CN113214280B - 有机化合物及包含其的电子器件和电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有机化合物、以及包含该有机化合物的电子器件和包含该电子器件的电子装置。本发明的有机化合物结构式如化学式1表示,所述有机化合物应用于电子器件中,可显著改善电子器件的性能。
Figure DDA0003042733890000011

Description

有机化合物及包含其的电子器件和电子装置
技术领域
本发明属于有机材料技术领域,尤其涉及一种有机化合物及包含其的电子器件和电子装置。
背景技术
随着电子技术的发展和材料科学的进步,用于实现电致发光或者光电转化的电子器件的应用范围越来越广泛。有机电致发光器件技术由于具有主动发光、发光效率较高、功耗低、轻、薄、响应速度快、可视角度大等优点被视为下一代显示和照明技术。有机电致发光器件由基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层及电子阻挡层、发光层、电子传输层及空穴阻挡层、电子注入层以及阴极等组成。电子和空穴分别从阴极和阳极注入,然后通过电子传输层和空穴传输层在发光层复合形成激子,激子回到基态而发光。
虽然现在OLED已经被广泛应用,但是由于优异的传输材料以及高效的发光材料、注入材料的稀缺,导致OLED器件的发光效率、使用寿命等性能和产品的应用要求相比还有待进一步提升。目前报道的有机空穴传输材料分子量普遍较小,材料的玻璃化温度较低,在材料使用过程中,反复充电放电会导致材料容易结晶、薄膜的均一性被破坏,从而影响材料使用寿命。
因此,开发稳定高效的有机空穴传输材料,在改善电荷迁移率、降低驱动电压、提高器件发光效率以及延长器件寿命等方面具有很重要的实际应用价值。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机化合物及包含其的电子器件和电子装置,以改善并平衡电荷迁移率,降低驱动电压,提高器件发光效率和改善使用寿命。
为实现上述发明目的,本申请采用如下技术方案:
根据本发明的第一个方面,提供一种有机化合物,其具有如化学式1表示的结构:
Figure BDA0003042733870000011
其中,X1、X2和X3彼此相同或不同,且各自独立地选自O、S;
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12彼此相同或不同,且各自独立地选自化学式2所示的结构、氢、氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为3~20的杂芳基、碳原子数为3~10的三烷基硅基,且R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12中的任一者选自化学式2所示的结构,
Figure BDA0003042733870000021
表示化学键;
L、L1、L2彼此相同或不同,且各自独立地选自单键、碳原子数为6~20的取代或未取代的亚芳基;
Ar1和Ar2彼此相同或不同,且各自独立地选自碳原子数为6~40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基;
L、L1、L2、Ar1和Ar2中的取代基彼此相同或不同,且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为3~10的三烷基硅基、碳原子数为6~12的芳基、碳原子数为3~12的杂芳基;任选地,Ar1中的任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3~15元环;任选地,Ar2中的任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3~15元环。
根据本发明的第二个方面,提供一种电子器件,包括相对设置的阳极和阴极,以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层;所述功能层包含上述的有机化合物。按照本发明的一种实施方式,所述功能层包括空穴调整层,所述空穴调整层包含所述的有机化合物。
根据本发明的第三个方面,提供了一种电子装置,包括上述的电子器件。
本申请的有机化合物包含的二苯并呋喃稠环或二苯并噻吩稠环的结构具有较强的平面构型,有助于电荷的传输,获得优异的电荷迁移率,因此作为于器件中的空穴调整层,可以有效提高器件的空穴迁移率,使器件具有更平衡的电荷传输,有效提高器件性能。并且,高平面性的分子不易形成玻璃态。另外,化合物包含的芳胺结构提供了合适的空间位阻效应,材料的玻璃化转变温度可以得到有效提升,从而具有更高的热稳定性。此外,芳胺结构还可以有效抑制化合物在成膜中的结晶和聚集,能够具有更稳定的无定形形态,使得材料在器件中具有高效率和长寿命的优势。
附图说明
附图是用来提供对本申请的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本申请,但并不构成对本申请的限制。
在附图中:
图1是本申请的有机电致发光器件的一实施方式的结构示意图。
图2是本申请一实施方式的电子装置的结构示意图。
附图标记说明
100、阳极;200、阴极;300、功能层;310、空穴注入层;320、空穴传输层;330、空穴调整层;340、有机电致发光层;350、电子传输层;360、电子注入层;400、电子装置。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而,示例实施例能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施例使得本发明将更加全面和完整,并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本发明的实施例的充分理解。
在图中,为了清晰,可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本申请的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下,不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本申请的主要技术创意。
本发明提供一种有机化合物,其具有如化学式1表示的结构:
Figure BDA0003042733870000031
其中,X1、X2和X3彼此相同或不同,且各自独立地选自O、S;
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12彼此相同或不同,且各自独立地选自化学式2所示的结构、氢、氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为3~20的杂芳基、碳原子数为3~10的三烷基硅基,且R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12中的任一者选自化学式2所示的结构,
Figure BDA0003042733870000033
表示化学键;
L、L1、L2彼此相同或不同,且各自独立地选自单键、碳原子数为6~20的取代或未取代的亚芳基;
Ar1和Ar2彼此相同或不同,且各自独立地选自碳原子数为6~40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基;
L、L1、L2、Ar1和Ar2中的取代基彼此相同或不同,且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为3~10的三烷基硅基、碳原子数为6~12的芳基、碳原子数为3~12的杂芳基;任选地,Ar1中的任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3~15元环;任选地,Ar2中的任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3~15元环。
在本申请中,“任选地,Ar1中的任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3~15元环”是指Ar1中任意两个相邻的取代基可以形成饱和或不饱和的3~15元环,也可以不形成饱和或不饱和的3-15元环。
在本申请中,所采用的描述方式“各……独立地为”与“……分别独立地为”和“……独立地选自”可以互换,均应做广义理解,其既可以是指在不同基团中,相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响,也可以表示在相同的基团中,相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。例如,“
Figure BDA0003042733870000032
其中,各q独立地为0、1、2或3,各R”独立地选自氢、氘、氟、氯”,其含义是:式Q-1表示苯环上有q个取代基R”,各个R”可以相同也可以不同,每个R”的选项之间互不影响;式Q-2表示联苯的每一个苯环上有q个取代基R”,两个苯环上的R”取代基的个数q可以相同或不同,各个R”可以相同也可以不同,每个R”的选项之间互不影响。
在本申请中,“取代或未取代的”这样的术语是指,在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述,将取代基统称为Rc)。例如,“取代或未取代的芳基”是指具有取代基Rc的芳基或者非取代的芳基。其中上述的取代基即Rc例如可以为氘、卤素、氰基、碳原子数为3~20的杂芳基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~5的卤代烷基、碳原子数为3~10的环烷基、碳原子数为1~10的烷氧基、碳原子数为3~12的三烷基硅基,任选地,任意两个所述取代基相互连接以与它们所连接的原子一起形成3~15元的饱和或不饱和环。在本申请中,“取代的”官能团可以被上述Rc中的一个或2个以上的取代基取代;当同一个原子上连接有两个取代基Rc时,这两个取代基Rc可以独立地存在或者相互连接以与所述原子形成环;当官能团上存在两个相邻的取代基Rc时,相邻的两个取代基Rc可以独立地存在或者与其所连接的官能团稠合成环。
在本申请中,取代或未取代的官能团的碳原子数,指的是所有碳原子数。举例而言,若L选自取代的碳原子数为12的亚芳基,则亚芳基及其上的取代基的所有碳原子数为12。例如:Ar为
Figure BDA0003042733870000041
则其碳原子数为10;L为
Figure BDA0003042733870000042
其碳原子数为12。
在本申请中,当没有另外提供具体的定义时,“杂”是指在一个官能团中包括至少1个B、N、O、S、P、Si或Se等杂原子且其余原子为碳和氢。
在本申请中,“烷基”可以包括直链烷基或支链烷基。烷基可具有1至10个碳原子,在本申请中,诸如“1至10”的数值范围是指给定范围中的各个整数;例如,"1至10个碳原子”是指可包含1个碳原子、2个碳原子、3个碳原子、4个碳原子、5个碳原子、6个碳原子、7个碳原子、8个碳原子、9个碳原子、10个碳原子的烷基。
优选地,烷基选自碳原子数为1~5的烷基,具体施例包括但不限于,甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基和戊基。
在本申请中,芳基指的是衍生自芳香碳环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基(例如苯基)或多环芳基,换言之,芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个稠环芳基。即,除非另有说明,通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个芳香基团也可以视为本申请的芳基。其中,稠环芳基例如可以包括双环稠合芳基(例如萘基)、三环稠合芳基(例如菲基、芴基、蒽基)等。芳基的实例可以包括但不限于,苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、
Figure BDA0003042733870000043
基等。本申请的“芳基”可含有6~40个碳原子,在一些实施例中,芳基中的碳原子数可以是6~30个,在一些实施例中,芳基中的碳原子数可以是6~25个,在另一些实施例中芳基中的碳原子数可以是6~20个,在另一些实施例中芳基中的碳原子数可以是6~12个。举例而言,本申请中,芳基的碳原子数量可以是6个、12个、13个、14个、15个、18个、20个、24个、25个、30个,当然,碳原子数还可以是其他数量,在此不再一一列举。在本申请中,联苯基可以理解为苯基取代的芳基,也可以理解为未取代的芳基。
在本申请中,涉及的亚芳基是指芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
在本申请中,取代的芳基可以是芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、氰基、叔丁基、三氟甲基、杂芳基、三甲基硅基、烷基、环烷基、烷氧基、烷硫基等基团取代。应当理解地是,取代的芳基的碳原子数,指的是芳基和芳基上的取代基的碳原子总数,例如碳原子数为18的取代的芳基,指的是芳基及其取代基的总碳原子数为18。
在本申请中,作为取代基的芳基,具体实例包括但不限于:苯基、萘基、蒽基、菲基、二甲基芴基、联苯基、等等。
在本申请中,杂芳基是指环中包含1、2、3、4、5、6或7个杂原子的一价芳香环或其衍生物,所述杂原子可以是B、O、N、P、Si、Se和S中的至少一种。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基,换言之,杂芳基可以是单个芳香环体系,也可以是通过碳碳键共轭连接的多个芳香环体系,且任一芳香环体系为一个芳香单环或者一个芳香稠环。示例地,杂芳基可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异噁唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、硅芴基、二苯并呋喃基以及N-芳基咔唑基(如N-苯基咔唑基)、N-杂芳基咔唑基(如N-吡啶基咔唑基)、N-烷基咔唑基(如N-甲基咔唑基)等,而不限于此。其中,噻吩基、呋喃基、菲咯啉基等为单个芳香环体系类型的杂芳基,N-芳基咔唑基、N-杂芳基咔唑基为通过碳碳键共轭连接的多环体系类型的杂芳基。本申请的“杂芳基”可含有330个碳原子,在一些实施例中杂芳基中的碳原子数可以是5-20个,在另一些实施例中杂芳基中的碳原子数可以是5-12个。举例而言,其碳原子数量可以是3个、4个、5个、7个、12个、13个、15个、18个、20个、24个、25个或30个,当然,碳原子数还可以是其他数量,在此不再一一列举。
在本申请中,涉及的亚杂芳基是指杂芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
在本申请中,取代的杂芳基可以是杂芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、氰基、芳基、杂芳基、三甲基硅基、烷基、环烷基、烷氧基、烷硫基等基团取代。应当理解地是,取代的杂芳基的碳原子数,指的是杂芳基和杂芳基上的取代基的碳原子总数。
本申请中,芴基可以被取代,2个取代基可以彼此结合而形成螺环结构。在上述芴基被取代的情况下,可以为:
Figure BDA0003042733870000051
等,但并不限定于此。
在本申请中,作为取代基的杂芳基,具体实例包括但不限于:吡啶基、嘧啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基。
在本申请中,卤素基团可以包括氟、碘、溴、氯等。
本申请中的“环”包含饱和环、不饱和环;饱和环即环烷基、杂环烷基;不饱和环,即环烯基、杂环烯基、芳基和杂芳基。
本申请中,不定位连接键是指从环体系中伸出的单键
Figure BDA0003042733870000052
其表示该连接键的一端可以连接该键所贯穿的环体系中的任意位置,另一端连接化合物分子其余部分。
举例而言,如下式(f)中所示地,式(f)所表示的萘基通过两个贯穿双环的不定位连接键与分子其他位置连接,其所表示的含义,包括如式(f-1)~式(f-10)所示出的任一可能的连接方式。
Figure BDA0003042733870000053
Figure BDA0003042733870000061
再举例而言,如下式(X')中所示地,式(X')所表示的二苯并呋喃基通过一个从一侧苯环中间伸出的不定位连接键与分子其他位置连接,其所表示的含义,包括如式(X'-1)~式(X'-4)所示出的任一可能的连接方式。
Figure BDA0003042733870000062
下文中对于不定位连接或不定位取代的含义与此处相同,后续将不再进行赘述。
在本申请的一种实施方式中,所述化学式1具有式1-1至1-4中任意一项所示的结构:
Figure BDA0003042733870000063
在本申请的一种实施方式中,所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12彼此相同或不同,且各自独立地选自化学式2、氢、氘、氟、氰基、碳原子数为1~5的烷基、碳原子数为6~12的芳基、碳原子数为3~12的杂芳基、三甲基硅基,且R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12中的任一者选自化学式2所示的结构。
在本申请的一种实施方式中,所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12彼此相同或不同,且各自独立地选自化学式2、氢、氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、三甲基硅基,且R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12中的任一者选自化学式2所示的结构。
在本申请的一种实施方式中,所述Ar1和Ar2彼此相同或不同,且各自独立地选自碳原子数为6~25的取代或未取代的芳基、碳原子数为12~20的取代或未取代的杂芳基;
优选地,所述Ar1和Ar2中的取代基彼此相同或不同,且各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、碳原子数为1~5的烷基、碳原子数为6~12的芳基、碳原子数为3~12的杂芳基;任选地,Ar1中的任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的5~13元环;任选地,Ar2中的任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的5~13元环。
在本申请的一种实施方式中,所述Ar1和Ar2彼此相同或不同,且各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并菲基;
优选地,所述Ar1和Ar2中的取代基彼此相同或不同,且各自独立地选自氘、氰基、氟、三甲基硅基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基;任选地,Ar1中的任意两个相邻的取代基形成芴环;任选地,Ar2中的任意两个相邻的取代基形成芴环。
在本申请的一种实施方式中,所述Ar1和Ar2彼此相同或不同,且各自独立地选自取代或未取代的基团W,其中未取代的基团W选自以下基团:
Figure BDA0003042733870000071
其中,取代的基团W为未取代的W被一个或者多个选自氘、氰基、氟、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、三甲基硅基的取代基所取代而形成的基团,且当W上的取代基个数大于1时,各取代基相同或不同。
在本申请的一种实施方式中,所述Ar1和Ar2彼此相同或不同,且各自独立地选自以下基团:
Figure BDA0003042733870000072
在本申请的一种实施方式中,所述L、L1、L2彼此相同或不同,且各自独立地选自单键、碳原子数为6~12的取代或未取代的亚芳基。
在本申请的一种实施方式中,所述L、L1、L2彼此相同或不同,且各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚萘基;
所述L、L1、L2中的取代基彼此相同或不同,且各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基。
在本申请的一种实施方式中,所述L、L1、L2彼此相同或不同,且各自独立地选自单键、取代或未取代的基团V;其中,未取代的基团V选自以下基团组成的组:
Figure BDA0003042733870000081
其中,取代的基团V上具有一个或多个取代基,所述取代基各自独立地选自:氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基;当V的取代基个数大于1时,各取代基相同或不同。
在本申请的一种实施方式中,所述L、L1、L2彼此相同或不同,且各自独立地选自单键或以下基团:
Figure BDA0003042733870000082
在本申请的一种实施方式中,所述有机化合物选自以下化合物所组成的组,但不限于此:
Figure BDA0003042733870000083
Figure BDA0003042733870000091
Figure BDA0003042733870000101
Figure BDA0003042733870000111
Figure BDA0003042733870000121
Figure BDA0003042733870000131
Figure BDA0003042733870000141
Figure BDA0003042733870000151
Figure BDA0003042733870000161
Figure BDA0003042733870000171
本申请还提供一种电子元件,用于实现光电转换或者光电转化。该电子元件包括相对设置的阳极和阴极,以及介于阳极与阴极之间的至少一层功能层,该功能层包含本申请的有机化合物。
在本申请一种具体实施方式中,如图1所示,本申请的有机电致发光器件包括阳极100、阴极200、以及介于阳极层与阴极层之间的至少一层功能层300,该功能层300包括空穴注入层310、空穴传输层320、空穴调整层330、有机电致发光层340、电子传输层350以及电子注入层360;空穴注入层310、空穴传输层320、空穴调整层330、有机电致发光层340、电子传输层350以及电子注入层360可以依次形成在阳极100上,空穴调整层330可以含有本申请第一方面所述的有机化合物,优选含有化合物1-232中的至少一种。
如图1所示,有机电致发光器件包括相对设置的阳极100和阴极200,以及设于阳极100和阴极200之间的功能层300;功能层300包含本发明所提供的有机化合物。
可选地,本发明所提供的有机化合物可以用于形成功能层300中的至少一个有机薄层,以改善有机电致发光器件的寿命特性、效率特性并且降低驱动电压;在某些实施例中,还可以提高有机电致发光器件的电化学稳定性和热稳定性,提高量产的有机电致发光器件的性能的均一性。
可选的,阳极100包括以下阳极材料,其优选地是有助于空穴注入至功能层中的具有大逸出功(功函数,work function)材料。阳极材料具体实例包括:金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金;金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO);组合的金属和氧化物如ZnO:Al或SnO2:Sb;或导电聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺,但不限于此。优选包括包含氧化铟锡(铟锡氧化物,indium tin oxide)(ITO)作为阳极的透明电极。
可选地,空穴传输层320可以包括一种或者多种空穴传输材料。空穴传输层材料选自咔唑多聚体化合物、咔唑连接三芳胺类化合物,本发明对此不做特殊的限定。举例而言,在本申请的一种实施方式中,空穴传输层320可由NPB组成。
可选地,空穴调整层330可以包括本发明所提供的有机化合物,还可以包括其他空穴调整层材料,本申请对此不做特殊的限制。举例而言,在本申请的一种实施方式中,空穴调整层330由本申请所提供的有机化合物组成。
有机电致发光层340的材料可以为金属螯类化合物、双苯乙烯基衍生物、芳香族胺衍生物、二苯并呋喃衍生物或者其他类型的材料,本申请对此不做特殊的限制。在本申请的一种实施方式中,有机电致发光层340可以由α,β-AND和BD-1组成。
电子传输层350可以为单层结构,也可以为多层结构,其可以包括一种或者多种电子传输材料,电子传输材料可以选自苯并咪唑衍生物、噁二唑衍生物、喹喔啉衍生物或者其他电子传输材料,本申请对此不做特殊的限定。举例而言,在本申请的一种实施方式中,电子传输层350可以由ET-06和LiQ组成。
可选地,阴极200包括以下阴极材料,其是有助于电子注入至功能层中的具有小逸出功的材料。阴极材料的具体实例包括:金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或它们的合金;或多层材料如LiF/Al、Liq/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF2/Ca,但不限于此。优选包括包含银和镁的金属电极作为阴极200。
可选地,在阳极100和空穴传输层320之间还可以设置有空穴注入层310,以增强向空穴传输层320注入空穴的能力。空穴注入层310可以选用联苯胺衍生物、星爆状芳基胺类化合物、酞菁衍生物或者其他材料,本申请对此不做特殊的限制。举例而言,在本申请的一种实施方式中,空穴注入层310由F4-TCNQ组成。
可选地,在阴极200和电子传输层350之间还可以设置有电子注入层360,以增强向电子传输层350注入电子的能力。电子注入层360可以包括有碱金属硫化物、碱金属卤化物等无机材料,或者可以包括碱金属与有机物的络合物。举例而言,在本申请的一种实施方式中,电子注入层360为Yb。
本申请还提供一种电子装置,该电子装置包括本申请所述的电子元件。
举例而言,如图2所示,本申请提供的电子装置为第一电子装置400,该第一电子装置400包括上述有机电致发光器件实施方式所描述的任意一种有机电致发光器件。该电子装置可以为显示装置、照明装置、光通讯装置或者其他类型的电子装置,例如可以包括但不限于电脑屏幕、手机屏幕、电视机、电子纸、应急照明灯、光模块等。由于第一电子装置400具有上述有机电致发光器件,因此具有相同的有益效果,本申请在此不再赘述。
下面将结合实施例详细描述本发明,但是,以下描述是用于解释本发明,而不是以任意方式限制本发明的范围。
合成实施例
1、中间体M-X的合成
中间体M-1的合成:
Figure BDA0003042733870000191
向1L的三口烧瓶中加入3-苯并呋喃酮(SM-1)(60g,447.3mmol)、4-溴-3-苯并呋喃酮(SN-1)(47.6g,223.7mmol)、盐酸(24.5g,671.1mmol)、醋酸500ml,在氮气保护下,加热至回流反应12h。反应停止,降至室温,水洗至中性;然后用二氯甲烷萃取,最后用饱和氯化铵水溶液萃取一遍;合并有机相,用无水硫酸镁干燥后,旋蒸浓缩,层析柱纯化,得到5.8g的中间体M-1(收率6.1%)。
参照中间体M-1的合成方法合成表1中的中间体,不同的是,用SM-X代替SM-1,SN-X、SP-X代替SN-1,X可为1-15;所采用的主要原料以及相应合成的中间体结构及收率如表1所示。
表1
Figure BDA0003042733870000192
Figure BDA0003042733870000201
2、中间体D-X的合成
中间体D-1的合成:
Figure BDA0003042733870000211
在氮气保护下,将NM-1(30g,159mmol)、M-1(15.6g,168mmol),240mL超干甲苯加入500mL三口烧瓶中;搅拌升温至70℃,依次加入叔丁醇钠(22.8g,237mmol)、X-Phos(1.32g,3.18mmol)、Pd2(dba)3(1.47g,1.59mmol),升温至回流反应1h。降至室温,水洗三次,加入20g无水硫酸镁干燥,静置30min;抽滤,高压浓缩。过柱层析色谱柱得到中间体D-1(34.8g,89.3%)。
参照中间体M-1的合成方法合成表2中的中间体,不同的是,用NM-X代替NM-1,M-X代替M-1,得到中间体D-X,X可为1~29;所采用的主要原料以及相应合成的中间体结构及收率如表2所示。
表2
Figure BDA0003042733870000212
Figure BDA0003042733870000221
Figure BDA0003042733870000231
3、中间体B-X的合成
中间体B-1的合成:
Figure BDA0003042733870000232
在氮气保护下,向250mL的三口烧瓶中加入中间体M-1(5.2g,12.1mmol)、4-氯苯硼酸(YM-1)(2.3g,14.5mmol)、四(三苯基膦)钯(0.03g,0.024mmol)、碳酸钾(2.5g,18.3mmol)、甲苯40mL、20mL乙醇、10mL水,加热回流过夜。停止反应,冷却至室温,然后水洗三遍,最后用饱和氯化铵水溶液萃取一遍,合并有机相,用无水硫酸镁干燥后,旋蒸浓缩。将获得的固体用乙醇重结晶,得到4.9g的中间体B-1(收率89.1%)。
参照中间体B-1合成方法合成表3中的中间体,不同的是,用中间体M-X代替中间体M-1,YM-X代替YM-1得到中间体B-X,X可为1~9;所采用的主要原料以及相应合成的中间体结构及收率如表3所示。
表3
Figure BDA0003042733870000241
Figure BDA0003042733870000251
4、化合物的合成
化合物1的合成:
Figure BDA0003042733870000252
将中间体M-1(5g,11.7mmol),中间体D-1(2.9g,11.7mmol),50mL超干甲苯加入到100mL三口烧瓶中,氮气保护下升温至70℃,依次加入叔丁醇钠(1.7g,17.6mmol)、S-Phos(0.10g,0.23mmol)、Pd2(dba)3(0.11g,0.12mmol),升温至回流反应2h。降至室温,水洗三次,然后用无水硫酸镁干燥,静置30min,抽滤,浓缩。过柱层析色谱柱,然后使用正庚烷重结晶,得到化合物1(3.2g,46.9%)。质谱为:m/z=591.18[M+H]+
参照化合物1的合成方法合成表4中的化合物,不同的是,用中间体M-X,中间体B-X代替中间体M-1,中间体D-X代替中间体D-1,得到化合物X;所采用的主要原料以及相应合成的化合物结构及收率如表4所示。
表4
Figure BDA0003042733870000253
Figure BDA0003042733870000261
Figure BDA0003042733870000271
Figure BDA0003042733870000281
Figure BDA0003042733870000291
Figure BDA0003042733870000301
部分化合物核磁数据如下表所示:
表5
Figure BDA0003042733870000302
有机电致发光器件制备及评估:
实施例1:蓝色有机电致发光器件的制备
将厚度为
Figure BDA0003042733870000303
的ITO基板(康宁制造)切割成40mm×40mm×0.7mm的尺寸,采用光刻工序,将其制备成具有阴极、阳极以及绝缘层图案的实验基板,利用紫外臭氧以及O2:N2等离子进行表面处理,以增加阳极(实验基板)的功函数的和清除浮渣。
在实验基板(阳极)上真空蒸镀F4-TCNQ形成厚度为的厚度为
Figure BDA0003042733870000304
的空穴注入层(HIL),然后在空穴注入层上蒸镀NPB,形成厚度为
Figure BDA0003042733870000305
的空穴传输层。
在空穴传输层上蒸镀化合物1,形成厚度为
Figure BDA0003042733870000306
的空穴调整层。
在空穴调整层上,将α,β-AND:BD-1以10:1的膜厚比,形成厚度为
Figure BDA0003042733870000307
的有机电致发光层(EML)。
在有机电致发光层(EML)上,将ET-06和LiQ以1:1的膜厚比进行共同蒸镀形成厚度为
Figure BDA0003042733870000308
的电子传输层(ETL)。将Yb蒸镀在电子传输层上以形成厚度为
Figure BDA0003042733870000309
的电子注入层(EIL),然后在电子注入层上将镁(Mg)和银(Ag)以1:9的蒸镀速率共蒸,形成厚度为
Figure BDA00030427338700003010
的阴极。
在阴极上蒸镀厚度为
Figure BDA00030427338700003011
的CP-1,形成有机覆盖层(CPL),从而完成蓝色有机电致发光器件的制造。
实施例2-31:
在形成空穴调整层时,依次以表7中化合物替代化合物1,采用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。
比较例1:
利用表6中所示的化合物A替代化合物1形成空穴调整层,采用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。
比较例2:
利用表6中所示的化合物B替代化合物1形成空穴调整层,采用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。
比较例3:
利用表6中所示的化合物C替代化合物1形成空穴调整层,采用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。
以上实施例和对比例使用的材料结构如下表6所示:
表6
Figure BDA0003042733870000311
对如上制得的有机电致发光器件,在20mA/cm2的电流密度条件下分析器件性能,其结果如下表7所示。
表7:有机电致发光器件的性能测试结果
Figure BDA0003042733870000312
Figure BDA0003042733870000321
根据表7的结果可知,与使用已知的化合物A-C所对应的比较例1-3相比,使用本申请中的化合物作空穴调整层所制备的有机电致发光器件的电流效率(Cd/A)至少提高了10.07%,功率效率(lm/W)至少提高了10.54%,外量子效率至少提高了10.12%,寿命最少提高了10.61%,最高的寿命可提高56h。
本领域的普通技术人员可以理解,上述各实施方式是实现本发明的具体实施例,而在实际应用中,可以在形式上和细节上对其作各种改变,而不偏离本发明的精神和范围。

Claims (8)

1.一种有机化合物,其特征在于,所述有机化合物具有如化学式1表示的结构:
Figure FDA0004196729290000011
其中,X1、X2和X3彼此相同或不同,且各自独立地选自O、S;
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12彼此相同或不同,且各自独立地选自化学式2所示的结构、氢,且R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12中的任一者选自化学式2所示的结构,
Figure FDA0004196729290000012
表示化学键;
L选自单键;
L1、L2彼此相同或不同,且各自独立地选自单键、未取代的亚苯基、未取代的亚联苯基;
Ar1和Ar2彼此相同或不同,且各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的芴基;
所述Ar1和Ar2中的取代基彼此相同或不同,且各自独立地选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基;任选地,Ar1中的任意两个相邻的取代基形成芴环;任选地,Ar2中的任意两个相邻的取代基形成芴环。
2.根据权利要求1所述的有机化合物,其中,所述Ar1和Ar2彼此相同或不同,且各自独立地选自取代或未取代的基团W,其中未取代的基团W选自以下基团:
Figure FDA0004196729290000013
其中,取代的基团W为未取代的W被一个或者多个选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基的取代基所取代而形成的基团,且当W上的取代基个数大于1时,各取代基相同或不同。
3.根据权利要求1所述的有机化合物,其中,所述Ar1和Ar2彼此相同或不同,且各自独立地选自以下基团:
Figure FDA0004196729290000014
Figure FDA0004196729290000021
4.根据权利要求1所述的有机化合物,其中,所述L选自单键,
L1、L2彼此相同或不同,且各自独立地选自单键或以下基团:
Figure FDA0004196729290000022
5.根据权利要求1所述的有机化合物,其中,所述有机化合物选自以下化合物所组成的组:
Figure FDA0004196729290000023
Figure FDA0004196729290000031
Figure FDA0004196729290000041
Figure FDA0004196729290000051
Figure FDA0004196729290000061
Figure FDA0004196729290000071
6.一种电子器件,其特征在于,包括相对设置的阳极和阴极,以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层;
所述功能层包含权利要求1~5任一项所述的有机化合物。
7.根据权利要求6所述的电子器件,其中,所述功能层包括空穴调整层,所述空穴调整层包含所述的有机化合物。
8.一种电子装置,其特征在于,包括权利要求6或7所述的电子器件。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114014764A (zh) * 2021-11-16 2022-02-08 阜阳欣奕华材料科技有限公司 含有三亚苯基团的有机化合物、电致发光器件和显示装置
CN113979992B (zh) * 2021-11-19 2022-06-24 西安欧得光电材料有限公司 一种3-取代二苯并噻吩及其合成方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108699074A (zh) * 2016-01-27 2018-10-23 株式会社Lg化学 螺环结构的化合物和包含其的有机电子器件
CN112159414A (zh) * 2020-10-28 2021-01-01 陕西莱特光电材料股份有限公司 含氮化合物、电子元件和电子装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101521790B1 (ko) * 2012-06-22 2015-05-20 (주)피엔에이치테크 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
KR102266642B1 (ko) * 2014-04-01 2021-06-21 에스에프씨주식회사 신규한 방향족 아민 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN114106007B (zh) * 2019-01-18 2023-08-25 夏禾科技(江苏)有限公司 一种有机化合物及包含其的电致发光器件
KR102649289B1 (ko) * 2019-05-27 2024-03-19 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108699074A (zh) * 2016-01-27 2018-10-23 株式会社Lg化学 螺环结构的化合物和包含其的有机电子器件
CN112159414A (zh) * 2020-10-28 2021-01-01 陕西莱特光电材料股份有限公司 含氮化合物、电子元件和电子装置

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