管提供的电力和向所述第二半导体光放大器提供的电力，将所述激光二极管和所述第二半导体光放大器作为热源进行温度调整，由此，执行所述第一出射光和所述第二出射光的波长的波长切换控制。
2.根据权利要求1所述的波长可变光源，其特征在于，
所述控制装置具有存储部，为了将所述第一出射光和所述第二出射光都从切换前的第一波长切换控制成切换后的第二波长，当设向所述M个激光二极管提供的电力为LD电力，向所述第一半导体光放大器提供的电力为第一SOA电力，向所述第二半导体光放大器提供的电力为第二SOA电力时，设所述第一SOA电力在波长切换前后是相同值，分别设用于成为所述第一波长的所述LD电力和所述第二SOA电力为第一电力和第二电力，分别设用于成为所述第二波长的所述LD电力和所述第二SOA电力为第三电力和第四电力，所述存储部预先存储有所述第一SOA电力、所述第一电力、所述第二电力、所述第三电力以及所述第四电力的对应关系，
所述控制装置参照所述存储部中存储的所述对应关系，在波长切换前后维持所述第一SOA电力，并且，在波长切换前，提供所述第一电力作为所述LD电力，且提供所述第二电力作为所述第二SOA电力，在波长切换后，提供所述第三电力作为所述LD电力，且提供所述第四电力作为所述第二SOA电力，由此，将所述第一出射光和所述第二出射光的波长从所述第一波长切换控制成所述第二波长。
3.根据权利要求2所述的波长可变光源，其特征在于，
所述存储部设所述第一电力和所述第三电力为相同值而预先存储有所述对应关系，使得所述LD电力在波长切换前后是相同值，
所述控制装置参照所述存储部中存储的所述对应关系，在波长切换前后维持所述第一SOA电力和所述LD电力，并且，在波长切换前，提供所述第二电力作为所述第二SOA电力，在波长切换后，提供所述第四电力作为所述第二SOA电力，由此，将所述第一出射光和所述第二出射光的波长从所述第一波长切换控制成所述第二波长。
4.根据权利要求2所述的波长可变光源，其特征在于，
所述存储部预先存储有如下的所述对应关系：在波长切换前后切换所述LD电力时，规定所述第一电力和所述第三电力作为向同一激光二极管提供的电力，
所述控制装置针对所述同一激光二极管，在波长切换前提供所述第一电力，在波长切换后提供所述第三电力，由此，将所述第一出射光和所述第二出射光的波长从所述第一波长切换控制成所述第二波长。
5.根据权利要求2所述的波长可变光源，其特征在于，
所述存储部预先存储有如下的所述对应关系：在波长切换前后切换所述LD电力时，预先确定在波长切换前进行激光振荡的第一激光二极管和在波长切换后进行激光振荡的与所述第一激光二极管不同的第二激光二极管，规定向所述第一激光二极管提供的所述第一电力和向所述第二激光二极管提供的所述第三电力，
所述控制装置在波长切换前，对所述第一激光二极管提供所述第一电力，在波长切换后，对所述第二激光二极管提供所述第三电力，由此，将所述第一出射光和所述第二出射光的波长从所述第一波长切换控制成所述第二波长。
6.根据权利要求2所述的波长可变光源，其特征在于，
所述波长可变光源还具有第三半导体光放大器，该第三半导体光放大器串联连接于所述第二半导体光放大器的后级，对由所述第二半导体光放大器放大后的光信号进行放大，作为所述第二出射光输出，
为了将所述第一出射光和所述第二出射光都从切换前的第一波长切换控制成切换后的第二波长，当设向所述第三半导体光放大器提供的电力为第三SOA电力时，设所述第一SOA电力在波长切换前后是相同值，分别设用于成为所述第一波长的所述LD电力、所述第二SOA电力以及所述第三SOA电力为第一电力、第二电力以及第五电力，分别设用于成为所述第二波长的所述LD电力、所述第二SOA电力以及所述第三SOA电力为第三电力、第四电力以及第六电力，并且，由于将所述第二SOA电力从所述第二电力切换成所述第四电力而导致的所述第二出射光的功率变化，被由于将所述第三SOA电力从所述第五电力切换成所述第六电力而导致的所述第二出射光的功率变化抵消，在所述存储部中预先存储有所述第一SOA电力、所述第一电力、所述第二电力、所述第三电力、所述第四电力、所述第五电力以及所述第六电力的对应关系，
所述控制装置在波长切换前，向所述第二半导体光放大器提供所述第二电力，且向所述第三半导体光放大器提供所述第五电力，在波长切换后，向所述第二半导体光放大器提供所述第四电力，且向所述第三半导体光放大器提供所述第六电力，由此，将所述第一出射光和所述第二出射光的波长从所述第一波长切换控制成所述第二波长。
7.根据权利要求2～6中的任意一项所述的波长可变光源，其特征在于，
在所述存储部中，所述对应关系中包含的各个电力被规定成电流值，
所述控制装置参照所述存储部中存储的所述对应关系，在波长切换前后控制电流值，由此，将所述第一出射光和所述第二出射光的波长从所述第一波长切换控制成所述第二波长。
8.根据权利要求2～6中的任意一项所述的波长可变光源，其特征在于，
在所述存储部中，所述对应关系中包含的各个电力被规定成电压值，
所述控制装置参照所述存储部中存储的所述对应关系，在波长切换前后控制电压值，由此，将所述第一出射光和所述第二出射光的波长从所述第一波长切换控制成所述第二波长。
9.一种波长可变光源的波长切换控制方法，其是在波长可变光源中由控制装置执行的，
该波长可变光源具有波长可变激光元件和所述控制装置，
所述波长可变激光元件构成为具有：M个激光二极管，它们进行激光振荡并输出光；合波分波器，其对从所述M个激光二极管输出的光进行合波，并分支成两部分即第一输出光和第二输出光进行输出；第一半导体光放大器，其对从所述合波分波器输出的所述第一输出光进行放大而输出第一出射光；以及第二半导体光放大器，其对从所述合波分波器输出的所述第二输出光进行放大而输出第二出射光，
所述控制装置通过控制所述波长可变激光元件，将所述第一出射光和所述第二出射光的波长切换控制成期望的值，
其特征在于，该波长可变光源的波长切换控制方法具有如下步骤：
第一步骤，为了将所述第一出射光和所述第二出射光都从切换前的第一波长切换控制成切换后的第二波长，当设向所述M个激光二极管提供的电力为LD电力，向所述第一半导体光放大器提供的电力为第一SOA电力，向所述第二半导体光放大器提供的电力为第二SOA电力时，设所述第一SOA电力在波长切换前后是相同值，分别设用于成为所述第一波长的所述LD电力和所述第二SOA电力为第一电力和第二电力，分别设用于成为所述第二波长的所述LD电力和所述第二SOA电力为第三电力和第四电力，使存储部预先存储所述第一SOA电力、所述第一电力、所述第二电力、所述第三电力以及所述第四电力的对应关系；
第二步骤，在输出所述第一出射光和所述第二出射光作为所述第一波长时，参照所述存储部中存储的所述对应关系，向所述第一半导体光放大器提供所述第一SOA电力，提供所述第一电力作为所述LD电力，且提供所述第二电力作为所述第二SOA电力；以及
第三步骤，在从所述第一波长切换成所述第二波长而输出所述第一出射光和所述第二出射光时，参照所述存储部中存储的所述对应关系，将向所述第一半导体光放大器提供的电力维持在所述第一SOA电力，并且，提供所述第三电力作为所述LD电力，且提供所述第四电力作为所述第二SOA电力。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106410603A (zh) * 2016-06-22 2017-02-15 无锡市德科立光电子技术有限公司 在线调整半导体光放大器性能参数的方法和装置
CN110620331B (zh) * 2019-09-26 2021-05-28 哈尔滨工业大学 Dfb阵列高速大范围连续可调谐方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101622763A (zh) * 2007-03-08 2010-01-06 日本电信电话株式会社 波长可调半导体激光元件及其控制装置、控制方法
CN101847825A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 古河电气工业株式会社 波长可变光源装置
CN103201915A (zh) * 2010-10-29 2013-07-10 古河电气工业株式会社 光放大装置以及光传送系统
JP2015167174A (ja) * 2014-03-04 2015-09-24 三菱電機株式会社 波長可変光源および波長可変光源モジュール

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4255611B2 (ja) * 2000-10-30 2009-04-15 富士通株式会社 光源装置及び光源装置の波長制御装置
JP2007273644A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Eudyna Devices Inc 光半導体装置、レーザチップおよびレーザモジュール
JP5203422B2 (ja) * 2010-06-09 2013-06-05 古河電気工業株式会社 半導体レーザモジュール
WO2013180291A1 (ja) * 2012-05-31 2013-12-05 古河電気工業株式会社 半導体レーザモジュール
JP6124731B2 (ja) * 2013-08-09 2017-05-10 三菱電機株式会社 波長モニタおよび光モジュール
JP6320192B2 (ja) * 2013-08-30 2018-05-09 三菱電機株式会社 波長可変光源および波長可変光源モジュール
JP2015094812A (ja) * 2013-11-11 2015-05-18 日本電信電話株式会社 波長可変光源
JP2015207738A (ja) 2014-04-23 2015-11-19 日本電信電話株式会社 波長可変レーザアレイ及び波長可変レーザアレイの波長制御方法
US9601906B2 (en) * 2015-02-09 2017-03-21 Mitsubishi Electric Corporation Wavelength-tunable light source and wavelength-tunable light source module

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101622763A (zh) * 2007-03-08 2010-01-06 日本电信电话株式会社 波长可调半导体激光元件及其控制装置、控制方法
CN101847825A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 古河电气工业株式会社 波长可变光源装置
CN103201915A (zh) * 2010-10-29 2013-07-10 古河电气工业株式会社 光放大装置以及光传送系统
JP2015167174A (ja) * 2014-03-04 2015-09-24 三菱電機株式会社 波長可変光源および波長可変光源モジュール

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