CN108987598A - 一种有机发光器件 - Google Patents

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CN108987598A CN201810789234.7A CN201810789234A CN108987598A CN 108987598 A CN108987598 A CN 108987598A CN 201810789234 A CN201810789234 A CN 201810789234A CN 108987598 A CN108987598 A CN 108987598A
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韩春雪
周雯庭
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Abstract

本发明公开了一种有机发光器件，涉及有机电致发光技术领域。采用本发明所述的通式I的化合物作为空穴传输层，通式II的化合物作为覆盖层，从而得到本发明所述的一种有机发光器件。使用本发明覆盖层材料和空穴传输层材料，能够提高光耦合输出效率及提高激子的产生和利用率，从而提高器件的发光效率和使用寿命，同时还能有效降低器件的驱动电压，解决了现有技术存在的发光效率低、使用寿命短、驱动电压高的问题，是一类性能优良的OLED材料。

Description

一种有机发光器件
技术领域
本发明涉及有机电致发光技术领域，尤其涉及一种有机发光器件。
背景技术
1987年Kodak公司的Tang等发明了三明治型有机双层薄膜发光器件，这一突破性进展，让人们看到了OLED技术走向实用化、走向商业市场的巨大潜力，掀起了有机发光二极管的研究热潮。30年来，OLED技术取得了日新月异的发展，已经从实验室研究走向工业化生产。
目前，OLED材料的发展已经到了一个比较成熟的阶段，国内外的材料公司提供着数以百计的创新材料供以选用。而光取出材料(Capping Layer)的发展却一直被大家所关注。光取出层在OLED中是一层非常重要的功能层，具体为一层折射率较高的有机或无机透明材料，在可见光范围内基本没有吸收范围。加入光取出层的发光器件可以改善出光模式，使原本被限制在器件内部的光线能够射出器件，表现出了更高的光取出效率。在同样的器件结构下，使用光取出层OLED器件可以提高出光效率。但目前光取出材料的种类较为单一，效果不尽理想；另外，由于电子的传输速度低于空穴的传输速度，导致在发光层载流子不匹配，从而影响了器件效率的降低以及寿命的缩短。
总体来看，未来OLED的方向是发展高效率、高亮度、长寿命、低成本的白光器件和全彩色显示器件，但该技术的产业化进程仍面临许多关键问题，如何平衡载流子注入，如何提高光耦合输出效率，从而得到一种驱动电压低、发光效率高、使用寿命长的有机发光器件成为亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种有机发光器件，本发明提供的一种有机发光器件具有良好的载流子平衡性及更高的光取出效率，其具有驱动电压低、发光效率高、使用寿命长的优点，其提供的制备该有机发光器件的化合物使用的原料易得，合成方法简单，易操作。
本发明提供了一种有机发光器件，包括阴极、阳极和有机物层，其中有机物层包括空穴传输层和覆盖层，空穴传输层位于所述阴极和所述阳极之间，覆盖层位于阴极外侧，所述的空穴传输层含有化学式I所示的化合物，所述的覆盖层含有化学式Ⅱ所示的化合物：
其中，Ra、Rb独立地选自氢、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C25芳基，Ra、Rb两者可连接成环；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立地选自如下基团中的任意一种：
L选自如下基团中的任意一种：
R1、R2、R3、R4、R5独立地选自H、氰基、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C25芳基、取代或未取代的C3～C18杂芳基中的一种；R6、R7、R8、R9、R10、R独立地选自取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C25芳基、取代或未取代的C3～C18杂芳基中的一种；
Ar5、Ar6独立地选自如下基团中的任意一种：
R11、R12、R13、R14独立地选自H、C1～C10的烷基、C6～C25的芳基、C3～C18的杂芳基，a、b、c、d选自0至11的整数，A、B独立地选自氢、取代或未取代地C6～C25的芳基、取代或未取代地C3～C18的杂芳基中的任意一种；
Ar7、Ar8独立地选自取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C3～C18的杂芳基中的任意一种；
n选自1至3的自然数。
优选的，其空穴传输层结构选自结构式III～V中的任意一种：
优选的，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立地选自如下基团中的任意一种：
L选自如下基团中的任意一种：
R1、R2、R3、R4、R5独立地选自H、氰基、卤素原子或取代或未取代的如下基团：C1～C6烷基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、喹啉基或异喹啉基中的一种；
R6、R7、R独立地选自取代或未取代的如下基团：C1～C4烷基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、芴基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基中的一种。
优选的，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中至少一个选自如下所示的基团：
优选的，R1、R2、R3、R4、R5独立地选自H或取代或未取代的如下基团：C1～C4烷基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、吡啶基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基中的任意一种；R6、R7独立地选自C1～C4烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基中的任意一种；R选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基中的任意一种。
优选的，Ar5、Ar6中至少一个选自如下所示的基团：
R15选自H、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基中的一种。
优选的，Ar7、Ar8中至少一个选自如下所示的基团：
其中，R16选自H、C1～C8的烷基、苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、吖啶基、芴基、咔唑基、芘基、苝基、苊基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基中的任意一种；s选自0至3的整数，e选自0至11的整数。
优选的，Ar7、Ar8至少一种选自如下所示基团中的任意一种：
优选的，Ar5、Ar6至少一种选自如下所示基团中的任意一种：
同时，Ar7、Ar8至少一种选自如下所示基团中的任意一种：
优选的，所述的通式I所示的化合物选自如下所示化合物：
优选的，所述的通式II所示的化合物选自如下所示化合物：
本发明的有益效果：
本发明提供的一种有机发光器件，通过设计合理的器件结构，以及采用本发明所述的通式I的化合物作为空穴传输层，通式II的化合物作为覆盖层，从而得到本发明所述的一种有机发光器件。
使用本发明覆盖层材料，其折射率高，用于有机发光器件覆盖层中，可减少波导损失、减少OLED器件中的全反射效应，从而有效减少器件中的光逸出，提高光耦合输出效率，提高器件的发光效率。
采用本发明所述的空穴传输层材料，能够提高激子的产生和利用率，提高空穴和电子在发光层的复合率，提高器件的发光效率。
在空穴传输层和覆盖层的共同作用下，有效调节了注入到发光层中的电荷量，提高光耦合输出效率，从而提高器件的发光效率和使用寿命，降低了器件的驱动电压。本发明所述的有机发光器件使用的化合物原料易得，合成简单，易操作。
具体实施方式：
下面将结合本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。
本发明所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基、环烷基，实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。
本发明所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基或稠环芳基，实例可包括苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等，但不限于此。
本发明所述杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂芳基可以为单环杂芳基或稠环杂芳基，实例可包括吡啶基、吡咯基、嘧啶基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等，但不限于此。
本发明所述取代的烷基、取代的芳基、取代的杂芳基，所述取代基独立地选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、苯甲基、芴基、9,9-二甲基芴基、二苯胺基、二甲胺基、咔唑基、9-苯基咔唑基、呋喃基、噻吩基、氘基、吖啶基、吡啶基、吡嗪基、联苯基、三联苯基、硝基等，但不限于此。
本发明提供了一种有机发光器件，包括阴极、阳极和有机物层，其中有机物层包括空穴传输层和覆盖层，空穴传输层位于所述阴极和所述阳极之间，覆盖层位于阴极外侧，所述的空穴传输层含有化学式I所示的化合物，所述的覆盖层含有化学式Ⅱ所示的化合物：
其中，Ra、Rb独立地选自氢、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C25芳基，Ra、Rb两者可连接成环；
本发明所述Ra、Rb两者可连接成环，是指Ra、Rb与所在的相邻苯环连接成芴环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环等，但不限于此。
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立地选自如下基团中的任意一种：
L选自如下基团中的任意一种：
R1、R2、R3、R4、R5独立地选自H、氰基、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C25芳基、取代或未取代的C3～C18杂芳基中的一种；R6、R7、R8、R9、R10、R独立地选自取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C25芳基、取代或未取代的C3～C18杂芳基中的一种；
Ar5、Ar6独立地选自如下基团中的任意一种：
R11、R12、R13、R14独立地选自H、C1～C10的烷基、C6～C25的芳基、C3～C18的杂芳基，a、b、c、d选自0至11的整数，A、B独立地选自氢、取代或未取代地C6～C25的芳基、取代或未取代地C3～C18的杂芳基中的任意一种；
Ar7、Ar8独立地选自取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C3～C18的杂芳基中的任意一种；
n选自1至3的自然数。
优选的，其空穴传输层结构选自结构式III～V中的任意一种：
优选的，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立地选自如下基团中的任意一种：
L选自如下基团中的任意一种：
R1、R2、R3、R4、R5独立地选自H、氰基、卤素原子或取代或未取代的如下基团：C1～C6烷基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、喹啉基或异喹啉基中的一种；
R6、R7、R独立地选自取代或未取代的如下基团：C1～C4烷基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、芴基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基中的一种。
优选的，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中至少一个选自如下所示的基团：
优选的，R1、R2、R3、R4、R5独立地选自H或取代或未取代的如下基团：C1～C4烷基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、吡啶基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基中的任意一种；R6、R7独立地选自C1～C4烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基中的任意一种；R选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基中的任意一种。
优选的，Ar5、Ar6中至少一个选自如下所示的基团：
R15选自H、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基中的一种。
优选的，Ar7、Ar8中至少一个选自如下所示的基团：
其中，R16选自H、C1～C8的烷基、苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、吖啶基、芴基、咔唑基、芘基、苝基、苊基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基中的任意一种；s选自0至3的整数，e选自0至11的整数。
优选的，Ar7、Ar8至少一种选自如下所示基团中的任意一种：
优选的，Ar5、Ar6至少一种选自如下所示基团中的任意一种：
同时，Ar7、Ar8至少一种选自如下所示基团中的任意一种：
优选的，所述的通式I所示的化合物选自如下所示化合物：
优选的，所述的通式II所示的化合物选自如下所示化合物：
以上列举了本发明所述的一些具体化合物结构，但本发明并不局限于所列这些化合物结构，凡是以所列化学式I和化学式II所示为基础，取代基为如上所限定的基团都应包含在内。
本发明的化学式I和化学式II的化合物可通过一系列Buchward偶联反应等合成而获得。
本发明对上述反应没有特殊的限制，采用本领域技术人员所熟知的常规反应即可，该制备方法简单，易于操作。
本发明的有机发光器件包括阴极、阳极和有机物层，其中有机物层可包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、覆盖层。其中本发明所述的发光层可以是发光主体掺杂发光可以形式，也可以是单一物质作为发光层。
优选的，本发明所述阳极常用透明的铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)玻璃。
优选的，本发明所述空穴注入层选自2-TNATA、HAT-CN、TDATA、MTDATA、DNTPD、等，其可以是单一物质构成的单一结构，也可是不同物质形成的单层结构或多层结构。
优选的，本发明所述空穴传输层选自如本发明化学式I所示化合物。
优选的，本发明所述电子阻挡层可选自α-NPD、TDATA、TPD、TAPC、Spiro-TAD等。
优选的，本发明所述的发光层主体选自ADN、CPB、mCP、TCTA、3Ph-anthracene、α-ADN、4P-NPB、DPVBI、TCP、TCTA等，其可以是单一物质构成的单一结构，也可是不同物质形成的单层结构或多层结构。
优选的，本发明所述发光层客体选自TPD、DPAP-DPPA、TPPDA、Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、FIrPic、DCJTB、DCJT、DCM、DCM2、DMQA、DBQA等。
优选的，本发明所述的空穴阻挡层选自BCP、TPBi、Alq3、Liq、BAlq及TAZ等。
优选的，本发明所述的电子传输层选自BCP、TPBi、Alq3、Liq、BAlq及TAZ等。
优选的，本发明所述的电子注入层可以选自LiF。
优选的，本发明所述阴极多常采用低功函数的金属(Mg、Al、Ga、Ag、Mg-Ag合金等)。
优选的，本发明所述覆盖层选自如本发明化学式II所示化合物，位于阴极Ag外侧。
本发明所述的一种有机发光器件其结构优选为：基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层//发光层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层。然而，有机发光器件的结构不限于此。本发明所述的一种有机发光器件可根据器件参数要求及材料的特性进行选择及组合。用以制造有以下相同构造的有机发光器件：ITO/2-TNATA/本发明化学式I所示化合物/ADN、Alq3或CBP：FIrPic、DPAP-DPPA、Ir(ppy)3或Ir(piq)2(acac)中任意一种或几种/TPBi/LiF/Mg-Ag/本发明化学式II所示化合物，根据实际需要可对器件组合进行调整，也可增加或省略部分有机层。
覆盖层的制备可以为真空蒸镀法、旋涂法、气相沉积、刮涂法、激光热转印、电喷涂布法、狭缝式涂布法、浸沾式涂布法中的任意一种，在本发明中优选采用真空蒸镀的方法。
本发明所述有机发光器件可广泛应用于面板显示、照明光源、柔性OLED、电子纸、有机感光体或有机薄膜晶体管、指示牌、信号灯等领域。
通过以下实施例，更详尽地解释本发明，但不希望因此限制本发明。在该描述的基础上，本领域普通技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下，在所公开的整个范围内实施本发明和制备根据本发明的其他化合物和器件。
本发明对以下实施例中所采用的原料来源没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。
[实施例1]化合物1-1的合成
Step1：反应器中加入联苯胺-化合物f(1.35g，8mmol)、化合物g(1.55g，6.67mmol)、Pd2(dba)3(0.17g，0.2mmol)、P(t-Bu)3(0.14，0.67mmol)、NaOt-Bu(2.24g，20mmol)、甲苯溶液100mL，100℃条件下反应24h，反应结束后用乙醚和水萃取有机相，有机层用MgSO4干燥，浓缩有机物，过柱层析、重结晶得到中间体1-b(1.61g，75％)。
Step2：反应器中加入化合物a(1.53g，8mmol)、(3.15g，17.5mmol)的N-溴琥珀酰亚胺和(0.5g，2.7mmol)的对甲苯磺酸分别溶解在30ml的乙腈中，50℃条件下搅拌约12小时。冷却至室温，减压，过滤器收集晶体，然后甲醇洗涤得到化合物b。取化合物b(1.80g，6.67mmol)和甲基溴c(0.76g，8mmol)，加入叔丁醇钾(2.83g，25.2mmol)，回流搅拌，反应结束后，用乙酸乙酯萃取减压蒸馏、二氯甲烷和己烷过柱子得到化合物d(1.57g，83％)。
Step3：反应器中加入苯胺-化合物e(0.75g，8mmol)、化合物d(1.90g，6.67mmol)、Pd2(dba)3(0.17g，0.2mmol)、P(t-Bu)3(0.14，0.67mmol)、NaOt-Bu(2.24g，20mmol)、甲苯溶液100mL，100℃条件下反应24h，反应结束后用乙醚和水萃取有机相，有机层用MgSO4干燥，浓缩有机物，过柱层析、重结晶得到中间体1-a(1.44g，73％)。
Step4：反应容器里加入中间体1-a(2.49g，8.4mmol)、4,4’-二溴-1,1-联苯(2.87g，9.2mmol)、叔丁醇钾(2.83g，25.2mmol)、Pd2(dba)3(0.07g，0.08mmol)、超声除氧的二甲苯40mL,搅拌溶解，置换空气三次，加入P(t-Bu)3(0.07g，0.34mmol)，再次置换空气三次，回流反应6h，冷却至室温，加入足量的二氯甲烷使得产品完全溶解，过少量硅胶漏斗，除掉催化剂和盐，滤液浓缩至粘稠状，过柱层析，得到化合物1-c(3.01g，68％)。
Step5：反应容器里加入中间体1-c(4.43g，8.4mmol)、中间体1-b(2.96g，9.2mmol)、叔丁醇钾(2.83g，25.2mmol)、Pd2(dba)3(0.07g，0.08mmol)、超声除氧的二甲苯40mL,搅拌溶解，置换空气三次，加入P(t-Bu)3(0.07g，0.34mmol)，再次置换空气三次，回流反应6h，冷却至室温，加入足量的二氯甲烷使得产品完全溶解，过少量硅胶漏斗，除掉催化剂和盐，滤液浓缩至粘稠状，过柱层析，得到化合物1-1(4.19g，65％)。
质谱m/z：767.34(计算值：767.33)。理论元素含量(％)C57H41N3：C，89.15；H，5.38；N，5.47实测元素含量(％)：C，89.15；H，5.37；N，5.48。上述结果证实获得产物为目标产品。
[实施例2]化合物1-3的合成
按照化合物1-1的合成方法得到化合物1-3(3.86g，62％)。
质谱m/z：741.32(计算值：741.31)。理论元素含量(％)C55H39N3：C，89.04；H，5.30；N，5.68实测元素含量(％)：C，89.05；H，5.30；N，5.67。上述结果证实获得产物为目标产品。
[实施例3]化合物1-11的合成
按照化合物1-1的合成方法得到化合物1-11(4.28g，63％)。
质谱m/z：807.37(计算值：807.36)。理论元素含量(％)C60H45N3：C，89.19；H，5.61；N，5.20实测元素含量(％)：C，89.20；H，5.60；N，5.20。上述结果证实获得产物为目标产品。
[实施例4]化合物1-17的合成
按照化合物1-1的合成方法得到化合物1-17(4.26g，62％)。
质谱m/z：817.36(计算值：817.35)。理论元素含量(％)C61H43N3：C，89.56；H，5.30；N，5.14实测元素含量(％)：C，89.57；H，5.30；N，5.13。上述结果证实获得产物为目标产品。
[实施例5]化合物1-22的合成
按照化合物1-1的合成方法得到化合物1-22(4.53g，61％)。
质谱m/z：883.40(计算值：883.39)。理论元素含量(％)C66H49N3：C，89.66；H，5.59；N，4.75实测元素含量(％)：C，89.67；H，5.58；N，4.75。上述结果证实获得产物为目标产品。
[实施例6]化合物1-79的合成
按照化合物1-1的合成方法得到化合物1-79(4.63g，59％)。
质谱m/z：933.42(计算值：933.41)。理论元素含量(％)C70H51N3：C，90.00；H，5.50；N，4.50实测元素含量(％)：C，90.00；H，5.50；N，4.50。上述结果证实获得产物为目标产品。
[实施例7]化合物2-1的合成
Step1：反应器中加入苯胺(0.75g，8mmol)、2-溴-三亚苯(2.05g，6.67mmol)、Pd2(dba)3(0.17g，0.2mmol)、P(t-Bu)3(0.14，0.67mmol)、NaOt-Bu(2.24g，20mmol)、甲苯溶液100mL，100℃条件下反应24h，反应结束后用乙醚和水萃取有机相，有机层用MgSO4干燥，浓缩有机物，过柱层析、重结晶得到中间体2-a(1.56g，73％)。
Step2：反应器中加入苯胺(0.75g，8mmol)、3-溴-9,9二甲基芴(1.82g，6.67mmol)、Pd2(dba)3(0.17g，0.2mmol)、P(t-Bu)3(0.14，0.67mmol)、NaOt-Bu(2.24g，20mmol)、甲苯溶液100mL，100℃条件下反应24h，反应结束后用乙醚和水萃取有机相，有机层用MgSO4干燥，浓缩有机物，过柱层析、重结晶得到中间体2-b(1.43g，75％)。
Step3：反应容器里加入中间体2-a(2.68g，8.4mmol)、4,4’-二溴-1,1-联苯(2.87g，9.2mmol)、叔丁醇钾(2.83g，25.2mmol)、Pd2(dba)3(0.07g，0.08mmol)、超声除氧的二甲苯40mL,搅拌溶解，置换空气三次，加入P(t-Bu)3(0.07g，0.34mmol)，再次置换空气三次，回流反应6h，冷却至室温，加入足量的二氯甲烷使得产品完全溶解，过少量硅胶漏斗，除掉催化剂和盐，滤液浓缩至粘稠状，过柱层析，得到化合物2-c(3.14g，68％)。
Step4：反应容器里加入中间体2-c(4.62g，8.4mmol)、中间体2-b(2.63g,9.2mmol)、叔丁醇钾(2.83g，25.2mmol)、Pd2(dba)3(0.07g，0.08mmol)、超声除氧的二甲苯40mL,搅拌溶解，置换空气三次，加入P(t-Bu)3(0.07g，0.34mmol)，再次置换空气三次，回流反应6h，冷却至室温，加入足量的二氯甲烷使得产品完全溶解，过少量硅胶漏斗，除掉催化剂和盐，滤液浓缩至粘稠状，过柱层析，得到化合物2-1(4.12g，65％)。
质谱m/z：754.34(计算值：754.33)。理论元素含量(％)C57H42N2：C，90.68；H，5.61；N，3.71实测元素含量(％)：C，90.68；H，5.60；N，3.72。上述结果证实获得产物为目标产品。
[实施例8]化合物2-4的合成
按照化合物2-1的合成方法得到化合物2-4(4.45g，62％)。
质谱m/z：854.38(计算值：854.37)。理论元素含量(％)C65H46N2：C，91.30；H，5.42；N，3.28实测元素含量(％)：C，91.31；H，5.40；N，3.29。上述结果证实获得产物为目标产品。
[实施例9]化合物2-5的合成
按照化合物2-1的合成方法得到化合物2-5(4.80g，63％)。
质谱m/z：906.41(计算值：906.40)。理论元素含量(％)C44H28N2：C，91.36；H，5.56；N，3.09实测元素含量(％)：C，91.36；H，5.57；N，3.08。上述结果证实获得产物为目标产品。
[实施例10]化合物2-16的合成
按照化合物2-1的合成方法得到化合物2-16(4.43g，60％)。
质谱m/z：878.38(计算值：878.37)。理论元素含量(％)C67H46N2：C，91.54；H，5.27；N，3.19实测元素含量(％)：C，91.55；H，5.26；N，3.19。上述结果证实获得产物为目标产品。
[实施例11]化合物2-22的合成
按照化合物2-1的合成方法得到化合物2-22(4.35g，59％)。
质谱m/z：876.36(计算值：876.35)。理论元素含量(％)C67H44N2：C，91.75；H，5.06；N，3.19实测元素含量(％)：C，91.75；H，5.07；N，3.18。上述结果证实获得产物为目标产品。
[实施例12]化合物2-34的合成
按照化合物2-1的合成方法得到化合物2-34(4.65g，61％)。
质谱m/z：906.41(计算值：906.40)。理论元素含量(％)C69H50N2：C，91.36；H，5.56；N，3.09实测元素含量(％)：C，91.37；H，5.55；N，3.09。上述结果证实获得产物为目标产品。
对比器件实施例：
将ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤15分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机里。
在已经准备好的ITO透明电极上逐层蒸镀空穴注入层2-TNATA/50nm、蒸镀空穴传输层NPB/30nm、蒸镀主体CBP：掺杂Ir(ppy)3 5％混合/30nm、然后蒸镀电子传输层TPBi/30nm、电子注入层LiF/0.5nm、阴极Mg-Ag/13nm。
器件实施例1：
将ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤15分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机里。
在已经准备好的ITO透明电极上逐层蒸镀空穴注入层2-TNATA/50nm、蒸镀空穴传输层1-1/30nm、蒸镀主体CBP：掺杂Ir(ppy)3 5％混合/30nm、然后蒸镀电子传输层TPBi/30nm、电子注入层LiF/0.5nm、阴极Mg-Ag/13nm、覆盖层2-1/70nm。
器件实施例2：
将化合物1-1替换成为化合物1-3，将化合物2-1替换成为化合物2-4，其他步骤均与器件实施例1相同。
器件实施例3：
将化合物1-1替换成为化合物1-11，将化合物2-1替换成为化合物2-5，其他步骤均与器件实施例1相同。
器件实施例4：
将化合物1-1替换成为化合物1-17，将化合物2-1替换成为化合物2-16，其他步骤均与器件实施例1相同。
器件实施例5：
将化合物1-1替换成为化合物1-22，将化合物2-1替换成为化合物2-22，其他步骤均与器件实施例1相同。
器件实施例6：
将化合物1-1替换成为化合物1-79，将化合物2-1替换成为化合物2-34，其他步骤均与器件实施例1相同。
本发明实施例制备得到的有机发光器件的发光性能如下表1所示：
[表1]
以上结果表明，本发明提供的有机发光器件，通过设计合理的器件结构，将特定的空穴传输层、覆盖层组合，从而得到一种有机发光器件，具有良好的载流子平衡性及更高的光输出效率，其具有驱动电压低、发光效率高、使用寿命长的优点。
应当指出，本发明用个别实施方案进行了特别描述，但在不脱离本发明原理的前提下，本领域普通技术人可对本发明进行各种形式或细节上的改进，这些改进也落入本发明的保护范围内。

Claims (9)

1.一种有机发光器件，包括阴极、阳极和有机物层，其中有机物层包括空穴传输层和覆盖层，空穴传输层位于所述阴极和所述阳极之间，覆盖层位于阴极外侧，其特征在于，所述的空穴传输层含有化学式I所示的化合物，所述的覆盖层含有化学式Ⅱ所示的化合物：
其中，Ra、Rb独立地选自氢、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C25芳基，Ra、Rb两者可连接成环；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立地选自如下基团中的任意一种：
L选自如下基团中的任意一种：
R1、R2、R3、R4、R5独立地选自H、氰基、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C25芳基、取代或未取代的C3～C18杂芳基中的一种；R6、R7、R8、R9、R10、R独立地选自取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C6～C25芳基、取代或未取代的C3～C18杂芳基中的一种；
Ar5、Ar6独立地选自如下基团中的任意一种：
R11、R12、R13、R14独立地选自H、C1～C10的烷基、C6～C25的芳基、C3～C18的杂芳基，，a、b、c、d选自0至11的整数，A、B独立地选自氢、取代或未取代地C6～C25的芳基、取代或未取代地C3～C18的杂芳基中的任意一种；
Ar7、Ar8独立地选自取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C3～C18的杂芳基中的任意一种；
n选自1至3的自然数。
2.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，其空穴传输层结构选自结构式III～V中的任意一种：
3.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立地选自如下基团中的任意一种：
L选自如下基团中的任意一种：
R1、R2、R3、R4、R5独立地选自H、氰基、卤素原子或取代或未取代的如下基团：C1～C6烷基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、喹啉基或异喹啉基中的一种；
R6、R7、R独立地选自取代或未取代的如下基团：C1～C4烷基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、芴基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中至少一个选自如下所示的基团：
5.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，R1、R2、R3、R4、R5独立地选自H或取代或未取代的如下基团：C1～C4烷基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、吡啶基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基中的任意一种；R6、R7独立地选自C1～C4烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基中的任意一种；R选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基中的任意一种。
6.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，Ar5、Ar6中至少一个选自如下所示的基团：
R15选自H、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基中的一种。
7.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，Ar7、Ar8中至少一个选自如下所示的基团：
其中，R16选自H、C1～C8的烷基、苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、吖啶基、芴基、咔唑基、芘基、苝基、苊基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基中的任意一种；s选自0至3的整数，e选自0至11的整数。
8.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，Ar7、Ar8至少一种选自如下所示基团中的任意一种：
9.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，Ar5、Ar6至少一种选自如下所示基团中的任意一种：
同时，Ar7、Ar8至少一种选自如下所示基团中的任意一种：
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