CN108864711A - 一种用于芯片封装的有机硅胶材料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了用于芯片封装的有机硅胶材料，由如下重量份的组分制成：聚酰胺类硅胶主料65‑75份、纳米钛酸钡5‑10份、纤维状纳米硅3‑5份、偶联剂1‑3份。本发明还公开了所述用于芯片封装的有机硅胶材料的制备方法，包括如下步骤：将聚酰胺类硅胶主料、纳米钛酸钡、纤维状纳米硅、偶联剂按比例混合均匀，得到混合料，然后将混合料加入双螺杆挤出机中进行熔融挤出，水冷切粒得到粒料；接着，在110‑120℃下鼓风干燥2‑3h，再用注塑机注塑成型。本发明公开的用于芯片封装的有机硅胶材料具有优异的散热、力学性能，价格低廉，折射率高，且易于成型加工。

Description

一种用于芯片封装的有机硅胶材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及高分子材料技术领域，尤其涉及一种用于芯片封装的有机硅胶材料及其制备方法。
背景技术
近年来，随着科学技术的不断进步，芯片技术取得了突飞猛进的发展。在芯片安装组装过程中有必要采用合适的封装材料，这些封装材料作为芯片的外壳，起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁，芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，这些封装材料的性能直接影响芯片工作安定性和使用寿命。
目前，常见的芯片封装材料有环氧树脂封装材料、有机硅胶材料。传统的环氧树脂封装材料在传输形成时，由于基板与封装材料间的线膨胀差会导致产生应力，因此无法应用于高性能半导体器件的封装。有机硅胶是具有粘接和密封功能的一类硅氧烷组合物，通过采用不同的有机硅聚合物、添加剂以及填料，可以在室温、加热或辐射固化后得到各种要求的硅胶复合材料。由于芯片散热不良会造成热量的积累，而传统有机硅胶散热效果不高、折射率低，这些问题都严重影响芯片的寿命和可靠性。
中国发明专利CN106065184A公开了一种用于芯片封装的高折改性硅胶材料及其制备方法，所述用于芯片封装的高折改性硅胶材料，按照重量份的主要原料包括：改性硅胶26-30份、聚苯硫醚8-10份、二甲基苯胺3-6份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.1-0.5份、改性二氧化硅粉末0.1-0.5份、过氧化二碳酸二异丙酯0.1-0.5份、氧化铝0.1-0.5份、玻璃纤维2-6份。本发明中用于芯片封装的高折改性硅胶材料综合性能优异，具有成型加工性好、折射率高、成本低廉等优点。但原料种类较多，易出现相分离，且其力学性能和散热效果有待进一步提高。
因此，开发一种散热性能好、力学性能佳、价格低廉、易成型加工、折射率高的用于芯片封装的硅胶材料符合市场需求，具有广泛的市场价值和应用前景。
发明内容
为了克服现有技术中的缺陷，本发明提供一种用于芯片封装的有机硅胶材料及其制备方法，该制备方法简单易行，原料易得，价格低廉，对设备和反应条件要求不高，适合工业化生产；通过所述制备方法制备得到的用于芯片封装的有机硅胶材料克服了传统芯片封装材料存在的线膨胀差导致产生应力、散热效果不高及折射率低的缺陷，具有优异的散热、力学性能，价格低廉，折射率高，且易于成型加工。
为达到上述发明目的，本发明采用的技术方案是，一种用于芯片封装的有机硅胶材料，由如下重量份的组分制成：聚酰胺类硅胶主料65-75份、纳米钛酸钡5-10份、纤维状纳米硅3-5份、偶联剂1-3份。
优选地，所述偶联剂选自硅烷偶联剂KH-570、硅烷偶联剂KH-560、硅烷偶联剂KH-550中的一种或几种。
进一步地，所述纤维状纳米硅为预先制备，制备方法参考中国发明专利201310471925.X。
优选地，所述聚酰胺类硅胶主料的制备方法，包括如下步骤：
1)在氮气或惰性气体氛围下，将反式,反式-1,3-丁二烯-1,4-二羧酸与单乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷加入到装有回流冷凝管、电动搅拌器的三口瓶中，再向瓶中加入有机溶剂，在115-125℃下回流搅拌反应2.5-3.5小时，后旋蒸除去溶剂，得到改性聚二甲基硅氧烷；
2)将经过步骤1)制备得到的改性聚二甲基硅氧烷、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷溶于高沸点溶剂中形成溶液，再向溶液中加入1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐、4-二甲氨基吡啶、1,4-萘醌，并置于高压反应釜中，后在150-170℃、压强保持在2-2.2MPa，搅拌反应6-8h，后于1-2小时内缓慢排气降压至1MPa，同时将高压反应釜内温度升温至200-220℃；然后在氮气氛围下，控温反应15-18h，后在丙酮中沉出，并用乙醇洗涤3-5遍，并置于真空干燥箱70-80℃下中烘12-18小时，得到中间体；
3)将经过步骤2)制备得到的中间体、二巯基乙酸乙二醇酯、催化剂溶于N-甲基吡咯烷酮中，在70-80℃下搅拌反应4-6小时，然后在乙醇中沉出，并用乙醇洗涤产物5-8次，后置于真空干燥箱中70-80℃下烘12-15小时，得到聚酰胺类硅胶主料。
优选地，步骤1)中所述反式,反式-1,3-丁二烯-1,4-二羧酸、单乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷、有机溶剂的质量比为1:(2-3):(8-10)。
较佳地，所述惰性气体选自氦气、氖气、氩气中的一种或几种。
较佳地，所述有机溶剂选自异丙醇、二氯甲烷、丙酮、乙腈中的一种或几种。
优选地，步骤2)中所述改性聚二甲基硅氧烷、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷、高沸点溶剂、1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐、4-二甲氨基吡啶、1,4-萘醌的质量比为(3-4):(2-3):(10-15):(0.2-0.4):0.2:0.03。
较佳地，所述高沸点溶剂选自二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的一种或几种。
优选地，步骤3)中所述中间体、二巯基乙酸乙二醇酯、催化剂溶于N-甲基吡咯烷酮的质量比为(3-4):1:(0.3-0.5):(10-15)。
所述催化剂选自正丙胺、二乙基胺、二甲基苯基磷、四丁基溴化铵中的一种或几种。
优选地，所述用于芯片封装的有机硅胶材料的制备方法，包括如下步骤：将聚酰胺类硅胶主料、纳米钛酸钡、纤维状纳米硅、偶联剂按比例混合均匀，得到混合料，然后将混合料加入双螺杆挤出机中进行熔融挤出，水冷切粒得到粒料；接着，在110-120℃下鼓风干燥2-3h，再用注塑机注塑成型，即得用于芯片封装的有机硅胶材料。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：
1)本发明提供的用于芯片封装的有机硅胶材料的制备方法，简单易行，原料易得，价格低廉，对设备和反应条件要求不高，适合工业化生产。
2)本发明提供的用于芯片封装的有机硅胶材料，克服了传统芯片封装材料存在的线膨胀差导致产生应力、散热效果不高及折射率低的缺陷，具有优异的散热、力学性能，价格低廉，折射率高，且易于成型加工。
3)本发明提供的用于芯片封装的有机硅胶材料，硅胶主料是通过单乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷接枝到聚酰胺上的，材料结合了硅烷结构及聚酰胺材料的优点，提高了材料综合性能。
4)本发明提供的用于芯片封装的有机硅胶材料，添加纤维状纳米硅能增强有机硅材料，又能提高其与主链中硅氧结构的相容性。
5)本发明提供的用于芯片封装的有机硅胶材料，引入氟、硫元素，能有效提高材料的稳定性和阻燃性，引入纳米钛酸钡，提高材料的强度和折射率，通过二巯基乙酸乙二醇酯使得材料形成三维网络结构，提高材料的综合性能。
具体实施方式
为了使本技术领域人员更好地理解本发明的技术方案，并使本发明的上述特征、目的以及优点更加清晰易懂，下面结合实施例对本发明做进一步的说明。实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
本发明下述实施例中所述纤维状纳米硅为预先制备，制备方法参考中国发明专利201310471925.X，所使用的其它原料购自摩贝(上海)生物科技有限公司。
实施例1
一种用于芯片封装的有机硅胶材料，由如下重量份的组分制成：聚酰胺类硅胶主料65份、纳米钛酸钡5份、纤维状纳米硅3份、硅烷偶联剂KH-5701份。
所述聚酰胺类硅胶主料的制备方法，包括如下步骤：
1)在氮气氛围下，将反式,反式-1,3-丁二烯-1,4-二羧酸10g与单乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷20g加入到装有回流冷凝管、电动搅拌器的三口瓶中，再向瓶中加入异丙醇80g，在115℃下回流搅拌反应2.5小时，后旋蒸除去异丙醇，得到改性聚二甲基硅氧烷；
2)将经过步骤1)制备得到的改性聚二甲基硅氧烷24g、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷16g溶于二甲亚砜80g中形成溶液，再向溶液中加入1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐1.6g、4-二甲氨基吡啶1.6g、1,4-萘醌0.24g，并置于高压反应釜中，后在150℃、压强保持在2MPa，搅拌反应6h，后于1小时内缓慢排气降压至1MPa，同时将高压反应釜内温度升温至200℃；然后在氮气氛围下，控温反应15h，后在丙酮中沉出，并用乙醇洗涤3遍，并置于真空干燥箱70℃下中烘12小时，得到中间体；
3)将经过步骤2)制备得到的中间体24g、二巯基乙酸乙二醇酯8g、正丙胺2.4g溶于N-甲基吡咯烷酮80g中，在70℃下搅拌反应4小时，然后在乙醇中沉出，并用乙醇洗涤产物5次，后置于真空干燥箱中70℃下烘12小时，得到聚酰胺类硅胶主料。
所述用于芯片封装的有机硅胶材料的制备方法，包括如下步骤：将聚酰胺类硅胶主料、纳米钛酸钡、纤维状纳米硅、硅烷偶联剂KH-570按比例混合均匀，得到混合料，然后将混合料加入双螺杆挤出机中进行熔融挤出，水冷切粒得到粒料；接着，在110℃下鼓风干燥2h，再用注塑机注塑成型，即得用于芯片封装的有机硅胶材料。
实施例2
一种用于芯片封装的有机硅胶材料，由如下重量份的组分制成：聚酰胺类硅胶主料68份、纳米钛酸钡7份、纤维状纳米硅4份、硅烷偶联剂KH-5602份。
所述聚酰胺类硅胶主料的制备方法，包括如下步骤：
1)在氦气氛围下，将反式,反式-1,3-丁二烯-1,4-二羧酸10g与单乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷23g加入到装有回流冷凝管、电动搅拌器的三口瓶中，再向瓶中加入二氯甲烷85g，在118℃下回流搅拌反应2.9小时，后旋蒸除去二氯甲烷，得到改性聚二甲基硅氧烷；
2)将经过步骤1)制备得到的改性聚二甲基硅氧烷26g、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷18g溶于N,N-二甲基甲酰胺90g中形成溶液，再向溶液中加入1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐2g、4-二甲氨基吡啶1.6g、1,4-萘醌0.24g，并置于高压反应釜中，后在155℃、压强保持在2.1MPa，搅拌反应6.5h，后于1.2小时内缓慢排气降压至1MPa，同时将高压反应釜内温度升温至205℃；然后在氮气氛围下，控温反应16h，后在丙酮中沉出，并用乙醇洗涤4遍，并置于真空干燥箱73℃下中烘14小时，得到中间体；
3)将经过步骤2)制备得到的中间体26g、二巯基乙酸乙二醇酯8g、二乙基胺2.8g溶于N-甲基吡咯烷酮90g中，在73℃下搅拌反应5时，然后在乙醇中沉出，并用乙醇洗涤产物6次，后置于真空干燥箱中73℃下烘13小时，得到聚酰胺类硅胶主料。
所述用于芯片封装的有机硅胶材料的制备方法，包括如下步骤：将聚酰胺类硅胶主料、纳米钛酸钡、纤维状纳米硅、硅烷偶联剂KH-560按比例混合均匀，得到混合料，然后将混合料加入双螺杆挤出机中进行熔融挤出，水冷切粒得到粒料；接着，在113℃下鼓风干燥2.5h，再用注塑机注塑成型，即得用于芯片封装的有机硅胶材料。
实施例3
一种用于芯片封装的有机硅胶材料，由如下重量份的组分制成：聚酰胺类硅胶主料70份、纳米钛酸钡8份、纤维状纳米硅4份、硅烷偶联剂KH-5502份。
所述聚酰胺类硅胶主料的制备方法，包括如下步骤：
1)在氖气氛围下，将反式,反式-1,3-丁二烯-1,4-二羧酸10g与单乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷25g加入到装有回流冷凝管、电动搅拌器的三口瓶中，再向瓶中加入丙酮90g，在120℃下回流搅拌反应3小时，后旋蒸除去丙酮，得到改性聚二甲基硅氧烷；
2)将经过步骤1)制备得到的改性聚二甲基硅氧烷28g、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷20g溶于N-甲基吡咯烷酮100g中形成溶液，再向溶液中加入1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐2.5g、4-二甲氨基吡啶1.6g、1,4-萘醌0.24g，并置于高压反应釜中，后在160℃、压强保持在2.1MPa，搅拌反应7h，后于1.6小时内缓慢排气降压至1MPa，同时将高压反应釜内温度升温至212℃；然后在氮气氛围下，控温反应17h，后在丙酮中沉出，并用乙醇洗涤5遍，并置于真空干燥箱76℃下中烘16小时，得到中间体；
3)将经过步骤2)制备得到的中间体28g、二巯基乙酸乙二醇酯8g、二甲基苯基磷3.5g溶于N-甲基吡咯烷酮100g中，在76℃下搅拌反应5.2小时，然后在乙醇中沉出，并用乙醇洗涤产物7次，后置于真空干燥箱中77℃下烘13.5小时，得到聚酰胺类硅胶主料。
所述用于芯片封装的有机硅胶材料的制备方法，包括如下步骤：将聚酰胺类硅胶主料、纳米钛酸钡、纤维状纳米硅、硅烷偶联剂KH-550按比例混合均匀，得到混合料，然后将混合料加入双螺杆挤出机中进行熔融挤出，水冷切粒得到粒料；接着，在116℃下鼓风干燥2.7h，再用注塑机注塑成型，即得用于芯片封装的有机硅胶材料。
实施例4
一种用于芯片封装的有机硅胶材料，由如下重量份的组分制成：聚酰胺类硅胶主料73份、纳米钛酸钡9份、纤维状纳米硅5份、偶联剂3份；所述偶联剂是硅烷偶联剂KH-570、硅烷偶联剂KH-560、硅烷偶联剂KH-550按质量比1:2:3混合而成的混合物。
所述聚酰胺类硅胶主料的制备方法，包括如下步骤：
1)在氩气氛围下，将反式,反式-1,3-丁二烯-1,4-二羧酸10g与单乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷28g加入到装有回流冷凝管、电动搅拌器的三口瓶中，再向瓶中加入乙腈95g，在123℃下回流搅拌反应3.3小时，后旋蒸除去乙腈，得到改性聚二甲基硅氧烷；
2)将经过步骤1)制备得到的改性聚二甲基硅氧烷30g、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷22g溶于N,N-二甲基甲酰胺110g中形成溶液，再向溶液中加入1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐3g、4-二甲氨基吡啶1.6g、1,4-萘醌0.24g，并置于高压反应釜中，后在165℃、压强保持在2.2MPa，搅拌反应7.5h，后于1.8小时内缓慢排气降压至1MPa，同时将高压反应釜内温度升温至215℃；然后在氮气氛围下，控温反应17h，后在丙酮中沉出，并用乙醇洗涤5遍，并置于真空干燥箱78℃下中烘17小时，得到中间体；
3)将经过步骤2)制备得到的中间体30g、二巯基乙酸乙二醇酯8g、四丁基溴化铵3.8g溶于N-甲基吡咯烷酮115g中，在78℃下搅拌反应5.5小时，然后在乙醇中沉出，并用乙醇洗涤产物7次，后置于真空干燥箱中79℃下烘14.5小时，得到聚酰胺类硅胶主料。
所述用于芯片封装的有机硅胶材料的制备方法，包括如下步骤：将聚酰胺类硅胶主料、纳米钛酸钡、纤维状纳米硅、偶联剂按比例混合均匀，得到混合料，然后将混合料加入双螺杆挤出机中进行熔融挤出，水冷切粒得到粒料；接着，在119℃下鼓风干燥2.9h，再用注塑机注塑成型，即得用于芯片封装的有机硅胶材料。
实施例5
一种用于芯片封装的有机硅胶材料，由如下重量份的组分制成：聚酰胺类硅胶主料75份、纳米钛酸钡10份、纤维状纳米硅5份、硅烷偶联剂KH-5703份。
优选地，所述聚酰胺类硅胶主料的制备方法，包括如下步骤：
1)在氮气氛围下，将反式,反式-1,3-丁二烯-1,4-二羧酸10g与单乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷30g加入到装有回流冷凝管、电动搅拌器的三口瓶中，再向瓶中加入二氯甲烷100g，在125℃下回流搅拌反应3.5小时，后旋蒸除去二氯甲烷，得到改性聚二甲基硅氧烷；
2)将经过步骤1)制备得到的改性聚二甲基硅氧烷32g、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷24g溶于N-甲基吡咯烷酮120g中形成溶液，再向溶液中加入1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐3.2g、4-二甲氨基吡啶1.6g、1,4-萘醌0.24g，并置于高压反应釜中，后在170℃、压强保持在2.2MPa，搅拌反应8h，后于2小时内缓慢排气降压至1MPa，同时将高压反应釜内温度升温至220℃；然后在氮气氛围下，控温反应18h，后在丙酮中沉出，并用乙醇洗涤5遍，并置于真空干燥箱80℃下中烘18小时，得到中间体；
3)将经过步骤2)制备得到的中间体32g、二巯基乙酸乙二醇酯8g、四丁基溴化铵4g溶于N-甲基吡咯烷酮120g中，在80℃下搅拌反应6小时，然后在乙醇中沉出，并用乙醇洗涤产物8次，后置于真空干燥箱中80℃下烘15小时，得到聚酰胺类硅胶主料。
所述用于芯片封装的有机硅胶材料的制备方法，包括如下步骤：将聚酰胺类硅胶主料、纳米钛酸钡、纤维状纳米硅、硅烷偶联剂KH-570按比例混合均匀，得到混合料，然后将混合料加入双螺杆挤出机中进行熔融挤出，水冷切粒得到粒料；接着，在120℃下鼓风干燥3h，再用注塑机注塑成型，即得用于芯片封装的有机硅胶材料。
对比例
本例提供一种一种用于芯片封装的高折改性硅胶材料，按照中国发明专利CN106065184A实施例1的配方及制备方法制备得到。
将实施例1-5和对比例所述硅胶材料进行性能测试，测试结果及测试方法见表1。
从表1可见，本发明实施例公开的用于芯片封装的有机硅胶材料，与现有技术中的有机硅胶材料相比，具有更加优异的阻燃、导热和力学性能，且具有更大的透射率和折射系数。
表1
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (10)

1.一种用于芯片封装的有机硅胶材料，其特征在于，由如下重量份的组分制成：聚酰胺类硅胶主料65-75份、纳米钛酸钡5-10份、纤维状纳米硅3-5份、偶联剂1-3份。
2.根据权利要求1所述的用于芯片封装的有机硅胶材料，其特征在于，所述偶联剂选自硅烷偶联剂KH-570、硅烷偶联剂KH-560、硅烷偶联剂KH-550中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的用于芯片封装的有机硅胶材料，其特征在于，所述聚酰胺类硅胶主料的制备方法，包括如下步骤：
1)在氮气或惰性气体氛围下，将反式,反式-1,3-丁二烯-1,4-二羧酸与单乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷加入到装有回流冷凝管、电动搅拌器的三口瓶中，再向瓶中加入有机溶剂，在115-125℃下回流搅拌反应2.5-3.5小时，后旋蒸除去溶剂，得到改性聚二甲基硅氧烷；
2)将经过步骤1)制备得到的改性聚二甲基硅氧烷、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷溶于高沸点溶剂中形成溶液，再向溶液中加入1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐、4-二甲氨基吡啶、1,4-萘醌，并置于高压反应釜中，后在150-170℃、压强保持在2-2.2MPa，搅拌反应6-8h，后于1-2小时内缓慢排气降压至1MPa，同时将高压反应釜内温度升温至200-220℃；然后在氮气氛围下，控温反应15-18h，后在丙酮中沉出，并用乙醇洗涤3-5遍，并置于真空干燥箱70-80℃下中烘12-18小时，得到中间体；
3)将经过步骤2)制备得到的中间体、二巯基乙酸乙二醇酯、催化剂溶于N-甲基吡咯烷酮中，在70-80℃下搅拌反应4-6小时，然后在乙醇中沉出，并用乙醇洗涤产物5-8次，后置于真空干燥箱中70-80℃下烘12-15小时，得到聚酰胺类硅胶主料。
4.根据权利要求3所述的用于芯片封装的有机硅胶材料，其特征在于，步骤1)中所述反式,反式-1,3-丁二烯-1,4-二羧酸、单乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷、有机溶剂的质量比为1:(2-3):(8-10)。
5.根据权利要求3所述的用于芯片封装的有机硅胶材料，其特征在于，所述惰性气体选自氦气、氖气、氩气中的一种或几种；所述有机溶剂选自异丙醇、二氯甲烷、丙酮、乙腈中的一种或几种。
6.根据权利要求3所述的用于芯片封装的有机硅胶材料，其特征在于，步骤2)中所述改性聚二甲基硅氧烷、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷、高沸点溶剂、1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐、4-二甲氨基吡啶、1,4-萘醌的质量比为(3-4):(2-3):(10-15):(0.2-0.4):0.2:0.03。
7.根据权利要求3所述的用于芯片封装的有机硅胶材料，其特征在于，所述高沸点溶剂选自二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的一种或几种。
8.根据权利要求3所述的用于芯片封装的有机硅胶材料，其特征在于，步骤3)中所述中间体、二巯基乙酸乙二醇酯、催化剂溶于N-甲基吡咯烷酮的质量比为(3-4):1:(0.3-0.5):(10-15)。
9.根据权利要求3所述的用于芯片封装的有机硅胶材料，其特征在于，所述催化剂选自正丙胺、二乙基胺、二甲基苯基磷、四丁基溴化铵中的一种或几种。
10.一种根据权利要求1-9任一项所述用于芯片封装的有机硅胶材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将聚酰胺类硅胶主料、纳米钛酸钡、纤维状纳米硅、偶联剂按比例混合均匀，得到混合料，然后将混合料加入双螺杆挤出机中进行熔融挤出，水冷切粒得到粒料；接着，在110-120℃下鼓风干燥2-3h，再用注塑机注塑成型，即得用于芯片封装的有机硅胶材料。
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