CN117317103A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置，包括电路基板、发光二极管、封装层、色彩转换层以及第一光学结构。发光二极管位于电路基板上。封装层覆盖发光二极管。色彩转换层重叠于发光二极管。第一光学结构重叠于色彩转换层，且位于封装层与色彩转换层之间。第一光学结构包括在第一方向上以第一节距进行周期性排列的多个第一间隙。各第一间隙在第一方向上的宽度为1微米至10微米。第一光学结构的材料的折射率大于封装层的材料的折射率。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
发光二极管是一种电致发光的半导体元件，具有效率高、寿命长、不易破损、反应速度快、可靠性高等优点。因此，常被用于制作显示装置。随着大量的时间与金钱的投入，发光二极管显示装置的相关技术不断被开发，发光二极管显示装置的性能也逐年提升。然而，要如何进一步增加发光二极管显示装置的发光效率以及色纯度仍然是目前许多开发者致力研究的课题。
发明内容
本发明的至少一实施例提供一种显示装置，其包括电路基板、发光二极管、封装层、色彩转换层以及第一光学结构。发光二极管位于电路基板上。封装层覆盖发光二极管。色彩转换层重叠于发光二极管。第一光学结构重叠于色彩转换层，且位于封装层与色彩转换层之间。第一光学结构包括在第一方向上以第一节距进行周期性排列的多个第一间隙。各第一间隙在第一方向上的宽度为1微米至10微米。第一光学结构的材料的折射率大于封装层的材料的折射率。
本发明的至少一实施例提供一种显示装置，其包括电路基板、发光二极管、封装层、覆盖层、色彩转换层以及第一光学结构。发光二极管位于电路基板上。封装层覆盖发光二极管。覆盖层位于封装层上。色彩转换层重叠于发光二极管。第一光学结构重叠于色彩转换层，且位于覆盖层与色彩转换层之间。第一光学结构包括在第一方向上以第一节距进行周期性排列的多个第一间隙。各第一间隙在第一方向上的宽度为1微米至10微米。第一光学结构的材料的折射率大于覆盖层的材料的折射率。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种显示装置的剖面示意图。
图2A至图2D是依照本发明的一些实施例的光学结构的俯视图。
图3是依照本发明的一实施例的一种显示装置的剖面示意图。
图4是依照本发明的一实施例的一种显示装置的剖面示意图。
图5是依照本发明的一实施例的一种显示装置的剖面示意图。
图6是依照本发明的一实施例的显示装置与一比较例的显示装置的不同波长的光线强度的分布图。
图7是依照本发明的一实施例的显示装置与一比较例的显示装置的不同波长的光线强度的分布图。
附图标记说明：
10,20,30,40：显示装置
100：电路基板
110：黑矩阵
120：发光二极管
200：对向基板
210：遮光层
222：第一彩色滤光元件
224：第二彩色滤光元件
226：第三彩色滤光元件
230：挡墙结构
310：色彩转换颗粒
232,234,236：开口
240：透光层
250：色彩转换层
252：母材
254：色彩转换颗粒
260：第一光学结构
262：第一光学单元
270：第二光学结构
272：第二光学单元
280：覆盖层
300：封装层
400：光学结构
D1：第一方向
D2：第二方向
GP1：第一间隙
GP2：第二间隙
GPa,GPb：间隙
PH1：第一节距
PH2：第二节距
PHa,PHb：节距
W1,W2：宽度
具体实施方式
图1是依照本发明的一实施例的一种显示装置的剖面示意图。请参考图1，显示装置10包括电路基板100、发光二极管120、封装层300、色彩转换层250以及第一光学结构260。在本实施例中，显示装置10还包括黑矩阵110、对向基板200、遮光层210、第一彩色滤光元件222、第二彩色滤光元件224、第三彩色滤光元件226、挡墙结构230、透光层240以及第二光学结构270。
电路基板100例如包括基板以及位于基板上的电路结构。在一些实施例中，前述电路结构包括薄膜晶体管、信号线及其他电子元件。
黑矩阵110位于电路基板100上。黑矩阵110例如包括黑色树脂、黑色金属、黑色氧化物或其他合适的材料。
发光二极管120位于电路基板100上，且被黑矩阵110所环绕。换句话说，黑矩阵110具有开口，而发光二极管120设置于前述开口中。发光二极管120可以为水平式发光二极管、垂直式发光二极管或其他类型的发光二极管。在一些实施例中，发光二极管120为红色发光二极管、绿色发光二极管或蓝色发光二极管。在一些实施例中，于生长基板上形成发光二极管120之后，通过一次或多次的转移工艺而将发光二极管120转移至电路基板100上。
封装层300覆盖发光二极管120以及黑矩阵110。在本实施例中，封装层300环绕发光二极管120。在一些实施例中，封装层300的材料包括光刻胶、树脂、硅胶或其他合适的材料，且其折射率为1.2至1.6。
对向基板200重叠于电路基板100。在一些实施例中，对向基板200的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或其他可适用的材料。
遮光层210、第一彩色滤光元件222、第二彩色滤光元件224以及第三彩色滤光元件226位于对向基板200与电路基板100之间。在本实施例中，遮光层210、第一彩色滤光元件222、第二彩色滤光元件224以及第三彩色滤光元件226形成于对向基板200上。在一些实施例中，第一彩色滤光元件222、第二彩色滤光元件224以及第三彩色滤光元件226分别包括不同颜色的滤光元件(例如包括红色滤光元件、蓝色滤光元件以及绿色滤光元件)。遮光层210设置于不同颜色的滤光元件之间。
挡墙结构230设置于对向基板200与电路基板100之间。在本实施例中，挡墙结构230形成于遮光层210、第一彩色滤光元件222、第二彩色滤光元件224以及第三彩色滤光元件226上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，先在第一彩色滤光元件222、第二彩色滤光元件224以及第三彩色滤光元件226上形成保护层(例如包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他合适的材料)，接着再于前述保护层上形成挡墙结构230。
在一些实施例中，挡墙结构230包括透明材料以及散布于前述透明材料中的反射颗粒。反射颗粒在挡墙结构230中的体积百分率例如为1v％至30v％，且反射颗粒的尺寸例如为100纳米至500纳米。在一些实施例中，挡墙结构230中的透明材料的折射率大于1.5至1.6，且反射颗粒的折射率小于1.46(例如为二氧化硅)。在一些实施例中，挡墙结构230中的透明材料的折射率为1.45至1.6，且反射颗粒的折射率大于1.6(例如为三氧化二铝或二氧化钛)。
在本实施例中，挡墙结构230在靠近对向基板200的一侧的面积小于挡墙结构230在靠近电路基板100的一侧的面积。换句话说，挡墙结构230具有上窄下宽的结构，但本发明不以此为限。在其他实施例中，挡墙结构230在靠近对向基板200的一侧的面积大于或等于挡墙结构230在靠近电路基板100的一侧的面积。
挡墙结构230具有多个开口232,234,236。开口232、开口234以及开口236分别重叠于第一彩色滤光元件222、第二彩色滤光元件224以及第三彩色滤光元件226。
色彩转换层250位于挡墙结构230的开口232中，且重叠于发光二极管120。挡墙结构230环绕色彩转换层250。色彩转换层250包括母材252以及散布于前述母材252中的色彩转换材料254。色彩转换材料254例如为量子点材料、荧光材料、磷光材料、钙钛矿材料或其、发光染料他合适的材料。在一些实施例中，色彩转换层250的厚度为8微米至16微米。
色彩转换层250用于吸收位于其下方的发光二极管120所发出的光线，并将前述光线转换成其他颜色的光线。举例来说，色彩转换层250下方的发光二极管120为蓝色或绿色发光二极管，且色彩转换层250被配置成将蓝光或绿光转换成红光，而第一彩色滤光元件222例如为可供红光通过的红色滤光元件。在其他实施例中，色彩转换层250下方的发光二极管120为蓝色或红色发光二极管，且色彩转换层250被配置成将蓝光或红光转换成绿光，而第一彩色滤光元件222例如为可供绿光通过的绿色滤光元件。在其他实施例中色彩转换层250下方的发光二极管120为绿色或红色发光二极管，且色彩转换层250被配置成将绿光或红光转换成蓝光，而第一彩色滤光元件222例如为可供蓝光通过的蓝色滤光元件。
透明绝缘层240位于挡墙结构230具有的开口234,236中。挡墙结构230环绕透明绝缘层240。在一些实施例中，透明绝缘层240与电路基板100之间设置有其他发光二极管(未绘出)。举例来说，开口234下方的发光二极管所发出的光线可以穿过封装层300、透明绝缘层240以及第二彩色滤光元件224，而开口234下方的发光二极管所发出的光线可以穿过封装层300、透明绝缘层240以及第三彩色滤光元件226。在一些实施例中，开口234下方的发光二极管与开口236下方的发光二极管分别为不同颜色的发光二极管。
在一些实施例中，透明绝缘层240的材料包括树脂或其他合适的材料。在一些实施例中透明绝缘层240的材料的折射率为1.4至1.6。在一些实施例中，透明绝缘层240中包括散射材料。举例来说，透明绝缘层240中包括多个散布于其中的散射颗粒，例如二氧化钛或其他合适的材料。
第一光学结构260重叠于色彩转换层250，且位于封装层300与色彩转换层250之间。第一光学结构260的材料的折射率大于封装层300的材料的折射率。在一些实施例中，第一光学结构260的材料的折射率为1.7至2.6。在一些实施例中，第一光学结构260的材料为透明材料，例如铟锡氧化物、氧化锆或其他合适的材料。在一些实施例中，第一光学结构260的厚度为0.1微米至1微米。
第一光学结构260包括在第一方向D1上以第一节距PH1进行周期性排列的多个第一间隙GP1。各第一间隙GP1在第一方向D1上的宽度W1为1微米至10微米。在本实施例中，第一光学结构260包括在第一方向D1上周期性排列的多个第一光学单元262，第一间隙GP1位于相邻的第一光学单元262之间。在一些实施例中，每个第一光学单元262在第一方向D1上的宽度(即为第一节距PH1减去宽度W1)为1至10微米。在一些实施例中，第一光学单元262朝向色彩转换层250的第一面为平面，且第一光学单元262朝向电路基板100的第二面为平面。第一光学单元262具有均匀分布的厚度。
在本实施例中，封装层300填入第一间隙GP1。在一些实施例中，封装层300通过第一间隙GP1接触色彩转换层250。
通过周期性排列的多个第一间隙GP1的设计，发光二极管120所发出的光线会于第一光学结构260处出现绕射现象。因此，可以使发光二极管120所发出的光线更充分地被色彩转换层250转换成不同颜色的光线，进而改善发光二极管120所发出的光线直接穿透色彩转换层250所导致的漏光问题。基于前述，不需要将色彩转换层250设置的很厚，就可以充分地使发光二极管120所发出的光线转换成所预期的颜色，因此可以减薄色彩转换层250，并节省材料成本。
在本实施例中，黑矩阵110位于电路基板100与挡墙结构230之间，且挡墙结构230与黑矩阵110之间具有间隙。为了避免发光二极管120所发出的光线直接穿过挡墙结构230与黑矩阵110之间的间隙，将第二光学结构270设置于挡墙结构230与黑矩阵110之间。
第二光学结构270的材料的折射率大于封装层300的材料的折射率。在一些实施例中，第二光学结构270的材料的折射率为1.7至2.6。在一些实施例中，第二光学结构270的材料为透明材料，例如铟锡氧化物、氧化锆或其他合适的材料。在一些实施例中，第二光学结构270的厚度为0.1微米至1微米。在一些实施例中，第一光学结构260与第二光学结构270同时形成。
第二光学结构270包括在第一方向D1上以第二节距PH2进行周期性排列的多个第二光学单元272，第二间隙GP2位于相邻的第二光学单元272之间。在一些实施例中，也可以说第二间隙GP2在第一方向D1上以第二节距PH2进行周期性排列。各第二间隙GP2在第一方向D1上的宽度W2为1微米至10微米。在一些实施例中，第一间隙GP1在第一方向D1上的宽度W1大于或等于第二间隙GP2在第一方向D1上的宽度W2。
每个第二光学单元272在第一方向D1上的宽度(即为第二节距PH2减去宽度W2)为1至10微米。在一些实施例中，第二光学单元272朝向挡墙结构230的第一面为平面，且第二光学单元272朝向电路基板100的第二面为平面。第二光学单元272具有均匀分布的厚度。
在本实施例中，封装层300延伸至黑矩阵110与第二光学结构270之间，并填入第二间隙GP2。在一些实施例中，封装层300通过第二间隙GP2接触挡墙结构230。
通过第二光学结构270的设计，发光二极管120所发出的光线会于第二光学结构270处出现转折(例如类似光纤布拉格光栅(Fiber Bragg Grating,FBG)的原理)。因此，可以减少直接穿过挡墙结构230与黑矩阵110之间的光线。
在一些实施例中，封装层300可作为胶层使用，且能用于将上部结构与下部结构结合。举例来说，在一些实施例中，下部结构包括电路基板100、黑矩阵110以及发光二极管120，而上部结构包括对向基板200、遮光层210、第一彩色滤光元件222、第二彩色滤光元件224、第三彩色滤光元件226、挡墙结构230、透光层240、色彩转换层250、第一光学结构260以及第二光学结构270。分别形成下部结构与上部结构，封装层300形成于下部结构上，并用于连接下部结构与上部结构。
图2A至图2D是依照本发明的一些实施例的光学结构的俯视图。举例来说，图1的第一光学结构260及/或第二光学结构270可以采用图2A至图2D中的光学结构400的设计。
在图2A中，光学结构400包括长条状结构(长条状光学单元)，且光学结构400包括在第一方向D1上以节距PHa进行周期性排列的多个间隙GPa。长条状光学单元沿着第二方向D2延伸
在图2B中，光学结构400包括多个岛状结构(岛状光学单元)，且光学结构400包括在第一方向D1上以节距PHa进行周期性排列的多个间隙GPa以及在第二方向D2上以节距PHb进行周期性排列的多个间隙GPb。间隙GPa与间隙GPb彼此相连并构成网状结构。
在图2C中，光学结构400为网状结构。光学结构400包括在第一方向D1上以节距PHa进行周期性排列的多个间隙GPa，且前述间隙GPa在第二方向D2上以节距PHb进行周期性排列。
在图2D中，光学结构400为同心圆状结构。光学结构400包括在第一方向D1上以及在第二方向D2上皆以节距PHa进行周期性排列的多个间隙GPa。
图3是依照本发明的一实施例的一种显示装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图3的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图3的显示装置20与图1的显示装置10的主要差异在于：显示装置20还包括覆盖层280。
覆盖层280位于封装层300上以及挡墙结构230的开口232中。在本实施例中，覆盖层280形成于第一光学结构260上，且第一光学结构260位于覆盖层280与色彩转换层250之间。
在本实施例中，覆盖层280填入第一光学结构260的第一间隙GP1，且封装层300填入第二光学结构270的第二间隙GP2。覆盖层280通过第一间隙GP1接触色彩转换层250，且封装层300通过第二间隙GP2接触挡墙结构230。
在一些实施例中，覆盖层280的材料包括光刻胶、树脂、硅胶或其他合适的材料，且其折射率为1.2至1.6。第一光学结构260的材料的折射率以及第二光学结构270的材料的折射率大于覆盖层280的材料的折射率。在一些实施例中，覆盖层280的材料的折射率小于封装层300的材料的折射率。
通过周期性排列的多个第一间隙GP1的设计，发光二极管120所发出的光线会于第一光学结构260处出现绕射现象。因此，可以使发光二极管120所发出的光线更充分地被色彩转换层250转换成不同颜色的光线，进而改善发光二极管120所发出的光线直接穿透色彩转换层250所导致的漏光问题。基于前述，不需要将色彩转换层250设置的很厚，就可以充分地使发光二极管120所发出的光线转换成所预期的颜色，因此可以减薄色彩转换层250，并节省材料成本。
在一些实施例中，封装层300可作为胶层使用，且能用于将上部结构与下部结构结合。举例来说，在一些实施例中，下部结构包括电路基板100、黑矩阵110以及发光二极管120，而上部结构包括对向基板200、遮光层210、第一彩色滤光元件222、第二彩色滤光元件224、第三彩色滤光元件226、挡墙结构230、透光层240、色彩转换层250、第一光学结构260、第二光学结构270以及覆盖层280。分别形成下部结构与上部结构，封装层300形成于下部结构上，并用于连接下部结构与上部结构。
另外，在图3的实施例中，第一光学结构260及/或第二光学结构270可以采用图2A至图2D中的光学结构400的设计。
图4是依照本发明的一实施例的一种显示装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图4的显示装置30与图1的显示装置10的主要差异在于：显示装置30的挡墙结构230接触电路基板100。
在本实施例中，在将发光二极管120转移至电路基板100后，形成挡墙结构230于电路基板100上。接着，形成封装层300于挡墙结构230的开口232,234,236中。然后，形成第一光学结构260于封装层300上。第一光学结构260的材料的折射率大于封装层300的材料的折射率和色彩转换层250的母材252的折射率。
在形成第一光学结构260于封装层300上之后，形成色彩转换层250于挡墙结构230的开口232中，并形成透光层240于挡墙结构230的开口234,236中。色彩转换层250与透光层240的形成顺序可以依照需求进行调整。最后，形成遮光层210、第一彩色滤光元件222、第二彩色滤光元件224以及第三彩色滤光元件226于色彩转换层250、透光层240以及挡墙结构230上。
在本实施例中，挡墙结构230环绕色彩转换层250、封装层300以及第一光学结构260。在本实施例中，色彩转换层250填入第一间隙GP1中。
通过周期性排列的多个第一间隙GP1的设计，发光二极管120所发出的光线会于第一光学结构260处出现绕射现象。因此，可以使发光二极管120所发出的光线更充分地被色彩转换层250转换成不同颜色的光线，进而改善发光二极管120所发出的光线直接穿透色彩转换层250所导致的漏光问题。基于前述，不需要将色彩转换层250设置的很厚，就可以充分地使发光二极管120所发出的光线转换成所预期的颜色，因此可以减薄色彩转换层250，并节省材料成本。
另外，在图4的实施例中，第一光学结构260及/或第二光学结构270可以采用图2A至图2D中的光学结构400的设计。
图5是依照本发明的一实施例的一种显示装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图5的显示装置40与图4的显示装置30的主要差异在于：显示装置40还包括散布于封装层300中的色彩转换颗粒310。
在本实施例中，色彩转换层250包括母材252以及散布于母材252中的多个色彩转换颗粒254。色彩转换颗粒310与色彩转换颗粒254例如包括相同的材料，且封装层300与母材252例如包括相同的材料。
图6是依照本发明的一实施例的显示装置与一比较例的显示装置的不同波长的光线强度的分布图。图6显示的是光线经过色彩转换层250后未经过第一彩色滤光元件222的不同波长的光线强度的分布图。
在图6中，实施例的显示装置的结构如图1所示，其中色彩转换层250用于将发光二极管120发出的蓝光转换成红光，且其厚度为12微米，封装层300的折射率约为1.6，第一光学结构260与第二光学结构270为铟锡氧化物(厚度约为0.2微米，且折射率约为2.2)，第一间隙GP1与第二间隙GP2在第一方向D1上的宽度约为3微米，第一光学单元262与第二光学单元272在第一方向D1上的宽度约为3微米。
在图6中，比较例的显示装置与实施例的显示装置相似，差异在于比较例的显示装置不具有第一光学结构260与第二光学结构270。
由图6可以得知，通过第一光学结构260与第二光学结构270的设置，有助于降低穿过色彩转换层250的蓝光的光线强度，并提升了被色彩转换层250转换成红光的光线强度。
图7是依照本发明的一实施例的显示装置与一比较例的显示装置的不同波长的光线强度的分布图。图7显示的是光线经过色彩转换层250后未经过第一彩色滤光元件222的不同波长的光线强度的分布图。
在图7中，实施例的显示装置的结构如图3所示，其中色彩转换层250用于将发光二极管120发出的蓝光转换成红光，且其厚度为12微米，覆盖层280的折射率约为1.22，第一光学结构260与第二光学结构270为铟锡氧化物(厚度约为0.2微米，且折射率约为2.2)，第一间隙GP1与第二间隙GP2在第一方向D1上的宽度约为3微米，第一光学单元262与第二光学单元272在第一方向D1上的宽度约为3微米。
在图7中，比较例的显示装置与实施例的显示装置相似，差异在于比较例的显示装置不具有第一光学结构260、第二光学结构270以及覆盖层280。换句话说，图7的比较例的显示装置与图6的比较例的显示装置具有相同的结构。
由图7可以得知，通过第一光学结构260、第二光学结构270以及覆盖层280的设置，有助于降低穿过色彩转换层250的蓝光的光线强度，并提升了被色彩转换层250转换成红光的光线强度。此外，比较图6的实施例与图7的实施例可以得知，通过设置具有更低折射率的覆盖层280可以进一步提升色彩转换层250的效率。
Claims (18)
1.一种显示装置，包括：
一电路基板；
一发光二极管，位于该电路基板上；
一封装层，覆盖该发光二极管；
一色彩转换层，重叠于该发光二极管；以及
一第一光学结构，重叠于该色彩转换层，且位于该封装层与该色彩转换层之间，其中该第一光学结构包括在一第一方向上以一第一节距进行周期性排列的多个第一间隙，且各该第一间隙在该第一方向上的宽度为1微米至10微米，且该第一光学结构的材料的折射率大于该封装层的材料的折射率。
2.如权利要求1所述的显示装置，还包括
一挡墙结构，环绕该色彩转换层；
一黑矩阵，位于该电路基板与该挡墙结构之间，且环绕该发光二极管；
一第二光学结构，位于该挡墙结构与该黑矩阵之间，其中该第二光学结构包括在该第一方向上以一第二节距进行周期性排列的多个第二光学单元，相邻的该些第二光学单元具有一第二间隙。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中该第二间隙在该第一方向上的宽度为1微米至10微米。
4.如权利要求2所述的显示装置，其中该第一间隙在该第一方向上的宽度大于或等于该第二间隙在该第一方向上的宽度。
5.如权利要求2所述的显示装置，其中该封装层延伸至该黑矩阵与该第二光学结构之间。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中该第一光学结构的材料为透明材料。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中该第一光学结构包括周期性排列的多个第一光学单元，该些第一间隙位于相邻的该些第一光学单元之间，其中该些第一光学单元朝向该色彩转换层的第一面为平面，且该些第一光学单元朝向该电路基板的第二面为平面。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中该封装层填入该些第一间隙。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中该封装层通过该些第一间隙接触该色彩转换层。
10.如权利要求1所述的显示装置，还包括
一挡墙结构，环绕该色彩转换层、该封装层以及该第一光学结构，且该挡墙结构接触该电路基板。
11.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
多个第一色彩转换颗粒，散布于该封装层中，且该色彩转换层包括母材以及散布于该母材中的多个第二色彩转换颗粒。
12.如权利要求1所述的显示装置，其中所述色彩转换层填入该些第一间隙中。
13.一种显示装置，包括：
一电路基板；
一发光二极管，位于该电路基板上；
一封装层，覆盖该发光二极管；
一覆盖层，位于该封装层上；
一色彩转换层，重叠于该发光二极管；以及
一第一光学结构，重叠于该色彩转换层，且位于该覆盖层与该色彩转换层之间，其中该第一光学结构包括在一第一方向上以一第一节距进行周期性排列的多个第一间隙，且各该第一间隙在该第一方向上的宽度为1微米至10微米，且该第一光学结构的材料的折射率大于该覆盖层的材料的折射率。
14.如权利要求13所述的显示装置，还包括
一挡墙结构，环绕该色彩转换层；
一黑矩阵，位于该电路基板与该挡墙结构之间，且环绕该发光二极管；
一第二光学结构，位于该挡墙结构与该黑矩阵之间，其中该第二光学结构包括在该第一方向上以一第二节距进行周期性排列的多个第二间隙。
15.如权利要求14所述的显示装置，其中该封装层延伸至该黑矩阵与该第二光学结构之间。
16.如权利要求14所述的显示装置，其中该覆盖层填入该些第一间隙，且该封装层填入该些第二间隙。
17.如权利要求16所述的显示装置，其中该覆盖层通过该些第一间隙接触该色彩转换层。
18.如权利要求13所述的显示装置，其中该第一光学结构包括周期性排列的多个第一光学单元，该些第一间隙位于相邻的该些第一光学单元之间，其中该些第一光学单元朝向该色彩转换层的第一面为平面，且该些第一光学单元朝向该电路基板的第二面为平面。
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