CN108885509A - 导电性基板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种导电性基板，其具有：透明基材；金属层，配置在所述透明基材的至少一个表面上；及湿式镀黑化层，配置在所述金属层上，其中，所述金属层的与所述湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra(μm)为所述湿式镀黑化层的厚度(μm)的0.35倍以上。

Description

导电性基板

技术领域

本发明涉及导电性基板。

背景技术

静电容量式触屏(touch panel)藉由对接近面板表面的物体所引起的静电容量的变化进行检测，可将面板表面上的接近物体的位置信息变换为电信号。由于静电容量式触屏中所使用的导电性基板设置在显示器表面上，故要求导电性基板的导电层的材料的反射率较低且难以被视认。

因此，作为静电容量式触屏中所使用的导电性基板的导电层的材料，使用了反射率较低且难以被视认的材料，并在透明基板或透明薄膜上还形成了配线。

例如，专利文献1中公开了一种透明导电性薄膜，其包括高分子薄膜及在其上采用气相成膜法所设置的由金属氧化物组成的透明导电膜，其特征在于，由第一金属氧化物组成的透明导电膜及在其上所设置的由第二金属氧化物组成的透明导电膜构成了上述由金属氧化物组成的透明导电膜，并且在与由第一金属氧化物组成的透明导电膜的成膜条件不同的条件下形成了上述由第二金属氧化物组成的透明导电膜。此外，还公开了由金属氧化物组成的透明导电膜为氧化铟－氧化锡(ITO)膜。

另外，近年来，具备触屏的显示器正趋于大画面化和高性能化，与此相应地，研究了作为导电层的材料使用铜等金属以取代电阻较高的ITO的技术(例如，参照专利文献2、3)。然而，由于金属具有金属光泽，故存在反射会导致显示器的视认性下降的问题。为此，还研究了除了作为导电层的铜等金属层之外还具有由黑色材料构成的黑化层的导电性基板。

[现有技术文献]

[专利文献]

〔专利文献1〕日本国特开2003－151358号公报

〔专利文献2〕日本国特开2011－018194号公报

〔专利文献3〕日本国特开2013－069261号公报

发明内容

[发明要解决的课题]

此外，就具有金属层和黑化层的导电性基板而言，为了使其成为具有预期配线图案的导电性基板，通常采用一种在透明基材的至少一个表面上形成金属层和黑化层之后，再对金属层和黑化层进行蚀刻的方法。

然而，对金属层和黑化层进行蚀刻时，在导电性基板内存在例如一部分会比其他部分先溶解等进而导致难以均匀地进行蚀刻的情况。如此，若不能在导电性基板内均匀地进行蚀刻，则存在所形成的配线图案的线宽会产生偏差的情况，这是一种问题。

鉴于上述先前技术的问题，于本发明的一方面，以提供一种蚀刻均匀性较优的导电性基板为目的。

[用于解决课题的手段]

为了解决上述课题，于本发明的一方面，提供一种导电性基板，其具有：

透明基材；

金属层，配置在所述透明基材的至少一个表面上；及

湿式镀黑化层，配置在所述金属层上，

其中，所述金属层的与所述湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra(μm)为所述湿式镀黑化层的厚度(μm)的0.35倍以上。

[发明效果]

根据本发明的一方面，可提供一种蚀刻均匀性较优的导电性基板。

附图说明

〔图1A〕本发明实施方式的导电性基板的剖面图。

〔图1B〕本发明实施方式的导电性基板的剖面图。

〔图2A〕本发明实施方式的导电性基板的剖面图。

〔图2B〕本发明实施方式的导电性基板的剖面图。

〔图3〕本发明实施方式的具有网状配线的导电性基板的俯视图。

〔图4A〕沿图3的A－A’线的剖面图。

〔图4B〕沿图3的A－A’线的剖面图。

具体实施方式

以下对本发明的导电性基板及导电性基板的制造方法的实施方式进行说明。

(导电性基板)

本实施方式的导电性基板可具有：透明基材；配置在透明基材的至少一个表面上的金属层；及配置在金属层上的湿式镀黑化层。此外，金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra(μm)可为湿式镀黑化层的厚度(μm)的0.35倍以上。

需要说明的是，本实施方式的导电性基板是指，包括对金属层等进行图案化之前的在透明基材的表面上具有金属层和黑化层的基板、及对金属层等进行图案化以形成了配线形状的基板、即、配线基板。就对金属层和黑化层进行了图案化之后的导电性基板而言，由于透明基材包括未被金属层等覆盖的区域，故可使光透过，是一种透明导电性基板。

这里，首先在下面对本实施方式的导电性基板中所包含的各部件进行说明。

作为透明基材，对其并无特别限定，可较佳使用能使可视光透过的绝缘体薄膜或玻璃基板等。

作为能使可视光透过的绝缘体薄膜，例如，较佳可使用从聚酰胺系薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯系薄膜(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)系薄膜、环烯系薄膜、聚酰亚胺(PI)系薄膜、聚碳酸酯(PC)系薄膜等中所选择的1种以上。特别地，作为能使可视光透过的绝缘体薄膜的材料，优选可使用从PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、COP(环烯聚合物)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯等中所选择的1种以上。

对透明基材的厚度并无特别限定，可根据作为导电性基板使用时所要求的强度、静电容量或光透过率等进行任意选择。作为透明基材的厚度，例如可为10μm以上且200μm以下。尤其是在用于触屏的用途的情况下，透明基材的厚度较佳为20μm以上且120μm以下，优选为20μm以上且100μm以下。在用于触屏的用途的情况下，例如，尤其是在要求显示器的整体厚度较薄的用途中，透明基材的厚度较佳为20μm以上且50μm以下。

透明基材的全光线透过率较高为佳，例如，全光线透过率较佳为30％以上，优选为60％以上。藉由使透明基材的全光线透过率位于上述范围内，例如在用于触屏的用途的情况下，可充分确保显示器的视认性。

需要说明的是，可藉由JISK 7361－1中所规定的方法对透明基材的全光线透过率进行评价。

接着，对金属层进行说明。

对构成金属层的材料并无特别限定，可选择具有符合其用途的导电率的材料，然而，从电气特性较优且容易进行蚀刻处理的观点来看，作为构成金属层的材料，较佳使用铜。即，金属层较佳含有铜。

在金属层包括铜的情况下，构成金属层的材料较佳为例如Cu与从Ni、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Mn、Co及W中所选择的至少1种以上的金属的铜合金、或包括铜和从上述金属中所选择的1种以上的金属的材料。此外，金属层也可为由铜构成的铜层。

对形成金属层的方法并无特别限定，然而，为了不降低光的透过率，较佳为以在其他部件和金属层之间不配置接着剂(bonding agent)的方式来形成金属层。即，金属层较佳为直接形成在其他部件的上表面。需要说明的是，金属层可形成在透明基材或密着层的上表面。为此，金属层较佳为直接形成在透明基材或密着层的上表面。

为了在其他部件的上表面直接形成金属层，金属层较佳具有采用干式镀法而成膜的金属薄膜层。作为干式镀法，对其并无特别限定，例如，可采用蒸镀法、溅射法、离子镀法等。尤其从可容易地进行膜厚控制的观点来看，较佳使用溅射法。

此外，在使金属层较厚的情况下，还可使用干式镀法和湿式镀法。具体而言，例如，可在透明基材上采用干式镀法形成金属薄膜层，之后将该金属薄膜层作为供电层来使用，并采用作为湿式镀法的一种的电解镀来形成金属镀层。

需要说明的是，在如上所述仅采用干式镀法对金属层进行成膜的情况下，金属层可由金属薄膜层构成。此外，在组合使用干式镀法和湿式镀法来形成金属层的情况下，金属层可由金属薄膜层和金属镀层构成。即，金属层还可具有金属镀层。

如上所述，可仅采用干式镀法、或组合使用干式镀法和湿式镀法来形成金属层，据此可不介由接着剂而直接在透明基材或密着层上形成金属层。

就本实施方式的导电性基板而言，金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra较佳为湿式镀黑化层的厚度的0.35倍以上。此外，作为使金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra为预期值的方法，如后所述，例如可列举出对所形成的金属层进行表面处理的方法、对金属薄膜层的溅射条件进行选择的方法、对金属镀层成膜时的条件进行选择的方法等。需要说明的是，作为对金属镀层成膜时的条件进行选择的方法，例如可列举出使用了在对金属镀层进行成膜的中途使供给至电极的电流的方向周期反转的PR电流(Periodic Reverse电流)的电镀法、使用了使电流密度降低的低电流密度的电镀法等。

此外，根据对金属镀层成膜时的条件进行选择的方法可知，不会增加制造导电性基板时的步骤数，尤其是可容易地使金属镀层表面的表面粗糙度Ra变为预期值。故，较佳为，采用对金属镀层成膜时的条件进行选择的方法使金属层表面的表面粗糙度Ra位于预定范围内。为此，本实施方式的导电性基板的金属层较佳具有金属镀层(湿式镀金属层)。

对金属层的厚度并无特别限定，在将金属层使用为配线的情况下，可根据供给至该配线的电流的大小或配线的宽度等进行任意选择。

然而，如果金属层较厚，则为了形成配线图案而进行蚀刻时所需的时间较长，由此容易发生侧蚀(side etching)，存在发生难以形成细线等问题的情况。为此，金属层的厚度较佳为5μm以下，优选为3μm以下。

此外，为了使金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度位于预定范围内，另外，从减小导电性基板的电阻值以可充分进行电流供给的观点来看，例如，金属层的厚度较佳为50nm以上，优选为60nm以上，最佳为150nm以上。

需要说明的是，在金属层如上所述具有金属薄膜层和金属镀层的情况下，金属薄膜层的厚度和金属镀层的厚度的合计优选位于上述范围内。

在金属层由金属薄膜层构成的情况、或由金属薄膜层和金属镀层构成的情况的任一情况下，都对金属薄膜层的厚度并无特别限定，例如，较佳为50nm以上且500nm以下。

此外，在本实施方式的导电性基板中，金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra(μm)可为湿式镀黑化层的厚度(μm)的0.35倍以上。

本发明的发明人对在将透明基材上配置了金属层和湿式镀黑化层的导电性基板蚀刻为预期配线图案时导电性基板内无法进行均匀蚀刻的原因进行了锐意研究。

其结果为，确认到了，在不能进行均匀蚀刻的导电性基板内，在导电性基板中的一部份处，蚀刻液进入了金属层和湿式镀黑化层之间。

一般而言，湿式镀黑化层与金属层相比其相对于蚀刻液的反应性较低，故，在对金属层和湿式镀黑化层进行蚀刻所需的时间中，湿式镀黑化层的蚀刻所需的时间占的比例较大。此外，如果如上所述蚀刻液进入了金属层和湿式镀黑化层之间，则进入了的蚀刻液也会从金属层侧对湿式镀黑化层进行蚀刻，故，该部分与该蚀刻液没有进入的部分相比，会被较快地进行蚀刻。为此，出现了导电性基板内无法进行均匀蚀刻的情况。特别地，湿式镀黑化层的厚度越厚，金属层和湿式镀黑化层之间进入了蚀刻液的部分和该部分以外的部分的蚀刻所需的时间差越大，越容易出现蚀刻不均。

因此，就本实施方式的导电性基板而言，其为一种金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra(μm)是湿式镀黑化层的厚度(μm)的0.35倍以上的导电性基板，由此可藉由湿式镀黑化层的厚度提高金属层和湿式镀黑化层之间的密着性，并且蚀刻均匀性也较优。

需要说明的是，金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra如上所述尽管可被选择为满足与湿式镀黑化层厚度之间的比值，然而，较佳为0.024μm以上，优选为0.030μm以上。其原因在于，藉由使金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra为0.024μm以上，尤其可抑制金属层和湿式镀黑化层之间的蚀刻液的进入。

对金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra的上限值并无特别限定，然而，较佳为0.080μm以下，优选为0.060μm以下。其原因在于，如果金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra超过0.080μm，则存在不能均匀地对湿式镀黑化层进行被覆的情况，可能会对湿式镀黑化层的颜色产生影响。

需要说明的是，表面粗糙度Ra在JISB 0601(2013)中被规定为算术平均粗糙度。作为表面粗糙度Ra的测定方法，可采用触针法或光学法等进行评价。

接着，对湿式镀黑化层进行说明。

由于金属层具有金属光泽，故，如果在透明基材上仅形成藉由对金属层进行蚀刻而获得的配线，则金属层会对光进行反射，在例如作为触屏用配线基板而使用的情况下，存在显示器的视认性下降的问题。因此，为了对金属层表面的光反射进行抑制，在本实施方式的导电性基板的金属层上可设置湿式镀黑化层。

湿式镀黑化层较佳为包括例如从Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中所选择的至少1种以上的金属。此外，湿式镀黑化层还可包括从碳、氧、氢及氮中所选择的1种以上的元素。

需要说明的是，湿式镀黑化层也可包括含有从Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中所选择的至少2种以上的金属的金属合金。在此情况下，湿式镀黑化层也还可包括从碳、氧、氢及氮中所选择的1种以上的元素。此时，作为含有从Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中所选择的至少2种以上的金属的金属合金，较佳可使用Ni－Cu合金、Ni－Zn合金、Ni－Zn－Cu合金、Cu－Ti－Fe合金、Cu－Ni－Fe合金、Ni－Ti合金、Ni－W合金、Ni－Cr合金、Ni－Cu－Cr合金。

湿式镀黑化层可藉由湿式镀法进行成膜。

在采用湿式镀法对湿式镀黑化层进行成膜的情况下，可根据湿式镀黑化层的材料选择使用镀液，并可藉由例如电解镀法进行成膜。

对湿式镀黑化层的厚度并无特别限定，然而，例如较佳为40nm以上，优选为50nm以上。其原因在于，在湿式镀黑化层的厚度较薄的情况下，存在不能充分抑制金属层表面的光反射的情况，故，如上所述使湿式镀黑化层的厚度为40nm以上，据此尤其可抑制金属层表面的光反射，为较佳。

对湿式镀黑化层的厚度的上限值并无特别限定，然而，如果过厚，则成膜所需的时间或形成配线时的蚀刻所需的时间变长，会导致成本上升。为此，湿式镀黑化层的厚度较佳为80nm以下，优选为70nm以下。

在本实施方式的导电性基板中，藉由配置湿式镀黑化层，可如上所述抑制金属层表面的光反射。为此，在例如使用于触屏等的用途的情况下，可抑制显示器的视认性的下降。

此外，在导电性基板上还可设置除了上述的透明基材、铜层及湿式镀黑化层之外的任意的层。例如，可设置密着层。

对密着层的构成例进行说明。

如上所述金属层可形成在透明基材上，然而，在透明基材上直接形成金属层的情况下，存在透明基材和金属层之间的密着性不充分的情况。为此，在透明基材的上表面直接形成金属层的情况下，存在制造时或使用时金属层会从透明基材剥离的情况。

因此，在本实施方式的导电性基板中，为了提高透明基材和金属层之间的密着性，可在透明基材上配置密着层。

藉由在透明基材和金属层之间配置密着层，可提高透明基材和金属层之间的密着性，并可抑制金属层从透明基材剥离。

此外，还可使密着层发挥作为黑化层的功能。为此，也可对来自金属层的下表面侧、即透明基材侧的光所引起的金属层表面的光反射进行抑制。

对构成密着层的材料并无特别限定，可根据与透明基材和金属层之间的密着力或所要求的金属层表面的光反射的抑制程度、及相对于导电性基板的使用环境(例如，湿度或温度)的稳定性程度等进行任意选择。

密着层较佳包括例如从Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中所选择的至少1种以上的金属。此外，密着层也还可包括从碳、氧、氢及氮中所选择的1种以上的元素。

需要说明的是，密着层还可包括含有从Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中所选择的至少2种以上的金属的金属合金。在此情况下，密着层也还可包括从碳、氧、氢及氮中所选择的1种以上的元素。此时，作为含有从Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中所选择的至少2种以上的金属的金属合金，较佳可使用Ni－Cu合金、Ni－Zn合金、Ni－Zn－Cu合金、Cu－Ti－Fe合金、Cu－Ni－Fe合金、Ni－Ti合金、Ni－W合金、Ni－Cr合金、Ni－Cu－Cr合金等。

对密着层的成膜方法并无特别限定，然而，较佳采用干式镀法进行成膜。作为干式镀法，例如可较佳使用溅射法、离子镀法、蒸镀法等。在采用干式镀法对密着层进行成膜的情况下，从可容易对膜厚进行控制的角度来看，较佳使用溅射法。需要说明的是，在密着层中也可如上所述添加从碳、氧、氢及氮中所选择的1种以上的元素，在此情况下，优选使用反应性溅射法。

在采用溅射法对密着层进行成膜的情况下，作为靶材，可使用含有构成密着层的金属的靶材。在密着层包括合金的情况下，可按照密着层中所包括的每种金属来使用靶材，由此在基材等被成膜体的表面上形成合金，此外，也可使用预先对密着层中所包括的金属进行了合金化的靶材。

此外，就含有从碳、氧、氢、氮中所选择的1种以上的元素的密着层而言，可藉由在对密着层进行成膜时的环境气体中事先添加含有所要添加的元素的气体而进行成膜。例如，在要向密着层添加碳的情况下，可事先向进行干式镀时的环境气体中添加一氧化碳气体和/或二氧化碳气体，在要向密着层添加氧的情况下，可事先向进行干式镀时的环境气体中添加氧气，在要向密着层添加氢的情况下，可事先向进行干式镀时的环境气体中添加氢气和/或水，在要向密着层添加氮的情况下，可事先向进行干式镀时的环境气体中添加氮气。

就含有从碳、氧、氢、氮中所选择的1种以上的元素的气体而言，优选将其添加至非活性气体(惰性气体)，以作为干式镀时的环境气体。作为非活性气体，对其并无特别限定，例如可优选使用氩气。

藉有对密着层如上所述采用干式镀法进行成膜，可提高透明基材和密着层之间的密着性。此外，就密着层而言，例如可包括金属作为其主成分，故也可提高其与金属层之间的密着性。为此，藉由在透明基材和金属层之间配置密着层，可对金属层的剥离进行抑制。

对密着层的厚度并无特别限定，例如较佳为3nm以上且50nm以下，优选为3nm以上且35nm以下，最佳为5nm以上且33nm以下。

在使密着层也发挥作为黑化层的功能的情况下，即，在也使其对金属层的光反射进行抑制的情况下，密着层的厚度如上所述较佳为3nm以上，优选为5nm以上。

对密着层的厚度的上限值并无特别限定，然而，如果过厚，则成膜所要的时间或形成配线时的蚀刻所要的时间变长，会导致成本上升。为此，密着层的厚度如上所述较佳为50nm以下，优选为35nm以下，最佳为33nm以下。

接着，对本实施方式的导电性基板的构成例进行说明。

如上所述，本实施方式的导电性基板可具备透明基材、金属层及湿式镀黑化层。

下面参照图1A、图1B、图2A、图2B对具体构成例进行说明。图1A、图1B、图2A、图2B示出了本实施方式的导电性基板的与透明基材、金属层及湿式镀黑化层的积层(层叠)方向平行的面的剖面图的例子。

例如，如图1A所示的导电性基板10A，可在透明基材11的一个表面11a侧依次对金属层12和湿式镀黑化层13进行各为1层的积层。

在图1A所示的导电性基板10A中，可将金属层12的与透明基材11相对的表面作为第1金属层表面12a，并可将位于第1金属层表面12a相反侧的表面、即金属层12的与在金属层12上配置的湿式镀黑化层13相对的表面作为第2金属层表面12b。

此外，就第2金属层表面12b而言，如上所述，其表面粗糙度Ra可被形成为与湿式镀黑化层13的厚度具有预定的比例。

此外，如图1B所示的导电性基板10B，还可在透明基材11的一个表面11a侧和另一个面(另一个表面)11b侧分别依次对金属层121、122和湿式镀黑化层131、132进行各为1层的积层。

在此情况下，就金属层121、122而言，也可将与透明基材11相对的表面作为第1金属层表面121a、122a，并可将位于与第1金属层表面121a，122a相反侧的表面作为第2金属层表面121b、122b。此外，就第2金属层表面121b、122b而言，如上所述，其表面粗糙度Ra分别可被形成为与湿式镀黑化层131、132的厚度具有预定的比例。

此外，如上所述，在透明基材11和金属层12之间还可具有密着层。

例如，如图2A所示的导电性基板20A，可在透明基材11的一个表面11a侧依次对密着层14、金属层12及湿式镀黑化层13进行积层。在此情况下，也可将金属层12的与透明基材11相对的表面作为第1金属层表面12a，并可将位于与第1金属层表面12a相反侧的表面作为第2金属层表面12b。此外，就第2金属层表面12b而言，如上所述，其表面粗糙度Ra可被形成为与湿式镀黑化层13的厚度具有预定的比例。

此外，如图2B所示的导电性基板20B，还可在透明基材11的一个表面11a侧和另一个表面(另一表面)11b侧分别对密着层141、14、金属层121、122、及湿式镀黑化层131、132进行各为一层的积层。

在此情况下，就金属层121、122而言，也可将与透明基材11相对的表面作为第1金属层表面121a、122a，并可将位于第1金属层表面121a、122a相反侧的表面作为第2金属层表面121b、122b。此外，就第2金属层表面121b、122b而言，如上所述，其表面粗糙度Ra分别可被形成为与配置在金属层上的湿式镀黑化层131、132的厚度具有预定的比例。

需要说明的是，在图1B和图2B中，尽管示出了在透明基材的两个表面上进行了金属层和湿式镀黑化层的积层的情况下，以透明基材11为对称面，在透明基材11的上下进行了层叠的层为对称配置的例子，然而，并不限定于该形态。例如，在图2B中，还可使透明基材11的一个表面11a侧的构成与图1A的构成同样地为依次对金属层12和湿式镀黑化层13进行了积层的形态，由此可使在透明基材11的上下进行了积层的层为非对称构成。

本实施方式的导电性基板较佳可作为触屏用导电性基板而使用。在此情况下，导电性基板可为具有网状配线的构成。

可藉由对至此所说明的本实施方式的导电性基板的金属层和湿式镀黑化层进行蚀刻来获得具有网状配线的导电性基板。

例如，可采用两层配线形成网状配线。具体构成例示于图3。图3示出了对具有网状配线的导电性基板30从金属层等的积层方向的上表面侧进行观察的图，为了容易理解配线图案，藉由对透明基材11和金属层进行图案化而形成的配线311、312之外的层的图示被进行了省略。另外还示出了透过透明基材11可看到的配线312。

图3所示的导电性基板30具有透明基材11、与图中Y轴方向平行的多个配线311、及与X轴方向平行的配线312。需要说明的是，配线311、312藉由对金属层进行蚀刻而形成，在该配线311、312的上表面或下表面上还形成了图中未示的湿式镀黑化层。此外，就湿式镀黑化层而言，其较佳被蚀刻为，与透明基材11的配置了金属层等的表面(以下记为「主表面」)平行的面的剖面形状和配线311、312的与透明基材11的主表面平行的面的剖面形状为相同形状。

对透明基材11和配线311、312的配置并无特别限定。透明基材11和配线的配置的构成例示于图4A和图4B。图4A和图4B为沿图3的A－A’线的剖面图。

首先，如图4A所示，可在透明基材11的上下表面上分别配置配线311、312。需要说明的是，在图4A中，在配线311的上表面和312的下表面上配置了湿式镀黑化层321、322，其被蚀刻为，与透明基材11的主表面平行的面的剖面形状和配线311、312具有相同的形状。

此外，如图4B所示，也可使用1组透明基材111、112，以夹着其中一个透明基材111的方式在上下表面上配置配线311、312，并且，将一个配线312配置在透明基材111、112之间。在此情况下，在配线311、312的上表面也配置了湿式镀黑化层321、322，其被蚀刻为，与透明基材111的主表面平行的面的剖面形状和配线311、312具有相同的形状。

需要说明的是，如上所述，本实施方式的导电性基板除了金属层和湿式镀黑化层之外还可具有密着层。为此，在图4A和图4B的任一情况下，例如可在配线311和/或配线312与透明基材11(111、112)之间设置密着层。在设置密着层的情况下，密着层也较佳被蚀刻为，与透明基材11(111、112)的主表面平行的面的剖面形状和配线311、312具有相同的形状。

就具有图3和图4A所示的网状配线的导电性基板而言，例如，可基于如图1B所示的在透明基材11的两个表面具有金属层121、122和湿式镀黑化层131、132的导电性基板而形成。

以使用图1B的导电性基板来形成的情况为例进行说明，首先，对透明基材11的一个表面11a侧的金属层121和湿式镀黑化层131进行蚀刻，以使与图1B中Y轴方向平行的多个线状图案沿X轴方向被配置为隔开预定间隔。需要说明的是，图1B中的X轴方向是指与各层的宽度方向平行的方向。此外，图1B中的Y轴方向是指与图1B中的纸面垂直的方向。

之后，对透明基材11的另一个表面11b侧的金属层122和湿式镀黑化层132进行蚀刻，以使与图1B中X轴方向平行的多个线状图案沿Y轴方向被配置为隔开预定间隔。

藉由以上操作，可形成图3和图4A所示的具有网状配线的导电性基板。需要说明的是，也可同时对透明基材11的两个表面进行蚀刻。即，可同时进行金属层121、122和湿式镀黑化层131、132的蚀刻。此外，就图4A中的在配线311、312和透明基材11之间还具有被图案化为形状与配线311、312相同的密着层的导电性基板而言，也可使用图2B所示的导电性基板20B来代替图1B所示的导电性基板10B，并且进行同样的蚀刻，由此进行制作。

就图3所示的具有网状配线的导电性基板而言，还可使用2个图1A或图2A所示的导电性基板进行形成。以使用2个图1A的导电性基板来形成的情况为例进行说明，针对图1A所示的2个导电性基板，分别对金属层12和湿式镀黑化层13进行蚀刻，以使与X轴方向平行的多个线状图案沿Y轴方向被配置为隔开预定间隔。然后，调整2个导电性基板的方向并使其贴合，以使藉由上述蚀刻处理在各导电性基板上所形成的线状图案相互交叉，由此可获得具有网状配线的导电性基板。对2个导电性基板贴合时的贴合面并无特别限定。例如，也可使进行了金属层12等的积层的图1A中的表面A和透明基材11的没有进行金属层12等的积层的图1A中的另一个表面11b相互贴合，由此获得图4B所示的结构。

另外，例如，还可使透明基材11的没有进行金属层12等的积层的图1A中的另一个表面11b相互贴合，由此获得剖面为图4A所示的结构。

需要说明的是，就图4A和图4B中的在配线311、312和透明基材11(111、112)之间还具有形状被图案化为与配线311、312相同的密着层的导电性基板而言，也可使用图2A所示的导电性基板20A代替图1A所示的导电性基板10A，据此进行制作。

对图3、图4A、图4B所示的具有网状配线的导电性基板的配线宽度或配线间距并无特别限定，例如，可根据配线中所流动的电流量等进行选择。

此外，在图3、图4A、图4B中，尽管示出了对直线形状的配线进行组合以形成网状配线(配线图案)的例子，然而，并不限定于该形态，即，构成配线图案的配线还可为任意形状。例如，为了不与显示器的画像之间产生干涉纹(moire)，构成网状配线图案的配线形状可分别为弯曲成锯齿状的线(“之”字直线)等的各种形状。

根据以上所说明的本实施方式的导电性基板，不仅可通过湿式镀黑化层的厚度提高金属层和湿式镀黑化层之间的密着性，而且还可获得蚀刻均匀性较优的导电性基板。

(导电性基板的制造方法)

接着，对本实施方式的导电性基板的制造方法的构成例进行说明。

本实施方式的导电性基板的制造方法可具有下面的步骤。

在透明基材的至少一个表面上形成金属层的金属层形成步骤。

在金属层上采用湿式镀法形成湿式镀黑化层的湿式镀黑化层形成步骤。

此外，在金属层形成步骤中，以金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra(μm)为湿式镀黑化层的厚度(μm)的0.35倍以上的方式形成金属层。需要说明的是，在湿式镀黑化层形成步骤中，还可调整湿式镀黑化层的厚度，以使金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra(μm)为湿式镀黑化层的厚度(μm)的0.35倍以上。

下面对本实施方式的导电性基板的制造方法进行说明，需要说明的是，就以下所说明的部分之外的部分而言，由于可被构成为与上述导电性基板时同样的结构，故对其说明进行了省略。

首先，对金属层形成步骤进行说明。

需要说明的是，可预先准备供金属层形成步骤所使用的透明基材(透明基材准备步骤)。作为透明基材，如上所述例如可使用能使可视光透过的绝缘体薄膜或玻璃基板等，此外，根据需要还可预先将其切断为任意尺寸等。需要说明的是，关于可较佳使用的能使可视光透过的绝缘体薄膜，由于已经在上面进行了叙述，故省略其说明。

此外，金属层如上所述较佳具有金属薄膜层。金属层还可具有金属薄膜层和金属镀层。为此，金属层形成步骤可具有例如采用干式镀法形成金属薄膜层的金属薄膜层形成步骤。此外，金属层形成步骤还可具有采用干式镀法形成金属薄膜层的金属薄膜层形成步骤、及以该金属薄膜层为供电层并采用作为湿式镀法的一种的电解镀法形成金属镀层的金属镀层形成步骤。

如上所述，可仅采用干式镀法或组合使用干式镀法和湿式镀法来形成金属层，由此可在透明基材或密着层上不介由接着剂而直接形成金属层，故为较佳。

作为在金属薄膜层形成步骤中所使用的干式镀法，对其并无特别限定，例如，可使用蒸镀法、溅射法、或离子镀法等。需要说明的是，作为蒸镀法，较佳可使用真空蒸镀法。作为在金属薄膜层形成步骤中所使用的干式镀法，尤其从可容易进行膜厚控制的观点来看，溅射法为较佳。

此外，对在接着金属镀层形成步骤中采用湿式镀法形成金属镀层时的条件、即、电解镀处理的条件并无特别限定，采用常规方法中的诸条件即可。例如，可将形成了金属薄膜层的基材放入具有金属镀液的镀槽内，并对电流密度或基材搬送速度进行控制，据此可形成金属镀层。

然而，在本实施方式的导电性基板的制造方法中，就金属层形成步骤中所形成的金属层而言，其可具有与透明基材相对的第1金属层表面及位于第1金属层表面的相反侧并与湿式镀黑化层相对的第2金属层表面。此外，第2金属层表面的表面粗糙度Ra较佳为湿式镀黑化层的厚度的0.35倍以上。

对使第2金属层表面具有预期表面粗糙度Ra的方法并无特别限定，可采用任意的方法。

作为使第2金属层表面具有预期表面粗糙度的方法，例如，可列举出藉由对成膜了的金属层的表面进行蚀刻、化学研磨、或喷砂等，以进行表面处理，据此获得预期表面粗糙度的方法(以下也记为「对形成了金属层进行表面处理的方法」)。在此情况下，本实施方式的导电性基板的制造方法在金属层形成步骤之后还可具有对金属层进行表面处理的表面处理步骤。

此外，还可列举出对金属薄膜层成膜时的溅射条件进行选择，据此使金属薄膜层的最表面的表面粗糙度为预期表面粗糙度的方法(以下也记为「对金属薄膜层的溅射条件进行选择的方法」)。需要说明的是，在金属层仅由金属薄膜层构成的情况下，可对溅射条件进行选择，以使金属薄膜层的最表面具有金属层的预期表面粗糙度。此外，在金属层具有金属薄膜层和金属镀层的情况下，当在金属薄膜层上进行金属镀层的成膜时，可对金属薄膜层成膜时的溅射条件进行选择，以使金属镀层的表面的表面粗糙度具有金属层的预期表面粗糙度。

作为其他方法，在金属层包括金属薄膜层和金属镀层的情况下，可藉由对金属镀层成膜时的被覆(plating)条件进行选择，以使第2金属层表面具有预期表面粗糙度。

具体而言，例如，可列举出在对金属镀层进行成膜的金属镀层形成步骤中，在后半的任意时机实施PR电流(Periodic Reverse电流)镀，由此使金属层的表面粗糙度成为预期表面粗糙度的方法(以下也记为「使用了PR电流的镀法」)。PR电流镀是在金属镀层成膜时使电流方向在任意时机反转的镀法，可使电流方向周期反转。在PR电流镀中，藉由使电流方向反转，成膜了的金属镀的一部分会发生溶解。据此可容易地对金属镀层的表面粗糙度进行调整。

在此情况下，金属镀层形成步骤可具有：沿一定方向供给电流以进行初期金属镀层成膜的定方向电流金属镀层形成步骤；及在定方向电流金属镀层形成步骤之后，实施使电流方向周期反转的PR电流镀的PR电流金属镀层形成步骤。即，金属层形成步骤可具有：金属薄膜层形成步骤；定方向电流金属镀层形成步骤；及PR电流金属镀层形成步骤。

需要说明的是，可连续实施定方向电流金属镀层形成步骤和PR电流金属镀层形成步骤。

此外，定方向电流金属镀层形成步骤和PR电流金属镀层形成步骤较佳为在单一镀槽中进行实施。其原因在于，藉由在单一镀槽中进行实施，可增大金属层内的结晶，并可降低金属层的电阻。

此外，作为其他方法，例如还可列举出在对金属镀层进行成膜的金属镀层形成步骤中，在后半的任意时机，与一般被覆时相比可降低电流密度(Dk值)，并可在低电流密度条件下对金属镀层进行成膜的方法(以下也记为「使用了低电流密度的镀法」)。藉由在低电流密度条件下对金属镀层进行成膜，由于与使电流密度降低之前相比，可使成膜了的金属镀层的表面粗化，故，藉由调整电流密度，可获得预期的表面粗糙度。

在此情况下，金属镀层形成步骤例如可具有在0.5A/dm²以上的电流密度的条件下对初期金属镀层进行成膜的初期金属镀层形成步骤、及在初期金属镀层形成步骤后在0.1A/dm²以上且0.5A/dm²以下的电流密度的条件下对粗化金属镀层进行成膜的粗化金属镀层形成步骤。需要说明的是，在粗化金属镀层形成步骤中，电流密度较佳为0.1A/dm²以上且小于0.5A/dm²。此外，还可藉由初期金属镀层和粗化金属镀层构成金属镀层。

在此情况下，金属层形成步骤可具有金属薄膜层形成步骤、初期金属镀层形成步骤、及粗化金属镀层形成步骤。

此外，就初期金属镀层形成步骤和粗化金属镀层形成步骤而言，在实施各步骤期间，电流密度并不需要保持一定，也可进行变化。

例如，在初期金属镀层形成步骤的情况下，步骤开始后，可使电流密度至到达目标电流密度为止逐渐上升。就初期金属镀层形成步骤中的最大电流密度而言，较佳被设定为大于后述的粗化金属镀层形成步骤的电流密度。此外，就初期金属镀层形成步骤中的电流密度的上限值而言，可根据所要求的金属镀层的厚度、电镀处理槽的长度、镀浴的耐电流密度性能等进行确定，尽管对其并无特别限定，然而，例如较佳为4A/dm²以下。

此外，对粗化金属镀层形成步骤中的电流密度的控制也无特别限定，然而，例如可使所设定的粗化金属镀层形成步骤中的电流密度保持一定，由此进行金属镀层的成膜。

需要说明的是，也可连续实施初期金属镀层形成步骤和粗化金属镀层形成步骤。在此情况下，例如在初期金属镀层形成步骤中，首先从开始时的开始时电流密度开始使电流密度上升至作为目标的最大电流密度，由此进行初期金属镀层的成膜。接着，可在到达所设定的目标的最大电流密度之后立即、或保持预定时间之后，例如使电流密度下降至粗化金属镀层形成步骤中的设定电流密度，由此实施该粗化金属镀层形成步骤。

此外，初期金属镀层形成步骤和粗化金属镀层形成步骤较佳在单一镀槽内进行实施。其原因在于，藉由在单一镀槽内进行实施，可增大金属层内的结晶，并可降低金属层的电阻。

以上，作为使第2金属层表面具有预期表面粗糙度的方法，尽管列举了对所形成的金属层进行表面处理方法、对金属薄膜层的溅射条件进行选择的方法、使用了PR电流的镀法、及使用了低电流密度的镀法，然而，也可从这些方法中选择任意一个方法进行实施。或者，还可选择2个以上的方法并进行组合，据此来使第2金属层表面具有预期表面粗糙度。

接着，对湿式镀黑化层形成步骤进行说明。

在湿式镀黑化层形成步骤中，可采用湿式镀法对湿式镀黑化层进行成膜。

对采用湿式镀法对湿式镀黑化层进行成膜时的具体条件并无特别限定，可采用与湿式镀黑化层的材料相应的镀液并藉由例如电解镀法来进行成膜。

在本实施方式的导电性基板的制造方法中，除了上述步骤之外，还可实施任意的步骤。

例如，在透明基材和金属层之间形成密着层的情况下，可在透明基材的形成金属层的表面上实施形成密着层的密着层形成步骤。在实施密着层形成步骤的情况下，金属层形成步骤可在密着层形成步骤之后实施，在金属层形成步骤中，可在本步骤中于透明基材上形成了密着层的基材上形成金属层。

对密着层形成步骤中的密着层的成膜方法并无特别限定，较佳采用干式镀法进行成膜。作为干式镀法，例如较佳可采用溅射法、离子镀法、蒸镀法等。在对密着层采用干式镀法进行成膜的情况下，从可容易进行膜厚的控制的观点来看，优选采用溅射法。在密着层中，如上所述，也可添加从碳、氧、氢、氮中所选择的1种以上的元素，在此情况下，最佳采用反应性溅射法。

需要说明的是，就金属层、湿式镀黑化层及密着层可较佳使用的材料或其较佳厚度等而言，由于在导电性基板中已经进行了叙述，故这里省略其说明。

藉由本实施方式的导电性基板的制造方法所获得的导电性基板可使用于例如触屏等各种用途。此外，在使用于各种用途的情况下，本实施方式的导电性基板中所包括的金属层和湿式镀黑化层较佳被进行图案化。需要说明的是，在设置密着层的情况下，密着层较佳也被进行图案化。就金属层、湿式镀黑化层、有时还包括密着层在内而言，例如可被图案化为预期的配线图案，此外，就金属层、湿式镀黑化层、有时还包括密着层在内而言，较佳为被进行图案化，以使与透明基材的主表面平行的面的剖面为相同形状。

所以，本实施方式的导电性基板的制造方法可具有对金属层和湿式镀黑化层进行图案化的图案化步骤。需要说明的是，在形成了密着层的情况下，图案化步骤可为对密着层、金属层及湿式镀黑化层进行图案化的步骤。

对图案化步骤的具体步骤并无特别限定，可采用任意步骤进行实施。例如，在如图1A那样在透明基材11上对金属层12和湿式镀黑化层13进行了积层的导电性基板10A的情况下，首先，可实施在湿式镀黑化层13的表面A上配置具有预期图案的光阻(resist)的光阻配置步骤。然后，可实施向湿式镀黑化层13的表面A、即、配置了光阻的表面侧供给蚀刻液的蚀刻步骤。

对蚀刻步骤中所使用的蚀刻液并无特别限定，可根据构成要进行蚀刻的层的材料进行任意选择。例如，可按各层来改变蚀刻液，此外，还可使用相同蚀刻液同时对金属层、湿式镀黑化层、有时还包括密着层在内一起进行蚀刻。

此外，就如图1B那样的在透明基材11的一个表面11a和另一个表面11b上进行了金属层121、122和湿式镀黑化层131、132的积层的导电性基板10B而言，也可对其实施进行图案化的图案化步骤。在此情况下，例如可实施在湿式镀黑化层131、132的表面A和表面B上配置具有预期图案的光阻的光阻配置步骤。接着，可实施向湿式镀黑化层131、132的表面A和表面B、即、配置了光阻的表面侧供给蚀刻液的蚀刻步骤。

对在蚀刻步骤中所形成的图案并无特别限定，可为任意形状。例如，在图1A所示的导电性基板10A的情况下，如上所述，可对金属层12和湿式镀黑化层13进行图案化，以使其包括多条直线或弯曲为锯齿状的线(“之”字直线)。

此外，在图1B所示的导电性基板10B的情况下，也可形成图案以使金属层121和金属层122成为网状配线。在此情况下，湿式镀黑化层131和金属层121较佳被进行图案化，以使与透明基材11的一个表面11a平行的面的剖面形状为同样的形状。此外，湿式镀黑化层132和金属层122也较佳被进行图案化，以使与透明基材11的另一个表面11b平行的面的剖面形状为同样的形状。

此外，例如在图案化步骤中对上述的导电性基板10A实施了金属层12等的图案化之后，也可实施对被图案化了的2个以上的导电性基板进行积层的积层步骤。在进行积层时，例如，藉由使各导电性基板的金属层的图案交叉地进行积层，也可获得具有网状配线的积层导电性基板。

对积层了2个以上的导电性基板的固定方法并无特别限定，例如可采用接着剂等进行固定。

根据藉由以上的本实施方式的导电性基板的制造方法所获得的导电性基板，不仅可通过湿式镀黑化层的厚度提高金属层和湿式镀黑化层之间的密着性，而且还可获得蚀刻均匀性较优的导电性基板。

【实施例】

下面根据具体实施例和比较例对本发明进行进一步详细说明，需要说明的是，本发明并不限定于这些实施例。

(评价方法)

对下面的实验例1～8中所制作的导电性基板的评价方法进行说明(1)表面粗糙度Ra

在下面的实施例和比较例中，制作了图2A所示的导电性基板。此外，当制作导电性基板时，在金属层12成膜后且湿式镀黑化层13成膜前，对金属层12的第2金属层表面12b的表面粗糙度进行了评价。

对表面粗糙度Ra采用形状解析激光(laser)显微镜(KEYENCECORPORATION制；型号：VK―X150)进行了测定，并在表1中将其表示为Ra。

此外，还计算了表面粗糙度Ra除以湿式镀黑化层的厚度t的Ra/t。需要说明的是，厚度t不管在哪个实验例中都为0.06μm(60nm)。(2)蚀刻时间差

作为蚀刻液，准备了3质量％的氯化铁和0.3质量％的盐酸的溷合水溶液，并将蚀刻液的温度保持在室温(25℃)。

接着，将宽度为40cm的各实验例中所制作的导电性基板浸渍于蚀刻液。此时，在从导电性基板的湿式镀黑化层13的表面13b侧进行观察的情况下，在导电性基板的宽度方向的两个端部和宽度方向的中央部的3个点处，对进行使透明基材露出为止的溶解所需的时间(秒)进行了计测。需要说明的是，这3个点位于沿宽度方向的同一直线上。然后，对这3个测定点处的溶解所需的时间进行比较，计算了最长时间和最短时间之间的差，并将该差作为蚀刻时间差(秒)。

根据本发明的发明人的研究可知，当蚀刻时间差为6秒以下时，可形成预期的微细配线图案，可称为是一种蚀刻均匀性较优的导电性基板。为此，将蚀刻时间差在6秒以内的情况评价为〇，即，合格。此外，将大于6秒的情况评价为×，即，不合格。

(导电性基板的制作条件)

下面示出各实验例的导电性基板的制作条件和评价结果。需要说明的是，实验例1～实验例5是实施例，而实验例6～实验例8则是比较例。

[实验例1]

制作了具有图2A所示结构的导电性基板。

(透明基材准备步骤和密着层形成步骤)

首先，在厚度为100μm的PET制透明基材的一个表面上形成了密着层。

需要说明的是，针对作为透明基材而使用的PET制透明基材，采用JISK 7361－1中所规定的方法对可视光透过率进行了评价，结果为97％。

就密着层而言，采用含有70wt％的镍和30wt％的铜的镍铜合金的靶材并藉由溅射法进行了成膜。成膜时，将预先加热至60℃以去除了水分的上述透明基材设置在溅射装置的腔体内，在将腔体内排气至1×10^－4Pa以下之后，向腔体内导入含有30体积％的氧气的氧－氩气体，并使腔体内的压力为0.3Pa。

之后，向靶材在该环境气体下进行电力供给，由此在透明基材的一个主表面上进行了厚度为20nm的由含有氧的Ni－Cu合金所构成的密着层的成膜。

(金属层形成步骤)

接着，在进行了密着层的成膜的透明基材的密着层上对金属层进行了成膜。

金属层藉由实施金属薄膜层形成步骤、初期金属镀层形成步骤及粗化金属镀层形成步骤而被进行了成膜。下面对各步骤进行说明。

就金属薄膜层而言，作为靶材使用了铜靶材，并在对腔体内进行了排气后，除了不导入氧－氩气体而导入了氩气这点之外，与形成密着层时同样地，在密着层的上表面进行了厚度为80nm的作为金属薄膜层的铜薄膜层的成膜。

就初期金属镀层形成步骤和粗化金属镀层形成步骤而言，将在透明基材上形成了密着层和金属薄膜层的基材供给至金属镀槽内，并在单一镀槽中连续地进行了实施。

作为镀液，使用添加了DDAC(diallyl dimethyl ammonium chloride)－SO₂共聚物的铜镀液。具体而言，使用了将铜、硫酸及氯的浓度调制成铜为30g/L、硫酸为80g/L、及氯为50mg/L的铜镀液。在所使用的铜镀液中，作为添加剂，添加了20mg/L的上述的DDAC－SO₂共聚物(diallyl dimethyl ammonium chloride－SO₂共聚物)。此外，在镀液中除了DDAC－SO₂共聚物之外还添加了650mg/L的作为聚合物成分的PEG(polyethylene glycol)和15mg/L的作为增白剂(brightener)成分的SPS(bis-(3-Sulfopropyl)disulfide)。在下面的初期金属镀层形成步骤和粗化金属镀层形成步骤中，镀液被调整至30℃并进行了使用。

接着，首先作为初期金属镀层形成步骤，从电流密度为0.5A/dm²开始，随着镀层厚度的增加，将电流密度提升至2.0A/dm²，并保持2分钟后，结束初期金属镀层形成步骤。

接着，使电流密度为0.3A/dm²，由此实施粗化金属镀层形成步骤。粗化金属镀层形成步骤的时间为0.5分钟。

需要说明的是，藉由实施金属镀层形成步骤和粗化金属镀层形成步骤，作为金属镀层，形成了厚度为0.5μm的铜镀层。故，作为金属层，形成了铜薄膜层和铜镀层的合计厚度为0.58μm的铜层。

在实施了金属层形成步骤后并在实施湿式镀黑化层形成步骤前，采用如上所述的方法，对第2金属层表面的表面粗糙度进行了评价。其结果示于表1。(湿式镀黑化层形成步骤)

使用含有硫酸镍和硫酸锌的镀浴并采用湿式镀法，作为湿式镀黑化层，进行了厚度t为60nm的镍锌合金层的成膜。

[实验例2～实验例8]

在各实验例中，除了对实施粗化金属镀层形成步骤的时间进行了变更，并使金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra为表1所示的值之外，都与实验例1同样地进行了导电性基板的制作和评价。结果示于表1。

[表1]

	Ra(μm)	Ra/t	蚀刻时间差(秒)	评价
					实验例1	0.023	0.38	6	〇
实验例2	0.027	0.45	5.9	〇
					实验例3	0.031	0.52	5	〇
实验例4	0.029	0.48	3	〇
					实验例5	0.040	0.67	1	〇
实验例6	0.018	0.30	8.1	×
					实验例7	0.015	0.25	7.2	×
实验例8	0.020	0.33	6.9	×

由表1所示结果可知，在实施例的、作为金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的第2金属层表面的表面粗糙度Ra(μm)为湿式镀黑化层的厚度(μm)的0.35倍以上的实验例1～实验例5中，可确认到评价为〇。即，可确认到其为蚀刻均匀性较优的导电性基板。

然而，在比较例的、作为金属层的与湿式镀黑化层相对的表面的第2金属层表面的表面粗糙度Ra(μm)为小于湿式镀黑化层的厚度(μm)的0.35倍的实验例6～实验例8中，可确认到评价为×。所以，就在实验例6～实验例8中所制作的导电性基板而言，其为不具有蚀刻均匀性的导电性基板，存在形成配线图案时不能获得预期形状的情况。

以上尽管基于实施方式及实施例等对导电性基板进行了说明，然而，本发明并不限定于上述实施方式及实施例等。在权利要求书记载的本发明的主旨的范围内，还可进行各种各样的变形和变更。

本申请主张基于2016年4月5日向日本国专利厅申请的特愿(特願)2016－076157号的优先权，并将特愿(特願)2016－076157号的全部内容引用于本国际申请。

[符号说明]

10A、10B、20A、20B、30 导电性基板

11、111、112 透明基材

12、121、122 金属层

13、131、132、321、322 湿式镀黑化层

Claims (3)

1.一种导电性基板，其具有：

透明基材；

金属层，配置在所述透明基材的至少一个表面上；及

湿式镀黑化层，配置在所述金属层上，

其中，所述金属层的与所述湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra为所述湿式镀黑化层的厚度的0.35倍以上，

所述表面粗糙度Ra的单位为μm，所述厚度的单位为μm。

2.根据权利要求1所述的导电性基板，其中，

所述金属层具有金属镀层。

3.根据权利要求1或2所述的导电性基板，其中，

所述金属层的与所述湿式镀黑化层相对的表面的表面粗糙度Ra为0.024μm以上。