CN108931203B - 测量芯片的曲率的方法和测量芯片的曲率的装置 - Google Patents

Abstract

提供测量芯片的曲率的方法和测量芯片的曲率的装置，测量芯片破坏时的曲率。该方法对在芯片的弯折试验中芯片被破坏时的芯片的曲率进行测量，具有：芯片保持步骤，将芯片的一端侧的第一区域保持在第一保持单元的支承面上，将芯片的另一端侧的第二区域保持在第二保持单元的支承面上；第一移动步骤，使第一保持单元与第二保持单元相对移动，以便使芯片的第一区域与第二区域之间的测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使第一保持单元的支承面与第二保持单元的支承面面对；第二移动步骤，使第一保持单元与第二保持单元向相互接近的方向相对移动；芯片破坏检测步骤，检测芯片被破坏的情况；和曲率检测步骤，对检测到芯片破坏时的测量区域的曲率进行检测。

Description

测量芯片的曲率的方法和测量芯片的曲率的装置

技术领域

本发明涉及对芯片的抗折强度进行评价时测量芯片的曲率的方法以及对芯片的抗折强度进行评价时测量芯片的曲率的装置。

背景技术

在半导体晶片的正面上按照呈格子状排列的方式设定有多条分割预定线，在由该分割预定线划分的各区域分别形成有IC或LSI等器件。并且，当沿着该分割预定线对该半导体晶片进行分割时，形成具有器件的各个芯片。

当对半导体晶片或芯片施加较大的冲击时，有时产生裂纹、碎裂等损伤而丧失器件的功能。因此，为了开发出具有规定的水准的抗折强度的芯片，对半导体晶片或试制的芯片的抗折强度进行测量。对抗折强度进行评价的方法例如有SEMI(SemiconductorEquipment and Materials International：国际半导体设备与材料产业协会)标准G86-0303中规定的三点弯曲(3-Point Bending)法。

例如在利用三点弯曲法对半导体晶片的抗折强度进行测量的情况下，将两个圆柱状的支承体放倒并相互平行地排列，将作为测量对象的半导体晶片相对于该支承体不固定地载置在该支承体的侧面上。并且，将圆柱状的压头配置在该两个支承体之间的该半导体晶片的上方且与该两个支承体平行。然后，通过该压头从上方对该半导体晶片进行按压而将其破坏，将此时施加在该半导体晶片的载荷作为强度进行测量(参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2014-222714号公报

近年来，电子设备等的小型化和薄型化的趋势显著。与此相伴，搭载于该电子设备等的芯片的小型化和薄型化的趋势也显著，例如制造厚度为30μm以下的极薄芯片。当为了对该极薄芯片的抗折强度进行评价而想要利用三点弯曲法实施测量时，产生下述问题：测量时即使利用压头对芯片进行按压，芯片也仅发生挠曲而无法将芯片破坏，从而无法对抗折强度进行测量。

发明内容

本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供对芯片的抗折强度进行评价时能够测量该芯片破坏时的曲率的方法和能够测量该曲率的装置。

根据本发明的一个方式，提供测量芯片的曲率的方法，在芯片的弯折试验中对芯片被破坏时的芯片的曲率进行测量，其特征在于，该测量芯片的曲率的方法具有如下的步骤：芯片保持步骤，将弯折前的状态的芯片的一端侧的第一区域保持在包含将上表面作为支承面的第一支承体在内的第一保持单元的该支承面上，并且将该芯片的另一端侧的第二区域保持在包含将上表面作为支承面的第二支承体在内的第二保持单元的该支承面上；第一移动步骤，在实施了该芯片保持步骤之后，使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体相对移动，以便使芯片的该第一区域与该第二区域之间的测量区域弯曲并且该测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使该第一保持单元的支承面与该第二保持单元的支承面面对；第二移动步骤，在实施了该第一移动步骤之后，在该第一保持单元的支承面与该第二保持单元的支承面面对的状态下使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体向相互接近的方向相对移动；芯片破坏检测步骤，对在该第一移动步骤或该第二移动步骤的实施中芯片被破坏的情况进行检测；以及曲率检测步骤，对在该芯片破坏检测步骤中检测到芯片破坏时的该测量区域的曲率进行检测。

另外，根据本发明的另一个方式，提供测量芯片的曲率的装置，其在芯片的弯折试验中对芯片被破坏时的芯片的曲率进行测量，其特征在于，该测量芯片的曲率的装置具有：第一保持单元和第二保持单元，该第一保持单元将弯折前的状态的芯片的一端侧的第一区域保持在作为第一支承体上表面的第一支承面上，该第二保持单元将芯片的另一端侧的第二区域保持在作为第二支承体上表面的第二支承面上；移动单元，其使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体相对移动，以便使保持于该第一保持单元和该第二保持单元的芯片的该第一区域与该第二区域之间的测量区域弯曲并且该测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使该第一支承面与该第二支承面面对，接着使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体向相互接近的方向相对移动；芯片破坏检测单元，其对在由该移动单元实现的该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体的相对移动中芯片被破坏的情况进行检测；以及曲率检测单元，其对在该芯片破坏检测单元中检测到芯片破坏时的该测量区域的曲率进行检测。

在本发明的一个方式中，使用对芯片的一端侧的第一区域进行保持的第一保持单元以及对芯片的另一端侧的第二区域进行保持的第二保持单元。首先，将作为测量对象的芯片保持在作为该第一保持单元的第一支承体上表面的支承面上和作为该第二保持单元的第二支承体上表面的支承面上。然后，使第一保持单元的第一支承体与第二保持单元的第二支承体相对移动，从而使夹在芯片的该第一区域与该第二区域的测量区域弯曲而在该测量区域产生破坏。

要想使芯片的测量区域弯曲，首先使第一保持单元的第一支承体与第二保持单元的第二支承体相对移动，以便使该测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使第一保持单元的支承面与第二保持单元的支承面面对。在该过程中，在芯片产生破坏的情况下，对产生破坏时的测量区域的曲率进行测量。

在直至使第一保持单元的支承面与第二保持单元的支承面面对为止的期间芯片未被破坏的情况下，进一步使第一保持单元的第一支承体与第二保持单元的第二支承体相互接近而减小距离，从而使测量区域的曲率变大。并且，在检测到在芯片产生破坏的情况下，对产生破坏时的测量区域的曲率进行测量。

这样，当使用第一保持单元和第二保持单元使芯片弯曲时，与使用上述三点弯曲法的情况相比，能够使芯片的曲率增大。因此，即使在对极薄芯片的抗折强度进行评价的情况下，也能够使曲率增大至芯片被破坏的程度。并且，当对产生破坏时的芯片的曲率进行测量时，能够对极薄芯片的抗折强度进行评价。

因此，根据本发明，提供对芯片的抗折强度进行评价时能够测量该芯片破坏时的曲率的方法以及能够测量该曲率的装置。

附图说明

图1是示意性示出测量曲率的装置的侧视图。

图2是示意性示出测量曲率的装置的按压组件的立体图。

图3是示意性示出测量曲率的装置的台的立体图。

图4是示意性示出测量曲率的装置的保持组件的立体图。

图5是保持组件的剖视示意图。

图6的(A)是示意性示出芯片保持步骤中的保持组件和芯片的侧视图，图6的(B)是示意性示出第一移动步骤中的保持组件和芯片的侧视图。

图7是示意性示出第二移动步骤中的保持组件的侧视图。

标号说明

2：装置；2a：按压组件；2b：台；2c：保持组件；4：顶板；6：台座；8：支柱；10：升降机；10a：固定板；10b：伸缩机构；12：载台；14：高度调节螺丝；16：数字式量规；16a：主体；16b：轴；16c：信号线；18：显示部；20：上表面；20a、20b：区域；22：槽；24：弹簧；26：弹簧上板；28、30：保持单元；28a、30a：支承面；32a、32b：静电保持部；34a、32b：绝缘体；36a、36b：带状橡胶收纳体；38：带状橡胶；40a、40b：高电压施加组件；42a、42b、42c、42d：导线；44a、44b、44c、44d：电极；46a、46b：绝缘体；1：芯片；3a、3b：端；9：测量区域。

具体实施方式

首先，对本实施方式的测量芯片的曲率的装置进行说明。图1是示意性示出该装置的侧视图。该装置2具有按压组件2a、台2b以及保持组件2c，该装置2具有使芯片1弯曲而使芯片1的曲率逐渐增大的功能。

图2中示意性示出该装置2的按压组件2a。按压组件2a具有上表面大致平坦的矩形状的台座6。在台座6的上表面的四角附近分别竖立设置有构成为大致相同高度的圆柱状的支柱8。在各支柱8的上端安装有平板状的顶板4。即，顶板4被支柱8支承。

在台座6的上表面上配置有升降机10。升降机10具有固定在台座6的上表面的固定板10a。在固定板10a的上表面上配置有在上下方向上伸缩的伸缩机构10b，在该伸缩机构10b的上端部设置有平板状的载台12。

在伸缩机构10b的侧部设置有高度调整螺丝14，通过使该高度调整螺丝14旋转，能够使伸缩机构10b伸缩而改变载台12的高度。例如通过使载台12上升，能够利用顶板4和载台12夹住配置于顶板4与载台12之间的物体而进行按压。

在顶板4的上表面侧配置有用于测量载台12的高度的数字式量规16的主体16a。在主体16a的下部插入有沿上下方向移动的轴16b。轴16b插通于贯通孔，该贯通孔沿上下方向贯通顶板4。另外，轴16b的下端与载台12的上表面接触。

通过该数字式量规16能够对相当于载台12的高度的轴16b的下端的高度进行测量。在数字式量规16的主体16a上经由信号线16c连接有显示部18。在显示部18显示出数字式量规16所测量的轴16b的下端的高度(即，载台12的高度)。

在载台12的上表面上设置有台2b。图3是示意性示出台2b的立体图。如图3所示，台2b构成为具有大致矩形的上表面20的平板状。在该台2b的上表面20侧的中央附近形成有槽22，该槽22将台2b的上表面20分成两个矩形的区域20a、20b。

在被槽22分成两个区域的上表面20的一侧的区域20a中，安装有在上下方向上伸缩的四个弹簧24的下端侧。在各弹簧24的上端部设置有弹簧上板26。在该台2b的上表面20上配置有保持组件2c。

图4是示意性示出保持组件2c的立体图。如图4所示，保持组件2c具有：第一保持单元28，其配置在区域20a的由四个弹簧24围绕的区域；以及第二保持单元30，其配置在区域20b。第一保持单元28和第二保持单元30通过带状橡胶38连结。在第一保持单元28和第二保持单元30配置在台2b的上表面20的状态下，带状的橡胶38的一部分被收纳在槽22中。

在图5中示出保持组件2c的示意性剖视图。例如在第一保持单元28的上部设置有静电保持部32a，在第二保持单元30的上部设置有静电保持部32b。静电保持部32a具有电极44a和与该电极44a分开的电极44b，该电极44a和电极44b被绝缘体46a围绕而相互绝缘。静电保持部32b具有电极44c和与该电极44c分开的电极44d，该电极44c和电极44d被绝缘体46b围绕而相互绝缘。

导线42a(参照图4)的一端与该电极44a连接，导线42b(参照图4)的一端与该电极44b连接。在导线42a和导线42b的各自的另一端连接有高电压施加组件40a(参照图4)。该高电压施加组件40a能够通过导线42a和导线42b对电极44a和电极44b施加高电压。

导线42c(参照图4)的一端与该电极44c连接，导线42d(参照图4)的一端与该电极44d连接。在导线42c和导线42d的各自的另一端连接有高电压施加组件40b(参照图4)。该高电压施加组件40b能够通过导线42c和导线42d对电极44c和电极44d施加高电压。

另外，高电压施加组件40a能够分别单独地对电极44a和电极44b施加高电压。高电压施加组件40b能够分别单独地对电极44c和电极44d施加高电压。高电压施加组件40a和高电压施加组件40b例如能够施加正负2kV的高电压。

芯片1的一端侧的第一区域载置于第一保持单元28上，从而芯片1的该第一区域被第一保持单元28保持。即，第一静电保持部32a作为第一支承体，第一支承体的上表面作为第一支承面28a。电极44a和电极44b分别形成为规定的形状，通过高电压施加组件40a(参照图4)施加高电压而利用库仑力或梯度力对芯片1进行静电吸附。

芯片1的另一端侧的第二区域载置于第二保持单元30上，从而芯片1的该第二区域被第二保持单元30保持。即，第二静电保持部32b作为第二支承体，第二支承体的上表面作为第二支承面30a。电极44c和电极44d分别形成为规定的形状，通过高电压施加组件40b(参照图4)施加高电压而利用库仑力或梯度力对芯片1进行静电吸附。

在静电保持部32a的下方设置有绝缘体34a，在静电保持部32b的下方设置有绝缘体34b。在该绝缘体34a的下方设置有带状橡胶收纳体36a，在该绝缘体34b的下方设置有带状橡胶收纳体36b。带状橡胶38的一端收纳在带状橡胶收纳体36a中并固定，另一端收纳在带状橡胶36b中并固定。另外，在图5中，省略了收纳在带状橡胶收纳体36a、36b中的带状橡胶38以及带状橡胶收纳体36a、36b的内部构造。

另外，第一保持单元28和第二保持单元30也可以利用基于库仑力或梯度力的静电吸附以外的方法对芯片1进行保持。例如也可以是，第一保持单元28的第一支承体和第二保持单元30的第二支承体分别在内部具有与第一支承面28a和第二支承面28b连通的吸引路而对芯片1进行吸引保持。另外，也可以是，该第一保持单元28和该第二保持单元30利用能够在与各自的支承面之间夹持芯片1的夹具对芯片1进行保持。

通过未图示的面对移动单元使第一保持单元28和第二保持单元30保持着芯片1而相对地移动，以便使芯片1的被该第一保持单元28保持的区域与被该第二保持单元30保持的区域之间的区域弯曲。即，该面对移动单元使第一保持单元28的第一支承体和第二保持单元30的第二支承体相对地移动，以便相互的支承面面对。

例如该面对移动单元与第二保持单元30的第二支承体连接，使第二保持单元30的第二支承体移动，以便使芯片1的被该第一保持单元28保持的区域与被该第二保持单元30保持的区域之间的区域弯曲。于是，该第一保持单元28的第一支承面与该第二保持单元30的第二支承面相互面对。

另外，第一保持单元28和第二保持单元30在相互的支承面面对的状态下被图2所示的按压组件2a按压，从而按照相互接近的方式相对地移动。

该面对移动单元和该按压组件2a构成移动单元，该移动单元使该第一保持单元28和该第二保持单元30相对地移动，以便使所保持的芯片1弯曲，使芯片1的曲率增大。通过该移动单元，能够使芯片1弯曲而使曲率极度变大，因此能够将芯片1破坏。

另外，该移动单元也可以不组合不同的两个机构，也可以通过一个移动机构来实现。在该情况下，例如通过与第二保持单元30连接的一个移动机构使第二保持单元30的支承体移动，从而使第一保持单元28的支承面和第二保持单元30的支承面面对。另外，通过该移动机构使第一保持单元28的支承体和第二保持单元30的支承体相互接近。

接着，对芯片1进行说明，通过本实施方式的测量曲率的装置2(参照图1)来评价芯片1的抗折强度。芯片1例如由硅、蓝宝石等半导体晶片、或者玻璃、石英等基板制造。

在该半导体晶片或该基板的正面上，例如在由呈格子状设定的分割预定线划分的多个区域分别形成有IC或LSI等器件。并且，当沿着该分割预定线对被加工物进行切削而将被加工物分割时，形成具有器件的多个芯片1。

对该已形成的该芯片1的背面侧进行磨削而薄化。或者，预先对该半导体晶片或该基板进行薄化，然后通过对该半导体晶片或该基板进行分割从而形成薄化的芯片1。

例如在想要利用三点弯曲法对厚度为30μm以下的极薄的芯片1的抗折强度进行评价的情况下，即使利用压头对芯片进行按压，芯片也仅发生挠曲而无法将芯片1破坏，从而无法对抗折强度进行评价。因此，使用本实施方式的测量芯片的曲率的装置2对曲率进行测量，对抗折强度进行评价。

接着，对使用本实施方式的测量曲率的装置2所实施的测量芯片1的曲率的方法进行说明。在该方法中，首先实施芯片保持步骤，对芯片1进行保持。使用图6的(A)，对该芯片保持步骤进行说明。图6的(A)是示出芯片保持步骤中的芯片1、保持组件2c的第一保持单元28以及保持组件2c的第二保持单元30的示意性侧视图。

在芯片保持步骤中，首先按照跨越第一保持单元28和第二保持单元30的方式将芯片1载置于该第一保持单元28和第二保持单元30上。即，将芯片1的一端3a侧的第一区域载置于第一保持单元28的第一支承体上表面的第一支承面28a上，将芯片1的另一端3b侧的第二区域载置于第二保持单元30的第二支承体上表面的第二支承面30a上。

然后，使高电压施加组件40a(参照图4)运转，对电极44a和电极44b施加高电压，使高电压施加组件40b(参照图4)运转，对电极44c和电极44d施加高电压。于是，芯片1的第一区域被该第一保持单元28静电保持，芯片1的第二区域被该第二保持单元30静电保持。

该芯片1的被第一保持单元28静电保持的第一区域与被第二保持单元30静电保持的第二区域之间的部分成为测量区域9。在测量曲率的装置2中，之后通过第一保持单元28的第一支承体与第二保持单元30的第二支承体的相对移动来使该测量区域9弯曲，从而对该测量区域9被破坏时的该测量区域9的曲率进行测量。

接着，对第一移动步骤进行说明。该第一移动步骤在该芯片保持步骤之后实施。在第一移动步骤中，未图示的移动单元使该第一保持单元28和该第二保持单元30相对移动，以便使该测量区域9弯曲并且该测量区域9的剖面形状成为圆弧状。然后，使该第一保持单元28的第一支承面28a与该第二保持单元30的第二支承面30a面对。

图6的(B)是示意性示出第一移动步骤中的第二保持单元30的移动的情况的侧视图。图6的(B)中示出移动前的第二保持单元30和芯片1、在第一移动步骤中处于移动过程的第二保持单元30和芯片1、以及第一移动步骤结束时刻的第二保持单元30和芯片1。在该第一移动步骤中，例如如图6的(B)所示，使第二保持单元30移动。

当第二保持单元30b通过该移动单元而移动以便芯片1的测量区域9的剖面形状成为圆弧状时，该圆弧的曲率半径逐渐减小。即，测量区域9的曲率逐渐增大。如图6的(B)所示，当第一保持单元28与第二保持单元30面对时，第一移动步骤结束。

在实施了第一移动步骤之后，实施第二移动步骤。图7是示意性示出第二移动步骤中的第一保持单元28、第二保持单元30以及芯片1的侧视图。在第二移动步骤中，在该第一保持单元28的第一支承面28a与该第二保持单元30的第二支承面30a面对的状态下使该第一保持单元28和该第二保持单元30向相互接近的方向相对移动，从而使该测量区域9的曲率增大。

对第二移动步骤进行进一步详细说明。在图1中示意性示出第二移动步骤中的测量芯片的曲率的装置2。在图1中，省略了一部分的弹簧24。在保持着芯片1的保持组件2c被夹在按压组件2a的载置于升降机10的台2b与顶板4之间的状态下实施第二移动步骤。即，在第二移动步骤中，该按压组件2a作为移动单元发挥功能。

在第二移动步骤中，使安装在台2b的弹簧24的弹簧上板26与第二保持单元30接触，利用该弹簧24对第二保持单元30进行支承，从而维持第一保持单元28和第二保持单元30相互面对的状态。在第二移动步骤中，使升降机10的高度调节螺丝14旋转，从而使伸缩机构10b进行动作而将载台12升高，减小第一保持单元28与第二保持单元30之间的距离。

接着，对在该第一移动步骤或该第二移动步骤的实施中对芯片产生破坏的情况进行检测的芯片破坏检测步骤进行说明。当通过第一移动步骤和第二移动步骤使芯片1的测量区域9的曲率逐渐增大时，施加于芯片1的应力也逐渐增大，最终芯片1的测量区域9被破坏。

对芯片1产生破坏这一情况进行检测的芯片破坏检测单元例如是AE(声发射)传感器。当芯片1产生破坏时，蓄积在芯片1的内部的应变能量作为弹性波释放，因此通过在芯片1的正面设置AE传感器对该弹性波进行检测，从而能够对芯片1产生破坏这一情况进行检测。对于芯片1产生破坏的检测也可以通过基于作业者的目视或拍摄图像的检测来进行。

接着，对在芯片破坏检测步骤之后实施的曲率检测步骤进行说明。在该曲率检测步骤中，当通过芯片破坏检测步骤检测到芯片1的破坏时，求出用于评价芯片1的抗折强度的芯片1的曲率。

曲率检测步骤中所用的曲率检测单元例如是摄像机。由能够从在测量区域9形成了圆弧且产生了破坏的芯片1的侧方进行拍摄的该摄像机对该芯片1进行拍摄，根据所得到的拍摄图像，求出芯片1的测量区域9的曲率。

另外，作为该曲率检测单元，可以使用非接触式长度测量装置。例如可以使用激光长度测量装置对芯片1的测量区域9进行仿形测量，根据所得到的该测量区域9的立体形状对曲率进行检测。该激光长度测量装置例如使用株式会社基恩士制造的图像处理系统“XG-8000系列”。

另外，当在第一移动步骤中在芯片1的测量区域9产生破坏时，该曲率检测单元可以是角度计，该角度计设置在芯片1的被第二保持单元30静电吸附的部分，在该情况下，根据该角度计所示的角度，计算出芯片1的测量区域9的曲率。

当在第二移动步骤中在芯片1的测量区域9产生破坏时，可以使用装置2所具有的数字式量规16作为曲率检测单元。使用图1对数字式量规16所进行的曲率的检测进行说明。通过按压组件2a所具有的数字式量规16，对载台12的高度进行测量。

首先，将第二移动步骤开始时的载台12的高度设定为初始值。另外，预先测量第一保持单元28与第二保持单元30之间的距离在第二移动步骤开始时的值。并且，当检测到在芯片1的测量区域9产生破坏时，使用数字式量规16对载台12的高度进行测量，根据测量值得到第二移动步骤中的载台12的高度的上升量。

该上升量和第一保持单元28与第二保持单元30之间的距离从第二移动步骤开始时起的减少量相同。于是，根据第二移动步骤开始时的第一保持单元28与第二保持单元30之间的距离，求出在芯片1产生破坏时的第一保持单元28与第二保持单元30之间的距离。

当在第二移动步骤中使该距离逐渐减小时，芯片1的测量区域9中的与第一保持单元28或第二保持单元30接近的部分逐渐与第一保持单元28或第二保持单元30接触。因此，夹在第一保持单元28与第二保持单元30之间的测量区域9成为以该距离为直径的半圆形状。

即，测量区域9的曲率半径为该半圆的半径，是对该距离进行二等分而得的值。即，芯片1产生破坏时的测量区域9的曲率根据数字式量规16所示的值求出。

如上所述，当实施曲率检测步骤时，可检测到芯片1产生破坏时的该测量区域9的曲率。芯片1的抗折强度越高，则使芯片1产生破坏的该曲率越大。因此，通过对芯片1产生破坏时的该测量区域9的曲率进行检测，能够对芯片1的抗折强度进行评价。另外，当对于多个不同的芯片求出产生破坏时的该曲率并对它们的该曲率进行比较时，能够对抗折强度的优劣进行判别。

通过本实施方式的测量芯片的曲率的方法和测量曲率的装置，能够使芯片的曲率成为在以往的三点弯曲法中难以实现的大小，因此即使对于实施三点弯曲法也不能被破坏的芯片也能够产生破坏，从而能够对该芯片的抗折强度进行评价。

特别是，当使第一保持单元28和第二保持单元30面对并且使两者按照相互接近的方式相对移动时，能够使芯片1的测量区域9的曲率极度变大。最终当芯片1的第一保持单元28所保持的部分与第二保持单元30所保持的部分接触时，能够使芯片1弯折，因此能够在与以往相比较宽的范围内对抗折强度进行评价。

另外，本发明不限于上述实施方式的记载，可以进行各种变更并实施。例如在本发明的一个方式的测量芯片的曲率的方法和测量曲率的装置中，还可以根据产生破坏时的芯片的曲率、芯片的材质以及芯片的厚度计算出抗折强度。

另外，也可以准备抗折强度已知的多个不同的样本芯片，分别对产生破坏时的曲率进行测量，从而预先求出抗折强度与曲率的关系，利用该关系而根据抗折强度未知的芯片产生破坏时的曲率求出抗折强度。

除此之外，上述实施方式的构造、方法等只要在不脱离本发明的目的的范围，则可以适当变更并实施。

Claims (2)

1.一种测量芯片的曲率的方法，在芯片的弯折试验中对芯片被破坏时的芯片的曲率进行测量，其特征在于，该测量芯片的曲率的方法具有如下的步骤：

芯片保持步骤，将弯折前的状态的芯片的一端侧的第一区域保持在包含将上表面作为支承面的第一支承体在内的第一保持单元的该支承面上，并且将该芯片的另一端侧的第二区域保持在包含将上表面作为支承面的第二支承体在内的第二保持单元的该支承面上；

第一移动步骤，在实施了该芯片保持步骤之后，使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体相对移动，以便使芯片的该第一区域与该第二区域之间的测量区域弯曲并且该测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使该第一保持单元的支承面与该第二保持单元的支承面面对；

第二移动步骤，在实施了该第一移动步骤之后，在该第一保持单元的支承面与该第二保持单元的支承面面对的状态下使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体向相互接近的方向相对移动；

芯片破坏检测步骤，对在该第一移动步骤或该第二移动步骤的实施中芯片被破坏的情况进行检测；以及

曲率检测步骤，对在该芯片破坏检测步骤中检测到芯片破坏时的该测量区域的曲率进行检测。

2.一种测量芯片的曲率的装置，其在芯片的弯折试验中对芯片被破坏时的芯片的曲率进行测量，其特征在于，该测量芯片的曲率的装置具有：

第一保持单元和第二保持单元，该第一保持单元将弯折前的状态的芯片的一端侧的第一区域保持在作为第一支承体上表面的第一支承面上，该第二保持单元将芯片的另一端侧的第二区域保持在作为第二支承体上表面的第二支承面上；

移动单元，其使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体相对移动，以便使保持于该第一保持单元和该第二保持单元的芯片的该第一区域与该第二区域之间的测量区域弯曲并且该测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使该第一支承面与该第二支承面面对，接着使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体向相互接近的方向相对移动；

芯片破坏检测单元，其对在由该移动单元实现的该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体的相对移动中芯片被破坏的情况进行检测；以及

曲率检测单元，其对在该芯片破坏检测单元中检测到芯片破坏时的该测量区域的曲率进行检测。

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