JP5876040B2 - パターン化構造の光学検査を最適化するための方法およびシステム - Google Patents
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Description
26 3次元形
100 モデリングシステム
100A 入力/出力ユーティリティ
100B メモリユーティリティ
100C データ処理/分析ユーティリティ
200 モデリング(コンピューティング)システム
Claims (20)
- 単位セルの周期的パターンを有するパターン化構造の検査で使用するシステムであって、
前記構造に関する第1のタイプのデータを受信するためのデータ入力ユーティリティであって、前記第1のタイプのデータは、イメージデータであり、異なる形状を有する間隔の開いた特徴によって形成される前記単位セルの2次元イメージを示す、データ入力ユーティリティと、
前記単位セルを示す前記イメージデータを分析し、前記単位セルの前記特徴の少なくとも1つに関する形状モデルを決定し、前記形状モデルを使用して、測定データであり、パターン化構造に対する光学測定を示す第2のタイプのデータに関する光学モデルを決定するように構成され、動作可能なデータ処理/分析ユーティリティと
を備えるシステム。 - 前記データ処理/分析ユーティリティは、前記単位セルの前記イメージを示すデータの解析し、前記形状モデルを決定するように構成され、動作可能な形状モデルクリエータユーティリティを備える、請求項1に記載のシステム。
- 前記データ処理/分析ユーティリティは、前記単位セルの前記イメージデータを受信し、処理し、前記単位セルの前記パターンの前記少なくとも1つの特徴の輪郭を決定し、前記形状モデルクリエータユーティリティによって分析される前記単位セルの前記イメージを示す前記データを生成するように構成され、動作可能な輪郭識別子ユーティリティを備える、請求項1または2に記載のシステム。
- メモリユーティリティを備える、請求項1から3のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記メモリユーティリティは、前記構造におけるパターンの少なくとも1つの特徴を示す一定のデザインルールデータを記憶する役割を果たす、請求項4に記載のシステム。
- 前記データ処理/分析ユーティリティは、前記第2のタイプの前記測定データを受信し、当該測定データを処理して、前記第1のイメージデータを最適化するように構成され、動作可能である、請求項1から5のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記イメージデータは、スキャニングツールによって取得される、請求項1から6のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記スキャニングツールは、SEMツールおよびAFMツールのうちの少なくとも1つを含む、請求項7に記載のシステム。
- 前記第2のタイプのデータは、スキャタロメーターによって取得可能な前記測定データに対応する、請求項1から8のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記第1のタイプおよび前記第2のタイプのうちの少なくとも1つの測定データを取得するための少なくとも1つの測定ツールと、前記少なくとも1つの測定ツールと通信するように構成された、請求項1から9のいずれか一項に記載のシステムとを備える測定システム。
- パターン化構造に対して測定し、第2のタイプの光学データを生成するように構成され、動作可能な測定ツールと、請求項1から9のいずれか一項に記載のシステムとを備える光波散乱計測システム。
- 単位セルの周期的パターンを有するパターン化構造の検査で使用する方法であって、
検査時の前記パターン化構造に関する第1のタイプのデータを受信するステップであって、前記第1のタイプのデータは、イメージデータであり、異なる形状を有する間隔の開いた特徴によって形成される前記単位セルの2次元イメージを示す、ステップと、
前記単位セルを示す前記イメージデータを処理し、分析し、前記単位セルの前記特徴の少なくとも1つに関する形状モデルを決定し、前記形状モデルを使用して、測定データであり、パターン化構造に対する光学測定を示す第2のタイプのデータに関する光学モデルを決定するステップと
を含む方法。 - 前記形状モデルの前記決定するステップは、前記単位セルの前記イメージデータを示すデータを処理し、分析し、前記単位セルの前記パターンの少なくとも1つの特徴の輪郭を決定し、それを示す輪郭データを生成するするステップと、前記形状モデルの前記決定のために前記輪郭データを処理するステップとを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記構造におけるパターンの少なくとも1つの特徴を示す一定のデザインルールデータを生成するステップを含む、請求項12または13に記載の方法。
- 前記第2のタイプの測定データを受信し、当該測定データを処理して、前記第1のイメージデータを最適化するステップを含む、請求項12から14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記イメージデータは、スキャニングツールによって取得される、請求項12から15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記スキャニングツールは、SEMツールおよびAFMツールのうちの少なくとも1つを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記第2のタイプのデータは、スキャタロメーターによって取得可能な前記測定データに対応する、請求項12から17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記パターン化構造は半導体ウエハである、請求項12から18のいずれか一項に記載の方法。
- 単位セルの周期的パターンを有するパターン化構造の検査で使用する方法であって、
スキャニングツールによって取得され、異なる形状を有する間隔の開いた特徴によって形成される前記単位セルの1つまたは複数のイメージを示すイメージデータを受信するステップと、
前記単位セルを示す前記イメージデータを処理し、分析し、前記単位ユニットのパターンの前記特徴の少なくとも1つに関する形状モデルを決定するステップと、
前記形状モデルを使用して、パターン化構造に対する光波散乱計測ベースの光学測定に関する光学モデルを決定し、それにより、前記形状モデルを使用して、生産ラインで進行する前記パターン化構造に適用される光波散乱計測ベースの測定を解釈することを可能にするステップと
を含む方法。
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CA2968312A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Dh Technologies Development Pte. Ltd. | Rf ion guide |
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WO2019195481A1 (en) * | 2018-04-06 | 2019-10-10 | Lam Research Corporation | Process simulation model calibration using cd-sem |
US10572697B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Lam Research Corporation | Method of etch model calibration using optical scatterometry |
CN112005347A (zh) | 2018-04-10 | 2020-11-27 | 朗姆研究公司 | 抗蚀剂和蚀刻建模 |
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TWI791196B (zh) * | 2018-05-24 | 2023-02-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 判定基板之堆疊組態之方法及其相關非暫時性電腦可讀媒體 |
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TWI777357B (zh) * | 2020-01-07 | 2022-09-11 | 以色列商諾威量測設備股份有限公司 | 用於光學關鍵尺寸計量的方法和系統及機器可存取的儲存介質 |
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US11619649B1 (en) | 2021-11-26 | 2023-04-04 | Park Systems Corp. | Atomic force microscope equipped with optical measurement device and method of acquiring information on surface of measurement target using the same |
TWI818757B (zh) * | 2022-10-04 | 2023-10-11 | 科毅科技股份有限公司 | 曝光機之晶圓邊緣與光罩間之楔形誤差補償的水平與俯仰角自動整平機構 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6248485B1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-06-19 | Lucent Technologies Inc. | Method for controlling a process for patterning a feature in a photoresist |
EP1164729A4 (en) * | 1999-12-20 | 2007-10-24 | Toshiba Kk | TRANSMITTER AND SUB-INTERFACE CARD |
US6891627B1 (en) * | 2000-09-20 | 2005-05-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen |
IL140179A (en) * | 2000-12-07 | 2004-09-27 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and system for measuring in patterned structures |
US6786699B2 (en) * | 2002-06-26 | 2004-09-07 | General Electric Company | Methods of assembling airfoils to turbine components and assemblies thereof |
US7330279B2 (en) * | 2002-07-25 | 2008-02-12 | Timbre Technologies, Inc. | Model and parameter selection for optical metrology |
JP3959355B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2007-08-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細パターンの3次元形状測定方法 |
US7230703B2 (en) * | 2003-07-17 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for measuring overlay by diffraction gratings |
US7003758B2 (en) * | 2003-10-07 | 2006-02-21 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography simulation |
US7388677B2 (en) * | 2004-03-22 | 2008-06-17 | Timbre Technologies, Inc. | Optical metrology optimization for repetitive structures |
US20060187466A1 (en) | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Timbre Technologies, Inc. | Selecting unit cell configuration for repeating structures in optical metrology |
US7536670B2 (en) * | 2005-05-31 | 2009-05-19 | Cadence Design Systems, Inc. | Method for verifying and choosing lithography model |
US7787685B2 (en) * | 2006-04-17 | 2010-08-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extracting ordinary and extraordinary optical characteristics for critical dimension measurement of anisotropic materials |
TWI416096B (zh) * | 2007-07-11 | 2013-11-21 | Nova Measuring Instr Ltd | 用於監控圖案化結構的性質之方法及系統 |
JP2009162494A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Nec Electronics Corp | 計測方法 |
JP4956510B2 (ja) * | 2008-08-25 | 2012-06-20 | 株式会社東芝 | パターン計測装置、パターン計測方法およびプログラム |
NL2003890A (en) * | 2008-12-16 | 2010-06-17 | Asml Netherlands Bv | Calibration method, inspection method and apparatus, lithographic apparatus, and lithographic processing cell. |
JP2010156866A (ja) * | 2008-12-27 | 2010-07-15 | Toshiba Corp | 特徴量抽出方法、テストパターン選択方法、レジストモデル作成方法および設計回路パターン検証方法 |
US8196068B2 (en) * | 2009-04-30 | 2012-06-05 | Synopsys, Inc. | Modeling critical-dimension (CD) scanning-electron-microscopy (CD-SEM) CD extraction |
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