TWI795356B - 導電性基板 - Google Patents

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Abstract

提供一種導電性基板，其具有：透明基材；金屬層，配置在該透明基材的至少一表面上；及濕式鍍黑化層，配置在該金屬層上。其中，該金屬層的與該濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra(μm)為該濕式鍍黑化層的厚度(μm)的0.35倍以上。

Description

導電性基板
本發明涉及導電性基板。
靜電容量式觸屏藉由對接近面板表面的物體所引起的靜電容量的變化進行檢測，可將面板表面上的接近物體的位置資訊變換為電信號。由於靜電容量式觸屏中所使用的導電性基板設置在顯示器表面上，故要求導電性基板的導電層的材料的反射率較低且難以被視認。
因此，作為靜電容量式觸屏中所使用的導電性基板的導電層的材料，使用了反射率較低且難以被視認的材料，並在透明基板或透明薄膜上還形成了配線。
例如，專利文獻1中公開了一種透明導電性薄膜，其包括高分子薄膜及在其上採用氣相成膜法所設置的由金屬氧化物組成的透明導電膜，其特徵在於，由第一金屬氧化物組成的透明導電膜及在其上所設置的由第二金屬氧化物組成的透明導電膜構成了上述由金屬氧化物組成的透明導電膜，並且在與由第一金屬氧化物組成的透明導電膜的成膜條件不同的條件下形成了上述由第二金屬氧化物組成的透明導電膜。此外，還公開了由金屬氧化物組成的透明導電膜為氧化銦-氧化錫(ITO)膜。
另外，近年來，具備觸屏的顯示器正趨於大畫面化和高性能化，與此相應地，研討了作為導電層的材料使用銅等金屬以取代電阻較高 的ITO的技術(例如參照專利文獻2、3)。然而，由於金屬具有金屬光澤，故存在反射會導致顯示器的視認性下降的問題。為此，還研討了除了作為導電層的銅等金屬層之外還具有由黑色材料構成的黑化層的導電性基板。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本國特開2003-151358號公報
〔專利文獻2〕日本國特開2011-018194號公報
〔專利文獻3〕日本國特開2013-069261號公報
此外，就具有金屬層和黑化層的導電性基板而言，為了使其成為具有預期配線圖案的導電性基板，通常採用一種在透明基材的至少一個面上形成金屬層和黑化層之後，再對金屬層和黑化層進行蝕刻的方法。
然而，對金屬層和黑化層進行蝕刻時，導電性基板內存在例如一部分會比其他部分先溶解等進而導致難以均勻地進行蝕刻的情況。如此，若不能在導電性基板內均勻地進行蝕刻，則存在所形成的配線圖案的線寬會產生偏差的情況和問題。
鑑於上述先前技術的問題，於本發明的一方面，以提供一種蝕刻均勻性較優的導電性基板為目的。
為了解決上述課題，於本發明的一方面，提供一種導電性基板，其具有： 透明基材；金屬層，配置在該透明基材的至少一表面上；及濕式鍍黑化層，配置在該金屬層上，其中，該金屬層的與該濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra(μm)為該濕式鍍黑化層的厚度(μm)的0.35倍以上。
根據本發明的一方面，可提供一種蝕刻均勻性較優的導電性基板。
10A、10B、20A、20B、30‧‧‧導電性基板
11、111、112‧‧‧透明基材
12、121、122‧‧‧金屬層
13、131、132、321、322‧‧‧濕式鍍黑化層
〔第1A圖〕本發明實施方式的導電性基板的斷面圖。
〔第1B圖〕本發明實施方式的導電性基板的斷面圖。
〔第2A圖〕本發明實施方式的導電性基板的斷面圖。
〔第2B圖〕本發明實施方式的導電性基板的斷面圖。
〔第3圖〕本發明實施方式的具有網狀配線的導電性基板的俯視圖。
〔第4A圖〕沿圖3的A-A’線的斷面圖。
〔第4B圖〕沿圖3的A-A’線的斷面圖。
以下對本發明的導電性基板及導電性基板的製造方法的一實施方式進行說明。
(導電性基板)
本實施方式的導電性基板可具有：透明基材；配置在透明基材的至少 一表面上的金屬層；及配置在金屬層上的濕式鍍黑化層。此外，金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra(μm)可為濕式鍍黑化層的厚度(μm)的0.35倍以上。
需要說明的是，本實施方式的導電性基板是指包括：對金屬層等進行圖案化之前的在透明基材的表面上具有金屬層和黑化層的基板；及對金屬層等進行圖案化以形成了配線形狀的基板、即、配線基板。就對金屬層和黑化層進行了圖案化之後的導電性基板而言，由於透明基材包括未被金屬層等覆蓋的區域，故可使光透過，為透明導電性基板。
這裡，首先在下面對本實施方式的導電性基板中所包含的各部件進行說明。
作為透明基材，對其並無特別限定，可較佳使用能使可視光透過的絕緣體薄膜或玻璃基板等。
作為能使可視光透過的絕緣體薄膜，例如，較佳可使用從聚醯胺系薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯系薄膜(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)系薄膜、環烯系薄膜、聚醯亞胺(PI)系薄膜、聚碳酸酯(PC)系薄膜等中所選擇的1種以上。特別地，作為能使可視光透過的絕緣體薄膜的材料，優選可使用從PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、COP(環烯聚合物)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯等中所選擇的1種以上。
對透明基材的厚度並無特別限定，可根據作為導電性基板使用時所要求的強度、靜電容量或光透過率等進行任意選擇。作為透明基材的厚度，例如可為10μm以上且200μm以下。尤其是在用於觸屏的用途的 情況下，透明基材的厚度較佳為20μm以上且120μm以下，優選為20μm以上且100μm以下。在用於觸屏的用途的情況下，例如，尤其是在要求顯示器的整體厚度較薄的用途中，透明基材的厚度較佳為20μm以上且50μm以下。
透明基材的全光線透過率較高為佳，例如，全光線透過率較佳為30%以上，優選為60%以上。藉由使透明基材的全光線透過率位於上述範圍內，例如在用於觸屏的用途的情況下，可充分確保顯示器的視認性。
需要說明的是，可藉由JIS K 7361-1中所規定的方法對透明基材的全光線透過率進行評價。
接著，對金屬層進行說明。
對構成金屬層的材料並無特別限定，可選擇具有滿足其用途的導電率的材料，然而，從電氣特性較優且容易進行蝕刻處理的觀點來看，作為構成金屬層的材料，較佳使用銅。即，金屬層較佳含有銅。
在金屬層包括銅的情況下，構成金屬層的材料較佳為例如Cu與從Ni、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Mn、Co及W中所選擇的至少1種以上的金屬的銅合金或者包括銅和從上述金屬中所選擇的1種以上的金屬的材料。此外，金屬層也可為由銅構成的銅層。
對形成金屬層的方法並無特別限定，然而，為了不降低光的透過率，較佳為以在其他部件和金屬層之間不配置接著劑的方式來形成金屬層。即，金屬層較佳為直接形成在其他部件的上表面。需要說明的是，金屬層可形成在透明基材或密著層的上表面。為此，金屬層較佳為直接形成在透明基材或密著層的上表面。
為了在其他部件的上表面直接形成金屬層，金屬層較佳具有採用乾式鍍法而成膜的金屬薄膜層。作為乾式鍍法，對其並無特別限定，例如，可採用蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等。尤其從可容易地進行膜厚控制的觀點來看，較佳使用濺射法。
此外，在使金屬層較厚的情況下，還可使用乾式鍍法和濕式鍍法。具體而言，例如，可在透明基材上採用乾式鍍法形成金屬薄膜層，之後將該金屬薄膜層作為供電層來使用，並採用作為濕式鍍法的一種的電解鍍來形成金屬鍍層。
需要說明的是，在如上所述僅採用乾式鍍法對金屬層進行成膜的情況下，金屬層可由金屬薄膜層構成。此外，在組合使用乾式鍍法和濕式鍍法來形成金屬層的情況下，金屬層可由金屬薄膜層和金屬鍍層構成。即，金屬層還可具有金屬鍍層。
如上所述，可僅採用乾式鍍法或組合使用乾式鍍法和濕式鍍法來形成金屬層，據此可不藉由接著劑而直接在透明基材或密著層上形成金屬層。
就本實施方式的導電性基板而言，金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra較佳為濕式鍍黑化層的厚度的0.35倍以上。此外，作為使金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra為預期值的方法，如後所述，例如可列舉出對所形成的金屬層進行表面處理的方法、對金屬薄膜層的濺射條件進行選擇的方法、對金屬鍍層成膜時的條件進行選擇的方法等。需要說明的是，作為對金屬鍍層成膜時的條件進行選擇的方法，例如可列舉出使用了在對金屬鍍層進行成膜的中途使供給至電極的 電流的方向周期反轉的PR電流(Periodic Reverse電流)的電鍍法、使用了使電流密度降低的低電流密度的電鍍法等。
此外，根據對金屬鍍層成膜時的條件進行選擇的方法可知，不會增加製造導電性基板時的步驟數，尤其是可容易地使金屬鍍層表面的表面粗糙度Ra變為預期值。故，較佳為，採用對金屬鍍層成膜時的條件進行選擇的方法使金屬層表面的表面粗糙度Ra位於預定範圍內。為此，本實施方式的導電性基板的金屬層較佳具有金屬鍍層(濕式鍍金屬層)。
對金屬層的厚度並無特別限定，在將金屬層使用為配線的情況下，可根據供給至該配線的電流的大小或配線的寬度等進行任意選擇。
然而，如果金屬層較厚，則為了形成配線圖案而進行蝕刻時所需的時間較長，由此容易發生側蝕，存在發生難以形成細線等問題的情況。為此，金屬層的厚度較佳為5μm以下，優選為3μm以下。
此外，為了使金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度位於預定範圍內，進一步從減小導電性基板的電阻值以可充分進行電流供給的觀點來看，例如，金屬層的厚度較佳為50nm以上，優選為60nm以上，最佳為150nm以上。
需要說明的是，在金屬層如上所述具有金屬薄膜層和金屬鍍層的情況下，金屬薄膜層的厚度和金屬鍍層的厚度的合計優選位於上述範圍內。
在金屬層由金屬薄膜層構成的情況下或由金屬薄膜層和金屬鍍層構成的情況下，都對金屬薄膜層的厚度並無特別限定，例如，較佳為50nm以上且500nm以下。
此外，在本實施方式的導電性基板中，金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra(μm)可為濕式鍍黑化層的厚度(μm)的0.35倍以上。
本發明的發明人對在將透明基材上配置了金屬層和濕式鍍黑化層的導電性基板蝕刻為預期配線圖案時導電性基板內無法進行均勻蝕刻的原因進行了銳意探討和研究。
其結果為，確認到了，在不能進行均勻蝕刻的導電性基板內，在導電性基板中的一部份處，蝕刻液進入了金屬層和濕式鍍黑化層之間。
一般而言，濕式鍍黑化層與金屬層相比其相對於蝕刻液的反應性較低，故，在對金屬層和濕式鍍黑化層進行蝕刻所需的時間中，濕式鍍黑化層的蝕刻所需的時間占的比例較大。此外，如果如上所述蝕刻液進入了金屬層和濕式鍍黑化層之間，則進入了的蝕刻液也會從金屬層側對濕式鍍黑化層進行蝕刻，故，該部分與該蝕刻液沒有進入的部分相比，會被較快地進行蝕刻。為此，出現了導電性基板內無法進行均勻蝕刻的情況。需要說明的是，濕式鍍黑化層的厚度越厚，金屬層和濕式鍍黑化層之間進入了蝕刻液的部分和該部分以外的部分的蝕刻所需的時間差越大，越容易出現蝕刻不均。
因此，就本實施方式的導電性基板而言，其為一種金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra(μm)是濕式鍍黑化層的厚度(μm)的0.35倍以上的導電性基板，由此可藉由濕式鍍黑化層的厚度提高金屬層和濕式鍍黑化層之間的密著性，並且蝕刻均勻性也較優。
需要說明的是，金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra如上所述盡管可被選擇為滿足與濕式鍍黑化層厚度之間的比值，然而，較佳為0.024μm以上，優選為0.030μm以上。其原因在於，藉由使金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra為0.024μm以上，尤其可抑制金屬層和濕式鍍黑化層之間的蝕刻液的進入。
對金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra的上限值並無特別限定，然而，較佳為0.080μm以下，優選為0.060μm以下。其原因在於，如果金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra超過0.080μm，則存在不能均勻地對濕式鍍黑化層進行被覆的情況，可能會對濕式鍍黑化層的顏色產生不良影響。
需要說明的是，表面粗糙度Ra在JIS B 0601(2013)中被規定為算術平均粗糙度。作為表面粗糙度Ra的測定方法，可採用觸針法或光學法等進行評價。
接著，對濕式鍍黑化層進行說明。
由於金屬層具有金屬光澤，故，如果在透明基材上僅形成藉由對金屬層進行蝕刻而獲得的配線，則金屬層會對光進行反射，在例如作為觸屏用配線基板而使用的情況下，存在顯示器的視認性下降的問題。因此，為了對金屬層表面的光反射進行抑制，在本實施方式的導電性基板的金屬層上可設置濕式鍍黑化層。
濕式鍍黑化層較佳為包括例如從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中所選擇的至少1種以上的金屬。此外，濕式鍍黑化層還可包括從碳、氧、氫及氮中所選擇的1種以上的元素。
需要說明的是，濕式鍍黑化層也可包括含有從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中所選擇的至少2種以上的金屬的金屬合金。在此情況下，濕式鍍黑化層也還可包括從碳、氧、氫及氮中所選擇的1種以上的元素。此時，作為含有從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中所選擇的至少2種以上的金屬的金屬合金，較佳可使用Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Zn-Cu合金、Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Cr合金。
濕式鍍黑化層可藉由濕式鍍法進行成膜。
在採用濕式鍍法對濕式鍍黑化層進行成膜的情況下，可根據濕式鍍黑化層的材料選擇鍍液，並可藉由例如電解鍍法進行成膜。
對濕式鍍黑化層的厚度並無特別限定，然而，例如較佳為40nm以上，優選為50nm以上。其原因在於，在濕式鍍黑化層的厚度較薄的情況下，存在不能充分抑制金屬層表面的光反射的情況，故，如上所述使濕式鍍黑化層的厚度為40nm以上，據此尤其可抑制金屬層表面的光反射，為較佳。
對濕式鍍黑化層的厚度的上限值並無特別限定，然而，如果過厚，則成膜所需的時間或形成配線時所需的時間變長，會導致成本上昇。為此，濕式鍍黑化層的厚度較佳為80nm以下，優選為70nm以下。
在本實施方式的導電性基板中，藉由配置濕式鍍黑化層，可如上所述抑制金屬層表面的光反射。為此，在例如使用於觸屏等的用途的情況下，可抑制顯示器的視認性的下降。
此外，在導電性基板上還可設置除了上述的透明基材、銅層 及濕式鍍黑化層之外的任意的層。例如，可設置密著層。
對密著層的構成例進行說明。
如上所述金屬層可形成在透明基材上，然而，在透明基材上直接形成金屬層的情況下，存在透明基材和金屬層之間的密著性不充分的情況。為此，在透明基材的上表面直接形成金屬層的情況下，存在製造時或使用時金屬層會從透明基材剝離的情況。
因此，在本實施方式的導電性基板中，為了提高透明基材和金屬層之間的密著性，可在透明基材上配置密著層。
藉由在透明基材和金屬層之間配置密著層，可提高透明基材和金屬層之間的密著性，並可抑制金屬層從透明基材剝離。
此外，密著層還可發揮作為黑化層的功能。為此，也可對來自金屬層的下側即透明基材側的光所引起的金屬層表面的光反射進行抑制。
對構成密著層的材料並無特別限定，可根據與透明基材和金屬層之間的密著力或所要求的金屬層表面的光反射的抑制程度、及相對於導電性基板的使用環境(例如，濕度或溫度)的穩定性程度等進行任意選擇。
密著層較佳包括例如從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中所選擇的至少1種以上的金屬。此外，密著層也還可包括從碳、氧、氫及氮中所選擇的1種以上的元素。
需要說明的是，密著層還可包括含有從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中所選擇的至少2種以上的金屬的 金屬合金。在此情況下，密著層也還可包括從碳、氧、氫及氮中所選擇的1種以上的元素。此時，作為含有從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中所選擇的至少2種以上的金屬的金屬合金，較佳可使用Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Zn-Cu合金、Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Cr合金等。
對密著層的成膜方法並無特別限定，然而，較佳採用乾式鍍法進行成膜。作為乾式鍍法，例如可較佳使用濺射法、離子鍍法、蒸鍍法等。在採用乾式鍍法對密著層進行成膜的情況下，從可容易對膜厚進行控制的角度來看，較佳使用濺射法。需要說明的是，在密著層中也可如上所述添加從碳、氧、氫及氮中所選擇的1種以上的元素，在此情況下，優選使用反應性濺射法。
在採用濺射法對密著層進行成膜的情況下，作為靶材，可使用含有構成密著層的金屬的靶材。在密著層包括合金的情況下，可按照密著層中所包括的每種金屬來使用靶材，由此在基材等被成膜體的表面上形成合金，此外，也可使用預先對密著層中所包括的金屬進行了合金化的靶材。
此外，就含有從碳、氧、氫、氮中所選擇的1種以上的元素的密著層而言，可藉由在對密著層進行成膜時的環境氣體中事先添加含有所要添加的元素的氣體而進行成膜。例如，在要向密著層添加碳的情況下，可事先向進行乾式鍍時的環境氣體中添加一氧化碳氣體和/或二氧化碳氣體，在要向密著層添加氧的情況下，可事先向進行乾式鍍時的環境氣體中添加氧氣，在要向密著層添加氫的情況下，可事先向進行乾式鍍時的環境 氣體中添加氫氣和/或水，在要向密著層添加氮的情況下，可事先向進行乾式鍍時的環境氣體中添加氮氣。
就含有從碳、氧、氫、氮中所選擇的1種以上的元素的氣體而言，優選將其添加至非活性氣體，以作為乾式鍍時的環境氣體。作為非活性氣體，對其並無特別限定，例如可優選使用氬氣。
藉有對密著層如上所述採用乾式鍍法進行成膜，可提高透明基材和密著層之間的密著性。此外，就密著層而言，例如可包括金屬作為其主成分，故也可提高其與金屬層之間的密著性。為此，藉由在透明基材和金屬層之間配置密著層，可對金屬層的剝離進行抑制。
對密著層的厚度並無特別限定，例如較佳為3nm以上且50nm以下，優選為3nm以上且35nm以下，最佳為5nm以上且33nm以下。
在使密著層也發揮作為黑化層的功能的情況下，即，在也使其對金屬層的光反射進行抑制的情況下，密著層的厚度如上所述較佳為3nm以上，優選為5nm以上。
對密著層的厚度的上限值並無特別限定，然而，如果過厚，則成膜所要的時間或形成配線時的蝕刻所要的時間變長，會導致成本上昇。為此，密著層的厚度如上所述較佳為50nm以下，優選為35nm以下，最佳為33nm以下。
接著，對本實施方式的導電性基板的構成例進行說明。
如上所述，本實施方式的導電性基板可具備透明基材、金屬層及濕式鍍黑化層。
下面參照圖1A、圖1B、圖2A、圖2B對具體構成例進行說 明。圖1A、圖1B、圖2A、圖2B示出了本實施方式的導電性基板的與透明基材、金屬層及濕式鍍黑化層的積層方向平行的面的斷面圖的例子。
例如，如圖1A所示的導電性基板10A那樣，可在透明基材11的一表面11a側依次對金屬層12和濕式鍍黑化層13進行各為一層的積層。
在圖1A所示的導電性基板10A中，可將金屬層12的與透明基材11相對的表面作為第1金屬層表面12a，並可將位於第1金屬層表面12a相反側的表面、即、金屬層12的與在金屬層12上配置的濕式鍍黑化層13相對的表面作為第2金屬層表面12b。
此外，就第2金屬層表面12b而言，如上所述，其表面粗糙度Ra可被形成為與濕式鍍黑化層13的厚度具有預定的比例。
此外，如圖1B所示的導電性基板10B那樣，還可在透明基材11的一表面11a側和另一個面(另一表面)11b側分別依次對金屬層121、122和濕式鍍黑化層131、132進行各為一層的積層。
在此情況下，就金屬層121、122而言，也可將與透明基材11相對的表面作為第1金屬層表面121a、122a，並將位於與第1金屬層表面121a，122a相反側的表面作為第2金屬層表面121b、122b。此外，就第2金屬層表面121b、122b而言，如上所述，其表面粗糙度Ra分別可被形成為與濕式鍍黑化層131、132的厚度具有預定的比例。
此外，如上所述，在透明基材11和金屬層12之間還可具有密著層。
例如，如圖2A所示的導電性基板20A那樣，可在透明基材 11的一表面11a側依次對密著層14、金屬層12及濕式鍍黑化層13進行積層。在此情況下，也可將金屬層12的與透明基材11相對的表面作為第1金屬層表面12a，並可將位於與第1金屬層表面12a相反側的表面作為第2金屬層表面12b。此外，就第2金屬層表面12b而言，如上所述，其表面粗糙度Ra可被形成為與濕式鍍黑化層13的厚度具有預定的比例。
此外，如圖2B所示的導電性基板20B那樣，還可在透明基材11的一表面11a側和另一個面(另一面)11b側分別對密著層141、14、金屬層121、122及濕式鍍黑化層131、132進行各為一層的積層。
在此情況下，就金屬層121、122而言，也可將與透明基材11相對的表面作為第1金屬層表面121a、122a，並可將位於第1金屬層表面121a、122a相反側的表面作為第2金屬層表面121b、122b。此外，就第2金屬層表面121b、122b而言，如上所述，其表面粗糙度Ra分別可被形成為與配置在金屬層上的濕式鍍黑化層131、132的厚度具有預定的比例。
需要說明的是，在圖1B、圖2B中，盡管示出了在透明基材的兩個表面上進行了金屬層和濕式鍍黑化層的積層的情況下，以透明基材11為對稱面，在透明基材11的上下進行了積層的層為對稱配置的例子，然而，並不限定於該形態。例如，在圖2B中，還可使透明基材11的一個面11a側的構成與圖1A的構成同樣地為依次對金屬層12和濕式鍍黑化層13進行了積層的形態，由此可使在透明基材11的上下進行了積層的層為非對稱構成。
本實施方式的導電性基板較佳可作為觸屏用導電性基板而使用。在此情況下，導電性基板可為具有網狀配線的構成。
可藉由對至此所說明的本實施方式的導電性基板的金屬層和濕式鍍黑化層進行蝕刻來獲得具有網狀配線的導電性基板。
例如，可採用兩層配線形成網狀配線。具體構成例示於圖3。圖3示出了對具有網狀配線的導電性基板30從金屬層等的積層方向的上表面側進行觀察時的圖，為了容易理解配線圖案，藉由對透明基材11和金屬層進行圖案化而形成的配線311、312之外的層的圖示被進行了省略。此外，還示出了穿過透明基材11可看到的配線312。
圖3所示的導電性基板30具有透明基材11、與圖中Y軸方向平行的複數個配線311及與X軸方向平行的配線312。需要說明的是，配線311、312藉由對金屬層進行蝕刻而形成，在該配線311、312的上表面或下表面上還形成了圖中未示的濕式鍍黑化層。此外，就濕式鍍黑化層而言，其較佳被蝕刻為，與透明基材11的配置了金屬層等的表面(以下記為「主表面」)平行的面的斷面形狀和配線311、312的與透明基材11的主表面平行的面的斷面形狀為相同形狀。
對透明基材11和配線311、312的配置並無特別限定。透明基材11和配線的配置的構成例示於圖4A、圖4B。圖4A、圖4B為沿圖3的A-A’線的斷面圖。
首先，如圖4A所示，可在透明基材11的上下表面上分別配置配線311、312。需要說明的是，在圖4A中，在配線311的上表面和312的下表面上配置了濕式鍍黑化層321、322，其被蝕刻為，與透明基材11的主表面平行的面的斷面形狀與配線311、312具有相同的形狀。
此外，如圖4B所示，也可使用1組透明基材111、112夾著 其中一個透明基材111在上下表面上配置配線311、312，並且，一個配線312配置在透明基材111、112之間。在此情況下，在配線311、312的上表面也配置了濕式鍍黑化層321、322，其被蝕刻為，與透明基材111的主表面平行的面的斷面形狀與配線311、312具有相同的形狀。
需要說明的是，如上所述，本實施方式的導電性基板除了金屬層和濕式鍍黑化層之外還可具有密著層。為此，在圖4A和圖4B的任一情況下，例如可在配線311和/或配線312與透明基材11(111、112)之間設置密著層。在設置密著層的情況下，密著層也較佳被蝕刻為，與透明基材11(111、112)的主表面平行的面的斷面形狀與配線311、312具有相同的形狀。
就具有圖3和圖4A所示的網狀配線的導電性基板而言，例如，可基於如圖1B那樣的在透明基材11的兩面具備金屬層121、122和濕式鍍黑化層131、132的導電性基板而形成。
以使用圖1B的導電性基板來形成的情況為例進行說明，首先，對透明基材11的一個面11a側的金屬層121和濕式鍍黑化層131進行蝕刻，以使與圖1B中Y軸方向平行的複數個線狀圖案沿X軸方向被配置為隔開預定間隔。需要說明的是，圖1B中的X軸方向是指與各層的寬方向平行的方向。此外，圖1B中的Y軸方向是指與圖1B中的紙面垂直的方向。
之後，對透明基材11的另一面11b側的金屬層122和濕式鍍黑化層132進行蝕刻，以使與圖1B中X軸方向平行的複數個線狀圖案沿Y軸方向被配置為隔開預定間隔。
藉由以上操作，可形成圖3和圖4A所示的具有網狀配線的 導電性基板。需要說明的是，也可同時對透明基材11的兩面進行蝕刻。即，可同時進行金屬層121、122和濕式鍍黑化層131、132的蝕刻。此外，就圖4A中的在配線311、312和透明基材11之間還具有被圖案化為形狀與配線311、312相同的密著層的導電性基板而言，還可使用圖2B所示的導電性基板20B來代替圖1B所示的導電性基板10B，並進行同樣的蝕刻，由此進行製作。
就圖3所示的具有網狀配線的導電性基板而言，還可使用2個圖1A或圖2A所示的導電性基板進行形成。以使用2個圖1A的導電性基板來形成的情況為例進行說明，針對圖1A所示的2個導電性基板，分別對金屬層12和濕式鍍黑化層13進行蝕刻，以使與X軸方向平行的複數個線狀圖案沿Y軸方向被配置為隔開預定間隔。之後，調整2個導電性基板的方向並使其貼合，以使藉由上述蝕刻處理在各導電性基板上所形成的線狀圖案相互交差，由此可獲得具有網狀配線的導電性基板。對2個導電性基板貼合時的貼合面並無特別限定。例如，也可使進行了金屬層12等的積層的圖1A中的表面A和透明基材11的沒有進行金屬層12等的積層的圖1A中的另一表面11b相互貼合，由此獲得圖4B所示的結構。
此外，例如，還可使透明基材11的沒有進行金屬層12等的積層的圖1A中的另一表面11b相互貼合，據此使斷面成為圖4A所示的結構。
需要說明的是，就圖4A和圖4B中的在配線311、312和透明基材11(111、112)之間還具有形狀被圖案化為與配線311、312相同的密著層的導電性基板而言，也可使用圖2A所示的導電性基板20A代替圖1A所示的導電性基板10A來進行製作。
對圖3、圖4A、圖4B所示的具有網狀配線的導電性基板的配線寬度或配線間距並無特別限定，例如，可根據配線中所流動的電流量等進行選擇。
此外，在圖3、圖4A、圖4B中，盡管示出了對直線形狀的配線進行組合以形成網狀配線(配線圖案)的例子，然而，並不限定於該形態，即，構成配線圖案的配線還可為任意形狀。例如，為了不與顯示器的畫像之間產生干涉紋(moire)，構成網狀配線圖案的配線形狀可分別為彎曲成鋸齒狀的線(“之”字直線)等的各種形狀。
根據以上所說明的本實施方式的導電性基板，不僅可藉由濕式鍍黑化層的厚度提高金屬層和濕式鍍黑化層之間的密著性，而且還可獲得蝕刻均勻性較優的導電性基板。
(導電性基板的製造方法)
接著，對本實施方式的導電性基板的製造方法的構成例進行說明。
本實施方式的導電性基板的製造方法可具有下面的步驟。
在透明基材的至少一表面上形成金屬層的金屬層形成步驟。
在金屬層上採用濕式鍍法形成濕式鍍黑化層的濕式鍍黑化層形成步驟。
此外，在金屬層形成步驟中，以金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra(μm)為濕式鍍黑化層的厚度(μm)的0.35倍以上的方式形成金屬層。需要說明的是，在濕式鍍黑化層形成步驟中，還可調整濕式鍍黑化層的厚度，以使金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra(μm)為濕式鍍黑化層的厚度(μm)的0.35倍以上。
下面對本實施方式的導電性基板的製造方法進行說明，需要說明的是，就以下所說明的部分之外的部分而言，由於可被構成為與上述導電性基板時同樣的結構，故對其說明進行了省略。
首先，對金屬層形成步驟進行說明。
需要說明的是，可預先準備供金屬層形成步驟所使用的透明基材(透明基材準備步驟)。作為透明基材，如上所述例如可使用能使可視光透過的絕緣體薄膜或玻璃基板等，此外，根據需要還可預先將其切斷為任意尺寸等。需要說明的是，關於可較佳使用的能使可視光透過的絕緣體薄膜，由於已經在上面進行了敘述，故省略其說明。
此外，金屬層如上所述較佳具有金屬薄膜層。金屬層還可具有金屬薄膜層和金屬鍍層。為此，金屬層形成步驟可具有例如採用乾式鍍法形成金屬薄膜層的金屬薄膜層形成步驟。此外，金屬層形成步驟還可具有採用乾式鍍法形成金屬薄膜層的金屬薄膜層形成步驟、及以該金屬薄膜層為供電層並採用作為濕式鍍法的一種的電解鍍法形成金屬鍍層的金屬鍍層形成步驟。
如上所述，可僅採用乾式鍍法或組合使用乾式鍍法和濕式鍍法來形成金屬層，由此可在透明基材或密著層上不藉由接著劑而直接形成金屬層，故為較佳。
作為在金屬薄膜層形成步驟中所使用的乾式鍍法，對其並無特別限定，例如，可使用蒸鍍法、濺射法或離子鍍法等。需要說明的是，作為蒸鍍法，較佳可使用真空蒸鍍法。作為在金屬薄膜層形成步驟中所使用的乾式鍍法，尤其從可容易進行膜厚控制的觀點來看，濺射法為較佳。
此外，對在接著金屬鍍層形成步驟中採用濕式鍍法形成金屬鍍層時的條件、即、電解鍍處理的條件並無特別限定，採用常規方法中的諸條件即可。例如，可將形成了金屬薄膜層的基材放入具有金屬鍍液的鍍槽內，並對電流密度或基材搬送速度進行控制，據此可形成金屬鍍層。
然而，在本實施方式的導電性基板的製造方法中，就金屬層形成步驟中所形成的金屬層而言，其可具有與透明基材相對的第1金屬層表面及位於第1金屬層表面的相反側並與濕式鍍黑化層相對的第2金屬層表面。此外，第2金屬層表面的表面粗糙度Ra較佳為濕式鍍黑化層的厚度的0.35倍以上。
對使第2金屬層表面具有預期的表面粗糙度Ra的方法並無特別限定，可採用任意的方法。
作為使第2金屬層表面具有預期表面粗糙度的方法，例如，可列舉出藉由對成膜了的金屬層的表面進行蝕刻、化學研磨或噴砂等以進行表面處理，據此獲得預期表面粗糙度的方法(以下也記為「對形成了金屬層進行表面處理的方法」)。在此情況下，本實施方式的導電性基板的製造方法在金屬層形成步驟之後還可具有對金屬層進行表面處理的表面處理步驟。
此外，還可列舉出對金屬薄膜層成膜時的濺射條件進行選擇，據此使金屬薄膜層的最表面的表面粗糙度為預期表面粗糙度的方法(以下也記為「對金屬薄膜層的濺射條件進行選擇的方法」)。需要說明的是，在金屬層僅由金屬薄膜層構成的情況下，可對濺射條件進行選擇，以使金屬薄膜層的最表面具有金屬層的預期表面粗糙度。此外，在金屬層具有金 屬薄膜層和金屬鍍層的情況下，當在金屬薄膜層上進行金屬鍍層的成膜時，可對金屬薄膜層成膜時的濺射條件進行選擇，以使金屬鍍層的表面的表面粗糙度具有金屬層的預期表面粗糙度。
作為其他方法，在金屬層包括金屬薄膜層和金屬鍍層的情況下，可藉由對金屬鍍層成膜時的被覆(plating)條件進行選擇，以使第2金屬層表面具有預期表面粗糙度。
具體而言，例如，可列舉出在對金屬鍍層進行成膜的金屬鍍層形成步驟中，在後半的任意時機實施PR電流(Periodic Reverse電流)鍍，由此使金屬層的表面粗糙度成為預期表面粗糙度的方法(以下也記為「使用了PR電流的鍍法」)。PR電流鍍是在金屬鍍層成膜時使電流方向在任意時機反轉的鍍法，可使電流方向周期反轉。在PR電流鍍中，藉由使電流方向反轉，成膜了金屬鍍的一部分會發生溶解。據此，可容易地對金屬鍍層的表面粗糙度進行調整。
在此情況下，金屬鍍層形成步驟可具有：沿一定方向供給電流以進行初期金屬鍍層成膜的定方向電流金屬鍍層形成步驟；及在定方向電流金屬鍍層形成步驟之後，實施使電流方向周期反轉的PR電流鍍的PR電流金屬鍍層形成步驟。即，金屬層形成步驟可具有：金屬薄膜層形成步驟；定方向電流金屬鍍層形成步驟；及PR電流金屬鍍層形成步驟。
需要說明的是，可連續實施定方向電流金屬鍍層形成步驟和PR電流金屬鍍層形成步驟。
此外，定方向電流金屬鍍層形成步驟和PR電流金屬鍍層形成步驟較佳為在單一鍍槽中進行實施。其原因在於，藉由在單一鍍槽中進 行實施，可增大金屬層內的結晶，並可降低金屬層的電阻。
此外，作為其他方法，例如還可列舉出在對金屬鍍層進行成膜的金屬鍍層形成步驟中，在後半的任意時機，與一般被覆時相比可降低電流密度(Dk值)，並可在低電流密度條件下對金屬鍍層進行成膜的方法(以下也記為「使用了低電流密度的鍍法」)。藉由在低電流密度條件下對金屬鍍層進行成膜，由於與使電流密度降低之前相比，可使成膜了的金屬鍍層的表面粗化，故，藉由調整電流密度，可獲得預期的表面粗糙度。
在此情況下，金屬鍍層形成步驟例如可具有在0.5A/dm2以上的電流密度的條件下對初期金屬鍍層進行成膜的初期金屬鍍層形成步驟、及在初期金屬鍍層形成步驟後，在0.1A/dm2以上且0.5A/dm2以下的電流密度的條件下對粗化金屬鍍層進行成膜的粗化金屬鍍層形成步驟。需要說明的是，在粗化金屬鍍層形成步驟中，電流密度較佳為0.1A/dm2以上且小於0.5A/dm2。此外，還可藉由初期金屬鍍層和粗化金屬鍍層構成金屬鍍層。
在此情況下，金屬層形成步驟可具有金屬薄膜層形成步驟、初期金屬鍍層形成步驟及粗化金屬鍍層形成步驟。
此外，就初期金屬鍍層形成步驟和粗化金屬鍍層形成步驟而言，在實施各步驟期間，電流密度並不需要保持一定，也可進行變化。
例如，在初期金屬鍍層形成步驟的情況下，步驟開始後，可使電流密度至到達目標電流密度為止逐漸上昇。就初期金屬鍍層形成步驟中的最大電流密度而言，較佳被設定為大于後述的粗化金屬鍍層形成步驟的電流密度。此外，就初期金屬鍍層形成步驟中的電流密度的上限值而言， 可根據所要求的金屬鍍層的厚度、電鍍處理槽的長度、鍍浴的耐電流密度性能等進行確定，盡管對其並無特別限定，然而，例如較佳為4A/dm2以下。
此外，對粗化金屬鍍層形成步驟中的電流密度的控制也無特別限定，然而，例如可使所設定的粗化金屬鍍層形成步驟中的電流密度保持一定，由此進行金屬鍍層的成膜。
需要說明的是，也可連續實施初期金屬鍍層形成步驟和粗化金屬鍍層形成步驟。在此情況下，例如在初期金屬鍍層形成步驟中，首先從開始時的開始時電流密度開始使電流密度上昇至作為目標的最大電流密度，由此進行初期金屬鍍層的成膜。接著，可在到達所設定的目標的最大電流密度之後立即、或保持預定時間之後，例如使電流密度下降至粗化金屬鍍層形成步驟中的設定電流密度，由此實施該粗化金屬鍍層形成步驟。
此外，初期金屬鍍層形成步驟和粗化金屬鍍層形成步驟較佳在單一鍍槽內進行實施。其原因在於，藉由在單一鍍槽內進行實施，可增大金屬層內的結晶，並可降低金屬層的電阻。
以上，作為使第2金屬層表面具有預期表面粗糙度的方法，盡管列舉了對所形成的金屬層進行表面處理方法、對金屬薄膜層的濺射條件進行選擇的方法、使用了PR電流的鍍法、及使用了低電流密度的鍍法，然而，也可從這些方法中選擇任意一個方法進行實施。或者，還可選擇2個以上的方法並進行組合，據此來使第2金屬層表面具有預期表面粗糙度。
接著，對濕式鍍黑化層形成步驟進行說明。
在濕式鍍黑化層形成步驟中，可採用濕式鍍法對濕式鍍黑化 層進行成膜。
對採用濕式鍍法對濕式鍍黑化層進行成膜時的具體條件並無特別限定，可採用與濕式鍍黑化層的材料相應的鍍液並藉由例如電解鍍法來進行成膜。
在本實施方式的導電性基板的製造方法中，除了上述步驟之外，還可實施任意的步驟。
例如，在透明基材和金屬層之間形成密著層的情況下，可在透明基材的形成金屬層的表面上實施形成密著層的密著層形成步驟。在實施密著層形成步驟的情況下，金屬層形成步驟可在密著層形成步驟之後實施，在金屬層形成步驟中，可在本步驟中在透明基材上形成了密著層的基材上形成金屬層。
對密著層形成步驟中的密著層的成膜方法並無特別限定，較佳採用乾式鍍法進行成膜。作為乾式鍍法，例如較佳可採用濺射法、離子鍍法、蒸鍍法等。在對密著層採用乾式鍍法進行成膜的情況下，從可容易進行膜厚的控制的觀點來看，優選採用濺射法。在密著層中，如上所述，也可添加從碳、氧、氫、氮中所選擇的1種以上的元素，在此情況下，最佳採用反應性濺射法。
需要說明的是，就金屬層、濕式鍍黑化層及密著層可較佳使用的材料或其較佳厚度等而言，由於在導電性基板中已經進行了敘述，故這裡省略其說明。
藉由本實施方式的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板可使用於例如觸屏等各種用途。此外，在使用於各種用途的情況下， 本實施方式的導電性基板中所包括的金屬層和濕式鍍黑化層較佳被進行圖案化。需要說明的是，在設置密著層的情況下，密著層較佳也被進行圖案化。就金屬層、濕式鍍黑化層、有時還包括密著層在內而言，例如可被圖案化為預期的配線圖案，此外，就金屬層、濕式鍍黑化層、有時還包括密著層在內而言，較佳為被進行圖案化，以使與透明基材的主表面平行的面的斷面為相同形狀。
故，本實施方式的導電性基板的製造方法可具有對金屬層和濕式鍍黑化層進行圖案化的圖案化步驟。需要說明的是，在形成了密著層的情況下，圖案化步驟可為對密著層、金屬層及濕式鍍黑化層進行圖案化的步驟。
對圖案化步驟的具體步驟並無特別限定，可採用任意步驟進行實施。例如，在如圖1A那樣在透明基材11上對金屬層12和濕式鍍黑化層13進行了積層的導電性基板10A的情況下，首先，可實施在濕式鍍黑化層13的表面A上配置具有預期圖案的光阻(resist)的光阻配置步驟。然後，可實施向濕式鍍黑化層13的表面A、即、配置了光阻的表面側供給蝕刻液的蝕刻步驟。
對蝕刻步驟中所使用的蝕刻液並無特別限定，可根據構成要進行蝕刻的層的材料進行任意選擇。例如，可按各層來改變蝕刻液，此外，還可使用相同蝕刻液同時對金屬層、濕式鍍黑化層、有時還包括密著層在內一起進行蝕刻。
此外，就如圖1B那樣的在透明基材11的一表面11a和另一表面11b上進行了金屬層121、122和濕式鍍黑化層131、132的積層的導電 性基板10B而言，也可對其實施進行圖案化的圖案化步驟。在此情況下，例如可實施在濕式鍍黑化層131、132的表面A和表面B上配置具有預期圖案的光阻的光阻配置步驟。接著，可實施向濕式鍍黑化層131、132的表面A和表面B、即、配置了光阻的表面側供給蝕刻液的蝕刻步驟。
對在蝕刻步驟中所形成的圖案並無特別限定，可為任意形狀。例如，在圖1A所示的導電性基板10A的情況下，如上所述，可對金屬層12和濕式鍍黑化層13進行圖案化，以使其包括複數條直線或彎曲為鋸齒狀的線(“之”字直線)。
此外，在圖1B所示的導電性基板10B的情況下，也可形成圖案以使金屬層121和金屬層122成為網狀配線。在此情況下，濕式鍍黑化層131和金屬層121較佳被進行圖案化，以使與透明基材11的一個表面11a平行的面的斷面形狀為同樣的形狀。此外，濕式鍍黑化層132和金屬層122也較佳被進行圖案化，以使與透明基材11的另一表面11b平行的面的斷面形狀為同樣的形狀。
此外，例如在圖案化步驟中對上述的導電性基板10A實施了金屬層12等的圖案化之後，也可實施對被圖案化了的2個以上的導電性基板進行積層的積層步驟。在進行積層時，例如，藉由使各導電性基板的金屬層的圖案交差地進行積層，也可獲得具有網狀配線的積層導電性基板。
對積層了2個以上的導電性基板的固定方法並無特別限定，例如可採用接著劑等進行固定。
根據藉由以上的本實施方式的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板，不僅可藉有濕式鍍黑化層的厚度提高金屬層和濕式鍍黑 化層之間的密著性，而且還可獲得蝕刻均勻性較優的導電性基板。
【實施例】
下面根據具體實施例和比較例對本發明進行進一步詳細說明，需要說明的是，本發明並不限定於這些實施例。
(評價方法)
對下面的實驗例1~8中所製作的導電性基板的評價方法進行說明
(1)表面粗糙度Ra
在下面的實施例和比較例中，製作了圖2A所示的導電性基板。此外，當製作導電性基板時，在金屬層12成膜後且濕式鍍黑化層13成膜前，對金屬層12的第2金屬層表面12b的表面粗糙度進行了評價。
對表面粗糙度Ra採用形狀解析雷射(laser)顯微鏡(KEYENCE CORPORATION製；型號：VK-X150)進行了測定，並在表1中將其表示為Ra。
此外，還計算了表面粗糙度Ra除以濕式鍍黑化層的厚度t的Ra/t。需要說明的是，厚度t不管在哪個實驗例中都為0.06μm(60nm)。
(2)蝕刻時間差
作為蝕刻液，準備了3質量%的氯化鐵和0.3質量%的鹽酸的混合水溶液，並將蝕刻液的溫度保持在室溫(25℃)。
接著，將寬度為40cm的各實驗例中所製作的導電性基板浸漬於蝕刻液。此時，在從導電性基板的濕式鍍黑化層13的表面13b側進行觀察的情況下，在導電性基板的寬度方向的兩個端部和寬度方向的中央部的3個點處，對進行使透明基材露出為止的溶解所要的時間(秒)進行了 計測。需要說明的是，這3個點位於沿寬度方向的同一直線上。然後，對這3個測定點處的溶解所要的時間進行比較，計算了最長時間和最短時間之間的差，並將該差作為蝕刻時間差(秒)。
根據本發明的發明人的研究可知，當蝕刻時間差為6秒以下時，可形成預期的微細配線圖案，可稱為是一種蝕刻均勻性較優的導電性基板。為此，將蝕刻時間差在6秒以內的情況評價為○，即，合格。此外，將大于6秒的情況評價為×，即，不合格。
(導電性基板的製作條件)
下面示出各實驗例的導電性基板的製作條件和評價結果。需要說明的是，實驗例1~實驗例5是實施例，而實驗例6~實驗例8則是比較例。
〔實驗例1〕
製作了具有圖2A所示結構的導電性基板。
(透明基材準備步驟和密著層形成步驟)
首先，在厚度為100μm的PET製透明基材的一表面上形成了密著層。
需要說明的是，針對作為透明基材而使用的PET製透明基材，採用JIS K 7361-1中所規定的方法對其可視光透過率進行了評價，其為97%。
就密著層而言，對其採用含有70wt%的鎳和30wt%的銅的鎳銅合金的靶材並藉由濺射法進行了成膜。成膜時，將預先加熱至60℃以除去了水分的上述透明基材設置在濺射裝置的腔體內，在將腔體內排氣至1×10-4Pa以下之後，向腔體內導入含有30體積%的氧氣的氧-氬氣體，並使腔體內的壓力為0.3Pa。
之後，對靶材在該環境氣體下進行電力供給，由此在透明基材的一主表面上進行了厚度為20nm的由含有氧的Ni-Cu合金所構成的密著層的成膜。
(金屬層形成步驟)
接著，在進行了密著層的成膜的透明基材的密著層上對金屬層進行了成膜。
金屬層藉由實施金屬薄膜層形成步驟、初期金屬鍍層形成步驟及粗化金屬鍍層形成步驟而被進行了成膜。下面對各步驟進行說明。
就金屬薄膜層而言，作為靶材使用了銅靶材，並在對腔體內進行了排氣後，除了不導入氧-氬氣體而導入了氬氣這點之外，與形成密著層時同樣地，在密著層的上表面進行了厚度為80nm的作為金屬薄膜層的銅薄膜層的成膜。
就初期金屬鍍層形成步驟和粗化金屬鍍層形成步驟而言，將在透明基材上形成了密著層和金屬薄膜層的基材供給至金屬鍍槽內，並在單一鍍槽中連續地進行了實施。
作為鍍液，使用添加了DDAC(diallyl dimethyl ammonium chloride)-SO2共聚物的銅鍍液。具體而言，使用了將銅、硫酸及氯的濃度調製為銅為30g/L、硫酸為80g/L、及氯為50mg/L的銅鍍液。在所使用的銅鍍液中，作為添加劑，添加了20mg/L的上述的DDAC-SO2共聚物。此外，在鍍液中除了DDAC-SO2共聚物之外還添加了650mg/L的作為聚合物成分的PEG(polyethylene glycol)和15mg/L的作為增白劑(brightener)成分的SPS(bis-(3-Sulfopropyl)disulfide)。在下面的初期金屬鍍層形成步驟 和粗化金屬鍍層形成步驟中，鍍液被調整至30℃並進行了使用。
接著，首先，作為初期金屬鍍層形成步驟，從電流密度為0.5A/dm2開始，隨著鍍層厚度的增加，將電流密度提昇至2.0A/dm2，並保持2分鐘後，結束初期金屬鍍層形成步驟。
接著，使電流密度為0.3A/dm2，由此實施粗化金屬鍍層形成步驟。粗化金屬鍍層形成步驟的時間為0.5分鐘。
需要說明的是，藉由實施金屬鍍層形成步驟和粗化金屬鍍層形成步驟，作為金屬鍍層，形成了厚度為0.5μm的銅鍍層。故，作為金屬層，形成了銅薄膜層和銅鍍層的合計厚度為0.58μm的銅層。
在實施了金屬層形成步驟後並在實施濕式鍍黑化層形成步驟前，採用如上所述的方法，對第2金屬層表面的表面粗糙度進行了評價。其結果示於表1。
(濕式鍍黑化層形成步驟)
使用含有硫酸鎳和硫酸鋅的鍍浴並採用濕式鍍法，作為濕式鍍黑化層，進行了厚度t為60nm的鎳鋅合金層的成膜。
〔實驗例2~實驗例8〕
在各實驗例中，除了對實施粗化金屬鍍層形成步驟的時間進行了變更，並使金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra為表1所示的值之外，皆與實驗例1同樣地進行了導電性基板的製作和評價。其結果示於表1。
Figure 106110668-A0202-12-0032-1
由表1所示結果可知，在作為實施例的、作為金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的第2金屬層表面的表面粗糙度Ra(μm)為濕式鍍黑化層的厚度(μm)的0.35倍以上的實驗例1~實驗例5中，可確認到評價為○。即，可確認到其為蝕刻均勻性較優的導電性基板。
然而，在作為比較例的、作為金屬層的與濕式鍍黑化層相對的表面的第2金屬層表面的表面粗糙度Ra(μm)為小於濕式鍍黑化層的厚度(μm)的0.35倍的實驗例6~實驗例8中，可確認到評價為×。故，就在實驗例6~實驗例8中所製作的導電性基板而言，其為不具有蝕刻均勻性的導電性基板，存在形成配線圖案時不能獲得預期形狀的情況。
以上儘管基於實施方式及實施例等對導電性基板進行了說明，然而，本發明並不限定於上述實施方式及實施例等。在請求專利範圍 內記載的本發明的要旨的範圍內，還可進行各種各樣的變形和變更。
本申請主張基於2016年4月5日向日本國專利廳申請的特願2016-076157號的優先權，並將特願2016-076157號的全部內容引用於本國際申請。
10A‧‧‧導電性基板
11‧‧‧透明基材
12‧‧‧金屬層
13‧‧‧濕式鍍黑化層
11a‧‧‧一表面
11b‧‧‧另一表面
12a‧‧‧第1金屬層表面
12b‧‧‧第2金屬層表面
A‧‧‧表面
X、Y‧‧‧X、Y軸

Claims (3)

  1. 一種導電性基板，其具有：透明基材；金屬層，配置在該透明基材的至少一表面上；及濕式鍍黑化層，配置在該金屬層上，其中，該金屬層的與該濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra(μm)為該濕式鍍黑化層的厚度(μm)的0.35倍以上0.67倍以下。
  2. 根據申請專利範圍第1項之導電性基板，其中，該金屬層具有金屬鍍層。
  3. 根據申請專利範圍第1或第2項之導電性基板，其中，該金屬層的與該濕式鍍黑化層相對的表面的表面粗糙度Ra為0.024μm以上。
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