CN113838959A - 微型发光二极管封装结构与微型发光二极管显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种微型发光二极管封装结构与微型发光二极管显示装置。微型发光二极管封装结构包括第一基材、第二基材以及显示单元。第二基材配置于第一基材上且具有开口。开口暴露出部分第一基材，且开口与被暴露出的第一基材定义出容置槽。显示单元配置于容置槽内，且显示单元包括控制电路板以及微型发光二极管组件。微型发光二极管组件配置于控制电路板上，且与控制电路板电性连接。本发明的微型发光二极管封装结构，其具有较薄的封装厚度与较佳的结构平整度。

Description

微型发光二极管封装结构与微型发光二极管显示装置

技术领域

本发明涉及一种封装结构与显示装置，尤其涉及一种微型发光二极管封装结构与微型发光二极管显示装置。

背景技术

一般来说，为了让发光二极管被电路控制，通常需要先将发光二极管转移到互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)晶圆上，接着制作后续制程，最后在接合(bonding)至驱动基板上。然而，由于半导体厂所使用的设备大多是生产8寸以上的晶圆，而发光二极管厂在发光二极管的磊晶以及后续制程中，大多是使用对应4寸或6寸晶圆的设备，因而容易发生尺寸不合的情形，进而导致发光二极管与集成电路芯片(IC die)无法直接对接。再者，如果不考虑8寸晶圆厂设备的建置成本，而将发光二极管分次转移到8寸晶圆厂设备做后续制程，因整体曝光平整度的要求下，即使对接的集成电路芯片为不良品，仍须在其上方放置发光二极管芯片，进而造成成本的浪费。

此外，解析度越高的曝光机(如步进式曝光机(stepper))，其对于晶圆的平整度要求也越高，因此若直接将集成电路芯片接合至驱动基板上做后续制程，则易因集成电路芯片的厚度而导致和驱动基板之间的高低差过大(如大于550微米)而增加曝光困难度。现有制程为了克服上述的高低差问题，因而采用打线方式导通集成电路芯片与驱动基板，进而占据较多空间而减少单片硅晶圆的芯片数量。

发明内容

本发明是针对一种微型发光二极管封装结构，其具有较薄的封装厚度与较佳的结构平整度。

本发明是针对一种微型发光二极管显示装置，其包括多个上述的微型发光二极管封装结构，可具有较薄的封装厚度与较佳的结构平整度。

根据本发明的实施例，微型发光二极管封装结构包括第一基材、第二基材以及显示单元。第二基材配置于第一基材上且具有开口。开口暴露出部分第一基材，且开口与被暴露出的第一基材定义出容置槽。显示单元配置于容置槽内，且显示单元包括控制电路板以及微型发光二极管组件。微型发光二极管组件配置于控制电路板上，且与控制电路板电性连接。

在根据本发明的实施例的微型发光二极管封装结构中，上述的第一基材与第二基材至少其中的一者为基板，且基板包括印刷电路板、玻璃基板、蓝宝石基板或硅基板。

在根据本发明的实施例的微型发光二极管封装结构中，上述的控制电路板具有远离第一基材的第一顶面，而第二基材具有远离第一基材的第二顶面，且第一顶面与第二顶面之间的高度差小于等于50微米。

在根据本发明的实施例的微型发光二极管封装结构中，第二基材还包括垫高层，垫高层配置于第二基材远离第一基材的一侧，且垫高层远离第一基材的表面定义出第二顶面。

在根据本发明的实施例的微型发光二极管封装结构中，控制电路板包含第一接垫，而第二基材还包括第二接垫以及垫高层。第二接垫配置于第二基材远离第一基材的一侧。垫高层覆盖第二接垫并且具有暴露出第二接垫的开孔。微型发光二极管封装结构还包括导电结构，导电结构从第一接垫延伸分布至垫高层的表面，并经由开孔与第二接垫电性连接。

在根据本发明的实施例的微型发光二极管封装结构中，上述的微型发光二极管封装结构还包括导光层，配置于第二基材上，且覆盖微型发光二极管组件。

在根据本发明的实施例的微型发光二极管封装结构中，控制电路板包括第一接垫。第二基材包括第二接垫，且具有彼此相对并经由开口连接的第一表面与第二表面。第二接垫设置于第一表面或第二表面。微型发光二极管封装结构还包括导电结构，其设置于开口并连接第一接垫以及第二接垫。

在根据本发明的实施例的微型发光二极管封装结构中，上述的第二接垫设置于第二表面，且第一基材的周围表面抵接导电结构，且第一基材的第一底面切齐于导电结构的第二底面。

在根据本发明的实施例的微型发光二极管封装结构中，上述的第一基材为涂布层，且第一基材的厚度大于0且小于50微米。

在根据本发明的实施例的微型发光二极管封装结构中，上述的微型发光二极管封装结构还包括填充材料层，配置于容置槽内，且位于开口与显示单元之间。

在根据本发明的实施例的微型发光二极管封装结构中，上述的控制电路板具有远离第一基材的第一顶面，填充材料层具有远离第一基材的第三顶面，且第一顶面切齐于第三顶面。

在根据本发明的实施例的微型发光二极管封装结构中，上述的微型发光二极管封装结构还包括导电结构以及绝缘层。控制电路板包括第一接垫。绝缘层配置于第一基材与第二基材之间。显示单元的微型发光二极管组件直接接触绝缘层，且绝缘层具有暴露出第一接垫的通道。导电结构配置于通道内且与第一接垫电性连接。

在根据本发明的实施例的微型发光二极管封装结构中，上述的微型发光二极管封装结构的第一基材为绝缘材料层。

根据本发明的实施例，微型发光二极管显示装置包括驱动基板以及多个微型发光二极管封装结构。微型发光二极管封装结构彼此分离地配置于驱动基板上，并电性连接至驱动基板。每一微型发光二极管封装结构包括第一基材、第二基材以及显示单元。第二基材配置于第一基材上且具有开口。开口暴露出部分第一基材，且开口与被暴露出的第一基材定义出容置槽。显示单元配置于容置槽内，且显示单元包括控制电路板以及微型发光二极管组件。微型发光二极管组件配置于控制电路板上，且与控制电路板电性连接。

基于上述，在本发明的微型发光二极管封装结构的设计中，显示单元是配置在第二基材的开口与第一基材所定义出的容置槽内，藉此来避免现有技术中因集成电路芯片的厚度而导致高低差过大的问题。相较于现有技术中将集成电路芯片直接接合在驱动基板上而言，本发明的微型发光二极管封装结构可具有较薄的封装厚度与较佳的结构平整度。

附图说明

图1A是依照本发明的一实施例的一种微型发光二极管封装结构的剖面示意图；

图1B与图1C分别示出为第一基材与第二基材未裁切之前的俯视示意图；

图2是图1A的微型发光二极管封装结构的电路连接剖面示意图；

图3是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管封装结构的剖面示意图；

图4是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管封装结构的剖面示意图；

图5A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管封装结构的剖面示意图；

图5B是图5A的微型发光二极管封装结构移除暂时基材的剖面示意图；

图6A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管封装结构的剖面示意图；

图6B是图6A的微型发光二极管封装结构移除暂时基材的剖面示意图；

图7是依照本发明的一实施例的一种微型发光二极管显示装置的剖面示意图。

附图标记说明

100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h:微型发光二极管封装结构；

110、120:基板；

110a、110f、110h:第一基材；

110e、110g:暂时基材；

111f:周围表面；

112h:第一侧表面；

114f、114h:第一底面；

115h:通道；

120a、120c、120e、120g:第二基材；

121e1:第一表面；

121e2:第二表面；

122、122e:开口；

123a、123c、127e:第二接垫；

130:显示单元；

132:控制电路板；

133:第一接垫；

134:微型发光二极管组件；

135:顶面；

140a、140e、140g:黏着层；

142e、142g:第一侧表面；

144g:通道；

150b、150c、150d、150e、150f、150g:导电结构；

152e、152g:第二侧表面；

154e、154g:第二底面；

160b、160g:填充材料层；

170:垫高层；

171:表面；

172:开孔；

180:导光层；

181:表面；

182:第一开孔；

184:第二开孔；

200:微型发光二极管显示装置；

210:驱动基板；

C:容置槽；

G:间距；

H:高度差；

P:平面；

S:周围表面；

T:厚度；

T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T1”:顶面。

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1A是依照本发明的一实施例的一种微型发光二极管封装结构的剖面示意图。图1B与图1C分别示出为第一基材与第二基材未裁切之前的俯视示意图。

请先参考图1A，在本实施例中，微型发光二极管封装结构100a包括第一基材110a、第二基材120a以及显示单元130。第二基材120a配置于第一基材110a上且具有开口122。开口122暴露出部分第一基材110a，且开口122与被暴露出的第一基材110a定义出容置槽C。显示单元130配置于容置槽C内，且显示单元130包括控制电路板132以及微型发光二极管组件134。微型发光二极管组件134配置于控制电路板132上，且与控制电路板132电性连接。

详细来说，显示单元130的控制电路板132包括第一接垫133，而第二基材120a包括第二接垫123a。控制电路板132在其上方具有顶面T1，在图1A中，顶面T1例如是位于第一接垫133上方，但不以此为限。第二基材120a在第二接垫123a上方具有远离第二基材120a的顶面T2，且顶面T1与顶面T2位于同一平面P上。也就是说，第一接垫133的顶面T1与第二接垫123a的顶面T2之间没有高度差或约略齐平。再者，本实施例的显示单元130的微型发光二极管组件134包括多个微型发光二极管，且这些微型发光二极管所发出的光不同。具体来说，微型发光二极管包括红色微型发光二极管、绿色微型发光二极管以及蓝色微型发光二极管，且红色微型发光二极管、绿色微型发光二极管以及蓝色微型发光二极管定义出像素，但不以此为限。此外，本实施例的微型发光二极管封装结构100a还包括黏着层140a，其中黏着层140a配置于第一基材110a与第二基材120a之间，且显示单元130的控制电路板132直接接触黏着层140a。此黏着层140a用以将显示单元130固定在第一基材110a上。较佳地，黏着层140a还可同时作为绝缘层。亦即，黏着层140a的材质可以是具有电气绝缘性的有机材料。

更进一步来说，请同时参考图1A与图1B，本实施例的第一基材110a例如是基板110的一部分，经由裁切以单体化基板110而得到第一基材110a，其中基板110例如是印刷电路板、玻璃基板、蓝宝石基板或硅基板，但不以此为限。接着，请同时参考图1A与图1C，本实施例的第二基材120a例如是基板120的一部分，其中基板120具有多个开口122以及位于开口122一侧边的多个第二接垫123a。经由裁切以单体化基板120而得到具有开口122及第二接垫123a的第二基材120a，其中基板120例如是印刷电路板、玻璃基板、蓝宝石基板或硅基板，但不以此为限。此处，第一基材110a具体化为硅基板，而第二基材120a具体化为印刷电路板，但不以此为限。较佳地，第一基材110a的尺寸与第二基材120a的尺寸约略相同或实质上相同。须说明的是，于其他实施例中，亦可以是第一基材110a与第二基材120a至少其中的一者为基板，其中基板例如是印刷电路板、玻璃基板、蓝宝石基板或硅基板，此仍属于本发明所欲保护的范围。

在制作上，首先，制作与磊晶基板相同尺寸的基板110与基板120。接着，制作基板120的开口122与第二接垫123a，并将基板120设置在基板110上，而使基板120的开口122与基板110定义出容置槽C。之后，将显示单元130配置于容置槽C内。最后，进行单体化程序，以切割基板110及基板120，而完成微型发光二极管封装结构100a的制作。

在本实施例的微型发光二极管封装结构100a的设计中，显示单元130是配置在第二基材120a的开口122与第一基材110a所定义出的容置槽C内，藉此来避免现有技术中因集成电路芯片的厚度而导致高低差过大的问题。换言之，通过在第二基材120a的顶面T2与第一基材110a之间预先形成下凹的容置槽C，可避免仅有显示单元130设置于第一基材110a上时，因自身厚度而与周围的基材形成高度差，据此降低后续的曝光困难度。此外，控制电路板132的第一接垫133的顶面T1与第二基材120a的第二接垫123a的顶面T2之间没有高度差或约略齐平，因此后续也无须通过打线接合来电性连接，可将低整体的封装厚度。简言之，相较于现有技术中将集成电路芯片直接接合在驱动基板上而言，本实施例的微型发光二极管封装结构100a可具有较薄的封装厚度与较佳的结构平整度。

在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图2是图1A的微型发光二极管封装结构的电路连接剖面示意图。在图1A的微型发光二极管封装结构100a的后续应用中，由于图1A的微型发光二极管封装结构100a具有高平整度，因此不需要采用打线连接的方式，可直接采用曝光方式来沉积金属线路。详细来说，请参考图2，在本实施例中，微型发光二极管封装结构100b还包括导电结构150b，其中导电结构150b电性连接控制电路板132的第一接垫133与第二基材120a的第二接垫123a。此处，导电结构150b例如是采用微影制程来形成，其材质例如为金属，可藉此提高像素密度。此处，第二接垫123a可以为第二基材120a上电路的一部分。也就是说，在较佳的实施例中，第二基材120a可以为印刷电路板，而第二接垫123a不限于图2所示例的结构，而可以为金属线路、欧姆接点或其他适合的态样。

此外，为了减轻对图1A的微型发光二极管封装结构100a后续制程的影响，本实施例的微型发光二极管封装结构100b可选择性地包括填充材料层160b，其中填充材料层160b配置于容置槽C内，且位于开口122与显示单元130之间。此处，填充材料层160b具有远离第一基材110a的顶面T3，而控制电路板130具有远离第一基材110a的顶面T4，且顶面T3实质上切齐或约略切齐于顶面T4，藉此提升平坦度。填充材料层160b的材质例如是有机材料，用以填满显示单元130与容置槽C之间的空隙，藉此可减轻对后续制程的影响。

图3是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管封装结构的剖面示意图。请同时参考图2以及图3，本实施例的微型发光二极管封装结构100c与图2的微型发光二极管封装结构100b相似，两者差异在于：在本实施例中，控制电路板132与第二基材120c的第二接垫123c具有高度差H。详细来说，控制电路板132具有顶面T1”，且此顶面T1”例如是微型发光二极管组件134的顶面。在本实施例中，控制电路板132的顶面T1”与第二接垫123c的顶面T6之间具有高度差H，且高度差H例如是小于等于50微米。与此相对应的，微型发光二极管组件134的宽度尺寸例如在30微米至50微米。然而，请配合参照图1C，随着曝光机的曝光线宽与间距缩小，单位面积内的微型发光二极管组件134数量增加、尺寸更小，高度差H可能随之降低。此外，高度差H较佳地可以为20微米以下。此处，填充材料层160b的顶面T3实质上切齐或约略切齐于第二基材120c的顶面T5，且控制电路板130的顶面T4突出于填充材料层160b的顶面T3。

再者，本实施例的微型发光二极管封装结构100c还包括垫高层170，其中垫高层170配置于第二基材120c上，且覆盖控制电路板132的周围表面S。如图3所示，控制电路板132的周围表面S被垫高层170及填充材料层160b所覆盖。更进一步来说，垫高层170具有暴露出第二接垫123c的开孔172，且导电结构150c从第一接垫133延伸分布至垫高层170的表面171并经由开孔172与第二接垫123c电性连接。此处，垫高层170的材质包括绝缘材料或有机材料，用以消除第一接垫133与第二接垫123c之间的高度差H，以提升微型发光二极管封装结构100c的平坦度。

图4是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管封装结构的剖面示意图。请同时参考图2以及图4，本实施例的微型发光二极管封装结构100d与图2的微型发光二极管封装结构100b相似，两者差异在于：在本实施例中，微型发光二极管封装结构100d还包括导光层180，其中导光层180配置于第二基材120a上，且覆盖微型发光二极管组件134、填充材料层160b以及第二基材120a。导光层180具有暴露出第一接垫133与第二接垫123a的第一开孔182及第二开孔184。导电结构150d从导光层180的表面181延伸分布至第一开孔182与第二开孔184内以与第一接垫133与第二接垫123a电性连接。此处，导光层180的材质例如是绝缘材料或有机材料，且具有高光穿透性。

图5A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管封装结构的剖面示意图。请同时参考图2以及图5A，本实施例的微型发光二极管封装结构100e与图2的微型发光二极管封装结构100b相似，两者差异在于：在本实施例中，微型发光二极管封装结构100e的导电结构150e和第二基材120e的结构都不同于图2的导电结构150b和第二基材120a。

详细来说，第二基材120e具有彼此相对的第一表面121e1与第二表面121e2，且还包括第二接垫127e。开口122e连接第一表面121e1与第二表面121e2，且第二接垫127e设置于第二表面121e2。导电结构150e设置于开口122e并连接第一接垫133与第二接垫127e。此处，黏着层140e覆盖导电结构150e。

图5B是图5A的微型发光二极管封装结构移除暂时基材的剖面示意图。在图5A的后续制程中，可移除暂时基材110e与部分的黏着层140e，以降低整体微型发光二极管封装结构的厚度。详细来说，请参考图5B，本实施例中，第一基材110f具体化为涂布层，其为图5A中剩余的黏着层140e，但不以此为限。在其他实施例中，第一基材110f也可以是绝缘材料层。较佳地，第一基材110f的厚度T大于0且小于50微米。特别是，第一基材110f的周围表面111f抵接导电结构150e，且第一基材110f的第一底面114f实质上切齐或约略切齐于导电结构150e的第二底面154e。

简言之，图5A的暂时基板110e仅提供显示单元130、第二基材120e及填充材料层160b暂时性的支持，其中显示单元130、第二基材120e及填充材料层160b可通过黏着层140e而固定于暂时基板110e上。于后续制程时，请同时参考图5A与图5B，为了减薄整体微型发光二极管封装结构的厚度，可移除暂时基板110e与部分黏着层140e，而固定显示单元130、第二基材120e及填充材料层160b的剩下的黏着层140e则可视为是第一基材110f。

图6A是依照本发明的另一实施例的一种微型发光二极管封装结构的剖面示意图。请同时参考图2以及图6A，本实施例的微型发光二极管封装结构100g与图2的微型发光二极管封装结构100b相似，两者差异在于：在本实施例中，填充材料层160g完全包覆控制电路板132，且与控制电路板132的顶面135具有间距G。此处，第二基材120g的顶面T7实质上切齐或约略切齐于填充材料层160g的顶面T8。

也就是说，请同时参考图3以及图6A，当图3的控制电路板132的顶面T1”与第二接垫123c的顶面T6之间具有高度差H时，可通过增设垫高层170来消除第一接垫133与第二接垫123c之间的高度差H，以提升微型发光二极管封装结构100c的平坦度。在图6A中，当控制电路板132的顶面135与第二基材120g的顶面T7具有间距G时，可通过填充材料层160g来填满，以提升微型发光二极管封装结构100g的平坦度。

此外，在本实施例中，微型发光二极管封装结构100g还包括导电结构150g。详细来说，在本实施例中，显示单元130的微型发光二极管组件134直接接触黏着层140g，且黏着层140g具有暴露出第一接垫133的通道144g。导电结构150g配置于通道144g内且与控制电路板132的第一接垫133电性连接。此处，黏着层140g的第一侧表面142g实质上切齐或约略切齐于导电结构150g的第二侧表面152g。

图6B是图6A的微型发光二极管封装结构移除暂时基材的剖面示意图。在图6A的后续制程中，可移除暂时基材110g，以降低整体微型发光二极管封装结构的厚度。详细来说，请同时参考图6A与图6B，在本实施例中，第一基材110h具体化为绝缘层，即将移除图6A中的暂时基材110g之后所暴露出的黏着层140g可视为本实施的第一基材110h。第一基材110h具有暴露出第一接垫133的通道115h，其中显示单元130的微型发光二极管组件134直接接触第一基材110h。特别是，第一基材110h的第一底面114h实质上切齐或约略切齐于导电结构150g的第二底面154g。第一基材110h的第一侧表面112h实质上切齐或约略切齐于导电结构150g的第二侧表面152g。

简言之，图6A的暂时基板110g仅提供显示单元130、第二基材120g及填充材料层160g暂时性的支持，其中显示单元130、第二基材120g及填充材料层160g可通过黏着层140g而固定于暂时基板110g上。于后续制程时，请同时参考图6A与图6B，为了减薄整体微型发光二极管封装结构的厚度，可移除暂时基板110g，而固定显示单元130、第二基材120g及填充材料层160g的黏着层140g则可视为是第一基材110h。

图7是依照本发明的一实施例的一种微型发光二极管显示装置的剖面示意图。请参考图7，本实施例的微型发光二极管显示装置200包括驱动基板210以及多个如图2所示的微型发光二极管封装结构100b。微型发光二极管封装结构100b彼此分离地配置于驱动基板210上，并电性连接至驱动基板210。此处，驱动基板210例如是互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)基板、硅基液晶(Liquid Crystal onSilicon,LCOS)基板、薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)基板或是其他具有工作电路的基板，于此并不加以限制。

综上所述，在本发明的微型发光二极管封装结构的设计中，显示单元是配置在第二基材的开口与第一基材所定义出的容置槽内，藉此来避免现有技术中因集成电路芯片的厚度而导致高低差过大的问题。相较于现有技术中将集成电路芯片直接接合在驱动基板上而言，本发明的微型发光二极管封装结构可具有较薄的封装厚度与较佳的结构平整度。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (14)

1.一种微型发光二极管封装结构，其特征在于，包括：

第一基材；

第二基材，配置于所述第一基材上，且具有开口，所述开口暴露出部分所述第一基材，且所述开口与被暴露出的所述第一基材定义出容置槽；以及

显示单元，配置于所述容置槽内，且所述显示单元包括：

控制电路板；以及

微型发光二极管组件，配置于所述控制电路板上，且与所述控制电路板电性连接。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一基材与所述第二基材至少其中的一者为基板，且所述基板包括印刷电路板、玻璃基板、蓝宝石基板或硅基板。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管封装结构，其特征在于，所述控制电路板具有远离所述第一基材的第一顶面，而所述第二基材具有远离所述第一基材的第二顶面，且所述第一顶面与所述第二顶面之间的高度差小于等于50微米。

4.根据权利要求3所述的微型发光二极管封装结构，其特征在于，所述第二基材还包括：

垫高层，配置于所述第二基材远离所述第一基材的一侧，且所述垫高层远离所述第一基材的表面定义出所述第二顶面。

5.根据权利要求1所述的微型发光二极管封装结构，其特征在于，所述控制电路板包含第一接垫；

所述第二基材还包括：

第二接垫，配置于所述第二基材远离所述第一基材的一侧；以及

垫高层，覆盖所述第二接垫，并且具有暴露出所述第二接垫的开孔；所述微型发光二极管封装结构还包括：

导电结构，从所述第一接垫延伸分布至所述垫高层的表面，并经由所述开孔与所述第二接垫电性连接。

6.根据权利要求1所述的微型发光二极管封装结构，其特征在于，还包括：

导光层，配置于所述第二基材上，且覆盖所述微型发光二极管组件。

7.根据权利要求1所述的微型发光二极管封装结构，其特征在于，所述控制电路板包括第一接垫；所述第二基材包括第二接垫，且具有彼此相对并经由所述开口连接的第一表面与第二表面，所述第二接垫设置于所述第一表面或所述第二表面；

所述微型发光二极管封装结构还包括：

导电结构，设置于所述开口并连接所述第一接垫以及所述第二接垫。

8.根据权利要求7所述的微型发光二极管封装结构，其特征在于，所述第二接垫设置于所述第二表面，且所述第一基材的周围表面抵接所述导电结构，且所述第一基材的第一底面切齐于所述导电结构的第二底面。

9.根据权利要求8所述的微型发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一基材为涂布层，且所述第一基材的厚度大于0且小于50微米。

10.根据权利要求1所述的微型发光二极管封装结构，其特征在于，还包括：

填充材料层，配置于所述容置槽内，且位于所述开口与所述显示单元之间。

11.根据权利要求10所述的微型发光二极管封装结构，其特征在于，所述控制电路板具有远离所述第一基材的第一顶面，而所述填充材料层具有远离所述第一基材的第三顶面，且所述第一顶面切齐于所述第三顶面。

12.根据权利要求1所述的微型发光二极管封装结构，其特征在于，还包括：

绝缘层，配置于所述第一基材与所述第二基材之间，其中所述控制电路板包括第一接垫，所述显示单元的所述微型发光二极管组件直接接触所述绝缘层，且所述绝缘层具有暴露出所述第一接垫的通道；以及

导电结构，配置于所述通道内且与所述第一接垫电性连接。

13.根据权利要求1所述的微型发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一基材为绝缘材料层。

14.一种微型发光二极管显示装置，其特征在于，包括：

驱动基板；以及

多个微型发光二极管封装结构，彼此分离地配置于所述驱动基板上，并电性连接至所述驱动基板，其中所述多个微型发光二极管封装结构中的每一个包括：

第一基材；

第二基材，配置于所述第一基材上，且具有开口，所述开口暴露出部分所述第一基材，且所述开口与被暴露出的所述第一基材定义出容置槽；以及

显示单元，配置于所述容置槽内，且所述显示单元包括：

控制电路板；以及

微型发光二极管组件，配置于所述控制电路板上，且与所述控制电路板电性连接。

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