CN110178189A - 导电性薄膜的制造方法及导电性薄膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够获得导电性薄膜的导电性薄膜的制造方法，该导电性薄膜具备具有与透明树脂基板的优异的密合性的金属细线。并且，提供一种导电性薄膜。导电性薄膜的制造方法依次具有：在透明树脂基板的至少一侧的主面上，以与透明树脂基板相接的方式，形成含有镍作为主要成分的第1金属膜的工序；在第1金属膜上形成含有铜作为主要成分的第2金属膜的工序；在第2金属膜上形成在供形成金属细线的区域具备开口部的抗蚀剂膜的工序；去除开口部内的第2金属膜的工序；通过镀覆法，在开口部内且第1金属膜上形成第3金属膜的工序；去除抗蚀剂膜的工序；去除第1金属膜上的第2金属膜的工序；及将第3金属膜作为掩模，去除第1金属膜的工序。

Description

导电性薄膜的制造方法及导电性薄膜
技术领域
本发明涉及一种导电性薄膜的制造方法及导电性薄膜。
背景技术
在透明树脂基板上配置有由金属细线构成的导电部的导电性薄膜在各种用途中使用。例如，近年来，随着触控面板向移动电话或便携游戏机器等的搭载率的提升，作为能够进行多点检测的静电电容量方式的触控面板传感器用，导电性薄膜的需要急速扩大。
例如，在使用具备触控面板的显示器的情况下，使用者可从距显示器数十厘米的距离看显示器。此时，为了不被使用者辨别金属细线，要求更加细化金属细线的线宽。
作为用于上述的技术，专利文献1中记载有：“一种制造金属布线的微结构的方法，其具备：(a)提供基板的工序；(b)将晶种层形成于基板的表面上的工序；(c)将光阻膜层形成于晶种层的表面上，实施光微影及蚀刻工艺，从而在光阻膜层形成具有规定宽度的槽的工序；(d)向槽填充导电层的工序；(e)去除光阻膜层与通过导电层未被覆盖的晶种层部分，由此制出金属布线的微结构的工序。”。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-225650号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
本发明人等对专利文献1中记载的制造金属布线的微结构的方法进行了研究，其结果发现欲获得线宽更细的金属细线时，存在导致金属细线从基板脱离的问题。
本发明的课题在于提供一种能够获得导电性薄膜的导电性薄膜的制造方法，该导电性薄膜具备具有与透明树脂基板的优异的密合性的金属细线。并且，本发明的课题还在于提供一种导电性薄膜。
用于解决技术课题的手段
本发明人等为了实现上述课题进行了深入研究，其结果发现通过以下的结构，能够实现上述课题。
[1]一种导电性薄膜的制造方法，其制造具备透明树脂基板及配置于透明树脂基板的至少一侧的主面上的由金属细线构成的导电部的导电性薄膜，该制造方法依次具有：在透明树脂基板的至少一侧的主面上，以与透明树脂基板相接的方式，形成含有镍作为主要成分的第1金属膜的工序；在第1金属膜上，以与第1金属膜相接的方式，形成含有铜作为主要成分的第2金属膜的工序；在第2金属膜上，形成抗蚀剂膜的工序，该抗蚀剂膜在形成金属细线的区域具备开口部；去除开口部内的第2金属膜的工序；通过镀覆法，在开口部内且第1金属膜上形成第3金属膜的工序；去除抗蚀剂膜的工序；去除第1金属膜上的第2金属膜的工序；及将第3金属膜作为掩模，去除该第1金属膜的工序。
[2]根据[1]所述的导电性薄膜的制造方法，其中，开口部的线宽为2.0μm以下。
[3]根据[1]或[2]所述的导电性薄膜的制造方法，其中，开口部的线宽为1.4μm以下，且第2金属层的厚度小于50nm。
[4]根据[1]至[3]中任一项所述的导电性薄膜的制造方法，其中，第3金属膜的厚度为200～1500nm。
[5]一种导电性薄膜，其具备透明树脂基板及配置于该透明树脂基板的至少一侧的主面上的由金属细线构成的导电部，其中，金属细线从透明树脂基板侧起依次具备：第1金属层，含有镍作为主要成分；及第3金属层，含有铜作为主要成分，第1金属层与透明树脂基板相接，金属细线的线宽为2.0μm以下。
[6]根据[5]所述的导电性薄膜，其中，金属细线的线宽的偏差为10％以下。
[7]根据[5]或[6]所述的导电性薄膜，其中，第3金属层的厚度为200～1500nm。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能够获得导电性薄膜的导电性薄膜的制造方法，该导电性薄膜具备具有与透明树脂基板的优异的密合性的金属细线。并且，根据本发明，还能够提供一种导电性薄膜。
附图说明
图1是带第1金属膜的透明树脂基板的概略剖视图。
图2是带第2金属膜的透明树脂基板的概略剖视图。
图3是带抗蚀剂膜形成用组合物层的透明树脂基板的概略剖视图。
图4是带抗蚀剂膜的透明树脂基板的概略剖视图。
图5是已去除开口部的第2金属膜的带抗蚀剂膜的透明树脂基板的概略剖视图。
图6是带第3金属膜的透明树脂基板的概略剖视图。
图7是已去除抗蚀剂膜的带第3金属膜的透明树脂基板的概略剖视图。
图8是已去除剩余的第2金属膜的带第3金属膜的透明树脂基板的概略剖视图。
图9是导电性薄膜的一实施方式的概略剖视图。
图10是导电性薄膜的一实施方式的顶视图。
图11是导电性薄膜的一实施方式的顶视图的A-A剖视图。
图12是导电性薄膜中的导电部的局部放大图。
具体实施方式
以下，对本发明进行详细说明。
以下记载的构成要件的说明有时基于本发明的代表性实施方式进行，但本发明并不限定于这种实施方式。
另外，本说明书中，利用“～”表示的数值范围是指将记载于“～”前后的数值作为下限值及上限值而包含的范围。
并且，本说明书中的主要成分是指该膜中含有的成分中含量最大的成分。
并且，本说明书中的基团(原子团)的表述中，未记载取代及未取代的标记是与不含有取代基的基团(原子团)一同还包含含有取代基的基团(原子团)。例如，“烷基”不仅包含不含有取代基的烷基(未取代烷基)，还包含含有取代基的烷基(取代烷基)。
并且，本说明书中的“光化射线”或“放射线”例如是指远紫外线、极紫外线(EUV：Extreme ultraviolet lithography(极紫外光刻))、X射线及电子束等。并且，本说明书中，光是指光化射线及放射线。本说明书中的“曝光”只要没有特别指定，则不仅包含使用远紫外线、X射线及EUV等进行的曝光，而且还包含使用电子束及离子束等粒子线进行的描绘。
并且，本说明书中，“单体”与“单体(monomer)”的含义相同。单体与低聚物及聚合物有所区别，指重均分子量为2,000以下的化合物。本说明书中，聚合性化合物是指含有聚合性基团的化合物，可以是单体，也可以是聚合物。聚合性基团是指参与聚合反应的基团。
[导电性薄膜的制造方法]
上述导电性薄膜的制造方法根据如下顺序具有以下工序。
(1)在透明树脂基板的至少一侧的主面上，以与透明树脂基板相接的方式，形成含有镍作为主要成分的第1金属膜的工序(第1金属膜形成工序)
(2)在第1金属膜上，以与第1金属膜相接的方式，形成含有铜作为主要成分的第2金属膜的工序(第2金属膜形成工序)
(3)在第2金属膜上形成抗蚀剂膜的工序，该抗蚀剂膜在形成金属细线的区域具备开口部(抗蚀剂膜形成工序)
(4)去除开口部内的第2金属膜的工序(第2金属膜去除工序A)
(5)通过镀覆法，在开口部内且第1金属膜上形成第3金属膜的工序(第3金属膜形成工序)
(6)去除抗蚀剂膜的工序(抗蚀剂膜去除工序)
(7)去除第1金属膜上的第2金属膜的工序(第2金属膜去除工序B)
(8)将第3金属膜作为掩模，去除第1金属膜的工序(第1金属膜去除工序)
以下，对各工序进行详细说明。
第1金属膜形成工序是在透明树脂基板的至少一侧的主面上，以与透明树脂基板相接的方式，形成含有镍作为主要成分的第1金属膜的工序。如后述，若第1金属膜被蚀刻，则形成第1金属层。
图1表示经由本工序而形成的带第1金属膜的透明树脂基板10的概略剖视图。如图1所示，本工序中，典型地在透明树脂基板11的其中一侧的主面上，以与透明树脂基板11相接的方式，形成第1金属膜12。
另外，图1中，在透明树脂基板11的其中一侧的主面上形成有第1金属膜12，但作为上述导电性薄膜的制造方法，并不受限于此，也可在透明树脂基板11的两个主面上，以与透明树脂基板11相接的方式，形成有2个第1金属膜12。
〔透明树脂基板〕
透明树脂基板具有主面，具有支撑导电部的功能。本说明书中，透明是指使可见光(波长400～800nm)的光透射60％以上，优选为透射80％以上，更优选为透射90％以上，进一步优选为透射95％以上。另外，透明树脂基板可以是无色透明，也可以是有色透明。
作为构成透明树脂基板的材料，例如可举出聚醚砜系树脂、聚丙烯酸系树脂、聚氨酯系树脂、聚酯系树脂(聚对苯二甲酸乙二酯及聚萘二甲酸乙二醇酯等)、聚碳酸酯系树脂、聚砜系树脂、聚酰胺系树脂、聚芳酯系树脂、聚烯烃系树脂、纤维素系树脂、聚氯乙烯系树脂及环烯烃系树脂等。其中，从具有更优异的光学特性的角度出发，优选为环烯烃系树脂(COP：Cyclo-Olefin Polymer)。
作为透明树脂基板的厚度，并无特别限制，但从操作性及薄型化的平衡的角度出发，优选为0.01～2mm，更优选为0.04～1mm。
并且，透明树脂基板11可以是复层结构，例如也可以作为其中一层含有功能性薄膜。另外，透明树脂基板自身也可以为功能性薄膜。
〔第1金属膜〕
第1金属膜是在透明树脂基板的至少一侧的主面上，以与透明树脂基板相接的方式配置且含有镍作为主要成分的金属膜。
另外，透明树脂基板的主面是指构成上述透明树脂基板的面中，相互相对的最大面积的面，相当于沿基板的厚度方向对置的面。
并且，上述“以相接的方式”是指透明树脂基板的主面的至少一部分与第1金属膜的主面相接。
第1金属膜含有镍作为主要成分，因此与透明树脂基板的相互作用强，其结果，具有针对透明树脂基板的优异的密合性。该趋势在构成透明树脂基板的材料中含有氧原子的情况下尤其显著。
并且，第1金属膜含有镍作为主要成分，因此电阻率低。在第1金属膜上，在后述第3金属膜形成工序中，通过镀覆法形成第3金属膜。即，第1金属膜在电镀工序中，还作为晶种层发挥功能。而且，第1金属膜含有镍作为主要成分，因此还具有针对第3金属膜的优异的密合性。
根据上述导电性薄膜的制造方法，第1金属膜含有镍作为主要成分，因此无需在透明树脂基板之间形成用于提高密合性的层(以下，还称作“密合层”。)就能够形成具有作为晶种层的功能的第1金属膜。根据上述，本发明能够更简单地获得具备具有与透明树脂基板的优异的密合性的金属细线的导电性薄膜。
第1金属膜含有镍作为主要成分。另外，第1金属膜中的主要成分是指第1金属膜中含有的材料(典型地为金属)中含量(质量)最大的金属。
第1金属膜只要含有镍作为主要成分，则也可以是镍的合金。作为第1金属膜，优选为由镍构成。
作为第1金属膜中的镍的含量，并无特别限制，相对于第1金属膜总质量，优选为80质量％以上，更优选为90质量％以上，进一步优选为98质量％以上。作为镍含量的上限，并无特别限制，通常优选为100质量％以下。
另外，说明书中，第1金属膜由镍构成的状态是指第1金属膜实际上不含有镍以外的成分。实际上不含有镍以外的成分是指包含第1金属膜由镍构成的情况及无意中含有镍以外的成分的情况(典型地为作为杂质含有镍以外的成分的情况)。
作为第1金属膜中的镍以外的成分，并无特别限制，例如，可举出铜、铬、铅、金、银、锡及锌等。
作为第1金属膜的厚度并无特别限制，通常优选为10～200nm，更优选为20～100nm。
若第1金属膜的厚度为10～200nm，则所获得的导电性薄膜具有更优异的密合性及面内均匀性。另外，本说明书中，面内均匀性主要是指第3金属层的厚度在面内大致均匀。
作为第1金属膜的形成方法并无特别限制，能够使用公知的形成方法。其中，从能够形成更致密且具有与透明树脂基板的优异的密合性的膜的角度出发，优选为溅射法或蒸镀法。
〔第2金属膜形成工序〕
第2金属膜形成工序是在第1金属膜上，以与第1金属膜相接的方式，形成含有铜作为主要成分的第2金属膜的工序。
并且，上述“以相接的方式”是指第1金属膜的主面的至少一部分与第2金属膜的主面相接。
另外，第1金属膜的主面是指第1金属膜的主面中相互相对的最大面积的面，相当于沿第1金属膜的厚度方向对置的面。并且，对于第2金属膜的主面，也与上述相同。
图2是经由本工序形成的带第2金属膜的透明树脂基板20的概略剖视图。如图2所示，本工序是典型地以与形成于透明树脂基板11的主面上的第1金属膜12上相接的方式形成第2金属膜22的工序。
图2中，第2金属膜22的其中一侧的主面与第1金属膜12的主面中和透明树脂基板11相接的主面的相反侧的主面全部相接，但作为在第2金属膜形成工序中形成的第2金属膜，并不受限于上述形态。
即，第2金属膜22只要以与第1金属膜12相接的方式形成于第1金属膜12上即可，只要以第1金属膜12的主面的至少一部分与第2金属膜22的主面相接的方式形成即可。
第2金属膜具有作为第1金属膜的保护膜的功能。
第1金属膜含有镍作为主要成分。因此第1金属膜的表面易被氧化。并且，不形成第2金属膜而形成抗蚀剂膜时，尤其第1金属膜易被氧化。
第1金属膜的表面被氧化时，若在第1金属膜的作为晶种层的功能易受损即第1金属膜的表面被氧化的状态下，欲对其通过镀覆法进一步形成金属膜，则所形成的金属膜与第1金属膜的密合性易受损。
另一方面，还能够在通过镀覆法形成金属膜之前，通过酸处理等去除第1金属膜的氧化被膜。但是，第1金属膜的氧化被膜的厚度随着时间经过而发生变化，因此导致酸处理的条件设定变得复杂。
上述导电性薄膜的制造方法中，形成第1金属膜之后，在其上以相接的方式形成第2金属膜，因此通过第2金属膜，第1金属膜的氧化得到抑制。第2金属膜在形成后述的第3金属膜之前被去除，在第1金属膜氧化之前，在其上形成第3金属膜。因此根据上述导电性薄膜的制造方法，能够获得具备具有与透明树脂基板的优异的密合性的金属细线的导电性薄膜。
第2金属膜含有铜作为主要成分。另外，第2金属膜中的主要成分是指第2金属膜中含有的材料(典型地为金属)中含量(质量)最大的金属。
第2金属膜只要含有铜作为主要成分，则可以是铜的合金。作为第1金属膜，优选为由铜构成。
作为第2金属膜中的铜的含量，并无特别限制，优选为70质量％以上，更优选为80质量％以上，进一步优选为85质量％以上。
作为第2金属膜中的铜以外的成分，并无特别限制，例如，可举出铬、铅、镍、金、银、锡及锌等。
另外，本说明书中，第2金属膜由铜构成的状态是指第2金属膜实际上不包含铜以外的成分。实际上不包含铜以外的成分是指包含第2金属膜由铜构成的情况及无意中含有铜以外的成分的情况(典型地为作为杂质含有铜以外的成分的情况)。
作为第2金属膜的厚度，并无特别限制，作为上限，通常优选为150nm以下，更优选为100nm以下，进一步优选为50nm以下，尤其优选为小于50nm，最优选为40nm以下。作为下限，并无特别限制，通常优选为5nm以上，更优选为10nm以上。若第2金属膜的厚度为5～150nm，则所获得的导电性薄膜具有更优异的线宽的均匀性(金属细线的线宽的偏差更少的状态)。
其中，若后述的抗蚀剂膜所具备的开口部的线宽为1.4μm以下且第2金属膜的厚度小于50nm，则导电性薄膜具有进一步优异的线宽的均匀性。
作为相对于第2金属膜的厚度(nm)的后述的抗蚀剂膜所具备的开口部的线宽(nm)的比(开口部的线宽/第2金属膜的厚度)，并无特别限制，通常，作为下限值，优选为2以上，更优选为3以上，进一步优选为6以上，尤其优选为超过6，最优选为7.5以上。并且，作为上限值，优选为200以下，更优选为140以下。
若开口部的线宽(nm)/第2金属膜的厚度(nm)的比超过6且140以下，则导电性薄膜具有更优异的金属细线的线宽的均匀性。
作为相对于后述的第3金属膜的厚度(单位为nm)的第2金属膜的厚度(单位为nm)的比(第2金属膜的厚度/第3金属膜的厚度)，并无特别限制，从可获得金属细线的线宽的偏差更小的导电性薄膜的角度出发，优选为小于0.16。作为相对于第3金属膜的厚度的第2金属膜的厚度的比，并无特别限制，通常优选为0.001以上。若相对于第3金属膜的厚度的第2金属膜的厚度的比小于0.16，则导电性薄膜具有更优异的线宽的均匀性。
作为第2金属膜的形成方法并无特别限制，能够使用公知的形成方法。其中，从能够形成更致密且具有与透明树脂基板的优异的密合性的膜的角度出发，优选为溅射法或蒸镀法。
〔抗蚀剂膜形成工序〕
抗蚀剂膜形成工序是形成抗蚀剂膜的工序，该抗蚀剂膜在形成金属细线的区域具备开口部。图4表示经由本工序而形成的带抗蚀剂膜的透明树脂基板40的概略剖视图。如图4所示，本工序中，典型地形成在第2金属膜22上具备开口部G的抗蚀剂膜41。
抗蚀剂膜41在形成金属细线的区域具备开口部G。
抗蚀剂膜41中的开口部G的区域能够配合欲配置金属细线的区域进行适当调整。例如，欲形成配置成网格状的金属细线的情况下，形成具有网格状开口部的抗蚀剂膜。另外，通常，开口部配合金属细线形成为细线状。
上述开口部G的线宽W并无特别限制，通常优选为2.0μm以下，更优选为1.4μm以下，进一步优选为1.2μm以下。若开口部的线宽W为1.4μm以下，则获得的金属细线的线宽变得更细，将导电性薄膜例如应用于触控面板传感器等时，使用者更不易辨别到金属细线。另外，上述开口部G的线宽W的下限并无特别限制，0.3μm以上的情况较多。
另外，本说明书中，开口部G的线宽W是指与开口部G的细线部分的延伸方向正交的方向上的细线部的大小。经由后述的各工序，形成具有与开口部G的线宽W对应的线宽W的金属细线。
作为在第2金属膜22上形成抗蚀剂膜41的方法并无特别限制，能够使用公知的抗蚀剂膜形成方法。典型地可举出具有以下工序的方法。
(a)在第2金属膜22上涂布抗蚀剂膜形成用组合物，从而形成抗蚀剂膜形成用组合物层31的工序(图3表示经由(a)工序形成的带抗蚀剂膜形成用组合物层的透明树脂基板30的概略剖视图。)。
(b)经由具备图案状开口部的光掩模，将抗蚀剂膜形成用组合物层31曝光的工序。
(c)对曝光之后的抗蚀剂膜形成用组合物层31进行显影，从而获得具备开口部G的抗蚀剂膜41的工序。
另外，可在上述工序(a)与(b)之间、(b)与(c)之间和/或(c)之后，还含有对抗蚀剂膜形成用组合物层31和/或具备开口部G的抗蚀剂膜41进行加热的工序。
·工序(a)
作为抗蚀剂膜形成用组合物并无特别限制，能够使用公知的抗蚀剂膜形成用组合物。
作为抗蚀剂膜形成用组合物的具体例，例如可举出正型或负型感放射线性组合物。
作为在第2金属膜上涂布抗蚀剂膜形成用组合物的方法并无特别限制，能够使用公知的涂布方法。
作为抗蚀剂膜形成用组合物的涂布方法，例如可举出旋涂法、喷涂法、辊涂法及浸渍法等。
也可以在第2金属膜上形成抗蚀剂膜形成用组合物层之后，加热抗蚀剂膜形成用组合物层。通过加热，能够去除残留于抗蚀剂膜形成用组合物层中的不必要的溶剂，使抗蚀剂膜形成用组合物层成为均匀的状态。作为加热抗蚀剂膜形成用组合物层的方法并无特别限制，但是，例如可举出加热透明树脂基板的方法。作为上述加热的温度并无特别限制，但通常优选为40～160℃。
作为抗蚀剂膜形成用组合物层的厚度并无特别限制，但作为干燥后的厚度，通常优选为0.5～2.5μm。
·工序(b)
作为将抗蚀剂膜形成用组合物层进行曝光的方法并无特别限制，能够使用公知的曝光方法。
作为将抗蚀剂膜形成用组合物层曝光的方法，例如可举出经由具备图案状开口部的光掩模，在抗蚀剂膜形成用组合物层照射光化射线或放射线的方法。作为曝光量并无特别限制，但通常优选为以1～100mW/cm2照射0.1～10秒钟。
例如，抗蚀剂膜形成用组合物为正型的情况下，在工序(b)中使用的光掩模所具备的图案状开口部的线宽W一般优选为2.0μm以下，更优选为1.4μm以下。
也可以加热曝光后的抗蚀剂膜形成用组合物层。作为加热的温度并无特别限制，但通常优选为40～160℃。
·工序(c)
作为对曝光后的抗蚀剂膜形成用组合物层进行显影的方法并无特别限制，能够使用公知的显影方法。
作为公知的显影方法，例如可举出使用含有有机溶剂的显影液或碱显影液的方法。
作为显影方法，例如可举出浸渍法(dip method)、浸置法(puddle method)、喷涂法及动态分配法(dynamic dispense method)法等。
并且，也可以使用冲洗液清洗显影后的抗蚀剂膜。作为冲洗液并无特别限制，能够使用公知的冲洗液。作为冲洗液，可举出有机溶剂及水等。
〔第2金属膜去除工序A〕
第2金属膜去除工序A是去除抗蚀剂膜所具备的开口部内的第2金属膜的工序。即，是去除通过开口部暴露的第2金属膜的工序。图5表示经由本工序形成的已去除开口部的第2金属膜的带抗蚀剂膜的透明树脂基板50的概略剖视图。如图5所示，本工序是典型地去除抗蚀剂膜41的开口部G内的第2金属膜22的工序。
作为去除抗蚀剂膜41的开口部G内的第2金属膜22的方法，并无特别限制，可举出将抗蚀剂膜41作为掩模，利用蚀刻液去除第2金属膜22的方法等。
作为蚀刻液，只要能够溶解去除第2金属膜22，则并无特别限制，能够使用公知的蚀刻液，例如，可举出氯化铁溶液、氯化铜溶液、氨碱溶液、硫酸-过氧化氢混合液及磷酸-过氧化氢混合液等。
上述导电性薄膜的制造方法中，第1金属膜与具有作为其保护膜的功能的第2金属膜将互不相同的金属(镍及铜)作为主要成分。镍及铜相对于蚀刻液的溶解性大不相同。因此第2金属膜去除工序A中，通过调整蚀刻液对第2金属膜的蚀刻速率与蚀刻液对第1金属膜的蚀刻速率，能够不损伤第1金属膜而仅去除第2金属膜。另外，以下中，将在第2金属膜去除工序A中使用的蚀刻液称作第2蚀刻液。
作为第2蚀刻液对第2金属膜的蚀刻速率，并无特别限制，从能够更简单地获得具备向透明树脂基板的密合性更优异的金属细线的导电性薄膜的角度出发，作为第2蚀刻液对第2金属膜的蚀刻速率，优选为每分钟300nm(以下，每分钟Anm标记为“Anm/min”。)以下，更优选为200nm/min以下。
作为对第2金属膜的蚀刻速率的下限值并无特别限制，但通常优选为30nm/min以上。
关于第2蚀刻液对第2金属膜的蚀刻速率，通过调整第2蚀刻液的浓度及温度等能够进行调整。
另外，本说明书中，各蚀刻液对各金属膜的蚀刻速率是指通过以下方法测定的蚀刻速率。
(蚀刻速率测定方法)
基于各蚀刻液的对各金属膜的蚀刻速率的测定通过以下方法进行。
首先，准备在硅晶圆上以10μm厚度形成作为对象的金属膜的模型基板。接着，对将上述模型基板在作为对象的蚀刻液中浸渍5分钟之后的金属膜的厚度进行测定，计算在浸渍前后减少的金属膜的厚度，并将该厚度除以5(份)来算出蚀刻速率。
另外，在厚度的测定中使用表面形状测定装置Dektak6M(Veeco公司制)。
作为相对于第2蚀刻液对第2金属膜的蚀刻速率(ER2)的第2蚀刻液对第1金属膜的蚀刻速率(ER1)的比(对第1金属膜的蚀刻速率/对第2金属膜的蚀刻速率、ER1/ER2)，并无特别限制，从第2蚀刻液不易溶解第1金属膜(选择性地溶解第2金属膜)的角度出发，优选为0.01以下，更优选为0.002以下，进一步优选为小于0.0005。
作为上述比的下限值，并无特别限制，通常优选为0以上。
另外，上述比为0的情况是指第2蚀刻液实际上不溶解第1金属膜的情况。
若第2蚀刻液的ER1/ER2小于0.0005，则可更简单地获得具备向透明树脂基板的密合性更优异的金属细线的导电性薄膜。
作为使用第2蚀刻液蚀刻第2金属膜的方法并无特别限制，能够使用公知的方法。
〔第3金属膜形成工序〕
第3金属膜形成工序是通过镀覆法在抗蚀剂膜的开口部G内且第1金属膜上形成第3金属膜的工序。图6表示经由本工序形成的带第3金属膜的透明树脂基板60的概略剖视图。如图6所示，本工序中，典型地以填埋抗蚀剂膜41所具备的开口部G的方式，在第1金属膜12上形成第3金属膜61。如后述，第3金属膜61在进行规定的处理后成为金属细线中的第3金属层。
第3金属膜通过镀覆法形成。
作为镀覆法，能够使用公知的镀覆法。具体而言，可举出电解镀覆法及非电解镀覆法，从生产率的方面而言，优选为电解镀覆法。
作为第3金属膜中含有的金属并无特别限制，能够使用公知的金属。第3金属膜例如可含有铜、铬、铅、镍、金、银、锡及锌等金属以及这些金属的合金。
并且，从对蚀刻液的溶解性不同的角度出发，优选为第3金属膜的主要成分与第1金属膜的主要成分不同。
其中，从后述的处理后形成的第3金属层具有更优异的导电性的角度出发，优选为第3金属膜含有铜作为主要成分。
第3金属膜含有铜作为主要成分时，第3金属膜只要含有铜作为主要成分，则也可以是铜的合金。作为第3金属膜，优选为由铜构成。
另外，上述主要成分是指第3金属膜中包含的金属中含量(质量)最大的金属。作为构成第3金属膜中的主要成分的金属的含量，并无特别限制，通常优选为80质量％以上，更优选为90质量％以上。
另外，本说明书中，第3金属膜由铜构成的状态是指第3金属膜实际上不含有铜以外的成分。实际上不含有铜以外的成分是指包含第3金属膜由铜构成的情况及无意中含有铜以外的成分的情况(典型地为作为杂质含有铜以外的成分的情况)。
作为第3金属膜的厚度，并无特别限制，优选为100～2000nm，更优选为200～1500nm。若第3金属膜的厚度为200～1500nm，则具有作为导电性薄膜而有用的电阻值，另一方面，不易产生布线崩塌。
〔抗蚀剂膜去除工序〕
抗蚀剂膜去除工序是去除抗蚀剂膜的工序。图7是经由本工序形成的已去除抗蚀剂膜的带第3金属膜的透明树脂基板70的概略剖视图。如图6及图7所示，本工序中，典型地获得如下层叠体，即，抗蚀剂膜41被去除，在透明树脂基板11上具备第1金属膜12，在第1金属膜12上的供形成金属细线的部分具备第3金属膜61，在除此以外的部分具备第2金属膜13。
作为去除抗蚀剂膜的方法，并无特别限制，可举出使用公知的抗蚀剂膜去除液去除抗蚀剂膜的方法。
作为抗蚀剂膜去除液，例如可举出有机溶剂及碱溶液等。
作为使抗蚀剂膜去除液与抗蚀剂膜接触的方法，并无特别限制，例如可举出浸渍法(dip method)、浸置法(puddle method)、喷涂法及动态分配法(dynamic dispensemethod)法等。
〔第2金属膜去除工序B〕
第2金属膜去除工序B是去除第1金属膜上的第2金属膜的工序。图8表示已去除剩余的第2金属膜的带第3金属膜的透明树脂基板80的概略剖视图。如图7及图8所示，本工序中，典型地通过用蚀刻液选择性地去除第1金属膜12上的第2金属膜22，可获得依次具备透明树脂基板11、第1金属膜12及第3金属膜61的层叠体。
作为去除第2金属膜的方法，并无特别限制，优选作为第2金属膜去除工序A说明的方法。即，以去除第2金属膜而不损伤第1金属膜的方式优选选择蚀刻液。对于蚀刻液的优选方式，如已说明。
第1金属膜与第2金属膜将对蚀刻液的溶解性不同的金属作为各自的主要成分，因此本工序中能够选择性地去除第2金属膜。
〔第1金属膜去除工序〕
第1金属膜去除工序是将第3金属膜作为掩模，去除第1金属膜的工序。图9表示经由本工序形成的形成于透明树脂基板上的金属细线的概略剖视图。通过实施本工序，直接被去除未配置有第3金属膜的区域的第1金属膜，获得金属细线。图9的导电性薄膜90具备透明树脂基板11及金属细线91。金属细线91从透明树脂基板11侧依次具备第1金属层92及第3金属层93。
作为将第3金属膜作为掩模来去除第1金属膜的方法，并无特别限制，可举出利用蚀刻液去除第1金属膜的方法等。
作为蚀刻液，只要能够溶解去除第1金属膜，则并无特别限制，能够使用公知的蚀刻液。
上述导电性薄膜的制造方法中，第3金属膜与第1金属膜将互不相同的金属(镍及铜)作为主要成分。镍及铜对蚀刻液的溶解性大不相同。因此第1金属膜去除中，通过调整蚀刻液对第1金属膜的蚀刻速率与蚀刻液对第3金属膜的蚀刻速率，能够不损伤第3金属膜而仅去除第1金属膜。另外，以下，将在第1金属膜去除工序中使用的蚀刻液称作第1蚀刻液。
作为第1蚀刻液对第1金属膜的蚀刻速率，并无特别限制，从能够更简单地获得具备向透明树脂基板的密合性更优异的金属细线的导电性薄膜的角度出发，作为第1蚀刻液对第1金属膜的蚀刻速率，优选为每分钟300nm(以下，每分钟Anm标记为“Anm/min”。)以下，更优选为200nm/min以下。
作为对第1金属膜的蚀刻速率的下限值，并无特别限制，但通常优选为30nm/min以上。
第1蚀刻液对第1金属膜的蚀刻速率，通过调整第1蚀刻液的浓度及温度等能够进行调整。
另外，本说明书中，各蚀刻液对各金属膜的蚀刻速率是指通过上述方法测定的蚀刻速率。
作为相对于第1蚀刻液对第1金属膜的蚀刻速率(ER1)的第1蚀刻液对第3金属膜的蚀刻速率(ER3)的比(对第3金属膜的蚀刻速率/对第1金属膜的蚀刻速率、ER3/ER1)，并无特别限制，从第1蚀刻液不易溶解第3金属膜(选择性地溶解第1金属膜)的角度出发，优选为0.01以下，更优选为0.002以下，进一步优选为小于0.0005。
作为上述比的下限值，并无特别限制，通常优选为0以上。
另外，上述比为0的情况是指第1蚀刻液实际上不溶解第3金属膜的情况。
若第1蚀刻液的ER3/ER1小于0.0005，则可更简单地获得具备向透明树脂基板的密合性更优异的金属细线的导电性薄膜。
作为使用第1蚀刻液蚀刻第1金属膜的方法，并无特别限制，能够使用公知的方法。
[导电性薄膜]
通过上述步骤，可制造本发明的实施方式涉及的导电性薄膜。
本发明的实施方式涉及的导电性薄膜具备透明树脂基板及配置于透明树脂基板的至少一侧的主面上的由金属细线构成的导电部。在导电性薄膜中，导电部通常通过多个金属细线构成。另外，例如，将导电性薄膜用作触控面板传感器用的情况下，能够将导电部用作透明电极和/或引出布线。
图10是上述导电性薄膜的一实施方式的顶视图，图11是其A-A截面图。图12是导电性薄膜中的导电部的局部放大图。
如图10及图11所示，导电性薄膜90含有透明树脂基板11及配置于透明树脂基板11的其中一侧的主面上的导电部101。
另外，在图10及图11中，示出了具有平面状的形状的导电性薄膜的形态，但作为导电性薄膜，并不受限于上述。导电性薄膜也可以具有三维形状(立体形状)。作为三维形状，例如，可举出含有曲面的三维形状，作为三维形状，更具体而言，可举出半球状、半圆柱形状、波形状、凹凸形状及圆柱状等。
并且，在图10及图11中，导电部101配置在透明树脂基板11的其中一侧的主面上，但并不限定于该形态。例如，也可在透明树脂基板11的两个主面上配置导电部101。
并且，图10及图11中，导电部101配置成6根条纹状，但并不限制于该形态，可以是任何配置图案。
图12是导电部101的局部放大顶视图，导电部101通过多个金属细线91构成，且含有具有通过交叉的金属细线91而成的多个开口部102的网格状图案。
金属细线91的线宽为2.0μm以下，进一步优选为1.4μm以下，进一步优选为1.2μm以下。
作为金属细线91的线宽的下限值，并无特别限制，但通常优选为0.3μm以上。
若金属细线91的线宽为2.0μm以下，则例如将导电性薄膜应用于触控面板传感器时，触控面板的使用者更不易辨别金属细线。
另外，在本说明书中，金属细线91的线宽是指在金属细线91的宽度方向的截面(与金属细线的延伸方向正交的截面)中，后述的第1金属层及第3金属层的线宽中最大的线宽。即，第1金属层、及第3金属层的线宽成为金属细线91的线宽以下。
另外，对各金属层的形态及线宽的测定方法，将进行后述。
作为金属细线91的厚度，并无特别限制，但通常优选为0.1～5.0μm，从导电性的观点出发，优选为0.2～2.0μm。
开口部102的一边的长度X优选为20～250μm。
另外，在图12中，开口部102具有大致菱形的形状。但是，也可以为其他多边形状(例如三角形、四边形、六边形及不规则多边形)。并且，除了将一边的形状设为直线状的外，可以设为弯曲形状，也可以设为圆弧状。设为圆弧状的情况下，例如关于对置的两边，在外侧设为凸圆弧状，关于其他对置的两边，也可在在内侧设为凸圆弧状。并且，也可以将各边的形状设为外侧的凸圆弧和内侧的凸圆弧连续的波浪线形状。当然，也可将各边的形状设为正弦曲线。
另外，在图12中，导电部101具有网格状图案，但并不限定于该形态。
本实施方式涉及的导电性薄膜的金属细线的线宽的偏差并无特别限制，优选为15％以下，更优选为10％以下。
另外，本说明书中，金属细线的线宽及线宽的偏差是指通过以下方法测定的线宽及线宽的偏差。
首先，将导电性薄膜连同透明树脂基板包埋于树脂中，在宽度方向(与金属细线的延伸方向正交的方向)上使用超薄切片机进行切断，在所得到的截面上蒸镀碳之后，使用扫描型电子显微镜(Hitachi High-Technologies Corporation制S-5500型)进行观察。在观察范围3cm×3cm随机测定20处的金属细线的线宽，计算测定出的值的平均值，以百分比表示相对于平均值的线宽的标准偏差来作为偏差。即，线宽的偏差(％)通过{(线宽的标准偏差)/平均值×100}计算。
作为金属细线91的剖视图，例如如图9所示，金属细线91为从透明树脂基板11侧依次具备第1金属层92及第3金属层93的结构。另外，第1金属层92及第3金属层93的形状均为与金属细线91的形状对应的细线状。
〔第1金属层〕
第1金属层92具有导电性，并且具有将配置在其上的第3金属层93保持于透明树脂基板上的作用(密合性提高作用)。如上述，第1金属层92通过对第1金属膜实施蚀刻处理而形成。
第1金属层92所含的金属的种类与上述的第1金属膜所含的金属的种类相同。
并且，第1金属层92的厚度的优选范围与上述的第1金属膜的厚度的优选范围相同。另外，关于导电性薄膜中的第1金属层的厚度，还能够在测定后述的第1金属层的线宽时一起测定。
作为第1金属层92的线宽，优选为2.0μm以下，更优选为1.4μm以下，进一步优选为1.2μm以下。
另外，第1金属层92的线宽是指将金属细线91连同透明树脂基板11包埋于树脂，在宽度方向(与金属细线的延伸方向正交的方向)上，使用超薄切片机切断，在获得的截面上蒸镀碳之后，使用扫描型电子显微镜(Hitachi High-Technologies Corporation制S-5500型)进行观察而测定的线宽。并且，后述的第3金属层93的线宽也相同。
〔第3金属层〕
第3金属层93具有导电性，且具有确保金属细线的导通的作用。
第3金属层93所含的金属的种类与上述的第3金属膜所含的金属的种类相同。
并且，第3金属层93的厚度的优选范围与上述的第3金属膜的厚度的优选范围相同。另外，关于导电性薄膜中的第3金属层的厚度，还能够在测定上述的第1金属层的线宽时一起测定。
作为第3金属层93的线宽，优选为2.0μm以下，更优选为1.4μm以下，进一步优选为1.2μm以下。
通过上述制造方法制造的导电性薄膜能够使用在各种用途中。例如，可举出各种电极薄膜、散热片及印刷布线基板。其中，优选导电性薄膜用于触控面板传感器，更优选用于静电电容量方式的触控面板传感器。将上述导电性薄膜作为触控面板传感器包含的触控面板中难以辨别金属细线。
另外，作为触控面板的结构，例如可举出日本特开2015-195004号公报的第0020～0027段中记载的触控面板模组等，上述内容编入本说明书中。
实施例
以下，根据实施例对本发明进行更详细说明。以下的实施例所示的材料、使用量、比例、处理内容及处理步骤等只要不脱离本发明的宗旨，则能够适当变更。由此，本发明的范围并不应通过以下示出的实施例限定性地解释。
〔实施例1：导电性薄膜的制作〕
在COP(Cyclo-olefin polymer)薄膜(相当于透明基板，厚度80μm)上，利用溅射装置，作为第1金属膜(晶种层)成膜50nm的Ni，接着，作为第2金属膜，成膜20nm的Cu，从而获得了带第2金属膜的基板。接着，在带第2金属膜的基板的第2金属膜上，以干燥后的厚度成为1μm的方式，通过旋涂机涂布抗蚀剂组合物(正型抗蚀剂、Rohm and Haas ElectronicMaterials制、商品名“MCPR124MG”，在90℃下干燥10min来获得了带抗蚀剂膜形成用组合物层的基板。接着，对带抗蚀剂膜形成用组合物层的基板，利用平行曝光机，经由光罩，将365nm的波长的光(曝光量为13mW/cm2。)照射2秒，接着，用0.15M氢氧化钠水溶液进行显影，从而获得了形成有具备开口部的抗蚀剂膜的基板(开口部的线宽为1.2μm±0.1μm。)。另外，在该开口部，在之后的工序中形成金属细线。
接着，为了之后的剥离，对抗蚀剂膜的整面进行了曝光(以13mW/cm2照射3秒。)。接着，利用Cu蚀刻液(Wako Pure Chemical Industries,Ltd.制、商品名“Cu蚀刻剂”)，去除带抗蚀剂膜的基板上的开口部内的第2金属膜(Cu层)，从而获得了已去除开口部的第2金属膜的基板。接着，对已去除开口部内的第2金属膜的基板，利用硫酸铜high-throw浴(作为添加剂，含有“Top Lucina HT-A”与“Top Lucina HT-B”。均为OKUNO CHEMICAL INDUSTRIESCO.,LTD.制)进行电镀(电流密度：3A/dm2)，在开口部内形成铜电镀膜(相当于第3金属膜。厚度300nm)，从而获得了带第3金属膜的基板。接着，利用0.15M氢氧化钠水溶液，从带第3金属膜的基板剥离抗蚀剂膜，接着，利用Cu蚀刻液(Wako Pure Chemical Industries,Ltd.制、商品名“Cu蚀刻剂”)，去除剩余的第2金属膜(Cu层)，接着，利用Ni蚀刻液(NIHON KAGAKUSANGYO CO.,LTD.制、商品名“NC-A”及“NC-B”)，将第3金属膜作为掩模，去除第1金属膜(Ni层)，从而获得了具备金属细线的导电性薄膜。所获得的导电性薄膜中的第3金属层的厚度为270nm。
〔实施例2～5：导电性薄膜的制作〕
将第2金属膜的厚度设为如表1中记载，除此以外，以与实施例1的导电性薄膜相同的方式，制作了实施例2～5的导电性薄膜2～5。所获得的导电性薄膜中的第3金属层的厚度分别从导电性薄膜2依次为280nm、250nm、240nm及275nm。
〔比较例1〕
在COP薄膜上，利用溅射装置，作为第1金属膜(晶种层)成膜了50nm的Cu。未形成第2金属膜，在第1金属膜上，以干燥后的厚度成为1μm的方式，通过旋涂机涂布了抗蚀剂组合物(正型抗蚀剂、Rohm and Haas Electronic Materials制、商品名“MCPR124MG”)。在90℃下干燥10min，从而获得了带抗蚀剂膜形成用组合物层的基板。接着，对带抗蚀剂膜形成用组合物层的基板，利用平行曝光机，经由光罩，将365nm的波长的光(曝光量为13mW/cm2。)照射2秒，接着，用0.15M氢氧化钠水溶液进行显影，从而获得了形成有具备开口部的抗蚀剂膜的基板(开口部的线宽为1.2μm±0.1μm。)。接着，为了之后的剥离，对抗蚀剂膜的整面进行了曝光(以13mW/cm2照射了3秒。)。接着，对形成有具备开口部的抗蚀剂膜的基板，利用硫酸铜high-throw浴(作为添加剂，含有“Top Lucina HT-A”与“Top Lucina HT-B”。均为OKUNOCHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制)进行电镀(电流密度3A/dm2)，在开口部内形成铜电镀膜(相当于第3金属膜、厚度300nm)，从而获得了带第3金属膜的基板。接着，利用0.15M氢氧化钠水溶液，从带第3金属膜的基板剥离抗蚀剂膜，接着，利用Cu蚀刻液(Wako PureChemical Industries,Ltd.制、商品名“Cu蚀刻剂”)，将第3金属膜作为掩模，去除第1金属膜(Cu层)，从而获得了具备金属细线的导电性薄膜。
〔比较例2〕
在COP薄膜上，利用溅射装置，作为第1金属膜(晶种层)，成膜了40nm的Ni。未形成第2金属膜，在第1金属膜上，以干燥后的厚度成为1μm的方式，通过旋涂机涂布了抗蚀剂组合物(正型抗蚀剂、Rohm and Haas Electronic Materials制、商品名「MCPR124MG」)。在90℃下干燥10min，从而获得了带抗蚀剂膜形成用组合物层的基板。接着，对带抗蚀剂膜形成用组合物层的基板，利用平行曝光机，经由光罩，将365nm的波长的光(曝光量为13mW/cm2。)照射2秒，接着，用0.15M氢氧化钠水溶液进行显影，从而获得了形成有具备开口部的抗蚀剂膜的基板(开口部的线宽为1.2μm±0.1μm。)。接着，为了之后的剥离，对抗蚀剂膜的整面进行了曝光(以13mW/cm2照射了3秒。)。接着，利用硫酸铜high-throw浴(作为添加剂，含有“Top Lucina HT-A”与“Top Lucina HT-B”。均为OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制)进行电镀(电流密度3A/dm2)，在开口部内形成铜电镀膜(相当于第3金属膜，厚度300nm)，从而获得了带第3金属膜的基板。接着，利用0.15M氢氧化钠水溶液，从带第3金属膜的基板剥离抗蚀剂膜，此时，导致形成于开口部内的第3金属膜也从第1金属膜(Ni层)上剥离，未能获得具备金属细线的导电性薄膜。
各导电性薄膜通过以下方法进行了评价。
〔金属细线的形成性〕
利用以上述方法制作的各导电性薄膜，对具备金属细线的一侧的基板主面，用指腹按压并密合透明胶带薄膜(“CT24”Nichiban Co.,Ltd.制)之后，剥离透明胶带。之后，通过肉眼确认了基板上的金属细线的剥离。
结果根据以下基准进行评价，将评价结果示于表1。另外，表1中的“-”表示未形成金属细线。
A：形成有金属细线，在上述试验中，也未观察到金属细线的剥离。
B：形成有金属细线，但在上述试验中，观察到了金属细线的剥离。
〔金属细线的线宽的偏差〕
对实施例及比较例的导电性薄膜，通过以下方法测定了金属细线的线宽的偏差。
首先，将导电性薄膜连同透明树脂基板包埋于树脂中，在宽度方向(与金属细线的延伸方向正交的方向)上使用超薄切片机进行切断，在所得到的截面上蒸镀碳之后，使用扫描型电子显微镜(Hitachi High-Technologies Corporation制S-550型)进行了观察。在观察范围3cm×3cm，测定随机20处的金属细线的线宽，计算测定出的值的平均值，以百分比表示相对于平均值的线宽的标准偏差来作为偏差。根据以下基准对结果进行评价，将其示于表1。
评价基准
A：金属细线的线宽的偏差为10％以下。
B：金属细线的线宽的偏差超过10％。
[表1]
另外，表1中，金属细线的线宽的偏差栏中记载的“-”表示未能获得金属细线。
根据表1中记载的结果，通过本发明的实施方式涉及的导电性薄膜的制造方法获得的导电性薄膜具备具有与透明树脂基板的优异的密合性的金属细线。
另一方面，比较例1中记载的导电性薄膜中，第1金属层含有铜作为主要成分，因此与透明树脂基板的密合性并不充分，金属细线的形成性差。并且，去除第1金属膜时，导致铜电镀层(与第3金属膜对应)的一部分(尤其铜电镀层的侧面部)也被去除，金属细线的线宽的偏差大。
比较例2中记载的导电性薄膜中，未能形成金属细线。推断这是因为，在第1金属膜上未形成第2金属膜，因此导致第1金属膜中的Ni氧化，与电镀层的密合性变差。
并且，抗蚀剂膜的开口部的线宽为1.4μm以下且第2金属膜的厚度小于50nm的实施例1～3的导电性薄膜与实施例4的导电性薄膜相比，金属细线的线宽的偏差更小。
符号说明
10-带第1金属膜的透明树脂基板，11-透明树脂基板，12-第1金属膜，20-带第2金属膜的透明树脂基板，22-第2金属膜，30-带抗蚀剂膜形成用组合物层的透明树脂基板，31-抗蚀剂膜形成用组合物层，40-带抗蚀剂膜的透明树脂基板，41-抗蚀剂膜，50-已去除开口部的第2金属膜的带抗蚀剂膜的透明树脂基板，60-带第3金属膜的透明树脂基板，61-第3金属膜，70-已去除抗蚀剂膜的带第3金属膜的透明树脂基板，80-已去除剩余的第2金属膜的带第3金属膜的透明树脂基板，90-导电性薄膜，91-金属细线，92-第1金属层，93-第3金属层，101-导电部。

Claims (7)

1.一种导电性薄膜的制造方法，其制造具备透明树脂基板及由金属细线构成的导电部的导电性薄膜，该导电部配置于所述透明树脂基板的至少一侧的主面上，所述制造方法依次具有：
在所述透明树脂基板的至少一侧的主面上以与所述透明树脂基板相接的方式形成含有镍作为主要成分的第1金属膜的工序；
在所述第1金属膜上以与所述第1金属膜相接的方式形成含有铜作为主要成分的第2金属膜的工序；
在所述第2金属膜上形成抗蚀剂膜的工序，该抗蚀剂膜在形成所述金属细线的区域具备开口部；
去除所述开口部内的所述第2金属膜的工序；
通过镀覆法在所述开口部内且在所述第1金属膜上形成第3金属膜的工序；
去除所述抗蚀剂膜的工序；
去除所述第1金属膜上的所述第2金属膜的工序；及
将所述第3金属膜作为掩模，去除所述第1金属膜的工序。
2.根据权利要求1所述的导电性薄膜的制造方法，其中
所述开口部的线宽为2.0μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜的制造方法，其中
所述开口部的线宽为1.4μm以下且所述第2金属膜的厚度小于50nm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的导电性薄膜的制造方法，其中
所述第3金属膜的厚度为200～1500nm。
5.一种导电性薄膜，其具备透明树脂基板及由金属细线构成的导电部，该导电部配置于所述透明树脂基板的至少一侧的主面上，其中，
所述金属细线从所述透明树脂基板侧起依次具备：
第1金属层，含有镍作为主要成分；及
第3金属层，含有铜作为主要成分，
所述第1金属层与所述透明树脂基板相接，
所述金属细线的线宽为2.0μm以下。
6.根据权利要求5所述的导电性薄膜，其中
所述金属细线的线宽的偏差为10％以下。
7.根据权利要求5或6所述的导电性薄膜，其中
所述第3金属层的厚度为200～1500nm。
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