CN109037243A - 用于显示装置的基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了用于显示装置的基板及其制作方法、显示装置。该用于显示装置的基板包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括：遮光层，所述遮光层设置在所述衬底上，所述遮光层具凹槽，所述凹槽具有收缩状的开口；有源层，所述有源层设置在所述凹槽中。由此，该基板的制作工艺简单，成本低；该基板中的有源层可以通过断裂直接形成，并且可以避免有源层接触到湿制程，提高了基板的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，具体地，涉及用于显示装置的基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
薄膜晶体管(TFT，thin-film transistor)作为微型处理器、存储卡、手机芯片、主动矩阵显示器件以及其他多种电子产品的主要功能部件及组成部分，是当今半导体科技中最重要的器件之一。其中，TFT作为平板显示产业中背板技术的核心部件，是提高电子设备显示效果、降低成本的重要环节。例如，在有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)中的每一个像素点都是由集成在其后的TFT来驱动，从而实现高速度、高亮度、高对比度的显示屏幕信息。其中，TFT的结构又可以分为顶栅型和底栅型，而顶栅相比底栅具有更高的开关比(Ion)、更大的开口率和更好的TFT稳定性而受到关注。
然而，目前的用于显示装置的基板及其制作方法、显示装置，仍有待改进。
发明内容
本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：
发明人发现，目前利用顶栅型TFT实现显示的显示装置中，普遍存在着工艺复杂、成本高、稳定性差等问题。发明人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于目前顶栅TFT下会形成一层金属图案以避免外界光对其特性的干扰，进而可以保护沟道层的稳定性，但是增加一层金属图案作为遮光层时，需要经过曝光和刻蚀工序，会造成制作工艺更加复杂，曝光次数增加，成本也会相应提高。此外，目前在制备遮光层后，制备TFT中的有源层时，有源层材料仍然会接触到湿制程(湿法刻蚀工艺)，增加了影响半导体性能的环节，例如，曝光和湿刻工艺时药液对半导体材料会造成影响，对稳定性也有一定程度影响。因此，如果可以利用更加简便的工艺制备遮光层，并且制备有源层时，避免湿制程对半导体材料的影响，将大幅提高顶栅型TFT显示装置的显示性能。
本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。
有鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提出了一种用于显示装置的基板。该基板包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括：遮光层，所述遮光层设置在所述衬底上，所述遮光层具凹槽，所述凹槽具有收缩状的开口；有源层，所述有源层设置在所述凹槽中。由此，该基板的制作工艺简单，成本低；该基板中的有源层可以通过断裂直接形成，并且可以避免有源层接触到湿制程，提高了基板的稳定性。
根据本发明的实施例，所述凹槽具有底面以及环绕所述底面的4个内侧壁，所述内侧壁具有斜坡。由此，可以进一步提升该基板的性能。
根据本发明的实施例，所述凹槽开口在所述衬底上的正投影，位于所述凹槽的底面所在区域内部。由此，可以简便地形成具有收缩状开口的凹槽。
根据本发明的实施例，所述凹槽在垂直于所述衬底所在平面方向上的剖面为梯形。由此，可以进一步提升该基板的性能。
根据本发明的实施例，所述遮光层是由黑矩阵材料形成的。由此，有利于在黑矩阵材料上形成具有收缩状开口的凹槽，进一步提升该基板的性能。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种制作用于显示装置的基板的方法。该方法包括：在衬底上形成具有凹槽的遮光层，并令所述凹槽的开口在所述衬底上的正投影，位于所述凹槽的底面所在区域内部；在所述衬底上形成薄膜晶体管，并令所述薄膜晶体管的有源层位于所述凹槽内部。该方法制作的基板可以是前面描述的基板，由此，可以具有前面描述的基板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该方法工艺简单，成本低；在制作有源层时，可以断裂直接形成有源层，并且可以避免有源层接触到湿制程，提高了基板的稳定性。
根据本发明的实施例，所述凹槽是通过以下步骤形成的：在所述衬底上设置黑矩阵层，并基于半色调掩膜，通过湿法刻蚀在所述黑矩阵层上形成所述凹槽，并去除所述半色调掩膜。由此，可以简便地形成具有凹槽的黑矩阵，进一步提升该方法制作的基板的性能。
根据本发明的实施例，该方法进一步包括：利用干法刻蚀，去除残余的所述半色调掩膜。由此，可以进一步提升该方法制作的基板的性能。
根据本发明的实施例，形成所述薄膜晶体管包括：在形成有所述遮光层的所述衬底上沉积有源层材料，以便所述有源层材料在所述凹槽的开口处断开，形成有源层。由此，可以简便地通过断裂形成有源层，并且可以避免有源层接触到湿制程，提高了基板的稳定性。
在本发明的又一个方面，本发明提出了一种显示装置。该显示装置包括前面所述的基板，或利用前面所述的方法制作的基板。由此，该显示装置可以具有前面描述的基板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置制作工艺简单，成本低；该显示装置中的有源层可以通过断裂直接形成，并且可以避免有源层接触到湿制程，提高了基板的稳定性。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1显示了根据本发明一个实施例用于显示装置的基板的结构示意图；
图2显示了根据本发明一个实施例用于显示装置的基板的部分结构示意图；
图3显示了根据本发明一个实施例用于显示装置的基板的结构示意图；
图4显示了根据本发明一个实施例的制作基板的方法的流程示意图；
图5显示了根据本发明另一个实施例的制作基板的方法的流程示意图；
图6显示了根据本发明一个实施例的制作基板的方法的部分流程示意图；以及
图7显示了根据本发明一个实施例的显示装置的结构示意图。
附图标记说明：
100：衬底；210：遮光层；220：有源层；230：栅极；241：源极；242：漏极；300：缓冲层；400：栅绝缘层；500：层间介质层；600：钝化层；700：电容电极；800：彩膜层；900：平坦化层；910：阳极层；1000：显示装置。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
有鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提出了一种用于显示装置的基板。根据本发明的实施例，参考图1，该基板包括：衬底100以及薄膜晶体管。根据本发明的实施例，薄膜晶体管设置在衬底100上。上述薄膜晶体管包括：遮光层210以及有源层220。根据本发明的实施例，遮光层210设置在衬底100上，遮光层210具凹槽10，凹槽10具有收缩状的开口。根据本发明的实施例，有源层220设置在凹槽10中。由此，该基板的制作工艺简单，成本低；该基板中的有源层可以通过断裂直接形成，并且可以避免有源层接触到湿制程，提高了基板的稳定性。需要说明的是，该薄膜晶体管还可以进一步包括源极241、漏极242以及栅极230。在本发明中，栅极230、源极241和漏极242的结构的组成材料、具体形状、厚度均不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行调节。例如，该薄膜晶体管可以为顶栅式薄膜晶体管。也即是说，栅极230可以设置在该薄膜晶体管的顶部，与有源层220中的沟道区相对应，源极241以及漏极242分别设置在沟道区的两侧。
为例便于理解，下面对该基板实现上述技术效果的原理进行详细说明：
如前所述，目前利用顶栅型TFT实现显示的显示装置中，普遍存在着工艺复杂、成本高、稳定性差等问题。根据本发明的实施例，在遮光层中形成具有收缩状开口的凹槽，例如凹槽呈上口小于底部的梯形形状，由此，可以使后续步骤形成有源层时，有源层材料可以直接断裂形成在凹槽中，即在凹槽中形成独立图形，从而减少了一道掩膜(mask)工序，简化了工艺流程，降低了生产成本；并且，在形成有源层时，可以避免有源层接触到湿制程，例如避免曝光和湿刻工艺时药液对半导体材料的影响，提高了基板的稳定性能。由此，该基板在用于显示装置时，可以简化显示装置的制作工艺，降低生产成本，提高稳定性。
根据本发明的实施例，该基板用于显示装置时，显示装置的具体类型不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需求进行选择。例如，该基板可以用于OLED或LCD。根据本发明的具体实施例，该基板可以用于大尺寸的OLED。下面以该基板用于OLED为例，对该基板的各个结构进行详细描述：
根据本发明的实施例，形成衬底100的具体材料不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择，只要该材料具有一定的机械强度，可以为构成该基板的其他结构提供足够的支撑即可。
根据本发明的实施例，形成遮光层210的材料不受特别限制，只需满足可以实现遮光的作用避免外界光对薄膜晶体管特性的干扰，并且具有凹槽10即可。例如，根据本发明的实施例，遮光层210可以是由黑矩阵材料形成的。由此，有利于在黑矩阵材料上形成具有收缩状开口的凹槽，进一步提升该基板的性能。
根据本发明的实施例，在遮光层210上形成的凹槽10的具体大小、形状均不受特别限制，只需满足形成的凹槽10具有收缩状的开口即可。例如，参考图2，根据本发明的实施例，凹槽可以是具有底面以及环绕底面的4个内侧壁，内侧壁具有斜坡。由此，可以进一步提升该基板的性能。根据本发明的具体实施例，凹槽10开口在衬底100上的正投影，位于凹槽10的底面所在区域内部。由此，可以简便地形成具有收缩状开口的凹槽10。更具体的，凹槽10在垂直于衬底100所在平面方向上的剖面可以为梯形。由此，可以进一步提升该基板的性能。根据本发明的实施例，凹槽10的具体形成方式不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需求进行选择。例如，根据本发明的实施例，当遮光层210由黑矩阵材料形成时，可以是在衬底100上设置黑矩阵材料以形成黑矩阵层，并基于半色调掩膜(halftone Mask)，通过湿法刻蚀在黑矩阵层上形成凹槽10，并去除半色调掩膜。即，刻蚀形成凹槽10后，剩余的黑矩阵层即为遮光层210。由此，可以简便地形成凹槽10。采用黑矩阵材料形成凹槽10，不仅可以利用现有的制作显示装置的产线进行制备，无需引入新的材料或是新的工艺，并且，由于构成黑矩阵层的材料为低透光率的有机树脂材料，因此一方面完全可以满足遮光层的遮光需求，另一方面也便于通过简单的构图工艺，控制刻蚀后剩余的树脂材料的形状，进而形成具有收缩状开口的凹槽10。例如，根据本发明一个具体的实施例，可以利用湿法刻蚀形成上述凹槽10。通过延长湿法刻蚀中的曝光时间，即可简便的获得具有收缩状的开口的凹槽10，并且后续可以利用干法刻蚀，去除残余的半色调掩膜：由于黑矩阵层中不同厚度处的黑矩阵材料，对曝光光线的接收情况不同，即曝光量不同。因此仅通过适当延长曝光时间，就可以在后续处理过程中形成开口面积小于凹槽底面面积的形状。由此，可以进一步提升该基板的性能。
根据本发明的实施例，形成有源层220的材料不受特别限制，只要能够实现薄膜晶体管的使用功能即可，本领域技术人员可以根据实际使用的需求进行设计。例如，根据本发明的实施例，有源层220可以是由金属氧化物形成的，如可以是由铟镓锌氧化物(IGZO)形成的。根据本发明的实施例，在凹槽10中形成有源层220时，由于凹槽10的开口为收缩状，由此，在形成有遮光层210的衬底100上沉积有源层材料时，有源层材料会在凹槽10的开口处断开：在形成有源层时，也是通过首先在具有凹槽10的衬底100上沉积一整层有源层材料。当凹槽10的侧壁为垂直侧壁，或是具有外放型的开口时，则有源层材料会在侧壁处堆积，和凹槽以外区域的有源层材料形成一个连续的层状结构。因此，最终形成的薄膜晶体管的有源层的边缘，需要通过后续的构图工艺刻蚀而获得。由于根据本发明实施例的凹槽10具有收缩型的开口，因此有源层材料不会在侧壁处堆积。凹槽以外的其他遮光层区域中沉积的有源层材料，和凹槽内部的有源层材料之间不能够形成连续的层状材料，即：有源层可以在开口处自然断开。也即是说凹槽内部(最终用于形成薄膜晶体管的有源层)沉积的有源层材料的边缘，是自然形成的，有源层220直接形成在凹槽10中，由此可以避免有源层220接触到湿制程，例如避免曝光和湿刻工艺时药液对半导体材料的影响，提高了基板的稳定性能。需要说明的是，沉积形成在凹槽10以外区域的有源层材料，可以简便地通过构图工艺去除。而该步骤并不涉及凹槽10内部的有源层材料，因此这一步构图工艺，不会影响最终形成的薄膜晶体管的性能。
需要说明的是，根据本发明实施例的薄膜晶体管，除去具有前面描述的结构之外，还可以具有诸如缓存层、绝缘层、钝化层等结构，以便实现电极(如栅极230、源极241和漏极242)和有源层220之间的绝缘，以及源极241和漏极242之间的绝缘。根据本发明的具体实施例，参考图1，该基板进一步包括：缓冲层300。根据本发明的具体实施例，缓冲层300设置在凹槽10中，且形成在遮光层210与有源层220之间。由此，可以进一步提高该基板的性能。根据本发明的实施例，形成缓冲层300的具体材料不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需求进行选择，例如，可以为SiO2。根据本发明的具体实施例，该基板还可以进一步包括栅绝缘层400、层间介质层500以及钝化层600。根据本发明的实施例，形成栅绝缘层400、层间介质层500以及钝化层600的具体材料均不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要，选择适当的材料形成栅绝缘层400、层间介质层500以及钝化层600。例如，栅绝缘层400、层间介质层500以及钝化层600可以均为SiO2。
根据本发明的实施例，参考图3，该基板在用于OLED显示装置时，还可以进一步包括电容电极700(包括700A以及700B)、彩膜层800(包括红色彩膜层800A、蓝色彩膜层800B、绿色彩膜层800C)、平坦化层900、阳极层910等结构，以便实现该基板中薄膜晶体管对每一个像素点的控制，进一步实现显示的功能。在本发明中，电容电极700、彩膜层800、平坦化层900、阳极层910的结构的组成材料、具体形状、厚度均不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行调节。例如，电容电极700A可以是和源级241以及漏级242同层设置的，电容电极700B可以是形成钝化层600远离电容电极700A的一侧，并与电容电极700A对应设置。彩膜层800可以是设置在衬底100上未设置有遮光层210的区域，具体的，彩膜层800设置在钝化层600上。平坦化层900有利于基板的平坦化。阳极层910设置在平坦化层900远离衬底100的一侧，并通过过孔与源级241相连。由此，可以进一步提升该基板的性能。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种制作用于显示装置的基板的方法。该方法制作的基板可以是前面描述的基板，由此，可以具有前面描述的基板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该方法工艺简单，成本低；在制备有源层时，可以断裂直接形成有源层，并且可以避免有源层接触到湿制程，提高了基板的稳定性。
根据本发明的实施例，参考图4，该方法包括：
S100：形成具有凹槽的遮光层
在该步骤中，在衬底上形成具有凹槽的遮光层，并令凹槽的开口在衬底上的正投影，位于凹槽的底面所在区域内部。根据本发明的实施例，该步骤中提供的衬底，可以具有与前面描述的基板中的衬底相同的特征以及优点，在此不再赘述。根据本发明的实施例，该步骤中形成的遮光层，可以具有与前面描述的基板中的遮光层相同的特征以及优点。
根据本发明的实施例，遮光层中的凹槽可以是通过以下步骤形成的：在衬底上设置黑矩阵层，并基于半色调掩膜，通过湿法刻蚀在黑矩阵层上形成凹槽，并去除半色调掩膜。由此，可以简便地形成具有凹槽的黑矩阵，进一步提升该方法制作的基板的性能。根据本发明的实施例，该步骤中形成的凹槽，可以具有与前面描述的基板中的凹槽相同的特征以及优点。根据本发明的实施例，采用黑矩阵材料形成凹槽，不仅可以利用现有的制作显示装置的产线进行制备，无需引入新的材料或是新的工艺，并且，由于构成黑矩阵层的材料为低透光率的有机树脂材料，因此一方面完全可以满足遮光层的遮光需求，另一方面也便于通过简单的构图工艺，控制刻蚀后剩余的树脂材料的形状，进而形成具有收缩状开口的凹槽。例如，根据本发明一个具体的实施例，可以利用湿法刻蚀形成上述凹槽。通过延长湿法刻蚀中的曝光时间，即可简便的获得具有收缩状的开口的凹槽，并且后续可以利用干法刻蚀，去除残余的半色调掩膜：由于黑矩阵层中不同厚度处的黑矩阵材料，对曝光光线的接收情况不同，即曝光量不同。因此仅通过适当延长曝光时间，就可以在后续处理过程中形成开口面积小于凹槽底面面积的形状。由此，可以进一步提升该基板的性能。
为了进一步提升该方法制作的基板的性能，参考图5，该方法进一步包括：
S10：去除残余的半色调掩膜
在该步骤中，利用干法刻蚀，去除残余的半色调掩膜。由此，可以进一步提升该方法制作的基板的性能。发明人发现，利用干法刻蚀不仅可以去除残余的半色调掩膜，还可以进一步优化凹槽的边缘，进一步提升得到的凹槽的性能。
S200：在衬底上形成薄膜晶体管
在该步骤中，在衬底上形成薄膜晶体管，并令薄膜晶体管的有源层位于凹槽内部。
根据本发明的实施例，形成薄膜晶体管包括：在形成有遮光层的衬底上沉积有源层材料，以便有源层材料在凹槽的开口处断开，形成有源层。由此，可以简便地通过断裂形成有源层，并且可以避免有源层接触到湿制程，提高了基板的稳定性。根据本发明的实施例，由于凹槽的开口为收缩状，有源层材料会在凹槽的开口处断开：在形成有源层时，也是通过首先在具有凹槽的衬底上沉积一整层有源层材料。当凹槽的侧壁为垂直侧壁，或是具有外放型的开口时，则有源层材料会在侧壁处堆积，和凹槽以外区域的有源层材料形成一个连续的层状结构。因此，最终形成的薄膜晶体管的有源层的边缘，需要通过后续的构图工艺刻蚀而获得。由于根据本发明实施例的凹槽具有收缩型的开口，因此有源层材料不会在侧壁处堆积。凹槽以外的其他遮光层区域中沉积的有源层材料，和凹槽内部的有源层材料之间不能够形成连续的层状材料，即：有源层可以在开口处自然断开。也即是说凹槽内部(最终用于形成薄膜晶体管的有源层)沉积的有源层材料的边缘，是自然形成的，有源层直接形成在凹槽中，由此可以避免有源层接触到湿制程，例如避免曝光和湿刻工艺时药液对半导体材料的影响，提高了基板的稳定性能。需要说明的是，沉积形成在凹槽以外区域的有源层材料，可以简便地通过构图工艺去除。而该步骤并不涉及凹槽内部的有源层材料，因此这一步构图工艺，不会影响最终形成的薄膜晶体管的性能。
根据本发明的实施例，形成有源层的材料不受特别限制，只要能够实现薄膜晶体管的使用功能即可，本领域技术人员可以根据实际使用的需求进行设计。例如，根据本发明的实施例，有源层可以是由金属氧化物，例如铟镓锌氧化物(IGZO)形成的。
为了进一步提升该方法制作的基板的性能，参考图6，在遮光层的凹槽中形成有源层之后，上述形成薄膜晶体管进一步包括：
S1：设置栅绝缘层以及栅极
在该步骤中，参考图1，在有源层220远离衬底100的一侧，形成栅绝缘层400。根据本发明的实施例，栅绝缘层400的结构的组成材料、具体形状、厚度均不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行调节。
根据本发明的实施例，栅绝缘层400远离有源层的一侧设置栅极230，以便实现薄膜晶体管的电学功能。根据本发明的实施例，栅极230的具体位置以及设置方式不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。例如，栅极230可以设置在该薄膜晶体管的顶部，与有源层220中的沟道区相对应，源极241以及漏极242分别设置在沟道区的两侧。也即是说，在该步骤中形成的栅极230和有源层220对应设置。换句话说，该步骤中形成的栅极230，可以通过施加栅电压，对有源层220进行控制。根据本发明的实施例，栅极230的结构的组成材料、具体形状、厚度均不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行调节。
下面根据本发明的具体实施例，对该方法形成栅绝缘层以及栅极具体步骤以及详细操作进行描述：
根据本发明的实施例，在有源层远离衬底的一侧形成一层栅绝缘层材料，然后在栅绝缘层材料远离有源层220的一侧形成栅极金属。随后，在栅极金属上形成栅极掩膜光刻胶，并基于该光刻胶对栅极金属进行湿法刻蚀，以便形成栅极230。需要说明的是，该光刻胶的线宽可以大于最终形成的栅极230的线宽，通过控制湿法刻蚀的工艺参数，即可形成线宽小于光刻胶线宽的栅极。然后，保留栅极230上的光刻胶，直接通过干刻工艺，去除未覆盖有光刻胶区域的栅绝缘层材料，以便形成栅绝缘层400。由于在形成光刻胶时，其线宽大于栅极230的线宽，因此，形成的栅绝缘层(Gate Insulating layer，GI)400的线宽也大于栅极230的线宽，在进行干刻工艺时，形成的栅绝缘层400可以完全覆盖下方的有源层220，从而对有源层220进行保护(即形成GI tail)。此外，通过上述步骤形成栅绝缘层400以及栅极230后，还可以利用构图工艺(例如湿法刻蚀)将非沟道区的有源层材料进行去除，即前面所述的沉积形成在凹槽以外区域的有源层材料，可以简便地通过构图工艺进行去除。最后，可以采用干刻工艺剥离掉光刻胶。由此，可以简便地形成栅绝缘层400以及栅极230。此处去除的有源层材料，并不用于形成有源层220。因此，即便引入了干法刻蚀的工艺，也不会对薄膜晶体管的性能造成影响。
S2：设置源极和漏极
根据本发明的实施例，在该步骤中，形成源极以及漏极，以便实现薄膜晶体管的电学功能。具体的，源极和漏极可以设置在有源层上。根据本发明的实施例，源极和漏极的结构的组成材料、具体形状、厚度均不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行调节。例如，可以进行层间介质层500的沉积以及图案化工艺，形成过孔结构，然后进行源极241与漏极242的沉积及图案化工艺，以便使源极241与漏极242分别独立地与有源层220进行连接，并获得根据本发明实施例的基板。
为了进一步提升该方法制作的基板的性能，参考图1，该方法还可以进一步包括：形成诸如缓存层300以及钝化层600等结构。根据本发明的具体实施例，缓冲层300以及钝化层600前面已经进行了详细的叙述，在此不再赘述。
根据本发明的实施例，参考图3，该基板在用于OLED显示装置时，还可以进一步包括电容电极700(包括700A以及700B)、彩膜层800(包括红色彩膜层800A、蓝色彩膜层800B、绿色彩膜层800C)、平坦化层900、阳极层910等结构，以便实现该基板中薄膜晶体管对每一个像素点的控制，进一步实现显示的功能。在本发明中，电容电极700、彩膜层800、平坦化层900、阳极层910的结构的组成材料、具体形状、厚度均不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行调节。例如，电容电极700A可以和源级241以及漏级242同层同材料，电容电极700B可以是形成钝化层600远离电容电极700A的一侧，并与电容电极700A对应设置，电容电极700B可以和阳极层910同步形成，由此，可以简便的获得电容结构。彩膜层800可以是设置在衬底100上未设置有遮光层210的区域，具体的，彩膜层800设置在钝化层600上。平坦化层900有利于基板的平坦化。阳极层910设置在平坦化层900远离衬底100的一侧，并通过过孔与源级241相连。由此，可以进一步提升该基板的性能。
综上所述，该方法工艺简单，成本低；在制备有源层时，可以断裂直接形成有源层，并且可以避免有源层接触到湿制程，提高了基板的稳定性。
在本发明的又一个方面，本发明提出了一种显示装置。根据本发明的实施例，参考图7，该显示装置1000包括前面所述的基板，或利用前面所述的方法制作的基板。由此，该显示装置1000可以具有前面描述的基板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置制作工艺简单，成本低；该显示装置中的有源层可以通过断裂直接形成，并且可以避免有源层接触到湿制程，提高了基板的稳定性。
在本发明的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种用于显示装置的基板，其特征在于，包括：
衬底；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括：
遮光层，所述遮光层设置在所述衬底上，所述遮光层具凹槽，所述凹槽具有收缩状的开口；
有源层，所述有源层设置在所述凹槽中。
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述凹槽具有底面以及环绕所述底面的4个内侧壁，所述内侧壁具有斜坡。
3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述凹槽开口在所述衬底上的正投影，位于所述凹槽的底面所在区域内部。
4.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述凹槽在垂直于所述衬底所在平面方向上的剖面为梯形。
5.根据权利要求1-4任一项所述的基板，其特征在于，所述遮光层是由黑矩阵材料形成的。
6.一种制作用于显示装置的基板的方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成具有凹槽的遮光层，并令所述凹槽的开口在所述衬底上的正投影，位于所述凹槽的底面所在区域内部；
在所述衬底上形成薄膜晶体管，并令所述薄膜晶体管的有源层位于所述凹槽内部。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述凹槽是通过以下步骤形成的：
在所述衬底上设置黑矩阵层，并基于半色调掩膜，通过湿法刻蚀在所述黑矩阵层上形成所述凹槽，并去除所述半色调掩膜。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：
利用干法刻蚀，去除残余的所述半色调掩膜。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述薄膜晶体管包括：
在形成有所述遮光层的所述衬底上沉积有源层材料，以便所述有源层材料在所述凹槽的开口处断开，形成有源层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的基板，或利用权利要求6-9任意一项所述的方法制作的基板。
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