TW201448081A - 以統計模型爲基礎的計量學 - Google Patents

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Abstract

本發明提出用於基於經量測之訓練資料來產生一量測模型之方法及系統。該經訓練之量測模型係用於直接自從其他晶圓收集之經量測資料計算程序參數值、結構參數值或兩者。該等量測模型直接接收量測資料作為輸入，且提供程序參數值、結構參數值或兩者作為輸出。該量測模型實現程序參數之直接量測。收集來自多個目標之量測資料以用於模型建置、訓練及量測。在一些實例中，使用與多個目標相關聯之量測資料消除或顯著降低在量測結果中之下層的效應，且實現更精確量測。可自由多個不同量測技術之一組合所執行的量測導出經收集用於模型建置、訓練及量測的量測資料。

Description

以統計模型為基礎的計量學
【相關申請案交叉參考】
本專利申請案依據35 U.S.C.§119規定主張2013年3月27日申請之名為「Optical Metrology Using Statistical Models for Direct Measurement of Structure and Process Parameters」之美國臨時專利申請案第61/805,831號之優先權，該案之標的之全部內容以引用的方式併入本文中。
所描述實施例係關於計量學系統及方法，且更特定言之係關於用於改良參數量測之方法及系統。
通常藉由施加至一樣品之一序列處理步驟來製造半導體裝置(諸如邏輯及記憶體裝置)。藉由此等處理步驟形成半導體裝置之各種特徵及多個結構層級。例如，除其他以外，微影亦涉及在一半導體晶圓上產生一圖案之一半導體製程。半導體製程之額外實例包含(但不限於)：化學機械拋光、蝕刻、沈積及離子植入。可在一單一半導體晶圓上製造多個半導體裝置且接著將其等分離成個別半導體裝置。
在一半導體製程期間在各種步驟處使用計量學程序以偵測晶圓上之缺陷以促進較高良率。光學計量學技術在無樣本破壞之危險之情況下提供高產量之可能性。許多以光學計量學為基礎的技術(包含散射量測及反射量測實施方案以及相關聯分析演算法)係通常用於特徵 化奈米級結構之臨界尺寸、膜厚度、組合物及其他參數。
傳統上，對由薄膜及/或重複週期結構組成之目標執行光學計量學。在裝置製造期間，此等膜及週期結構通常表示實際裝置幾何結構及材料結構或一中間設計。當裝置(例如，邏輯及記憶體裝置)朝向較小奈米級尺寸移動時，特徵化變得更困難。併入複雜三維幾何結構及具有不同物理性質之材料之裝置造成特徵化困難。
例如，現代記憶體結構常常為使光學輻射難以穿透至底部層之高縱橫比、三維結構。此外，特徵化複雜結構(例如，鳍式場效電晶體(FinFET))所需之參數之增加數目導致增加參數相關性。因此，常常不能經可靠解耦特徵化目標之量測模型參數。
回應於此等挑戰，已開發更複雜光學工具。遍及大範圍之若干機器參數(例如，波長、方位角及入射角等)執行量測量測且常常同時執行量測。因此，量測時間、運算時間及產生包含量測方法之可靠結果之總體時間顯著增加。此外，光強度遍及大波長範圍之擴展降低任何特定波長之照明強度且增加在該波長處執行之量測之信號不確定性。
此外，以現有模型為基礎的計量學方法通常包含模型化且接著量測結構參數之一系列步驟。通常自一特定計量學目標收集量測資料(例如，DOE光譜)。光學系統、波散參數及幾何結構特徵之一精確模型經公式化。收集膜光譜量測以判定材料波散。連同一光學模型一起產生目標結構之一參數幾何結構模型。此外，必須小心執行模擬近似法(例如，分片、嚴格耦合波分析(RCWA)等)以避免引入過度大誤差。定義離散化及RCWA參數。執行一系列模擬、分析及迴歸以精細化幾何結構模型且判定哪些模型參數浮動。產生一合成光譜庫。最後，使用該庫及幾何結構模型執行量測。各步驟引入誤差且耗去顯著量之運算時間及使用者時間。通常，一模型建置任務需要幾天或甚至 幾周完成。此外，與在量測期間執行迴歸計算相關聯之該庫之大小及計算時間降低量測系統之產量。
未來計量學應用歸因於愈來愈小解析度要求、多參數相關性、愈來愈複雜之幾何結構及愈來愈多使用不透明材料而使計量學面臨挑戰。因此，期望用於改良量測之方法及系統。
本發明提出用於基於經量測之訓練資料產生一量測模型之方法及系統。接著，使用該經訓練之量測模型以直接自從其他晶圓收集之經量測資料計算程序參數值、結構參數值或兩者。
在一態樣中，本文中所描述之量測模型直接接收量測資料作為輸入且提供程序參數值、結構參數值或兩者作為輸出。藉由簡化模型化程序，預測結果係連同計算時間及使用者時間之一減少而一起改良。
該量測模型實現程序參數之直接量測，藉此消除對自幾何結構參數導出程序參數之一分離模型之需要。因為程序變動係藉由模型捕獲，所以甚至在下伏結構拓撲歸因於程序變動而改變時仍量測程序參數值。
在一進一步態樣中，收集來自多個目標之量測資料以用於模型建置、訓練及量測。在一些實例中，使用與多個目標相關聯之量測資料消除或顯著降低在量測結果中之下層之效應。使用與多個目標相關聯之量測資料增加嵌入於模型中之樣本及程序資訊。特定言之，使用包含在一或多個量測位點處之多個不同目標之量測之訓練資料實現更精確量測。
在另一進一步態樣中，收集自藉由多個不同量測技術之一組合執行之量測導出之量測資料以用於模型建置、訓練及量測。使用與多個不同量測技術相關聯之量測資料增加嵌入於模型中之樣本及程序資 訊且實現更精確量測。一般而言，可採用任何量測技術或兩個或兩個以上量測技術之組合。
在又另一態樣中，本文中所描述之量測模型結果可用於提供主動回饋至一程序工具(例如，微影工具、蝕刻工具、沈積工具等)。
前述內容係一概述且因此必然含有細節之簡化、一般化及省略；因此，熟習此項技術者將明白該概述係僅具闡釋性且非以任何方式限制。在本文中所闡述之非限制性詳細描述中將明白本文中所描述之裝置及/或程序之其他態樣、發明特徵及優點。
100‧‧‧方法
101‧‧‧方塊
102‧‧‧方塊
103‧‧‧方塊
104‧‧‧方塊
105‧‧‧方塊
110‧‧‧方法
111‧‧‧方塊
112‧‧‧方塊
120‧‧‧方法
121‧‧‧方塊
122‧‧‧方塊
123‧‧‧方塊
130‧‧‧方法
131‧‧‧方塊
132‧‧‧方塊
133‧‧‧方塊
140‧‧‧方法
141‧‧‧方塊
142‧‧‧方塊
143‧‧‧方塊
144‧‧‧方塊
150‧‧‧等值線圖
151‧‧‧等值線圖
152‧‧‧等值線圖
153‧‧‧等值線圖
154‧‧‧等值線圖
155‧‧‧等值線圖
156‧‧‧等值線圖
157‧‧‧等值線圖
158‧‧‧等值線圖
159‧‧‧等值線圖
161‧‧‧等值線圖
162‧‧‧等值線圖
163‧‧‧等值線圖
164‧‧‧等值線圖
170‧‧‧矩陣
300‧‧‧系統/計量學系統/整合式計量學系統/記憶體機載計量學系統
301‧‧‧樣品
302‧‧‧照明器
304‧‧‧光譜儀/光譜橢圓偏光計
306‧‧‧經偏光照明光束
307‧‧‧偏光狀態產生器
308‧‧‧收集光束
309‧‧‧偏光狀態分析器
311‧‧‧光譜/量測資料
330‧‧‧運算系統/電腦系統
331‧‧‧處理器
332‧‧‧記憶體
333‧‧‧匯流排
334‧‧‧程式指令
340‧‧‧輸出信號/樣品參數
A0‧‧‧分析器角
AOI‧‧‧入射角
NA‧‧‧數值孔徑
P0‧‧‧偏光角
Pmachine‧‧‧機器參數
Pspecimen‧‧‧樣品參數
a、b、c、d‧‧‧係數
a01、a11、a21、r0‧‧‧係數
x、y‧‧‧晶圓座標
圖1係闡釋如本文中所描述之建置及訓練一量測模型之一方法100之一流程圖。
圖2係闡釋如本文中所描述之在另一實例中之建置及訓練一量測模型之一方法110之一流程圖。
圖3係闡釋如本文中所描述之在又另一實例中建置及訓練一量測模型之一方法120之一流程圖。
圖4係闡釋如本文中所描述之在又另一實例中建置及訓練一量測模型之一方法130之一流程圖。
圖5係闡釋使用藉由方法100、110、120及130之任一者產生之一量測模型量測一半導體晶圓之程序參數、結構參數或兩者之一方法140之一流程圖。
圖6A至圖6B係分別闡釋一FEM晶圓之曝光劑量及焦深之量測之等值線圖。
圖6C至圖6D係分別闡釋一樣本晶圓之曝光劑量及焦深之量測之等值線圖。
圖6E至圖6F係分別闡釋另一樣本晶圓之曝光劑量及焦深之量測之等值線圖。
圖7A至圖7B係分別闡釋跨一焦點曝光矩陣(FEM)晶圓之表面之隔離結構及緻密結構之中間臨界尺寸(MCD)之量測之等值線圖。
圖8A至圖8B係分別闡釋跨一樣本晶圓之表面之隔離結構及緻密結構之中間臨界尺寸(MCD)之量測之等值線圖。
圖9A至圖9B係分別闡釋跨一FEM晶圓之表面之焦深及曝光劑量之量測之等值線圖。
圖10A至圖10B係分別闡釋跨一樣本晶圓之表面之焦深及曝光劑量之量測之等值線圖。
圖11係闡釋自一FEM晶圓收集之光譜之主分量圖之一矩陣170之一圖式。
圖12繪示用於根據本文中所提出之例示性方法量測一樣品之特性之一系統300。
現將詳細參考本發明之背景實例及一些實施例，其等之實例係繪示於附圖中。
本發明提出用於僅基於經量測之訓練資料(例如，自一實驗設計(DOE)晶圓收集之光譜)產生一量測模型之方法及系統。接著，使用該經訓練之量測模型以直接自從其他晶圓收集之經量測資料(例如，光譜)計算程序參數值、結構參數值或兩者。
在一態樣中，本文中所描述之量測模型直接接收量測資料(例如，經量測光譜)作為輸入且提供程序參數值、結構參數值或兩者作為輸出。藉由簡化模型化程序，預測結果係連同計算時間及使用者時間之一減少而一起改良。
在一進一步態樣中，基於自原始量測資料(例如，光譜)產生之量測模型直接量測程序參數，如本文中所描述。因此，並不需要自幾何結構參數導出程序參數之一分離模型。因為程序變動係藉由模型捕 獲，所以即使在下伏結構拓撲歸因於程序變動改變時亦量測程序參數值。使用以現有模型為基礎的計量學方法來模型化，此係不可能的或非常困難的。
傳統上，以模型為基礎的半導體計量學由公式化試圖預測量測目標與特定計量學系統之互動之基於一模型之經量測光學信號之一計量學模型組成。特定目標之模型包含在所關注之量測目標之物理性質方面之結構之一參數化(例如，膜厚度、臨界尺寸、折射率、光柵節距等)。此外，該模型包含量測工具自身之一參數化(例如，波長、入射角、偏光角等)。
機器參數(Pmachine)係用於特徵化計量學工具自身之參數。例示性機器參數包含入射角(AOI)、分析器角(A0)、偏光器角(P0)、照明波長、數值孔徑(NA)等。樣品參數(Pspecimen)係用於特徵化樣品之幾何結構性質及材料性質之參數。對於一薄膜樣品，例示性樣品參數包含折射率、介電函數張量、全部層之標稱層厚度、層順序等。
為量測目的，機器參數經處理為已知、固定參數，且樣品參數或樣品參數之一子集經處理為未知、浮動參數。藉由產生理論預測與經量測資料之間之最佳擬合之一擬合程序(例如，迴歸、庫匹配等)解析該等浮動參數。改變未知樣品參數Pspecimen且計算模型輸出值，直至判定一組樣品參數值(此導致該等模型輸出值與經量測值之間之一緊密匹配)。
在許多情況中，樣品參數係高度相關。此可導致以計量學為基礎的目標模型之不穩定性。在一些情況中，此係藉由固定特定樣品參數解析。然而，此常常導致在估計剩餘參數中之顯著誤差。例如，下伏層(例如，一半導體晶圓上之一半導體材料堆疊之氧化物基底層)在一晶圓之表面上方厚度並不均勻。然而，為降低參數相關性，構造將此等層處理為在晶圓之表面上方具有一固定厚度之量測模型。不幸地 是，此可導致在估計其他參數中之顯著誤差。
如本文中所描述，藉由使用原始量測資料(例如，光譜)僅產生程序參數、幾何結構參數或兩者之模型，減少與以傳統模型為基礎的計量學方法相關聯之誤差及近似值。在不具有藉由幾何結構模型及模擬增加之複雜性之情況下，實現複雜三維結構之量測及晶粒中量測。在一些實例中，可在不超過一小時內產生模型。此外，藉由採用一簡化模型，量測時間相較於以現有模型為基礎的計量學方法縮減。在一些實例中，量測時間係小於每量測位點十毫秒。相比而言，在一些情況中，使用以傳統模型為基礎的計量學方法之量測時間可大於一秒。
圖1繪示適用於藉由本發明之一計量學系統(諸如圖12中所繪示之計量學系統300)之實施方案之一方法100。在一態樣中，認識到，可經由藉由運算系統330或任何其他通用運算系統之一或多個處理器執行之一預程式化演算法進行方法100之資料處理方塊。本文中認識到，計量學系統300之特定結構態樣並不表示限制且應解釋為僅具闡釋性。
在方塊101中，藉由一運算系統(例如，運算系統330)接收與在一半導體晶圓之一表面上之第一複數個位點之量測相關聯之一第一量之量測資料。該等經量測位點展現至少一程序參數、結構參數或兩者之已知變動。
在一些實施例中，程序參數變動係組織於一半導體晶圓(例如，DOE晶圓)之表面上之一實驗設計(DOE)圖案上。以此方式，量測位點訊問(interrogate)晶圓表面上之與不同程序參數值對應的不同部位。在一實例中，DOE圖案係一焦點/曝光矩陣(FEM)圖案。通常，展現一FEM圖案之一DOE晶圓包含量測位點之一格柵圖案。在一格柵方向(例如，x方向)上，曝光劑量改變而焦深保持恆定。在正交格柵方向(例如，y方向)上，焦深改變而曝光劑量保持恆定。以此方式，自 DOE晶圓收集之量測資料包含與焦點及劑量程序參數之已知變動相關聯的資料。
在前述實例中，量測資料係與使用焦點及曝光之已知變動處理之一DOE晶圓相關聯。然而，一般而言，可採用與程序參數、結構參數或兩者之任何已知變動相關聯的量測資料。
在方塊102中，自第一量之量測資料提取一或多個特徵。在一些實例中，使用主分量分析(PCA)或非線性PCA來分析量測資料，以提取最強烈反映存在於不同量測位點處之程序參數、結構參數或兩者之變動的特徵。在一些其他實例中，可應用一信號濾波技術以提取最強烈反映存在於不同量測位點處之參數變動的信號資料。在一些其他實例中，可自存在於量測資料中之多個信號選擇最強烈反映存在於不同量測位點處之參數變動的個別信號。儘管，自量測資料提取特徵以減小經受隨後分析之資料的大小係較佳的，然此並非嚴格需要的。在此意義上，方塊102係選用的。
在方塊103中，基於自量測資料提取或替代性地直接來自量測資料之特徵判定一輸入-輸出量測模型。該輸入-輸出量測模型經結構化以接收藉由一計量學系統在一或多個量測位點處產生之量測資料，且直接判定與各量測目標相關聯之程序參數值、結構參數值或兩者。在一較佳實施例中，該輸入-輸出量測模型經實施為一類神經網路模型。在一實例中，基於自量測資料提取之特徵選擇該類神經網路之節點之數目。在其他實例中，該輸入-輸出量測模型可實施為一多項式模型、一回應表面模型或其他類型模型。
在方塊104中，針對已知跨其中收集有量測資料之量測位點變化之參數之各者產生一預期回應模型。一般而言，該預期回應模型依據晶圓表面上之部位來定義已知、變化參數之值。以此方式，該預期回應模型針對一給定參數定義晶圓圖之預期整體形狀。
在方塊105中，基於自預期回應模型判定之參數值訓練輸入-輸出量測模型。以此方式，嵌入於預期回應模型中之程序資訊係用於將輸入-輸出模型約束於程序空間內。以此方式，使用DOE量測資料及一預期回應模型產生經訓練之輸入-輸出量測模型。訓練該模型使得其輸出針對在藉由DOE光譜定義之程序變動空間中之全部光譜擬合所定義預期回應。
在一些實例中，量測一或多個程序參數。在此等實例中，預期回應模型係基於與經量測DOE晶圓相關聯之已知程序參數值。
圖2繪示在另一實例中適用於藉由本發明之一計量學系統(諸如圖12中所繪示之計量學系統300)之實施方案之一方法110。方法110包含如參考圖1所描述之相同編號之方塊。如圖2中所描繪，在方塊111中，藉由一運算系統(諸如運算系統330)接收已知程序參數值。在一些實例中，該等已知程序參數值係用於製造DOE晶圓之一微影系統之焦深及曝光劑量。
在方塊112中，運算系統330針對各程序參數判定一預期回應模型。在一典型DOE晶圓中，根據該DOE晶圓之x座標及y座標線性改變焦點及曝光。在一些實例中，在一DOE晶圓上針對一焦點參數之預期回應形狀係具有在該晶圓中間之一零點交叉之在x方向上之一傾斜平面。在一實例中，判定焦點參數值之預期回應函數係：焦點=a*x+b，其中a及b係實現最佳擬合在各量測位點處之已知焦點參數值之係數。類似地，在一DOE晶圓上針對一曝光參數之預期回應形狀係具有在該晶圓中間之一零點交叉之在y方向上之一傾斜平面。在另一實例中，判定曝光參數值之預期回應函數係：曝光=c*y+d，其中c及d係實現最佳擬合在各量測位點處之已知曝光參數值之係數。
在另一實例中，藉由使一個二維映射函數(即，{x,y})擬合在量測位點之各者處之焦點及曝光之已知值，來判定DOE晶圓之預期回應模 型。
在一些其他實例中，量測一或多個結構參數。對於一幾何結構參數，晶圓圖之形狀可為更複雜且該形狀常常係藉由程序予以定義。在一些此等實例中，基於與經量測DOE晶圓相關聯之已知程序參數值產生預期回應模型。圖3繪示在又另一實例中適用於藉由本發明之一計量學系統(諸如圖12中所繪示之計量學系統300)之實施方案之一方法120。方法120包含如參考圖1所描述之相同編號之方塊。
如圖3中所描繪，在方塊121中，藉由一運算系統(諸如運算系統330)接收已知程序參數值。在一實例中，該等已知程序參數值係與各量測位點對應之已知焦點及曝光值。
在方塊122中，運算系統330判定與在各量測位點處之基於一模擬判定之已知程序參數值之各者相關聯之預期結構參數值。例如，採用一程序模擬器以針對一給定組之程序參數值定義一結構參數(例如，一幾何結構參數或材料參數)之預期回應。一例示性程序模擬器包含可自(美國)加利福尼亞州苗必達市(Milpitas,California)KLA-Tencor公司購得之正抗蝕劑光學微影(PROLITH)模擬軟體。儘管此例示性微影程序模型係使用PROLITH軟體產生，然一般而言，在此專利文件之範疇內可採用任何程序模型化技術或工具。在一些實例中，基於與各量測位點對應之對應焦點及曝光參數值判定在各量測位點處之預期結構參數值。
在方塊123中，運算系統330判定各結構參數之預期回應模型。在一些實例中，藉由使一個二維(例如，{x,y})映射函數擬合與各量測位點相關聯之結構參數值而判定預期回應模型。
在一些其他實例中，基於與DOE晶圓相關聯之量測資料之特徵判定針對一結構參數之預期回應模型。圖4繪示在又另一實例中適用於藉由本發明之一計量學系統(諸如圖12中所繪示之計量學系統300)之 實施方案之一方法130。方法130包含如參考圖1所描述之相同編號之方塊。
如圖4中所描繪，在方塊131中，(例如)藉由運算系統330接收與DOE晶圓上之結構參數之量測相關聯之參考量測資料。藉由一參考計量學系統(諸如一掃描電子顯微鏡(SEM)、隧道電子顯微鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)或x射線量測系統)自DOE晶圓之一或多個量測位點處之目標之量測導出該參考量測資料。
此外，在方塊102中，自量測資料提取一或多個特徵(例如，形狀函數)，如參考圖1所描述。在一實例中，經量測光譜之第一主分量(PC1)係用於描述與一特定結構參數(例如，中間臨界尺寸(MCD))相關聯之回應表面之整體形狀。
在方塊132中，運算系統330基於參考量測資料校準自量測資料提取之(若干)形狀函數，以產生一經校準回應表面。
在方塊133中，運算系統330藉由使一個二維(例如，{x,y})映射函數擬合經校準回應表面，而判定已知結構參數之各者之預期回應模型。在一實例中，MCD參數之預期回應模型係：MCD=a01+a11(y+r0y2)+a21x2，其中x及y係晶圓座標，且a01、a11、r0、a21係使該函數最佳擬合經校準形狀函數之係數。
在另一態樣中，採用經訓練模型作為用於其他晶圓之量測之量測模型。圖5繪示適用於藉由本發明之一計量學系統(諸如圖12中所繪示之計量學系統300)之實施方案之一方法140。在一態樣中，認識到，可經由藉由運算系統330或任何其他通用運算系統之一或多個處理器執行之一預程式化演算法進行方法140之資料處理方塊。本文中認識到，計量學系統300之特定結構態樣並不表示限制且應解釋為僅具闡釋性。
在方塊141中，藉由一運算系統(例如，運算系統330)接收與一半 導體晶圓之一表面上之第二複數個位點之量測相關聯之一量之量測資料。
在方塊142中，自量測資料提取一或多個特徵。在一些實例中，使用主分量分析(PCA)或非線性PCA分析量測資料以提取最強烈反映存在於不同量測位點處之程序參數、結構參數或兩者之變動之特徵。在一些其他實例中，可應用一信號濾波技術以提取最強烈反映存在於不同量測位點處之參數變動之信號資料。在一些其他實例中，可自存在於量測資料中之多個信號選擇最強烈反映存在於不同量測位點處之參數變動之個別信號。儘管，較佳自量測資料提取特徵以減小經受隨後分析之資料之大小，然此並非嚴格需要的。在此意義上，方塊142係選用的。此外，較佳地，方塊102中，使用經採用以自訓練資料提取特徵之相同分析自量測資料提取特徵，如參考圖1至圖4所描述。
在方塊143中，藉由運算系統330基於第二量之量測資料至經訓練輸入-輸出量測模型之一擬合，判定與第二複數個位點之各者相關聯之至少一程序參數值、至少一結構參數值或兩者，如藉由非限制性實例參考圖1至圖4所描述。
在方塊144中，將經判定參數值儲存於一記憶體中。例如，該等參數值可機載儲存於量測系統300上(例如，於記憶體332中)或可(例如，經由輸出信號340)傳遞至一外部記憶體裝置。
圖6A係闡釋跨一DOE晶圓之表面之曝光劑量之量測之一等值線圖150。如所繪示，曝光劑量跨該晶圓在x方向上改變且跨該晶圓在y方向上恆定。圖6B係闡釋跨一DOE晶圓之表面之微影焦深之量測之一等值線圖151。如所繪示，焦深跨該晶圓在y方向上改變且跨該晶圓在x方向上恆定。
圖6A及圖6B中所繪示之量測結果得自於在一DOE晶圓上之多個量測位點處所收集且根據圖5中所繪示之方法140處理之量測(即，經 量測光譜)。基礎劑量及焦點量測模型係根據方法110開發且使用自相同DOE晶圓上之不同量測位點收集之量測資料進行訓練。
圖6C係闡釋跨一樣本晶圓之表面之曝光劑量之量測之一等值線圖152。圖6D係闡釋跨如參考圖6C所描述之相同晶圓之表面之微影焦深之量測之一等值線圖153。
圖6C及圖6D中所繪示之量測結果係各自在不同於DOE晶圓之一晶圓上之多個量測位點處所收集且根據圖5中所繪示之方法140處理之量測(即，經量測光譜)予以導出。基礎劑量及焦點量測模型係根據方法110開發且使用自參考圖6A及圖6B所描述之DOE晶圓上之不同量測位點收集之量測資料進行訓練。
圖6E係闡釋跨又另一樣本晶圓之表面之曝光劑量之量測之一等值線圖154。圖6F係闡釋跨參考圖6E所描述之相同晶圓之表面之微影焦深之量測之一等值線圖155。
圖6E及圖6F中所繪示之量測結果係自不同於DOE晶圓之樣本晶圓上之多個量測位點處所收集且根據圖5中所繪示之方法140處理之量測(即，經量測光譜)予以導出。基礎劑量及焦點量測模型係根據方法110開發且使用自參考圖6A及圖6B所描述之DOE晶圓上之不同量測位點收集之量測資料進行訓練。如圖6C至圖6F中所繪示，藉由根據方法110開發之量測模型捕獲具有不同焦點步驟之跨不同晶圓之焦點及曝光之值之變動。
圖7A係闡釋跨一焦點曝光矩陣(FEM)晶圓之表面之隔離結構之中間臨界尺寸(MCD)之量測之一等值線圖156。曝光劑量跨該晶圓在x方向上改變且焦深跨該晶圓在y方向上改變。如所繪示，MCD值歸因於跨該晶圓之表面之焦點及曝光劑量之差異而跨該晶圓之表面改變。圖7B係闡釋跨一焦點曝光矩陣(FEM)晶圓之表面之緻密結構之中間臨界尺寸(MCD)之量測之一等值線圖157。曝光劑量跨該晶圓在x方向上改 變且焦深跨該晶圓在y方向上改變。如所繪示，緻密結構之MCD值亦歸因於跨該晶圓之表面之焦點及曝光劑量之差異而跨該晶圓之表面改變(但以不同於隔離結構之一方式)。
圖7A及圖7B中所繪示之量測結果得自於在FEM晶圓上之多個量測位點處所收集且根據圖5中所繪示之方法140處理之量測(即，經量測光譜)。基礎隔離MCD量測模型及緻密MCD量測模型兩者皆係根據方法120開發且使用自相同FEM晶圓上之不同量測位點收集之量測資料進行訓練。
圖8A係闡釋跨一樣本晶圓之表面之隔離結構之MCD之量測之一等值線圖158。圖8B係闡釋跨一樣本晶圓之表面之緻密結構之MCD之量測之一等值線圖159。該等樣本晶圓係以一特定焦深及曝光劑量處理。該等特定焦點及劑量值約對應於圖7A至圖7B中所量測之在FEM晶圓之中間附近之焦點及劑量值。
圖8A及圖8B中所繪示之量測結果係自在不同於FEM晶圓之一樣本晶圓上之多個量測位點處收集且根據圖5中所繪示之方法140處理之量測(即，經量測光譜)予以導出。基礎隔離MCD量測模型及緻密MCD量測模型兩者皆係根據方法120開發且使用自FEM晶圓上之不同量測位點收集之量測資料進行訓練。
圖6A至圖6F、圖7A至圖7B及圖8A及圖8B中所繪示之量測結果係自各對應於一特定程序或結構參數(例如，焦點、曝光及MCD)之不同量測模型予以導出。然而，一般而言，一量測模型可特徵化一個以上程序參數、結構參數或兩者。
圖12繪示用於根據本文中所提出之例示性方法來量測一樣品之特性之一系統300。如圖12中所展示，系統300可用於執行一樣品301之一或多個結構之光譜橢圓偏光量測。在此態樣中，系統300可包含配備有一照明器302及一光譜儀304之一光譜橢圓偏光計。系統300之 照明器302經組態以產生及引導一選定波長範圍(例如，150nm至850nm)之照明至安置於樣品301之表面上的結構。繼而，光譜儀304經組態以接收自樣品301之表面反射之照明。應進一步注意，自照明器302射出之光係使用一偏光狀態產生器307而偏光，以產生一經偏光照明光束306。由安置於樣品301上的結構反射的輻射通過一偏光狀態分析器309且至光譜儀304。藉由該光譜儀304接收之在收集光束308中的輻射係就偏光狀態來分析，容許經過分析器之輻射之藉由光譜儀的光譜分析。此等光譜311傳遞至運算系統330用於分析結構。
如圖12中所描繪，系統300包含一單一量測技術(即，SE)。然而，一般而言，系統300可包含任何數目個不同量測技術。藉由非限制性實例，系統300可經組態為一光譜橢圓偏光計(包含穆勒矩陣橢圓偏光)、一光譜反射計、一光譜散射計、一疊對散射計、一角解析光束分佈反射計、一偏光解析光束分佈反射計、一光束分佈反射計、一光束分佈橢圓偏光計、任何單一或多個波長之橢圓偏光計或其等之任何組合。此外，一般而言，可自多個工具收集由不同量測技術收集且根據本文中所描述之方法分析的量測資料，而非整合多個技術之一工具。
在一進一步實施例中，系統300可包含經採用以基於根據本文中所描述之方法開發之量測模型來執行量測之一或多個運算系統330。該一或多個運算系統330可通信地耦合至光譜儀304。在一態樣中，該一或多個運算系統330經組態以接收與樣品301之結構之量測相關聯的量測資料311。
應認識到，可藉由一單一電腦系統330或替代性地多個電腦系統330進行貫穿本發明所描述之各種步驟。此外，系統300之不同子系統(諸如光譜橢圓偏光計304)可包含適用於進行本文中所描述之該等步驟之至少一部分之一電腦系統。因此，前面描述不應解釋為對本發明 之一限制但僅為一圖解。此外，一或多個運算系統330可經組態以執行本文中所描述之方法實施例之任一者之(若干)任何其他步驟。
此外，電腦系統330可依此項技術中已知之任何方式通信地耦合至光譜儀304。例如，一或多個運算系統330可耦合至與光譜儀304相關聯之運算系統。在另一實例中，光譜儀304可直接藉由耦合至電腦系統330之一單一電腦系統加以控制。
計量學系統300之電腦系統330可經組態以藉由可包含纜線或無線部分之一傳輸媒體自該系統之子系統(例如，光譜儀304及類似者)接收及/或獲取資料或資訊。以此方式，該傳輸媒體可用作電腦系統330與系統300之其他子系統之間之一資料鏈路。
整合式計量學系統300之電腦系統330可經組態以藉由可包含纜線及/或無線部分之一傳輸媒體自其他系統接收及/或獲取資料或資訊(例如，量測結果、模型化輸入、模型化結果等)。以此方式，該傳輸媒體可用作電腦系統330與其他系統(例如，記憶體機載計量學系統300、外部記憶體、參考量測源320或其他外部系統)之間之一資料鏈路。例如，運算系統330可經組態以經由一資料鏈路自一儲存媒體(即，記憶體332或一外部記憶體)接收量測資料。例如，使用光譜儀304獲得之光譜結果可儲存於一永久或半永久記憶體裝置(例如，記憶體332或一外部記憶體)中。就此點而言，該等光譜結果可自機載記憶體或自一外部記憶體系統匯入。此外，電腦系統330可經由一傳輸媒體將資料發送至其他系統。例如，藉由電腦系統330判定之一整合式量測模型或一樣品參數340可經傳遞及儲存於一外部記憶體中。就此點而言，量測結果可經匯出至另一系統。
運算系統330可包含(但不限於)：一個人電腦系統、大型電腦系統、工作站、影像電腦、平行處理器或此項技術中已知之任何其他裝置。一般而言，術語「運算系統」可廣泛定義為涵蓋具有一或多個處 理器之任何裝置，該等處理器執行來自一記憶體媒體之指令。
實施方法之程式指令334(諸如本文中所描述之該等程式指令)可經由一媒體傳輸(諸如一導線、纜線或無線傳輸鏈路)傳輸。例如，如圖12中所繪示，儲存於記憶體332中之程式指令334係經由匯流排333傳輸至處理器331。程式指令334係儲存於一電腦可讀媒體(例如，記憶體332)中。例示性電腦可讀媒體包含唯獨記憶體、一隨機存取記憶體、一磁碟或光學磁碟或一磁帶。
在一進一步態樣中，收集來自多個目標之量測資料以用於模型建置、訓練及量測。在一些實施例中，使用與多個目標相關聯之量測資料消除或顯著降低在量測結果中之下層之效應。在一實例中，減去來自兩個目標之量測信號以消除或顯著降低在各量測結果中之下層之效應。使用與多個目標相關聯之量測資料增加嵌入於模型中之樣本及程序資訊。特定言之，使用包含在一或多個量測位點處之多個不同目標之量測之訓練資料實現更精確量測。
在一實例中，針對隔離目標及緻密目標兩者自一FEM晶圓之光譜量測產生一量測模型。接著，基於分別針對焦點、曝光、一隔離目標之MCD及一緻密目標之MCD之光譜量測資料及一預期回應模型來訓練該量測模型。隨後採用所得經訓練量測模型以計算焦點、曝光及樣本晶圓上之隔離目標及緻密目標兩者之MCD。以此方式，各參數具有其自身之自與隔離目標及緻密目標兩者相關聯之經量測光譜(或經提取特徵)計算參數值之經訓練模型。
圖9A至圖9B及圖10A至圖10B繪示對於具有下層光柵之FEM及CDU晶圓之焦點及曝光之量測結果。
圖9A係闡釋跨一FEM晶圓之表面之焦深之量測之一等值線圖161。在此實例中，焦點跨該晶圓在x方向上改變且跨該晶圓在y方向上恆定。圖9B係闡釋跨FEM晶圓之表面之曝光劑量之量測之一等值 線圖162。如所繪示，劑量跨該晶圓在y方向上改變且跨該晶圓在x方向上恆定。
圖9A及圖9B中所繪示之量測結果得自於在FEM晶圓上之多個量測位點處所收集且根據圖5中所繪示之方法140處理之量測(即，經量測光譜)。基礎劑量及焦點量測模型係根據方法110開發且使用自相同DOE晶圓上之不同量測位點收集之量測資料進行訓練。
圖10A係闡釋跨一樣本晶圓之表面之焦深之量測之一等值線圖163。圖10B係闡釋跨參考圖10A所描述之相同晶圓之表面之曝光劑量之量測之一等值線圖164。該等樣本晶圓係以一特定焦深及曝光劑量處理。該等特定焦點及劑量值約對應於圖9A至圖9B中所量測之在FEM晶圓之中間附近之焦點及劑量值。因此，預期圖10A至圖10B中所繪示之焦點及曝光量測結果分別展示在晶圓表面上之焦點及曝光之最小變動。
圖10A及圖10B中所繪示之量測結果係自在不同於FEM晶圓之一晶圓上之多個量測位點處所收集且根據圖5中所繪示之方法140處理之量測(即，經量測光譜)予以導出。基礎劑量及焦點量測模型係根據方法110開發且使用自參考圖9A及圖9B所描述之DOE晶圓上之不同量測位點收集之量測資料進行訓練。
圖11繪示自一FEM晶圓收集之光譜之主分量圖之一矩陣170。如所繪示，第一少數主分量大致反映藉由焦點及曝光矩陣產生之全域焦點及曝光圖案(即，在一方向上之變動、在正交方向上恆定且反之亦然)。高於七個之主分量圖呈現與隨機下層變動、線邊緣粗糙度或其他類型之雜訊相關聯之一雜訊圖案。在此實例中，僅利用開頭七個主分量以訓練焦點及曝光模型係較佳的。以此方式，為模型建置及隨後量測分析之目的截短主要反映雜訊之主分量。
在另一進一步態樣中，收集自藉由多個不同量測技術之一組合 執行之量測導出之量測資料，以用於模型建置、訓練及量測。使用與多個不同量測技術相關聯之量測資料增加嵌入於模型中之樣本及程序資訊且實現更精確量測。可自藉由多個不同量測技術之一組合執行之量測導出量測資料。以此方式，可藉由多個不同量測技術量測不同量測位點以加強對特徵化半導體結構可用之量測資訊。
一般而言，在此專利文件之範疇內可採用任何量測技術或兩個或兩個以上量測技術之組合。例示性量測技術包含(但不限於)：光譜橢圓偏光(包含穆勒矩陣橢圓偏光)、光譜反射量測、光譜散射量測、散射量測疊對、光束分佈反射量測(角解析及偏光解析兩者)、光束分佈橢圓偏光、單一或多個離散波長之橢圓偏光、傳輸小角x射線散射計(TSAXS)、小角x射線散射(SAXS)、掠入射小角x射線散射(GISAXS)、廣角x射線散射(WAXS)、x射線反射率(XRR)、x射線繞射(XRD)、掠入射x射線繞射(GIXRD)、高解析度x射線繞射(HRXRD)、x射線光電子光譜學(XPS)、x射線螢光(XRF)、掠入射x射線螢光(GIXRF)、x射線斷層攝影術及x射線橢圓偏光。一般而言，可採用可應用於半導體結構之特徵化之任何計量學技術(包含以影像為基礎的計量學技術)。
在一些實例中，本文中所描述之模型建置、訓練及量測方法係實施為可自美國加利福尼亞州苗必達市(Milpitas,California)KLA-Tencor公司購得之一SpectraShape®光學臨界尺寸計量學系統之一元件。以此方式，模型經產生且在藉由系統收集DOE晶圓光譜之後立即準備開始使用。
在一些其他實例中，本文中所描述之模型建置及訓練方法係藉由(例如)實施可自美國加利福尼亞州苗必達市(Milpitas,California)KLA-Tencor公司購得之AcuShape®軟體之一運算系統離線實施。所得經訓練模型可併入為可藉由執行量測之一計量學系統存取之一 AcuShape®庫之一元件。
儘管上文中參考一微影程序模型及相關聯焦點及曝光計量學描述若干實例，然本文中所描述之方法及系統可涉及其他程序模型(例如，蝕刻或沈積處理模型)及其他計量學(例如，蝕刻及沈積計量學)。本文中所描述之方法及系統亦可涉及其他參考計量學技術(例如，SEM、TEM、AFM、X射線)。此外，本文中所描述之方法及系統係參考光學計量學系統(例如，光譜橢圓偏光計、反射計、BPR系統等)論述，但亦可應用於其他以模型為基礎的計量學(例如，疊對、CD-SAXS、XRR等)。
在又另一態樣中，本文中所描述之量測模型結果可用於提供主動回饋至一程序工具(例如，微影工具、蝕刻工具、沈積工具等)。例如，使用本文中所描述之方法判定之深度及焦點參數之值可傳遞至一微影工具，以調整微影系統以達成一所要輸出。以一類似方法蝕刻參數(例如，蝕刻時間、擴散率等)或沈積參數(例如，時間、濃度等)可包含於一量測模型中以分別提供主動回饋至蝕刻工具或沈積工具。
一般而言，本文中所描述之系統及方法可實施為對離線或工具上(on-tool)量測製備一量測模型之程序之部分。此外，量測模型及任何重新參數化量測模型兩者皆可描述一或多個目標結構及量測位點。
如本文中所描述，術語「臨界尺寸」包含一結構之任何臨界尺寸(例如，底部臨界尺寸、中間臨界尺寸、頂部臨界尺寸、側壁角、光柵高度等)、兩個或兩個以上結構之一臨界尺寸(例如，兩個結構之間之距離)及兩個或兩個以上結構之一位移(例如，疊對光柵結構之間之疊對位移等)。結構可包含三維結構、圖案化結構、疊對結構等。
如本文中所描述，術語「臨界尺寸應用」或「臨界尺寸量測應用」包含任何臨界尺寸量測。
如本文中所描述，術語「計量學系統」包含經採用以至少部分 特徵化任何態樣中之一樣品之任何系統，該等態樣包含量測應用(諸如臨界尺寸計量學、疊對計量學、焦點/劑量計量學及組合物計量學)。然而，此等技術術語並不限制如本文中所描述之術語「計量學系統」之範疇。此外，計量學系統300可經組態以用於量測圖案化晶圓及/或未圖案化晶圓。該計量學系統可經組態為一LED檢測工具、邊緣檢測工具、背側檢測工具、巨觀檢測工具或多模式檢測工具(同時涉及來自一或多個平台之資料)及自基於臨界尺寸資料之系統參數之校準獲益之任何其他計量學或檢測工具。
本文中描述可用於處理一樣品之一半導體處理系統(例如，一檢測系統或一微影系統)之各種實施例。本文中使用術語「樣品」以指代可藉由此項技術中已知之方法處理(例如，針對缺陷而經列印或檢測)之一晶圓、一光罩或任何其他樣本。
如本文中所使用，術語「晶圓」大體上係指由一半導體或非半導體材料形成之基板。實例包含(但不限於)：單晶矽、砷化鎵及磷化銦。此等基板可通常在半導體製造設施中找到及/或處理。在一些情況中，一晶圓可僅包含基板(即，裸晶圓)。替代性地，一晶圓可包含形成於一基板上之不同材料之一或多個層。形成於一晶圓上之一或多個層可為「圖案化」或「非圖案化」。例如，一晶圓可包含具有可重複圖案特徵之複數個晶粒。
一「光罩」可為在一光罩製程之任何階段之一光罩或可或不可經釋放以用在一半導體製造設施中之一經完成之光罩。一光罩或一「遮罩」通常定義為具有形成於其上且經組態成一圖案之實質上不透明之區域之一實質上透明基板。該基板可包含(例如)一玻璃材料(諸如非晶SiO2)。一光罩可在一微影程序之一曝光步驟期間安置於一抗蝕劑疊對之晶圓上方使得可將該光罩上之圖案轉印至該抗蝕劑。
形成於一晶圓上之一或多個層可為圖案化或非圖案化。例如， 一晶圓可包含各具有可重複圖案特徵之複數個晶粒。此等材料層之形成及處理可最終導致經完成裝置。許多不同類型之裝置可形成於一晶圓上且如本文中所使用之術語晶圓意欲涵蓋其上製造有此項技術中已知之任何類型之裝置之一晶圓。
在一或多項例示性實施例中，可在硬體、軟體、韌體或其等之任何組合中實施所描述之功能。若實施於軟體中，則該等功能可作為一或多個指令或程式碼儲存於一電腦可讀媒體上或經由一電腦可讀媒體傳輸。電腦可讀媒體包含電腦儲存媒體及通信媒體(該等通信媒體包含促進一電腦程式自一地方傳遞至另一地方之任何媒體)兩者。一儲存媒體可為可藉由一通用或專用電腦存取之任何可用媒體。藉由實例且非限制方式，此等電腦可讀媒體可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光學磁碟儲存器、磁碟儲存器或其他磁性儲存裝置或可用於以指令或資料結構之形式攜載或儲存所要程式碼構件且可藉由一通用或專用電腦或一通用或專用處理器存取之任何其他媒體。又，將任何連接適當地稱為一電腦可讀媒體。例如，若使用一同軸纜線、光纖纜線、雙絞線、數位用戶線(DSL)或無線技術(諸如紅外線、無線電及微波)自一網站、伺服器或其他遠端源傳輸該軟體，則該等同軸纜線、光纖纜線、雙絞線、DSL或無線技術(諸如紅外線、無線電及微波)係包含在媒體之定義中。如本文中所使用之磁碟及光碟包含光碟(CD)、雷射光碟、光學光碟、數位多功能光碟(DVD)、軟磁碟及藍光光碟(其中磁碟通常以磁性方式重現資料，而光碟使用雷射以光學方式重現資料)。以上之組合亦應包含在電腦可讀媒體之範疇內。
儘管上文為指示目的而描述某些特定實施例，然本專利文件之教示具有一般適用性且並不限於上文所描述之該等特定實施例。因此，可在不脫離如申請專利範圍中所闡述之本發明之範疇之情況下實 踐所描述之實施例之各種特徵之各種修改、調適及組合。
100‧‧‧方法
101‧‧‧方塊
102‧‧‧方塊
103‧‧‧方塊
104‧‧‧方塊
105‧‧‧方塊

Claims (20)

  1. 一種方法，其包括：接收與在一半導體晶圓之一表面上之第一複數個位點之量測相關聯之一第一量的量測資料，該第一複數個位點具有至少一程序參數、結構參數或兩者之已知變動，其中該第一量之量測資料係自由至少一計量學技術執行的量測導出；判定該等至少一已知程序參數、結構參數或兩者之各者之一預期回應模型；至少部分基於該第一量之量測資料來判定一輸入-輸出量測模型；及基於自該預期回應模型判定之參數值來訓練該輸入-輸出量測模型。
  2. 如請求項1之方法，進一步包括：使用該第一計量學技術來接收與第二複數個位點之量測相關聯之一第二量的量測資料；基於該第二量之量測資料至該經訓練輸入-輸出量測模型之一擬合，判定與該第二複數個位點之各者相關聯之至少一程序參數值、至少一結構參數值或兩者；及將該至少一程序參數值、該至少一結構參數值或兩者之任一者儲存於一記憶體中。
  3. 如請求項1之方法，其中該第一量之量測資料係與在該半導體晶圓之該表面上方之具有焦點及曝光劑量之已知變動之第一複數個位點的量測相關聯。
  4. 如請求項1之方法，進一步包括：藉由減小該第一量之量測資料之一大小來提取該第一量之量 測資料之一或多個特徵，且其中該判定該輸入-輸出量測模型係至少部分基於該一或多個特徵。
  5. 如請求項4之方法，其中該降低該第一量之量測資料之該大小涉及以下任一者：一主分量分析；一非線性主分量分析；自該第一量之量測資料之個別信號之一選擇；及該第一量之量測資料之一篩選。
  6. 如請求項1之方法，其中該預期回應模型係一晶圓圖模型，且其中該判定該晶圓圖模型涉及使一個二維映射函數擬合與該第一複數個位點相關聯之該等已知程序參數、結構參數或兩者。
  7. 如請求項1之方法，進一步包括：至少部分基於在該半導體晶圓上執行之一程序之一模擬來判定該至少一已知結構參數。
  8. 如請求項1之方法，進一步包括：至少部分基於與該至少一已知結構參數相關聯之一量之參考量測資料來判定該至少一已知結構參數。
  9. 如請求項1之方法，其中該第一量的量測資料包含與在該第一複數個位點之任一者處之一個以上目標特徵相關聯的量測信號。
  10. 如請求項1之方法，其中該第一量之量測資料包含與一個以上計量學技術相關聯的量測信號。
  11. 一種系統，其包括：一計量學工具，其包含一照明源及經組態以執行一目標結構之量測之一偵測器；及一運算系統，其經組態以：自該計量學工具接收與在一半導體晶圓之一表面上之第一複數個位點之量測相關聯之一第一量的量測資料，該第一複數個位點具有至少一程序參數、結構參數或兩者之已知變 動；判定該等至少一已知程序參數、結構參數或兩者之各者之一預期回應模型；至少部分基於該第一量之量測資料來判定一輸入-輸出量測模型；及基於自該預期回應模型判定之參數值來訓練該輸入-輸出量測模型。
  12. 如請求項11之系統，其中該運算系統進一步經組態以：接收與第二複數個位點之量測相關聯之一第二量的量測資料；基於該第二量之量測資料至該經訓練輸入-輸出量測模型之一擬合，判定與該第二複數個位點之各者相關聯之至少一程序參數值、至少一結構參數值或兩者；及將該至少一程序參數值、該至少一結構參數值或兩者之任一者儲存於一記憶體中。
  13. 如請求項11之系統，其中該運算系統進一步經組態以：藉由減小該第一量之量測資料之一大小來提取該第一量之量測資料之一或多個特徵，且其中該判定該輸入-輸出量測模型係至少部分基於該一或多個特徵。
  14. 如請求項13之系統，其中該降低該第一量之量測資料之該大小涉及以下任一者：一主分量分析；一非線性主分量分析；自該第一量之量測資料之個別信號之一選擇；及該第一量之量測資料之一篩選。
  15. 如請求項11之系統，其中該預期回應模型係一晶圓圖模型，且其中該判定該晶圓圖模型涉及使一個二維映射函數擬合與該第一複數個位點相關聯之該等已知程序參數、結構參數或兩者。
  16. 如請求項11之系統，其中該第一量的量測資料包含與在該第一複數個位點處之一個以上目標特徵相關聯的量測信號。
  17. 如請求項11之系統，其中該第一量的量測資料包含與一個以上計量學技術相關聯的量測信號。
  18. 一種方法，其包括：接收與在一第一半導體晶圓上之一半導體目標之量測相關聯之一第一量的量測資料；基於該第一量之量測資料至該經訓練輸入-輸出量測模型之一擬合，判定至少一程序參數值、至少一結構參數值或兩者；及將該至少一程序參數值、該至少一結構參數值或兩者之任一者儲存於一記憶體中。
  19. 如請求項18之方法，進一步包括：產生該經訓練輸入-輸出量測模型，其中該產生涉及：接收在一第二半導體晶圓上之該半導體目標之量測相關聯之一第二量的量測資料，該半導體目標與具有至少一程序參數、結構參數或兩者之已知變動；判定該等至少一已知程序參數、結構參數或兩者之各者之一預期回應模型；至少部分基於該第二量之量測資料來判定一輸入-輸出量測模型；及基於自該預期回應模型判定之參數值來訓練該輸入-輸出量測模型。
  20. 如請求項19之方法，進一步包括：藉由減小該第二量之量測資料之一大小來提取該第二量之量測資料之一或多個特徵，且其中該判定該輸入-輸出量測模型係至少部分基於該一或多個特徵；及 藉由減小該第一量之量測資料之一大小來提取該第一量之量測資料之一或多個特徵，且其中該判定該等至少一程序參數值、至少一結構參數值或兩者係至少部分基於該一或多個特徵。
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