CN108722982B - 一种多晶破碎机鄂板的处理方法 - Google Patents

一种多晶破碎机鄂板的处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108722982B
CN108722982B CN201810524081.3A CN201810524081A CN108722982B CN 108722982 B CN108722982 B CN 108722982B CN 201810524081 A CN201810524081 A CN 201810524081A CN 108722982 B CN108722982 B CN 108722982B
Authority
CN
China
Prior art keywords
polycrystalline
soaking
crusher
jaw plate
handling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810524081.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108722982A (zh
Inventor
王会敏
张浩强
刘彬
赵萌萌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JA Xingtai Solar Co Ltd
Original Assignee
Xingtai Jinglong Electronic Material Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xingtai Jinglong Electronic Material Co ltd filed Critical Xingtai Jinglong Electronic Material Co ltd
Priority to CN201810524081.3A priority Critical patent/CN108722982B/zh
Publication of CN108722982A publication Critical patent/CN108722982A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108722982B publication Critical patent/CN108722982B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/106—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by boiling the liquid

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明涉及多晶破碎设备处理技术领域，具体公开了一种多晶破碎机鄂板的处理方法，所述鄂板为氧化锆陶瓷材质，依次用氢氟酸、硅片清洗剂、双氧水‑氢氧化钠混合液、盐酸进行浸泡处理，然后用酒精全面擦洗，最后用高纯水煮沸处理即可。本发明对氧化锆材质的鄂板，使用特定的表面处理工艺进行处理，可确保在破碎多晶料过程中鄂板表面整日的洁净度，避免表面杂质混入多晶料，保证了多晶原料的品质，提高了拉晶后单晶产品的寿命。

Description

一种多晶破碎机鄂板的处理方法
技术领域
本发明涉及多晶破碎设备处理技术领域，具体涉及一种多晶破碎机鄂板的处理方法。
背景技术
随着单晶硅应用的快速稳定发展，其需求量也逐渐加大，采用多晶硅进行拉晶是生产单晶硅的重要工艺。拉晶车间一埚多棒工艺的推广，对多晶硅小块料的需求越来越多，生产企业都在想办法提高爆料量和效率，来满足不断提升的投料量要求。随着破碎机的推广与使用，以往的人工破碎多晶料模式正在逐步被淘汰，越来越多的单位都在使用破碎机进行破碎多晶原料。为了提高破碎效率，现在市场上多数是用金属材质鄂板进行破碎多晶料。而金属鄂板在破碎中容易产生金属杂质混入多晶料中，多晶料的品质会影响影响单晶产品的寿命，因此如何控制破碎过程中多晶料的品质成为单晶硅生产过程中的重要环节。
发明内容
针对以上技术现状，本发明提供一种多晶破碎机鄂板的处理方法，其能保证破碎过程中没有杂质混入多晶料中，进而保证其品质。
为达到上述发明目的，本发明采用了如下的技术方案：
一种多晶破碎机鄂板的处理方法，其中所述鄂板为氧化锆陶瓷材质，对该材质鄂板进行如下处理：依次用氢氟酸、硅片清洗剂、双氧水-氢氧化钠混合液、盐酸进行浸泡处理，然后用酒精全面擦洗，最后用高纯水煮沸处理即可。
优选地，所述氢氟酸的浓度为45～50wt％，用其浸泡时间为10～15min。
优选地，所述硅片清洗剂的型号为MT-480，用硅片清洗剂浸泡的时间为8～10min。
优选地，所述双氧水-氢氧化钠混合液中H2O2、NaOH和水的质量比为0.3～0.5:0.5:1，用该混合液浸泡的时间为5～8min。
优选地，所述盐酸的浓度为5～10wt％，用其浸泡时间为5～8min。
优选地，所述酒精的浓度为75wt％。
优选地，所述用高纯水煮沸处理的时间为5～8min。
优选地，每一步浸泡处理后均用去离子水进行冲洗。
优选地，用去离子水进行冲洗的时间为2～5min。
进一步优选地，所述的多晶破碎机鄂板的处理方法，具体步骤如下：
(1)将所述鄂板用45～50wt％的氢氟酸浸泡10～15min，取出后用流动去离子水冲洗2～5min；
(2)再浸入MT-480硅片清洗剂中浸泡8～10min，取出后用流动去离子水冲洗2～5min；
(3)再浸入双氧水和氢氧化钠的混合液中浸泡5～8min，其中H2O2、NaOH和水的质量比为0.3～0.5:0.5:1，取出后用流动去离子水冲洗2～5min；
(4)然后浸入5～10wt％的盐酸中浸泡5～8min，取出后用流动去离子水冲洗2～5min；
(5)用75wt％的酒精对鄂板表面进行全面擦洗；
(6)最后用高纯水煮沸5～8min即可。
本发明方法将鄂板的材质由金属替换成氧化锆陶瓷，其洛氏硬度为88～89，破碎过程中不易产生碎屑杂质。本发明表面处理工艺的步骤及顺序对破碎多晶用氧化锆陶瓷鄂板具有特定选择性，发明人在研究过程中发现添加硅片清洗剂浸泡的步骤对氧化锆陶瓷鄂板具有显著的清洗效果，发明人也曾尝试改变清洗顺序，发现处理效果大大降低。对该氧化锆材质的鄂板，每日使用前用特定的表面处理工艺进行处理，可确保在破碎多晶料过程中鄂板表面整日的洁净度，避免表面杂质混入多晶料，保证了多晶原料的品质，提高了拉晶后单晶产品的寿命。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
一种多晶破碎机鄂板的处理方法，包括如下步骤：
(1)将所述鄂板用48wt％的氢氟酸浸泡10min，取出后用流动去离子水冲洗2min；
(2)再浸入MT-480硅片清洗剂中浸泡10min，取出后用流动去离子水冲洗5min；
(3)再浸入双氧水和氢氧化钠的混合液中浸泡8min，其中H2O2、NaOH和水的质量比为0.3:0.5:1，取出后用流动去离子水冲洗35min；
(4)然后浸入5wt％的盐酸中浸泡5min，取出后用流动去离子水冲洗2min；
(5)用75wt％的酒精对鄂板表面进行全面擦洗；
(6)最后用高纯水煮沸5min即可。
实施例2
一种多晶破碎机鄂板的处理方法，包括如下步骤：
(1)将所述鄂板用45wt％的氢氟酸浸泡15min，取出后用流动去离子水冲洗3min；
(2)再浸入MT-480硅片清洗剂中浸泡8min，取出后用流动去离子水冲洗5min；
(3)再浸入双氧水和氢氧化钠的混合液中浸泡5min，其中H2O2、NaOH和水的质量比为0.5:0.5:1，取出后用流动去离子水冲洗23min；
(4)然后浸入8wt％的盐酸中浸泡5min，取出后用流动去离子水冲洗5min；
(5)用75wt％的酒精对鄂板表面进行全面擦洗；
(6)最后用高纯水煮沸5min即可。
实施例3……
一种多晶破碎机鄂板的处理方法，包括如下步骤：
(1)将所述鄂板用50wt％的氢氟酸浸泡10min，取出后用流动去离子水冲洗5min；
(2)再浸入MT-480硅片清洗剂中浸泡10min，取出后用流动去离子水冲洗2min；
(3)再浸入双氧水和氢氧化钠的混合液中浸泡5min，其中H2O2、NaOH和水的质量比为0.3:0.5:1，取出后用流动去离子水冲洗3min；
(4)然后浸入10wt％的盐酸中浸泡5min，取出后用流动去离子水冲洗2min；
(5)用75wt％的酒精对鄂板表面进行全面擦洗；
(6)最后用高纯水煮沸8min即可。
用实施例1～3的方法破碎后的多晶硅的纯度完全没有变化，而改变处理步骤的顺序后则纯度约降低0.1～0.2％，多晶硅纯度的降低则影响拉晶后单晶的使用寿命。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种多晶破碎机鄂板的处理方法，其特征在于：所述鄂板为氧化锆陶瓷材质，依次用氢氟酸、硅片清洗剂、双氧水-氢氧化钠混合液、盐酸进行浸泡处理，然后用酒精全面擦洗，最后用高纯水煮沸处理即可；
所述氢氟酸的浓度为45～50wt％；
所述硅片清洗剂的型号为MT-480。
2.如权利要求1所述的多晶破碎机鄂板的处理方法，其特征在于：用所述氢氟酸的浸泡时间为10～15min。
3.如权利要求1所述的多晶破碎机鄂板的处理方法，其特征在于：用所述硅片清洗剂浸泡的时间为8～10min。
4.如权利要求1所述的多晶破碎机鄂板的处理方法，其特征在于：所述双氧水-氢氧化钠混合液中H2O2、NaOH和水的质量比为0.3～0.5:0.5:1，用该混合液浸泡的时间为5～8min。
5.如权利要求1所述的多晶破碎机鄂板的处理方法，其特征在于：所述盐酸的浓度为5～10wt％，用其浸泡时间为5～8min。
6.如权利要求1所述的多晶破碎机鄂板的处理方法，其特征在于：所述酒精的浓度为75wt％。
7.如权利要求1所述的多晶破碎机鄂板的处理方法，其特征在于：所述用高纯水煮沸处理的时间为5～8min。
8.如权利要求1所述的多晶破碎机鄂板的处理方法，其特征在于：每一步浸泡处理后均用去离子水进行冲洗。
9.如权利要求8所述的多晶破碎机鄂板的处理方法，其特征在于：用去离子水进行冲洗的时间为2～5min。
10.如权利要求1所述的多晶破碎机鄂板的处理方法，其特征在于具体步骤如下：
(1)将所述鄂板用45～50wt％的氢氟酸浸泡10～15min，取出后用流动去离子水冲洗2～5min；
(2)再浸入MT-480硅片清洗剂中浸泡8～10min，取出后用流动去离子水冲洗2～5min；
(3)再浸入双氧水和氢氧化钠的混合液中浸泡5～8min，其中H2O2、NaOH和水的质量比为0.3～0.5:0.5:1，取出后用流动去离子水冲洗2～5min；
(4)然后浸入5～10wt％的盐酸中浸泡5～8min，取出后用流动去离子水冲洗2～5min；
(5)用75wt％的酒精对鄂板表面进行全面擦洗；
(6)最后用高纯水煮沸5～8min即可。
CN201810524081.3A 2018-05-28 2018-05-28 一种多晶破碎机鄂板的处理方法 Active CN108722982B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810524081.3A CN108722982B (zh) 2018-05-28 2018-05-28 一种多晶破碎机鄂板的处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810524081.3A CN108722982B (zh) 2018-05-28 2018-05-28 一种多晶破碎机鄂板的处理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108722982A CN108722982A (zh) 2018-11-02
CN108722982B true CN108722982B (zh) 2020-09-22

Family

ID=63936390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810524081.3A Active CN108722982B (zh) 2018-05-28 2018-05-28 一种多晶破碎机鄂板的处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108722982B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114101191A (zh) * 2021-11-19 2022-03-01 横店集团东磁股份有限公司 一种太阳能单晶电池刻蚀工序所用行走滚轮的清洗方法
CN115445704A (zh) * 2022-09-22 2022-12-09 新特能源股份有限公司 多晶硅破碎筛分系统的金属处理方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4264374A (en) * 1978-09-25 1981-04-28 International Business Machines Corporation Cleaning process for p-type silicon surface
EP0905796A1 (de) * 1997-09-19 1999-03-31 Wacker-Chemie GmbH Polykristallines Silicium
CN101152651A (zh) * 2006-09-28 2008-04-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种陶瓷零件表面的清洗方法
CN101495682A (zh) * 2006-07-28 2009-07-29 瓦克化学股份公司 用于制造经分级的高纯度多晶硅碎片的方法和装置
CN101590476A (zh) * 2009-06-10 2009-12-02 嘉兴五神光电材料有限公司 一种单晶硅片的清洗方法
CN101623695A (zh) * 2009-08-13 2010-01-13 合肥景坤新能源有限公司 含石墨硅料的清洗方法
CN102634800A (zh) * 2012-04-21 2012-08-15 湖南红太阳光电科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池较难清洗返工片的清洗方法
CN103087850A (zh) * 2011-11-08 2013-05-08 上海超日太阳能科技股份有限公司 一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法
CN104028503A (zh) * 2014-05-30 2014-09-10 邢台晶龙电子材料有限公司 硅原材料的清洗方法
CN206104005U (zh) * 2016-08-31 2017-04-19 太仓宏达俊盟新材料有限公司 一种带有清洗功能的颚式破碎机

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4264374A (en) * 1978-09-25 1981-04-28 International Business Machines Corporation Cleaning process for p-type silicon surface
EP0905796A1 (de) * 1997-09-19 1999-03-31 Wacker-Chemie GmbH Polykristallines Silicium
CN101495682A (zh) * 2006-07-28 2009-07-29 瓦克化学股份公司 用于制造经分级的高纯度多晶硅碎片的方法和装置
CN101152651A (zh) * 2006-09-28 2008-04-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种陶瓷零件表面的清洗方法
CN101590476A (zh) * 2009-06-10 2009-12-02 嘉兴五神光电材料有限公司 一种单晶硅片的清洗方法
CN101623695A (zh) * 2009-08-13 2010-01-13 合肥景坤新能源有限公司 含石墨硅料的清洗方法
CN103087850A (zh) * 2011-11-08 2013-05-08 上海超日太阳能科技股份有限公司 一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法
CN102634800A (zh) * 2012-04-21 2012-08-15 湖南红太阳光电科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池较难清洗返工片的清洗方法
CN104028503A (zh) * 2014-05-30 2014-09-10 邢台晶龙电子材料有限公司 硅原材料的清洗方法
CN206104005U (zh) * 2016-08-31 2017-04-19 太仓宏达俊盟新材料有限公司 一种带有清洗功能的颚式破碎机

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
氧化锆陶瓷的制备与应用;孙亚光、金昊、杨文龙、贺胜利;《中国陶瓷工业》;20161231;第23卷(第6期);第27页第4.1节 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN108722982A (zh) 2018-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108722982B (zh) 一种多晶破碎机鄂板的处理方法
CN110127708B (zh) 一种SiO2纯度≥99.99％高纯石英砂的提纯方法
KR19990029936A (ko) 다결정 실리콘
KR20120135185A (ko) 단결정 및 다결정 규소 기판의 표면을 조직화하기 위한 산성 에칭 수용액 및 방법
JP2012224541A (ja) 半導体材料用シリコンの多結晶シリコン塊
DE102006031105A1 (de) Verfahren zur Reinigung von Polysilicium-Bruch
CN102757050B (zh) 金属硅酸洗提纯的方法
CN105032834A (zh) 金刚石硅片专用碱洗液及金刚石硅片清洗工艺
CN110978303A (zh) 一种提高单晶硅棒利用率的切割方法
KR20110033042A (ko) 파단성이 개선된 봉형 폴리실리콘
CN101623695B (zh) 含石墨硅料的清洗方法
JP6433674B2 (ja) 多結晶シリコンの洗浄方法
CN109545660A (zh) 太阳能电池所使用硅片的清洗方法
CN108946737A (zh) 一种金属硅冶炼深度除杂的方法
CN109821810A (zh) 一种蓝宝石衬底片成品清洗工艺
CN113718257A (zh) 锗锭的腐蚀方法
US20210024858A1 (en) Washing method, manufacturing method, and washing device for polycrystalline silicon
CN1127743A (zh) 特定级硬脂酸锌及其生产工艺方法
CN101497440B (zh) 一种去除原生多晶硅棒端面石墨的方法
CN107354513B (zh) 一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺
CN112980599B (zh) 一种碳化硅单晶清洗剂及其应用
CN115557510A (zh) 一种用于半导体的硅微粉的生产方法
CN115573025A (zh) 一种5n以上高纯石英砂用人造石英晶体原料生长方法
CN112853496B (zh) 一种硅棒的表面处理方法及金刚线硅片切割方法
CN1151058C (zh) 亚氯酸钠的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20221110

Address after: No. 1688, Chang'an Road, Xingtai Economic Development Zone, Hebei 054001

Patentee after: JA (XINGTAI) SOLAR Co.,Ltd.

Address before: 054001 Xingda Street, Nanyuan District, Xingtai Development Zone, Hebei

Patentee before: XINGTAI JINGLONG ELECTRONIC MATERIAL Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right