CN109023215A - 等离子体喷镀头、等离子体喷镀装置及等离子体喷镀方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够将多个喷镀枪的间隔配置为狭窄的间隔的等离子体喷镀头、等离子体喷镀装置及等离子体喷镀方法。一个实施方式的等离子体喷镀头利用等离子体来使喷镀材料的粉末熔融，并且利用熔融后的粉末在对象物进行成膜，所述等离子体喷镀头具有喷镀枪和主体部，所述喷镀枪分别包括：喷嘴，其利用等离子体生成气体来运送所述喷镀材料的粉末，并且从前端部的开口喷射该粉末；以及等离子体生成部，其利用由直流电源输出的电力分解由所述喷嘴喷射的所述等离子体生成气体，来生成与所述喷嘴具有共同的芯轴的等离子体，所述主体部将所述多个喷镀枪一体地支承，在该主体部的内部包括供制冷剂流通的制冷剂流路。
Description
技术领域
本发明涉及一种等离子体喷镀头、等离子体喷镀装置及等离子体喷镀方法。
背景技术
已知如下一种等离子体喷镀装置：一边利用由高速的气体形成的等离子体喷射流的热来使喷镀材料的粒子的粉末熔融一边朝向基材的表面喷出该粉末，来在基材的表面形成覆膜(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2014-123663号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，例如在对长条物体进行成膜的情况下、在成膜的前后进行退火处理的情况下，需要将多个喷镀枪以窄间距配置。
然而，在上述的等离子体喷镀装置中，粉末的尺寸大，并且从喷镀枪的外部供给喷镀材料的粉末，因此喷镀枪的尺寸大，难以将多个喷镀枪以窄间距配置。另外，使粉末熔融时的电力高，因此由于发热的问题也难以将多个喷镀枪以窄间距配置。
本发明是鉴于上述内容而完成的，其目的在于提供一种能够将多个喷镀枪的间隔配置为狭窄的间隔的等离子体喷镀头。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明的一个方式所涉及的等离子体喷镀头利用等离子体来使喷镀材料的粉末熔融，并且利用熔融后的粉末在对象物进行成膜，所述等离子体喷镀头具有喷镀枪和主体部，所述喷镀枪包括：喷嘴，其利用等离子体生成气体来运送所述喷镀材料的粉末，并且从前端部的开口喷射该粉末；以及等离子体生成部，其利用由直流电源输出的电力分解由所述喷嘴喷射的所述等离子体生成气体，来生成与所述喷嘴具有共同的芯轴的等离子体，所述主体部将所述多个喷镀枪一体地支承，并且在该主体部的内部包括用于流通制冷剂的制冷剂流路。
发明的效果
根据公开的等离子体喷镀头，能够将多个喷镀枪的间隔配置为狭窄的间隔。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式所涉及的等离子体喷镀装置的概要图。
图2是表示图1的等离子体喷镀装置的等离子体喷镀头的一例的立体图。
图3是用于说明图2的等离子体喷镀头的主体部的图。
图4是通过图2的等离子体喷镀头的喷嘴的中心轴的纵剖截面图。
图5是图2的等离子体喷镀头的横剖截面图。
图6是表示图1的等离子体喷镀装置的等离子体喷镀头的其它例子的截面图。
图7是对长条物体进行成膜处理的情况下的等离子体喷镀头的动作的说明图。
图8是用于评价退火处理对膜的密合性带来的影响的评价系统的说明图。
图9是表示评价退火处理对膜的密合性带来的影响的结果的图。
图10是用于评价退火处理后的经过时间对膜的密合性带来的影响的评价系统的说明图。
图11是表示评价退火处理后的经过时间对膜的密合性带来的影响的结果的图。
附图标记说明
1：等离子体喷镀装置；10：给料机；20：等离子体喷镀头；21：主体部；21a：贯通孔；21b：制冷剂流路；25：喷镀枪；26：喷嘴；27：旋转流盘；27a：气体流路；28：阳极部；30：气体供给部；40：冷却装置；50：直流电源；P：等离子体喷射流；R1：喷镀材料的粉末。
具体实施方式
下面，参照附图来说明用于实施本发明的方式。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，由此省略重复的说明。
〔等离子体喷镀装置〕
对本发明的实施方式所涉及的等离子体喷镀装置进行说明。图1是本发明的实施方式所涉及的等离子体喷镀装置的概要图。图2是表示图1的等离子体喷镀装置的等离子体喷镀头的一例的立体图。图3是用于说明图2的等离子体喷镀头的主体部的图。图4是通过图2的等离子体喷镀头的喷嘴的中心轴的纵剖截面图。图5是图2的等离子体喷镀头的横剖截面图。
如图1所示，在本发明的实施方式所涉及的等离子体喷镀装置1中，从喷嘴26的前端部26b的开口26c喷射喷镀材料的粉末R1，一边利用由高速的气体形成的等离子体喷射流P的热使该粉末R1熔融一边朝向作为对象物的基材的表面喷出该粉末R1，来在基材的表面形成包含喷镀材料的膜。作为基材的一例，能够列举锂(Li)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、金属化合物(不锈钢等)、绝缘膜(工程塑料、陶瓷)等。
等离子体喷镀装置1具有给料机10、等离子体喷镀头20、气体供给部30、冷却装置40以及直流电源50。
给料机10向喷嘴26供给喷镀材料的粉末R1。喷镀材料的粉末R1被容纳在给料机10内的容器11中。喷镀材料的粉末R1例如为1μm～50μm的粒径的微粉末。在给料机10设置有致动器12。
等离子体喷镀头20具有主体部21和多个喷镀枪25。在本实施方式中，如图1和图2所示，等离子体喷镀头20的四个喷镀枪25被一体地支承于主体部21。
主体部21为将多个喷镀枪25一体地支承的陶瓷等的绝缘构件。如图3所示，在主体部21形成有构成为能够被多个喷镀枪25贯穿的多个贯通孔21a。在本实施方式中，四个贯通孔21a沿主体部21的长边方向形成。主体部21的在长边方向上的长度L1为155mm，相邻的贯通孔21a的中心间距离L2为35mm。
如图1和图4所示，在主体部21的内部形成有用于流通制冷剂的制冷剂流路21b。制冷剂流路21b设置于多个喷镀枪25的各喷镀枪25的周边。从冷却装置40向制冷剂流路21b供给制冷剂。由此，主体部21被冷却，因此能够防止主体部21由于等离子体的热而变成高温。
例如利用3D打印机、基于被读取到3D打印机的主体部用3D数据来将主体部21成型。主体部3D数据中包括形成于主体部21的内部的回旋流构造、制冷剂流路21b以及用于插入喷镀枪25的多个贯通孔21a的形状、配置及尺寸数据。3D打印机基于主体部用3D数据将在内部内置有回旋流构造、制冷剂流路21b、用于插入喷镀枪25的多个贯通孔21a的主体部21一体地形成，由此能够将多个喷镀枪25以窄间距配置，能够实现装置的紧凑化和硬件的部件个数的减少(减少O形环等)。
另外，也可以是，使用光学建模3D打印机来制作包括陶瓷的原料的成型物，利用使制成的成型物烧结的陶瓷3D烧制等3D烧结技术来将主体部21成型。
喷镀枪25利用从气体供给部30供给的等离子体生成气体来运送从给料机10供给的喷镀材料的粉末R1，并且使用由直流电源50供给的电力使等离子体生成气体电离(解离)来生成等离子体喷射流P。然后，一边利用等离子体喷射流P的热使喷镀材料的粉末R1熔融，一边朝向基材的表面喷出该粉末R1。喷镀枪25具有喷嘴26、旋转流盘27以及阳极部28。
喷嘴26为棒状的环状构件，在其内部形成有用于运送喷镀材料的粉末R1的流路26a。喷嘴26的流路26a与容器11内连通。利用致动器12的动力使容器11振动，由此从容器11向喷嘴26内的流路26a投入喷镀材料的粉末R1。将等离子体生成气体与喷镀材料的粉末R1一起供给到喷嘴26。等离子体生成气体为用于生成等离子体的气体，另外，也作为在流路26a中运送喷镀材料的粉末R1的载气发挥功能。
喷嘴26将主体部21贯通，该喷嘴26的前端部26b突出到等离子体生成空间U中。在本实施方式中，喷嘴26通过固定构件29a和紧固构件29b被固定于主体部21。喷镀材料的粉末R1被等离子体生成气体运输到喷嘴26的前端部26b，并且与等离子体生成气体一起从前端部26b的开口26c被喷射到等离子体生成空间U。喷嘴26由金属材料形成。喷嘴26与直流电源50连接，也作为从直流电源50供给电流的电极(阴极)发挥功能。
旋转流盘27贯穿于主体部21的贯通孔21a。旋转流盘27由绝缘材料形成。在旋转流盘27的内部形成有用于向等离子体生成空间U供给等离子体生成气体的气体流路27a。从气体供给部30向气体流路27a供给等离子体生成气体。
阳极部28从主体部21的下方贯穿于贯通孔21a。阳极部28由金属材料形成。阳极部28与直流电源50连接，作为电极(阳极)发挥功能。
等离子体生成空间U为主要由旋转流盘27的内周部27b和阳极部28的上部28a界定出的空间。喷嘴26的前端部26b突出到等离子体生成空间U中。
气体供给部30具有气体供给源31、阀32、质量流量控制器33、配管34以及配管35。从气体供给源31供给等离子体生成气体，该等离子体生成气体经由阀32和质量流量控制器33被进行通断和流量控制，并且经由配管34被供给到喷嘴26内的流路26a。作为等离子体生成气体，能够利用氩气、氦气、氮气、氢气、将所述各种气体组合而成的气体等。
另外，从气体供给源31供给等离子体生成气体，该等离子体生成气体经由阀32和质量流量控制器33被进行通断和流量控制，并且经由配管35在旋转流盘27的内部的气体流路27a中流动，沿横向被供给到等离子体生成空间U。更具体地说，如图1和图5所示，向等离子体生成空间U导入的等离子体生成气体从旋转流盘27的气体流路27a以成为沿横向的回旋流的方式被供给到等离子体生成空间U。由此，防止生成的等离子体的扩散，等离子体喷射流P成为线性偏转。即，生成与喷嘴26具有共同的芯轴的等离子体喷射流P。此外，在本实施方式中，所谓“共同的芯轴”是指喷嘴26的中心轴C与等离子体喷射流P的吹送方向的中心轴一致或在大致相同的方向上一致。
冷却装置40向制冷剂流路21b供给冷却水等制冷剂。从冷却装置40供给的制冷剂经由制冷剂管41、制冷剂流路21b以及制冷剂管42进行循环，并且返回到冷却装置40。在本实施方式中，形成于各个喷镀枪25的周围的制冷剂流路21b彼此并联连接。此外，也可以是，形成于各个喷镀枪25的周围的制冷剂流路21b彼此串联连接。
直流电源50向喷嘴26的前端部26b与阳极部28之间供给规定电力(例如500W～20kW)。由此，在喷嘴26的前端部26b与阳极部28之间发生放电，在等离子体生成空间U中从喷嘴26喷射出的等离子体生成气体电离(分解)，生成等离子体。
如以上所说明的那样，本发明的实施方式所涉及的等离子体喷镀装置1具有主体部21将多个喷镀枪25一体地支承的构造，因此能够将多个喷镀枪25的间隔配置为狭窄的间隔。由此，能够实现等离子体喷镀头20的省空间化。
另外，在本发明的实施方式所涉及的等离子体喷镀装置1中，在主体部21的内部形成有用于流通制冷剂的制冷剂流路21b，因此能够防止主体部21由于等离子体的热而变成高温。
另外，在本发明的实施方式所涉及的等离子体喷镀装置1中，从一个给料机10对多个喷镀枪25供给喷镀材料的粉末R1，并且从一个气体供给部30对多个喷镀枪25供给等离子体生成气体。另外，从一个冷却装置40供给制冷剂，从一个直流电源50供给电力。由此，能够削减构成等离子体喷镀装置1的部件个数。因此，能够实现等离子体喷镀装置1的省空间化。此外，也可以与多个喷镀枪25分别对应地设置多个给料机10、多个气体供给部30、多个冷却装置40以及多个直流电源50。在该情况下，能够使各个喷镀枪25以不同的条件动作。
接着，对图1的等离子体喷镀装置1的等离子体喷镀头的其它例子进行说明。图6为表示图1的等离子体喷镀装置1的等离子体喷镀头的其它例子的截面图。
如图6所示，等离子体喷镀头120关于在主体部21的内部形成有用于向等离子体生成空间U供给等离子体生成气体的回旋流(以下称作“回旋气体”。)的气体流路27a这一点与图2的等离子体喷镀头20不同。
在图6所示的等离子体喷镀头120中，用于向等离子体生成空间U供给回旋气体的气体流路27a形成于主体部21的内部，因此能够削减构成等离子体喷镀头120的部件个数。另外，能够削减等离子体喷镀头120的组装工时。
〔效果〕
对本发明的实施方式所涉及的等离子体喷镀装置1所起到的效果进行说明。
首先，对使用本发明的实施方式所涉及的等离子体喷镀装置1对生产率的提高带来的贡献进行说明。图7为对长条物体进行成膜处理的情况下的等离子体喷镀头的动作的说明图。
如图7所示，在基材W为长条物体的情况下，使基材W沿在主体部21一体地支承有四个喷镀枪25的等离子体喷镀头20的短边方向(图中的箭头所示的方向)移动，并且一边利用等离子体喷射流P的热使喷镀材料的粉末R1熔融一边朝向基材W的表面喷出该粉末R1，来在基材W的表面形成包含喷镀材料的膜。
通过该方法，当对长条物体形成包含喷镀材料的膜时，能够通过使基材W向一个方向(或一个轴的往复方向)移动来形成期望的膜。因此，能够提高生产率。另外，能够简化使基材W移动的机构。
此外，在图7的例子中，列举一边使基材W移动一边进行等离子体喷镀的情况为例进行了说明，但不限定于此，也可以在代替使基材W移动而使等离子体喷镀头20移动的同时进行等离子体喷镀，或者在使等离子体喷镀头20与基材W一起移动的同时进行等离子体喷镀。
接着，对退火处理对膜的密合性带来的影响进行说明。图8是用于评价退火处理对膜的密合性带来的影响的评价系统的说明图。
如图8所示，在从四个喷镀枪25A、25B、25C、25D中的喷镀枪25B喷射添加有5％的氢(H2)的Ar等离子体(以下称作“H2添加等离子体”。)并且从喷镀枪25C喷镀Cu的状态下，使基材W沿等离子体喷镀头20的长边方向按喷镀枪25A的下方、喷镀枪25B的下方、喷镀枪25C的下方、喷镀枪25D的下方的顺序移动，并向基材W的表面喷射H2添加等离子体来进行退火处理，之后喷镀Cu来形成Cu喷镀膜。此外，在图8中，用箭头表示基材W的移动方向。
此时，将相邻的喷镀枪25的中心间距离L2设为35mm、将基材W的表面与喷镀枪25的下表面之间的距离L3设为50mm左右、将基材W的移动速度设为几百mm/秒。另外，作为基材W，使用Al、氧化铝(Al2O3)、铁(Fe)系金属。
另外，为了进行比较，在不从喷镀枪25B喷射H2添加等离子体、从喷镀枪25C喷镀Cu的状态下，使基材W沿等离子体喷镀头20的长边方向按喷镀枪25A的下方、喷镀枪25B的下方、喷镀枪25C的下方、喷镀枪25D的下方的顺序移动，不向基材W的表面喷射H2添加等离子体(不进行退火处理)，向基材W的表面喷镀Cu来形成Cu喷镀膜。
图9是表示评价退火处理对膜的密合性带来的影响的结果的图。在图9中示出针对八种试样评价膜的密合性得到的试验结果。膜的密合性评价试验是以JISK5400-8.5(JISD0202)为基准实施的。在图9中，从左侧的列起依次示出基材材质、基材的表面粗糙度、Cu喷镀膜的厚度(Cu喷镀厚度)、有无H2添加等离子体、膜切割时的膜状态以及带剥离时的膜状态。
如图9所示，在H2添加等离子体处理后形成了Cu喷镀膜的试样(H2添加等离子体：有)中，不论基材的种类如何，在膜切割时均没有观测到“膜剥落”。另外，在H2添加等离子体处理后形成了Cu喷镀膜的试样中，在将Al或Fe系金属用作基材的情况下，在带剥离时没有观测到“膜剥落”，在将Al2O3用作基材的情况下，在100个部位(日文：マス)中的几乎所有部位中观测到膜的残留。
相对于此，在不进行H2添加等离子体处理地形成Cu喷镀膜的试样(H2添加等离子体：无)中，不论基材的种类如何，在带剥离时在多数的部位中观测到“膜剥落”。具体地说，在将Al用作基材的情况下，在100个部位中的几乎所有部位中观测到“膜剥落”。另外，在将Al2O3用作基材的情况下，在100个部位的所有部位中观测到“膜剥落”。另外，在将Fe系金属用作基材的情况下，在88个部位中没有观测到“膜剥落”和“膜翘起”(在图中用“○”表示。)，但在8个部位中观测到“膜翘起”(在图中用“△”表示。)，在4个部位中观测到“膜剥落”(在图中用“×”表示。)。
能够认为，通过像这样在形成Cu喷镀膜之前进行H2添加等离子体处理，能够去除(还原)基材W的表面的氧化膜等，基材W与Cu喷镀膜之间的密合性提高。
接着，对退火处理后的经过时间对膜的密合性带来的影响进行说明。图10是用于评价退火处理后的经过时间对膜的密合性带来的影响的评价系统的说明图。
如图10的(a)所示，在从四个喷镀枪25A、25B、25C、25D中的喷镀枪25B喷射H2添加等离子体、从喷镀枪25C喷镀Cu的状态下，使基材W沿等离子体喷镀头20的长边方向按喷镀枪25A的下方、喷镀枪25B的下方、喷镀枪25C的下方、喷镀枪25D的下方的顺序移动，并且向基材W的表面喷射H2添加等离子体来进行退火处理，之后喷镀Cu来形成Cu喷镀膜。此外，在图10的(a)中，用箭头表示基材W的移动方向。
喷镀条件如下。
<喷镀枪25B>
·电力：6kW左右
·向流路26a供给的气体：添加有5％的氢的Ar气体
·回旋气体：添加有5％的氢的Ar气体
·喷镀材料的粉末R1：无
<喷镀枪25C>
·电力：6kW左右
·向流路26a供给的气体：添加有5％的氢的Ar气体
·回旋气体：添加有5％的氢的Ar气体
·喷镀材料的粉末R1：Cu
·粉末R1的喷出量：几g/分
<基材W>
·材质：Al
·移动速度：几百mm/秒
·基材W与喷镀枪25的下表面之间的距离L3：50mm左右
另外，如图10的(b)所示，在从四个喷镀枪25A、25B、25C、25D中的喷镀枪25B喷射H2添加等离子体、从喷镀枪25D喷镀Cu的状态下，使基材W沿等离子体喷镀头20的长边方向按喷镀枪25A的下方、喷镀枪25B的下方、喷镀枪25C的下方、喷镀枪25D的下方的顺序移动，并且向基材W的表面喷射H2添加等离子体来进行退火处理，之后喷镀Cu来形成Cu喷镀膜。此外，在图10的(b)中，用箭头表示基材W的移动方向。另外，关于喷镀条件，除了代替喷镀枪25C而从喷镀枪25D喷镀Cu这点以外，与前述条件相同。即，从喷镀枪25D喷镀Cu这一条件与前述的从喷镀枪25C喷镀Cu这一条件相同。
另外，将相邻的喷镀枪25的中心间距离L2设为35mm。即，在从喷镀枪25B喷射H2添加等离子体、从喷镀枪25C喷镀Cu的情况下，在向基材W喷射H2添加等离子体的0.1秒之后喷镀Cu。另外，在从喷镀枪25B喷射H2添加等离子体、从喷镀枪25D喷镀Cu的情况下，在向基材W喷射H2添加等离子体的0.2秒之后喷镀Cu。
图11是表示评价退火处理后的时间对膜的密合性带来的影响的结果的图。在图11中示出针对三种试样评价膜的密合性得到的试验结果。通过观测利用25g负载的镊子刮擦Cu喷镀膜时的膜的剥离状态的试验(划痕试验)，来实施膜的密合性评价试验。在图11中，从左侧的列起依次示出在喷射H2添加等离子体起的15秒后、0.2秒后、0.1秒后形成Cu喷镀膜的试样的膜状态(上部)和划痕试验结果(下部)。
如图11的上部所示，在喷射H2添加等离子体起的0.2秒后形成Cu喷镀膜的试样、以及在喷射H2添加等离子体的0.1秒后形成Cu喷镀膜的试样中，观测到在基材W的表面成膜有Cu喷镀膜。另一方面，在喷射H2添加等离子体起的15秒后形成Cu喷镀膜的试样中，观测到在基材W的表面中未形成Cu喷镀膜的部分多。即，从容易在基材W的表面形成Cu喷镀膜的观点出发，优选的是在喷射H2添加等离子体起的0.2秒以内喷镀Cu，尤其优选的是，在喷射H2添加等离子体起的0.1秒以内喷镀Cu。
如图11的下部所示，在喷射H2添加等离子体起的0.1秒后喷镀Cu的试样中，通过划痕试验观测到Cu喷镀膜不易剥离。另外，在喷射H2添加等离子体起的0.2秒后喷镀Cu的试样中，划痕试验的结果是，观测到Cu喷镀膜的一部分剥离。另一方面，在喷射H2添加等离子体起的15秒后喷镀Cu的试样中，划痕试验的结果是，观测到Cu喷镀膜容易剥离。即，从提高Cu相对于基材W的密合性的观点出发，优选的是在喷射H2添加等离子体起的0.2秒以内喷镀Cu，尤其优选的是，在喷射H2添加等离子体起的0.1秒以内喷镀Cu。
如前述的那样，在本发明的实施方式所涉及的等离子体喷镀装置1中，能够将多个喷镀枪25的间隔配置为狭窄的间隔，因此能够在喷射H2添加等离子体起的短时间内一边利用等离子体喷射流P的热来使喷镀材料的粉末R1熔融一边向基材W的表面喷射该粉末R1。因此，能够形成相对于基材W的密合性高的Cu喷镀膜。
以上，对将喷镀枪25的间隔配置为狭窄的间隔的情况的效果进行了说明。此外，根据喷镀材料、喷镀条件看来，有时扩大所使用的喷镀枪25的间隔更佳。例如，有时由于相邻的喷镀枪25的等离子体喷镀而发生热干涉，喷镀膜的特性下降。在该情况下，也可以使用不相邻的喷镀枪25。
以上，对用于实施本发明的方式进行了说明，但上述内容不用于限定发明的内容，能够在本发明的范围内进行各种变形和改进。
Claims (10)
1.一种等离子体喷镀头，利用等离子体使喷镀材料的粉末熔融，并且利用熔融后的粉末在对象物进行成膜，
所述等离子体喷镀头具有：
多个喷镀枪，各喷镀枪分别包括喷嘴和等离子体生成部，该喷嘴利用等离子体生成气体来运送所述喷镀材料的粉末，并且从前端部的开口喷射该粉末，该等离子体生成部利用由直流电源输出的电力分解由所述喷嘴喷射的所述等离子体生成气体，来生成与所述喷嘴具有共同的芯轴的等离子体；以及主体部，其将所述多个喷镀枪一体地支承，并且在该主体部的内部包括供制冷剂流通的制冷剂流路。
2.根据权利要求1所述的等离子体喷镀头，其特征在于，
所述主体部具有构成为能够被所述多个喷镀枪贯穿的多个贯通孔。
3.根据权利要求2所述的等离子体喷镀头，其特征在于，
相邻的所述贯通孔的中心间距离为70mm以下。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体喷镀头，其特征在于，
具有气体流路，所述气体流路用于向被喷射所述等离子体生成气体的等离子体生成空间供给形成回旋流的气体。
5.根据权利要求4所述的等离子体喷镀头，其特征在于，
所述气体流路形成于所述主体部的内部。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的等离子体喷镀头，其特征在于，
利用3D打印机或3D烧结技术，基于被读取到3D打印机中的主体部用3D数据将所述主体部成型。
7.一种等离子体喷镀装置，具备：
根据权利要求1至6中的任一项所述的等离子体喷镀头；以及
给料机，其向所述等离子体喷镀头供给所述喷镀材料的粉末。
8.一种等离子体喷镀方法，使用等离子体喷镀头在对象物进行成膜，所述等离子体喷镀头具有：多个喷镀枪，各喷镀枪分别包括喷嘴和等离子体生成部，该喷嘴利用等离子体生成气体来运送喷镀材料的粉末，并且从前端部的开口喷射该粉末，该等离子体生成部利用由直流电源输出的电力分解由所述喷嘴喷射的所述等离子体生成气体，来生成与所述喷嘴具有共同的芯轴的等离子体；以及
主体部，其将所述多个喷镀枪一体地支承，并且在该主体部的内部包括供制冷剂流通的制冷剂流路，
所述等离子体喷镀方法包括以下步骤：
从所述多个喷镀枪中的一个喷镀枪向所述对象物喷射所述等离子体而不喷射所述喷镀材料的粉末；以及
从所述多个喷镀枪中的与所述一个喷镀枪不同的喷镀枪喷射所述喷镀材料的粉末和所述等离子体。
9.根据权利要求8所述的等离子体喷镀方法，其特征在于，
在喷射所述等离子体的步骤之后，进行喷射所述喷镀材料的粉末和所述等离子体的步骤。
10.根据权利要求8或9所述的等离子体喷镀方法，其特征在于，
在喷射所述等离子体的步骤中使用的喷镀枪是与在喷射所述喷镀材料的粉末和所述等离子体的步骤中使用的喷镀枪相邻地配置的喷镀枪。
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