CN108948015A - 一种芘衍生物及其有机电致发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种芘衍生物及其有机电致发光器件,涉及有机光电材料技术领域。由于本发明的芘衍生物的共轭体系较大,因此电荷更易分散,材料的电荷迁移定向性增强,材料体系更加稳定。另外本发明的芘衍生物的刚性较大,并且本发明的芘衍生物中还引入了具有较大体积的取代基团,例如苯基、萘基、芴基等,有效的提高了芘衍生物的玻璃化温度和热稳定性,有利于材料成膜。本发明的有机电致发光器件包括阳极、阴极以及一个或多个有机物层,有机物层中的至少一层含有本发明的芘衍生物,本发明的有机电致发光器件,具有较低的驱动电压,较高的发光效率,并且具有较长的使用寿命。

Description

一种芘衍生物及其有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及有机光电材料技术领域,具体涉及一种芘衍生物及其有机电致发光器件。
背景技术
有机光电材料是具有光子和电子的产生、转换和传输特性的有机材料。目前,有机光电材料已经应用于有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode,OLED)。OLED是指有机光电材料在电流或电场的作用下发光的器件,它能够将电能直接转化为光能。近年来OLED作为新一代平板显示和固体照明技术正受到越来越多的关注。相比于液晶显示技术,OLED以其低功耗、主动发光、响应速度快、高对比度、无视角限制、可制作柔性显示等特点,越来越多的应用于显示及照明领域。
通常OLED具有多层结构,包括氧化铟锡(ITO)阳极和金属阴极以及置于ITO阳极与金属阴极之间的若干有机光电材料层,如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等。在一定电压驱动下,空穴与电子分别由阳极与阴极注入到空穴传输层和电子传输层,两者分别经过空穴传输层和电子传输层迁移到发光层,当两者在发光层中相遇结合时形成空穴-电子复合激子,激子通过发光弛豫的形式回到基态,从而达到发光的目的。
对于发光层而言,当仅使用一种材料作为发光层时,由于分子间的相互作用而产生浓度淬灭,导致有机电致发光器件的发光效率降低,因此为了提高有机电致发光器件的发光效率,通常将客体材料掺杂到主体材料中形成发光层。
目前,有机电致发光器件通常存在操作电压高、发光效率低、使用寿命短等问题。因而,探索新的用于有机电致发光器件的有机光电材料是本领域技术人员一直以来研究的重点方向。对于发光层来说,传统上所用的主体材料,通常无法提供令人满意的发光特性,因此,仍需要设计新的性能更好主体材料以提高有机电致发光器件的使用性能。
发明内容
发明目的:针对上述问题,本发明的目的是提供一种芘衍生物及其有机电致发光器件,该芘衍生物作为主体材料应用在有机电致发光器件中,从而降低了有机电致发光器件的驱动电压,提高了有机电致发光器件的发光效率,并且延长了有机电致发光器件的使用寿命。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案实现的:一种芘衍生物,该芘衍生物具有如结构式I或者结构式II所示的结构通式:
其中,Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自取代或未取代的C1~C30的烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C3~C60的杂芳基中的一种;
R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1~C30的烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C3~C60的杂芳基中的一种。
优选的,Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自取代或未取代的C1~C10的烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C3~C30的杂芳基中的一种;
R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C3~C30的杂芳基中的一种。
优选的,Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基中的一种。
优选的,R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的喹啉基中的一种。
最优选的,本发明的芘衍生物选自如下所示化学结构中的一种,
进一步的,本发明还提供了一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件包括阳极、阴极以及一个或多个有机物层,有机物层位于极阳和阴极之间,有机物层中的至少一层含有上述本发明的芘衍生物。
优选的,有机物层包括发光层,发光层由主体材料和客体材料组成,主体材料包含本发明的芘衍生物。
有益效果:与现有技术相比,本发明的优点是,由于本发明的芘衍生物的共轭体系较大,因此电荷更易分散,材料的电荷迁移定向性增强,材料体系更加稳定。另外本发明的芘衍生物的刚性较大,并且本发明的芘衍生物中还引入了具有较大体积的取代基团,例如苯基、萘基、芴基等,有效的提高了芘衍生物的玻璃化温度和热稳定性,有利于材料成膜。
应用本发明的芘衍生物作为发光层的有机电致发光器件,具有较低的驱动电压,较高的发光效率,并且具有较长的使用寿命。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐明本发明,应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围,在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
一种芘衍生物,该芘衍生物具有如结构式I或者结构式II所示的结构通式:
其中,Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自取代或未取代的C1~C30的烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C3~C60的杂芳基中的一种;
R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1~C30的烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C3~C60的杂芳基中的一种。
优选的,Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自取代或未取代的C1~C10的烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C3~C30的杂芳基中的一种;
R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C3~C30的杂芳基中的一种。
优选的,Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基中的一种。
优选的,R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的喹啉基中的一种。
按照本发明,上述烷基上的取代基独立的选自氢、氘、氰基、卤素、三氟甲基、C1~C10的烷基、C1~C10的烷氧基、C6~C24的芳基或者C3~C24的杂芳基;
上述芳基、杂芳基上的取代基独立的选自氢、氘、氰基、卤素、三氟甲基、C1~C10的烷基、C1~C10的烷氧基、C6~C24的芳基或者C3~C24的杂芳基。
本发明所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基,其可以为直链烷基、支链烷基、环烷基,实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等,但不限于此。
本发明所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后,剩下一价基团的总称,其可以为单环芳基或稠环芳基,实例可包括苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等,但不限于此。
本发明所述杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称,所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子,所述杂芳基可以为单环杂芳基或稠环杂芳基,实例可包括吡啶基、吡咯基、吡啶基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等,但不限于此。
本发明所述取代或未取代的C1~C30的烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C3~C60的杂芳基是指被取代前烷基、芳基、杂芳基的碳原子总数分别为1~10、6~24、3~24,以此类推。
本发明所述丙基、丁基、戊基等碳原子数大于二的链状烷基包括它们的异构体,如异丙基,异丁基、仲丁基、叔丁基,异戊基、新戊基、叔戊基等,但不限于此。
作为举例,没有特别限定,本发明的芘衍生物选自如下所示化学结构中的一种,
本发明的芘衍生物的合成路线如下所示:
化合物A与化合物a通过碳碳偶联反应得到化合物B,化合物B通过合环得到化合物C,化合物C通过碳氮偶联反应得到结构式I所示的产物。
化合物E通式过上述相同类型的反应得到结构式II所示的产物。
对本发明的芘衍生物的合成路线没有特殊限制,可以采用本领域技术人员所熟知的常规反应即可。
本发明还提供了一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件包括阳极、阴极以及一个或多个有机物层,有机物层位于阳极和阴极之间,有机物层中的至少一层含有上述本发明的芘衍生物。
本发明的有机电致发光器件的有机物层可以具有单层结构,或者具有两层以上的多层结构。本发明的有机电致发光器件的有机物层可以包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层中的任意一层或者任意多层。含有本发明的芘衍生物的有机物层的厚度不高于6μm,优选为不高于0.3μm,且更优选为0.002~0.3μm。如果需要,含有本发明的芘衍生物的有机物层可进一步包含本领域中已知的能进行空穴注入、空穴传输、发光、电子传输和电子注入的其它材料。
本发明的芘衍生物具体可以作为制备有机电致发光器件的发光层中的主体材料。采用的有机电致发光器件优选为:附着在透光玻璃上的ITO作为阳极,空穴注入层,空穴传输层,发光层(主体材料:客体材料),电子传输层,电子注入层,金属阴极。
本发明的有机电致发光器件可以使用已知材料通过已知方法制备,然而,有机电致发光器件的结构不限于此。
本发明的有机电致发光器件可广泛应用于平板显示、固体照明、有机感光体或有机薄膜晶体管等领域。
本发明对以下实施例中所采用的原料没有特别的限制,可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。
化合物A的制备:
向反应瓶中依次加入2-氨基芘(21.7g,100mmol)、液溴(32g,200mmol)和醋酸(250ml),室温下搅拌2小时,有机相用乙酸乙酯萃取,依次用碳酸钠水溶液洗、盐水洗、水洗,无水硫酸钠干燥,通过柱层析纯化,得到化合物A-1(22.5g,60%)。
在-15℃下中,向反应瓶中依次加入化合物A-1(37.5g,100mmol)、盐酸(7.7ml)、亚硝酸钠(10.3g,150mmol),搅拌30分钟,加入次磷酸(19.8g,300mmol),5℃下搅拌过夜,用乙酸乙酯萃取,依次用碳酸钠水溶液洗涤、盐水洗、蒸馏水洗,用无水硫酸钠干燥,通过柱层析纯化,得到化合物A(18g,50%)。
化合物E的制备:
向反应瓶中依次加入1-氨基芘(2.2g,10mmol)、乙腈(20ml),搅拌,加热至60℃,加入N-溴代丁二酰亚胺(1.78g,10mmol)的乙腈溶液(30ml),反应完全后冷却至室温,加入对甲苯磺酸(5.71g,30mmol),至于冰水浴中冷却,搅拌下加入溴化铜(3.3g,15mmol),再加入亚硝酸钠(1.38g,20mmol)的水溶液(10ml),反应完全后加入饱和碳酸氢钠水溶液(20ml),并用无水乙醚萃取,依次用饱和硫代硫酸钠水溶液洗、饱和食盐水洗、无水硫酸钠干燥,通过柱层析纯化,得到化合物E(2.9g,80%)。
实施例1:化合物I-5的制备
在氩气保护下,向反应瓶中依次加入化合物A(18g,50mmol)、2-硝基苯硼酸频哪醇酯(26.1g,105mmol)、碳酸钾(30.9g,150mmol)、四三苯基膦钯(2.3g,2mmol)和甲苯(500ml),回流搅拌6小时。反应结束后,用甲苯萃取有机相,水洗,无水硫酸钠干燥,通过柱层析纯化,得到化合物B1(17.8g,80%)。
在氩气保护下,向反应瓶中依次加入化合物B1(12.7g,28.57mmol)、三苯基膦(37.6g,143.2mmol)、1,2-二氯苯(200ml),回流下搅拌14小时,冷却至室温,用甲苯萃取,水洗,无水硫酸钠干燥,通过柱层析纯化,得到化合物C1(4.7g,43%)。
在氩气保护下,向反应瓶中依次加入化合物C1(7.6g,20mmol)、碘苯(8.9g,44mmol)、碳酸钾(5.5g,40mmol)、二(三叔丁基膦)钯(20.4g,0.04mmol)、甲苯(200ml),回流下搅拌5小时,冷却至室温,用甲苯萃取,水洗,无水硫酸钠干燥,通过柱层析纯化,得到化合物I-5(6.6g,62%)。质谱m/z:理论值:532.65;实测值:534.74。理论元素含量(%)C40H24N2:C,90.20;H,4.54;N,5.26;实测元素含量(%):C,90.19;H,4.57;N,5.24。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例2:化合物I-6的制备
将实施例1中的碘苯换成等摩尔的4-碘联苯,其他步骤均与实施例1的合成相同,得到化合物I-6(8.1g,59%)。质谱m/z:理论值:684.84;实测值:685.14。理论元素含量(%)C52H32N2:C,91.20;H,4.71;N,4.09;实测元素含量(%):C,91.18;H,4.75;N,4.07。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例3:化合物I-12的制备
将实施例1中的碘苯换成等摩尔的3-碘吡啶,其他步骤均与实施例1的合成相同,得到化合物I-12(6.4g,60%)。质谱m/z:理论值:534.62;实测值:536.73。理论元素含量(%)C38H22N4:C,85.37;H,4.15;N,10.48;实测元素含量(%):C,85.34;H,4.20;N,10.46。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例4:化合物I-18的制备
将实施例1中的碘苯换成等摩尔的4-(4-碘苯基)吡啶,其他步骤均与实施例1的合成相同,得到化合物I-18(8.9g,65%)。质谱m/z:理论值:686.82;实测值:687.52。理论元素含量(%)C50H30N4:C,87.44;H,4.40;N,8.16;实测元素含量(%):C,87.41;H,4.45;N,8.14。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例5:化合物I-35的制备
将实施例1中的碘苯换成等摩尔的2-碘-9,9-二甲基芴,其他步骤均与实施例1的合成相同,得到化合物I-35(9.5g,62%)。质谱m/z:理论值:764.97;实测值:765.73。理论元素含量(%)C58H40N2:C,91.07;H,5.27;N,3.66;实测元素含量(%):C,91.02;H,5.34;N,3.64。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例6:化合物II-5的制备
将实施例1中的化合物A换成等摩尔的化合物E,其他步骤均与实施例1的合成相同,得到化合物II-5(6.2g,58%)。质谱m/z:理论值:532.65;实测值:533.73。理论元素含量(%)C40H24N2:C,90.20;H,4.54;N,5.26;实测元素含量(%):C,90.18;H,4.58;N,5.24。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例7:化合物II-6的制备
将实施例1中的化合物A换成等摩尔的化合物E,碘苯换成等摩尔的4-碘联苯,其他步骤均与实施例1的合成相同,得到化合物II-6(7.5g,55%)。质谱m/z:理论值:684.84;实测值:686.52。理论元素含量(%)C52H32N2:C,91.20;H,4.71;N,4.09;实测元素含量(%):C,91.18;H,4.76;N,4.06。上述结果证实获得产物为目标产品。
参照上述实施例1-7的合成方法合成其他目标产物。
应用实施例1:发光器件1的制备
选取ITO玻璃为阳极,超声清洗后干燥至于真空腔中,抽真空至5×10-5Pa,在上述阳极基板上真空蒸镀2T-NATA作为空穴注入层,蒸镀厚度为10nm。在空穴注入层上真空蒸镀NPB作为空穴传输层,蒸镀厚度为30nm。在空穴传输层上真空蒸镀本发明的化合物I-5作为发光层主体,10%的Ir(ppy)3作为掺杂,蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀Alq3作为电子传输层,蒸镀厚度为35nm。在电子传输层上真空蒸镀LiF作为电子注入层,蒸镀厚度为0.5nm。在电子注入层上真空蒸镀Al作为阴极,蒸镀厚度为100nm。
应用实施例2:发光器件2的制备
将应用实施例1中的化合物I-5换成化合物I-6,其他步骤与应用实施例1相同。
应用实施例3:发光器件3的制备
将应用实施例1中的化合物I-5换成化合物I-12,其他步骤与应用实施例1相同。
应用实施例4:发光器件4的制备
将应用实施例1中的化合物I-5换成化合物I-18,其他步骤与应用实施例1相同。
应用实施例5:发光器件5的制备
将应用实施例1中的化合物I-5换成化合物I-35,其他步骤与应用实施例1相同。
应用实施例6:发光器件6的制备
将应用实施例1中的化合物I-5换成化合物II-5,其他步骤与应用实施例1相同。
应用实施例7:发光器件7的制备
将应用实施例1中的化合物I-5换成化合物II-6,其他步骤与应用实施例1相同。
应用实施例8:发光器件8的制备
将应用实施例1中的Ir(ppy)3换成(piq)2Ir(acac),其他步骤与应用实施例1相同。
应用实施例9:发光器件9的制备
将应用实施例1中的化合物I-5换成化合物I-35,Ir(ppy)3换成(piq)2Ir(acac),其他步骤与应用实施例1相同。
应用实施例10:发光器件10的制备
将应用实施例1中的化合物I-5换成化合物II-5,Ir(ppy)3换成(piq)2Ir(acac),其他步骤与应用实施例1相同。
对比实施例1
选取ITO玻璃为阳极,超声清洗后干燥至于真空腔中,抽真空至5×10-5Pa,在上述阳极基板上真空蒸镀2T-NATA作为空穴注入层,蒸镀厚度为10nm。在空穴注入层上真空蒸镀NPB作为空穴传输层,蒸镀厚度为30nm。在空穴传输层上真空蒸镀CBP作为发光层主体,10%的Ir(ppy)3作为掺杂,蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀Alq3作为电子传输层,蒸镀厚度为35nm。在电子传输层上真空蒸镀LiF作为电子注入层,蒸镀厚度为0.5nm。在电子注入层上真空蒸镀Al作为阴极,蒸镀厚度为100nm。
对比应用实施例2:将实施例8中的化合物I-5换成CBP,其他步骤与应用是实施例8相同。
本发明应用实施例1-10以及对比实施例1制备的发有机电致光器件的发光特性测试结果如表1所示。
表1
从表1中可以看出,本发明的芘衍生物作为主体材料应用到有机电致发光器件中,该有机电致发光器件表现出较低的驱动电压,较高的发光效率和较长的使用寿命,并且具有较好的耐久性和可靠性。

Claims (7)

1.一种芘衍生物,其特征在于,所述芘衍生物具有如结构式I或者结构式II所示的结构通式:
其中,所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自取代或未取代的C1~C30的烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C3~C60的杂芳基中的一种;
所述R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1~C30的烷基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C3~C60的杂芳基中的一种。
2.根据权利要求1所述的一种芘衍生物,其特征在于,
所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自取代或未取代的C1~C10的烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C3~C30的杂芳基中的一种;
所述R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C3~C30的杂芳基中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种芘衍生物,其特征在于,
所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种芘衍生物,其特征在于,
所述R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的喹啉基中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种芘衍生物,其特征在于,所述芘衍生物选自如下所示化学结构中的一种,
6.一种有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及一个或多个有机物层,所述有机物层位于阳极和阴极之间,所述有机物层中的至少一层含有权利要求1-5任意一项所述的芘衍生物。
7.根据权利要求6所述的一种有机电致发光器件,其特征在于,所述有机物层包括发光层,所述发光层由主体材料和客体材料组成,所述主体材料包含权利要求1-5任意一项所述的芘衍生物。
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