CN108803266A - 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备 - Google Patents

电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备 Download PDF

Info

Publication number
CN108803266A
CN108803266A CN201810394403.7A CN201810394403A CN108803266A CN 108803266 A CN108803266 A CN 108803266A CN 201810394403 A CN201810394403 A CN 201810394403A CN 108803266 A CN108803266 A CN 108803266A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrophotographic photosensitive
photosensitive element
particle
resin
parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810394403.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108803266B (zh
Inventor
嶋田刚志
滝泽久美子
竹内艾琳
黑岩育世
北村航
田边干
满田晴彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2018080774A external-priority patent/JP6526286B2/ja
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN108803266A publication Critical patent/CN108803266A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108803266B publication Critical patent/CN108803266B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G7/00Selection of materials for use in image-receiving members, i.e. for reversal by physical contact; Manufacture thereof
    • G03G7/0086Back layers for image-receiving members; Strippable backsheets
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147Cover layers
    • G03G5/14704Cover layers comprising inorganic material
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/75Details relating to xerographic drum, band or plate, e.g. replacing, testing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/092Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by backside coating or layers, by lubricating-slip layers or means, by oxygen barrier layers or by stripping-release layers or means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/02Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for laying down a uniform charge, e.g. for sensitising; Corona discharge devices
    • G03G15/0208Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for laying down a uniform charge, e.g. for sensitising; Corona discharge devices by contact, friction or induction, e.g. liquid charging apparatus
    • G03G15/0216Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for laying down a uniform charge, e.g. for sensitising; Corona discharge devices by contact, friction or induction, e.g. liquid charging apparatus by bringing a charging member into contact with the member to be charged, e.g. roller, brush chargers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/142Inert intermediate layers
    • G03G5/144Inert intermediate layers comprising inorganic material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

本发明涉及电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备。提供在钛酸锶颗粒用作电子照相感光构件的底涂层中的金属氧化物颗粒的情况下带电特性优异并且可以抑制残余电位的电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备。其中底涂层包含在CuKα特性X射线衍射图中在2θ=32.20±0.20(θ表示布拉格角)的位置处具有最大峰(最大峰的半值宽度为0.10deg以上且0.50deg以下)的钛酸锶颗粒的电子照相感光构件,和各自设置有该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。

Description

电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
技术领域
本发明涉及电子照相感光构件、和各自包括该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
背景技术
近几年,作为有机电子照相感光构件(以下,称为"电子照相感光构件"),已经使用包括包含金属氧化物颗粒的底涂层和形成在底涂层上的感光层的电子照相感光构件。
作为包含在电子照相感光构件的底涂层中的金属氧化物颗粒,提出了各种金属氧化物颗粒。从电特性(electrical properties)的观点,日本专利申请特开No.2007-279620公开了作为包含在底涂层中的金属氧化物颗粒的钛酸锶颗粒。
发明内容
根据本发明人进行的研究,已经发现,在具有特定的X射线衍射图的钛酸锶颗粒用作电子照相感光构件的底涂层中的金属氧化物颗粒的情况下,如残余电位和带电特性(charging properties)等电特性可以改进为更优异。
本发明的目的是提供:在具有特定的X射线衍射图的钛酸锶颗粒用作电子照相感光构件的底涂层中的金属氧化物颗粒的情况下,可以以优异的水平实现残余电位和带电特性二者的电子照相感光构件;和各自包括该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
本发明涉及电子照相感光构件,其依次包括:支承体;底涂层;和感光层,其中
底涂层包含粘结剂树脂和钛酸锶颗粒,
钛酸锶颗粒在CuKα特性X射线衍射图中在2θ=32.20±0.20(θ表示布拉格角)的位置处具有最大峰,和
最大峰的半值宽度为0.10deg以上且0.50deg以下。
根据本发明,抑制残余电位并且具有良好的带电特性的电子照相感光构件可以通过使用具有特定的X射线衍射图的钛酸锶颗粒作为电子照相感光构件的底涂层中的金属氧化物颗粒来生产。
参照附图,从以下示例性实施方案的描述,本发明的进一步特征将变得显而易见。
附图说明
图1为示出根据本发明的电子照相感光构件的层构成的实例的图。
图2为示出设置有包括根据本发明的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的实例的图。
图3为示出使用研磨片的研磨机的实例的图。
图4A为示出电子照相感光构件的生产例中使用的模具的顶视图;图4B为图4A中所示的模具的凸部的B-B截面图;和图4C为图4A所示的模具的凸部的C-C截面图。
图5为示出用于在电子照相感光构件的周面处形成凹部的压接形状转印加工设备的实例的图。
具体实施方式
现在将参照附图详细说明本发明的优选实施方案。
在根据本发明的电子照相感光构件、和各自包括该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备中,电子照相感光构件的底涂层包含钛酸锶颗粒,所述钛酸锶颗粒在CuKα特性X射线衍射图中在2θ=32.20±0.20(θ表示布拉格角)的位置处具有最大峰,所述最大峰的半值宽度为0.10deg以上且0.50deg以下。
本发明人进行了深入地研究,发现为了实现获得良好的带电特性和残余电位的抑制二者的效果,将钛酸锶颗粒的在2θ=32.20±0.20(θ表示布拉格角)处的X射线衍射峰的半值宽度控制为0.10deg以上且0.50deg以下是非常重要的。
一般地,在粉末X射线衍射中衍射峰的半值宽度与无机细颗粒的微晶直径有关。一次颗粒的一个晶粒(grain)由多个微晶构成,并且微晶直径是指构成一次颗粒的单独微晶的尺寸。
在本发明中,微晶表示构成颗粒的单独晶粒,并且微晶聚集而成为颗粒。微晶的尺寸和颗粒的粒径彼此无关。
一般地,当无机细颗粒的微晶直径小时,在粉末X射线衍射中衍射峰的半值宽度变大,和当无机细颗粒的微晶直径大时,在粉末X射线衍射中衍射峰的半值宽度变小。
当无机细颗粒的微晶直径变小时,一次颗粒中存在的微晶之间的粒子界面(晶粒界面)增大。认为晶粒界面为捕获电荷的点。
因此,在电子照相感光构件的底涂层包含钛酸锶颗粒的情况下,当钛酸锶颗粒的微晶的微晶直径充分小时,钛酸锶颗粒具有大量的晶粒界面,因此,捕获电荷的点增多以使得带电特性良好。
另一方面,电荷容易地在无机细颗粒的微晶中流动。在电子照相感光构件的底涂层包含钛酸锶颗粒的情况下,当钛酸锶颗粒的微晶的微晶直径充分大时,晶粒界面减少从而抑制电荷的过量贮存,因此,残余电位可以降低。
因此,为了实现良好的带电特性和残余电位的抑制二者,适当地调节钛酸锶颗粒的晶粒界面是重要的。
本发明人认为,通过将钛酸锶颗粒的半值宽度控制为0.10deg以上且0.50deg以下,可以获得实现良好的带电特性和残余电位的抑制二者的效果。
根据本发明的钛酸锶颗粒在CuKα特性X射线衍射图中在2θ=32.20±0.20(θ表示布拉格角)的位置处具有最大峰,并且最大峰的半值宽度为0.10deg以上且0.50deg以下。
当半值宽度小于0.10deg时,如上所述钛酸锶颗粒的晶粒界面的量少,由此带电特性降低。
另外,当半值宽度大于0.50deg时,钛酸锶颗粒不包含如上所述的具有充分尺寸的微晶,由此残余电位变大。
特别地,当半值宽度为0.23以上时,可以获得实现更好的带电特性和残余电位的抑制二者的效果。
根据本发明的钛酸锶颗粒的一次颗粒的数均粒径没有特别地限定,但是从电特性的观点,优选为10nm以上且150nm以下,更优选10nm以上且95nm以下。
根据本发明的钛酸锶颗粒可以用表面处理剂来表面处理并且优选使用硅烷偶联剂来表面处理。特别地,从电特性的观点,硅烷偶联剂更优选具有选自由烷基、氨基和卤素基团组成的组的至少一种官能团。
[电子照相感光构件]
例如,如图1所示,根据本发明的电子照相感光构件包括在支承体上的底涂层,并且进一步包括底涂层上的感光层。在图1中,附图标记1-1表示支承体,和附图标记1-2表示底涂层,和附图标记1-3表示感光层。
根据本发明的电子照相感光构件的生产方法包括其中制备后述的各层用的涂布液从而以期望的层顺序进行涂布并干燥的方法。在该方法中,用涂布液进行涂布的方法包括浸渍涂布法、喷涂法、喷墨涂布法、辊涂法、模涂法、刮涂法、帘式涂布法、线棒涂布法和环涂法。在这些涂布法中,从效率和生产性的观点,浸渍涂布法是优选的。
<支承体>
根据本发明的电子照相感光构件包括支承体,并且支承体可以为具有导电性的导电性支承体。另外,支承体的形状的实例包括圆筒状、带状和片状。在这些形状中,支承体优选为圆筒状支承体。进一步,如阳极氧化、喷砂处理或切削处理等电化学处理可以施用至支承体的表面,但是优选进行喷砂处理或切削处理。
支承体的材料可以为金属、树脂和玻璃等。
金属的实例包括铝、铁、镍、铜、金、不锈钢、及其合金。在这些金属中,支承体优选为使用铝的铝支承体。
另外,通过如混合有导电性材料或者用导电性材料涂覆等处理可以赋予树脂和玻璃导电性。
<导电层>
在本发明中,可以在支承体上设置导电层。当设置导电层时,可以掩盖(conceal)支承体的表面上的划痕和凹凸,并且可以控制在支承体表面光的反射。
导电层可以包含导电性颗粒和树脂。
导电性颗粒的材料的实例包括金属氧化物、金属和炭黑。金属氧化物的实例包括氧化锌、氧化铝、氧化铟、氧化硅、氧化锆、氧化锡、氧化钛、氧化镁、氧化锑和氧化铋。金属的实例包括铝、镍、铁、镍铬合金、铜、锌和银。
在这些材料中,金属氧化物优选用作导电性颗粒,并且特别是,更优选使用氧化钛、氧化锡和氧化锌。
在金属氧化物用作导电性颗粒的情况下,可以用硅烷偶联剂等处理金属氧化物的表面,或者金属氧化物可以掺杂有如磷或铝等元素、或者其氧化物。
另外,导电性颗粒可以制成具有包括芯材料和包覆(envelope)该芯材料的包覆层的积层结构。芯材料的实例包括氧化钛、硫酸钡和氧化锌。包覆层的实例包括如氧化锡等金属氧化物。
此外,在金属氧化物用作导电性颗粒的情况下,金属氧化物的体积平均粒径优选为1nm以上且500nm以下,更优选3nm以上且400nm以下。
树脂的实例包括聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、丙烯酸系树脂、硅酮树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂和醇酸树脂。
另外,导电层可以进一步包含如硅油、树脂颗粒或氧化钛等隐蔽剂。
导电层的平均厚度优选为1μm以上且50μm以下,特别优选3μm以上且40μm以下。
可以以制备包含上述各材料和溶剂的导电层用涂布液、并且在支承体上形成涂布液的涂膜、然后干燥的方式形成导电层。用于涂布液的溶剂的实例包括醇系溶剂、亚砜系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂和芳香族烃系溶剂。将导电性颗粒分散在导电层用涂布液中的方法的实例包括使用油漆搅拌器、砂磨机、球磨机或液体碰撞型高速分散机的方法。
<底涂层>
在本发明中,底涂层设置在支承体或导电层上。
根据本发明的电子照相感光构件的底涂层包含上述钛酸锶颗粒和粘结剂树脂。
粘结剂树脂的实例包括聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、丙烯酸系树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂、聚乙烯酚醛树脂、醇酸树脂、聚乙烯醇树脂、聚环氧乙烷树脂、聚环氧丙烷树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂和纤维素树脂。
粘结剂树脂可以通过使包含具有聚合性官能团的单体的组合物进行聚合来制备。具有聚合性官能团的单体的聚合性官能团的实例包括异氰酸酯基、封端异氰酸酯基、羟甲基、烷基化羟甲基、环氧基、金属醇盐基团、羟基、氨基、羧基、硫羟基(thiol group)、羧酸酐基团和碳-碳双键基团。
另外,为了提高电特性的目的,根据本发明的底涂层可以进一步包含电子接受性物质、电子输送物质、金属氧化物、金属和导电性高分子等。
电子接受性物质的实例包括醌化合物、蒽醌化合物、酞菁化合物、卟啉化合物、三苯基甲烷化合物、亚芴基丙二腈化合物和苄烯丙二腈化合物。
电子输送物质的实例包括醌化合物、酰亚胺化合物、苯并咪唑化合物、亚环戊二烯基化合物、芴酮化合物、氧杂蒽酮化合物、二苯甲酮化合物、氰基乙烯基化合物、卤代芳基化合物、噻咯化合物和含硼化合物。底涂层可以通过使用具有聚合性官能团的电子输送物质作为电子输送物质并且使具有聚合性官能团的电子输送物质与上述具有聚合性官能团的单体共聚合形成为固化膜。
金属氧化物的实例包括铟锡氧化物、氧化锡、氧化铟、氧化钛、氧化锌、氧化铝、氧化硅和氨还原的铌氧化物。金属的实例包括金、银和铝。
氨还原的铌氧化物可以为由下式表示的颗粒。
Nb2.00O5.00-XNY (N)
(其中,Nb表示铌原子,O表示氧原子,N表示氮原子并且0.00<Y<X≤4.00。)
导电性高分子的实例包括聚苯胺、聚吡咯和聚噻吩。
从电特性的观点,根据本发明的底涂层特别优选包含由下式(1)或(2)表示的化合物。这些化合物可以单独使用或者以两种以上的组合使用。
(其中,Ra1~Ra8各自独立地表示氢原子、羟基、卤素原子、烷基、烷氧基、苯基或氨基。)
(其中,Rb1~Rb10各自独立地表示氢原子、羟基、卤素原子、烷基、烷氧基、苯基或氨基。)
根据本发明的底涂层可以进一步包含有机树脂颗粒和流平剂。有机树脂颗粒的实例包括:疏水性有机树脂颗粒如硅酮颗粒;和亲水性有机树脂颗粒如交联型聚甲基丙烯酸酯树脂(PMMA)颗粒。
根据本发明的底涂层的平均膜厚度优选为0.1μm以上且50μm以下,更优选0.2μm以上且40μm以下。
根据本发明的底涂层可以以如下方式来形成:制备包含上述各材料和溶剂的底涂层用涂布液,并且在支承体或导电层上形成该涂布液的涂膜,然后干燥和/或固化。用于涂布液的溶剂的实例包括醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂和芳香族烃系溶剂。
<感光层>
根据本发明的电子照相感光构件包括在底涂层上的感光层。
电子照相感光构件的感光层主要分类为(1)层压型感光层和(2)单层型感光层。(1)层压型感光层包括:包含电荷产生物质的电荷产生层;和包含电荷输送物质的电荷输送层。(2)单层型感光层为包含电荷产生物质和电荷输送物质二者的感光层。
(1)层压型感光层
层压型感光层包括电荷产生层和电荷输送层。
(1-1)电荷产生层
电荷产生层可以包含电荷产生物质和树脂。
电荷产生物质的实例包括偶氮颜料、苝颜料、多环醌颜料、靛蓝颜料和酞菁颜料。在这些颜料中,偶氮颜料和酞菁颜料是优选的。在这些酞菁颜料中,氧钛酞菁颜料、氯化镓酞菁颜料和羟基镓酞菁颜料是优选的。
在电荷产生层中电荷产生物质的含量基于电荷产生层的总质量优选为40质量%以上且85质量%以下,更优选60质量%以上且80质量%以下。
树脂的实例包括聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、丙烯酸系树脂、硅酮树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂、聚乙烯醇树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂和聚氯乙烯树脂。在这些树脂中,聚乙烯醇缩丁醛树脂是远远优选的。
另外,电荷产生层可以进一步包含如抗氧化剂和紫外线吸收剂等一种添加剂或多种添加剂。添加剂的具体实例包括受阻酚化合物、受阻胺化合物、硫化合物、磷化合物和二苯甲酮化合物。
电荷产生层的平均膜厚度优选为0.1μm以上且1μm以下,更优选0.15μm以上且0.4μm以下。
电荷产生层可以以如下方式来形成:制备包含上述各材料和溶剂的电荷产生层用涂布液,并且在底涂层上形成该涂布液的涂膜,然后干燥。用于涂布液的溶剂的实例包括醇系溶剂、亚砜系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂和芳香族烃系溶剂。
(1-2)电荷输送层
电荷输送层可以包含电荷输送物质和树脂。
电荷输送物质的实例包括多环芳香族化合物、杂环化合物、腙化合物、苯乙烯基化合物、烯胺化合物、联苯胺化合物、三芳基胺化合物和具有源自这些物质的基团的树脂。在这些化合物中,三芳基胺化合物和联苯胺化合物是优选的。
在电荷输送层中电荷输送物质的含量基于电荷输送层的总质量优选为25质量%以上且70质量%以下,更优选30质量%以上且55质量%以下。
树脂的实例包括聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸系树脂和聚苯乙烯树脂。在这些树脂中,聚碳酸酯树脂和聚酯树脂是优选的。作为聚酯树脂,聚芳酯树脂是特别优选的。
电荷输送物质与树脂的含量比(质量比)优选为4:10至20:10,更优选5:10至12:10。
另外,电荷输送层可以包含如抗氧化剂、紫外线吸收剂、增塑剂、流平剂、滑动性赋予剂和耐磨耗性改进剂等一种添加剂或多种添加剂。添加剂的具体实例包括受阻酚化合物、受阻胺化合物、硫化合物、磷化合物、二苯甲酮化合物、硅氧烷改性树脂、硅油、氟树脂颗粒、聚苯乙烯树脂颗粒、聚乙烯树脂颗粒、二氧化硅颗粒、氧化铝颗粒和氮化硼颗粒。
电荷输送层的平均膜厚度优选为5μm以上且50μm以下,更优选8μm以上且40μm以下,并且特别优选10μm以上且30μm以下。
电荷输送层可以以如下方式来形成:制备包含上述各材料和溶剂的电荷输送层用涂布液,并且在电荷产生层上形成该涂布液的涂膜,然后干燥。用于涂布液的溶剂的实例包括醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂和芳香族烃系溶剂。在这些溶剂中,醚系溶剂或芳香族烃系溶剂是优选的。
(2)单层型感光层
单层型感光层可以以如下方式来形成:制备包含电荷产生物质、电荷输送物质、树脂和溶剂的感光层用涂布液,并且在底涂层上形成该涂布液的涂膜,然后干燥。电荷产生物质、电荷输送物质和树脂的实例与“(1)层压型感光层”中材料的实例相同。
<保护层>
在本发明中,可以在感光层上设置保护层。当设置保护层时,耐久性可以得到改进。
保护层可以包含:导电性颗粒和/或电荷输送物质;和树脂。导电性颗粒的实例包括如氧化钛、氧化锌、氧化锡或氧化铟等金属氧化物的颗粒。
电荷输送物质的实例包括多环芳香族化合物、杂环化合物、腙化合物、苯乙烯基化合物、烯胺化合物、联苯胺化合物、三芳基胺化合物和具有源自这些物质的基团的树脂。在这些物质中,三芳基胺化合物和联苯胺化合物是优选的。
树脂的实例包括聚酯树脂、丙烯酸系树脂、苯氧基树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂和环氧树脂。在这些树脂中,聚碳酸酯树脂、聚酯树脂和丙烯酸系树脂是优选的。
另外,保护层可以通过使包含具有聚合性官能团的单体的组合物进行聚合形成为固化膜。用于聚合的反应的实例包括热聚合反应、光聚合反应和辐射聚合反应。具有聚合性官能团的单体的聚合性官能团的实例包括丙烯酸基和甲基丙烯酸基。作为具有聚合性官能团的单体,可以使用具有电荷输送能力的材料。
保护层可以包含如抗氧化剂、紫外线吸收剂、增塑剂、流平剂、滑动性赋予剂和耐磨耗性改进剂等一种添加剂或多种添加剂。添加剂的具体实例包括受阻酚化合物、受阻胺化合物、硫化合物、磷化合物、二苯甲酮化合物、硅氧烷改性树脂、硅油、氟树脂颗粒、聚苯乙烯树脂颗粒、聚乙烯树脂颗粒、二氧化硅颗粒、氧化铝颗粒和氮化硼颗粒。
保护层的平均膜厚度优选为0.5μm以上且10μm以下,优选1μm以上且7μm以下。
保护层可以以如下方式来形成:制备包含上述各材料和溶剂的保护层用涂布液,并且在感光层上形成该涂布液的涂膜,然后干燥和/或固化。用于涂布液的溶剂的实例包括醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、亚砜系溶剂、酯系溶剂和芳香族烃系溶剂。
<电子照相感光构件的表面加工>
关于根据本发明的电子照相感光构件,为了使要与电子照相感光构件接触的清洁单元(清洁刮板)的行为进一步稳定化的目的,可以通过在电子照相感光构件的表面层上设置凹部或凸部或者通过研磨表面层而赋予粗糙度。
在形成凹部的情况下,使具有对应于凹部的凸部的模具与电子照相感光构件的表面压接以进行形状转印,并且由此可以在电子照相感光构件的表面上形成凹部。
在形成凸部的情况下,使具有对应于凸部的凹部的模具与电子照相感光构件的表面压接以进行形状转印,并且由此可以在电子照相感光构件的表面上形成凸部。
在通过研磨电子照相感光构件的表面层而赋予粗糙度的情况下,使研磨工具与电子照相感光构件压接,研磨工具和电子照相感光构件中的任一者或二者相对移动以研磨电子照相感光构件的表面,并且由此可以赋予粗糙度。研磨工具的实例包括在基材上设置有包含分散在粘结剂树脂中的磨粒的层的研磨构件。
<在电子照相感光构件的周面上形成凹部的方法>
通过使具有对应于要成形的凹部的凸部的模具与电子照相感光构件的周面压接以进行形状转印,可以在电子照相感光构件的周面上形成凹部。
图5示出用于在电子照相感光构件的周面上形成凹部的压接形状转印加工设备的实例。
根据图5所示的压接形状转印加工设备,通过在使电子照相感光构件5-1旋转的同时使模具5-2与电子照相感光构件5-1的周面连续接触以施加压力,可以在电子照相感光构件5-1的周面上形成凹部和平坦部。
加压构件5-3的材料的实例包括金属、金属氧化物、塑料和玻璃。在这些材料中,从机械强度、尺寸精度和耐久性的观点,不锈钢(SUS)是优选的。模具5-2安装在加压构件5-3的上面。另外,通过安装在下面侧的支承构件(图中未示出)和加压系统(图中未示出),可以使模具5-2与由支承构件5-4支承的电子照相感光构件5-1的周面以恒定的压力接触。另外,支承构件5-4可以以预定的压力压向加压构件5-3,或者支承构件5-4和加压构件5-3彼此按压。
图5示出通过使加压构件5-3沿与电子照相感光构件5-1的轴方向垂直的方向移动同时使电子照相感光构件5-1随从该移动或者被驱动旋转而连续加工电子照相感光构件5-1的周面的实例。此外,也可以通过固定加压构件5-3并且使支承构件5-4沿与电子照相感光构件5-1的轴方向垂直的方向移动或者通过使支承构件5-4和加压构件5-3二者移动来连续加工电子照相感光构件5-1的周面。
要注意的是,从有效进行形状转印的观点,可以加热模具5-2和电子照相感光构件5-1。
模具5-2的实例包括:通过用抗蚀剂使其上施加微细表面加工的金属、树脂膜或硅晶片等的表面图案化而获得的模具;和通过通过在微细颗粒分散在其中的树脂膜上或者在具有微细表面形状的树脂膜上施加金属涂膜而获得的模具。
另外,从使得对电子照相感光构件5-1的压力均匀的观点,可以在模具5-2与加压构件5-3之间安装弹性体。
电子照相感光构件的周面上的凹部、平坦部和凸部等可以使用如例如,激光显微镜、光学显微镜、电子显微镜和原子力显微镜等显微镜来观察。
<用于机械研磨的研磨工具>
关于机械研磨,可以利用公知的机械研磨法。一般地,使研磨工具与电子照相感光构件接触,并且使电子照相感光构件和研磨工具中的任一者或二者相对移动以研磨电子照相感光构件的表面。研磨工具为在基材上设置有包含分散在粘结剂树脂中的磨粒的层的研磨构件。
磨粒的实例包括氧化铝、氧化铬、金刚石、铁氧化物、氧化铈、刚玉、硅石(silicastone)、氮化硅、氮化硼、碳化钼、碳化硅、碳化钨、碳化钛或氧化硅的颗粒。磨粒的粒径优选为0.01μm以上且50μm以下,更优选1μm以上且15μm以下。当磨粒的粒径过小时,研磨粉末变弱从而使电子照相感光构件的最外表面上的F/C比难以增大。这些磨粒可以单独使用,或者可以混合使用这些磨粒的两种以上。在将这些磨粒的两种以上混合时,材料和粒径可以相同或不同。
作为用于分散用于研磨工具的磨粒的粘结剂树脂,可以使用公知的热塑性树脂、热固性树脂、反应型树脂、电子束固化树脂、紫外线固化树脂、可见光固化树脂和抗真菌树脂。热塑性树脂的实例包括氯乙烯树脂、聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、氨基树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚氨酯弹性体和聚酰胺-硅酮树脂。热固性树脂的实例包括酚醛树脂、苯氧基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、聚酯树脂、硅酮树脂、三聚氰胺树脂和醇酸树脂。另外,异氰酸酯系固化剂可以添加至热塑性树脂。
研磨工具的包含分散在粘结剂树脂中的磨粒的层的膜厚度可以为1μm以上且100μm以下。当膜厚度过厚时,膜厚度的不均匀易于发生,结果,被研磨体的表面粗糙度的不均匀成为问题。另一方面,当膜厚度过薄时,磨粒的脱落易于发生。
研磨工具的基材形状没有特别地限定。在本实例的实施方案中,片状基材用于有效地研磨圆筒状电子照相感光构件;然而,可以使用其它形状。此外,研磨工具(以下,也描述为本实例的研磨片)的基材的材料没有特别地限定。片状基材的材料的实例包括纸、非织造物、织物和塑料膜。
通过用上述磨粒和粘结剂树脂以及可以溶解粘结剂树脂的溶剂混合并分散在其中的涂布液涂布基材,然后将基材上的涂料干燥,可以获得研磨工具。
<研磨设备>
图3示出本实例的电子照相感光构件的研磨设备的实例。
图3示出使用研磨片研磨圆筒状电子照相感光构件的设备。在图3中,研磨片301卷绕至中空轴306上,并且配置电动机(图中未示出)使得沿与朝向轴306进给研磨片301的方向相反的方向赋予研磨片301张力。研磨片301沿箭头方向进给并且经由引导辊302a、302b通过支承辊303,并且研磨后的研磨片301经由引导辊302c、302d通过电动机(图中未示出)卷绕至卷绕单元305上。在研磨片301与被处理体(进行研磨前的电子照相感光构件)304一直压接的状态下进行研磨。一些研磨片301具有电绝缘性,因此,通过接地连接至地的物质或者具有导电性的物质可以在该物质与研磨片301接触的部位使用。
研磨片301的进给速度可以为10mm/min以上且1000mm/min以下。当研磨片的进给量少时,在被处理体304的表面上会发生粘结剂树脂对研磨片301的表面的附着或者归因于粘结剂树脂的附着的深划痕(deep wound)。
将被处理体304置于在研磨片301插在被处理体304与支承辊303之间的情况下与支承辊303相对的位置。从改进被处理体304的表面粗糙度的均匀性的观点,支承辊303可以为弹性体。在该构成中,被处理体304和支承辊303在研磨片301插入二者之间的情况下以期望的设定值彼此按压预定的时间,由此研磨被处理体304的表面。被处理体304的旋转方向可以与进给研磨片301的方向相同或相对。另外,旋转方向可以在研磨的中途改变。
支承辊303压向被处理体304的压力可以为0.005N/m2以上且15N/m2以下,尽管该压力取决于支承辊303的硬度和研磨时间。
可以通过适当地选择研磨片301的进给速度、按压支承辊303的压力、研磨片的磨粒的种类、和研磨片的粘结剂树脂的膜厚度和基材的厚度等来调节电子照相感光构件的表面粗糙度。
[处理盒和电子照相设备]
根据本发明的处理盒一体化地支承:上述电子照相感光构件;和选自由充电单元、显影单元、转印单元和清洁单元组成的组的至少一个单元,并且该处理盒可拆卸地安装至电子照相设备主体。
另外,根据本发明的电子照相设备包括:上述电子照相感光构件;充电单元;曝光单元;显影单元;和转印单元。
此外,根据本发明的电子照相感光构件包括作为充电单元的、配置在上述电子照相感光构件上使得与电子照相感光构件接触的充电辊;并且该充电辊通过仅向充电辊施加直流电压使电子照相感光构件带电。
图2示出包括设置有电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的概略构成的实例。
附图标记1表示圆筒状电子照相感光构件并且围绕轴2沿箭头方向以预定的圆周速度旋转驱动。电子照相感光构件1的表面通过充电单元3带电至预定的正或负电位。要注意的是,该图示出使用辊型充电构件的辊充电系统;然而,可以采用如电晕充电系统、接近充电系统(proximity charging system)或注入充电系统(injection charging system)等充电系统。在辊充电系统的情况下,存在其中要施加至辊型充电构件的电压仅为直流电压的DC充电系统和其中交流电压叠加在直流电压上的AC/DC充电系统;然而,从降低设备成本和使设备小型化的观点,充电系统可以为DC充电系统。用来自曝光单元(图中未示出)的曝光光4照射带电的电子照相感光构件1的表面,形成对应于目标图像信息的静电潜像。在电子照相感光构件1的表面上形成的静电潜像通过显影单元5中贮存的调色剂而显影并且在电子照相感光构件1的表面上形成调色剂图像。在电子照相感光构件1的表面上形成的调色剂图像通过转印单元6转印至转印材料7。将调色剂图像已经转印至其的转印材料7输送至定影单元8,在转印单元8,转印材料7进行处理以使调色剂图像定影,然后将转印材料7打印出至电子照相设备的外部。电子照相设备可以包括用于除去如调色剂图像转印之后的电子照相感光构件1的表面上残留的调色剂等附着物的清洁单元9。另外,可以使用其中不单独设置清洁单元并且通过显影单元等除去附着物的所谓的无清洁器系统。电子照相设备可以包括通过来自预曝光单元(图中未示出)的预曝光光10对电子照相感光构件1的表面进行除电处理的除电机构。此外,为了使根据本发明的处理盒11从电子照相设备主体拆卸或者安装至电子照相设备主体,可以设置如轨道等引导单元12。
根据本发明的电子照相感光构件可以用于激光束打印机、LED打印机、复印机、传真装置及其多功能机等。
[实施例]
以下,将使用实施例和比较例更详细地描述本发明。在不超出本发明范围的范围内,本发明不受以下实施例限制。要注意的是,以下实施例的说明中的“份”各自基于质量,除非另有说明。
[钛酸锶颗粒的生产方法]
<颗粒S-1的生产例>
用碱性溶液洗涤通过使硫酸氧钛(titanyl sulfate)水溶液进行水解获得的含水氧化钛浆料。
随后,将盐酸添加至含水氧化钛浆料以将pH调节至0.7,由此获得二氧化钛溶胶分散液。
向2.2mol(以氧化钛计)二氧化钛溶胶分散液中,以二氧化钛溶胶分散液的摩尔量(molar quantity)的1.1倍的摩尔量添加氯化锶水溶液。将所得混合物放入反应容器中并且容器内部的空气用氮气置换。
进一步,将纯水添加至混合物中使得所得混合物的浓度以氧化钛计为1.1mol/L。
随后,将混合物搅拌并混合并且加温至90℃。然后,在向混合物施加超声波振动的同时,将440mL10N的氢氧化钠水溶液经15分钟添加至混合物中,然后进行反应20分钟。
向反应后的浆料中,添加5℃的纯水以使浆料急冷直到温度达到30℃以下,然后除去上清液。
进一步,将pH为5.0的盐酸水溶液添加至浆料中,并且将所得混合物搅拌1小时。然后,重复用纯水洗涤。进一步,用氢氧化钠中和混合物以用Nutsche漏斗进行过滤,并且用纯水洗涤残留物。将获得的滤饼干燥,从而获得颗粒S-1。
<颗粒S-2的生产例>
向2.6mol(以氧化钛计)二氧化钛溶胶分散液中,以二氧化钛溶胶分散液的摩尔量的1.0倍的摩尔量添加氯化锶水溶液。将所得混合物放入反应容器中并且容器内部的空气用氮气置换。进一步,将纯水添加至混合物中使得所得混合物的氧化钛浓度为1.3mol/L。
随后,将混合物搅拌并混合并且加温至95℃。然后,在向混合物施加超声波振动的同时,将300mL 15N的氢氧化钠水溶液经5分钟添加至混合物中,然后进行反应20分钟。向反应后的浆料中,添加5℃的纯水以使浆料急冷直到温度达到30℃以下,然后除去上清液。进一步,将pH为5.0的盐酸水溶液添加至浆料中,并且将所得混合物搅拌1小时。然后,重复用纯水洗涤。进一步,用氢氧化钠中和混合物,以用Nutsche漏斗进行过滤,并且用纯水洗涤残留物。将获得的滤饼干燥,从而获得颗粒S-2。
<颗粒S-3的生产例>
向2.0mol(以氧化钛计)二氧化钛溶胶分散液中,以二氧化钛溶胶分散液的摩尔量的1.1倍的摩尔量添加氯化锶水溶液。将所得混合物放入反应容器中并且容器内部的空气用氮气置换。进一步,将纯水添加至混合物中使得所得混合物的氧化钛浓度为1.0mol/L。
随后,将混合物搅拌并混合并且加温至85℃。然后,在向混合物施加超声波振动的同时,将800mL 5N的氢氧化钠水溶液经20分钟添加至混合物中,然后进行反应20分钟。向反应后的浆料中,添加5℃的纯水以使浆料急冷直到温度达到30℃以下,然后除去上清液。进一步,将pH为5.0的盐酸水溶液添加至浆料中,并且将所得混合物搅拌1小时。然后,重复用纯水洗涤。进一步,用氢氧化钠中和混合物,以用Nutsche漏斗进行过滤,并且用纯水洗涤残留物。将获得的滤饼干燥,从而获得颗粒S-3。
<颗粒S-4的生产例>
向1.8mol(以氧化钛计)二氧化钛溶胶分散液中,以二氧化钛溶胶分散液的摩尔量的1.1倍的摩尔量添加氯化锶水溶液。将所得混合物放入反应容器中并且容器内部的空气用氮气置换。进一步,向混合物中添加纯水使得所得混合物的氧化钛浓度为0.9mol/L。
随后,将混合物搅拌并混合并且加温至85℃。然后,在向混合物施加超声波振动的同时,将576mL 5N的氢氧化钠水溶液经5分钟添加至混合物中,然后进行反应20分钟。向反应后的浆料中,添加5℃的纯水以使浆料急冷直到温度达到30℃以下,然后除去上清液。进一步,将pH为5.0的盐酸水溶液添加至浆料中,并且将所得混合物搅拌1小时。然后,重复用纯水洗涤。进一步,用氢氧化钠中和混合物,以用Nutsche漏斗进行过滤,并且用纯水洗涤残留物。将获得的滤饼干燥,从而获得颗粒S-4。
<颗粒S-5的生产例>
向1.8mol(以氧化钛计)二氧化钛溶胶分散液中,以二氧化钛溶胶分散液的摩尔量的1.1倍的摩尔量添加氯化锶水溶液。将所得混合物放入反应容器中并且容器内部的空气用氮气置换。进一步,将纯水添加至混合物中使得所得混合物的氧化钛浓度为0.9mol/L。
随后,将混合物搅拌并混合并且加温至80℃。然后,在向混合物施加超声波振动的同时,将792mL 5N的氢氧化钠水溶液经40分钟添加至混合物中,然后进行反应20分钟。将反应后的浆料急冷直到温度达到30℃以下,然后除去上清液。进一步,将pH为5.0的盐酸水溶液添加至浆料中,并且将所得混合物搅拌1小时。然后,重复用纯水洗涤。进一步,用氢氧化钠中和混合物,以用Nutsche漏斗进行过滤,并且用纯水洗涤残留物。将获得的滤饼干燥,从而获得颗粒S-5。
<颗粒S-6的生产例>
向1.4mol(以氧化钛计)二氧化钛溶胶分散液中,以二氧化钛溶胶分散液的摩尔量的1.2倍的摩尔量添加氯化锶水溶液。将所得混合物放入反应容器中并且容器内部的空气用氮气置换。进一步,将纯水添加至混合物中使得所得混合物的氧化钛浓度为0.7mol/L。
随后,将混合物搅拌并混合并且加温至80℃。然后,在向混合物施加超声波振动的同时,将1100mL 3N的氢氧化钠水溶液经40分钟添加至混合物中,然后进行反应20分钟。将反应后的浆料急冷直到温度达到30℃以下,然后除去上清液。进一步,将pH为5.0的盐酸水溶液添加至浆料中,并且将所得混合物搅拌1小时。然后,重复用纯水洗涤。将获得的滤饼干燥,从而获得颗粒S-6。
<颗粒S-7的生产例>
向1.0mol(以氧化钛计)二氧化钛溶胶分散液中,以二氧化钛溶胶分散液的摩尔量的1.2倍的摩尔量添加氯化锶水溶液。将所得混合物放入反应容器中并且容器内部的空气用氮气置换。进一步,将纯水添加至混合物中使得所得混合物的氧化钛浓度为0.5mol/L。
随后,将混合物搅拌并混合并且加温至70℃。然后,在向混合物施加超声波振动的同时,将1100mL 2N的氢氧化钠水溶液经40分钟添加至混合物中,然后进行反应20分钟。将反应后的浆料急冷直到温度达到30℃以下,然后除去上清液。进一步,将pH为5.0的盐酸水溶液添加至浆料中,并且将所得混合物搅拌1小时。然后,重复用纯水洗涤。将获得的滤饼干燥,从而获得颗粒S-7。
<颗粒S-8的生产例>
向1.0mol(以氧化钛计)二氧化钛溶胶分散液中,以二氧化钛溶胶分散液的摩尔量的1.2倍的摩尔量添加氯化锶水溶液。将所得混合物放入反应容器中并且容器内部的空气用氮气置换。进一步,将纯水添加至混合物中使得所得混合物的氧化钛浓度为0.5mol/L。
随后,将混合物搅拌并混合并且加温至70℃。然后,将1200mL 2N的氢氧化钠水溶液经240分钟添加至混合物中,然后进行反应60分钟。将反应后的浆料急冷直到温度达到30℃以下,然后除去上清液。进一步,将pH为5.0的盐酸水溶液添加至浆料中,并且将所得混合物搅拌1小时。然后,将混合物用纯水洗涤,然后干燥,从而获得颗粒S。颗粒S的半值宽度为0.15。进一步,将颗粒S与4mm的氧化铝球一起放入自动排出球磨机(由EISHIN Co.,Ltd.制造)中并且搅拌200小时。然后,进行氧化铝球的除去和洗涤,从而获得颗粒S-8。
<颗粒S-9的生产例>
向0.6mol(以氧化钛计)二氧化钛溶胶分散液中,以二氧化钛溶胶分散液的摩尔量的1.2倍的摩尔量添加氯化锶水溶液。将所得混合物放入反应容器中并且容器内部的空气用氮气置换。进一步,将纯水添加至混合物中使得所得混合物的氧化钛浓度为0.3mol/L。
随后,将混合物搅拌并混合并且加温至80℃。然后,将750mL 2N的氢氧化钠水溶液经480分钟添加至混合物中,然后进行反应20分钟。将反应后的浆料急冷直到温度达到30℃以下,然后除去上清液。进一步,将浆料用纯水并且将获得的滤饼干燥,从而获得颗粒S-9。
<颗粒S-10的生产例>
向0.6mol(以氧化钛计)二氧化钛溶胶分散液中,以二氧化钛溶胶分散液的摩尔量的1.2倍的摩尔量添加氯化锶水溶液。将所得混合物放入反应容器中并且容器内部的空气用氮气置换。进一步,将0.05mol硫酸铝添加至混合物中,然后添加纯水使得所得混合物的氧化钛浓度为0.3mol/L。
随后,将混合物搅拌并混合并且加温至80℃。然后,在向混合物施加超声波振动的同时,将450mL 2N的氢氧化钠水溶液经5分钟添加至混合物中,然后进行反应20分钟。向反应后的浆料中,添加5℃的纯水以使浆料急冷直到温度达到30℃以下,然后除去上清液。进一步,将浆料用纯水洗涤并且将获得的滤饼干燥,从而获得颗粒S-10。
<颗粒S-11的生产例>
向0.6mol(以氧化钛计)二氧化钛溶胶分散液中,以二氧化钛溶胶分散液的摩尔量的1.2倍的摩尔量添加氯化锶水溶液。将所得混合物放入反应容器中并且容器内部的空气用氮气置换。进一步,将纯水添加至混合物中使得所得混合物的氧化钛浓度为0.3mol/L。
随后,将混合物搅拌并混合并且加温至80℃。然后,将750mL 2N的氢氧化钠水溶液经540分钟添加至混合物中,然后进行反应20分钟。将反应后的浆料急冷直到温度达到30℃以下,然后除去上清液。进一步,将浆料用纯水洗涤并且将获得的滤饼干燥,从而获得颗粒S-11。
<颗粒S-12的生产例>
向0.4mol(以氧化钛计)二氧化钛溶胶分散液中,以二氧化钛溶胶分散液的摩尔量的1.2倍的摩尔量添加氯化锶水溶液。将所得混合物放入反应容器中并且容器内部的空气用氮气置换。进一步,将纯水添加至混合物中使得所得混合物的氧化钛浓度为0.2mol/L。
随后,将混合物搅拌并混合并且加温至70℃。然后,将600mL 2N的氢氧化钠水溶液经660分钟添加至混合物中,然后进行反应20分钟。将反应后的浆料急冷直到温度达到30℃以下,然后除去上清液。进一步,将浆料用纯水洗涤并且将获得的滤饼干燥,从而获得颗粒S-12。
<颗粒S-13的生产例>
向0.6mol(以氧化钛计)二氧化钛溶胶分散液中,以二氧化钛溶胶分散液的摩尔量的1.2倍的摩尔量添加氯化锶水溶液。将所得混合物放入反应容器中并且容器内部的空气用氮气置换。进一步,将纯水添加至混合物中使得所得混合物的氧化钛浓度为0.3mol/L。
随后,将混合物搅拌并混合并且加温至80℃。然后,将750mL 2N的氢氧化钠水溶液经600分钟添加至混合物中,然后进行反应20分钟。将反应后的浆料急冷直到温度达到30℃以下,然后除去上清液。进一步,将浆料用纯水洗涤并且将获得的滤饼干燥,从而获得颗粒S-13。
<颗粒S-14的生产例>
向0.6mol(以氧化钛计)二氧化钛溶胶分散液中,以二氧化钛溶胶分散液的摩尔量的1.3倍的摩尔量添加氯化锶水溶液。将所得混合物放入反应容器中并且容器内部的空气用氮气置换。进一步,将纯水添加至混合物中使得所得混合物的氧化钛浓度为0.1mol/L。
随后,将混合物搅拌并混合并且加温至70℃。然后,将750mL 2N的氢氧化钠水溶液经900分钟添加至混合物中,然后进行反应20分钟。将反应后的浆料急冷直到温度达到30℃以下,然后除去上清液。进一步,将浆料用纯水洗涤并且将获得的滤饼干燥,从而获得颗粒S-14。
<颗粒的X射线衍射测量>
生产的颗粒S-1至S-14的X射线衍射测量使用MiniFlex600(由RigakuCorporation制造)在以下条件下进行。
将各测量样品放置于在测量范围内不具有衍射峰的无反射试样板(由RigakuCorporation制造)上同时轻轻按压粉末原样形态的试样。当试样变平时,将试样与试样板一起放置在设备内以进行测量。
[X射线衍射的测量条件]
管球:Cu
平行光束光学系统
电压:40kV
电流:15mA
开始角度:3°
终止角度:60°
采样宽度:0.02°
扫描速度:10.00°/min
发散狭缝:0.625deg
散射狭缝:8.0mm
光接收狭缝:13.0mm(打开(Open))
在通过测量获得的X射线衍射图中,对于在2θ=32.20±0.20(θ表示布拉格角)的位置处出现的峰计算半值宽度。半值宽度的计算使用由Rigaku Corporation生产的分析软件“PDXL”来进行。结果在表1中示出。
<一次颗粒的平均粒径的测量>
关于生产的颗粒S-1至S-14的一次颗粒的平均粒径(数均粒径),使用透射电子显微镜“H-800”(由Hitachi,Ltd.制造)进行观察,并且在放大至2000000倍的最大放大倍率的视野中测量100个一次颗粒的长径以测定一次颗粒的平均粒径。结果在表1中示出。
表1
钛酸锶颗粒 半值宽度[deg] 一次颗粒的数均粒径[nm]
颗粒S-1 0.33 35
颗粒S-2 0.40 10
颗粒S-3 0.28 50
颗粒S-4 0.50 50
颗粒S-5 0.23 50
颗粒S-6 0.23 70
颗粒S-7 0.23 95
颗粒S-8 0.23 95
颗粒S-9 0.18 100
颗粒S-10 0.55 110
颗粒S-11 0.15 110
颗粒S-12 0.10 150
颗粒S-13 0.08 110
颗粒S-14 0.15 200
[表面处理的钛酸锶颗粒的生产例]
<表面处理的颗粒S-1A的生产例>
将500份甲苯与100份生产的颗粒S-1搅拌并混合,并且将2份作为硅烷偶联剂的N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷(商品名:KBM602,由Shin-Etsu ChemicalCo.,Ltd.制造)添加至其中,并且将所得混合物搅拌6小时。然后,在减压下蒸馏出甲苯并且通过在130℃下加热6小时来干燥残留物,从而获得表面处理的颗粒S-1A。
<表面处理的颗粒S-1B的生产例>
除了在表面处理的颗粒S-1A的生产例中将硅烷偶联剂的添加量改变为0.75份以外,以与颗粒S-1A的生产例相同的方式生产表面处理的颗粒S-1B。
<表面处理的颗粒S-1C的生产例>
除了在表面处理的颗粒S-1A的生产例中将硅烷偶联剂的添加量改变为5份以外,以与颗粒S-1A的生产例相同的方式生产表面处理的颗粒S-1C。
<表面处理的颗粒S-1D的生产例>
除了在表面处理的颗粒S-1A的生产例中将硅烷偶联剂改变为N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(商品名:KBM603,由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)以外,以与颗粒S-1A的生产例相同的方式生产表面处理的颗粒S-1D。
<表面处理的颗粒S-1E的生产例>
除了在表面处理的颗粒S-1A的生产例中将硅烷偶联剂改变为异丁基三甲氧基硅烷(商品名:Z-2306,由Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造)以外,以与颗粒S-1A的生产例相同的方式生产表面处理的颗粒S-1E。
<表面处理的颗粒S-1F的生产例>
除了在表面处理的颗粒S-1A的生产例中将硅烷偶联剂改变为三氟丙基甲氧基硅烷(商品名:KBM-7103,由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)以外,以与颗粒S-1A的生产例相同的方式生产表面处理的颗粒S-1F。
<表面处理的颗粒S-1G的生产例>
除了在表面处理的颗粒S-1A的生产例中将硅烷偶联剂改变为4.6份异丁基三甲氧基硅烷和4.6份三氟丙基甲氧基硅烷以外,以与颗粒S-1A的生产例相同的方式生产表面处理的颗粒S-1G。
<表面处理的颗粒S-2A至S-14A的生产例>
除了在表面处理的颗粒S-1A的生产例中将颗粒S-1改变为颗粒S-2至S-14以外,以与颗粒S-1A的生产例相同的方式生产表面处理的颗粒S-2A至S-14A。
[实施例A1]
作为支承体(导电性支承体),准备长度为357.5mm、厚度为0.7mm和外径为30mm的铝圆筒。使用车床对准备的铝圆筒的表面进行切削加工。
使用R0.1的切削工具、以主轴的转数=10000rpm和在0.03~0.06mm/rpm的范围内连续改变切削工具的进给速度的条件下进行加工。
随后,将15份作为多元醇树脂的缩丁醛树脂(商品名:BM-1,由Sekisui ChemicalCo.,Ltd.制造)和15份封端异氰酸酯(商品名:Sumidule 3175,,由Sumika Bayer UrethaneCo.,Ltd.制造)溶解在300份甲基乙基酮和300份1-丁醇的混合液中。
向溶液中,添加120份作为钛酸锶颗粒的颗粒S-1A和1.2份作为添加剂的2,3,4-三羟基二苯甲酮(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造),并且用使用直径为0.8mm的玻璃珠的砂磨机设备在23±3℃的气氛下将所得混合物分散3小时。
在分散之后,将0.01份硅油(商品名:SH 28PA,由Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造)添加至分散液中,并且搅拌所得混合物,从而制备底涂层用涂布液。
将支承体用获得的底涂层用涂布液浸渍涂布并且在160℃下干燥30分钟,从而形成膜厚度为2.0μm的底涂层。
随后,在使用直径为1mm的玻璃珠的砂磨机中,放入20份在CuKα特性X射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.2°处具有强峰的结晶形态的羟基镓酞菁晶体(电荷产生物质)、0.2份由下式(A)表示的杯芳烃化合物、10份聚乙烯醇缩丁醛树脂(商品名:S-LECBX-1,由Sekisui Chemical Co.,Ltd.制造)和600份环己酮,并且进行分散处理4小时。然后,将600份乙酸乙酯添加至其中,从而制备电荷产生层用涂布液。
将底涂层用电荷产生层用涂布液浸渍涂布,并且将获得的涂膜在80℃下干燥15分钟,从而形成膜厚度为0.19μm的电荷产生层。
随后,将60份由下式(B)表示的化合物(电荷输送物质)、30份由下式(C)表示的化合物(电荷输送物质)、10份由下式(D)表示的化合物、100份聚碳酸酯树脂(商品名:IupilonZ400,由Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation制造,双酚Z型聚碳酸酯)和0.02份由下式(E)表示的聚碳酸酯(粘均分子量Mv:20000)溶解在600份邻二甲苯和200份二甲氧基甲烷的混合溶剂中,从而制备电荷输送层用涂布液。
将电荷产生层用电荷输送层用涂布液浸渍涂布以形成涂膜,并且将获得的涂膜在100℃下干燥30分钟,从而形成膜厚度为18μm的电荷输送层。
随后,将1.65份具有由下式(M1)表示的重复结构单元和由下式(M2)表示的重复结构单元的树脂(重均分子量:130,000,共聚比(M1)/(M2)=1/1(摩尔比))溶解在40份1,1,2,2,3,3,4-七氟环戊烷(商品名:ZEORORA H,由Zeon Corporation制造)和55份1-丙醇的混合溶剂中。然后,使通过将30份四氟乙烯树脂粉末(商品名:Lubron L-2,由DaikinIndustries,Ltd.制造)添加至所得溶液中获得的液体通过高压分散机(商品名:Microfluidizer M-110EH,由Microfluidics Corp.制造),从而获得分散液。
然后,将52.0份由下式(F)表示的正空穴输送性化合物、16.0份由下式(G)表示的化合物(ARONIX M-315,由Toagosei Co.,Ltd.制造)、2.0份由下式(H)表示的化合物(由Sigma-Aldrich Co.LLC制造)、0.75份硅氧烷改性的丙烯酸系化合物(BYK-3550,由BYKJapan KK制造)、35份1,1,2,2,3,3,4-七氟环戊烷和15份1-丙醇添加至分散液中,并且将所得液体用聚四氟乙烯过滤器(商品名:PF-040,由Advantec Toyo Kaisha,Ltd.制造)过滤,从而制备保护层用涂布液。
将电荷输送层用保护层用涂布液浸渍涂布,并且将获得的涂膜在40℃下干燥5分钟。在干燥之后,在氮气气氛下、在加速电压为70KV和吸收的剂量为15kGy的条件下,用电子束照射涂膜1.6秒。然后,在氮气气氛下、在使得涂膜的温度为135℃的条件下进行热处理15秒。要注意的是,从用电子束照射至热处理15秒的氧浓度为15ppm。随后,在空气中、在使的涂膜的温度为105℃的条件下进行热处理1小时以形成膜厚度为5μm的保护层。以该方式,制备凹部形成前的电子照相感光构件。
[通过模具压接形状转印的凹部的形成]
随后,将模具构件(模具)安装在压接形状转印加工设备中并且对制备的凹部形成前的电子照相感光构件进行表面加工。
具体地,将图4A、图4B和图4C中所示的模具安装至具有如图5粗略所示的构成的压接形状转印加工设备中,并且对制备的凹部形成前的电子照相感光构件进行表面加工。图4A、图4B和图4C为示出用于实施例和比较例的模具的图。图4A为示出模具的概略的顶视图和图4B为模具的凸部的沿电子照相感光构件的轴方向的示意性截面图(图4A中B-B截面的截面图)。图4C为模具的凸部的沿电子照相感光构件的圆周方向的截面图(图4A中的C-C截面的截面图)。图4A、图4B和图4C所示的模具具有最大宽度(是指当从上看模具上的凸部时沿电子照相感光构件的轴方向的最大宽度)X:50μm、最大长度(是指当从上看模具上的凸部时沿电子照相感光构件的圆周方向的最大长度)Y:75μm、面积率为56%和高度H:4μm的凸形状。要注意的是,面积率是指当从上看模具时在整个表面中凸部的面积的比率。在加工期间,控制电子照相感光构件和模具的温度使得电子照相感光构件的表面的温度为120℃。在电子照相感光构件和加压构件以7.0MPa的压力压向模具的同时电子照相感光构件沿圆周方向旋转,从而在电子照相感光构件的表面层(周面)的整个表面上形成凹部。
制备实施例A1的两个电子照相感光构件,以上述方式,一个用于电特性评价和一个用于X射线衍射测量。
[电子照相感光构件的评价]
<电子照相感光构件的电特性的评价1>
作为电子照相感光构件的电特性的评价1,使用由Canon Inc.制造的电子照相设备imageRUNNER ADVANCE C3330的改造机。使用向辊型接触充电构件(充电辊)施加直流电压的系统作为充电单元进行评价。
将评价设备设置在温度为23℃和相对湿度为50%RH的环境下。电子照相感光构件的表面电位的测量通过从评价设备中取出显影盒并且将电位测量设备插入其中来进行。将电位测量设备构造为电位测量探针配置在显影盒的显影位置并且电位测量探针的位置在电子照相感光构件的母线方向(bus line)的中央。
当向充电构件(充电辊)施加-1500V的直流电压时电子照相感光构件的表面电位(暗区电位)Vd1评价为带电特性的评价。结果在表2中示出。
当在上述评价条件下测量的暗区电位Vd1的绝对值|Vd1|为750V以上时带电特性评价为等级A,当为700V以上时评价为等级B,当为650V以上时评价为等级C和当小于650V时评价为等级D。
接下来,调节施加至充电构件(充电辊)的电压使得暗区电位Vd1为-700V。调节激光量使得当进行用波长为780nm的激光光照射时的亮区电位Vl1为-200V,并且评价打印出10张实心黑色图像之后的残余电位Vr1。结果在表2中示出。
当在上述条件下测量的残余电位Vr1的绝对值|Vr1|为70V以下时残余电位评价为等级A,当为100V以下时评价为等级B和当大于100V时评价为等级C。
<底涂层的X射线衍射测量>
首先,使用甲基乙基酮和甲醇从制备的电子照相感光构件中除去电荷产生层以上的层用于X射线衍射测量。
接下来,使用美工刀切出底涂层,并且使用研钵将切出的底涂层制成粉末形态,然后放在无反射试样板(由Rigaku Corporation制造)上同时轻轻按压粉末使得平坦。将平坦后的试样与试样板一起放入设备中。
使用MiniFlex600(由Rigaku Corporation制造)在以下条件下进行测量。
在通过测量获得的X射线衍射图中,计算在2θ=32.20±0.20(θ表示布拉格角)的位置处出现的峰的半值宽度。峰半值宽度的计算使用由Rigaku Corporation生产的分析软件“PDXL”来进行。结果在表2中示出。
[X射线衍射的测量条件]
管球:Cu
平行光束光学系统
电压:40kV
电流:15mA
开始角度:3°
终止角度:60°
采样宽度:0.02°
扫描速度:10.00°/min
发散狭缝:0.625deg
散射狭缝:8.0mm
光接收狭缝:13.0mm(打开(Open))
[实施例A2]
除了在实施例A1中将添加至底涂层用涂布液中的1.2份2,3,4-三羟基二苯甲酮改变为1.2份茜素(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A2的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A3]
除了在实施例A1中将添加至底涂层用涂布液中的1.2份2,3,4-三羟基二苯甲酮改变为1.2份9-芴酮(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A3的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A4]
除了在实施例A1中不添加添加至底涂层用涂布液中的1.2份2,3,4-三羟基二苯甲酮以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A4的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A5至A10]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-1B至1G以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A5至A10的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A11]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-1以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A11的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A12]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-4A以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A12的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A13]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-5A以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A13的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A14]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-7A以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A14的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A15]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-2A以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A15的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A16]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-3A以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A16的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A17]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-6A以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A17的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A18]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-8A以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A18的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A19]
除了在实施例A1中不使用用于底涂层用涂布液的硅油以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A19的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A20]
除了在实施例A1中将各自用于底涂层用涂布液的15份缩丁醛树脂和15份封端异氰酸酯改变为25份缩丁醛树脂和25份封端异氰酸酯、并且将实施例A1中的120份颗粒S-1A改变为100份以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A20的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A21]
除了在实施例A1中将各自用于底涂层用涂布液的15份缩丁醛树脂和15份封端异氰酸酯改变为19份缩丁醛树脂和18.5份封端异氰酸酯、并且在实施例A1中将120份颗粒S-1A改变为112.5份以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A21的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A22]
除了在实施例A1中将各自用于底涂层用涂布液的300份甲基乙基酮和300份1-丁醇改变为600份THF以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A22的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A23]
除了在实施例A1中将底涂层的膜厚度由2.0μm改变为1.0μm以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A23的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A24]
除了在实施例A1中将底涂层的膜厚度由2.0μm改变为5.0μm以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A24的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A25]
除了在实施例A1中通过下述方法形成底涂层以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A25的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
在115份甲基乙基酮和115份1-丁醇的混合液中,溶解27份作为多元醇树脂的缩丁醛树脂(商品名:BM-1,由Sekisui Chemical Co.,Ltd.制造)和27份封端异氰酸酯(商品名:Sumidule 3175,由Sumika Bayer Urethane Co.,Ltd.制造)。
向溶液中,添加135份作为钛酸锶颗粒的颗粒S-1A和1.35份作为添加剂的2,3,4-三羟基二苯甲酮(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造),并且用使用直径为0.8mm的玻璃珠的砂磨机设备在23±3℃的气氛下将所得混合物分散3小时。
在分散之后,将0.02份硅油(商品名:SH 28PA,由Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造)和9.5份交联的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)颗粒(商品名:TECHPOLYMER SSX-103,由Sekisui Plastics Co.,Ltd.制造)添加至分散液中并且搅拌所得混合物,从而获得底涂层用涂布液。
将支承体用获得的底涂层用涂布液浸渍涂布并且将支承体上的涂布液在160℃下干燥30分钟,从而形成膜厚度为18.0μm的底涂层。
[实施例A26]
除了在实施例25中将底涂层的膜厚度由18μm改变为30.0μm以外,以与实施例A25相同的方式制备实施例A26的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A27]
除了在实施例A1中将底涂层用涂布液的干燥条件由30min/160℃改变为20min/170℃以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A27的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A28]
除了在实施例A1中将底涂层用涂布液的干燥条件由30min/160℃改变为50min/150℃以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A28的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A29]
除了在实施例A1中将通过下述方法加工的铝圆筒用作支承体以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A29的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
将圆筒状铝圆筒(直径为30mm,长度为357.5mm和壁厚度为0.7mm)安装至车床并且用金刚石烧结切削工具进行切削加工使得铝圆筒具有30.0±0.02mm的外径、15μm的偏转精度和Rz=0.2μm的表面粗糙度。在切削加工时,主轴的转数为3000rpm,切削工具的进给速度为0.3mm/rev和除去工件的安装和拆卸的时间的加工时间为24秒。
根据JIS B 0601使用由Kosaka Laboratory Ltd.制造的表面粗糙度测量仪器SURFCORDER SE3500并且设定截至值(cut off)0.8mm和测量长度为8mm来进行表面粗糙度的测量。
使用液体(湿式)珩磨设备(horning apparatus)在以下条件下对获得的铝切削管进行液体珩磨处理。
<液体珩磨条件>
研磨材料的磨粒=平均粒径为30μm的球状氧化铝珠
(商品名:CB-A30S,由Showa Denko K.K.制造)
悬浮介质=水
研磨材料/悬浮介质=1/9(体积比)
铝切削管的转数=1.67S-1
吹气压力=0.15MPa
枪的移动速度=13.3mm/sec.
枪喷嘴与铝管之间的距离=200mm
珩磨用磨粒的排出角度=45°
研磨液的投射次数=1次(单程(one way))
关于珩磨后的圆筒的表面粗糙度,Rmax为2.53μm,Rz为1.51μm,Ra为0.23μm和Sm为34μm。在以上述方式施加湿式珩磨处理之后即刻将铝圆筒一次浸渍在填充有纯水的浸渍槽中,然后拉起铝圆筒,并且在圆筒干燥之前向圆筒施加纯水喷淋洗涤。然后,将85℃的温水从排出喷嘴排出至基体的内表面使得温水与内表面接触,并且使外表面干燥。然后,使基体的内表面风干。
以上述方式进行了表面加工的铝圆筒用作电子照相感光构件的支承体。
[实施例A30]
除了在实施例A1中将通过下述方法加工的铝圆筒用作支承体以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A30的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
将圆筒状铝圆筒安装至车床并且使用单晶金刚石切削工具(前端R为20mm)进行切削加工。在切削加工时,主轴的转数为3000rpm,切削工具的进给速度为5mm/转。
[实施例A31]
除了在实施例A1中在支承体与底涂层之间设置下述导电层以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A31的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
通过将57份具有包覆层的氧化钛颗粒(商品名;Passtran LRS,由MITSUI MINING&SMELTING CO.,LTD.制造)、35份甲阶型酚醛树脂(商品名:PHENOLITE J-325,由DICcorporation(原名称Dainippon Ink and Chemicals,Inc.)制造,固成分为60%的甲醇溶液)和33份2-甲氧基-1-丙醇用使用直径为1mm的玻璃珠的砂磨机分散3小时来制备分散液。分散液中包含的粉末的平均粒径为0.30μm。
向分散液中,添加通过将8份硅酮树脂(商品名:Tospearl 120,由MomentivePerformance Materials Japan LLC.(原名称Toshiba Silicone Co.,Ltd.)制造)分散在8份2-甲氧基-1-丙醇中获得的液体。进一步,向其中添加0.008份硅油(商品名:SH 28PA,由Dow Corning Toray Co.,Ltd.(原名称Toray Silicone Co.,Ltd.)制造)。
通过浸渍法用由此制备的分散液涂布铝圆筒,并且铝圆筒上的分散液通过在将其中的温度调节至150℃的热风干燥机中加热30分钟而固化以使分散液的涂膜固化,从而形成膜厚度为30μm的导电层。
[实施例A32]
除了在实施例A1中将通过下述方法制备的表面层用涂布液(保护层用涂布液)用于表面层(保护层)的形成以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A32的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
将100份的量的由式(F)表示的化合物、200份1-丙醇和100份1,1,2,2,3,3,4-七氟环戊烷(商品名:ZEORORA H,由Zeon Corporation制造)混合并搅拌。
然后,用聚四氟乙烯过滤器(商品名:PF-020,由Advantec Toyo Kaisha,Ltd.制造)过滤溶液,从而制备表面层用涂布液(保护层用涂布液)。
[实施例A33]
除了在实施例A1中将通过下述方法制备的表面层用涂布液(保护层用涂布液)用于表面层(保护层)的形成以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A33的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
在45份1,1,2,2,3,3,4-七氟环戊烷(商品名:ZEORORA H,由Zeon Corporation制造)和45份1-丙醇的混合溶剂中,溶解1.5份含氟原子树脂(商品名:GF-300,由ToagoseiCo.,Ltd.制造)。
然后,使通过将30份四氟乙烯树脂粉末(商品名:Lubron L-2,由DaikinIndustries,Ltd.制造)添加至溶液中获得的混合液通过高压分散机(商品名:Microfluidizer M-110EH,由Microfluidics Corp.制造),从而获得分散液。
然后,将70份由式(F)表示的化合物、30份1,1,2,2,3,3,4-七氟环戊烷和30份1-丙醇添加至分散液中,并且将所得液体用聚四氟乙烯过滤器(商品名:PF-040,由AdvantecToyo Kaisha,Ltd.制造)过滤,从而制备表面层用涂布液(保护层用涂布液)。
[实施例A34]
除了在实施例A1中将电子照相感光构件的表面加工改变为下述使用研磨设备的加工以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A34的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
研磨表面研磨之前的电子照相感光构件的表面。使用图3所示的研磨设备在以下条件下进行研磨。
研磨片的进给速度;400mm/min
电子照相感光构件的转数;450rpm
电子照相感光构件向支承辊的推入;3.5mm
研磨片和电子照相感光构件的旋转方向;和
支承辊;外径为100mm和Asker C硬度为25
要安装至研磨设备的研磨片A通过将用于各自由RIKEN CORUNDUM CO.,LTD.制造的GC3000和GC2000的磨粒混合来制备。
GC3000(研磨片的表面粗糙度Ra为0.83μm)
GC2000(研磨片的表面粗糙度Ra为1.45μm)
研磨片A(研磨片的表面粗糙度Ra为1.12μm)
使用研磨片A的研磨时间为20秒。
[实施例A35]
除了在实施例A1中不设置表面层(保护层)和实施例1中的电荷输送层通过下述方法形成以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A35的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
72份的量的由式(B)表示的化合物(电荷输送物质),
8份式(D)表示的化合物(电荷输送物质),
100份具有由下式(I)表示的结构的树脂,
1.8份具有由下式(J)表示的结构的树脂,
360份邻二甲苯,
160份苯甲酸甲酯,和
270份二甲氧基甲烷(甲醛缩二甲醇)
将以上混合并且用作电荷输送层用涂布液。
随后,将电荷产生层用电荷输送层用涂布液浸渍涂布,并且将获得的涂膜在125℃下干燥50分钟,从而形成膜厚度为20μm的电荷输送层。
(其中,m和n表示共聚比,和m:n=7:3)
[实施例A36]
除了在实施例A1中将各自用于底涂层用涂布液的15份缩丁醛树脂和15份封端异氰酸酯改变为30份酚醛树脂(商品名:Plyophen J-325,由DIC Corporation制造),并且将实施例A1中的300份甲基乙基酮和300份1-丁醇改变为300份甲醇和300份1-甲氧基-2-丙醇以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A36的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A37]
除了在实施例A1中将各自用于底涂层用涂布液的15份缩丁醛树脂和15份封端异氰酸酯改变为30份醇溶性的共聚聚酰胺(商品名:Amilan CM8000,由Toray Industries,Inc.制造),并且将实施例A1中的300份甲基乙基酮改变为300份甲醇以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A37的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A38]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-9A以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A38的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A39]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-11A以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A39的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A40]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-12A以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A40的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[实施例A41]
除了将实施例A1中的底涂层通过下述方法形成以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A41的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
<氨还原的铌氧化物颗粒N-1的生产例>
在700℃下在氨气以3cm/sec的线流速流动下对平均一次粒径为60nm的五氧化二铌微细粉末进行还原处理6小时。随后,添加10%的盐酸水溶液以获得粉末,并且搅拌所得混合物并静置。除去获得的上清液,然后进行用水的倾析两次,并且使通过借助过滤分离而获得的残留物干燥。对获得的残留物施加粉碎处理以获得平均一次粒径为60nm的颗粒N-1的粉末。获得的颗粒N-1的元素比率通过下述ESCA分析来分析。测量条件如下。
<ESCA分析>
使用的设备:VersaProbe II,由ULVAC-PHI,Inc.制造
X射线源:Al Kα1486.6eV(25W 15kV)
测量面积:φ100μm
光谱区域:300×200μm,角度为45°
通能(Pass Energy):58.70eV
步长(Step Size):0.125eV
由在上述条件下测量的各元素的峰强度,使用通过ULVAC-PHI,Inc.提供的相对敏感因子来计算表面原子浓度(原子%)。采用的各元素的峰顶范围如下。
O:源自1s轨道的光电子的能量:525~545eV
N:源自1s轨道的光电子的能量:390~410eV
Nb:源自2p轨道的光电子的能量:197~217eV
要注意的是,为了排除表面污染的影响,在以0.5~4.0kV的强度进行Ar离子溅射之后进行测量。
作为测量的结果,对于颗粒N-1,在式(N)中,求得X的值为1.16和求得Y的值为0.78。
随后,将15份作为多元醇树脂的缩丁醛树脂(商品名:BM-1,由Sekisui ChemicalCo.,Ltd.制造)和15份封端异氰酸酯(商品名:Sumidule 3175,由Sumika Bayer UrethaneCo.,Ltd.制造)溶解在115份甲基乙基酮和115份1-丁醇的混合液中。
向溶液中,添加94.5份作为钛酸锶颗粒的颗粒S-3A、40.5份颗粒N-1和1.35份作为添加剂的2,3,4-三羟基二苯甲酮(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造),并且将所得混合物用使用直径为0.8mm的玻璃珠的砂磨机设备在23±3℃的气氛下分散3小时。
在分散之后,将0.02份硅油(商品名:SH 28PA,由Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造)和9.5份交联的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)颗粒(商品名:TECHPOLYMER SSX-103,由Sekisui Plastics Co.,Ltd.制造)添加至分散液中并且搅拌所得混合物,从而获得底涂层用涂布液。
将支承体用获得的底涂层用涂布液浸渍涂布并且将支承体上的涂布液在160℃下干燥30分钟,从而形成膜厚度为30.0μm的底涂层。
[实施例A42]
除了在实施例A41中将各自用于底涂层用涂布液的94.5份颗粒S-3A和40.5份颗粒N-1改变为67.5份颗粒S-3A和67.5份颗粒N-1以外,以与实施例A41相同的方式制备实施例A42的电子照相感光构件,并且进行评价。结果在表2中示出。
[实施例A43]
除了在实施例A41中将各自用于底涂层用涂布液的94.5份颗粒S-3A和40.5份颗粒N-1改变为128.25份颗粒S-3A和6.75份颗粒N-1以外,以与实施例A41相同的方式制备的实施例A43的电子照相感光构件,并且进行评价。结果在表2中示出。
[实施例A44]
除了在实施例A41中将底涂层的膜厚度由30.0μm改变为15.0μm以外,以与实施例A41相同的方式制备实施例A44的电子照相感光构件,并且进行评价。结果在表2中示出。
[实施例A45]
除了在实施例A42中将底涂层的膜厚度由30.0μm改变为15.0μm以外,以与实施例A42相同的方式制备实施例A45的电子照相感光构件,并且进行评价。结果在表2中示出。
[实施例A46]
除了在实施例A43中将底涂层的膜厚度由30.0μm改变为15.0μm以外,以与实施例A43相同的方式制备实施例A46的电子照相感光构件,并且进行评价。结果在表2中示出。
[实施例A47]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-14A以外,以与实施例A1相同的方式制备实施例A47的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[比较例A1]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-13A以外,以与实施例A1相同的方式制备比较例A1的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
[比较例A2]
除了在实施例A1中将用于底涂层用涂布液的钛酸锶颗粒S-1A改变为颗粒S-10A以外,以与实施例A1相同的方式制备比较例A2的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价和X射线衍射测量。结果在表2中示出。
表2
接下来,除了将长度为357.5mm、壁厚度为1.0mm和直径为30.5mm的铝圆筒用作支承体(导电性支承体)以外,以与实施例A1至A47和比较例A1至A2相同的方式制备实施例B1至B47和比较例B1至B2的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价2。结果在表3中示出。
[电子照相感光构件的评价]
<电子照相感光构件的电特性的评价2>
作为电子照相感光构件的电特性的评价2,使用由Canon Inc.制造的电子照相设备imagePRESS C850的改造机的青色站(cyan station)。使用向辊型接触充电构件(充电辊)施加直流电压的系统作为充电单元进行评价。
将评价设备设置在温度为23℃和相对湿度为50%RH的环境下。电子照相感光构件的表面电位的测量通过从评价设备中取出显影盒并且将电位测量设备插入其中来进行。电位测量设备构造为将电位测量探针配置在显影盒的显影位置并且电位测量探针的位置为电子照相感光构件的母线方向的中央。
当与2000Hz1500Vpp交流电压重叠的直流电压-830V施加至充电构件(充电辊)时电子照相感光构件的表面电位(暗区电位)Vd2评价为带电特性的评价。结果在表3中示出。
当在上述评价条件下测量的暗区电位Vd2的绝对值|Vd2|为750V以上时带电特性评价为等级A,当为700V以上时评价为等级B,当为650V以上时评价为等级C和当小于650V时评价为等级D。
接下来,调节施加至充电构件(充电辊)的直流电压使得暗区电位Vd2为-700V。调节激光量使得当进行用波长为680nm的激光光照射时的亮区电位Vl2为-200V,并且评价打印出10张实心黑色图像之后的残余电位Vr2。结果在表3中示出。
当在上述条件下测量的残余电位Vr2的绝对值|Vr2|为70V以下时,残余电位评价为等级A,当为100V以下时评价为等级B和当大于100V时评价为等级C。
表3
接下来,除了将长度为370.0mm、壁厚度为3.0mm和直径为84.0mm的铝圆筒用作支承体(导电性支承体)以外,以与实施例A1至A47和比较例A1至A2相同的方式制备实施例C1至C47和比较例C1至C2的电子照相感光构件,并且进行电特性的评价3。结果在表4中示出。
[电子照相感光构件的评价]
<电子照相感光构件的电特性的评价3>
作为电子照相感光构件的电特性的评价3,使用由Canon Inc.制造的电子照相设备imagePRESS C850的改造机的黑色站。使用向不与感光构件接触的栅极和线(grid andwire)施加电压的电晕充电系统作为充电单元进行评价。
将评价设备设置在温度为23℃和相对湿度为50%RH的环境下。电子照相感光构件的表面电位的测量通过从评价设备中取出显影盒并且将电位测量设备插入其中来进行。电位测量设备构造为将电位测量探针配置在显影盒的显影位置并且电位测量探针的位置为电子照相感光构件的母线方向的中央。
当将线电流-1000μA和栅极电压-850V施加至充电构件(充电辊)时电子照相感光构件的表面电位(暗区电位)Vd3评价为带电特性的评价。结果在表4中示出。
当在上述评价条件下测量的暗区电位Vd3的绝对值|Vd3|为750V以上时带电特性评价为等级A,当为700V以上时评价为等级B,当为650V以上时评价为等级C和当小于650V时评价为等级D。
接下来,调节栅极电压使得暗区电位Vd3为-700V。调节激光量使得当进行用波长为680nm的激光光照射时的亮区电位Vl3为-200V,并且评价打印出10张实心黑色图像后的残余电位Vr3。结果在表4中示出。
当在上述条件下测量的残余电位Vr3的绝对值|Vr3|为70V以下时残余电位评价为等级A,当为100V以下时评价为等级B和当大于100V时评价为等级C。
表4
如表2、3和4所示,根据本发明的包括包含钛酸锶颗粒的底涂层的电子照相感光构件、和各自设置有该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备抑制残余电位,进一步具有良好的带电特性。
虽然参考示例性实施方案已描述了本发明,但应理解本发明并不局限于公开的示例性实施方案。权利要求的范围符合最宽泛的解释以涵盖所有此类改进以及等同的结构和功能。

Claims (12)

1.一种电子照相感光构件,其依次包括;支承体;底涂层;和感光层,其特征在于,
所述底涂层包含粘结剂树脂和钛酸锶颗粒,
所述钛酸锶颗粒在CuKα特性X射线衍射图中在2θ=32.20±0.20的位置处具有最大峰,θ表示布拉格角,和
所述最大峰的半值宽度为0.10deg以上且0.50deg以下。
2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述钛酸锶颗粒的一次颗粒的数均粒径为10nm以上且150nm以下。
3.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述半值宽度为0.23deg以上。
4.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述钛酸锶颗粒的一次颗粒的数均粒径为10nm以上且95nm以下。
5.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述钛酸锶颗粒用表面处理剂来表面处理。
6.根据权利要求5所述的电子照相感光构件,其中所述表面处理剂为硅烷偶联剂。
7.根据权利要求6所述的电子照相感光构件,其中所述硅烷偶联剂为包含选自由烷基、氨基和卤素原子组成的组的至少一种官能团的硅烷偶联剂。
8.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述底涂层包含电子接受性物质。
9.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述底涂层包含选自由下式(1)和(2)所表示的组的至少一种化合物:
其中Ra1~Ra8各自独立地表示氢原子、羟基、卤素原子、烷基、烷氧基、苯基或氨基;
其中Rb1~Rb10各自独立地表示氢原子、羟基、卤素原子、烷基、烷氧基、苯基或氨基。
10.一种处理盒,其特征在于,其一体化支承:根据权利要求1~9任一项所述的电子照相感光构件;和选自由充电单元、显影单元、转印单元和清洁单元组成的组的至少一种的单元,所述处理盒可拆卸地安装至电子照相设备主体。
11.一种电子照相设备,其特征在于,其包括:根据权利要求1~9任一项所述的电子照相感光构件;充电单元;曝光单元;显影单元;和转印单元。
12.根据权利要求11所述的电子照相设备,其包括作为所述充电单元的、配置在所述电子照相感光构件上使得与所述电子照相感光构件接触的充电辊;并且所述充电辊通过向所述充电辊仅施加直流电压使所述电子照相感光构件带电。
CN201810394403.7A 2017-04-27 2018-04-27 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备 Active CN108803266B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017088699 2017-04-27
JP2017-088699 2017-04-27
JP2017-196814 2017-10-10
JP2017196814 2017-10-10
JP2018-080774 2018-04-19
JP2018080774A JP6526286B2 (ja) 2017-04-27 2018-04-19 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108803266A true CN108803266A (zh) 2018-11-13
CN108803266B CN108803266B (zh) 2022-03-15

Family

ID=63797239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810394403.7A Active CN108803266B (zh) 2017-04-27 2018-04-27 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10241429B2 (zh)
CN (1) CN108803266B (zh)
DE (1) DE102018110055B4 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6918663B2 (ja) * 2017-09-26 2021-08-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7034655B2 (ja) 2017-10-03 2022-03-14 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7075288B2 (ja) 2018-06-05 2022-05-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7267710B2 (ja) * 2018-10-17 2023-05-02 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7187266B2 (ja) 2018-10-25 2022-12-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2020067598A (ja) * 2018-10-25 2020-04-30 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2020067635A (ja) 2018-10-26 2020-04-30 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7195940B2 (ja) 2019-01-09 2022-12-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7314550B2 (ja) * 2019-03-20 2023-07-26 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置
JP2020201467A (ja) 2019-06-13 2020-12-17 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0371144A (ja) * 1989-08-10 1991-03-26 Mitsubishi Kasei Corp 電子写真感光体の製造方法
WO2007078002A1 (ja) * 2006-01-06 2007-07-12 Canon Kabushiki Kaisha 現像剤及び画像形成方法
JP2008164948A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Canon Inc 画像形成方法
CN101449211A (zh) * 2006-05-18 2009-06-03 三菱化学株式会社 电子照相感光体、成像装置和电子照相盒
CN101968612A (zh) * 2009-07-27 2011-02-09 夏普株式会社 电子照相感光体和包含所述电子照相感光体的成像装置
CN103838095A (zh) * 2012-11-20 2014-06-04 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
CN105843003A (zh) * 2015-02-02 2016-08-10 京瓷办公信息系统株式会社 电子照相感光体及其制造方法、处理盒以及图像形成装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5198685A (en) 1990-08-01 1993-03-30 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus with shock-absorbing layer
DE69708732T2 (de) 1996-03-27 2002-08-08 Canon K.K., Tokio/Tokyo Elektrophotographisches photoempfindliches Element, elektrophotographischer Apparat und Prozesskassette unter Verwendung desselben
US5876890A (en) 1996-05-27 1999-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member and apparatus and process cartridge provided with the same
US6408152B1 (en) 1998-04-30 2002-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
US6183922B1 (en) 1998-07-31 2001-02-06 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
US6218063B1 (en) 1998-08-26 2001-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
DE60030212T2 (de) 1999-06-25 2007-07-19 Canon K.K. Elektrophotographisches lichtempfindliches Element, Verfahrenskartusche und elektrophotographisches Gerät welches dieses Element umfasst
KR101052449B1 (ko) 2005-10-26 2011-07-28 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 전자 사진 감광체, 전자 사진 감광체 카트리지 및 화상형성 장치
JP4942382B2 (ja) 2006-04-12 2012-05-30 三菱化学株式会社 電子写真感光体及び該感光体を用いた画像形成装置
WO2008117806A1 (ja) 2007-03-27 2008-10-02 Canon Kabushiki Kaisha 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4372213B2 (ja) 2007-03-28 2009-11-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
KR101307615B1 (ko) 2007-07-26 2013-09-12 캐논 가부시끼가이샤 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치
JP6049329B2 (ja) 2012-06-29 2016-12-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2016038577A (ja) 2014-08-06 2016-03-22 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US9971258B2 (en) 2014-09-30 2018-05-15 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
US9766561B2 (en) 2015-03-31 2017-09-19 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
JP6588731B2 (ja) 2015-05-07 2019-10-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US9811012B2 (en) 2015-09-24 2017-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, electrophotographic apparatus and process for producing electrophotographic photosensitive member
JP6704739B2 (ja) 2016-01-28 2020-06-03 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US9983490B2 (en) 2016-03-31 2018-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic apparatus

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0371144A (ja) * 1989-08-10 1991-03-26 Mitsubishi Kasei Corp 電子写真感光体の製造方法
WO2007078002A1 (ja) * 2006-01-06 2007-07-12 Canon Kabushiki Kaisha 現像剤及び画像形成方法
CN101449211A (zh) * 2006-05-18 2009-06-03 三菱化学株式会社 电子照相感光体、成像装置和电子照相盒
JP2008164948A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Canon Inc 画像形成方法
CN101968612A (zh) * 2009-07-27 2011-02-09 夏普株式会社 电子照相感光体和包含所述电子照相感光体的成像装置
CN103838095A (zh) * 2012-11-20 2014-06-04 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
CN105843003A (zh) * 2015-02-02 2016-08-10 京瓷办公信息系统株式会社 电子照相感光体及其制造方法、处理盒以及图像形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10241429B2 (en) 2019-03-26
DE102018110055B4 (de) 2022-03-10
US20180314173A1 (en) 2018-11-01
CN108803266B (zh) 2022-03-15
DE102018110055A1 (de) 2018-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108803266A (zh) 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
CN108508715B (zh) 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
US10488770B2 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
CN109557777A (zh) 电子照相感光构件、其生产方法、处理盒、和电子照相设备
CN108732877B (zh) 电子照相感光构件、处理盒、和电子照相设备
EP3201691B1 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
CN108803265A (zh) 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
CN103376675A (zh) 电子照相感光体、处理盒和成像装置
US10705440B2 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
CN105652614B (zh) 电子照相感光构件及其生产方法,处理盒和电子照相设备
JP5239488B2 (ja) 有機感光体、画像形成方法、画像形成装置および画像形成ユニット
JP6526286B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US11112706B2 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP5039469B2 (ja) 電子写真感光体の製造方法
CN109976113A (zh) 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
JP7425669B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置
US20200133145A1 (en) Electrophotographic photoconductor, process cartridge, and electrophotographic apparatus
CN114995078A (zh) 电子照相图像形成设备和处理盒
JP2019179077A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2020071478A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2006133303A (ja) 電子写真感光体の製造方法および該製造方法によって製造される電子写真感光体ならびに該電子写真感光体を備える画像形成装置
JP2000171997A (ja) 電子写真感光体およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant