CN109071126B - 电子部件的特性测定用的输送装置以及电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法 - Google Patents

电子部件的特性测定用的输送装置以及电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法 Download PDF

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Abstract

提供能够抑制电子部件贴在收纳构件上的情况的电子部件的特性测定用的输送装置以及电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法。收纳构件(12)具有：绝缘部，其由绝缘性材料形成，形成有多个开口和分别与开口连通的多个腔室；以及导电部，其由导电性材料形成，并与绝缘部接合在一起。导电部以与形成于绝缘部的腔室之间设有间隔的方式配置于接触区域(12t)、相对区域以及内部区域中的至少一者，接触区域(12t)是收纳构件(12)的第1主面(12s)中的与自电子部件供给机构(14)供给来的电子部件(18)接触的区域，相对区域是收纳构件(12)的第2主面(12r)中的与接触区域(12t)相对的区域，内部区域夹在接触区域(12t)与相对区域之间。驱动机构(16)使收纳构件(12)相对于电子部件供给机构(14)相对移动。

Description

电子部件的特性测定用的输送装置以及电子部件的特性测定 用的收纳构件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种电子部件的特性测定用的输送装置，详细而言，涉及一种将电子部件收纳于收纳构件的腔室的输送装置。
背景技术
为了测定电子部件的特性，使用将电子部件以收纳于收纳构件的腔室的状态进行输送的输送装置。
例如，在图16的概略结构图所示的电子部件的特性测定用的输送装置中，圆盘状的收纳构件2沿基座构件1的输送面1a向箭头X所示的方向旋转。基座构件1的输送面1a和收纳构件2相对于水平方向垂直或倾斜地配置。
以与收纳构件2的下部相对的方式设有引导构件5。引导构件5保持电子部件30。随着收纳构件2的旋转，电子部件30被收纳在形成于收纳构件2的腔室3内，通过压缩空气吹出机构6，由配置于区间A的测定部7测定特性，在区间B自腔室3排出。
如图17的剖视示意图所示，电子部件30在两端具有电极30a，利用负压向腔室3吸引电子部件30，将电子部件30以预定的姿势收纳于腔室3。压缩空气吹出机构6自喷出口6a向收纳构件2吹送空气，将因静电而贴在收纳构件2上的电子部件30吹落(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-153477号公报
发明内容
发明要解决的问题
若以电子部件贴在收纳构件上的状态进行输送，则会咬入构造物而在电子部件产生裂纹、缺口，或使电子部件洒落在预定路径外。通过吹送空气，能够防止此情况。
但是，若电子部件较小，则很难通过吹送空气使贴在收纳构件上的电子部件自收纳构件剥离。例如，针对较小的电子部件，空气作用于电子部件的力减小，电子部件不易自收纳构件剥离。当为了增大空气作用于电子部件的力而增强空气的吹送时，发生收纳于腔室的电子部件自腔室被吹跑，或者在腔室内姿势被打乱，或者在收纳构件内电子部件被搅乱等不良现象。
本发明鉴于该实际情况，想要提供一种能够抑制电子部件贴在收纳构件上的电子部件的特性测定用的输送装置以及电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明为了解决所述问题，提供以下这样构成的电子部件的特性测定用的输送装置。
电子部件的特性测定用的输送装置包括：(a)收纳构件，其具有彼此相对的第1主面和第2主面，在所述第1主面形成有多个开口，在所述第1主面与所述第2主面之间形成有分别与所述多个开口连通的多个腔室；(b)电子部件供给机构，其将多个电子部件以与所述收纳构件的所述第1主面接触的方式进行供给；以及(c)驱动机构，其使所述收纳构件相对于所述电子部件供给机构相对移动，随着所述收纳构件的相对于所述电子部件供给机构的相对移动，与所述收纳构件的所述第1主面接触的所述电子部件被收纳于所述收纳构件的所述腔室。所述收纳构件具有：(i)绝缘部，其由绝缘性材料形成，并形成有所述开口和所述腔室；以及(ii)导电部，其由导电性材料形成，并与所述绝缘部接合。所述导电部以与形成于所述绝缘部的所述腔室之间设有间隔的方式配置于(一)接触区域、(二)相对区域以及(三)内部区域中的至少一者，所述接触区域是所述第1主面中的与自所述电子部件供给机构供给来的所述电子部件接触的区域，所述相对区域是所述第2主面中的与所述接触区域相对的区域，所述内部区域夹在所述接触区域与所述相对区域之间。
采用所述结构，即使在电子部件、收纳构件产生静电，也能利用收纳构件的导电部降低静电，从而抑制电子部件贴在收纳构件的第1主面的情况。
另外，收纳构件以与形成于绝缘部的腔室之间设有间隔的方式配置导电部，因此电子部件在被收纳于腔室时不与导电部接触。由此，在以收纳于腔室的状态测定电子部件的特性时，测定不会受到导电部的影响。
优选是，所述导电部与接地电位连接。
在该情况下，产生于收纳构件的静电自导电部向接地电位释放，因此更可靠地降低静电。结果，进一步抑制电子部件贴在收纳构件的第1主面的情况。
另外，本发明如以下那样地提供电子部件的特性测定用的收纳构件的各种各样的制造方法。即，提供如下的电子部件的特性测定用的收纳构件的各种各样的制造方法，该电子部件的特性测定用的收纳构件具有彼此相对的第1主面和第2主面，在所述第1主面形成有多个开口，在所述第1主面与所述第2主面之间形成有分别与所述开口连通的多个腔室，所述电子部件的特性测定用的收纳构件具有：(a)绝缘部，其由绝缘性材料形成，并形成有所述开口和所述腔室；以及(b)导电部，其由导电性材料形成，以与所述腔室之间设有间隔的方式配置于所述第1主面、所述第2主面以及夹在所述第1主面与所述第2主面之间的内部区域中的至少一者，所述导电部与所述绝缘部接触。
电子部件的特性测定用的收纳构件的第1制造方法包括：(i)基材准备工序，在该基材准备工序中，准备基材，该基材层叠有由所述绝缘性材料形成的绝缘层和由所述导电性材料形成的导电层；(ii)孔形成工序，在该孔形成工序中，在所述基材形成将所述绝缘层和所述导电层全部贯通的多个通孔，或者形成贯通至少1个所述导电层并利用1个所述绝缘层形成底的多个有底孔；以及(iii)导电性材料去除工序，在所述孔形成工序的同时或在所述孔形成工序之后进行该导电性材料去除工序，在该导电性材料去除工序中，以如下方式在所述基材形成比所述通孔或所述有底孔大的扩大孔，即，对于形成有所述通孔或所述有底孔的全部的所述导电层，将所述通孔或所述有底孔的内周面及该内周面周围的部分的所述导电性材料去除，并且使形成于所述绝缘层的所述通孔的内周面的至少一部分或形成所述有底孔的所述底的所述绝缘层的内周面的至少一部分残留。
采用所述方法，能够制造收纳构件。即，基材的绝缘层成为收纳构件的绝缘部，基材的导电层成为收纳构件的导电部。通孔或有底孔成为腔室。
采用所述方法，利用对通孔或有底孔进行锪孔加工等方法形成扩大孔，从而能够去除通孔或有底孔的内周面及该内周面周围的部分的全部的导电性材料，因此能够比较容易且位置精度高地形成以与形成于绝缘部的腔室之间设有间隔的方式配置导电部的构造。
电子部件的特性测定用的收纳构件的第2制造方法包括：(i)基材准备工序，在该基材准备工序中，准备基材，该基材层叠有由所述绝缘性材料形成的绝缘层和由所述导电性材料形成的导电层；(ii)孔形成工序，在该孔形成工序中，在所述基材形成将所述绝缘层和所述导电层全部贯通的多个通孔，或者形成贯通至少1个所述导电层并利用1个所述绝缘层形成底的多个有底孔；以及(iii)导电性材料去除工序，在所述孔形成工序之后进行该导电性材料去除工序，在该导电性材料去除工序中，对于形成有所述通孔或所述有底孔的全部的所述导电层，将所述通孔或所述有底孔的内周面及该内周面周围的部分的所述导电性材料去除。
采用所述方法，能够制造收纳构件。即，基材的绝缘层成为收纳构件的绝缘部，基材的导电层成为收纳构件的导电部。通孔或有底孔成为腔室。
采用所述方法，能够利用金属蚀刻等方法，去除通孔或有底孔的内周面及该内周面周围的部分的全部的导电性材料，因此能够比较容易且位置精度高地形成以与形成于绝缘部的腔室之间设有间隔的方式配置导电部的构造。
电子部件的特性测定用的收纳构件的第3制造方法包括：(i)基材准备工序，在该基材准备工序中，准备基材，该基材层叠有由所述绝缘性材料形成的绝缘层和由所述导电性材料形成的导电层；(ii)孔形成工序，在该孔形成工序中，在所述基材形成将所述绝缘层和所述导电层全部贯通的多个通孔，或者形成贯通至少1个所述导电层并利用1个所述绝缘层或1个所述导电层形成底的多个有底孔；以及(iii)隔离层形成工序，在所述孔形成工序之后进行该隔离层形成工序，在该隔离层形成工序中，以覆盖所述通孔的内周面，或覆盖由1个所述绝缘层形成所述底的所述有底孔的内周面，或覆盖由1个所述导电层形成所述底的所述有底孔的内周面和所述底的方式，形成由与所述绝缘层相同或不同的绝缘性材料形成的隔离层。
采用所述方法，能够制造收纳构件。即，基材的绝缘层成为收纳构件的绝缘部，基材的导电层成为收纳构件的导电部。被隔离层的内周面包围的空间成为腔室。
采用所述方法，能以涂覆绝缘性材料等方法形成隔离层，从而能够比较容易且位置精度高地形成以与形成于绝缘部的腔室之间设有间隔的方式配置导电部的构造。
发明的效果
采用本发明，能够抑制电子部件贴在收纳构件上。
附图说明
图1是输送装置的结构图。(实施例1)
图2是收纳构件的俯视略图。(实施例1)
图3是输送装置的主要部分剖视图。(实施例1)
图4是收纳构件的说明图。(实施例1的变形例1)
图5是收纳构件的说明图。(实施例1的变形例2)
图6是收纳构件的说明图。(实施例1的变形例3)
图7是输送装置的主要部分剖视图。(实施例1的变形例4)
图8是收纳构件的透视图。(实施例1和实施例1的变形例4)
图9是基材的分解立体图。(实施例2)
图10是表示收纳构件的制造工序的剖视图。(实施例2)
图11是表示收纳构件的制造工序的剖视图。(实施例3)
图12是表示收纳构件的制造工序的剖视图。(实施例4)
图13是收纳构件的俯视图。(实施例5)
图14是收纳构件的主要部分放大剖视图。(实施例5)
图15是收纳构件的俯视图。(实施例5的变形例1)
图16是输送装置的概略结构图。(以往例)
图17是输送装置的剖视示意图。(以往例)
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
<实施例1>参照图1～图8说明实施例1的电子部件的特性测定用的输送装置10(以下称为“输送装置10”。)。
图1是概念性地表示输送装置10的整体结构的结构图。如图1所示，输送装置10在输送台11的平坦的输送面11a上配置有圆板状的收纳构件12，该收纳构件12具有彼此相对的第1主面12s和第2主面12r。收纳构件12由驱动机构16的旋转构件16a进行旋转驱动，沿输送面11a向箭头11x所示的方向旋转。图1图示了输送台11的输送面11a、收纳构件12为水平的情况，但这两者也可以相对于水平方向垂直或者倾斜。
自电子部件供给机构14将电子部件18供给到收纳构件12之上。自电子部件供给机构14供给来的电子部件18与收纳构件12的第1主面12s中的由点划线12i、12j所示的环状的接触区域12t接触。在收纳构件12的接触区域12t形成有后述的腔室(在图1中未图示)，电子部件18被收纳于腔室。收纳于腔室的电子部件18随着收纳构件12的旋转，被以收纳于腔室的状态进行输送。收纳构件12是在平面上沿圆周方向进行输送的旋转体。
图2是收纳构件12的俯视略图。如图2所示，收纳构件12在圆形的内周缘12g与外周缘12h之间形成有多个腔室12p。收纳构件12通过其内周缘12g与驱动机构16的旋转构件16a(参照图1)卡合而被定位。虽然未图示，但不仅沿收纳构件12的径向形成有多个腔室12p，也沿收纳构件12的周向形成有多个腔室12p。
图3是输送装置10的主要部分放大剖视图。如图3所示，收纳构件12在第1主面12s形成有多个开口12q(在图3中只图示1个)，在第1主面12s与第2主面12r之间形成有分别与多个开口12q连通的多个腔室12p(在图3中只图示1个)。
收纳构件12具有由绝缘性材料形成的绝缘部12k和由导电性材料形成的导电部12u，在绝缘部12k的上表面12m配置有导电部12u。绝缘部12k的下表面12n是收纳构件12的第2主面12r，下表面12n与输送台11的输送面11a接触，或与输送台11的输送面11a空开间隔地相对。收纳构件12的第1主面12s包含绝缘部12k的上表面12m中的未配置导电部12u的部分和导电部12u的上表面12x。
开口12q和腔室12p形成于绝缘部12k。导电部12u以与形成于绝缘部12k的腔室12p之间设有间隔的方式配置，并且导电部12u与绝缘部12k接合在一起。导电部12u配置于收纳构件12的第1主面12s中的接触区域12t(参照图1)。
另外，在图3中图示了腔室12p是贯通收纳构件12的主面12r、12s间的通孔的情况，但腔室也可以是未到达收纳构件12的第2主面12r的有底孔。
图7是使用在接触区域12t以外的区域配置有导电部的变形例的收纳构件12a～收纳构件12d的输送装置的主要部分剖视图。
图7的(a)所示的收纳构件12a在绝缘部12k内的中立面配置有导电部12v。图7的(b)所示的收纳构件12b在绝缘部12k内的比中立面靠上表面12m侧的位置配置有导电部12v。图7的(c)所示的收纳构件12c在绝缘部12k内配置有多个导电部12v。导电部12v以与形成于绝缘部12k的腔室12p之间设有间隔的方式配置于内部区域13s，该内部区域13s夹在收纳构件12的第1主面12s中的接触区域12t(参照图1)与收纳构件12的第2主面12r中的与接触区域12t(参照图1)相对的相对区域13t(参照图1)之间，导电部12v与绝缘部12k接合在一起。
图7的(d)所示的收纳构件12d在绝缘部12k的下表面12n配置有导电部12w。导电部12w以与形成于绝缘部12k的腔室12p之间设有间隔的方式配置于收纳构件12的第2主面12r中的与接触区域12t(参照图1)相对的相对区域，导电部12w与绝缘部12k接合在一起。
图8是从与主面垂直的方向透视收纳构件12、收纳构件12a～收纳构件12d而得到的透视图。如图8所示，标注了斜线的导电部12u～导电部12w以与形成于绝缘部12k的腔室12p之间设有间隔的方式配置，并形成为环绕腔室12p的四周。
在从与主面垂直的方向透视收纳构件12、收纳构件12a～收纳构件12d时，导电部12u～导电部12w配置于接触区域12t的大部分，优选是形成为连续的一体形状，但也可以形成为分开的多部分的形状。例如配置于接触区域12t中的除腔室12p以外的部分的面积的50％～99％的范围内，形成为连续的一体形状。
导电部也可以配置于收纳构件12的第1主面12s中的接触区域12t、收纳构件12的第2主面12r中的与接触区域12t相对的相对区域以及夹在接触区域12t与相对区域之间的内部区域这三者中的两者以上。
收纳构件的形状也可以像图4～图6的说明图所示的收纳构件13a～收纳构件13c那样为圆形以外的形状。虽然在图4～图6中未图示，但不仅沿收纳构件12的径向形成有多个腔室12p，也沿收纳构件12的周向形成有多个腔室12p。
图4所示的收纳构件13a是沿箭头所示的方向旋转的圆筒状的构件。收纳构件13a具有彼此相对的第1主面13u和第2主面13i，在外侧的第1主面13u形成有多个开口13x，在第1主面13u与第2主面13i之间形成有分别与开口13x连通的多个腔室13p。电子部件收纳于腔室13p，在圆筒面上被沿旋转方向(周向)输送。
图5所示的收纳构件13b是沿箭头所示的方向循环的环形带状的构件。收纳构件13b具有彼此相对的第1主面13v和第2主面13j，在外侧的第1主面13v形成有多个开口13y，在第1主面13v与第2主面13j之间形成有分别与开口13y连通的多个腔室13q。电子部件收纳于例如位于收纳构件13b的平板状的部分的腔室13q，电子部件在被笔直地输送后，在腔室13q位于平板状的部分的期间内被排出。
图6所示的收纳构件13c是平板状的构件，如箭头所示地沿面方向移动。收纳构件13c具有彼此相对的第1主面13w和第2主面13k，在第1主面13w形成有多个开口13z，在第1主面13w与第2主面13k之间形成有分别与开口13z连通的多个腔室13r。电子部件收纳于腔室13r，在平面上被输送。
接着，进一步详细地说明输送装置10的用途、结构等的具体例。
除特性分选机以外，即使是外观分选机、用于形成外部电极、引线等的加工装置、用于缠带等的包装装置以及组装安装机，只要是具有与电子部件的外部电极接通而测定电特性的功能的装置，就能使用输送装置10。例如，在输送装置10安装有与收纳于腔室的电子部件18的外部电极接通而测定电子部件18的电特性的测定装置、取出电子部件18的取出机构。
作为输送装置10的对象的工件(电子部件)例如是长方体形状的层叠式陶瓷电容器、线圈以及多层基板等。在工件为长方体形状的情况下，若将工件的长度方向的尺寸设为L，将宽度设为W，将厚度设为t，则例如7mm>L>0.1mm且5mm>W>0.1mm且4mm>t>0.01mm的工件是输送装置10的对象。工件的形状除长方体形状以外，例如也可以是圆筒形状等。
电子部件供给机构14使用振动式送料器、人工撒入以及其他的撒入装置供给电子部件18。
收纳构件如上所述，是旋转体、辊、带、平板，厚度即彼此相对的主面间的尺寸为0.1mm～10mm程度。
收纳构件的绝缘部的材质为玻璃，氧化锆等陶瓷，树脂等。
收纳构件的导电部的材质为铜、铝、银、金等金属导体，导电性高分子材料等。形成导电部的导电层可以为1层，也可以为多层。导电层的厚度为0.00001mm～1mm程度。导电层的面电阻为0.01Ω/□～0.1Ω/□程度。在将导电层配置于收纳构件的内部的情况下，导电层与收纳构件的主面平行地配置。
关于导电部与腔室的位置关系，特别是在将输送装置10用于特性分选机的情况下，以导电部与工件(电子部件)的电极不接触的方式将导电部形成在自腔室的内周面或开口的缘离开0.01mm～1mm程度的位置。
利用将导电层夹在绝缘层间并通过粘接等进行固定，或者在绝缘层之上涂敷膏状的导电材料并进行干燥等方法，能够制作收纳构件。
当在收纳构件设有导电部时，作用于工件(电子部件)与收纳构件之间的静电力减小，工件难以附着。例如，在不具有导电部的收纳构件的情况下，经过30分钟的连续运作，工件附着于收纳构件，相对于此，通过设置导电部，即使连续运转3个小时，也不发生工件的附着。
即使导电部不与接地电位连接，也具有抑制电子部件贴在收纳构件上的效果。在使导电部与接地电位连接时，能使效果更加可靠。
只要利用适当的方法使导电部与接地电位连接即可。例如，在收纳构件的靠输送台侧的第2主面以使导电层在自腔室离开的部位暴露的方式形成环状的连续的槽，在输送台侧设置与接地电位连接的导电性的滚轮或球体，使其与导电层接触。或者，在收纳构件的与输送台相反的那一侧的第1主面以使导电层在自腔室离开的部位暴露的方式形成环状的连续的槽，在收纳构件的第1主面侧设置与接地电位连接的导电性的滚轮或球体，使其与导电层接触。
可以利用驱动机构连续驱动收纳构件，也可以间歇驱动收纳构件。例如，收纳构件的转速为1rpm～100rpm程度，移动速度为1m/s～10m/s。
在收纳构件可以仅形成1排腔室，也可以形成多排腔室。也可以构成为对腔室内进行吸引。
如以上说明的那样，当在收纳构件12设置导电部12u～导电部12w时，能够抑制电子部件18贴在收纳构件12的第1主面12s的情况。即，电子部件18贴在收纳构件12的第1主面12s的原因之一是静电。当在收纳构件12设置导电部12u～导电部12w时，静电在导电部12u～导电部12w内分散，或自导电部12u～导电部12w向大气中、接地电位扩散，或者绝缘部12k内的静电的分布因导电部12u～导电部12w而得到缓和。由此，即使在电子部件18、收纳构件12产生静电，也能够利用导电部12u～导电部12w降低静电，抑制电子部件18贴在收纳构件12的第1主面12s的情况。
另外，导电部12u～导电部12w以与形成于绝缘部12k的腔室12p之间设有间隔的方式配置，因此收纳于收纳构件12的腔室12p的电子部件18不与导电部12u接触。由此，在以收纳于腔室12p的状态测定电子部件18的特性时，测定不会受到导电部12u的影响。
接着，说明用在输送装置10中的收纳构件的制造方法。
在制造只在主面配置有导电部的收纳构件的情况下，在预先形成有腔室的绝缘材料以挖设有比腔室大的孔的形状形成导电材料。或者，当在绝缘材料以挖设有比腔室大的孔的形状形成了导电材料后，在绝缘材料形成腔室。
关于导电材料，利用印刷、由使用了掩模的溅射进行的成膜，或者在将抗蚀剂形成为想要挖设的孔的形状后使导电材料堆积并且去除抗蚀剂的提离等方法，在绝缘材料之上以挖设有比腔室大的孔的形状形成导电材料。
能够利用以下的实施例2～实施例4的方法，制造在内部配置有导电部的收纳构件。
<实施例2>参照图9和图10，说明利用锪孔加工等方法以与腔室分离的方式形成导电部的实施例2的电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法。图9是基材的分解立体图。图10是表示电子部件的特性测定用的收纳构件的制造工序的剖视图。
(1)基材准备工序
首先，如图10的(a)所示，准备基材20，该基材20层叠有由绝缘性材料形成的两层绝缘层22、24和由导电性材料形成的导电层32。基材20在第1主面20a与第2主面20b之间的内部区域配置有导电层32。另外，绝缘层也可以为3层以上。导电层也可以为两层以上。
例如在制造圆形形状的收纳构件12(参照图1)的情况下，如图9所示，以由导电性材料形成的导电性片材32s夹在由绝缘性材料形成的绝缘性片材22s、24s之间的方式，使导电性片材32s与绝缘性片材22s、24s贴合在一起。绝缘性片材22s、24s成为基材20的绝缘层22、24(参照图10)，导电性片材32s成为基材20的导电层32(参照图10)。在图9中表示预先将绝缘性片材22s、24s和导电性片材32s加工为具有中心孔的圆形形状的情况，但也可以在形成了腔室后加工为具有中心孔的圆形形状。
(2)孔形成工序
接着，如图10的(b)所示，在基材20形成将绝缘层22、24和导电层32全部贯通的多个通孔20p(在图10中只图示1个)。
另外，也可以不形成通孔20p，而是形成将至少1个导电层32贯通并利用1个绝缘层(例如绝缘层24)形成底的多个有底孔。另外，也可以形成通孔20p和有底孔这两者。
(3)导电性材料去除工序
接着，如图10的(c)所示，在基材20自基材20的主面20、20b的一侧或两侧形成比通孔20p大的扩大孔20q。此时，以针对形成有通孔20p的全部的导电层32而言，去除通孔20p的内周面及其周围的部分的导电性材料，并且使形成于绝缘层22、24的通孔20p的内周面的至少一部分残留的方式，形成扩大孔20q。在形成扩大孔20q时，形成于绝缘层22的通孔20p的内周面及其周围的部分也被去除。
例如，以使形成于基材20的靠第2主面20b侧的绝缘层24的通孔20p的内周面的至少一部分残留的方式，自基材20的第1主面20a侧进行锪孔加工，至少在基材20的靠第1主面20a侧的绝缘层22和导电层32加工内径大于通孔20p的扩大孔20q。
也可以在孔形成工序的同时进行导电性材料去除工序。例如，使用顶端侧小径且基端侧大径的带台阶的钻头，自基材20的第1主面20a侧进行加工，利用钻头的小径部分形成通孔20p，利用大径部分形成扩大孔20q。
在利用孔形成工序形成有底孔的情况下，在孔形成工序的同时或在孔形成工序之后，以针对形成有有底孔的全部的导电层而言去除有底孔的内周面及其周围的部分的导电性材料，并且使形成有底孔的底的绝缘层的内周面的至少一部分残留的方式，在基材形成比有底孔大的扩大孔。
利用以上的(1)～(3)的工序，能够制造电子部件的特性测定用的收纳构件。形成于绝缘层24的通孔20p成为收纳构件的腔室。绝缘层22、24成为收纳构件的绝缘部，导电层32成为收纳构件的导电部。
如图10的(c)所示，收纳构件的开口12q形成于绝缘层24。另外，收纳构件的第1主面包含绝缘层22的表面22a和绝缘层24中的在扩大孔20q的内侧暴露的面24a。
通过在通孔利用锪孔加工等方法形成扩大孔，能将形成通孔的内周面的导电性材料去除，因此能够比较容易且位置精度高地形成导电部与形成于绝缘部的腔室分离的构造。
<实施例3>参照图11，说明利用蚀刻加工等方法以与腔室分离的方式形成导电部的实施例3的电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法。图11是表示电子部件的特性测定用的收纳构件的制造工序的剖视图。
(1)基材准备工序
首先，与实施例2同样，准备基材20，该基材20层叠有由绝缘性材料形成的绝缘层22、24和由导电性材料形成的导电层32。另外，绝缘层也可以为3层以上。导电层也可以为两层以上。
(2)孔形成工序
接着，与实施例2同样，如图11的(a)所示，在基材20形成将绝缘层22、24和导电层32全部贯通的多个通孔20p(在图11中只图示1个)。
另外，也可以不形成通孔20p，而是形成将至少1个导电层32贯通并利用1个绝缘层(例如绝缘层24)形成底的多个有底孔。另外，也可以形成通孔20p和有底孔这两者。
(3)导电性材料去除工序
接着，如图11的(b)所示，使用选择性地只溶解导电层32的导电性材料的溶剂，通过蚀刻将形成通孔20p的内周面的全部的导电层32的、通孔20p的内周面及其周围的部分20r的导电性材料去除。
在孔形成工序中，在形成有底孔的情况下，也利用蚀刻等方法将形成有底孔的内周面的全部的导电层的、内周面及其周围的部分的导电性材料去除。
利用以上的(1)～(3)的工序，能够制造电子部件的特性测定用的收纳构件。形成于绝缘层的通孔20p成为收纳构件的腔室。绝缘层22、24成为收纳构件的绝缘部，导电层32成为收纳构件的导电部。
由于能够利用金属蚀刻等方法去除有底孔的内周面的周围的导电性材料，因此能够比较容易且位置精度高地形成导电部与腔室分离的构造。
<实施例4>参照图12，说明利用涂覆等方法以与腔室分离的方式形成导电部的实施例4的电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法。图12是表示电子部件的特性测定用的收纳构件的制造工序的剖视图。
(1)基材准备工序
首先，与实施例2同样，准备基材20，该基材20层叠有由绝缘性材料形成的绝缘层22、24和由导电性材料形成的导电层32。另外，绝缘层也可以为3层以上。导电层也可以为两层以上。
(2)孔形成工序
接着，与实施例2同样，如图12的(a)所示，在基材20形成将绝缘层22、24和导电层32全部贯通的多个通孔20p(在图12中只图示1个)。
另外，也可以不形成通孔20p，而是形成将至少1个导电层32贯通并利用1个绝缘层(例如绝缘层24)形成底的多个有底孔。另外，也可以形成通孔20p和有底孔这两者。
(3)隔离层形成工序
接着，以覆盖通孔20p的内周面的方式形成由与绝缘层22、24相同或不同的绝缘性材料形成的隔离层26。利用涂覆等方法形成隔离层26。
在孔形成工序中形成有底孔的情况下，以覆盖有底孔的内周面的方式形成由与绝缘层相同或不同的绝缘性材料形成的隔离层。利用涂覆等方法形成隔离层。
利用以上的(1)～(3)的工序，能够制造电子部件的特性测定用的收纳构件。被隔离层26的内周面26a包围的空间成为收纳构件的腔室。绝缘层22、24以及隔离层26成为收纳构件的绝缘部，导电层32成为收纳构件的导电部。
能利用涂覆绝缘性材料等方法形成隔离层26，能够比较容易且位置精度高地形成导电部与腔室分离的构造。
另外，在孔形成工序中，也可以利用1个导电层形成有底孔的底。在该情况下，在导电性材料去除工序中，以覆盖有底孔的内周面和有底孔的底的方式，利用涂覆等方法由与绝缘层相同或不同的绝缘性材料形成隔离层。
<实施例5>参照图13～图15，说明在实施例1中并用了其他的静电对策的实施例5。
(1)在收纳构件的第1主面形成槽，减小收纳构件与电子部件的接触面积。例如形成图13所示的放射状的槽12y、图15所示的环状的槽12z。
图13是收纳构件12e的俯视图。图14是沿收纳构件12e的周向剖切后得到的主要部分放大剖视图。如图13和图14所示，在收纳构件12e的第1主面12s的与电子部件18接触的接触区域12t内以不与腔室12p重叠的方式形成槽12y。槽12y沿径向呈放射状延伸，在沿周向彼此相邻的两个腔室12p间形成有适当条数(在图13中为各两条)的槽12y。
图示了槽12y是形成至未到达收纳构件12e的第2主面12r的位置的有底槽，但槽12y也可以是到达收纳构件12e的第2主面12r的贯通槽。另外，图示了沿径向连续的槽12y，但也可以沿径向间断地形成槽。优选是，使槽12y和腔室12p不具有相互重合的部分。
在电子部件18具有长方体形状，将电子部件18的长度方向的尺寸设为L，将宽度设为W，将厚度设为t，具有L>W≥t的关系的情况下，如图14所示，若将槽12y的宽度设为S1，将相邻且中间不隔着腔室12p的槽12y间的间隙的尺寸设为S2，将相邻的腔室12p与槽12y之间的间隙的尺寸设为S3，将槽12y的深度设为S4，则优选构成为满足S1<L、S2<L、S3<L、S4<t/2。
如图14中点划线所示，电子部件18多在收纳构件12e的移动方向(即周向)与电子部件18的长度方向大致平行的状态下附着于收纳构件12e。
通过使S1<L，能够抑制电子部件18进入槽12y的情况。另外，通过使S2<L且S3<L，能在相邻的槽12y间、相邻的腔室12p与槽12y之间减少电子部件18与收纳构件12e的第1主面12s的接触面积。
通过使S4<t/2，即使电子部件18进入槽12y，由于电子部件18的重心G位于槽12y的外侧，因此也能抑制电子部件18一直处于进入槽12y中的状态的情况。
图15是收纳构件12f的俯视图。如图15所示，在收纳构件12f的第1主面12s以不与腔室12p重叠的方式呈同心圆状地形成有环状的槽12z。在沿径向相邻的腔室12p之间形成有适当条数(在图15中为各1条)的槽12z。
也可以在收纳构件的第1主面形成沿与径向和周向均交叉的倾斜方向连续或间断地延伸的槽。另外，也可以在收纳构件的第1主面适当地组合形成放射状的槽、同心圆状的槽、倾斜方向的槽。
通过在收纳构件的第1主面中的与电子部件接触的接触区域内形成槽，能够减少电子部件与收纳构件的第1主面接触的接触面积，抑制静电的产生。
(2)能将除电器、静电去除装置设置在例如电子部件供给机构、收纳构件的上方，来抑制静电的产生。
(3)能够减少收纳构件与输送台的接触面积，来抑制静电的产生。例如，在图1所示的实施例1的结构中，在收纳构件12的靠输送台11侧的第2主面12r设置槽、凹凸，或者在输送台11的输送面11a设置槽、凹凸。由此，减少收纳构件12的第2主面12r与输送台11的输送面11a的接触面积，抑制静电的产生。
当在收纳构件形成导电部，并且并用所述(1)～(3)的其他静电对策中的一者或两者以上时，能使针对由静电导致的工件的贴附的对策更具可靠性。
<总结>如以上说明的那样，通过在电子部件的特性测定用的输送装置所使用的收纳构件形成导电部，能够抑制电子部件贴在收纳构件上。
另外，本发明并不限定于所述实施方式，能够施加各种各样的变更来实施。
例如，也可以适当地组合实施例2～实施例4的方法来制造电子部件的特性测定用的收纳构件。
附图标记说明
10、输送装置；11、输送台；11a、输送面；12、12a～12f、收纳构件；12k、绝缘部；12p、腔室；12q、开口；12r、第2主面；12s、第1主面；12t、接触区域；12u～12w、导电部；13a～13c、收纳构件；13i～13k、第1主面；13p～13r、腔室；13u～13w、第2主面；13x～13z、开口；14、电子部件供给机构；16、驱动机构；18、电子部件；20、基材；20p、通孔；20q、扩大孔；22、24、绝缘层；26、隔离层；32、导电层。

Claims (5)

1.一种电子部件的特性测定用的输送装置，其包括：
收纳构件，其具有彼此相对的第1主面和第2主面，在所述第1主面形成有多个开口，在所述第1主面与所述第2主面之间形成有分别与所述多个开口连通的多个腔室；
电子部件供给机构，其将多个电子部件以与所述收纳构件的所述第1主面接触的方式进行供给；以及
驱动机构，其使所述收纳构件相对于所述电子部件供给机构相对移动，
随着所述收纳构件相对于所述电子部件供给机构相对移动，与所述收纳构件的所述第1主面接触的所述电子部件被收纳于所述收纳构件的所述腔室，
该电子部件的特性测定用的输送装置的特征在于，
所述收纳构件具有：
绝缘部，其由绝缘性材料形成，并形成有所述开口和所述腔室；以及
导电部，其是由导电性材料形成的片材，并与所述绝缘部接合，所述导电部以与形成于所述绝缘部的所述腔室之间设有间隔的方式配置于接触区域、相对区域以及内部区域中的至少一者，所述接触区域是所述第1主面中的与自所述电子部件供给机构供给来的所述电子部件接触的区域，所述相对区域是所述第2主面中的与所述接触区域相对的区域，所述内部区域夹在所述接触区域与所述相对区域之间。
2.根据权利要求1所述的电子部件的特性测定用的输送装置，其特征在于，
所述导电部与接地电位连接。
3.一种电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法，所述电子部件的特性测定用的收纳构件具有彼此相对的第1主面和第2主面，在所述第1主面形成有多个开口，在所述第1主面与所述第2主面之间形成有分别与所述开口连通的多个腔室，
所述电子部件的特性测定用的收纳构件具有：
绝缘部，其由绝缘性材料形成，并形成有所述开口和所述腔室；以及
导电部，其由导电性材料形成，以与所述腔室之间设有间隔的方式配置于所述第1主面、所述第2主面以及夹在所述第1主面与所述第2主面之间的内部区域中的至少一者，所述导电部与所述绝缘部接触，
该电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法的特征在于，
所述电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法包括：
基材准备工序，在该基材准备工序中，准备基材，该基材层叠有由所述绝缘性材料形成的绝缘层和由所述导电性材料形成的导电层；
孔形成工序，在该孔形成工序中，在所述基材形成将所述绝缘层和所述导电层全部贯通的多个通孔，或者形成贯通至少1个所述导电层并利用1个所述绝缘层形成底的多个有底孔；以及
导电性材料去除工序，在所述孔形成工序的同时或在所述孔形成工序之后进行该导电性材料去除工序，在该导电性材料去除工序中，以如下方式在所述基材形成比所述通孔或所述有底孔大的扩大孔，即，对于形成有所述通孔或所述有底孔的全部的所述导电层，将所述通孔或所述有底孔的内周面及该内周面周围的部分的所述导电性材料去除，并且使形成于所述绝缘层的所述通孔的内周面的至少一部分或形成所述有底孔的所述底的所述绝缘层的内周面的至少一部分残留。
4.一种电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法，所述电子部件的特性测定用的收纳构件具有彼此相对的第1主面和第2主面，在所述第1主面形成有多个开口，在所述第1主面与所述第2主面之间形成有分别与所述开口连通的多个腔室，
所述电子部件的特性测定用的收纳构件具有：
绝缘部，其由绝缘性材料形成，并形成有所述开口和所述腔室；以及
导电部，其由导电性材料形成，以与所述腔室之间设有间隔的方式配置于所述第1主面、所述第2主面以及夹在所述第1主面与所述第2主面之间的内部区域中的至少一者，所述导电部与所述绝缘部接触，
该电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法的特征在于，
所述电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法包括：
基材准备工序，在该基材准备工序中，准备基材，该基材层叠有由所述绝缘性材料形成的绝缘层和由所述导电性材料形成的导电层；
孔形成工序，在该孔形成工序中，在所述基材形成将所述绝缘层和所述导电层全部贯通的多个通孔，或者形成贯通至少1个所述导电层并利用1个所述绝缘层形成底的多个有底孔；以及
导电性材料去除工序，在所述孔形成工序之后，进行该导电性材料去除工序，在该导电性材料去除工序中，对于形成有所述通孔或所述有底孔的全部的所述导电层，将所述通孔或所述有底孔的内周面及该内周面周围的部分的所述导电性材料去除。
5.一种电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法，所述电子部件的特性测定用的收纳构件具有彼此相对的第1主面和第2主面，在所述第1主面形成有多个开口，在所述第1主面与所述第2主面之间形成有分别与所述开口连通的多个腔室，
所述电子部件的特性测定用的收纳构件具有：
绝缘部，其由绝缘性材料形成，并形成有所述开口和所述腔室；以及
导电部，其由导电性材料形成，以与所述腔室之间设有间隔的方式配置于所述第1主面、所述第2主面以及夹在所述第1主面与所述第2主面之间的内部区域中的至少一者，所述导电部与所述绝缘部接触，
该电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法的特征在于，
所述电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法包括：
基材准备工序，在该基材准备工序中，准备基材，该基材层叠有由所述绝缘性材料形成的绝缘层和由所述导电性材料形成的导电层；
孔形成工序，在该孔形成工序中，在所述基材形成将所述绝缘层和所述导电层全部贯通的多个通孔，或者形成贯通至少1个所述导电层并利用1个所述绝缘层或1个所述导电层形成底的多个有底孔；以及
隔离层形成工序，在所述孔形成工序之后进行该隔离层形成工序，在该隔离层形成工序中，以覆盖所述通孔的内周面，或覆盖由1个所述绝缘层形成所述底的所述有底孔的内周面，或覆盖由1个所述导电层形成所述底的所述有底孔的内周面和所述底的方式，形成由与所述绝缘层相同或不同的绝缘性材料形成的隔离层。
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