JP2002348117A - 高密度電子励起によるＭｇＡｌ２Ｏ４の非晶質化方法 - Google Patents
高密度電子励起によるＭｇＡｌ２Ｏ４の非晶質化方法Info
- Publication number
- JP2002348117A JP2002348117A JP2001158563A JP2001158563A JP2002348117A JP 2002348117 A JP2002348117 A JP 2002348117A JP 2001158563 A JP2001158563 A JP 2001158563A JP 2001158563 A JP2001158563 A JP 2001158563A JP 2002348117 A JP2002348117 A JP 2002348117A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mgal
- amorphous
- irradiation
- ions
- energy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ＭｇＡｌ2Ｏ4材料を非晶質化する
ための方法を提供することをその課題とする。 【解決手段】 本発明は、ＭｇＡｌ2Ｏ4材料をイオン照
射処理することによりＭｇＡｌ2Ｏ4を非晶質化する方法
である。詳しくは、本発明は、ＭｇＡｌ2Ｏ4材料をイオ
ン照射処理することにより、その材料の構成要素である
Ｍｇ、Ａｌ及びＯの原子間に存在する電子が高密度に励
起されＭｇＡｌ2Ｏ4が結晶晶状態から非晶質状態に移行
することを特徴とする、ＭｇＡｌ2Ｏ4を非晶質化する方
法を課題解決手段とする。
ための方法を提供することをその課題とする。 【解決手段】 本発明は、ＭｇＡｌ2Ｏ4材料をイオン照
射処理することによりＭｇＡｌ2Ｏ4を非晶質化する方法
である。詳しくは、本発明は、ＭｇＡｌ2Ｏ4材料をイオ
ン照射処理することにより、その材料の構成要素である
Ｍｇ、Ａｌ及びＯの原子間に存在する電子が高密度に励
起されＭｇＡｌ2Ｏ4が結晶晶状態から非晶質状態に移行
することを特徴とする、ＭｇＡｌ2Ｏ4を非晶質化する方
法を課題解決手段とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン照射により
結晶状態のＭｇＡｌ2Ｏ4を非晶質化する方法に関する。
結晶状態のＭｇＡｌ2Ｏ4を非晶質化する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高融点酸化物であるＭｇＡｌ2Ｏ4は、化
学的安定性、高い電気絶縁性や優れた光学的性質等を有
するため原子力の多くの分野で使用されようとしてい
る。更にその改質や新たな特性を目指してイオン照射を
利用した研究が多くなされてきている。なかでも照射に
よる非晶質化についてはかなり調べられているが、その
多くは、核的エネルギー損失分布のピーク付近での非晶
質化現象に関するものである。
学的安定性、高い電気絶縁性や優れた光学的性質等を有
するため原子力の多くの分野で使用されようとしてい
る。更にその改質や新たな特性を目指してイオン照射を
利用した研究が多くなされてきている。なかでも照射に
よる非晶質化についてはかなり調べられているが、その
多くは、核的エネルギー損失分布のピーク付近での非晶
質化現象に関するものである。
【０００３】ＭｇＡｌ2Ｏ4と同じく高融点酸化物である
Ａｌ2Ｏ3では、室温以上で原子当たりの平均のはじき出
し数が１００ｄｐａ（displacement per atom）を超え
る核的エネルギー付与を受けても非晶質化しないとされ
ている（C.J. McHargue etal., Nucl. Instr. And Met
h. B16(1986) 212）。Ａｌ2Ｏ3については、更に、高エ
ネルギーヨウ素（Ｉ）イオンを照射したＡｌ2Ｏ3で電子
的エネルギー付与による非晶質化現象を調べた報告があ
る（T. Aruga et al., Nucl. Instr. And Meth. B166-1
67(2000) 913）。
Ａｌ2Ｏ3では、室温以上で原子当たりの平均のはじき出
し数が１００ｄｐａ（displacement per atom）を超え
る核的エネルギー付与を受けても非晶質化しないとされ
ている（C.J. McHargue etal., Nucl. Instr. And Met
h. B16(1986) 212）。Ａｌ2Ｏ3については、更に、高エ
ネルギーヨウ素（Ｉ）イオンを照射したＡｌ2Ｏ3で電子
的エネルギー付与による非晶質化現象を調べた報告があ
る（T. Aruga et al., Nucl. Instr. And Meth. B166-1
67(2000) 913）。
【０００４】しかしながら、ＭｇＡｌ2Ｏ4については、
電子的エネルギー損失に起因する非晶質化の様相を定か
に観察した例は未だ報告されていない。
電子的エネルギー損失に起因する非晶質化の様相を定か
に観察した例は未だ報告されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の通り、Ａｌ2Ｏ3
にイオン照射することによりそれを非晶質化することが
行われている。しかし、ＭｇＡｌ2Ｏ4にイオン照射する
ことによりこれを非晶質化することは従来行われていな
い。
にイオン照射することによりそれを非晶質化することが
行われている。しかし、ＭｇＡｌ2Ｏ4にイオン照射する
ことによりこれを非晶質化することは従来行われていな
い。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＭｇＡｌ2Ｏ4
材料をイオン照射処理することにより結晶状態から非晶
質化する方法である。詳しくは、本発明は、ＭｇＡｌ2
Ｏ4材料をイオン照射処理することにより、その材料の
構成要素であるＭｇ、Ａｌ及びＯの原子間に存在する電
子が高密度に励起されＭｇＡｌ2Ｏ4が結晶晶状態から非
晶質状態に移行することを特徴とする、ＭｇＡｌ2Ｏ4を
非晶質化する方法を課題解決手段とする。
材料をイオン照射処理することにより結晶状態から非晶
質化する方法である。詳しくは、本発明は、ＭｇＡｌ2
Ｏ4材料をイオン照射処理することにより、その材料の
構成要素であるＭｇ、Ａｌ及びＯの原子間に存在する電
子が高密度に励起されＭｇＡｌ2Ｏ4が結晶晶状態から非
晶質状態に移行することを特徴とする、ＭｇＡｌ2Ｏ4を
非晶質化する方法を課題解決手段とする。
【０００７】
【発明の実施の態様】本発明においては、ＭｇＡｌ2Ｏ4
材料をイオン照射処理することによりＭｇＡｌ2Ｏ4を非
晶質化する。
材料をイオン照射処理することによりＭｇＡｌ2Ｏ4を非
晶質化する。
【０００８】本発明において使用することができるＭｇ
Ａｌ2Ｏ4材料は、通常の結晶質構造を有する材料であれ
ばいずれであってもよく、そのサイズも実験装置等の条
件に依存して適するサイズを使用することができる。ま
た、副生物生成を防止する観点から、その純度は高いこ
とが望ましい。
Ａｌ2Ｏ4材料は、通常の結晶質構造を有する材料であれ
ばいずれであってもよく、そのサイズも実験装置等の条
件に依存して適するサイズを使用することができる。ま
た、副生物生成を防止する観点から、その純度は高いこ
とが望ましい。
【０００９】本発明において使用されるイオン照射と
は、被照射体であるＭｇＡｌ2Ｏ4材料に対し、加速イオ
ンを照射することにより５ｋｅＶ／ｎｍ以上の電子的エ
ネルギー付与を与えることができるものを言う。かかる
イオン照射に用いることができるイオンの種類は、上記
条件を満たすものであればいずれであってもよく、例え
ば、７価のヨウ素イオンを用いることができる。
は、被照射体であるＭｇＡｌ2Ｏ4材料に対し、加速イオ
ンを照射することにより５ｋｅＶ／ｎｍ以上の電子的エ
ネルギー付与を与えることができるものを言う。かかる
イオン照射に用いることができるイオンの種類は、上記
条件を満たすものであればいずれであってもよく、例え
ば、７価のヨウ素イオンを用いることができる。
【００１０】本発明方法においては、ＭｇＡｌ2Ｏ4材料
に対して、タンデム加速器で加速したイオンを照射す
る。加速器の加速電圧、照射イオンの線束は、ＭｇＡｌ
2Ｏ4材料に対してイオン当たり５ｋｅＶ／ｎｍ以上の電
子的エネルギー付与を与えることができるような条件で
あればいずれであってもよい。例えば、加速イオンとし
て７価のＩイオンを用いる場合、８５ＭｅＶまで加速し
たイオンをＭｇＡｌ2Ｏ4材料に対し１×１０14／ｍ2・
ｓの線束で１．２×ｌ０l9／ｍ2まで照射する。イオン
照射は、室温にて行うことができる。
に対して、タンデム加速器で加速したイオンを照射す
る。加速器の加速電圧、照射イオンの線束は、ＭｇＡｌ
2Ｏ4材料に対してイオン当たり５ｋｅＶ／ｎｍ以上の電
子的エネルギー付与を与えることができるような条件で
あればいずれであってもよい。例えば、加速イオンとし
て７価のＩイオンを用いる場合、８５ＭｅＶまで加速し
たイオンをＭｇＡｌ2Ｏ4材料に対し１×１０14／ｍ2・
ｓの線束で１．２×ｌ０l9／ｍ2まで照射する。イオン
照射は、室温にて行うことができる。
【００１１】イオン照射処理後のＭｇＡｌ2Ｏ4材料につ
いて、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いてその損傷組織
を観察することにより、電子的エネルギー付与によるＭ
ｇＡｌ2Ｏ4材料の非晶質化現象を調べることができる。
いて、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いてその損傷組織
を観察することにより、電子的エネルギー付与によるＭ
ｇＡｌ2Ｏ4材料の非晶質化現象を調べることができる。
【００１２】以下、本発明を実施例に基づいて説明す
る。
る。
【００１３】
【実施例】実験に用いた試料は、純度９９．９％、寸法
５×３ｍｍ2の形状を持ち、０．２ｍｍの厚さのＭｇＡ
ｌ2Ｏ4焼結材で、測定した嵩密度は３．９７×１０3ｋ
ｇ／ｍ3である。片面を鏡面に研磨した後１２７３Ｋで
ｌｈ焼鈍した。試料を、日本原子力研究所東海研究所の
タンデム加速器（米国National Electronic Co.製20UR
Tandem静電型加速器）で８５ＭｅＶに加速した七価のＩ
イオンで、１×１０14／ｍ2・ｓの線束で１．２×ｌ０
l9／ｍ2まで公称温度室温で照射した。ＭｇＡｌ2Ｏ4の
熱伝導率と入射エネルギー密度から定常状態での試料温
度を推定すると、室温より高々３０〜５０度高い３３０
〜３５０Ｋと考えられる。
５×３ｍｍ2の形状を持ち、０．２ｍｍの厚さのＭｇＡ
ｌ2Ｏ4焼結材で、測定した嵩密度は３．９７×１０3ｋ
ｇ／ｍ3である。片面を鏡面に研磨した後１２７３Ｋで
ｌｈ焼鈍した。試料を、日本原子力研究所東海研究所の
タンデム加速器（米国National Electronic Co.製20UR
Tandem静電型加速器）で８５ＭｅＶに加速した七価のＩ
イオンで、１×１０14／ｍ2・ｓの線束で１．２×ｌ０
l9／ｍ2まで公称温度室温で照射した。ＭｇＡｌ2Ｏ4の
熱伝導率と入射エネルギー密度から定常状態での試料温
度を推定すると、室温より高々３０〜５０度高い３３０
〜３５０Ｋと考えられる。
【００１４】照射後の試料を、３０ｋｅＶのＧａイオン
を用いたＦＩＢ（Focused Ion Beamthinning apparatu
s）装置で薄膜化することにより、照射した試料の表面
からイオンの入射向きに８μｍ以上の深さまで断面観察
可能な透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）用試料とし、加速電圧
２００ｋＶのＴＥＭでその損傷組織を観察した。
を用いたＦＩＢ（Focused Ion Beamthinning apparatu
s）装置で薄膜化することにより、照射した試料の表面
からイオンの入射向きに８μｍ以上の深さまで断面観察
可能な透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）用試料とし、加速電圧
２００ｋＶのＴＥＭでその損傷組織を観察した。
【００１５】照射済み試料におけるイオン照射による非
晶質化の様子を図１に示す。図１（ａ）は、８５ＭｅＶ
のヨウ素イオンを室温で１×１０19／ｍ2の線量まで照
射したＭｇＡｌ2Ｏ4のＴＥＭ観察像である。
晶質化の様子を図１に示す。図１（ａ）は、８５ＭｅＶ
のヨウ素イオンを室温で１×１０19／ｍ2の線量まで照
射したＭｇＡｌ2Ｏ4のＴＥＭ観察像である。
【００１６】更に、図１（ｂ）及び（ｃ）は、それぞ
れ、（ａ）の位置ｘ又はｙで調べた制限視野電子線回折
像である。通常、結晶固有の基本格子からなる規則的な
原子配列では、電子線の波長（すなわちエネルギー）に
依存して結晶の格子間隔に対応した（λ＝２ｄhklsinθ
を満たす）Bragg反射が生じ（ただし、λは電子線の波
長、ｄhklはかかる反射を生じさせる（ｈｋｌ）なる結
晶面指数をもった面の間隔、θは入射電子ビームと反射
面のなす角であり、散乱波の振幅の相互作用で強め合う
干渉と弱め合う干渉が生じる）、格子面での反射波が回
折格子斑点として蛍光板上で観察できる。しかし、無秩
序に原子配列した構造の場合、散乱波の振幅は相互作用
を通して散乱強度が干渉し合う程度がなくなり、拡がり
をもった散乱強度分布がハロー環となって現れる。
れ、（ａ）の位置ｘ又はｙで調べた制限視野電子線回折
像である。通常、結晶固有の基本格子からなる規則的な
原子配列では、電子線の波長（すなわちエネルギー）に
依存して結晶の格子間隔に対応した（λ＝２ｄhklsinθ
を満たす）Bragg反射が生じ（ただし、λは電子線の波
長、ｄhklはかかる反射を生じさせる（ｈｋｌ）なる結
晶面指数をもった面の間隔、θは入射電子ビームと反射
面のなす角であり、散乱波の振幅の相互作用で強め合う
干渉と弱め合う干渉が生じる）、格子面での反射波が回
折格子斑点として蛍光板上で観察できる。しかし、無秩
序に原子配列した構造の場合、散乱波の振幅は相互作用
を通して散乱強度が干渉し合う程度がなくなり、拡がり
をもった散乱強度分布がハロー環となって現れる。
【００１７】従って、図１によれば、試料の照射表面か
らイオンの入射向きに約６μｍまでの深さの領域はほぼ
完全に非晶質化したことが判る。また、図１（ｂ）のｘ
における回折像はハローパターンで非晶質相を、図１
（ｃ）のｙにおける回折像は結晶相を示していることが
判る。
らイオンの入射向きに約６μｍまでの深さの領域はほぼ
完全に非晶質化したことが判る。また、図１（ｂ）のｘ
における回折像はハローパターンで非晶質相を、図１
（ｃ）のｙにおける回折像は結晶相を示していることが
判る。
【００１８】一方、核的エネルギー付与は、約６μｍま
での深さの領域においてはじき出し数でｌｄｐａと最大
になる。粒子線の照射によって、電子雲で遮蔽された原
子核間の衝突を介して原子に与えられたエネルギー（核
的エネルギー付与）が十分大きければ、格子点からはじ
きだされた原子は連鎖的に他の格子点の原子をもはじき
だすが、照射期間中、平均、一個の原子当たり、何回格
子点からはじきだされたか（displapcement peratom＝
ｄｐａ）は、照射された材料の損傷の目安になる。例え
ば、原子炉の燃料被覆材として使用される金属では、数
十ｄｐａになることは普通であるが、照射欠陥として材
料中に残留するのは、それらの数％程度であり、ほとん
どは回復する。
での深さの領域においてはじき出し数でｌｄｐａと最大
になる。粒子線の照射によって、電子雲で遮蔽された原
子核間の衝突を介して原子に与えられたエネルギー（核
的エネルギー付与）が十分大きければ、格子点からはじ
きだされた原子は連鎖的に他の格子点の原子をもはじき
だすが、照射期間中、平均、一個の原子当たり、何回格
子点からはじきだされたか（displapcement peratom＝
ｄｐａ）は、照射された材料の損傷の目安になる。例え
ば、原子炉の燃料被覆材として使用される金属では、数
十ｄｐａになることは普通であるが、照射欠陥として材
料中に残留するのは、それらの数％程度であり、ほとん
どは回復する。
【００１９】格子点から原子がはじき出されると、その
格子点は空格子点（空孔）となる。一方、はじき出され
た原子が格子間位置にとどまると格子間原子が生成す
る。これらの格子欠陥は、それぞれ点欠陥と呼ばれ、照
射の過程で互いの相互作用で消滅や合体を起こし、欠陥
集合体の形成・成長が繰り返され、結晶格子に歪みが生
じる。これらはＴＥＭ観察で可能となる微視的な大きさ
まで成長すると回折条件によって輪郭を持ったコントラ
スト像として観察されるようになる。本実施例の試料に
おいては、試料の照射表面から８μｍの深さの近傍では
このような欠陥の集合体はみとめられなかった。
格子点は空格子点（空孔）となる。一方、はじき出され
た原子が格子間位置にとどまると格子間原子が生成す
る。これらの格子欠陥は、それぞれ点欠陥と呼ばれ、照
射の過程で互いの相互作用で消滅や合体を起こし、欠陥
集合体の形成・成長が繰り返され、結晶格子に歪みが生
じる。これらはＴＥＭ観察で可能となる微視的な大きさ
まで成長すると回折条件によって輪郭を持ったコントラ
スト像として観察されるようになる。本実施例の試料に
おいては、試料の照射表面から８μｍの深さの近傍では
このような欠陥の集合体はみとめられなかった。
【００２０】以上の観察結果から、ＭｇＡｌ2Ｏ4材料
は、イオン照射により、照射表面からイオンの入射向き
に約６μｍの厚さまで層状に非晶質相に変化したことが
明瞭に判る。これは、イオン照射処理することにより、
その材料の構成要素であるＭｇ、Ａｌ及びＯの原子間に
存在する電子が高密度に励起されることで結晶状態から
非晶質状態に移行したことを意味するものである。
は、イオン照射により、照射表面からイオンの入射向き
に約６μｍの厚さまで層状に非晶質相に変化したことが
明瞭に判る。これは、イオン照射処理することにより、
その材料の構成要素であるＭｇ、Ａｌ及びＯの原子間に
存在する電子が高密度に励起されることで結晶状態から
非晶質状態に移行したことを意味するものである。
【００２１】更に、図２に、８５ＭｅＶのヨウ素イオン
をＭｇＡｌ2Ｏ4に照射したときの、電子的エネルギー付
与断面積（Ｓｅ）の照射表面からの深さ依存性を示す。
図２は、観察された非晶質化の挙動を、ＭｅＶ／μｍ
（＝ｋｅＶ／ｎｍ）で表した電子的エネルギー付与断面
積（確率）との関係で整理し、核的エネルギー付与断面
積（Ｓｎ）と比較してまとめたものである。１×１０19
／ｍ2のヨウ素イオンを照射したＭｇＡｌ2Ｏ4では、図
２のＦ（ｘ）のようにヨウ素原子が注入されたが、Ｍｇ
Ａｌ2Ｏ4の非晶質化は注入されたヨウ素原子とは関係が
無いことが判る。
をＭｇＡｌ2Ｏ4に照射したときの、電子的エネルギー付
与断面積（Ｓｅ）の照射表面からの深さ依存性を示す。
図２は、観察された非晶質化の挙動を、ＭｅＶ／μｍ
（＝ｋｅＶ／ｎｍ）で表した電子的エネルギー付与断面
積（確率）との関係で整理し、核的エネルギー付与断面
積（Ｓｎ）と比較してまとめたものである。１×１０19
／ｍ2のヨウ素イオンを照射したＭｇＡｌ2Ｏ4では、図
２のＦ（ｘ）のようにヨウ素原子が注入されたが、Ｍｇ
Ａｌ2Ｏ4の非晶質化は注入されたヨウ素原子とは関係が
無いことが判る。
【００２２】本発明方法によるイオン照射により、試料
の照射表面から６μｍの深さまで非晶質化が観察された
が、その深さでの最小のエネルギー付与断面積は約５ｋ
ｅＶ／ｎｍである。また、１．２×ｌ０l9／ｍ2までの
照射により、非晶質化が観察された６μｍの深さまでの
最小の電子的エネルギー付与量は１５００〜２０００Ｍ
Ｇｙであることから、この電子的エネルギー付与以上の
ところでＭｇＡｌ2Ｏ4は室温付近において非晶質化する
ことが実験的に示された。
の照射表面から６μｍの深さまで非晶質化が観察された
が、その深さでの最小のエネルギー付与断面積は約５ｋ
ｅＶ／ｎｍである。また、１．２×ｌ０l9／ｍ2までの
照射により、非晶質化が観察された６μｍの深さまでの
最小の電子的エネルギー付与量は１５００〜２０００Ｍ
Ｇｙであることから、この電子的エネルギー付与以上の
ところでＭｇＡｌ2Ｏ4は室温付近において非晶質化する
ことが実験的に示された。
【００２３】このことは、ＭｇＡｌ2Ｏ4について、電子
的エネルギー付与断面積が５ｋｅＶ／ｎｍ以上となる照
射表面からの深さにおいて、１５００〜２０００ＭＧｙ
以上の電子的エネルギー付与量が与えられるとき、非晶
質化が生じることを示している。
的エネルギー付与断面積が５ｋｅＶ／ｎｍ以上となる照
射表面からの深さにおいて、１５００〜２０００ＭＧｙ
以上の電子的エネルギー付与量が与えられるとき、非晶
質化が生じることを示している。
【００２４】また、ヨウ素イオンのエネルギーを、例え
ば、８５ＭｅＶの倍の１７０ＭｅＶとする場合、エネル
ギー付与断面積は照射表面から９．５μｍの深さまで５
ｋｅＶ／ｎｍ以上となり、１５００〜２０００ＭＧｙ以
上の電子的エネルギー付与量を与えることができること
から、１×１０19／ｍ2までの照射で９．５μｍの深さ
まで非晶質化させることが可能となる。
ば、８５ＭｅＶの倍の１７０ＭｅＶとする場合、エネル
ギー付与断面積は照射表面から９．５μｍの深さまで５
ｋｅＶ／ｎｍ以上となり、１５００〜２０００ＭＧｙ以
上の電子的エネルギー付与量を与えることができること
から、１×１０19／ｍ2までの照射で９．５μｍの深さ
まで非晶質化させることが可能となる。
【００２５】
【発明の効果】１．高エネルギーイオンを照射すること
により、電子的エネルギーの付与によって非晶質構造の
ＭｇＡｌ2Ｏ4の生成が可能となる。
により、電子的エネルギーの付与によって非晶質構造の
ＭｇＡｌ2Ｏ4の生成が可能となる。
【００２６】２．イオン照射により非晶質化することが
できるＭｇＡｌ2Ｏ4層の厚さは、照射に用いるイオンの
エネルギーを、最小値約５ｋｅＶ／ｎｍ以上のエネルギ
ー付与断面積となるように適宜選択することによって、
試料の照射表面から入射向きに対し数μｍ〜十数μｍの
範囲で選択的に非晶質化させることが制御可能となる。
できるＭｇＡｌ2Ｏ4層の厚さは、照射に用いるイオンの
エネルギーを、最小値約５ｋｅＶ／ｎｍ以上のエネルギ
ー付与断面積となるように適宜選択することによって、
試料の照射表面から入射向きに対し数μｍ〜十数μｍの
範囲で選択的に非晶質化させることが制御可能となる。
【図１】 （ａ）は、８５ＭｅＶのヨウ素イオンを室温
で１×１０19／ｍ2の線量まで照射したＭｇＡｌ2Ｏ4の
ＴＥＭ観察像である。（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、
（ａ）の位置又はで調べた制限視野電子線回折像で
ある。
で１×１０19／ｍ2の線量まで照射したＭｇＡｌ2Ｏ4の
ＴＥＭ観察像である。（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、
（ａ）の位置又はで調べた制限視野電子線回折像で
ある。
【図２】 ８５ＭｅＶのヨウ素イオンをＭｇＡｌ2Ｏ4に
照射したときの、電子的エネルギー付与断面積（Ｓｅ）
の照射表面からの深さ依存性を示す図である。
照射したときの、電子的エネルギー付与断面積（Ｓｅ）
の照射表面からの深さ依存性を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片野 吉男 茨城県那珂郡東海村白方字白根２番地の４ 日本アドバンステクノロジー株式会社内 Ｆターム(参考） 4G031 AA03 AA29 CA01 CA07 CA08 GA15 4G076 AA18 BC10 BG10 CA35 DA11 DA18 DA30
Claims (1)
- 【請求項１】 ＭｇＡｌ2Ｏ4材料をイオン照射処理する
ことにより、その材料の構成要素であるＭｇ、Ａｌ及び
Ｏの原子間に存在する電子が高密度に励起されＭｇＡｌ
2Ｏ4が結晶晶状態から非晶質状態に移行することを特徴
とする、ＭｇＡｌ2Ｏ4を非晶質化する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001158563A JP2002348117A (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 高密度電子励起によるＭｇＡｌ２Ｏ４の非晶質化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001158563A JP2002348117A (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 高密度電子励起によるＭｇＡｌ２Ｏ４の非晶質化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002348117A true JP2002348117A (ja) | 2002-12-04 |
Family
ID=19002256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001158563A Pending JP2002348117A (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 高密度電子励起によるＭｇＡｌ２Ｏ４の非晶質化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002348117A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005000741A1 (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-06 | Japan Science And Technology Agency | 電気伝導性１２ＣａＯ・７Ａｌ 2Ｏ3 及び同型化合物とその製造方法 |
| US8153241B2 (en) * | 2009-02-26 | 2012-04-10 | Corning Incorporated | Wide-angle highly reflective mirrors at 193NM |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02217314A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-30 | Toshiba Glass Co Ltd | アルミン酸塩粉末の製造方法 |
-
2001
- 2001-05-28 JP JP2001158563A patent/JP2002348117A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02217314A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-30 | Toshiba Glass Co Ltd | アルミン酸塩粉末の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005000741A1 (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-06 | Japan Science And Technology Agency | 電気伝導性１２ＣａＯ・７Ａｌ 2Ｏ3 及び同型化合物とその製造方法 |
| US7507289B2 (en) | 2003-06-26 | 2009-03-24 | Japan Science And Technology Agency | Electroconductive 12CaO—7Al2O3 and compound of same type, and method for preparation thereof |
| US8153241B2 (en) * | 2009-02-26 | 2012-04-10 | Corning Incorporated | Wide-angle highly reflective mirrors at 193NM |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Moll et al. | Multistep damage evolution process in cubic zirconia irradiated with MeV ions | |
| Jain et al. | Ion beam induced surface and interface engineering | |
| Liu et al. | Tracks of swift heavy ions in graphite studied by scanning tunneling microscopy | |
| Moll et al. | Irradiation damage in Gd 2 Ti 2 O 7 single crystals: Ballistic versus ionization processes | |
| Zinkle et al. | Track formation and dislocation loop interaction in spinel irradiated with swift heavy ions | |
| Sattonnay et al. | Structural stability of Nd2Zr2O7 pyrochlore ion-irradiated in a broad energy range | |
| Dozières et al. | Optimization of laser-nanowire target interaction to increase the proton acceleration efficiency | |
| Grzonka et al. | Electron microscopy observations of radiation damage in irradiated and annealed tungsten | |
| Björkas et al. | Chemical sputtering of Be due to D bombardment | |
| Lang et al. | Swift heavy ion-induced amorphization of CaZrO3 perovskite | |
| Izui | Fission fragment damage in semiconductors and ionic crystals | |
| Thomé et al. | Recovery effects due to the interaction between nuclear and electronic energy losses in SiC irradiated with a dual-ion beam | |
| Yamada et al. | Observation of c-component dislocation structures formed in pure Zr and Zr-base alloy by self-ion accelerator irradiation | |
| Liu et al. | Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B | |
| Muto et al. | Damage process in electron-irradiated graphite studied by transmission electron microscopy. I. High-resolution observation of highly graphitized carbon fibre | |
| Yasuda et al. | Accumulation of radiation damage and disordering in MgAl2O4 under swift heavy ion irradiation: Dedicated to Prof. Dr.-Ing. Heinrich Wollenberger on the occasion of his 80th birthday | |
| Gotoh et al. | High resolution electron microscopy of graphite defect structures after keV hydrogen ion bombardment | |
| JP2002348117A (ja) | 高密度電子励起によるＭｇＡｌ２Ｏ４の非晶質化方法 | |
| Zhong et al. | Microstructure characterization and optical properties of sapphire after helium ion implantation | |
| Cowley | Irradiation effects in beryllia and zinc oxide | |
| Kinoshita et al. | Accumulation and annihilation processes of cascades in metallic and nonmetallic crystals under irradiation with ions and/or electrons | |
| Das et al. | Electron irradiation damage in TiC | |
| Groult et al. | Highly Energetic Heavy Ion Irradiation Effects in Ferrites | |
| Rafique et al. | Impact of 18 MeV He+ ions on the morphological and structural properties of pure Fe | |
| Thomé | Swift heavy ion irradiation of crystalline insulators and metals |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20060223 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071226 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090929 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110830 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110916 |