CN108751148A - 一种氧氮化钽(TaOxNy)和/或氮化钽(Ta3N5)纳米光催化剂的制备方法 - Google Patents

一种氧氮化钽(TaOxNy)和/或氮化钽(Ta3N5)纳米光催化剂的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108751148A
CN108751148A CN201810697485.2A CN201810697485A CN108751148A CN 108751148 A CN108751148 A CN 108751148A CN 201810697485 A CN201810697485 A CN 201810697485A CN 108751148 A CN108751148 A CN 108751148A
Authority
CN
China
Prior art keywords
tao
tantalum nitride
temperature
nitrogen source
nano
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810697485.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108751148B (zh
Inventor
许振明
牛博
杜进芳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Jiaotong University
Original Assignee
Shanghai Jiaotong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Jiaotong University filed Critical Shanghai Jiaotong University
Priority to CN201810697485.2A priority Critical patent/CN108751148B/zh
Publication of CN108751148A publication Critical patent/CN108751148A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108751148B publication Critical patent/CN108751148B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/0615Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with transition metals other than titanium, zirconium or hafnium
    • C01B21/0617Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with transition metals other than titanium, zirconium or hafnium with vanadium, niobium or tantalum
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J27/00Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
    • B01J27/24Nitrogen compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/082Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
    • C01B21/0821Oxynitrides of metals, boron or silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/02Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen
    • C01B3/04Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by decomposition of inorganic compounds, e.g. ammonia
    • C01B3/042Decomposition of water
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/84Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by UV- or VIS- data
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/85Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by XPS, EDX or EDAX data
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30Hydrogen technology
    • Y02E60/36Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

本发明涉及一种采用真空氮化可控地制备氧氮化钽(TaOxNy)和/或氮化钽(Ta3N5)纳米光催化剂的方法。步骤包括:将氧化钽和固体氮源以一定的比例分别置于真空管式炉中,使系统维持在一定的真空条件,然后将炉内温度加热至500~800℃,保温4~8h;通过控制不同的压强和温度,即可获得TaOxNy和/或Ta3N5。相对于传统氨气气氛氮化工艺,本发明采用安全的固体氮源,较低的温度下可控地制备出TaOxNy和/或Ta3N5,具有实验条件温和、操作简单的优点。

Description

一种氧氮化钽(TaOxNy)和/或氮化钽(Ta3N5)纳米光催化剂的制 备方法
技术领域
本发明属于光催化剂的制备领域,具体涉及一种采用真空氮化可控地制备氧氮化钽和/或氮化钽纳米光催化剂的方法。
背景技术
氧氮化钽(TaOxNy)和氮化钽(Ta3N5),是一种对可见光有响应的新型光催化过渡金属半导体材料,主要用于利用太阳能光催化和光电化学分解水以及降解水体中有机污染物等方面。目前,光催化技术是解决能源危机和环境问题的一个理想途径,而TaOxNy和Ta3N5因其具有较窄的光学带隙(2.08~2.5eV)和合适的带边位置可直接通过可见光(λ <600nm)照射分解水,光催化反应过程中稳定,在含有合适的电子供体和受体的环境中能够实现氢气和氧气的同时释放,并以高达15.9%的太阳能转换率而受到广泛关注,被视为工业化应用中一种应用前景广阔的光催化材料。
目前,常用的制备TaOxNy和Ta3N5材料的方法是直接将氧化钽 (Ta2O5或TaxOy)在氨气气氛下高温氮化(850-1150℃)。然而,传统的氨气氮化需要严格控制氨气的流速及组成,尤其是在高温下,氨气具有毒性和爆炸的危险。有不少研究者尝试采用安全的方法制备TaOxNy和Ta3N5,比如用安全的固体氮源(如尿素等)取代氨气,然而该方法只能制备出不纯的黑灰色TaN。另外,采用液氨法、氨水热法、高压氮化法等也已经应用于制备Ta3N5材料,然而,上述方法仍存在着实验条件苛刻和危险的特点;而且,不能可控地分别制备出TaOxNy或Ta3N5。综上,以上制备工艺存在的问题严重限制了TaOxNy和Ta3N5在光催化领域的应用。
因此,探索一种工艺简单、安全、实验条件温和的TaOxNy和Ta3N5制备方法显得尤为重要。
发明内容
本发明针对上述问题,提供一种采用真空氮化可控地制备TaOxNy和/或Ta3N5纳米光催化剂的方法。本发明采用固体氮源,通过控制真空度、热处理参数等可控地制备出TaOxNy和/或Ta3N5。该制备方法简单、安全、易于操作,制备得到的TaOxNy和/或Ta3N5相的纯度高,粒径20~30 nm,光催化活性高。
为实现上述目的,本发明包括下列步骤:
步骤1:将氧化钽和固体氮源以一定的比例分别置于同一管式炉中,进行抽真空处理;
步骤2:待系统压强稳定后,密封反应系统,并停止抽真空,然后进行热处理;
步骤3:冷却至室温得到TaOxNy和/或Ta3N5产品。
所述步骤1中使用的固体氮源为氯化铵、尿素、三聚氰胺、碳酸氢氨或硫酸铵中的任意一种或其任意组合。
所述步骤1中氧化钽和固体氮源的质量比为1:(1~4)。
所述步骤2中的热处理过程压强控制为102~5×104Pa,温度为 500~800℃,保温时间4~8h。
本发明提供的真空氮化可控的制备TaOxNy和/或Ta3N5纳米光催化剂的方法,具有如下优点:
(1)本发明制备的TaOxNy和/或Ta3N5颗粒粒径大小20~30nm,分别在500nm和600nm处具有强的光吸收带,对应禁带宽度为~2.5eV 和~2.1eV。
(2)选取的固体氮源较气体氮源(氨气)安全、无毒,制备条件温和,降低了传统氨气氮化的温度和和减小了氮化时间(温度: 850-1150℃,时间:>10h),而且通过控制真空度和热处理参数即可控制备出TaOxNy和/或Ta3N5。实验条件温和、操作简单。
(2)制备的TaOxNy和/或Ta3N5相的纯度高,粒径均匀,光催化活性高。在光解水制氢、空气净化及水体有机污染物处理等方面具有广阔的应用前景和经济效益。
附图说明
图1为本发明实施例制备的样品宏观和透射电镜(TEM)图。图中:(a),(d),(e)为实施例1得到的Ta3N5宏观和透射电镜图片;(b),(f), (g)为实施例2得到的TaOxNy宏观和透射电镜图片;(c)为实施例3得到的Ta2O5宏观图片
图2为本发明实施例制备的X-射线衍射(XRD)图
图3为本发明实施例制备的样品X射线光电子能谱(XPS)图
图4为本发明实施例制备的样品紫外-可见光吸收光谱(UV-vis) 图
图5为本发明实施例与传统氨气氮化制备的样品的产氢速率图。 (图中:1、实施例1制备的Ta3N5;2、实施例2制备的TaOxNy;3、传统氨气氮化制备的Ta3N5;4、传统氨气氮化制备的TaOxNy)
注:因为实施例4与实施例2制备的产品TaOxNy相同,表征性能也基本相同,因此只给出了实施例2产品的性能表征结果。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干调整和改进。这些都属于本发明的保护范围。
实施例1
本发明所述的用真空氮化可控的制备Ta3N5纳米光催化剂的方法,包括如下的步骤:
1:将氧化钽和氯化铵以1:2质量比分别置于同一管式炉中,抽真空;
2:待压强稳定为50Pa时,密封反应系统,进行真空热处理。控制升温速率为10℃/min,热处理温度800℃,热反应时间8h;由于热处理过程,系统的压强会升高,通过真空阀控制系统压强为5×103~104 Pa。
3:氮化结束后,待系统温度冷却至室温,得到Ta3N5产品,结果如附图。
实施例2
本发明所述的用真空氮化制备TaOxNy纳米光催化剂的方法,包括如下的步骤:
1:将氧化钽和尿素以1:1质量比分别置于同一管式炉中,抽真空;
2:待压强稳定为50Pa时,密封反应系统,进行真空热处理。控制升温速率为10℃/min,热处理温度500℃,热反应时间6h;由于热处理过程,系统的压强会升高,通过真空阀控制系统压强为1×103~5×103 Pa。
3:氮化结束后,待系统温度冷却至室温,得到TaOxNy产品,结果如附图。
实施例3
本发明所述的用真空氮化制备TaOxNy纳米光催化剂的方法,包括如下的步骤:
1:将氧化钽和碳酸氢氨以1:4质量比分别置于同一管式炉中,抽真空;
2:待压强稳定为50Pa时,密封反应系统,进行真空热处理。控制升温速率为10℃/min,热处理温度700℃,热反应时间4h;由于热处理过程,系统的压强会升高,通过真空阀控制系统压强为104~5×104 Pa。
3:氮化结束后,待系统温度冷却至室温,得到黑灰色Ta2O5产品,结果如附图。
实施例4
本发明所述的用真空氮化制备TaOxNy纳米光催化剂的方法,包括如下的步骤:
1:将氧化钽和三聚氰胺以1:3质量比分别置于同一管式炉中,抽真空;
2:待压强稳定为50Pa时,密封反应系统,进行真空热处理。控制升温速率为10℃/min,热处理温度600℃,热反应时间5h;由于热处理过程,系统的压强会升高,通过真空阀控制系统压强为102~103Pa。
3:氮化结束后,待系统温度冷却至室温,得到黄色TaOxNy产品。
结合上述四例,由图5可见,相比于传统氨气氮化制备的样品,采用本发明所述的真空氮化可控地制备氧氮化钽和/或氮化钽纳米光催化剂的方法,所制备的纳米光催化剂的产氢速率能达到19.73-26.4μm/g/h,相对于传统氨气制备样品(1.35-5.37μm/g/h)有极大提高。

Claims (4)

1.一种氧氮化钽(TaOxNy)和/或氮化钽(Ta3N5)纳米光催化剂的制备方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:
步骤1:将氧化钽和固体氮源以一定的比例分别置于同一管式炉中,进行抽真空处理;
步骤2:待系统压强稳定后,密封反应系统,并停止抽真空,然后进行热处理;
步骤3:冷却至室温得到TaOxNy和/或Ta3N5产品。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1中所述的固体氮源为氯化铵、尿素、三聚氰胺、碳酸氢氨或硫酸铵中的任意一种或其任意组合。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1中所述的氧化钽和固体氮源的质量比为1:(1~4)。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤2中所述的热处理过程中,压强控制为102~5×104Pa,温度为500~800℃,保温时间4~8h。
CN201810697485.2A 2018-06-29 2018-06-29 一种氧氮化钽(TaOxNy)和/或氮化钽(Ta3N5)纳米光催化剂的制备方法 Active CN108751148B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810697485.2A CN108751148B (zh) 2018-06-29 2018-06-29 一种氧氮化钽(TaOxNy)和/或氮化钽(Ta3N5)纳米光催化剂的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810697485.2A CN108751148B (zh) 2018-06-29 2018-06-29 一种氧氮化钽(TaOxNy)和/或氮化钽(Ta3N5)纳米光催化剂的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108751148A true CN108751148A (zh) 2018-11-06
CN108751148B CN108751148B (zh) 2022-05-17

Family

ID=63975062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810697485.2A Active CN108751148B (zh) 2018-06-29 2018-06-29 一种氧氮化钽(TaOxNy)和/或氮化钽(Ta3N5)纳米光催化剂的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108751148B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109928762A (zh) * 2018-12-21 2019-06-25 中国人民解放军国防科技大学 一种BaTaO2N氧氮化物粉体及其双氮源制备方法
CN110255511A (zh) * 2019-07-29 2019-09-20 上海科技大学 一种含氮化合物的制备方法
CN110963471A (zh) * 2019-11-27 2020-04-07 安徽大学 一种熔盐离子交换式一步法合成Ta3N5的方法
CN111790424A (zh) * 2020-07-06 2020-10-20 上海交通大学 具有对可见光高效吸收的光催化剂及其制备方法和用途
CN114005629A (zh) * 2021-11-02 2022-02-01 苏州市新诚氏通讯电子股份有限公司 一种薄膜微波负载片及其制作方法
CN114570405A (zh) * 2022-03-17 2022-06-03 西安工程大学 二维介孔氮化钽光催化材料的制备方法及应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1769168A (zh) * 2005-12-02 2006-05-10 中国科学院物理研究所 利用金属氧化物合成氮化物的方法
CN103990483A (zh) * 2014-05-19 2014-08-20 东华大学 一种氧氮钽基无纺布光催化剂的制备方法
CN106276827A (zh) * 2016-07-14 2017-01-04 上海交通大学 利用废旧钽电容器制备氧氮化钽光催化材料的方法
CN106582759A (zh) * 2016-11-07 2017-04-26 江苏大学 一种可见光响应异质结材料的制备方法和用途
CN108117142A (zh) * 2017-11-22 2018-06-05 浙江海洋大学 一种柔性大面积TaON纳米棒阵列复合BiOI碳纤维布及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1769168A (zh) * 2005-12-02 2006-05-10 中国科学院物理研究所 利用金属氧化物合成氮化物的方法
CN103990483A (zh) * 2014-05-19 2014-08-20 东华大学 一种氧氮钽基无纺布光催化剂的制备方法
CN106276827A (zh) * 2016-07-14 2017-01-04 上海交通大学 利用废旧钽电容器制备氧氮化钽光催化材料的方法
CN106582759A (zh) * 2016-11-07 2017-04-26 江苏大学 一种可见光响应异质结材料的制备方法和用途
CN108117142A (zh) * 2017-11-22 2018-06-05 浙江海洋大学 一种柔性大面积TaON纳米棒阵列复合BiOI碳纤维布及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M. KERLAU ET AL.: "Synthesis of crystallized TaON and Ta3N5 by nitridation of Ta2O5 thin films grown by pulsed laser deposition", 《SOLID STATE SCIENCES》 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109928762A (zh) * 2018-12-21 2019-06-25 中国人民解放军国防科技大学 一种BaTaO2N氧氮化物粉体及其双氮源制备方法
CN109928762B (zh) * 2018-12-21 2022-03-15 中国人民解放军国防科技大学 一种BaTaO2N氧氮化物粉体及其双氮源制备方法
CN110255511A (zh) * 2019-07-29 2019-09-20 上海科技大学 一种含氮化合物的制备方法
CN110255511B (zh) * 2019-07-29 2023-09-26 上海科技大学 一种含氮化合物的制备方法
CN110963471A (zh) * 2019-11-27 2020-04-07 安徽大学 一种熔盐离子交换式一步法合成Ta3N5的方法
CN110963471B (zh) * 2019-11-27 2022-12-06 安徽大学 一种熔盐离子交换式一步法合成Ta3N5的方法
CN111790424A (zh) * 2020-07-06 2020-10-20 上海交通大学 具有对可见光高效吸收的光催化剂及其制备方法和用途
CN114005629A (zh) * 2021-11-02 2022-02-01 苏州市新诚氏通讯电子股份有限公司 一种薄膜微波负载片及其制作方法
CN114570405A (zh) * 2022-03-17 2022-06-03 西安工程大学 二维介孔氮化钽光催化材料的制备方法及应用
CN114570405B (zh) * 2022-03-17 2024-01-09 西安工程大学 二维介孔氮化钽光催化材料的制备方法及应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN108751148B (zh) 2022-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108751148A (zh) 一种氧氮化钽(TaOxNy)和/或氮化钽(Ta3N5)纳米光催化剂的制备方法
Mutuma et al. Sol–gel synthesis of mesoporous anatase–brookite and anatase–brookite–rutile TiO2 nanoparticles and their photocatalytic properties
CN106914264B (zh) 复合可见光催化剂的制备方法
Uekawa et al. Low temperature synthesis and characterization of porous anatase TiO2 nanoparticles
CN106179441B (zh) 一种氮化碳-碳掺杂介孔二氧化钛复合光催化剂及其制备方法
CN107115884B (zh) 一种g-C3N4/TiO2纳米线组装结构光催化剂
Jie et al. Preparation of LaMnO3/graphene thin films and their photocatalytic activity
KR20200032537A (ko) 광촉매용 구형 이산화 티타늄/카본 나이트라이드 복합체의 제조방법
Hang et al. Influence of annealing temperature on physical properties and photocatalytic ability of g-C3N4 nanosheets synthesized through urea polymerization in Ar atmosphere
CN107792880B (zh) 一种铋酸钙纳米线的制备方法
CN105170173A (zh) 一种钙钛矿材料/有机聚合物复合光催化剂、制备及应用
CN110624594A (zh) 一种磁性Fe3O4/ZnO/g-C3N4复合光催化剂及其制备方法
CN107915212A (zh) 片层堆叠的毛虫状wn纳米材料及其制备方法
CN107159289A (zh) 一种原位制备g‑C3N4‑TiO2纳米异质结光催化薄膜的方法
CN103877959A (zh) 氢化二氧化钛纳米管/纳米颗粒复合光催化材料及制备方法
CN109126852A (zh) 有序分级多孔石墨相氮化碳光催化材料的制备方法
CN107162057A (zh) 一种具有优异可见光吸收性能的非化学计量钼氧化物材料及其制备方法和应用
Bastakoti et al. Synthesis of highly photocatalytic TiO2 microflowers based on solvothermal approach using N, N-dimethylformamide
CN107335456B (zh) 一种碳掺杂修饰石墨相氮化碳光催化剂及其制备方法
CN114054016B (zh) 一种多孔氧化铌纳米材料及其制备方法和在碳中和中的应用
CN103657628A (zh) 一种SnO2-TiO2复合纳米光催化剂的制备方法
CN110743597B (zh) 一种空心梭状氮化碳微米结构及其制备方法和应用
CN105664900A (zh) 复合光催化涂层的制备方法以及制得的复合光催化涂层
CN113070057B (zh) 一种光电-压电复合材料及其制备方法
CN114751448B (zh) 一种蓝色钛氧化物纳米颗粒的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant