CN108886034B - 树脂封装型电力半导体装置的制造方法 - Google Patents

树脂封装型电力半导体装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108886034B
CN108886034B CN201680083961.0A CN201680083961A CN108886034B CN 108886034 B CN108886034 B CN 108886034B CN 201680083961 A CN201680083961 A CN 201680083961A CN 108886034 B CN108886034 B CN 108886034B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
lead
power semiconductor
semiconductor device
main surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680083961.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108886034A (zh
Inventor
市川庆太郎
坂本健
舟桥和郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of CN108886034A publication Critical patent/CN108886034A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108886034B publication Critical patent/CN108886034B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00012—Relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供能够容易地将悬吊引线从模塑树脂以及引线框进行截断的树脂封装型电力半导体装置的制造方法。本发明涉及的树脂封装型电力半导体装置的制造方法具备以下工序：(a)将半导体元件和与该半导体元件电连接的引线框通过模塑树脂进行封装，准备引线框的端子引线以及悬吊引线从模塑树脂的侧面凸出至外部的封装体；(b)在从模塑树脂的一个主面侧朝向与该一个主面相对的另一个主面侧的第1方向上，通过第1冲头对悬吊引线的从模塑树脂凸出的部分进行击打，从模塑树脂将悬吊引线截断；以及(c)在从模塑树脂的另一个主面侧朝向一个主面侧的第2方向上，通过第2冲头对悬吊引线的凸出的部分进行击打，从引线框将悬吊引线截断。

Description

树脂封装型电力半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及树脂封装型电力半导体装置的制造方法。
背景技术
树脂封装型电力半导体装置具备：导体，其层叠在具有散热效果的绝缘基板之上；电力半导体元件，其与导体接合；导线，其将电力半导体元件和端子引线电导通。绝缘基板、导体、电力半导体元件以及导线由模塑树脂进行封装。端子引线从模塑树脂的侧面延伸至外部，其与导线连接的一端侧存在于树脂内，另一端侧存在于树脂外。
另外，树脂封装型也称为传递模塑型。
在制作这种树脂封装型电力半导体装置时，将电力半导体元件与引线框电连接，通过导线将电力半导体元件和端子引线进行连接。
引线框具有端子引线和悬吊引线，该悬吊引线不与半导体元件电连接。悬吊引线是为了在将导线与电力半导体元件、端子引线进行连接的导线键合工序中确保导线键合性而使用的，或者是为了在树脂封装工序中对电力半导体装置进行固定而使用的。在树脂封装工序之后，悬吊引线呈从模塑树脂的侧面凸出至外部的状态，即成为模塑树脂经由悬吊引线与引线框连接的状态。将悬吊引线的从模塑树脂凸出的部分通过冲头等而从模塑树脂以及引线框截断。
以往，公开了将悬吊引线从模塑树脂以及引线框进行截断的技术(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2013－239625号公报
发明内容
在专利文献1的对比例中，示出了以下情况，即，在通过悬吊引线将模塑树脂和引线框进行连接的状态下，利用冲头通过一次工序将悬吊引线从模塑树脂以及引线框进行截断(参照专利文献1的图7～9)。在这种情况下，产生的问题是，在引线框和悬吊引线之间的截断部分处产生切割毛刺。另一方面，在专利文献1中，为了解决对比例中的上述问题，需要在引线框设置狭缝。
本发明就是为了解决这样的问题而提出的，其目的在于提供能够容易地将悬吊引线从模塑树脂以及引线框进行截断的树脂封装型电力半导体装置的制造方法。
为了解决上述课题，本发明涉及的树脂封装型电力半导体装置的制造方法具备以下工序：工序(a)，将半导体元件和与该半导体元件电连接的引线框通过模塑树脂进行封装，准备引线框的端子引线以及悬吊引线从模塑树脂的侧面凸出至外部的封装体；工序(b)，在从模塑树脂的一个主面侧朝向与该一个主面相对的另一个主面侧的第1方向上，通过第1冲头对悬吊引线的从模塑树脂凸出的部分进行击打，从模塑树脂将悬吊引线截断；以及工序(c)，在从模塑树脂的另一个主面侧朝向一个主面侧的第2方向上，通过第2冲头对悬吊引线的凸出的部分进行击打，从引线框将悬吊引线截断。
发明的效果
根据本发明，树脂封装型电力半导体装置的制造方法具备以下工序：工序(a)，将半导体元件和与该半导体元件电连接的引线框通过模塑树脂进行封装，准备引线框的端子引线以及悬吊引线从模塑树脂的侧面凸出至外部的封装体；工序(b)，在从模塑树脂的一个主面侧朝向与该一个主面相对的另一个主面侧的第1方向上，通过第1冲头对悬吊引线的从模塑树脂凸出的部分进行击打，从模塑树脂将悬吊引线截断；以及工序(c)，在从模塑树脂的另一个主面侧朝向一个主面侧的第2方向上，通过第2冲头对悬吊引线的凸出的部分进行击打，从引线框将悬吊引线截断，因此，能够将悬吊引线从模塑树脂以及引线框容易地进行截断。
本发明的目的、特征、方案以及优点通过以下的详细说明和附图变得更清楚。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式涉及的树脂封装型电力半导体装置的一个例子的俯视图。
图2是表示本发明的实施方式涉及的树脂封装型电力半导体装置的制造工序的一个例子的俯视图。
图3是表示本发明的实施方式涉及的树脂封装型电力半导体装置的制造工序的一个例子的剖视图。
图4是表示本发明的实施方式涉及的树脂封装型电力半导体装置的制造工序的一个例子的俯视图。
图5是表示本发明的实施方式涉及的树脂封装型电力半导体装置的制造工序的一个例子的俯视图。
图6是表示本发明的实施方式涉及的树脂封装型电力半导体装置处的悬吊引线的状态的一个例子的剖视图。
图7是表示本发明的实施方式涉及的树脂封装型电力半导体装置处的悬吊引线的状态的一个例子的剖视图。
图8是表示本发明的实施方式涉及的树脂封装型电力半导体装置处的悬吊引线的状态的一个例子的剖视图。
图9是表示以往的树脂封装型电力半导体装置的一个例子的俯视图。
具体实施方式
下面，基于附图对本发明的实施方式进行说明。
<实施方式>
图1是表示本发明的实施方式涉及的树脂封装型电力半导体装置的一个例子的俯视图。
树脂封装型电力半导体装置具备：与铜材料的引线框电连接的作为PW芯片的半导体元件(未图示)以及作为IC芯片的半导体元件(未图示)；以及多个导线(未图示)，其将引线框的端子引线2和各半导体元件电连接，它们通过模塑树脂1进行封装。端子引线2从模塑树脂1的侧面凸出至外部。多个导线包含粗导线以及细导线。此外，引线框与后述的图2的引线框4对应。
图2～5是表示本实施方式涉及的树脂封装型电力半导体装置的制造工序的一个例子的图。此外，图2～5所示的工序是通过众所周知的连杆切割工序(T/C工序)或者引线切割工序(L/C工序)进行的。
如图2所示，将半导体元件和与该半导体元件电连接的引线框4通过模塑树脂1进行封装，准备引线框4的端子引线2以及悬吊引线3从模塑树脂1的侧面凸出至外部的封装体。
然后，如图3所示，在从模塑树脂1的一个主面即散热面5侧朝向与该散热面相对的另一个主面即上表面6侧的第1方向上，通过第1冲头即冲头7对悬吊引线3的从模塑树脂1凸出的部分进行击打，从模塑树脂1将悬吊引线3截断。此时，如图4所示，悬吊引线3成为虽然被从模塑树脂1截断，但是与引线框4连接的状态。此外，第1方向对应于图3所示的箭头的方向。
然后，在从模塑树脂1的上表面6侧朝向散热面5侧的第2方向，通过第2冲头(未图示)对与引线框4连接的悬吊引线3进行击打，从引线框4对悬吊引线3进行截断。图5示出了将悬吊引线3从引线框4截断之后的状态。
然后，将连结着各端子引线2的引线框4进行截断，调整端子引线2的长度而进行切断等，完成如图1所示这样的树脂封装型电力半导体装置。
图6、7是表示树脂封装型电力半导体装置处的悬吊引线3的状态的一个例子的剖视图。
如果如图3所示通过冲头7将悬吊引线3从模塑树脂1进行截断，则如图6所示，成为悬吊引线3被从模塑树脂1内拔出的状态，即悬吊引线3的前端存在于模塑树脂1内的状态。或者，如图7所示，在模塑树脂1的侧面附近，悬吊引线3的前端朝上且悬吊引线3的前端的散热面5侧成为塌角形状。这里，塌角形状如图7所示，是指悬吊引线3的前端沿一定的方向弯曲的形状。
由此，本实施方式涉及的树脂封装型电力半导体装置成为悬吊引线3不从模塑树脂1凸出的构造。这里，悬吊引线3不从模塑树脂1凸出的构造如图8所示，是指相比于由虚线表示的模塑树脂1的散热面侧的侧面的延长线，悬吊引线3的前端存在于模塑树脂1侧这样的构造。
如上所述，在制作树脂封装型电力半导体装置时，设置悬吊引线是为了，在利用细导线将半导体元件和端子引线2连接的导线键合工序中，消除引线框4的错位而确保导线键合性。
如图9所示，以往，悬吊引线11是在形成模塑树脂9之后通过连杆切割工序或者引线切割工序进行切断，但是，切断之后的悬吊引线11以从模塑树脂9凸出的状态残留下来。
原本，悬吊引线不与半导体元件电连接，绝缘性得到了保证。但是，近年来，由于半导体元件的高耐压化以及产品的小型化的进步，在树脂封装型电力半导体装置的散热面安装的冷却器和悬吊引线之间的沿面距离变短，由此，易于产生绝缘不良。另外，如果悬吊引线从模塑树脂凸出，则存在由于树脂封装型电力半导体装置的加工之后或者安装时等的操作而发生变形的可能性，存在悬吊引线通电或者树脂封装型电力半导体装置的绝缘性降低的担忧。
另一方面，在本实施方式中，在截断后的悬吊引线3的前端处于如图6所示这样的存在于模塑树脂1内的状态的情况下，能够抑制向锐利的悬吊引线3的前端的电场集中。另外，通过如图6、7所示使得悬吊引线3的前端不从模塑树脂1凸出，能够防止由于变形导致的通电。
另外，就截断后的悬吊引线3的前端而言，在如图7所示的在模塑树脂1的侧面附近悬吊引线3的前端朝上、且悬吊引线3的前端的散热面5侧成为塌角形状的情况下，能够使锐利的悬吊引线3的前端与散热面5远离，因此，能够确保针对散热面5的绝缘耐压。在这种情况下，例如如图8所示，通过使散热面5与悬吊引线3的散热面5侧的面之间的距离即空间距离8大于等于1.6mm，能够确保绝缘耐压大于等于2.0kVrms。
另外，如图3所示，在从散热面5朝向上表面6的方向上，通过冲头7对悬吊引线3进行击打，将悬吊引线3从模塑树脂1截断，因此，模塑树脂1的比悬吊引线3更靠散热面5侧的部分缺损的可能性降低。由此，降低由于缺损等问题等而使得沿面距离无法得到保持的可能性。
另外，在将悬吊引线3从模塑树脂1以及引线框4进行截断时，首先在从散热面5朝向上表面6的方向上，即在自下而上的方向上，通过冲头7对悬吊引线3进行击打，将悬吊引线3从模塑树脂1截断，然后，在从上表面6朝向散热面5的方向上，即在自上而下的方向上，通过冲头对悬吊引线3进行击打，将悬吊引线3从引线框4截断，由此，能够容易地将悬吊引线从模塑树脂以及引线框截断，并且能够将不需要的引线即悬吊引线3向下顺利地废弃。
此外，在本实施方式中，将图1示出的树脂封装型电力半导体装置作为一个例子进行了说明，但是，不限定于此。无论模塑树脂的形状或者引线框处的悬吊引线的配置如何，都能够应用。
此外，本发明能够在本发明的范围内对实施方式适当地进行变形、省略。
对于本发明进行了详细说明，但上述说明在所有方面均为例示，本发明不限定于此。可以理解为在不脱离该发明的范围的情况下能够想到未例示出的无数的变形例。
标号的说明
1模塑树脂，2端子引线，3悬吊引线，4引线框，5散热面，6上表面，7冲头，8空间距离，9模塑树脂，10端子引线，11悬吊引线。

Claims (3)

1.一种树脂封装型电力半导体装置的制造方法，其具备以下工序：
工序(a)，将半导体元件和与该半导体元件电连接的引线框通过模塑树脂进行封装，准备所述引线框的端子引线以及悬吊引线从所述模塑树脂的侧面凸出至外部的封装体；
工序(b)，在从所述模塑树脂的一个主面侧朝向与该一个主面相对的另一个主面侧的第1方向上，通过第1冲头对所述悬吊引线的从所述模塑树脂凸出的部分进行击打，从所述模塑树脂将所述悬吊引线截断；以及
工序(c)，在从所述模塑树脂的所述另一个主面侧朝向所述一个主面侧的第2方向上，通过第2冲头对所述悬吊引线的所述凸出的部分进行击打，从所述引线框将所述悬吊引线截断，
所述一个主面是所述模塑树脂的散热面，
在所述工序(b)之后，进行所述工序(c)。
2.根据权利要求1所述的树脂封装型电力半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述工序(b)中，以使得存在于所述模塑树脂内的所述悬吊引线的所述截断侧的前端不从所述模塑树脂凸出的方式进行所述截断。
3.根据权利要求1所述的树脂封装型电力半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述模塑树脂的所述一个主面与所述悬吊引线的所述一个主面侧的面之间的距离大于或等于1.6mm。
CN201680083961.0A 2016-03-29 2016-03-29 树脂封装型电力半导体装置的制造方法 Active CN108886034B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/059998 WO2017168537A1 (ja) 2016-03-29 2016-03-29 樹脂封止型電力半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108886034A CN108886034A (zh) 2018-11-23
CN108886034B true CN108886034B (zh) 2022-02-18

Family

ID=59963691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680083961.0A Active CN108886034B (zh) 2016-03-29 2016-03-29 树脂封装型电力半导体装置的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10930523B2 (zh)
JP (1) JP6479258B2 (zh)
CN (1) CN108886034B (zh)
DE (1) DE112016006677B4 (zh)
WO (1) WO2017168537A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7215271B2 (ja) * 2019-03-22 2023-01-31 三菱電機株式会社 電力半導体装置及びその製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100312A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 光半導体装置および測距モジュール
CN101661893A (zh) * 2008-08-29 2010-03-03 三洋电机株式会社 树脂密封型半导体装置及其制造方法、引线框
CN101661894A (zh) * 2008-08-28 2010-03-03 三洋电机株式会社 树脂密封型半导体装置及其制造方法、树脂密封型电子装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH065758A (ja) 1992-06-19 1994-01-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JPH08316400A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Rohm Co Ltd 半導体装置の形成方法
JP3226874B2 (ja) 1998-05-20 2001-11-05 大分日本電気株式会社 リード切断方法
JP2000208688A (ja) * 1999-01-19 2000-07-28 Mitsui High Tec Inc 半導体装置の製造方法
JP3660861B2 (ja) * 2000-08-18 2005-06-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP4669166B2 (ja) * 2000-08-31 2011-04-13 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置
JP2005159103A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4921016B2 (ja) * 2006-03-31 2012-04-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 リードカット装置および半導体装置の製造方法
US7629676B2 (en) * 2006-09-07 2009-12-08 Infineon Technologies Ag Semiconductor component having a semiconductor die and a leadframe
JP5319571B2 (ja) * 2010-02-12 2013-10-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5507344B2 (ja) * 2010-06-08 2014-05-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5549612B2 (ja) * 2011-01-31 2014-07-16 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
DE112012005920B4 (de) * 2012-02-22 2022-03-24 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
JP2013239625A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法及びリードフレーム
JP5755186B2 (ja) * 2012-06-25 2015-07-29 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP6028592B2 (ja) * 2013-01-25 2016-11-16 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6030970B2 (ja) 2013-02-12 2016-11-24 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP6357415B2 (ja) * 2014-12-26 2018-07-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN107210284A (zh) * 2015-07-02 2017-09-26 瑞萨电子株式会社 半导体器件的制造方法和半导体器件
DE102018106520B3 (de) * 2018-03-20 2019-02-28 Benteler Automobiltechnik Gmbh Verfahren zur Bearbeitung eines Blechprofils

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100312A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 光半導体装置および測距モジュール
CN101661894A (zh) * 2008-08-28 2010-03-03 三洋电机株式会社 树脂密封型半导体装置及其制造方法、树脂密封型电子装置
CN101661893A (zh) * 2008-08-29 2010-03-03 三洋电机株式会社 树脂密封型半导体装置及其制造方法、引线框

Also Published As

Publication number Publication date
CN108886034A (zh) 2018-11-23
US20190051539A1 (en) 2019-02-14
DE112016006677T5 (de) 2018-12-13
WO2017168537A1 (ja) 2017-10-05
JPWO2017168537A1 (ja) 2018-06-14
DE112016006677B4 (de) 2021-12-16
US10930523B2 (en) 2021-02-23
JP6479258B2 (ja) 2019-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7582958B2 (en) Semiconductor package
EP2677539B1 (en) Process for manufacture of a semiconductor device
US9041172B1 (en) Semiconductor device for restraining creep-age phenomenon and fabricating method thereof
EP2605276A2 (en) Packaged leadless semiconductor device
CN103824844A (zh) 功率半导体模块及其制造方法
CN104299948B (zh) 具有芯片贴装焊盘的腔体封装
JP4530863B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
US9620438B2 (en) Electronic device with heat dissipater
US9257376B2 (en) Semiconductor package and method of manufacturing the same
CN107636828A (zh) 集成的夹具和引线以及制作电路的方法
CN102412211A (zh) 电子器件
JP6668393B2 (ja) ヒートスラグとリベットのないダイ取付領域とを有する半導体パッケージ
US8901722B2 (en) Semiconductor device with integral heat sink
US9099451B2 (en) Power module package and method of manufacturing the same
CN108886034B (zh) 树脂封装型电力半导体装置的制造方法
CN111725075B (zh) 半导体装置的制造方法及半导体装置
US11362023B2 (en) Package lead design with grooves for improved dambar separation
US8927343B2 (en) Package process
US7821141B2 (en) Semiconductor device
CN114981940A (zh) 在坚固的封装衬底中具有分割裸片垫的经封装电子装置
JP5359135B2 (ja) 発光装置
US20170084547A1 (en) Semiconductor device, lead frame, and method of manufacturing lead frame
KR101983164B1 (ko) 전력 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR20150060041A (ko) 전력 모듈 패키지 및 그 제조 방법
CN116169102A (zh) 半导体装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant