CN108705422B - 真空吸附垫和基板保持装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供真空吸附垫和基板保持装置，该真空吸附垫能够在对基板进行真空吸附时使基板难以剥离。真空吸附垫(8)具有：垫主体(37)，该垫主体(37)的下表面粘贴于基板保持装置(2)的工作台(5)；以及多个圆弧状的基板保持凸部(38)，该多个圆弧状的基板保持凸部(38)设置于垫主体(37)的上表面，对真空吸附于垫主体(37)的上表面的基板(W)进行保持。圆弧状的基板保持凸部(38)配置成与圆形的垫主体(37)呈同心圆状，多个圆弧状的基板保持凸部(38)中的配置在径向外侧的基板保持凸部(38)的径向的宽度(W1)比配置在径向内侧的基板保持凸部(38)的径向的宽度(W2)窄。

Description

真空吸附垫和基板保持装置
技术领域
本发明涉及粘贴于基板保持装置的工作台的真空吸附垫。
背景技术
真空吸附垫粘贴于基板保持装置的工作台，用于通过真空吸引而将基板保持于工作台(例如，参照专利文献1)。在以往的真空吸附垫的吸附面(上表面)上形成有由凸部包围得到的多个闭合分区(真空吸附区域)。在多个闭合分区中分别设置有进气排气口，多个进气排气口与进气排气线路连接，该进气排气线路能够分别独立地进行进气排气。并且，用于保持基板的多个圆弧状的基板保持凸部呈同心圆状设置在多个闭合分区中。
专利文献1：日本特开2010-153585号公报
例如，在利用基板研磨装置对基板进行研磨的情况下，在通过真空吸附将基板保持于基板保持装置的工作台的状态下进行基板的研磨。具体而言，通过使保持于基板保持装置的工作台的基板旋转，并且使基板研磨装置的研磨垫一边向基板按压一边旋转，而进行基板的研磨。当为了研磨基板的背面而从旋转的基板的外周部的下侧按压接触部件、例如研磨头以施加与在将基板保持于工作台时向基板中央附近施加的朝下的力相反方向的、相对于基板朝上的力时，基板的外周部由于该力而朝上翘曲。在对应用于近年来用途变多的TSV工艺的支承基板这样的比以往的基板薄的基板进行这样的处理时该倾向变得明显，由于翘曲量变大而导致在以往的真空吸附垫中真空吸附被破坏，基板容易从工作台剥离(特别是从基板的径向外侧剥离)。
为了防止基板从工作台剥离，考虑提高真空吸附时的吸附力。因此，例如考虑有使真空吸附的真空程度上升(降低压力)来应对，但由于将真空程度上升到必要以上而使真空吸附后的基板的剥离性变差，因此该应用很难进行。
发明内容
本发明是鉴于上述的课题而完成的，其目的在于，提供如下的真空吸附垫：能够在对基板进行真空吸附时使基板难以剥离，而且能够保持真空吸附后的剥离性。
用于解决课题的手段
本发明的真空吸附垫具有：垫主体，该垫主体的下表面粘贴于基板保持装置的工作台；以及多个圆弧状的基板保持凸部，该多个圆弧状的基板保持凸部设置于所述垫主体的上表面，对真空吸附于所述垫主体的上表面的基板进行保持，所述圆弧状的基板保持凸部配置成与所述圆形的垫主体呈同心圆状，所述多个圆弧状的基板保持凸部中的配置在径向外侧的基板保持凸部的径向的宽度比配置在径向内侧的基板保持凸部的径向的宽度窄。
根据该结构，相对于配置在径向内侧的基板保持凸部的径向的宽度与以往的真空吸附垫为相同的宽度，设定得相对窄的外侧与以往相比，真空部的面积变大。由此，能够降低由于研磨头的力而使基板朝上的翘曲的量，使吸附力提高而防止基板剥离。此时，即使使径向内侧的宽度比以往窄而扩大内侧的真空部的面积，也几乎不会对外周部带来影响，无法期待其效果。因此，通过使径向外侧保持因使宽度变窄而产生的基板朝下的翘曲也较小的宽度，从而能够抑制在最低限度。
并且，在本发明的真空吸附垫中，也可以是，在所述垫主体的上表面形成有具有基板剥离性的涂层。
根据该结构，由于与基板接触的涂层具有基板剥离性，因此在真空吸附结束后(例如对基板研磨后等)，基板容易剥离。
并且，在本发明的真空吸附垫中，也可以是，该真空吸附垫具有区域形成凸部，该区域形成凸部设置于所述垫主体的上表面，在径向上将该垫主体的上表面分割成多个真空吸附区域，在径向外侧的真空吸附区域中设置有与所述基板保持装置的第一进气排气线路连接的第一进气排气口，在径向内侧的真空吸附区域中设置有与所述基板保持装置的第二进气排气线路连接的第二进气排气口。
根据该结构，能够使真空吸附基板时的真空压在径向外侧的真空吸附区域和径向内侧的真空吸附区域中不同。即，能够通过仅使基板的径向外侧的真空压任意上升而提高吸附力从而使真空吸附中的基板(例如基板的研磨中等)难以剥离，并且通过使径向内侧的真空压降低而取得整体的平衡从而保证真空吸附后的基板的剥离性。
并且，在本发明的真空吸附垫中，也可以是，所述基板保持凸部具有与所述基板接触的接触部、以及支承所述接触部的根部，所述接触部的径向的宽度被设定得比所述根部的径向的宽度宽。
根据该结构，由于能够在维持着基板与真空吸附垫的接触面积的状态下扩大真空，因此能够一边防止基板朝下的翘曲一边使基板难以剥离。
并且，在本发明的真空吸附垫中，也可以是，所述基板保持凸部具有与所述基板接触的接触部、以及支承所述接触部的根部，所述接触部的径向的宽度被设定得比所述根部的径向的宽度窄。
根据该结构，尤其对于朝下的翘曲的影响较小的基板，能够通过减少基板与真空吸附垫的接触面积而一边使基板的背面的污染程度降低，一边使基板难以剥离。
并且，在本发明的真空吸附垫中，也可以是，所述基板保持凸部的截面形状是圆形。
根据该结构，尤其对于朝下的翘曲的影响较小的基板，能够通过减少基板与真空吸附垫的接触面积而一边使基板的背面的污染程度降低，一边使基板难以剥离。
本发明的基板保持装置具有用于保持基板的工作台以及粘贴于所述工作台的真空吸附垫，所述真空吸附垫具有：垫主体，该垫主体的下表面粘贴于所述工作台；以及多个圆弧状的基板保持凸部，该多个圆弧状的基板保持凸部设置于所述垫主体的上表面，对真空吸附于所述垫主体的上表面的基板进行保持，所述圆弧状的基板保持凸部配置成与所述圆形的垫主体呈同心圆状，所述多个圆弧状的基板保持凸部中的配置在径向外侧的基板保持凸部的径向的宽度比配置在径向内侧的基板保持凸部的径向的宽度窄。
根据该结构，相对于配置在径向内侧的基板保持凸部的径向的宽度与以往的真空吸附垫为相同的宽度，设定得相对窄的外侧与以往相比，真空部的面积变大。由此，能够降低由于研磨头的力而使基板朝上的翘曲量，使吸附力提高而防止基板剥离。此时，即使使径向内侧的宽度比以往窄而扩大内侧的真空部的面积，也几乎不会对外周部带来影响，无法期待其效果。因此，通过使径向外侧保持因使宽度变窄而产生的基板朝下的翘曲也较小的宽度，从而能够抑制在最低限度。
发明效果
根据本发明，能够在对基板进行真空吸附时保证真空吸附后的剥离性，并且使基板难以剥离。
附图说明
图1是具有本发明的实施方式的基板保持装置的研磨装置的俯视图。
图2是具有本发明的实施方式的基板保持装置的研磨装置的剖视图。
图3是具有本发明的实施方式的基板保持装置的工作台的说明图。
图4是本发明的实施方式的真空吸附垫的俯视图。
图5是本发明的实施方式的真空吸附垫的剖视图。
图6是在研磨中使基板剥离的机制的说明图。
图7是以往的真空吸附垫的俯视图。
图8是比较例的真空吸附垫的俯视图。
图9是示出本发明的实施方式的真空吸附垫的效果的表。
图10是示出本发明的实施方式的真空吸附垫的效果的图表。
图11是示出本发明的实施方式的基板保持装置的动作的流程的流程图。
图12是其他的实施方式的真空吸附垫的剖视图。
图13是其他的实施方式的真空吸附垫的剖视图。
图14是其他的实施方式的真空吸附垫的剖视图。
图15是其他的实施方式的真空吸附垫的俯视图。
图16是其他的实施方式的真空吸附垫的俯视图。
图17是其他的实施方式的真空吸附垫的俯视图。
图18是具有本发明的实施方式的基板保持装置的研磨装置的剖视图。
图19是本发明的实施方式的基板保持装置的工作台的说明图。
图20是其他的实施方式的真空吸附垫的俯视图(示意图)。
图21是其他的实施方式的真空吸附垫的俯视图(示意图)。
图22是其他的实施方式的真空吸附垫的俯视图(示意图)。
图23是用于对本发明的实施方式的真空吸附垫的效果进行说明的图。
符号说明
1 研磨装置
2 基板保持装置
5 工作台
8 真空吸附垫
33 第一进气排气线路
34 第二进气排气线路
37 垫主体
38(38a、38b) 基板保持凸部
39 接触部
40 根部
41 区域形成凸部
42 第一进气排气口
43 第二进气排气口
W 基板
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的实施方式的真空吸附垫进行说明。在本实施方式中，例示出用于对半导体晶片等薄板状的基板进行真空吸附的真空吸附垫的情况。
(第一实施方式)
首先，参照附图对本发明的实施方式的基板保持装置的结构进行说明。图1是具有本实施方式的基板保持装置的研磨装置的俯视图，图2是具有本实施方式的基板保持装置的研磨装置的剖视图。如图1和图2所示，在研磨装置1的中央部设置有将作为研磨对象物的基板W水平保持的基板保持装置2。并且，在保持于基板保持装置2上的基板W的周围设置有四个研磨头机构3，在研磨头机构3的径向外侧分别设置有研磨带供给回收机构4。
基板保持装置2具有供基板W载置的工作台5、与工作台5的中央部连结的旋转轴6、以及使该旋转轴6旋转的电动机7。在基板保持装置2的工作台5上粘贴有真空吸附垫8，基板W通过搬送机构的搬送臂而以基板W的中心与旋转轴6的轴心一致的方式载置在真空吸附垫8上。
通过滚珠花键轴承9(传动轴承)而以上下运动的方式对基板保持装置2的旋转轴6进行支承。在旋转轴6的内部插通有第一管道10。第一管道10经由安装于旋转轴6的下端的旋转接头12而与作为真空源的第一真空线路13连接。第一管道10也与使处理后的基板W从真空吸附垫8脱离的作为流体供给源的第一氮气供给线路15连接。
在第一真空线路13中设置有第一真空调节器17，根据来自控制部(未图示)的信号而调整真空程度。在基板保持装置2中，使第一真空线路13和第一氮气供给线路15与第一管道10选择性地连接。在使基板W脱离的情况下，也可以使与未图示的真空源连通的第一真空线路13的未图示的阀从打开状态变成关闭状态而与第一管道10断开，另一方面，使氮气供给线路15的未图示的阀从关闭状态变成打开状态而使第一管道10和氮气供给线路15连通，并且，在该状态下使从未图示的氮气供给源供给的氮气经由第一氮气供给线路15而向第一管道10供给。或者，也可以仅在与真空线路13连通的未图示的真空源是泵的情况下使该泵的运转停止，接着在该状态下使从未图示的氮气供给源供给的氮气经由第一氮气供给线路15而向第一管道10供给。构成为能够通过向基板W供给真空压而使基板W真空吸附于真空吸附垫8的上表面，通过向基板W供给氮气而使基板W从真空吸附垫8的上表面脱离。
并且，基板保持装置2的旋转轴6通过电动机7经由与该旋转轴6连结的带轮19、安装于电动机7的旋转轴的带轮20以及挂在这些带轮19、20上的带21而旋转。电动机7的旋转轴与基板保持装置2的旋转轴6平行地延伸。通过这样的结构，通过电动机7而使保持于真空吸附垫8的上表面的基板W旋转。
滚珠花键轴承9是允许基板保持装置2的旋转轴6在其长度方向上自由移动的轴承。滚珠花键轴承9固定于内侧壳22。旋转轴6能够相对于内侧壳22沿上下进行直线动作，旋转轴6与内侧壳22一体旋转。旋转轴6与气缸(升降机构)23连结，能够通过气缸23而使旋转轴6和真空吸附垫8上升和下降。
在内侧壳22与在其外侧配置在同心上的外侧壳24之间插入安装有径向轴承25，内侧壳22被径向轴承25旋转自如地支承。通过这样的结构，基板保持装置2能够使基板W绕中心轴Cr旋转，并且使基板W沿着中心轴Cr上升下降。
在基板保持装置2的旋转轴6下降的状态下，对真空吸附在真空吸附垫8上的基板W进行研磨(参照图2)。在研磨处理后，通过气缸23使基板W与真空吸附垫8和旋转轴6一同上升到搬送位置，在该搬送位置使基板W从真空吸附垫8脱离。
并且，如图2所示，在基板保持装置2上，在基板W的上方配置有上供给喷嘴26。在基板W的研磨中，从上供给喷嘴26朝向保持在基板保持装置2上的基板W的上表面中心供给研磨液。此外，在基板保持装置2上，设置有朝向基板W的背面与基板保持装置2的真空吸附垫8的边界部(真空吸附垫8的外周部)供给研磨液的下供给喷嘴27。虽然研磨液通常使用纯水，但在作为研磨带(研磨件)28的磨粒使用二氧化硅的情况下等也可以使用氨。
此外，研磨装置1具有在研磨处理后清洗研磨头29的清洗喷嘴30，当在研磨处理后基板W通过基板保持装置2而上升之后，能够朝向研磨头3喷射清洗水，对研磨处理后的研磨头3进行清洗。
图3是对基板保持装置2的工作台5的结构进行说明的剖视图。如图3所示，基板保持装置2的工作台5连接有第一管道10。工作台5能够与基板保持装置2的旋转轴6一同旋转。此外，在工作台5的内部形成有第一进气排气线路33。第一吸气排气线路与第一管道10连接。
接着，参照附图对本实施方式的基板保持装置2的动作进行说明。图11是示出基板研磨完成后的动作的流程的流程图。如图11所示，在本实施方式中，当基板W的研磨动作完成时(S1)，使基本保持装置的工作台5上升(S2)，利用移载机夹紧工作台5上的基板W(研磨完成后的基板W)(S3)。然后，将基板W搬出，并且使基板保持装置2的工作台5下降，供给保湿水(S4)。然后，搬入下一基板W(接下来要进行研磨的处理之前的基板W)(S5)。
保湿水是指每次进行基板W的搬送时为了在工作台5上(真空吸附垫8上)进行刷新而供给的纯水(DIW)。通过将供给保湿水的时机设为基板搬出时，能够使在真空吸附垫8上等滚动的保湿水附着在处理前的干燥的基板W上，能够防止产生水印。
接着，对真空吸附垫8的结构进行说明。图4是真空吸附垫8的俯视图，图5是真空吸附垫8的剖视图。如图4和图5所示，真空吸附垫8具有在俯视观察时呈圆形的垫主体37、以及设置于垫主体37的上表面的多个圆弧状的基板保持凸部38。垫主体37的下表面粘贴在基板保持装置2的工作台5的表面(上表面)上。基板保持凸部38具有对真空吸附于垫主体37的上表面的基板W进行保持的功能。
如图6所示，研磨头3使研磨带B向基板W推压而进行研磨，但在从下侧推压研磨头3的情况下，有可能使基板W朝上翘曲，与真空吸附垫8的真空吸附被破坏而使基板W在研磨中剥离。基板W越薄则基板W的翘曲量越明显，因此寻求即使是较薄的基板也不会在真空吸附垫8上剥离的构造。
如图4所示，多个圆弧状的基板保持凸部38配置成与圆形的垫主体37呈同心圆状。并且，多个圆弧状的基板保持凸部38中的配置在最外周的基板保持凸部38(基板保持凸部38b)的径向的宽度W1被设定得比配置在径向内侧的基板保持凸部38(基板保持凸部38a)的径向的宽度W2窄(参照图4和图5)。并且，区域形成凸部41与最外周的基板保持凸部38b之间的径向的宽度E、以及最外周的基板保持凸部38b与其一个内侧的基板保持凸部38a之间的径向的宽度D进一步被设定得比内侧的基板保持凸部38a间的径向的宽度C宽(参照图4和图5)。
另外，在本实施例中，多个圆弧状的基板保持凸部38中的配置在最外周的基板保持凸部38b的径向的宽度W1被设定得比配置在径向内侧的基板保持凸部38a的径向的宽度W2窄，但只要多个圆弧状的基板保持凸部38中的配置在径向外侧的任意的基板保持凸部38b的宽度W1比其他的基板保持凸部38a的径向的宽度W2窄即可，本发明的技术思想不限于仅使配置在最外周的基板保持凸部38b的宽度变窄的实施方式。并且，本发明的技术思想不是仅限于区域形成凸部41与最外周的基板保持凸部38b之间的径向的宽度E以及最外周的基板保持凸部38b与其一个内侧的基板保持凸部38a之间的径向的宽度D进一步被设定得比内侧的基板保持凸部38a间的径向的宽度C宽，也可以是，配置在径向外侧的任意的基板保持凸部38b与其一个外侧的基板保持凸部38a之间的径向的宽度E被设定得比其他的外侧的基板保持凸部38a间的径向的宽度C宽。
例如，在基板W的直径为300mm的情况下，配置在最外周的基板保持凸部38b的径向的宽度W1被设定为2mm，配置在径向内侧的基板保持凸部38a的径向的宽度W2被设定为5mm，区域形成凸部41的宽度W3被设定为3mm。此外，区域形成凸部41与最外周的基板保持凸部38b之间的径向的宽度E被设定为8mm，在最外周的基板保持凸部38b与其一个内侧的基板保持凸部38a之间的径向的宽度D被设定为7mm，进一步地，内侧的基板保持凸部38a间的径向的宽度C被设定为5mm，基板保持凸部38的高度B被设定为6mm，垫主体37的高度A被设定为12mm。
另外，关于配置在最外周的基板保持凸部38b的径向的宽度W1与区域形成凸部41的宽度W3，可以是任意一方较宽，也可以是相同的宽度。并且，垫主体37的高度A不限于12mm，可以比12mm大，也可以为12mm以下。并且，基板保持凸部38的高度B不限于6mm，可以比6mm大，也可以为6mm以下。但是，只要至少将区域形成凸部41与最外周的基板保持凸部38b之间的径向的宽度E设定得比内侧的基板保持凸部38a间的径向的宽度C大即可。
并且，如图5所示，基板保持凸部38(基板保持凸部38a、38b)具有与基板W接触的接触部39(图5中的上部)、以及支承接触部39的根部40(图5中的下部)，在该情况下，接触部39的径向的宽度被设定得与根部的径向的宽度相同。
并且，在垫主体37的上表面设置有沿圆周方向将垫主体37的上表面分割成多个真空吸附区域的区域形成凸部41。在图4的例中，通过区域形成凸部41将垫主体37的上表面分割成四个真空吸附区域。并且，在各真空吸附区域中设置有与基板保持装置2的第一进气排气线路33连接的第一进气排气口42。另外，这里对垫主体37的上表面的分割数为四个的情况进行说明，但分割数不限于4。垫主体37的上表面的分割数也可以是例如2、3、4、6、8、10、12、16等。
在本实施方式中，作为真空吸附垫8的材料，使用例如硅橡胶，聚氨酯橡胶、丙烯酸橡胶等橡胶材料、或例如聚氨酯、聚酯等软质树脂材料、或者导电性材料等。橡胶材料或软质树脂材料具有能够确保真空密封性并且难以损伤基板W这样的功能而优选。并且，导电性材料当在研磨时基板W带电的情况下，能够使基板W所带的电荷从真空吸附垫8释放，因此具有能够防止由于基板带电而使基板附着灰尘、或因某情况而使静电破坏基板自身这样的情况的功能，从而优选。
并且，在垫主体37的上表面形成有具有基板剥离性的涂层。例如，通过实施派瑞林(注册商标)涂布，而在垫主体37的上表面形成具有基板剥离性的涂层。通过设置涂层，能够提高基板的剥离性。
这里，参照图7～图10和图23而说明吸附垫8对基板W进行真空保持的指标(吸附力)与形成真空区域的凹部的面积的关系、以及与研磨头推压时的基板W的翘曲量的关系。
图7是示出以往的真空吸附垫80的图。在以往的真空吸附垫中，多个圆弧状的基板保持凸部38(基板保持凸部38a)的宽度都被设定为相等。图23的真空吸附垫8000是将图4(本实施方式)所示的真空吸附垫8的最外周的基板保持凸部38b去除而得到的。另一方面，在图8的真空吸附垫800(图23的比较例)中，将图7的真空吸附垫80的3个内侧的基板保持凸部38a去除。
图23的真空吸附垫8000、图8的真空吸附垫800分别将基板保持凸部38b、38a去除，由此，真空面积比以往大，如图9所示，图23的真空吸附垫8000(图9的实施例)的真空区域面积与以往相比为112.9％，真空吸附垫800的真空区域面积比为108.7％。
在图10中示出真空区域面积比与吸附式的关系。在假定为不论在外周还是在内周仅通过扩大真空区域的面积而提高吸附力的情况下，图10的图表的3点位于直线上。但是，如图10所示，实际上在扩大了比较靠内周侧的真空区域后的面积比108.7％(图8的真空吸附垫800、图9的比较例)时几乎看不出吸附力提高，在扩大了外周侧的真空区域的面积比112.9％(图23的真空吸附垫8000、图9的实施例)时斜率一下子变大，能看出吸附力提高。根据该结果，可知“尤其通过扩大外周部的真空面积(使凸部的宽度变窄)而使吸附力大幅增加”。
并且，图10中还示出在各个条件下施加相同的研磨荷重的情况下的基板的翘曲量。在该情况下，如图10所示，面积比112.9％(图23的真空吸附垫8000)的形状的翘曲量比面积比108.7％(图8的真空吸附垫800、图9的比较例)的翘曲量少。该结果与吸附力的增减的倾向一致。由此能够导出“通过扩大外周部真空区域、减少基板的翘曲量而使吸附力提高从而使基板难以剥离”这样的结论。
像以上说明的那样，根据图9和图10的结果可知，在使基板保持凸部38的径向内侧与径向外侧各自的面积减少而使凹部的面积增加的情况下，使径向外侧的凹部的面积增加的情况能够使吸附力进一步提高。
这是因为推压研磨头3时的基板W的翘曲量由于使径向外侧的凹部的面积增加的情况而降低，表示即使使径向内侧的宽度W2变窄而扩大真空区域也几乎对吸附力的改善没有贡献。因此在本实施方式的真空吸附垫8中，仅将径向外侧的宽度W1设定得窄。并且，通过像图4那样设置有仅将径向外侧的宽度W1设定得窄的基板保持凸部38b，而与图23的真空吸附垫8000的结构相比，能够防止基板W的真空吸附时的朝下的翘曲。
根据这样的本实施方式的真空吸附垫8，相对于配置在径向内侧的基板保持凸部的径向的宽度与以往的真空吸附垫为相同的宽度，设定得相对窄的外侧与以往相比，真空部的面积变大。由此，能够降低由于研磨头的力而使基板朝上的翘曲量，使吸附力提高而防止基板剥离。此时，即使使径向内侧的宽度比以往窄而扩大内侧的真空部的面积，也几乎不会对外周部带来影响，无法期待其效果。因此，通过使径向外侧保持因使宽度变窄而产生的基板朝下的翘曲也较小的宽度，从而能够抑制在最低限度。
并且，在本实施方式中，由于与基板W接触的涂层具有基板剥离性，因此在真空吸附结束后(例如对基板W研磨后等)，基板W容易剥离。
例如，在图12中示出真空吸附垫8的变形例。如图12所示，接触部39的径向的宽度也可以设定得比根部的径向的宽度宽。根据这样的变形例，能够在维持着基板与真空吸附垫的接触面积的状态下扩大真空，因此能够一边防止基板朝下的翘曲一边使基板难以剥离。
并且，图13中示出真空吸附垫8的其他的变形例。如图13所示，接触部39的径向的宽度也可以设定得比根部的径向的宽度窄。根据这样的变形例，与基板的吸附的宽度(面积)变宽，因此在对基板施加朝上的力时基板难以剥离。
并且，在图14中示出真空吸附垫8的其他的变形例。如图14所示，基板保持凸部38的截面形状也可以是圆形。根据这样的变形例，尤其对于朝下的翘曲的影响较小的基板，能够通过减少基板与真空吸附垫的接触面积而一边使基板的背面的污染程度降低，一边使基板难以剥离。
并且，在图15中示出真空吸附垫8的其他的变形例。如图15所示，基板保持凸部38也可以在某真空吸附区域内设置成放射状。根据这样的变形例，与以往相比，由于基板与垫的接触面积变小，因此能够防止朝上的翘曲与基板背面的粒子附着。
并且，在图16中示出真空吸附垫8的其他的变形例。如图16所示，基板保持凸部38也可以在某真空吸附区域内设置成浮岛状。根据这样的变形例，由于吸附面积与以往相比较小，因此防止朝上的翘曲，并且与基板的接触面也呈散落状，因此也能够防止朝下的翘曲。
并且，图17中示出真空吸附垫8的其他的变形例。如图17所示，基板保持凸部38也可以不在某真空吸附区域内设置。根据这样的变形例，能够减小与基板的接触面积，因此能够防止朝上的翘曲以及粒子附着在基板背面。
(第二实施方式)
接着，参照附图对本发明的第二实施方式的基板保持装置的结构进行说明。图18是具有本实施方式的基板保持装置的研磨装置的剖视图。如图18所示，在基板保持装置2的旋转轴6的内部插通有第一管道10和第二管道11。第一管道10和第二管道11经由安装于旋转轴6的下端的旋转接头12而与作为各自的真空源的第一真空线路13和第二真空线路14连接。第一管道10和第二管道11还与使处理后的基板W从真空吸附垫8脱离的作为流体供给源的第一氮气供给线路15和第二氮气供给线路16连接。
在第一真空线路13和第二真空线路14中分别设置有第一真空调节器17和第二真空调节器18，根据来自控制部(未图示)的信号来调整真空程度。基板保持装置2构成为通过使第一真空线路13和第一氮气供给线路15与第一管道10选择性地连接和/或使第二真空线路14和第二氮气供给线路16与第二管道11选择性地连接，能够使基板W在真空吸附垫8的上表面真空吸附、脱离。
图19是对基板保持装置2的工作台5的结构进行说明的剖视图。如图19所示，基板保持装置2的工作台5具有与第一管道10和第二管道11连接的基座部31、以及支承于基座部31的工作台部32。基座部31和工作台部32能够与基板保持装置2的旋转轴6一同旋转。此外，在工作台部32的内部形成有第一进气排气线路33和第二进气排气线路34。在该情况下，第一吸气排气线路配置在径向内侧，第二吸气排气线路配置在径向外侧。此外，在基座部31与工作台部32之间形成有第一连接间隙35和第二连接间隙36。并且，第一吸气排气线路经由第一连接间隙35而与第一管道10连接，第二吸气排气线路经由第二连接间隙36而与第二管道11连接。
接着，对本实施方式的真空吸附垫8的结构进行说明。如图20～图22所示，不仅是区域形成凸部41在圆周方向上分割垫主体37的上表面而且也可以通过径向的凸部44进一步在径向上分割垫主体37的上表面。在图20～图22的例中，通过区域形成凸部41而使垫主体37的上表面在圆周方向上被分割，并且通过径向的凸部44在径向上进一步被分割，合计形成8个真空吸附区域(在径向内侧为4个真空吸附区域、在径向外侧为4个真空吸附区域)。在该情况下，在径向外侧的真空吸附区域中设置有与基板保持装置2的第一进气排气线路33连接的第一进气排气口42，在径向内侧的真空吸附区域中设置有与基板保持装置2的第二进气排气线路34连接的第二进气排气口43。
根据这样的第二实施方式，能够使真空吸附基板W时的吸附力在径向外侧的真空吸附区域和径向内侧的真空吸附区域中不同。因此，通过使基板W的径向外侧的吸附力比径向内侧的吸附力大，而在对基板W进行真空吸附时(例如基板W的研磨中等)，基板W的径向外侧难以剥离。
以上，通过例示对本发明的实施方式进行了说明，本发明的范围不限于此，能够在权利要求的范围内根据目的而变更、变形。
产业上的可利用性
如上所述，本发明的真空吸附垫具有在对基板进行真空吸附时基板能够难以剥离这样的效果，在半导体晶片等基板研磨装置等中使用，是有用的。

Claims (7)

1.一种真空吸附垫，其特征在于，具有：
垫主体，该垫主体的下表面粘贴于基板保持装置的工作台；以及
多个圆弧状的基板保持凸部，该多个圆弧状的基板保持凸部设置于所述垫主体的上表面，对真空吸附于所述垫主体的上表面的基板进行保持，
所述圆弧状的基板保持凸部配置成与圆形的所述垫主体呈同心圆状，
所述多个圆弧状的基板保持凸部中的配置在径向外侧的基板保持凸部的径向的宽度比配置在径向内侧的基板保持凸部的径向的宽度窄，
在所述多个圆弧状的基板保持凸部中，最外周的所述圆弧状的基板保持凸部具有最窄的径向的宽度，
最外周的所述圆弧状的基板保持凸部与位于该圆弧状的基板保持凸部的外侧的区域形成凸部之间的径向的宽度比所述多个圆弧状的基板保持凸部中的配置在径向内侧的相邻两个基板保持凸部彼此之间的径向的宽度宽。
2.根据权利要求1所述的真空吸附垫，其特征在于，
在所述垫主体的上表面形成有具有基板剥离性的涂层。
3.根据权利要求1所述的真空吸附垫，其特征在于，
该真空吸附垫具有区域形成凸部，该区域形成凸部设置在所述垫主体的上表面，在径向上将该垫主体的上表面分割成多个真空吸附区域，
在径向外侧的真空吸附区域设置有与所述基板保持装置的第一进气排气线路连接的第一进气排气口，
在径向内侧的真空吸附区域设置有与所述基板保持装置的第二进气排气线路连接的第二进气排气口。
4.根据权利要求1所述的真空吸附垫，其特征在于，
所述基板保持凸部具有与所述基板接触的接触部、以及支承所述接触部的根部，
所述接触部的径向的宽度被设定得比所述根部的径向的宽度宽。
5.根据权利要求1所述的真空吸附垫，其特征在于，
所述基板保持凸部具有与所述基板接触的接触部、以及支承所述接触部的根部，
所述接触部的径向的宽度被设定得比所述根部的径向的宽度窄。
6.根据权利要求1所述的真空吸附垫，其特征在于，
所述基板保持凸部的截面形状是圆形。
7.一种基板保持装置，具有用于保持基板的工作台以及粘贴于所述工作台的真空吸附垫，所述基板保持装置的特征在于，
所述真空吸附垫具有：
垫主体，该垫主体的下表面粘贴于所述工作台；以及
多个圆弧状的基板保持凸部，该多个圆弧状的基板保持凸部设置于所述垫主体的上表面，对真空吸附于所述垫主体的上表面的基板进行保持，
所述圆弧状的基板保持凸部配置成与圆形的所述垫主体呈同心圆状，
所述多个圆弧状的基板保持凸部中的配置在径向外侧的基板保持凸部的径向的宽度比配置在径向内侧的基板保持凸部的径向的宽度窄，
在所述多个圆弧状的基板保持凸部中，最外周的所述圆弧状的基板保持凸部具有最窄的径向的宽度，
最外周的所述圆弧状的基板保持凸部与位于该圆弧状的基板保持凸部的外侧的区域形成凸部之间的径向的宽度比所述多个圆弧状的基板保持凸部中的配置在径向内侧的相邻两个基板保持凸部彼此之间的径向的宽度宽。
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