CN108922884B - 发光二极管显示器 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管显示器，包括基板、集成电路、像素定义层以及至少一发光二极管。集成电路设置于基板上。像素定义层包覆集成电路且具有像素开口区。至少一发光二极管设置于像素定义层的像素开口区中，且与集成电路电性连接。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示器，且特别涉及一种发光二极管显示器。
背景技术
发光二极管显示器包括背板及设置于背板上的多个微型发光二极管。继承发光二极管的特性，发光二极管显示器具有省电、高效率、高亮度及反应时间快等优点。此外，相较于有机发光二极管显示器，发光二极管显示器还具有色彩易调校、发光寿命长、无影像烙印等优势。因此，发光二极管显示器被视为下一世代的显示技术。
发明内容
本发明提供一种发光二极管显示器，性能佳。
本发明的发光二极管显示器，包括基板、集成电路、像素定义层以及至少一发光二极管。集成电路设置于基板上。像素定义层包覆集成电路且具有像素开口区。在基板的一垂直方向上，像素开口区未与集成电路重叠。至少一发光二极管设置于像素定义层的像素开口区中，且与集成电路电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的集成电路具有靠近基板的底面、远离基板的顶面以及连接于底面与顶面之间的侧壁，而像素定义层遮蔽集成电路的顶面及集成电路的侧壁。
在本发明的一实施例中，上述的集成电路具有靠近基板的底面、远离基板的顶面以及连接于底面与顶面之间的侧壁，而像素定义层与集成电路的顶面接触。
在本发明的一实施例中，上述的集成电路具有接垫，像素定义层还具有第一开口，像素定义层的第一开口与集成电路的接垫重叠，而发光二极管显示器还包括第一连接图案。部分的第一连接图案位于像素定义层的第一开口中，而至少一发光二极管通过第一连接图案与集成电路的接垫电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的像素定义层具有定义出像素开口区的侧壁，而发光二极管显示器还包括至少一反射图案及第一绝缘层。至少一反射图案设置于像素定义层的侧壁上。第一绝缘层覆盖至少一发光二极管、至少一反射图案及像素定义层，且具有与像素定义层的第一开口重叠的第二开口。部分的第一连接图案设置在第一绝缘层上，且位于像素开口区与第二开口中。
在本发明的一实施例中，上述的至少一发光二极管具有发光层、第一电极及第二电极，发光层具有相对的第一侧及第二侧，基板位于发光层的第一侧，第一电极及第二电极位于发光层的第二侧，而至少一发光二极管的第一电极通过第一连接图案与集成电路的接垫电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的第一绝缘层还具有第三开口，而发光二极管显示器还包括第二连接图案及共用导电图案。第二连接图案设置于第一绝缘层上，且通过第三开口与至少一发光二极管的第二电极电性连接。共用导电图案电性连接至第二连接图案，以与至少一发光二极管的第二电极电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管显示器还包括第二绝缘层。第二绝缘层覆盖第一连接图案、第二连接图案及第一绝缘层。第二绝缘层具有第四开口，而共用导电图案通过第四开口与第二连接图案电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的像素定义层具有定义出像素开口区的侧壁，而第一连接图案直接覆盖像素定义层的部分侧壁。
在本发明的一实施例中，上述的至少一发光二极管具有发光层、第一电极及第二电极，发光层具有相对的第一侧及第二侧，基板及第一电极位于发光层的第一侧，第二电极位于发光层的第二侧，而发光二极管显示器还包括保护层及共用导电图案。保护层设置于像素定义层、第一连接图案及至少一发光二极管上，且具有与至少一发光二极管的第二电极重叠的第五开口。共用导电图案设置于保护层上，其中共用导电图案通过第五开口与至少一发光二极管的第二电极电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的至少一发光二极管具有发光层、第一电极及第二电极，发光层具有相对的第一侧及第二侧，基板、第一电极及第二电极位于发光层的第一侧，而发光二极管显示器还包括第二连接图案、保护层及共用导电图案。第二连接图案覆盖像素定义层的另一部分的侧壁，且与至少一发光二极管的第二电极电性连接，其中第一连接图案与第二连接图案在结构上分离。保护层覆盖像素定义层、第一连接图案、至少一发光二极管及第二连接图案，其中保护层具有第六开口。共用导电图案设置于保护层上，其中共用导电图案通过第六开口与第二连接图案电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的像素定义层的光学密度值为OD，而3≤OD≤4。
在本发明的一实施例中，上述的像素定义层具有厚度H1，而600μm≤H1≤700μm。
在本发明的一实施例中，上述的像素定义层的材料包括深色绝缘材料。
基于上述，本发明一实施例的发光二极管显示器的像素定义层包覆集成电路。也就是说，用以驱动发光二极管的集成电路是设置在像素定义层下。借此，集成电路不易被察觉，而有助于提升发光二极管显示器的视觉效果。此外，由于集成电路设置在既有的像素定义层下，因此，发光二极管显示器不需挪出额外的基板区域(面积)供集成电路设置，而能让出更多的基板区域(面积)供其它构件(例如：更多的发光二极管)使用，进而提升发光二极管显示器的性能(例如：分辨率、亮度等)。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1M为本发明一实施例的发光二极管显示器的制造流程的剖面示意图。
图2为本发明一实施例的发光二极管显示器的俯视图。
图3为本发明另一实施例的发光二极管显示器的俯视图。
图4A至图4K为本发明又一实施例的发光二极管显示器的制造流程的剖面示意图。
图5A至图5L为本发明再一实施例的发光二极管显示器的制造流程的剖面示意图。
附图标记说明：
10、10A、10B、10C：发光二极管显示器
110：基板
120：粘着层
130：集成电路
130a：底面
130b：顶面
130c、140a：侧壁
132：接垫
140’：预定像素定义层
140：像素定义层
142：像素开口区
144：第一开口
150、150B：反射图案
160、160B、160C：发光二极管
161：第一型半导体层
162：第二型半导体层
163：发光层
164：第一电极
165：第二电极
170’：第一绝缘材料层
170：第一绝缘层
174：第二开口
176：接触窗
178：第三开口
182、182B、182C：第一连接图案
184、184B：第二连接图案
190’：第二绝缘材料层
190：第二绝缘层
192：第四开口
194、194B、194C：共用导电图案
194a：分支部
194b：汇流部
196、197、199：保护层
199’：保护材料层
197a：第五开口
198a、198b：导电胶
199a：第六开口
A-A’：剖线
H1：厚度
H2：高度
x、y、z：方向
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1A至图1M为本发明一实施例的发光二极管显示器的制造流程的剖面示意图。图2为本发明一实施例的发光二极管显示器的俯视图。特别是，图1M对应于图2的剖线A-A’。此外，为清楚表达起见，图2省略图1M的粘着层120、反射图案150及保护层196的示出。
请参照图1A，首先，提供基板110。举例而言，在本实施例中，基板110的材质可以是玻璃、石英、有机聚合物、不透光/反射材料(例如：导电材料、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。
请参照图1B及图1C，接着，将集成电路130设置于基板110上。举例而言，在本实施例中，可先在基板110上形成粘着层120，再将集成电路130设置于粘着层120上，以使集成电路130通过粘着层120固定于基板110上。在本实施例中，粘着层120的材料例如是光刻胶。然而，本发明不限于此，根据其它实施例，粘着层120也可使用其它适当材料。此外，本发明也不限制集成电路130一定要利用粘着层120固定于基板110上，根据其它实施例，集成电路130也可利用其它方式固定于基板110上。
请参照图1C，在本实施例中，集成电路130具有靠近基板110的底面130a、远离基板110的顶面130b以及连接于底面130a与顶面130b之间的侧壁130c。集成电路130还具有多个接垫132，多个接垫132位于集成电路130的顶面130b。集成电路130用以驱动发光二极管160(绘于图1M)。在本实施例中，集成电路130是指未经封装的裸晶(die)，但本发明不以此为限。
请参照图1D及图2，接着，形成预定像素定义层140’。预定像素定义层140’具有像素开口区142。在基板110的一垂直方向z上，像素开口区142未与集成电路130重叠。像素开口区142位于集成电路130的面积外。像素开口区142的边界是由预定像素定义层140’的侧壁140a所定义。也就是说，集成电路130的侧壁130c被预定像素定义层140’所覆盖。请参照图1E，接着，形成反射图案150，其中反射图案150设置于预定像素定义层140’的侧壁140a上。反射图案150用以反射发光二极管160发出的光束(未示出)，以使光束朝指定方向(例如：朝上的方向)出射，进而提升发光二极管显示器10的亮度。在本实施例中，反射图案150的材料例如为金属、合金、其它反射材料或其组合，但本发明不以此为限。
请参照图1F至图1I及图2，接着，将发光二极管160设置于像素开口区142中，且令发光二极管160与集成电路130电性连接。
请参照图1F，首先，可提供发光二极管160，发光二极管160包括第一型半导体层161、第二型半导体层162、设置于第一型半导体161与第二型半导体层162之间的发光层163、与第一型半导体层161电性连接的第一电极164以及与第二型半导体层162电性连接的第二电极165。在本实施例中，发光层163具有相对的第一侧(例如：下侧)及第二侧(例如：上侧)，基板110位于发光层163的第一侧(例如：下侧)，而第一电极164及第二电极165皆位于发光层163的第二侧(例如：上侧)。换言之，在本实施例中，发光二极管160可以是水平式发光二极管。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，发光二极管也可以是其它类型的发光二极管，例如：垂直式发光二极管、覆晶式发光二极管等，以下将于后续段落配合其它附图举例说明的。
请参照图1F，在本实施例中，接着，可将发光二极管160设置于与像素开口区142重叠的部分粘着层120上，以使发光二极管160固定在像素开口区142中。请参照图1G，接着，形成第一绝缘材料层170’，以覆盖发光二极管160、反射图案150及预定像素定义层140’。在本实施例中，第一绝缘材料层170’是透光。第一绝缘材料层170’的材料可为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料或上述的组合。
请参照图1H，接着，图案化第一绝缘材料层170’及预定像素定义层140’，以形成像素定义层140及第一绝缘层170。像素定义层140具有第一开口144。第一绝缘层170具有第二开口174、接触窗176和第三开口178。在基板110的一垂直方向z上，像素定义层140的第一开口144与集成电路130的接垫132重叠设置，像素定义层140的第一开口144未与发光二极管160重叠。第一绝缘层170的第二开口174与像素定义层140的第一开口144重叠。第一绝缘层170的接触窗176及第一绝缘层170的第三开口178位于像素开口区142，且分别与发光二极管160的第一电极164及发光二极管160的第二电极165重叠。
值得注意的是，像素定义层140包覆集成电路130。在本实施例中，像素定义层140是完全地遮蔽集成电路130的顶面130b及侧壁130c，且与集成电路130的顶面130b及侧壁130c接触。简言之，在本实施例中，像素定义层140除了用以定义像素开口区142外，还可做为封装集成电路130(例如：裸晶)的材料使用。
像素定义层140的材质是绝缘材料。举例而言，在本实施例中，像素定义层140的材质可以是遮光绝缘材料。遮光绝缘材料的光学密度值可落在3至4的范围。遮光绝缘材料例如是包括深色绝缘材料，例如：黑色光刻胶、黑色树脂或其它适当材料。然而，本发明不以此为限，在其它实施例中，像素定义层140的材质也可以是透光绝缘材料，例如：透光光刻胶、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它适当材料。
像素定义层140具有厚度H1，其中像素定义层140的厚度H1大于集成电路130的高度H2。举例而言，在本实施例中，像素定义层140的厚度H1可落在600μm至700μm的范围，但本发明不以此为限。
请参照图1I，接着，在第一绝缘层170上形成第一连接图案182以及第二连接图案184。部分的第一连接图案182位于第一绝缘层170的接触窗176、第一绝缘层170的第二开口174及像素定义层140的第一开口144中，而发光二极管160的第一电极164通过第一连接图案182与集成电路130的接垫132电性连接。部分的第二连接图案184位于第一绝缘层170的第三开口178中，而与发光二极管160的第二电极165电性连接。在本实施例中，第一连接图案182及第二连接图案184例如为透光导电图案。透光导电图案的材质例如包括金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层，但本发明不以此为限。
请参照图1J，接着，形成第二绝缘材料层190’，以覆盖第一连接图案182、第二连接图案184以及第一绝缘层170。在本实施例中，第二绝缘材料层190’是透光。第二绝缘材料层190’的材料可为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料或上述的组合。
请参照图1J及图1K，接着，图案化第二绝缘材料层190’，以形成第二绝缘层190。第二绝缘层190具有第四开口192，其中第四开口192与第二连接图案184重叠。在本实施例中，第四开口192位于像素开口区142外，且位于像素定义层140的上方，但本发明不以此为限。
请参照图1L，接着，于第二绝缘层190上形成共用导电图案194。共用导电图案194通过第二绝缘层190的第四开口192与第二连接图案184电性连接。共用导电图案194通过第二连接图案184与发光二极管160的第二电极165电性连接。在本实施例中，共用导电图案194的材质以选用具有低电阻率的材料为佳，例如：金属、合金、其它适当材料或其组合。
在本实施例中，共用导电图案194例如是遮光导电图案，共用导电图案194不与发光二极管160重叠，以免阻挡发光二极管160发出的光束、影响发光二极管显示器10的亮度。请参照图1I及图2，举例而言，在本实施例中，共用导电图案194包括多个分支部194a及至少一汇流部194b。分支部194a及汇流部194b皆设置于像素开口区142外。各分支部194a的延伸方向y与汇流部194b的延伸方向x交错。各分支部194a配置于相邻两行的像素开口区142之间，且与汇流部194b电性连接。然而，本发明不限于此，根据其它实施例，遮光的共用导电图案194也可设计为其它适当图形。此外，本发明也不限制共用导电图案194一定要是遮光导电图案，在其它实施例中，共用导电图案194也可以是透光导电图案。
请参照图1M，接着，形成保护层196，以覆盖共用导电图案194及第二绝缘层190。于此，便完成了本实施例的发光二极管显示器10。
值得注意的是，发光二极管显示器的像素定义层140包覆集成电路130。也就是说，用以驱动发光二极管160的集成电路130是设置在像素定义层140下。借此，集成电路130不易被察觉，而有助于提升发光二极管显示器10的视觉效果。此外，由于集成电路130是设置在既有的像素定义层140下，因此，发光二极管显示器10不需挪出额外的基板区域(面积)供集成电路130设置，而能让出更多的基板区域(面积)供其它构件(例如：更多的发光二极管)使用，进而提升发光二极管显示器10的性能(例如：分辨率、亮度等)。再者，利用既有的像素定义层140包覆(或者说，封装)集成电路130，能省略集成电路130的封装工艺，且不增加发光二极管显示器10的工艺复杂度。
图3为本发明另一实施例的发光二极管显示器的俯视图。图3的发光二极管显示器10A与图2的发光二极管显示器10类似，两者的差异在于：图3的发光二极管显示器10A的同一像素开口142中可设置多个发光二极管160。请参照图3，位于同一像素开口142中的多个发光二极管160与集成电路130的同一接垫132电性连接。借此，位于像素开口区142的其中一个发光二极管160失效时，位于所述像素开口142的另一发光二极管160仍可正常发光，而使发光二极管显示器10A维持显示功能。
图4A至图4K为本发明又一实施例的发光二极管显示器的制造流程的剖面示意图。图4A至图4K的发光二极管显示器10B的制造流程与图1A至图1M的发光二极管显示器10的制造流程相似，两者主要的差异在于：发光二极管显示器10的发光二极管160为水平式发光二极管，而发光二极管显示器10B的发光二极管160B为垂直式发光二极管。详述本实施例的发光二极管显示器10B的制造流程如下。
请参照图4A，首先，提供基板110。请参照图4B及图4C，接着，将集成电路130设置于基板110上。在本实施例中，可先在基板110上形成粘着层120，再将集成电路130设置于粘着层120上，以使集成电路130固定于基板110上。
请参照图4D，接着，形成预定像素定义层140’。预定像素定义层140’具有发光二极管显示器10B的像素开口区142。在基板110的一垂直方向z上，像素开口区142未与集成电路130重叠。像素开口区142位于集成电路130的面积以外。请参照图4D及图4E，接着，图案化预定像素定义层140’，以形成像素定义层140。像素定义层140具有第一开口144。在基板110的一垂直方向z上，像素定义层140的第一开口144与集成电路130的接垫132重叠，像素定义层140的第一开口144未与发光二极管160B(绘于图4G)重叠。
请参照图4F，接着，在像素定义层140上形成第一连接图案182B。第一连接图案182B通过像素定义层140的第一开口144与集成电路130的接垫132电性连接。在本实施例中，第一连接图案182B可直接覆盖像素定义层140的部分侧壁140a。第一连接图案182B除了用以电性连接集成电路130的接垫132与发光二极管160B(绘于图4G)的第一电极164外，第一连接图案182B还能反射发光二极管160B发出的光束(未示出)，以使光束朝指定方向(例如：朝上的方向)出射。
请参照图4F，在本实施例中，于形成第一连接图案182B时，还可同时于像素定义层140的另一部分的侧壁140a上形成反射图案150B。在本实施例中，第一连接图案182B与反射图案150B可形成于同一膜层，且彼此电性隔离。在本实施例中，反射图案150B可直接覆盖像素定义层140的另一部分的侧壁140a。反射图案150B能反射发光二极管160B发出的光束(未示出)，以使光束朝指定方向(例如：朝上的方向)出射。
请参照图4G，接着，将发光二极管160B设置于像素定义层140的像素开口区142中，且令发光二极管160B与集成电路130电性连接。发光二极管160B包括第一型半导体层161、第二型半导体层162、设置于第一型半导体161与第二型半导体层162之间的发光层163、与第一型半导体层161电性连接的第一电极164以及与第二型半导体层162电性连接的第二电极165。在本实施例中，发光层163具有相对的第一侧(例如：下侧)及第二侧(例如：上侧)，基板110位于发光层163的第一侧(例如：下侧)，而第一电极164及第二电极165分别位于发光层163的第一侧(例如：下侧)及发光层163的第二侧(例如：上侧)。换言之，本实施例的发光二极管160B是垂直式发光二极管。
在本实施例中，可将发光二极管160B设置在位于像素开口区142内的部分第一连接图案182B上。发光二极管160B的第一电极164与第一连接图案182B电性连接。发光二极管160B的第一电极164可通过第一连接图案182B与集成电路130的接垫132电性连接。
请参照图4H，接着，形成保护材料层197’，以覆盖像素定义层140、第一连接图案182B、反射图案150B及发光二极管160B。请参照图4H及图4I，接着，图案化保护材料层197’，以形成保护层197。保护层197具有第五开口197a。保护层197的第五开口197a与发光二极管160B的第二电极165重叠。
请参照图4J，接着，在保护层197上形成共用导电图案194B。共用导电图案194B通过保护层197的第五开口197a与发光二极管160B的第二电极165电性连接。举例而言，在本实施例中，共用导电图案194B包括与发光二极管160B重叠的透明导电图案，但本发明不以此为限。请参照图4K，接着，形成保护层196，以覆盖共用导电图案194B及保护层197。于此，便完成了本实施例的发光二极管显示器10B。发光二极管显示器10B具有与前述的发光二极管显示器10类似的技术效果及优点，于此便不再重述。
图5A至图5L为本发明再一实施例的发光二极管显示器的制造流程的剖面示意图。图5A至图5L的发光二极管显示器10C的制造流程与图1A至图1M的发光二极管显示器10的制造流程相似，两者主要的差异在于：发光二极管显示器10的发光二极管160为水平式发光二极管，而发光二极管显示器10C的发光二极管160C覆晶式发光二极管。详述本实施例的发光二极管显示器10C的制造流程如下。
请参照图5A，首先，提供基板110。请参照图5B及图5C，接着，将集成电路130设置于基板110上。在本实施例中，可先在基板110上形成粘着层120，再将集成电路130设置于粘着层120上，以使集成电路130固定于基板110上。
请参照图5D，接着，形成预定像素定义层140’。预定像素定义层140’具有发光二极管显示器10C的像素开口区142。在基板110的一垂直方向z上，像素开口区142未与集成电路130重叠。像素开口区142位于集成电路130的面积以外。请参照图5D及图5E，接着，图案化预定像素定义层140’，以形成像素定义层140。像素定义层140具有第一开口144。像素定义层140的第一开口144位于发光二极管160C(绘于图5H)的面积以外且与集成电路130的接垫132重叠。
请参照图5F，接着，在像素定义层140上形成第一连接图案182C及第二连接图案184C。第一连接图案182C与第二连接图案184C在结构上分离，且分别覆盖像素定义层140的相对两侧壁140a。第一连接图案182C通过像素定义层140的第一开口144与集成电路130的接垫132电性连接。
请参照图5G至图5H，接着，将发光二极管160C设置于像素定义层140的像素开口区142中，且令发光二极管160C与集成电路130电性连接。举例而言，如图5G所示，在本实施例中，可在位于像素开口区142内的部分第一连接图案182C及位于像素开口区142内的部分第二连接图案184C上分别形成导电胶198a及导电胶198b；接着，将发光二极管160C设置在位于像素开口区142内的第一连接图案182C及第二连接图案184C上，以使发光二极管160C的第一电极164与第二电极165通过导电胶198a及导电胶198b分别与第一连接图案182C及第二连接图案184C电性连接。
请参照图5H，发光二极管160C包括第一型半导体层161、第二型半导体层162、设置于第一型半导体161与第二型半导体层162之间的发光层163、与第一型半导体层161电性连接的第一电极164以及与第二型半导体层162电性连接的第二电极165。在本实施例中，第二型半导体层162具有相对的第一侧(例如：下侧)及第二侧(例如：上侧)，基板110、第一电极164及第二电极165位于第二型半导体层162的第一侧(例如：下侧)。换言之，在本实施例中，发光二极管160C为覆晶式发光二极管。
请参照图5I，接着，形成保护材料层199’，以覆盖像素定义层140、第一连接图案182C、第二连接图案184C及发光二极管160C。请参照图5I及图5J，接着，图案化保护材料层199’，以形成保护层199。保护层199具有第六开口199a。第六开口199a与第二连接图案184C重叠。在本实施例中，第六开口199a可位于像素开口区142外，但本发明不以此为限。
请参照图5K，接着，在保护层199上形成共用导电图案194C。共用导电图案194C通过保护层199的第六开口199a与第二连接图案184C电性连接。第二连接图案184C电性连接于共用导电图案194C与发光二极管160C的第二电极165之间。在本实施例中，第一连接图案182C用以电性连接集成电路130与发光二极管160C的第一电极164，第二连接图案184C用以电性发光二极管160C的第二电极165与共用导电图案194C；除此之外，第一连接图案182C及第二连接图案184C还能反射发光二极管160C发出的光束，以使光束朝指定方向出射，进而提升发光二极管显示器10C的亮度。
请参照图5L，接着，形成保护层196，以覆盖共用导电图案194C及保护层199。于此，便完成了本实施例的发光二极管显示器10C。发光二极管显示器10C具有与前述的发光二极管显示器10类似的技术效果及优点，于此便不再重述。
综上所述，本发明一实施例的发光二极管显示器的像素定义层包覆集成电路。也就是说，用以驱动发光二极管的集成电路是设置在像素定义层下。借此，集成电路不易被察觉，而有助于提升发光二极管显示器的视觉效果。此外，由于集成电路设置在既有的像素定义层下，因此，发光二极管显示器不需挪出额外的基板区域(面积)供集成电路设置，而能让出更多的基板区域(面积)供其它构件(例如：更多的发光二极管)使用，进而提升发光二极管显示器的性能(例如：分辨率、亮度等)。再者，利用既有的像素定义层包覆(或者说，封装)集成电路，能省略一般的集成电路的封装工艺，且不增加发光二极管显示器的工艺复杂度。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
Claims (12)
1.一种发光二极管显示器，包括：
一基板；
一集成电路，设置于该基板上；
一像素定义层，包覆该集成电路且具有一像素开口区，其中在该基板的一垂直方向上，该像素开口区未与该集成电路重叠；以及
至少一发光二极管，设置于该像素定义层的该像素开口区中，且与该集成电路电性连接，
其中该集成电路具有一接垫，该像素定义层还具有一第一开口，该像素定义层的该第一开口与该集成电路的该接垫重叠，而该发光二极管显示器还包括：
一第一连接图案，其中一部分的该第一连接图案位于该像素定义层的该第一开口中，而该至少一发光二极管通过该第一连接图案与该集成电路的该接垫电性连接，
其中该像素定义层具有定义出该像素开口区的一侧壁，而该发光二极管显示器还包括：
至少一反射图案，设置于该像素定义层的该侧壁上；以及
一第一绝缘层，覆盖该至少一发光二极管、该至少一反射图案及该像素定义层，且具有与该像素定义层的该第一开口重叠的一第二开口，其中另一部分的该第一连接图案设置在该第一绝缘层上以及位于该第二开口和该像素开口区中。
2.如权利要求1所述的发光二极管显示器，其中该集成电路具有靠近该基板的一底面、远离该基板的一顶面以及连接于该底面与该顶面之间的一侧壁，而该像素定义层遮蔽该集成电路的该顶面及该集成电路的该侧壁。
3.如权利要求1所述的发光二极管显示器，其中该集成电路具有靠近该基板的一底面、远离该基板的一顶面以及连接于该底面与该顶面之间的一侧壁，而该像素定义层与该集成电路的该顶面接触。
4.如权利要求1所述的发光二极管显示器，其中该至少一发光二极管具有一发光层、一第一电极及一第二电极，该发光层具有相对的一第一侧及一第二侧，该基板位于该发光层的该第一侧，该第一电极及该第二电极位于该发光层的该第二侧，而该至少一发光二极管的该第一电极通过该第一连接图案与该集成电路的该接垫电性连接。
5.如权利要求4所述的发光二极管显示器，其中该第一绝缘层还具有一第三开口，而该发光二极管显示器还包括：
一第二连接图案，设置于该第一绝缘层上，且通过该第三开口与该至少一发光二极管的该第二电极电性连接；以及
一共用导电图案，电性连接至该第二连接图案，以与该至少一发光二极管的该第二电极电性连接。
6.如权利要求5所述的发光二极管显示器，还包括：
一第二绝缘层，覆盖该第一连接图案、该第二连接图案及该第一绝缘层，其中该第二绝缘层具有一第四开口，而该共用导电图案通过该第四开口与该第二连接图案电性连接。
7.如权利要求1所述的发光二极管显示器，其中该像素定义层具有定义出该像素开口区的一侧壁，而该第一连接图案直接覆盖该像素定义层的一部分的该侧壁。
8.如权利要求7所述的发光二极管显示器，其中该至少一发光二极管具有一发光层、一第一电极及一第二电极，该发光层具有相对的一第一侧及一第二侧，该基板及该第一电极位于发光层的该第一侧，该第二电极位于该发光层的该第二侧，而该发光二极管显示器还包括：
一保护层，设置于该像素定义层、该第一连接图案及该至少一发光二极管上，且具有与该至少一发光二极管的该第二电极重叠的一第五开口；以及
一共用导电图案，设置于该保护层上，其中该共用导电图案通过该第五开口与该至少一发光二极管的该第二电极电性连接。
9.如权利要求7所述的发光二极管显示器，其中该至少一发光二极管具有一发光层、一第一电极及一第二电极，该发光层具有相对的一第一侧及一第二侧，该基板、该第一电极及该第二电极位于该发光层的该第一侧，而该发光二极管显示器还包括：
一第二连接图案，覆盖该像素定义层的另一部分的该侧壁，且与该至少一发光二极管的该第二电极电性连接，其中该第一连接图案与该第二连接图案在结构上分离；
一保护层，覆盖该像素定义层、该第一连接图案、该至少一发光二极管及该第二连接图案，其中该保护层具有一第六开口；以及
一共用导电图案，设置于该保护层上，其中该共用导电图案通过该第六开口与该第二连接图案电性连接。
10.如权利要求1所述的发光二极管显示器，其中该像素定义层的光学密度值为OD，而3≤OD≤4。
11.如权利要求1所述的发光二极管显示器，其中该像素定义层具有厚度H1，而600μm≤H1≤700μm。
12.如权利要求1所述的发光二极管显示器，其中该像素定义层的材料包括深色绝缘材料。
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