CN108780670B - 束流强度转换膜以及束流强度转换膜的制造方法 - Google Patents

束流强度转换膜以及束流强度转换膜的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108780670B
CN108780670B CN201780014702.7A CN201780014702A CN108780670B CN 108780670 B CN108780670 B CN 108780670B CN 201780014702 A CN201780014702 A CN 201780014702A CN 108780670 B CN108780670 B CN 108780670B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
graphite
intensity conversion
charged particle
beam intensity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780014702.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108780670A (zh
Inventor
村上睦明
多多见笃
立花正满
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaneka Corp
Original Assignee
Kaneka Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kaneka Corp filed Critical Kaneka Corp
Publication of CN108780670A publication Critical patent/CN108780670A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108780670B publication Critical patent/CN108780670B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32321—Discharge generated by other radiation
    • H01J37/3233—Discharge generated by other radiation using charged particles
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/02—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/10—Scattering devices; Absorbing devices; Ionising radiation filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus

Abstract

本发明实现一种具备充分的屏蔽性、耐久性、耐热性且放射性活化程度能降低的束流强度转换膜。衰减器(1)由石墨膜构成，该石墨膜以其膜面与荷电粒子束(X)的束轴相交的方式配置，石墨膜的厚度为1μm以上，石墨膜在其膜面方向上的热导率是在其膜厚方向上的热导率的20倍以上。

Description

束流强度转换膜以及束流强度转换膜的制造方法
技术领域
本发明涉及束流强度转换膜以及束流强度转换膜的制造方法。
背景技术
在回旋加速器等生成各种荷电粒子束的加速器的运用上，要求对荷电粒子束的大小进行调整并在更广的范围内控制束流强度。针对该要求，本领域中采用了减小荷电粒子束大小的刮束器及使荷电粒子束的强度衰减的衰减器等具备开口部的束流强度转换膜。
例如，专利文献1中，作为用于生成低速正电子的减速材，揭示了由金属网构成的衰减器。该金属网由钨构成。
此外，专利文献2中揭示了包含石墨态或非晶质碳等非类钻碳、以及类钻碳这两者的自支持性多层膜。
此外，作为构成束流强度转换膜的材料，除了上述的钨之外，已知的还有钛等。
(现有技术文献)
(专利文献)
专利文献1：日本特开2005－326299号公报
专利文献2：日本特表2009－530493号公报
发明内容
(发明要解决的课题)
但是，上述现有技术存在着以下问题：(1)强度转换膜对荷电粒子束的耐久性低，(2)如何才能降低荷电粒子束所引起的强度转换膜及周围机器的放射性活化。
一般来说，作为束流强度转换膜，从耐久·耐热性的观点来看，多使用钛、钨等金属膜，而从不易发生放射性活化的观点来看，多使用碳部件。这里所谓的放射性活化不仅是指强度转换膜自身的放射性活化，也指束流强度转换膜反射的束流所引起的周围机器的放射性活化。人类无法对发生了强烈放射性活化的束流强度转换膜及周围机器进行操作，因此需要在放射性活化程度未加深之前使加速器停止并更换束流强度转换膜。而这实际上造成了加速器的驱动时间缩短。
此外，对于加速器中的束流强度转换膜(衰减器及刮束器)而言，要求其对束流照射所引起的温度上升具备高耐久性。例如，根据设置场所及开口率，要求衰减器所具备的耐久性各不相同，其束流强度转换膜的更换频度也各不相同。例如，关于开口率50％的由非晶质碳构成的衰减器，由于铀束的照射，其在极短的时间内就被破坏，因此转换膜的更换频度高。而高更换频度实际上造成了加速器的驱动时间缩短。
在束流强度转换膜由专利文献2所述的碳部件所构成时，强度转换膜对荷电粒子束的耐久性是个很大的问题。即，由碳构成的束流强度转换膜的最大课题是其耐久性。
本发明是鉴于上述问题而进行的，本发明的目的在于实现由放射性活化程度能降低的碳构成的、对荷电粒子束具备充分耐久性的束流强度转换膜以及束流强度转换膜的制造方法。
(解决课题的方法)
本发明的一个方式的束流强度转换膜的特征在于：具备可供荷电粒子束穿过的开口部且由1个或多个石墨膜构成，该石墨膜以其膜面与荷电粒子束的束轴相交的方式配置，各石墨膜的厚度为1μm以上，所述石墨膜在其膜面方向上的热导率是在其膜厚方向上的热导率的20倍以上。
此外，本发明的其他方式的束流强度转换膜的特征在于：具备可供荷电粒子束穿过的开口部且由1个或多个石墨膜构成，该石墨膜以其膜面与荷电粒子束的束轴相交的方式配置，各石墨膜的膜厚为1μm以上，所述石墨膜在其膜面方向上的电导率是在其膜厚方向上的电导率的100倍以上。
此外，本发明的其他方式的束流强度转换膜的制造方法的特征在于：是具备可供荷电粒子束穿过的开口部且由1个或多个石墨膜构成的束流强度转换膜的制造方法，通过对高分子膜进行煅烧来制作所述石墨膜。
(发明的效果)
根据本发明的实施方式，能够提供对荷电粒子束具备充分耐久性且放射性活化程度能降低的束流强度转换膜。
附图说明
图1是作为本发明实施方式1的束流强度转换膜的衰减器的概略结构，(a)是截面图，(b)是从荷电粒子束的出射方向观察的正面图。
图2是作为本发明实施方式2的束流强度转换膜的刮束器的概略结构的截面图。
图3是基于Bethe公式的能量损失率与粒子动能之间关系的曲线图。
<附图标记说明>
1 衰减器(束流强度转换膜)
1a 开口部
2 刮束器(束流强度转换膜)
2a 开口部
具体实施方式
如上所述，以往作为具备可供荷电粒子束穿过的开口部的束流强度转换膜，有时也使用放射性活化程度比较小的非晶质碳等碳部件。但是，从耐久性的观点来看，以非晶质碳为原材料来制作的束流强度转换膜根本不是理想的强度转换膜。荷电粒子束向束流强度转换膜入射时，会施加非常大的热负荷。例如，由非晶质碳构成的、开口率50％的束流强度转换膜在受到高能铀束的照射时，其基本上瞬间就会被破坏。
并且，非晶质碳膜的物理强度低，为了使其成为自支持性膜，需要想办法例如使其与类钻碳(DLC)膜等构成为多层膜等。如专利文献2所述，在制作这样的多层膜的例子中，需要以下的复杂工序：(i)在研磨基板上形成水溶性剥离层，(ii)非晶质碳层的堆积，(iii)DLC层的堆积，(iv)非晶质碳层的堆积，(v)在水中将多层膜从基板上剥离，(vi)多层膜的干燥等。
由此，为了开发由碳构成但自支持性及物理强度优越并且具备充分耐受上述热负荷的高耐久性的束流强度转换膜，本发明人进行了锐意开发。
结果是使用具备特定的特性及厚度的石墨，成功地开发出了具备优越的自支持性及物理强度的、对热负荷也具备充分耐久性并且放射性活化程度能降低的束流强度转换膜。
首先，考虑到加速器用强度转换膜专门在真空中使用，以下述目标来设计了具备高结晶性·高取向性的石墨，从而完成了本发明。所述目标为：采用在真空中具备3000℃以上的高耐热特性的石墨，并且使强度转换膜在其膜面方向上的热导率或电导率特性具备一定程度以上的各向异性。此外，还发现将该石墨膜的热导·电导的物性值及厚度控制在规定范围内，能够解决对荷电粒子束的屏蔽性、物理特性不充分的问题，从而完成了本发明。
束流强度转换膜的放射性活化程度及强度转换膜对束流的反射程度与束流强度转换膜所用的材料(元素)有关。例如，与钛(原子序数22)及钨(原子序数74)相比，作为轻元素的碳(原子序数12)能够使束流转换膜自身的放射性活化程度及荷电粒子束反射程度降低。并且，经过本发明人的研究，得出了以下的新的技术认知：荷电粒子束的反射程度与束流强度转换膜的温度也有关，若束流强度转换膜的温度高，则荷电粒子束的反射程度大。即，荷电粒子束的照射使束流强度转换膜的温度上升，该温度上升使束流强度转换膜对荷电粒子束的反射程度增大。另一方面，若能抑制束流强度转换膜的温度上升，则能够抑制荷电粒子束的反射。
即，我们发现了以下这一新的技术认知。与以往的钛及钨等金属膜相比，甚至与非晶质碳膜相比，本发明的石墨膜能使周围机器的放射性活化程度得到降低。如上所述，与钛及钨等金属膜相比，由碳元素单独构成的本发明的强度转换石墨膜在抑制放射性活化的这一点上具有优越的效果，这是由膜的构成元素自身所带来的效果，符合预想。另一方面，与非晶质碳膜相比，本发明的石墨膜同样能够使周围机器的放射性活化程度得到降低。其理由在于上述的发现，即：束流强度转换膜对荷电粒子束的反射程度受膜的温度上升的影响。换言之，其理由在于发现了以下全新的技术认知：若能将束流强度转换膜的温度抑制在低温，就能降低强度转换膜对荷电粒子束的反射。本发明的石墨膜具有如下特征：与非晶质碳膜相比，本发明的石墨膜的热导性优越，因此热扩散性能优越，并且由于大部分散热是通过辐射机制来进行的，因此石墨膜自身的温度不易上升。因此，结果是能够降低荷电粒子束的反射，从而抑制周围机器的放射性活化程度。基于以上技术认识的本发明的技术构思是无法根据现有技术认识来预见的，是本发明人独自完成的。
此外，若要将离子束等荷电粒子束的强度控制为目标强度，则优选根据荷电粒子束的强度，精密地控制对束流进行屏蔽而所需的石墨膜的膜厚及供束流穿过的开口部。本发明能够制作任何膜厚的石墨膜，并且由于本发明的物理强度优越，所以易于用激光等形成精密的开口部，可以说本发明是极为优越的方法。
另外，这里所说的束流强度转换膜为如下方案即可：设置有可供荷电粒子束穿过的开口部并且入射进来的荷电粒子束的强度与出射的荷电粒子束的强度不同。作为这样的束流转换膜，例如，可举出使荷电粒子束的能量衰减的衰减器、对荷电粒子束的束流的大小进行调整的刮束器等。
〔实施方式1〕
以下，对本发明的一个实施方式进行详细说明。图1是本实施方式的衰减器(束流强度转换膜)1的概略结构，图1的(a)是截面图，图1的(b)是从荷电粒子束的出射方向观察的正面图。
如图1的(a)所示，本实施方式的衰减器1上形成有可供荷电粒子束X穿过的开口部1a。衰减器1是使入射进来的荷电粒子束X的束流强度衰减的膜，其被配置为膜面与荷电粒子束X的束轴相交。此外，衰减器1由1个或多个石墨膜构成，各石墨膜的膜厚为1μm以上。衰减器1上未形成开口部1a的部分对荷电粒子束X进行屏蔽，因此衰减器1需要具备一定程度的厚度以使荷电粒子不透过。实现完全屏蔽而所需的石墨膜的厚度根据荷电粒子束X的强度而不同。束流强度高的情况下，实现完全遮断而所需的石墨膜的厚度较厚，而束流强度低的情况下，所需的厚度较薄。如果是强度比较低的1MeV左右的束流，则1μm以上的膜厚的石墨膜就能够有效屏蔽荷电粒子束X。
从荷电粒子束源(图中未示出)出射的荷电粒子束X入射到衰减器1时，荷电粒子束X从衰减器1上形成有开口部1a的部分穿过。而另一方面，在衰减器1上未形成开口部1a的部分则屏蔽荷电粒子束X。由此，荷电粒子束X中的穿过了开口部1a的束流成分从衰减器1出射。因此，荷电粒子束X的束流强度由衰减器1进行衰减。另外，荷电粒子束X穿过衰减器1的开口部后，暂时处于强度不均匀的状态，之后变为均匀分布，从而得到预期的衰减后的束流强度。
其中，衰减器1对荷电粒子束X的衰减程度受衰减器1的开口率(开口部1a的面积相对于衰减器1的膜面积的比例)的影响。因此，衰减器1的开口率可根据荷电粒子束X的目标束流强度来适当设定。考虑到构成衰减器1的石墨膜的强度等，衰减器1的开口率可设定为1～80％。
此外，如图1的(b)所示，衰减器1的开口部1a形成为狭缝状(竹帘状)。开口部1a只要在衰减器1上能使荷电粒子束X的入射侧与出射侧贯通即可，不限定为如图1的(b)所示的方案。例如，开口部1a可为冲孔那样的贯通孔及网眼状结构。
此外，也可在多张衰减器上构成开口部。例如，若使用多张图1所示的具备开口部1a的衰减器1，则可通过改变衰减器1彼此间的相对布局来对开口率进行调节。
作为一例，对使用2张具备狭缝状开口部1a的衰减器1的情况进行说明。在此，设想衰减器1的开口率为50％且双方的开口部1a被调整为相互一致。这种情况下，通过使2张衰减器1相对旋转来改变双方的开口部1a的角度，就能够对开口率进行调节。以使2张衰减器1双方的开口部1a成直角的方式对2张衰减器1进行配置时，开口率为25％。因此，若使用双方的开口部1a相一致的2张衰减器1，则通过使2张衰减器1相对旋转，就能够在25％至50％的范围内对其开口率进行调节。
此外，若将2张衰减器1调整成双方的开口部1a互不相同，即，若将2张衰减器1调整成一方衰减器1的开口部1a与另一方衰减器1的除开口部1a以外的部分(屏蔽部)相一致，则开口率为0％，通过使2张衰减器1相对旋转，就能够在0％至25％的范围内对开口率进行调节。
(关于构成衰减器1的石墨膜)
为了在非开口部对荷电粒子束X进行屏蔽来不使荷电粒子穿过，构成衰减器1的石墨膜需要具备一定程度的膜厚。若为超过1μm膜厚的石墨膜，则能够有效地屏蔽低能量荷电粒子束X。而另一方面，为了完全屏蔽更高能量的荷电粒子束，需要更厚的膜厚。这种情况下，较为有效的方法是对本实施方式所使用的石墨膜进行多张层叠并在加压下进行加热等，由此制作更厚的膜。一般来说，本实施方式所使用的具备高取向性及结晶性的厚石墨膜是非常难以制作的，但通过将本实施方式所使用的石墨膜多张层叠，就能够制作具备高取向性及结晶性且具备100μm以上厚度的衰减器。
本实施方式中的石墨膜具备高结晶性·取向性，其特征在于构成该石墨膜的石墨的基(Basal)面与石墨膜的膜面平行排列。这样的取向性可通过石墨膜的热导性来进行评价。本实施方式中的石墨膜的特征在于在膜面方向上的热导率是在膜厚方向上的热导率的20倍以上，超过20倍即可，对其他方案并无特别限定。
此外，构成衰减器1的石墨膜的厚度为1μm以上，其取向性可通过石墨膜的电导性来进行评价。本实施方式中的石墨膜的特征在于在膜面方向上的电导率是在电流方向上的热导率的100倍以上。超过100倍即可，对其他方案并无特别限定。
另外，与热导率相比，电导率极易测定，因此电导率的特性是对石墨膜的性能进行管理的极为有效的指标。
构成衰减器1的石墨膜的开口率为1～80％。开口率在此范围内即可，对开口形状及开口方法并无特别限定。
此外，从高散热特性、高耐久性、优越的物理强度的观点来看，构成衰减器1的石墨膜在其膜面方向上的热导率优选为1000W/(m·K)以上。这样的石墨膜强度高且具备高热导性，因此优选。另外，这里的膜厚是指衰减器1的在荷电粒子束X的透射方向上的尺寸。
从高品质、高耐久性、优越的物理强度的观点来看，构成衰减器1的石墨膜在其膜面方向上的电导率优选为12000S/cm以上。
此外，在加速器中，衰减器1的更换频度根据其开口率及设置场所等而各不相同。更换时，若衰减器1及周围机器发生放射性活化，则存在操作者受辐射的危险。并且，若这些部件发生了放射性活化，则这些放射性废弃物的处理等也会成为问题。若在使用时衰减器1的发热量变大，则发热会使放射性活化程度增强，从而不仅是衰减器1，其周围的部件也会发生放射性活化。因此，通过衰减器1的高散热性来防止照射荷电粒子束X时所引起的发热，则不仅能够延长衰减器1的寿命，而且从防止周围机器发生放射性活化的观点来看也是非常重要的。
(石墨膜的制造方法)
本实施方式中的石墨膜的制造方法并无特别限定，例如，可举出对高分子膜进行热处理来制作石墨膜的方法。具体地，本实施方式的一例石墨膜的制造方法包含使芳族聚酰亚胺膜碳化的碳化工序、以及使碳化了的芳族聚酰亚胺膜石墨化的石墨化工序。
<碳化工序>
碳化工序中，在减压下或在氮气中对作为起始物料的芳族聚酰亚胺膜进行预加热处理来进行碳化。关于碳化的热处理温度，优选以500℃以上，更优选以600℃以上，最优选以700℃以上的温度进行热处理。碳化处理的过程中，为了不使起始物料高分子膜起皱，可以以膜不破损的程度，沿膜的厚度方向施加压力，或者沿与膜面平行的方向施加牵拉张力。
<石墨化工序>
石墨化工序中，可以暂时将碳化了的聚酰亚胺膜取出并转移到石墨化炉中，然后再来进行石墨化，也可以连续地从碳化进行到石墨化。石墨化在减压下或者在不活泼气体中进行，氩气、氦气是适当的不活泼气体。关于热处理温度(煅烧温度)，可处理至2400℃以上，优选处理至2600℃以上，更优选处理至2800℃以上，最优选处理至3000℃以上。另外，石墨化工序中，可沿膜的厚度方向施加压力，也可沿与膜面平行的方向施加牵拉张力。
利用上述方法，能够得到具备良好的石墨结晶构造且热导性、电导性优越的石墨膜。
本实施方式中所使用的高分子膜只要能够通过碳化处理或石墨化处理、或者通过这两种处理而转换为膜面方向和膜厚方向上的热导率/电导率的各向异性处在上述范围内的石墨膜，则无特别限定。例如，优选是选自芳族聚酰亚胺、芳族聚酰胺、聚恶二唑、聚苯并噻唑、聚苯并双噻唑、聚苯并恶唑、聚苯并双恶唑、聚对苯乙炔、聚苯并咪唑、聚苯并双咪唑、聚苯并噻唑中的至少一种以上高分子膜。作为本实施方式中的石墨膜的原料膜，特别优选的是芳族聚酰亚胺膜。
(石墨膜在其膜面方向上的热导率)
本实施方式中所使用的石墨膜在膜面方向和膜厚方向上的热导率的各向异性为20倍以上，更优选为30倍以上，最优选为50倍以上。这里所说的“在膜面方向和膜厚方向上的热导率的各向异性”是指：膜面方向上的热导率相对于膜厚方向上的热导率的比率(在膜面方向上的热导率/在膜厚方向上的热导率)。
在膜面方向上的热导率具体为1000W/(m·K)以上，优选为1200W/(m·K)以上，更优选为1400W/(m·K)以上，进而优选为1600W/(m·K)以上。
若使用在膜面方向上的热导率是1000W/(m·K)以上的石墨膜，则能够得到具备更高散热性的石墨膜。在膜面方向上的热导率是1000W/(m·K)以上的石墨膜相比于金属材料(例如铜、铝等)而言，具备2.5～4倍以上的热导性。
石墨膜在其膜面方向上的热导率利用下式(1)来计算。
A＝α×d×Cp····(1)
其中，A是石墨膜在其膜面方向上的热导率，α是石墨膜在其膜面方向上的热扩散率，d是石墨膜的密度，Cp是石墨膜的比热容。另外，石墨膜在其膜面方向上的密度、热扩散率、以及比热容利用下述方法来求取。
对切取为100mm×100mm形状的石墨膜样本，测定其重量及厚度，用测得的重量值除以计算的体积值(100mm×100mm×厚度)，由此计算了石墨膜的密度。
使用SII Nano Technology株式会社制造的热分析系统，即差示扫描热量仪DSC220CU，在以10℃/min的速度从20℃升温到260℃的升温条件下测定了石墨膜的比热容。
另外，关于石墨膜在其膜厚方向上的热导率，可以将上式(1)中的α替换成石墨膜在其膜厚方向上的热扩散率来同样地用式(1)计算。
这里，石墨膜在其膜面方向上的热扩散率是使用市面销售的基于闪光法的热扩散率测定装置(例如，ULVAC理工株式会社制造的“Laser Pit”)来测定的。例如，对切取为4mm×40mm形状的石墨膜样本，在20℃的环境下，以10Hz的激光照射频率，进行了测定。
此外，石墨膜在其膜厚方向上的热扩散率利用脉冲激光加热法来进行测定。该方法中，对膜的单面照射激光来加热后，测定膜背面的温度响应(温度变化)，由此得出温度达到一定温度时为止的时间(t)的半值时间(t1/2)，然后通过下列式(2)来进行计算。
〔数1〕
Figure BDA0001785235040000091
式(2)中，α是热扩散率，τ0是热扩散时间，d是试样厚度，t1/2是半值时间，0.1388是所使用装置的装置常数。
(石墨膜的厚度)
本实施方式中的石墨膜的膜厚为1μm以上。更优选为2μm以上且1mm以下，特别优选为3μm以上且500μm以下。若为这样的膜厚，则即使被照射荷电粒子束时，也能够抑制衰减器1的温度上升，结果是周围机器不易发生放射性活化，因此优选。物性处于本实施方式所述的范围且具备50μm以上厚度的石墨膜是很难采用高分子煅烧法来制作的。这种情况下，对多张石墨膜进行加压即可。此外，进行压接来制作更厚的石墨膜的方法也是有效的。例如，为了制作200μm厚的石墨膜，可对4张50μm厚的石墨膜进行加压·压接，而对10张该石墨膜进行加压·压接，就能够制作500μm厚的石墨膜。
石墨膜的厚度利用下列方法来测定。使用厚度计(HEIDENHAIN株式会社制造的HEIDENH：AIN－CERTO)，对切取为50mm×50mm形状的石墨膜样本，在25℃的恒温室中测定了该样本上任意10处的厚度，并计算这些测定值的平均值来作为石墨膜的厚度。
(石墨膜在其膜面方向上的电导率)
本实施方式中的石墨膜在其膜面方向上的电导率并无特别限定，优选为12000S/cm以上，优选为14000S/cm以上，更优选为16000S/cm以上，最优选为18000S/cm以上。
此外，石墨膜优选具备如下的各向异性(取向性)：其膜面方向上的电导率是其膜厚方向上的电导率的100倍以上。
石墨膜的电导率是利用4探针法，通过施加恒定电流(例如，株式会社三菱化学ANALYTECH制造的Loresta GP)来测定的。
(石墨膜的密度)
本实施方式中的石墨膜的密度并无特别限定，优选为1.70g/cm3以上，优选为1.80g/cm3以上，更优选为1.90g/cm3以上，更优选为2.00g/cm3以上。若石墨膜的密度为1.60g/cm3以上，则石墨膜自身的自支持性、物理强度特性优越，因此优选。
此外，石墨膜的密度越高，其与荷电粒子束发生相互作用的比率就越高，因此可作为衰减器发挥优越效果。另外，就高密度的石墨膜而言，由于所构成的石墨层间不存在空隙，因此热导率有增高倾向。石墨膜的密度若较低，其对荷电粒子束的减衰效率就差，而且因所构成的石墨层间的空气层的影响，热导率也会下降，故欠佳。一般认为有空气层即空洞部分时，导热性会变差，从而易发生热积蓄，或者位于空洞部分的空气层会因加热下的温度上升而发生膨胀。因此，低密度的石墨膜易发生劣化·破损。而石墨膜的密度若较高，那么荷电粒子束在穿过石墨膜时就不易发生散射。因此，即使对石墨膜进行层叠，也是高密度石墨膜才不易发生荷电粒子束的散射。由于上述原因，优选较大的石墨膜密度。具体地来说，优选1.70g/cm3以上，优选1.80g/cm3以上，更优选1.90g/cm3以上，更优选2.00g/cm3以上，更优选2.10g/cm3以上。此外，关于石墨膜的密度上限，石墨膜的密度可以为2.26g/cm3(理论值)以下，也可为2.24g/cm3以下。
对切取为100mm×100mm形状的石墨膜样本，测定其重量及厚度，用测得的重量值除以计算的体积值(100mm×100mm×厚度)，由此计算了石墨膜的密度。
(开口部的形成)
构成本实施方式的束流强度转换膜的石墨膜的开口率优选在1％～80％的范围。开口率在上述优选范围内即可，并无特别限定，更优选在2％～70％的范围，进而优选在5％～60％的范围，最优选在10％～50％的范围。
此外，开口部的形成方法并无特别限定，可根据需要采用激光等来加工或采用物理性加工等。其中，对于由碳构成的石墨，可以进行激光加工来形成具备预期的形状及开口率的开口部。激光加工优选在空气中进行，通过在空气中进行，碳便能转变成二氧化碳而散失，从而能容易地形成开口部。加工中所使用的激光能对石墨进行加工即可，并无特别限定。
对于开口部的形状也并无特别限定，可自由地选择上述竹帘状、孔状、网眼状等形状。
(石墨膜的物理强度)
本实施方式的石墨膜在物理强度上也优越。本发明的石墨膜能用作自支持性膜，但也能够将石墨膜贴附在金属制的框上，或者将石墨膜夹在2张金属制的框中来使用。
此外，关于膜厚处于1μm～50μm范围而存在物理强度课题的石墨膜，其评价法之一是耐弯曲试验。上述范围的石墨膜在MIT耐弯曲试验中的弯曲次数优选为100次以上，更优选为200次以上，更优选为500次以上，特别优选为1000次以上。
石墨膜的MIT耐弯曲试验如下进行。冲裁3片1.5×10cm的试验片。使用东洋精机株式会社制造的MIT耐揉疲劳试验机-型号D，在试验负荷100gf(0.98N)、速度90次/分钟、弯曲夹具的曲率半径R为2mm的条件下进行试验。在23℃的环境下，以左右各135度的弯曲角度进行试验，测定直至断开为止的弯曲次数。
另外，图1所示的方案中，衰减器1由1个石墨膜构成。但是，衰减器1也可由多个石墨膜构成。
为了在膜厚方面使衰减器1对高能荷电粒子束X的照射具备更高的耐久性，衰减器1可为石墨膜的层叠体。用压制等方法将由上述方法制造的膜厚1～50μm的多个石墨膜进行层叠，就能够制作这样的层叠体。由此，能够实现具备面方向上的热导率等优越特性且膜厚50μm以上的衰减器1。
对由该层叠体构成的束流强度转换膜的厚度并无特别限定。通常对制作100μm以上厚度的束流强度转换膜而言，采用层叠体结构是极为有效的。
此外，若是衰减器1由多个石墨膜构成，则可以在加速器中分别设置每单个石墨膜。这种情况下，以与荷电粒子束X的多个目标能量强度分别对应的方式设定每个石墨膜的开口率。并且，可根据使用荷电粒子束X的实验的种类或加速器的结构来对石墨膜的配置分别进行设定。例如，各石墨膜既可配置为与荷电粒子束X的单个束轴相交，也可配置为与荷电粒子束X的多个束轴一一对应地相交。
〔实施方式2〕
基于图2对本发明的其他实施方式说明如下。另外，为了便于说明，对与前述实施方式中说明过的部件具备相同功能的部件赋予相同的符号，并省略对其的说明。
本实施方式的束流强度转换膜是刮束器，这一点与所述实施方式1不同。图2是作为本实施方式的束流强度转换膜的刮束器2的概略结构的截面图。
如图2所示，本实施方式的刮束器2(束流强度转换膜)上形成有开口部2a。刮束器2是用于减小入射进来的荷电粒子束X的束流大小的膜，且刮束器2以其膜面与荷电粒子束X的束轴相交的方式配置。此外，刮束器2由1个或多个石墨膜构成，各石墨膜的膜厚为1μm以上。
从荷电粒子束源(图中未示出)出射的荷电粒子束X入射到刮束器2时，荷电粒子束X可从形成有开口部2a的中央部分穿过刮束器2。而另一方面，在刮束器2上未形成开口部2a的外围侧部分则屏蔽荷电粒子束X。
由此，对于荷电粒子束X而言，只有入射到刮束器2的形成有开口部2a的中央部分的束流成分才能出射。而另一方面，入射到未形成开口部2a的外围侧部分的较低能量束流成分则被刮束器2屏蔽。因此，荷电粒子束X中处于外围侧的较低能量束流成分被刮束器2去除，从而使荷电粒子束X成为强度均一且尺寸小的束流。
(关于实施方式1及2中的荷电粒子束的能量)
荷电粒子束穿过由石墨膜构成的束流强度转换膜(衰减器1、刮束器2等)的开口部，而其余束流成分被开口部以外的部分屏蔽。被束流强度转换膜屏蔽的荷电粒子束X的能量视加速器的情况而不同。
靶物质(这里指束流强度转换膜)给荷电粒子带来的能量损失率(阻滞能力)可通过以下Bethe公式(3)来表达。
〔数2〕
Figure BDA0001785235040000131
其中，e表示电子的基本电荷，m表示电子的质量，v表示电子的速度，z表示入射粒子的核电荷数，Z表示靶物质的原子序数，N表示靶物质的单位体积内的原子数，I表示靶物质的平均激发势，β在设c为光速的情况下表示v/c。
图3是基于Bethe公式(3)的能量损失率与粒子动能之间关系的曲线图。如图3所示，关于靶物质给荷电粒子带来的能量损失率(阻滞能力)，能量损失率在粒子动能较低的A至B区间增大且在B处为最大，在B至C区间与“I/v2”成比例地减小且在C处为最小，最后在C至D区间因Bethe公式(3)中对数项的效果而平缓增大。
向实施方式1及2的束流强度转换膜(衰减器1、刮束器2等)入射的荷电粒子束X多是处于A～C的能量范围的荷电粒子束，A～C区间的能量相对较低。但是，荷电粒子束X用在能量相对较低的区间并不意味着所需的强度转换膜的耐久性可以较低。荷电粒子束X在B处的能量为MeV级(例如1MeV)，而在C处的能量为GeV级(例如3GeV)。就靶物质来看，B处的能量损失率比C处的能量损失率高100倍左右。这意味着荷电粒子在靶物质中失去的能量被高效地转换为热能。因此，本发明中所用的与B～C能量范围相对应的强度转换膜需要具备高耐久性。荷电粒子的数量根据加速器而各不相同，由此强度转换膜所需的耐久性不能只通过能量损失率来描述，但是主要针对1～100MeV能量区间来使用的实施方式1及2的强度转换膜肯定是需要具备高耐久性的。而构成实施方式1及2的束流强度转换膜的上述石墨膜只要具备上述范围的物性及膜厚，便能在如此苛刻的条件下满足上述要求。
本发明并不限于上述各实施方式，可以在权利要求所示的范围内进行各种变更，适当地组合不同实施方式中各自披露的技术手段而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。并且，能够通过对各实施方式中分别披露的技术手段进行组合来形成新的技术特征。
(总结)
本发明的一个实施方式的束流强度转换膜是具备可供荷电粒子束穿过的开口部的束流强度转换膜，其特征在于：由1个或多个石墨膜构成，该石墨膜以其膜面与荷电粒子束的束轴相交的方式配置，各石墨膜的膜厚为1μm以上，所述石墨膜在其膜面方向上的热导率是在其膜厚方向上的热导率的20倍以上。
根据上述方案，各石墨膜的膜厚为1μm以上，因此，该石墨膜对荷电束具备充分的屏蔽能力、以及实际使用中所需的物理强度，并且具备充分的耐久性。此外，根据上述方案，该石墨膜具有如下特性：所述石墨膜在其膜面方向上的热导率是在其膜厚方向上的热导率的20倍以上。该特性是表示取向性的一个指标，这显示出本发明的一个实施方式的束流强度转换膜中的石墨膜具备高取向性。该方案的石墨膜基本由碳单独形成，因此膜自身的放射性活化程度能够降低。并且，束流照射所产生的热顺利地在其膜面方向上扩散，从而能够防止强度转换膜的温度上升，提高其耐久性。并且，如后述的那样能抑制温度上升，从而使周围机器的放射性活化也能够降低。
此外，上述关于热导率的特性(热导率的各向异性)还显示该石墨膜具备高结晶性。因此，本发明的石墨膜能够具备高耐热性。具备高结晶性的石墨在真空中具备3000℃以上的优越耐热性，与以往由钛构成的强度转换膜相比，本发明的石墨膜对荷电粒子束具备更优越的耐久性。
此外，本发明的一个实施方式的束流强度转换膜是具备可供荷电粒子束穿过的开口部的束流强度转换膜，其特征在于：由1个或多个石墨膜构成，该石墨膜以其膜面与荷电粒子束的束轴相交的方式配置，各石墨膜的膜厚为1μm以上，所述石墨膜在其膜面方向上的电导率是在其膜厚方向上的电导率的100倍以上。
根据上述方案，束流强度转换膜具备如下特性：所述石墨膜在其膜面方向上的电导率是在其膜厚方向上的电导率的100倍以上。该特性是表示取向性的一个指标，这显示出本发明的一个实施方式的束流强度转换膜中的石墨膜具备高结晶性及高取向性。因此根据上述方案，能够实现由碳构成且对荷电粒子束具备充分耐久性并且放射性活化程度能降低的束流强度转换膜。
此外，与热导率相比，电导率极易测定，因此电导率的特性是对石墨膜的性能进行管理的极为有效的指标。电导率的这种各向异性也是显示该石墨膜具备高结晶性的指标，其说明石墨膜能够具备高耐热性。
并且，本发明的一个实施方式的束流强度转换膜中，各石墨膜在其膜面方向上的热导率优选为1000W/(m·K)以上。通过膜面方向上的这种高热导率，能够抑制膜的温度上升，并且，强度转换膜的束流反射所引起的周围机器的放射性活化程度也能够降低，其理由将后述。
此外，本发明的一个实施方式的束流强度转换膜中，所述石墨膜在其膜面方向上的电导率优选为12000S/cm以上。与热导率相比，电导率极易测定，因此电导率特性是对石墨膜的性能进行管理的极为有效的指标。
此外，本发明的一个实施方式的束流强度转换膜中，所述石墨膜的开口率优选为1～80％。
此外，本发明的一个实施方式的束流强度转换膜可由层叠体构成，该层叠体由多张所述石墨膜层叠而成。随着石墨膜的厚度变厚，强度转换膜对荷电粒子束照射的屏蔽性及耐久性可提高。此外，所述层叠体是由本发明的多张石墨膜层叠而成的，该层叠体也可通过热压等方法来压接制作。由此，能够制作任意厚度的强度转换膜。由该层叠体构成的束流强度转换膜的厚度并无特别限定，通常对制作100μm以上厚度的束流强度转换膜而言，采用层叠体结构是极为有效的。
另外，本发明的一个实施方式的束流强度转换膜中，所述石墨膜的密度优选为1.70g/cm3以上且2.26g/cm3以下。
此外，本发明的一个实施方式的束流强度转换膜的制造方法的特征在于：是具备可供荷电粒子束穿过的开口部且由1个或多个石墨膜构成的束流强度转换膜的制造方法，通过对高分子膜进行煅烧来制作所述石墨膜。
根据上述方案，能够实现对荷电粒子束具备充分的屏蔽性·耐久性并且放射性活化程度能降低的束流强度转换膜的制造方法。
(产业上的可利用性)
本发明能够应用于加速器领域。

Claims (8)

1.一种束流强度转换膜，其特征在于：
由1个或多个石墨膜构成，该石墨膜以其膜面与荷电粒子束的束轴相交的方式配置，
所述石墨膜具备可供荷电粒子束穿过的开口部，所述石墨膜的厚度为1μm以上，所述石墨膜在其膜面方向上的热导率是在其膜厚方向上的热导率的20倍以上，
所述石墨膜在其膜面方向上的电导率是在其膜厚方向上的电导率的100倍以上，
所述石墨膜在其膜面方向上的电导率为18000S/cm以上，
所述石墨膜的所述开口部的开口率为10～50％。
2.根据权利要求1所述的束流强度转换膜，其特征在于：
各石墨膜在其膜面方向上的热导率为1000W/(m·K)以上。
3.根据权利要求2所述的束流强度转换膜，其特征在于：
各石墨膜在其膜面方向上的热导率为1600W/(m·K)以上。
4.根据权利要求1～3中任何一项所述的束流强度转换膜，其特征在于：所述石墨膜的密度为1.70g/cm3以上且2.26g/cm3以下。
5.根据权利要求4所述的束流强度转换膜，其特征在于：所述石墨膜的密度为2.00g/cm3以上且2.26g/cm3以下。
6.根据权利要求1～3中任何一项所述的束流强度转换膜，其特征在于：所述石墨膜在MIT耐弯曲试验中的弯曲次数为1000次以上。
7.根据权利要求1～3中任何一项所述的束流强度转换膜，其特征在于：由层叠体构成，该层叠体由多张所述石墨膜层叠而成。
8.一种束流强度转换膜的制造方法，其特征在于：
是由具备可供荷电粒子束穿过的开口部的1个或多个石墨膜构成的束流强度转换膜的制造方法，
通过对高分子膜进行煅烧来制作所述石墨膜，
所述石墨膜的厚度为1μm以上，所述石墨膜在其膜面方向上的热导率是在其膜厚方向上的热导率的20倍以上，
所述石墨膜在其膜面方向上的电导率是在其膜厚方向上的电导率的100倍以上，
所述石墨膜在其膜面方向上的电导率为18000S/cm以上，
所述石墨膜的所述开口部的开口率为10～50％。
CN201780014702.7A 2016-04-28 2017-04-20 束流强度转换膜以及束流强度转换膜的制造方法 Active CN108780670B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-090934 2016-04-28
JP2016090934 2016-04-28
PCT/JP2017/015890 WO2017188117A1 (ja) 2016-04-28 2017-04-20 ビーム強度変換膜、及びビーム強度変換膜の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108780670A CN108780670A (zh) 2018-11-09
CN108780670B true CN108780670B (zh) 2022-04-05

Family

ID=60161470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780014702.7A Active CN108780670B (zh) 2016-04-28 2017-04-20 束流强度转换膜以及束流强度转换膜的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11177116B2 (zh)
EP (1) EP3451347A4 (zh)
JP (1) JP6534775B2 (zh)
CN (1) CN108780670B (zh)
WO (1) WO2017188117A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109564789B (zh) * 2016-08-05 2024-02-23 株式会社钟化 离子束电荷转换方法
KR102346997B1 (ko) * 2018-12-18 2022-01-05 조인셋 주식회사 인조 그라파이트 분말 및 이를 적용한 복합 분말

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0421508A (ja) * 1990-05-16 1992-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd グラファイトフィルムの製造方法
CN103582915A (zh) * 2011-06-06 2014-02-12 住友重机械工业株式会社 降能器及具备该降能器的带电粒子束照射系统
WO2015045641A1 (ja) * 2013-09-26 2015-04-02 株式会社カネカ グラファイトシート、その製造方法、配線用積層板、グラファイト配線材料、および配線板の製造方法
WO2015072428A1 (ja) * 2013-11-12 2015-05-21 Jnc株式会社 ヒートシンク

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2999381B2 (ja) 1994-10-17 2000-01-17 日本メジフィジックス株式会社 放射性同位元素生成用ターゲット板、その製造方法及び製造装置
JPH08222239A (ja) 1995-02-10 1996-08-30 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 燃料電池用カーボンプレート及びその製造方法
JPH09142820A (ja) 1995-11-21 1997-06-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 異方性黒鉛薄膜基板、並びにそれを用いた応用装置及び応用素子
US5920601A (en) 1996-10-25 1999-07-06 Lockheed Martin Idaho Technologies Company System and method for delivery of neutron beams for medical therapy
KR100858265B1 (ko) 2001-06-05 2008-09-11 니혼 메디피직스 가부시키가이샤 피조사 표적으로부터의 방사성 동위원소 회수 방법
JP3950389B2 (ja) 2002-08-14 2007-08-01 浜松ホトニクス株式会社 Ｘ線管
AU2003261889A1 (en) 2003-09-02 2005-03-29 Kaneka Corporation Filmy graphite and process for producing the same
JP2005326299A (ja) 2004-05-14 2005-11-24 Institute Of Physical & Chemical Research 低速陽電子生成のための減速材およびその製造方法
WO2005122654A1 (en) 2004-06-08 2005-12-22 Truimf, Operating As A Joint Venture By The Governors Of The University Of Alberta, The University Of British Columbia, Carleton Method of forming composite ceramic targets
US20070297554A1 (en) 2004-09-28 2007-12-27 Efraim Lavie Method And System For Production Of Radioisotopes, And Radioisotopes Produced Thereby
JP2006196353A (ja) 2005-01-14 2006-07-27 Hitachi Ltd 加速器中性子源及びこれを用いたホウ素中性子捕捉療法システム
JP4783938B2 (ja) 2005-10-04 2011-09-28 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 量子ビームモニタ用電極及び量子ビームモニタ装置
AU2007227489A1 (en) 2006-03-17 2007-09-27 Triumf Self-supporting multilayer films having a diamond-like carbon layer
JP5647273B2 (ja) 2010-03-10 2014-12-24 ザ サウス アフリカン ニュークリア エナジー コーポレイション リミティド 放射性核種の生成方法
JP3186199U (ja) 2010-09-21 2013-09-26 グラフテック インターナショナル ホールディングス インコーポレーテッド 複合ヒートスプレッダ
JP5700536B2 (ja) 2011-03-04 2015-04-15 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 複合型ターゲット
JP2012243640A (ja) 2011-05-20 2012-12-10 High Energy Accelerator Research Organization 複合型ターゲット、複合型ターゲットを用いる中性子発生方法、及び複合型ターゲットを用いる中性子発生装置
US20130279638A1 (en) 2010-11-29 2013-10-24 Inter-University Research Insitute Corporation High Energy Accelerator Research Composite type target, neutron generating method in use thereof and neutron generating apparatus in use thereof
JP5751673B2 (ja) 2011-09-02 2015-07-22 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 複合型ターゲット、複合型ターゲットを用いる中性子発生方法、及び複合型ターゲットを用いる中性子発生装置
JP5697021B2 (ja) 2010-11-29 2015-04-08 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 複合型ターゲット、複合型ターゲットを用いる中性子発生方法、及び複合型ターゲットを用いる中性子発生装置
JP5361852B2 (ja) * 2010-12-17 2013-12-04 株式会社カネカ フィルム状グラファイトとその製造方法
KR20140050597A (ko) 2011-04-10 2014-04-29 더 거버너스 오브 더 유니버시티 오브 앨버타 몰리브덴 금속 타켓으로부터 테크네튬의 제조
JP2013206726A (ja) 2012-03-28 2013-10-07 High Energy Accelerator Research Organization 複合型ターゲット、複合型ターゲットを用いる中性子発生方法、及び複合型ターゲットを用いる中性子発生装置
US20130280470A1 (en) 2012-04-20 2013-10-24 Julian Norly Thermal Management For Aircraft Composites
JP6099184B2 (ja) * 2012-05-16 2017-03-22 住友重機械工業株式会社 放射性同位元素製造装置
EP3014628B8 (en) 2013-06-27 2018-06-06 Mallinckrodt Nuclear Medicine LLC Process of generating germanium-68
JP5830500B2 (ja) 2013-07-25 2015-12-09 株式会社カネカ グラファイトフィルムの製造方法
CA2938158C (en) 2014-01-31 2021-10-26 Istituto Nazionale Di Fisica Nucleare Method for producing beta emitting radiopharmaceuticals, and beta emitting radiopharmaceuticals thus obtained
AU2015261131B2 (en) 2014-05-13 2018-02-22 Paul Scherrer Institut Production of 43Sc radionuclide and radiopharmaceuticals thereof for use in Positron Emission Tomography
WO2016167311A1 (ja) 2015-04-15 2016-10-20 株式会社カネカ イオンビーム用の荷電変換膜
US10005099B2 (en) 2015-07-20 2018-06-26 Nanotek Instruments, Inc. Production of highly oriented graphene oxide films and graphitic films derived therefrom
JP6748110B2 (ja) 2015-11-30 2020-08-26 株式会社カネカ エネルギーデグレーダ、及びそれを備えた荷電粒子線照射システム
US20190122780A1 (en) 2016-04-21 2019-04-25 Kaneka Corporation Target, target production method, and neutron generation device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0421508A (ja) * 1990-05-16 1992-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd グラファイトフィルムの製造方法
CN103582915A (zh) * 2011-06-06 2014-02-12 住友重机械工业株式会社 降能器及具备该降能器的带电粒子束照射系统
WO2015045641A1 (ja) * 2013-09-26 2015-04-02 株式会社カネカ グラファイトシート、その製造方法、配線用積層板、グラファイト配線材料、および配線板の製造方法
WO2015072428A1 (ja) * 2013-11-12 2015-05-21 Jnc株式会社 ヒートシンク

Also Published As

Publication number Publication date
CN108780670A (zh) 2018-11-09
US20190088450A1 (en) 2019-03-21
EP3451347A4 (en) 2019-05-22
EP3451347A1 (en) 2019-03-06
JPWO2017188117A1 (ja) 2018-12-06
US11177116B2 (en) 2021-11-16
WO2017188117A1 (ja) 2017-11-02
JP6534775B2 (ja) 2019-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109074890B (zh) 靶、靶的制造方法、及中子发生装置
US10658146B2 (en) Transmission type target, transmission type target unit, xray tube, X-ray generating apparatus, and radiography system
DE102008007413A1 (de) Röntgentarget
CN108780670B (zh) 束流强度转换膜以及束流强度转换膜的制造方法
JP5648965B2 (ja) 放射線の空間強度分布及びエネルギーの空間分布の調整装置、並びに該調整装置を用いたｘ線発生装置及び放射線検出器
JP6748110B2 (ja) エネルギーデグレーダ、及びそれを備えた荷電粒子線照射システム
CN108780672B (zh) 放射性同位素制造用支撑基板、放射性同位素制造用靶板、以及支撑基板的制造方法
US20180277277A1 (en) Degrader including boron carbide
Valipour et al. Increasing of hardness of titanium using energetic nitrogen ions from Sahand as a Filippov Type plasma focus facility
Murokh et al. Limitations on the resolution of YAG: Ce beam profile monitor for high brightness electron beam
DE102008035210B4 (de) Röntgentarget, Linearbeschleuniger und Verfahren zur Erzeugung von Röntgenstrahlen
Sakamoto et al. Emittance and energy measurements of low-energy electron beam using optical transition radiation techniques
JP2006017653A (ja) 放射線発生装置
Cutroneo et al. Hybrid graphene-based material promising target in laser matter interaction
Avilkina et al. Study of ion-induced crimping of carbon composite fibers
Ahmad et al. Investigation of 500 keV Si ion induced surface structuring of Ni and Ti for enhancement of field emission properties
Elkind et al. Ion acceleration from micrometric targets immersed in an intense laser field
Nagumo et al. A full electrostatic high-brightness slow positron beam apparatus using a remoderator in conjunction with a hemispherical energy analyzer
KR101984019B1 (ko) 이온 또는 양성자 가속용 타겟 부재 및 그 제조 방법
Bellucci New radiation sources from channeling in micro-and nano-structures
JP2002348117A (ja) 高密度電子励起によるＭｇＡｌ２Ｏ４の非晶質化方法
Sobierajski et al. Interaction of short x-ray pulses with low-Z x-ray optics materials at the LCLS free-electron laser

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant