CN108700465B - 混合计量方法与系统 - Google Patents

混合计量方法与系统 Download PDF

Info

Publication number
CN108700465B
CN108700465B CN201680081813.5A CN201680081813A CN108700465B CN 108700465 B CN108700465 B CN 108700465B CN 201680081813 A CN201680081813 A CN 201680081813A CN 108700465 B CN108700465 B CN 108700465B
Authority
CN
China
Prior art keywords
measurement
patterned structure
raman
model
ocd
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680081813.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108700465A (zh
Inventor
吉拉德·巴拉克
亚尼尔·海尼克
约纳坦·奥伦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Novell Ltd.
Original Assignee
Nova Measuring Instruments Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nova Measuring Instruments Ltd filed Critical Nova Measuring Instruments Ltd
Priority to CN202110149411.7A priority Critical patent/CN112964689A/zh
Publication of CN108700465A publication Critical patent/CN108700465A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108700465B publication Critical patent/CN108700465B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/65Raman scattering
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0666Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using an exciting beam and a detection beam including surface acoustic waves [SAW]
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/24Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/01Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/65Raman scattering
    • G01N21/658Raman scattering enhancement Raman, e.g. surface plasmons
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2210/00Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
    • G01B2210/56Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

提供一种用于测量图案化结构的特征时使用的方法与系统。该方法利用第一测量数据和第二测量数据的处理,其中,第一测量数据指示在使用所选择的至少一种光学测量方案的测量下从图案化结构获得的至少一个拉曼光谱,所选择的至少一种光学测量方案各自具有与待测量的特征对应的照明和/或采集光条件的预定配置,并且第二测量数据包括在光学关键尺寸(OCD)测量时段中从图案化结构获得的至少一个光谱。处理包括对至少一个拉曼光谱和至少一个OCD光谱应用基于模型的分析并且确定在测量下的图案化结构的特征。

Description

混合计量方法与系统
技术领域
本发明属于计量技术领域,具体地,用于测量诸如半导体晶片的图案化结构时使用的技术。本发明涉及一种实现混合计量技术的光学测量系统与方法。
背景技术
先进技术节点中的半导体器件设计的日益增长复杂性既涉及结构尺寸的减小又涉及器件设计的更高复杂性。用于该器件的尺寸特征的主流方法以光学计量解决方案(被广义定义为光学关键尺寸(OCD)计量)为基础。试样的光学反射率取决于测量结构的尺寸特征,允许通过适当的建模和解释工具从测量信号推断测量结构尺寸。
混合计量(HM)技术旨在通过组合来自不同工具集的信息而改善测量法的准确性、精度、或其他计量性能,以向包括FinFET器件(即,其中导电通道被形成器件本体的薄硅“鳍片”包围的场效应晶体管)的各种类型的复杂多堆栈结构提供增强的计量性能。
根据已知的HM解决方案,使用通过辅助工具集(典型地,关键尺寸扫描电子显微镜方法(CD-SEM))测量的信息作为关于主要工具集(典型地,光学关键尺寸(OCD))的建模分析的输入约束条件。
例如,被委托给本申请的代理人的WO 2011/158239描述了一种用于在图案化结构的计量中使用的系统和方法,包括数据输入实用程序(utility)与数据处理和分析实用程序,数据输入实用程序用于接收指示关于图案化结构的至少一部分的图像数据的第一类型的数据,并且数据处理和分析实用程序被配置为并且可操作为分析图像数据、并且确定结构中的图案的至少一个特征的几何模型、并且使用该几何模型确定关于指示图案化结构的光学测量的第二类型的数据的光学模型。在该技术中,通过创建组合模型,使用从两个工具测量的数据执行两个工具(OCD与CD-SEM工具)的解释模型的优化。
通常,使用通过辅助工具集(CD-SEM)测量的信息作为关于主要工具集(OCD)的建模分析的输入约束条件。这就是所谓的从一个工具集至另一工具集的数据的“顺次混合化”。尽管该顺次混合化一般是成功的,然而,存在不能充分或从根本上改进测量结果的情况。这是因为用于分析CD-SEM图像的“阈”参数不能以所测量的结构的良好定义高度提供CD值的读数,但是,所提供的CD值与不明确定义的高度对应,与诸如侧壁角度(SWA)等结构的其他参数相关联。
也被委托给本申请的代理人的WO 15/125127描述了能够去除上述关联以更好的匹配数据(至少两个工具之间,并且与参考系统之间)并且由此提供更好的混合计量结果的技术。该技术利用了基于所谓的“共同优化”的混合化的构思,其中,例如,通过来自主要工具OCD(散射测量)的剖面信息调制辅助工具(例如,CD-SEM、X射线工具)的图像分析参数,而通过例如CD-SEM的结果(CD)的相加同时优化(误差最小化)OCD提取的剖面。
发明内容
需要一种用于组合来自尺寸计量信息通道(即,OCD)以及材料与尺寸灵敏信息通道(即,拉曼光谱)的信息的新型解决方案。
这与当代制造技术的另一关键趋势相关联,当代制造技术涉及新材料的利用、以及这些材料的更多不同相及结构变化。材料性质的这种变化通常对其他(例如,光/电)属性产生影响,导致对光学尺寸计量质量产生负面影响。例如,组成、应力/应变、掺杂、以及结晶相全部对材料的光学性质(复杂折射指数‘n&k’)产生直接的影响。在不获知这些性质的情况下,光学计量解决方案将被劣化。
在这些情形中,以与尺寸计量工具可比较的吞吐量允许材料表征的计量解决方案具有高的潜在收益。而且,为了正确地‘引导’光学计量解决方案,单独区分与堆栈的不同部分相关联的材料性质的能力尤其重要。
当代尺寸计量的又一个共同趋势是对目标结构尺寸特征灵敏的、额外独立信息通道的需求。添加更多的这种通道提供了关于测量结构的支撑视角并且允许解决其曾经日益增加的复杂性。
OCD是在先进的半导体制造过程中主要利用的对于纳米结构的尺寸表征极为有用的技术。OCD基于以不同的波长、偏振、入射角等获取来自试样的一组反射信号。然后,将这些测量值与对应的一组模型化信号进行比较,从而表示来自某一假设的结构的期望信号。在该方面,仅能使用OCD表征已知的结构,粗略地已知关于该已知的结构的几何布局和材料性质。然后,反复修改测量信号的假设特征,直至测量值与模型之间获得拟合。
拉曼光谱法也是科学与计量的不同领域中广泛使用的技术。拉曼光谱携带了关于所探测的试样的各种性质的信息。最为显著的是,光谱中的不同峰对应于不同的材料。当测量目标包含材料化合物(例如,SiGe)时,拉曼光谱中的指定峰将对应于不同的原子对(例如,Si-Si、Si-Ge、以及Ge-Ge)。
在该关联中,参考图1,图1例示了来自沉淀在Si上的薄SiGe层的拉曼光谱(曲线图S1)、以及来自作为参考的纯(bulk,纯)Si的拉曼光谱(曲线图S2)。在SiGe测量中,清晰地观察到四个峰。520cm-1处的强峰对应于衬底中的Si-Si振动。三个额外的峰对应于SiGe膜中的Si-Si对、Si-Ge对、以及Ge-Ge对。在纯Si参考光谱中,仅观察到衬底Si-Si峰。由此,SiGe层的存在产生与层中的不同原子对的振动相关联的三个额外的峰。
文献中已熟知用于从这些峰的位置提取关于浓度和应力的信息的方法。例如,在以下出版物:T.S.Perov et al.,Composition and strain in thin Si1—xGex virtualsubstrates measured by micro-Raman spectroscopy and x-ray diffraction,J.App.Phys.109,033502(2011)中呈现了关于具有锗组成的三个SiGe峰的位置和层应力的一组等式。
掺杂是影响拉曼光谱的另一特征。由掺杂质分布引起的载体浓度影响拉曼信号并且引起拉曼峰的额外的(可论证地,小的)偏移。因此,可以将掺杂的水平结合到拟合程序中,并且通过监测峰位置可以同时评估掺杂水平以及应力与组成(例如,如下列公开:A.Perez-Rodriguez et al.,Effect of stress and composition on the Ramanspectra of etch-stop SiGeB layers,J.Appl.Phys.80,15(1996)中描述的)。
诸如组成、应变、以及掺杂等结构的性质影响结构的光学性质。图2示出了利用组成改变光学性质的实例。此处,提供Si1-xGex的折射指数的实分量(实线)和虚分量(虚线)改变x(结构之上)的值。由此,Si1-xGex的折射指数(实分量和虚分量)作为结构之上的Ge浓度的函数而改变。在OCD测量数据的解释过程中,该变化将极大地影响解释顺序并且通常难以解决。
本发明提供一种用于组合来自OCD测量法(构成尺寸计量信息通道)和拉曼光谱(构成材料与尺寸灵敏信息通道)的信息的新型解决方案。为此,本发明利用建模引擎和算法工具正确地解释并且混合来自这两个通道的信息。建模引擎允许从给定的试样计算两个OCD光谱以及拉曼光谱,并且因此能提供关于测量法是否与测量器件的某一组假设的性质(几何学、材料性质)一致或不一致的反馈。相关的算法工具允许一种有效的优化方法来识别一组最佳的几何和/或材料性质,这将最小化测量至模型的误差。
根据本发明的一个广泛方面,提供一种用于测量图案化结构的一个或多个特征时使用的方法。方法包括:提供第一测量数据和第二测量数据,其中,第一测量数据指示在使用所选择的至少一种光学测量方案的测量下从图案化结构获得的至少一个拉曼光谱,至少一种光学测量方案各自具有与待测量的所述一个或多个特征对应的照明和采集光条件中的至少一个条件的预定配置;并且第二测量数据包括在光学关键尺寸(OCD)测量会话中从所述图案化结构获得的至少一个光谱;处理第一测量数据和第二测量数据,并且确定在测量下的结构的所述一个或多个特征,其中,所述处理包括:对至少一个拉曼光谱和所述至少一个OCD光谱应用基于模型的分析,并且确定在测量下的图案化结构的所述一个或多个特征。
在一些实施方式中,基于模型的分析包括同时分析至少一个拉曼光谱和指示一个OCD光谱并且确定在测量下的图案化结构的一个或多个特征。
优选地,第一测量数据指示在分别使用n种不同的光学测量方案的测量下从图案化结构获得的数量为n(n>l)的不同拉曼光谱,n种不同的光学测量方案具有与待测量的一个或多个特征对应的照明和采集光条件中的至少一个条件的不同配置。在这种情况下,也可以同时分析拉曼光谱和OCD光谱;或可替代地,可以顺次分析n个拉曼光谱并且推导图案化结构的一组参数,从而能够使用所推导的该组参数解释指示至少一个OCD光谱的第二测量数据。
从拉曼光谱数据的基于模型的分析计算出的结构的参数可以指示结构的尺寸配置。
使用该方法能确定的图案化结构的特征包括:尺寸和/或材料组成和/或应力和/或结晶度。
通过选择下列中的一项或多项限定照明和/或采集光条件的一个或多个预定配置:激发波长、偏振、入射角、方位角。
当使用一个以上拉曼光谱时,基于模型的分析可以包括下列:针对每第i个拉曼光谱,计算在测量下的结构的至少一部分上的拉曼贡献效率的分布RCEi(x,y,z);分析所选择的一个或多个拉曼贡献效率的分布并且确定图案化结构的一组参数。RCEi(x,y,z)取决于结构的特征与相应的光学测量方案中的照明和采集光条件的对应配置。
本发明还提供一种用于测量图案化结构的一个或多个特征时使用的控制系统。控制系统被配置为完成上述方法并且包括处理器单元,处理器单元被配置为通过对其应用基于模型的分析并且确定在测量下的图案化结构的一个或多个特征而接收并且处理上述第一测量数据和第二测量数据。
本发明进一步提供一种用于测量图案化结构的一个或多个特征时使用的测量系统。测量系统包括:光学测量系统,被配置为并且可操作为使用所选择的至少一种光学测量方案对图案化结构执行光学测量,至少一种光学测量方案各自具有与待测量的所述一个或多个特征对应的照明和采集光条件中的至少一个条件的预定配置,并且产生指示图案化结构的光谱响应的测量数据包括至少一个拉曼光谱和指示一个OCD光谱;和上述控制系统,被配置为与光学测量系统进行数据通信,光学测量系统接收并且处理测量数据并且确定在测量下的图案化结构的一个或多个特征。
附图说明
为了更好地理解本文公开的主题并且例示实际上如何可以完成本主题,现将参考所附附图、仅通过非限制性实例的方式描述实施方式,在附图中:
图1例示了来自两个试样的拉曼光谱,一个试样是沉淀在Si之上的薄SiGe层,并且另一个试样是纯体Si;
图2例示了结构上的材料组成的变化对结构的光学性质的影响;
图3例示了Si中的单声子峰与两声子峰的相对强度的偏振的效应;
图4示意性地示出了本发明的利用拉曼信息通道和OCD信息通道的示例性计量方案/系统的配置和操作;
图5是在管理多个光学测量方案的同时实现图4中的混合计量方法的本发明的示例性系统的框图;
图6是本发明的利用拉曼光谱和OCD的混合计量的示例性方法的流程图;并且
图7例示了适合于本发明使用的方法,其中利用多个不同的信息拉曼通道的获取以使用不同的光学测量方案从相同的结构/相同的测量部位获得多个拉曼光谱。
具体实施方式
本发明提供这样一种新型的混合计量技术,即组合经由尺寸计量信息通道(OCD测量法)以及材料和尺寸灵敏信息通道(拉曼光谱)获得的测量法。
本发明提供一种新型的计量方法和器件,被配置为允许优化对所关注的试样特征的拉曼计量、以及优化使用OCD的尺寸计量,其可以在单一平台或在制造过程中共享信息的不同平台上实现。此外,本发明提供这样一组建模解决方案(方法与系统),即,允许正确地利用这些方法及器件/系统配置的自由度、以及准确地解释拉曼测量。
本发明的上述两个方面可以单独使用,任一方面都具有实质性的潜在益处。相反,如下面将要讨论的,当一起使用时它们可以导致显著改进的计量性能。
下面是根据本发明的一些实施方式的使用拉曼通道和OCD通道的基于模型的混合计量的描述。
拉曼光谱学代表了一种独特类型的光-物质相互作用。拉曼光谱的不同部分对光学方案的变化具有不同的响应,具体地:照明和采集偏振/延迟的变化、照明和采集的入射角以及光瞳形状、波前、以及焦点的变化。
作为可能获益于这些参数中的一个或多个参数的正确操纵的实例,我们考虑两个声子背景的问题。如之前描述的,来自纯的大体积Si的拉曼光谱代表了约520cm-l处的尖锐峰。在230cm-l至380cm-l处观察到额外的非常宽并且明显更弱的光谱峰。这个弱的拉曼信号由2声子过程产生。
在大多数情况下,计量并不关注与2声子过程相关联的弱的拉曼信号。然而,该信号用作可以显著影响(并且混淆)拉曼光谱的解释的背景特征(signature)。通过对照明和采集偏振的正确控制,可以将1声子峰与2声子峰之间的相对强度修改几个数量级。
图3中示出了该依赖性,图3例示了Si中的单声子峰和两声子峰的相对强度的偏振的效应。示出了P1和P2两个曲线图,其中,呈现了两个偏振配置,即,照明和采集偏振Pill||Pcoll(曲线图P1)和Pill⊥Pcoll(曲线图P2)。如图所示,当照明和采集偏振Pill和Pcoll调谐为彼此垂直并且均与试样的晶格定位成45°时,观察到2声子峰被抑制了3个数量级。因此,与具有共同对准的偏振比较,通过在与结晶结构成45°的方向上对准照明偏振Pill,并且将采集偏振Pcoll对准为与照明偏振垂直,2声子信号被显著降低。
这仅是正确的偏振操纵如何能极大地改进信号质量以及隔离重要测量组件与不关注(不太关注)的测量组件的能力的一个实例。如下面将要描述的,相同的原理可以用来突出对关注的具体参数的灵敏度。
这样的简单方法应用于不是平面膜而是结构化膜的测量目标是不切实际的(并且甚至可能是不可能的)。结构内部的电磁场分布可能非常复杂,并且取决于结构尺寸以及材料特征。
本发明利用基于模型的解决方案,使得能够推导出拉曼信号对尺寸性质的依赖性。在本发明中,因为这两种技术基于利用试样对电磁相互作用进行建模并且能在极大的范围内利用相同的计算引擎(或者至少它们的共同模块),所以这两种技术允许进行特定的整合。
该现实,即拉曼信号自身携带对尺寸参数的强烈与唯一的依赖性,允许一种新型的尺寸表征。在该解决方案中,从同一目标获得拉曼测量和OCD测量。然后,通过适当的建模和算法工具,(通过拟合程序)解决表征测量结构的关键尺寸、以及其一些材料特征的反面问题。在该方面,将额外的拉曼光谱信息视为添加到光学散射测量通道的另一信息通道。
在该关联中,参考图4,图4示意性地示出了利用拉曼和OCD信息通道的本发明的示例性计量方案/系统10的配置与操作。如图所示,提供第一测量数据MD1和第二测量数据MD2,第一测量数据MD1和第二测量数据MD2分别包括指示一个或多个拉曼光谱的数据和指示一个或多个OCD光谱的数据。该测量数据可以直接从相应的测量单元(在线或实时模式)提供,和/或考虑离线模式或在线与离线模式的组合从外部存储器件提供。该参考标号12表示测量数据供应商系统,测量数据供应商系统由被配置为以任何已知的合适的数据通信技术将测量数据传送至控制系统14(处理测量数据的地方)的相应测量单元和/或外部存储器件构成。
通常,测量数据MD1和MD2中的每个可以包括指示一个对应的光谱的数据。然而,优选地,至少拉曼光谱数据MD1包括由照明和/或采集光的不同条件限定的、利用不同的光学方案配置获得的一组至少两个不同的光谱。这种条件包括下列中的一项或多项:不同的波长、偏振配置、入射角、方位角等。
控制系统14通常是被配置为与测量数据供应商12通信的计算机系统;并且如下面进一步更为具体地描述的,还可以被配置为管理/控制利用不同测量方案的测量。如本非限制性实例所示,控制系统14包括建模实用程序16和处理器实用程序20,建模实用程序16存储关于在测量下的结构的“理论”数据,即‘假设’的结构配置的各种参数(尺寸、材料组成)。处理器实用程序20包括建模模块18、比较模块20、以及参数计算器模块22,建模模块18被配置并且可操作为计算给定假设的结构配置的理论拉曼光谱数据TD1和理论OCD光谱数据TD2
比较模块20被配置为并且可操作为将来自OCD光谱和拉曼光谱的信息组合到测量数据MD1和MD2中并且将这些数据与理论数据TD1和TD2进行比较,并且适当地操作建模实用程序16和模块18来改变假设的结构参数并且重新计算对应的理论数据,以找出最佳的拟合条件;并且参数计算器22从最佳拟合的模型化(理论)数据计算测量的结构参数。由此,获得某一假设结构的一组对应的计算(理论)光谱。使用算法优化工具改变模型化结构的性质,直至所计算的光谱与测量光谱之间获得一致。
图5通过框图形式示出了用于使用混合计量测量图案化结构时使用的本发明的系统100。系统100包括控制系统146,控制系统146被配置为接收和处理输入的测量数据MD1,测量数据MD1指示使用在光学系统中实现的两种或更多种测量方案对试样105的至少一部分测量的多个(一般地,至少两个)拉曼光谱;并且接收和处理输入的测量OCD数据MD2,数据MD2指示使用特定的测量方案对试样105的至少一部分测量的OCD光谱。在该实例中,控制系统114被示出为相对于拉曼测量和OCD测量中的至少一种以在线模式进行操作,并且控制系统114还被配置为操作光学测量系统,以可控制地改变测量方案,从而获得与照明和/或采集光的不同条件对应的所述两个或更多个拉曼光谱。为此,除上述控制单元14之外,控制系统114还包括照明控制器106A和/或采集控制器106B。
光学系统包括限定照明通道IC的光源系统102、和限定采集通道CC的检测系统104,并且还包括定位在照明通道和采集通道中的至少一个通道中/与照明通道和采集通道中的至少一个通道相关联的光影响单元。在该非限制性实例中,系统包括光照明影响单元106和光采集影响单元108。照明影响单元和采集影响单元被配置用于影响照明和采集条件。这种单元可以包括用于影响光沿相应的通道传播的条件的光传播影响光学器件。照明影响单元108可以包括(例如,除光传播影响光学器件之外的)用于控制光源系统的操作的控制器;可替代地或此外,该控制器可以是控制系统114的一部分。应当理解的是,同一光学系统可以在拉曼操作模式与OCD操作模式之间发生偏移,或者可以在两种模式下同时操作,或者可以使用单独的光学系统。照明控制器106A与照明影响单元108和/或光源系统102相关联。采集控制器106B与采集影响单元110相关联。
尽管通常具有用于两种测量技术(拉曼与OCD)的相同计量目标是有用的,然而,具有每种方法所专用的单独测试部位是有益的。由于这些部位共享某些重要的属性(例如,材料组成、厚度),但是具有不同的其他性质(例如,线宽、图案结构),计量可以在一方面得到极大地简化,但是但仍允许来自不同部位的信息的融合。
对于本发明的上述解决方案,若干变形与修改是可行的。例如,可以优化组合技术的优势与弱点的使用。为此,用于组合来自OCD光谱和拉曼光谱的信息的比较引擎20不一定必须等同地处理它们相应的信息。例如,可以使用拉曼光谱数据,优选地,使用多种不同的测量方案(即,在照明和/或光采集条件方面彼此不同),以获得关于材料组成的准确信息,从该信息中,可以经由已知关系(如图2所示)推导出光学参数(n和k)。因此,在OCD数据分析中可以使用这些光学参数作为计算核心的输入,从而显著改善OCD性能。
一般地,通常的情况是试样的一些性质可以通过拉曼技术和OCD技术中的一种良好地表征,通过这些技术中的另一种技术更好地获得其他特征,并且一些特征获益于两种技术。在这种情况下,可以实现多步骤分析,根据多步骤分析,首先使用每种技术识别通过其自身能解决的参数,并然后,使用推导特征以及来自两个测量数据集的组合信息获得其余的参数。
使用多信息通道导致了过多可能的通道配置与组合。OCD通道与拉曼通道两者可以通过使用不同的测量配置(例如,不同的偏振配置(对于照明通道和采集通道两者而言))提供关于测量试样的不同信息,从而控制照明和采集的入射角、试样方位角、波长等。需要一种选择拉曼通道与OCD通道的最佳组合的、可以由适合的算法解决方案支持的专用计量。在该计量中,纳入了每个通道对所关注的参数的相应灵敏度、不同参数的灵敏度之间的关联、以及光学系统配置和生产力考虑因素(例如,吞吐量、可能的试样损坏等)。
在图6中已以自说明方式示出了上述内容,图6示出了本发明的用于利用拉曼光谱和OCD的混合计量的示例性方法的流程图。在该实例中,从拉曼测量数据MD1的模型与拟合分析计算所测量的结构的一个或多个参数P1,优选地,拉曼测量数据MD1包括使用不同的测量方案获得的多个拉曼光谱,并且使用参数P1优化OCD模型(理论数据TD2);并且来自同一结构(例如,在相同的测量部位或不是相同的测量部位)的OCD测量数据MD2经过模型与拟合分析(例如,使用利用参数P1优化的OCD理论数据TD2),并且计算一个或多个其他的结构参数P2,这可用于进一步优化拉曼理论数据TD1
参考图7,图7示出了适合于本发明中使用的示例性方法的流程图200,其中利用获取的多个不同的信息拉曼通道以使用不同的光学测量方案从同一结构/同一测量部位获得多个拉曼光谱。首先,根据该方法,将‘拉曼贡献效率’(RCE)限定为指定拉曼信号的位置依赖贡献。该性质取决于所测量的结构特征(尺寸、材料)、激发波长、以及照明和采集通道的特征(如下面将要描述的)。为清晰起见,RCE代表拉曼信号的贡献的空间分布。其取决于电磁辐射与结构的耦合、拉曼信号在结构内的激发、以及激发辐射与检测系统的耦合。
计算测量结构的拉曼贡献效率(步骤212)。该计算可以由关于从其他计量工具和/或测试部位(例如,OCD\SEM\TEM)获得/测量的结构的信息辅助(步骤214),以提供尺寸表征、材料表征的椭偏测量等。提供关于n种不同测量条件的数据(步骤216),并且分别针对n种测量条件(通常为照明/采集条件)计算结构上的拉曼贡献效率分布RCE1(x,y,z),RCE2(x,y,z)、...RCEn(x,y,z)。这些条件可以包括不同的入射角(AOI)、波长、偏振、光瞳成形选项等。每种不同的第i个配置提供了结构上的不同分布RCEi(x,y,z)。因此,选择所计算的配置的子集RCEn-j-RCEn-k(步骤218),其中,j和k是整数,j≥k,以获得在结构上的测量参数分布的信息。可以使用标准的算法(例如,去卷积方法)实现从该组测量推导结构内的参数分布(步骤220)。
作为实例,实现这种推导的简单解决方案以线性方案为基础:收集一组测量的拉曼强度Ii。已知每个Ii通过其RCE与结构内的参数分布相关,即:
Ii=∫RCEi(x,y)P(x,y)dxdy。
通过限定测量结构的一些空间采样,能将该关系写成矩阵形式:
Ii=Mi,jPj或等同地
Figure GDA0002471217330000141
此处,下标j涉及不同的空间位置并且下标i涉及不同的测量。由于I和M两者(通过测量及对应的建模引擎)已知,因此可以使用RMS解直接获得参数的空间分布:
Figure GDA0002471217330000142
许多其他算法方法是可用的,允许更为稳定并且良好受控的解。
该计量可以应用于诸如应力、组成、结晶度等任何可测量的性质,这仅是少数的非限制性实例。
通过将建模能力添加到拉曼光谱而允许的唯一关注的一种能力是尺寸计量。确实,该能力要求多层面的建模工具/方法,涉及电磁场穿透至结构以内以及外面的全面综合特征、以及在结构内建立拉曼信号的建模。该路径能提供关于测量结构的高度灵敏信息。
在文献中已知尺寸因数影响所测量的拉曼信号的证据,例如,来自下列公开文本:A.K.Arora et al.,Raman spectroscopy of optical phonon confinement innanostructured materials,J.of Raman Spectroscopy 38,604(2007);B.Kaleli etal.,Strain characterization of FinFETs using Raman spectroscopy,Thin SolidFilms 31497(2013);T.Nuytten et al.,Edge-enhanced Raman scattering in narrowsGe fin field-effect transistor channels,App.Phys.Lett.106,033107(2015)。在具体情况下(例如,纳米金属丝),发现拉曼信号提供关于结构的尺寸特征的尺寸信息(例如,nanowire diameter[J.Liu et al.,Raman spectrum of array-ordered crystallinesilicon nanowires,Physica E 23,221(2004);R.P.Wang et al.,Raman spectral studyof silicon nanowires:High-order scattering and phonon confinement effects,Phys.Rev.B 61,16827(2000)])。
然而,与OCD计量中使用的建模相似,通过一般的建模能力,能够使用与ODC相似的计量来解决从测量中推断尺寸性质的反面问题。在该方法中,针对测试结构的一些假设性质(尺寸、材料),将测量信号与从建模工具计算的信号进行比较。当测量信号与计算信号之间获得良好的拟合时,推断测量结构与对应的计算结构具有相似的特征。与OCD计量中的常见惯例相似,可以实时(‘实时回归’)计算或预计算理论拉曼信号,以形成理论光谱的参数依赖‘库’。能结合其他计量方法(例如,OCD)使用拉曼光谱的这种分析,以打破参数之间的关联并且改进灵敏度。

Claims (20)

1.一种用于测量图案化结构的一个或多个特征时使用的方法,所述方法包括:
提供第一测量数据和第二测量数据,其中,所述第一测量数据指示在使用所选择的至少一种光学测量方案的测量下从图案化结构获得的至少一个拉曼光谱,所选择的至少一种光学测量方案各自具有与待测量的所述一个或多个特征对应的照明和采集光条件中的至少一个条件的预定配置,并且其中,所述第二测量数据包括在光学关键尺寸(OCD)测量会话中从所述图案化结构获得的至少一个OCD光谱;
对至少一个所述拉曼光谱应用基于模型的分析;
从至少一个所述拉曼光谱的所述基于模型的分析推导所述图案化结构的一组参数,并且
通过使用从至少一个所述拉曼光谱的所述基于模型的分析推导的所述一组参数将基于模型的分析应用至所述至少一个OCD光谱,来确定在测量下的所述图案化结构的所述一个或多个特征的测量值。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,对至少一个所述拉曼光谱和所述至少一个OCD光谱应用所述基于模型的分析包括:同时分析至少一个所述拉曼光谱和所述至少一个OCD光谱并且确定在测量下的所述图案化结构的所述一个或多个特征。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一测量数据指示在分别使用n(n>l)种不同的光学测量方案的测量下从所述图案化结构获得的数量为n的不同的拉曼光谱,n种不同的所述光学测量方案具有与待测量的所述一个或多个特征对应的所述照明和采集光条件中的至少一个条件的不同配置。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,对至少一个所述拉曼光谱应用所述基于模型的分析包括顺次分析n个所述拉曼光谱。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,从至少一个所述拉曼光谱的所述基于模型的分析推导出的所述图案化结构的所述一组参数中的任一个指示所述图案化结构的尺寸配置。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述图案化结构的所述一个或多个特征包括下列中的至少一项:尺寸、材料组成、应力、结晶度。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述照明和采集光条件中的至少一个条件的所述预定配置通过选择下列中的至少一项来表征:激发波长、偏振、入射角、方位角。
8.根据权利要求3所述的方法,其中,对至少一个所述拉曼光谱应用所述基于模型的分析包括:针对n个所述拉曼光谱中的每第i个拉曼光谱,计算在测量下的所述图案化结构的至少一部分上的拉曼贡献效率的分布RCEi(x,y,z),RCEi(x,y,z)取决于所述图案化结构的特征与相应的所述光学测量方案中的所述照明和采集光条件中的至少一个条件的对应配置;分析所选择的一个或多个所述拉曼贡献效率的分布并且确定所述图案化结构的一组参数。
9.根据权利要求8所述的方法,包括使用所确定的所述一组参数解释指示所述至少一个OCD光谱的第二测量并且从所述第二测量数据确定所述图案化结构的所述一个或多个特征。
10.一种用于测量图案化结构的一个或多个特征时使用的控制系统,所述控制系统包括:
处理器,被配置为:
接收并且处理第一测量数据和第二测量数据,
其中,所述第一测量数据指示在使用所选择的至少一种光学测量方案的测量下从所述图案化结构获得的至少一个拉曼光谱,所选择的至少一种光学测量方案各自具有与待测量的所述一个或多个特征对应的照明和采集光条件中的至少一个条件的预定配置,并且
其中,所述第二测量数据包括在光学关键尺寸(OCD)测量会话中从所述图案化结构获得的至少一个OCD光谱;
对至少一个所述拉曼光谱应用基于模型的分析,
从至少一个所述拉曼光谱的所述基于模型的分析推导所述图案化结构的一组参数,并且
通过使用从至少一个所述拉曼光谱的所述基于模型的分析推导的所述一组参数将基于模型的分析应用至所述至少一个OCD光谱,来确定在测量下的所述图案化结构的所述一个或多个特征的测量值。
11.根据权利要求10所述的控制系统,其中,所述处理器被配置为通过同时分析至少一个所述拉曼光谱和所述至少一个OCD光谱并且确定所述图案化结构的所述一个或多个特征而应用所述基于模型的分析。
12.根据权利要求10所述的控制系统,其中,所述第一测量数据指示在分别使用n(n>l)种不同的光学测量方案的测量下从所述图案化结构获得的数量为n的不同的拉曼光谱,所述n种不同的光学测量方案具有与待测量的所述一个或多个特征对应的所述照明和采集光条件中的至少一个条件的不同配置。
13.根据权利要求12所述的控制系统,其中,所述处理器被配置为通过顺次分析n个所述拉曼光谱来对至少一个所述拉曼光谱应用所述基于模型的分析。
14.根据权利要求10所述的控制系统,其中,从至少一个所述拉曼光谱的所述基于模型的分析推导出的所述图案化结构的所述一组参数中的任一个指示所述图案化结构的尺寸配置。
15.根据权利要求10所述的控制系统,其中,所述图案化结构的所述一个或多个特征包括下列中的至少一项:尺寸、材料组成、应力、结晶度。
16.根据权利要求10所述的控制系统,其中,所述照明和采集光条件中的至少一个条件的所述预定配置通过下列中的至少一项来表征:激发波长;偏振;入射角;方位角。
17.根据权利要求12所述的控制系统,其中,所述处理器被配置为通过以下方式来对至少一个所述拉曼光谱应用所述基于模型的分析:针对n个所述拉曼光谱中的每第i个拉曼光谱计算在测量下的所述图案化结构的至少一部分上的拉曼贡献效率的分布RCEi(x,y,z),RCEi(x,y,z)取决于所述图案化结构的特征与相应的所述光学测量方案中的所述照明和采集光条件中的至少一个条件的对应配置;分析所选择的一个或多个所述拉曼贡献效率的分布;并且确定所述图案化结构的一组参数。
18.根据权利要求17所述的控制系统,其中,所述处理器被配置为使用所确定的所述一组参数解释指示所述至少一个OCD光谱的第二测量并且从所述第二测量数据确定所述图案化结构的所述一个或多个特征。
19.一种用于测量图案化结构的一个或多个特征时使用的测量系统,所述测量系统包括:
光学测量系统,被配置为并且可操作为使用所选择的至少一种光学测量方案对所述图案化结构执行光学测量,所选择的至少一种光学测量方案各自具有与待测量的所述一个或多个特征对应的照明和采集光条件中的至少一个条件的预定配置,并且生成指示所述图案化结构的光谱响应的包括至少一个拉曼光谱和至少一个光学关键尺寸(OCD)光谱的测量数据;以及
根据权利要求10所述的控制系统,被配置为与所述光学测量系统进行数据通信,以接收所述测量数据并且通过以下方式处理所述测量数据:
对至少一个所述拉曼光谱应用基于模型的分析,
从至少一个所述拉曼光谱的所述基于模型的分析推导所述图案化结构的一组参数,并且
通过使用从至少一个所述拉曼光谱的所述基于模型的分析推导的所述一组参数将基于模型的分析应用至所述至少一个OCD光谱,来确定在测量下的所述图案化结构的所述一个或多个特征的测量值。
20.根据权利要求19所述的测量系统,其中,所述光学测量系统被配置为执行n(n>l)种不同的所述光学测量方案,n种不同的所述光学测量方案在下列中的至少一项上彼此不同:激发波长、偏振、入射角、方位角。
CN201680081813.5A 2015-12-15 2016-12-15 混合计量方法与系统 Active CN108700465B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110149411.7A CN112964689A (zh) 2015-12-15 2016-12-15 测量图案化结构的一个或多个特征时使用的方法和系统

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562267291P 2015-12-15 2015-12-15
US62/267,291 2015-12-15
PCT/IL2016/051350 WO2017103935A1 (en) 2015-12-15 2016-12-15 Hybrid metrology method and system

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110149411.7A Division CN112964689A (zh) 2015-12-15 2016-12-15 测量图案化结构的一个或多个特征时使用的方法和系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108700465A CN108700465A (zh) 2018-10-23
CN108700465B true CN108700465B (zh) 2021-02-26

Family

ID=59055894

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680081834.7A Active CN108700524B (zh) 2015-12-15 2016-12-15 图案化结构中的基于拉曼光谱法的测量
CN201680081813.5A Active CN108700465B (zh) 2015-12-15 2016-12-15 混合计量方法与系统
CN202110149411.7A Pending CN112964689A (zh) 2015-12-15 2016-12-15 测量图案化结构的一个或多个特征时使用的方法和系统
CN202111225747.3A Pending CN113933286A (zh) 2015-12-15 2016-12-15 图案化结构中的基于拉曼光谱法的测量

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680081834.7A Active CN108700524B (zh) 2015-12-15 2016-12-15 图案化结构中的基于拉曼光谱法的测量

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110149411.7A Pending CN112964689A (zh) 2015-12-15 2016-12-15 测量图案化结构的一个或多个特征时使用的方法和系统
CN202111225747.3A Pending CN113933286A (zh) 2015-12-15 2016-12-15 图案化结构中的基于拉曼光谱法的测量

Country Status (6)

Country Link
US (6) US10564106B2 (zh)
KR (2) KR20180102582A (zh)
CN (4) CN108700524B (zh)
IL (3) IL259976B2 (zh)
TW (3) TWI765688B (zh)
WO (2) WO2017103934A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI765688B (zh) * 2015-12-15 2022-05-21 以色列商諾發測量儀器股份有限公司 用於測量圖案化結構之方法及拉曼光譜系統
IL270563B2 (en) * 2017-05-15 2023-12-01 Nova Ltd A measurement system based on Raman spectroscopy
US20190243148A1 (en) * 2018-02-02 2019-08-08 Applejack 199 L.P. Optical device employing electrically addressed spatial light modulator
CN115566335A (zh) * 2018-02-16 2023-01-03 H.B.富乐公司 电池单元灌封化合物及其制造方法
KR102072027B1 (ko) * 2018-07-09 2020-03-02 연세대학교 산학협력단 실리콘 나노박막의 두께 측정 방법
CN110823089B (zh) * 2018-08-10 2021-06-04 睿励科学仪器(上海)有限公司 用于测量半导体器件的光学关键尺寸的方法和设备
EP3997731A4 (en) * 2019-07-10 2023-04-05 Kla-Tencor Corporation SYSTEM AND METHOD FOR DATA-DRIVEN ERROR RECORD PARAMETER MEASUREMENT AND CONFIGURATION
US11415519B2 (en) * 2020-01-16 2022-08-16 Nova Ltd Accurate Raman spectroscopy
CN115176147B (zh) * 2020-02-24 2024-05-10 诺威有限公司 光学计量系统和方法
CN111637849B (zh) * 2020-05-29 2021-11-26 上海精测半导体技术有限公司 一种形貌参数测量方法、装置及测量设备
EP3940337B1 (en) * 2020-07-14 2024-01-10 Imec VZW A method and apparatus for measuring a lateral depth in a microstructure
CN112729108B (zh) * 2020-12-18 2022-12-06 长江存储科技有限责任公司 一种光学关键尺寸ocd测量设备的校准方法
TWI796791B (zh) * 2021-09-16 2023-03-21 崇浩光電科技股份有限公司 二維掃描式拉曼光譜檢測系統
WO2023060497A1 (zh) * 2021-10-14 2023-04-20 上海集成电路制造创新中心有限公司 环栅器件制备的测试方法与系统
CN113964202B (zh) * 2021-10-14 2023-01-24 上海集成电路制造创新中心有限公司 环栅器件制备的测试方法与系统
TWI789957B (zh) * 2021-10-21 2023-01-11 炳碩生醫股份有限公司 配合拉曼光譜儀於檢體中尋找取樣點的方法和系統

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2072290A1 (en) * 1991-08-27 1993-02-28 Juan L. Julia Forming leveling tool
US6151119A (en) * 1997-12-19 2000-11-21 Advanced Micro Devices Apparatus and method for determining depth profile characteristics of a dopant material in a semiconductor device
US6067154A (en) * 1998-10-23 2000-05-23 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for the molecular identification of defects in semiconductor manufacturing using a radiation scattering technique such as raman spectroscopy
US6281971B1 (en) * 1999-05-18 2001-08-28 New Chromex, Inc. Method for adjusting spectral measurements to produce a standard Raman spectrum
US6791099B2 (en) * 2001-02-14 2004-09-14 Applied Materials, Inc. Laser scanning wafer inspection using nonlinear optical phenomena
DE10146826B4 (de) * 2001-09-19 2004-11-25 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Verfahren zur Analyse von Silizium-Germanium-Legierungen und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterschichtstrukturen mit Silizium-Germanium-Legierungsschichten
US7733499B2 (en) * 2001-12-06 2010-06-08 Attofemto, Inc. Method for optically testing semiconductor devices
US7046359B2 (en) * 2004-06-30 2006-05-16 Chemimage Corporation System and method for dynamic chemical imaging
GB0510497D0 (en) * 2004-08-04 2005-06-29 Horiba Ltd Substrate examining device
US7274440B1 (en) * 2004-09-08 2007-09-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measuring stress in a specimen
US8184284B2 (en) * 2005-06-14 2012-05-22 Ebstein Steven M Laser-processed substrate for molecular diagnostics
US7433056B1 (en) * 2005-07-15 2008-10-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Scatterometry metrology using inelastic scattering
US7495823B2 (en) * 2006-08-25 2009-02-24 Northrop Grumman Corporation Optical method and system for analyzing or inspecting patterned materials
JP2009014510A (ja) * 2007-07-04 2009-01-22 Hitachi High-Technologies Corp 検査方法及び検査装置
US9122178B2 (en) * 2009-08-04 2015-09-01 Asml Netherlands B.V. Object inspection systems and methods
US20130124141A1 (en) * 2010-02-25 2013-05-16 Nova Measuring Instruments Ltd. Method and system for measuring in patterned structures
WO2011158239A1 (en) 2010-06-17 2011-12-22 Nova Measuring Instruments Ltd. Method and system for optimizing optical inspection of patterned structures
US9310296B2 (en) * 2011-06-20 2016-04-12 Kla-Tencor Corporation Optimizing an optical parametric model for structural analysis using optical critical dimension (OCD) metrology
CN102410998A (zh) * 2011-12-16 2012-04-11 湖南科技大学 激光光散射-拉曼光谱联用装置
KR101638584B1 (ko) * 2011-12-22 2016-07-11 가부시키가이샤 섬코 실리카 유리 도가니의 평가 방법, 실리콘 단결정의 제조 방법
US20130311136A1 (en) * 2012-05-18 2013-11-21 Mustard Tree Instruments, Llc Rule-Based Sample Verification and Chemical Monitoring Methodology
JP6336982B2 (ja) * 2012-08-15 2018-06-06 ノヴァ メジャリング インストルメンツ リミテッドNova Measuring Instruments Ltd. その場測定のための光計測
EP2912405B1 (en) * 2012-10-29 2017-10-18 7D Surgical Inc. Integrated illumination and optical surface topology detection system and methods of use thereof
WO2014128710A1 (en) * 2013-02-21 2014-08-28 Nova Measuring Instruments Ltd. Optical phase measurement method and system
MX2015013059A (es) * 2013-03-15 2016-08-05 Bionomics Ltd Sales, co-cristales, y polimorfos de un compuesto ansiolitico.
KR101831383B1 (ko) * 2013-05-21 2018-02-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 방법 및 장치, 검사 방법 및 장치에서 사용되는 기판, 및 디바이스 제조 방법
KR102214643B1 (ko) * 2013-07-08 2021-02-10 노바 메주어링 인스트루먼츠 엘티디. 샘플 내 응력변형 분포 결정 방법 및 시스템
TWI487888B (zh) * 2013-09-30 2015-06-11 Ind Tech Res Inst 掃描式光柵光譜儀
US20170018069A1 (en) 2014-02-23 2017-01-19 Globalfoundries Inc. Hybrid metrology technique
CN103983631B (zh) * 2014-06-06 2016-01-13 清华大学 基于多波长同时激发的拉曼信号检测与提取系统
US10152678B2 (en) * 2014-11-19 2018-12-11 Kla-Tencor Corporation System, method and computer program product for combining raw data from multiple metrology tools
CN104764680B (zh) * 2015-03-24 2017-09-12 中国科学院上海光学精密机械研究所 双波长光学实时气溶胶粒子粒径检测装置
US10502549B2 (en) * 2015-03-24 2019-12-10 Kla-Tencor Corporation Model-based single parameter measurement
US20170023482A1 (en) * 2015-07-20 2017-01-26 United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce Simultaneous plural color broadband coherent anti-stokes raman scattering microscope and imaging
US10295342B2 (en) * 2015-08-14 2019-05-21 Kla-Tencor Corporation System, method and computer program product for calibration of metrology tools
TWI765688B (zh) * 2015-12-15 2022-05-21 以色列商諾發測量儀器股份有限公司 用於測量圖案化結構之方法及拉曼光譜系統

Also Published As

Publication number Publication date
CN108700465A (zh) 2018-10-23
TWI765688B (zh) 2022-05-21
US20180372644A1 (en) 2018-12-27
TWI823344B (zh) 2023-11-21
TW202132752A (zh) 2021-09-01
IL300189B1 (en) 2024-03-01
IL259980B1 (en) 2023-03-01
CN112964689A (zh) 2021-06-15
WO2017103935A1 (en) 2017-06-22
US11150190B2 (en) 2021-10-19
IL259980B2 (en) 2023-07-01
US11275027B2 (en) 2022-03-15
US10732116B2 (en) 2020-08-04
CN108700524A (zh) 2018-10-23
TW201732243A (zh) 2017-09-16
US20220326159A1 (en) 2022-10-13
IL300189A (en) 2023-03-01
KR20180102582A (ko) 2018-09-17
IL259976B (en) 2022-12-01
TWI729049B (zh) 2021-06-01
US20210003508A1 (en) 2021-01-07
US20200256799A1 (en) 2020-08-13
US10564106B2 (en) 2020-02-18
CN113933286A (zh) 2022-01-14
IL259976A (en) 2018-07-31
US20180372645A1 (en) 2018-12-27
WO2017103934A1 (en) 2017-06-22
KR20180103897A (ko) 2018-09-19
IL259980A (en) 2018-07-31
TW202305329A (zh) 2023-02-01
CN108700524B (zh) 2021-11-09
IL259976B2 (en) 2023-04-01
US20220120690A1 (en) 2022-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108700465B (zh) 混合计量方法与系统
US20210090244A1 (en) Method and system for optimizing optical inspection of patterned structures
TWI603052B (zh) 產生最佳化量測配方之方法、系統及電腦可讀媒體
KR102214643B1 (ko) 샘플 내 응력변형 분포 결정 방법 및 시스템
TW201448081A (zh) 以統計模型爲基礎的計量學
TW201350783A (zh) 基於跨於一晶圓之參數變化之量測模型最佳化
TWI582404B (zh) 用於薄膜之組成量測
TWI821543B (zh) 用於半導體製造中採用之結構及材料之光學特性化之系統及方法
Kong et al. Development of SiGe indentation process control to enable stacked Nanosheet FET technology
Bunday et al. Metrology
TW202109023A (zh) 用於半導體結構中應變測量之基於散射測量的方法及系統
Haensel et al. Composition measurement of tri-layer SiGe stack using broadband spectroscopic ellipsometry

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Rehovot

Patentee after: Novell Ltd.

Address before: Rehovot

Patentee before: NOVA MEASURING INSTRUMENTS Ltd.