CN108699689A - 用于在涂层设备中制备过程气体的装置 - Google Patents

用于在涂层设备中制备过程气体的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108699689A
CN108699689A CN201780013619.8A CN201780013619A CN108699689A CN 108699689 A CN108699689 A CN 108699689A CN 201780013619 A CN201780013619 A CN 201780013619A CN 108699689 A CN108699689 A CN 108699689A
Authority
CN
China
Prior art keywords
shell
pressure vessel
vessel body
barrier element
barrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780013619.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108699689B (zh
Inventor
B.I.贝卡德
A.波奎
J.迈耶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aixtron SE
Original Assignee
Aixtron SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron SE filed Critical Aixtron SE
Publication of CN108699689A publication Critical patent/CN108699689A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108699689B publication Critical patent/CN108699689B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C23C16/4483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material using a porous body
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于在涂层设备中制备过程气体的装置，所述装置具有壳体(1)和布置在所述壳体(1)中的、包含用于液态或固态的起始材料的蒸发装置(3、3＇、3〃)的源壳体(2)，具有通入所述源壳体(2)以产生穿过源壳体(2)的第一气流(5)的第一气体输入管道(4)，具有将第一气流(5)从所述源壳体(2)排出到输送管道(7)中的第一排气通道(6)，具有通入所述壳体(1)以产生在所述源壳体(2)外穿过壳体(1)的第二气流(9)的第二气体输入管道(8)，并且具有将第二气流(9)从所述壳体(1)排出到所述输送管道(7)中的第二排气通道(10)，第二排气通道(10)包围第一排气通道(6)，并且在第二排气通道(10)中布置有反向扩散屏障(11)。按照本发明，所述反向扩散屏障(11)构造为，能够实现所述排气通道(6)的两个尤其相对置的壁段彼此相对的位置改变。

Description

用于在涂层设备中制备过程气体的装置
技术领域
本发明涉及一种用于在涂层设备中制备过程气体的装置，所述装置具有用于液体或固态的起始材料的蒸发装置，所述蒸发装置布置在源壳体中。借助第一气体输入管道将具有液态或固态的气溶胶粒子的气溶胶输入源壳体。气溶胶粒子在该处被蒸发。蒸汽通过排气通道从源壳体排出。借助输送管道将由蒸发装置形成的蒸汽输入过程室，排气机构位于所述过程室中，蒸汽通过所述排气机构排出，以便冷凝在布置在过程室中、尤其布置在经冷却的敏感体(Suszeptor)上的基底上。
背景技术
专利文献WO 2012/175128 A1描述一种蒸发装置，其沿气溶胶的流动方向具有两个依次布置的传热体。这两个传热体由导电的固体泡沫材料构成，固体泡沫材料以通电方式被加热。专利文献WO 2012/175124 A1、WO 2010/175126 A1、DE 10 2011 051 261 A1或DE 10 2011 051 260 A1描述了一些类似的装置。
由专利文献US 4,769,296和US 4,885,211已知由有机的起始材料构成的发光二极管(OLED)的制造。为制造OLED，必须将固态或液体的起始材料转化为气态。这用蒸发器来实现。
专利文献DE 10 2014 115 497 A1描述了一种用于沉积OLED的装置。其中描述了一种用于在涂层设备中制备过程气体的装置，其中，液态或固态的起始材料被蒸发装置蒸发。通过第一排气通道将由运载气体运送的蒸汽从源壳体引入输送管道。第二气体输入管道通入该输送管道以便将第二气流排出，用第二气流将包含蒸汽的第一气流稀释。
专利文献DE 10 2014 109 196描述一种用于以固态或液态的起始材料为CVD(化学气相沉积)-或PVD(物理气相沉积)-装置产生蒸汽的装置，其中借助第一输入管道将第一气流输入源壳体。第一输入管道由管子构成，这些管子的开口端通入一个传热体。其它传热体位于此传热体下游，其它传热体分别以通电方式被加热。
专利文献US 2010/0206231 A1、US 2010/0012036 A1、JP 0800823 A和EP 2 819150 A2描述了一种在CVD反应器的过程室下游布置在排气管内的迷宫式密封装置或反向扩散屏障，以防止反向扩散至过程室。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，有利于其使用地改良用于制备过程气体的装置。
所述技术问题首先并且基本上通过一种用于在涂层设备中制备过程气体的装置解决，所述装置具有壳体和布置在所述壳体中的、包含用于液态或固态的起始材料的蒸发装置的源壳体，具有通入所述源壳体以产生穿过源壳体的第一气流的第一气体输入管道，具有将第一气流从所述源壳体排出到输送管道中的第一排气通道，具有通入所述壳体以产生在所述源壳体外穿过壳体的第二气流的第二气体输入管道，并且具有将第二气流从所述壳体排出到所述输送管道中的第二排气通道，第二排气通道包围第一排气通道，并且在第二排气通道中布置有反向扩散屏障。
从属权利要求不仅是这种装置的有利的扩展设计，而且是所述技术问题的独立的解决方案。
以下特征设置用于独立或组合地解决所述技术问题或者说对上述装置进行技术优化：源壳体可以在第二排气通道的区域中小幅地相对容纳该源壳体的壳体移位，这随着第二排气通道的两个相对置的壁的距离的改变而进行。反向扩散屏障允许这种相对移位。反向扩散屏障由多个屏障元件构成。第一屏障元件可以固定在源壳体上。第二屏障元件可以固定在包围所述源壳体的装置壳体上。第二排气通道的一个壁由源壳体的构件构成，第二排气通道的另一壁由装置壳体的构件构成。第二排气通道在横截面中呈环形，其中，径向内侧的通道壁由源壳体构成，径向外侧的通道壁由装置壳体构成。固定在源壳体上的第一屏障元件具有自由边缘，该屏障元件以该自由边缘与第二排气通道的相对置的壁间隔距离。第二屏障元件固定在装置壳体上并且具有与排气通道的相对置的壁间隔距离的自由边缘。所述两个屏障元件可以相对移位。在此规定，所述两个屏障元件密封地接触。这两个屏障元件可以施加剪力地沿接触面滑动。所述屏障元件中的至少一个可以是透气的。透气的屏障元件可以具有许多通气孔。气体屏障元件可以由环盘形体构成。与源壳体连接的第一屏障元件具有径向内边缘和径向外边缘，所述径向内边缘是固定边缘，第一屏障元件以该固定边缘固定在源壳体上，所述径向外边缘是自由边缘。第二屏障元件具有径向外边缘，所述径向外边缘是固定边缘，该屏障元件以该固定边缘固定在装置壳体上。第二屏障元件具有与第二排气通道的相对置的壁间隔距离的自由边缘。因此，这两个优选的屏障元件或者在源壳体上不可动但相对装置壳体可动，或者在装置壳体上不可动但相对源壳体可动。在此规定，不透气的屏障元件以两个彼此背离的表面分别以接触的方式贴靠在具有通气孔的屏障元件上。不透气的屏障元件可以固定在装置壳体上。两个具有通气孔的屏障元件可以固定在源壳体上。但相反的配置方式也是可行的。所述屏障元件可以是沿第二气流的流动方向交替接触地彼此贴靠的扁平的环形体。这种屏障元件交替地固定在第二排气通道的相对置的壁上、优选交替地固定在源壳体上或装置壳体上。所述源壳体可以相对所述装置壳体在平面内移动，多个屏障元件可以在该平面内相对移位。这种移动可能由加热蒸发装置时的热膨胀引起。通气孔如此构建和布置，使其在屏障元件相对移位时不会被封闭。尤其规定，透气的屏障元件的通气孔与该屏障元件的自由边缘的距离大于不透气的屏障元件的自由边缘与固定边缘的距离。这两个屏障元件与第二排气通道的可相对移位的壁对应配设，从而即使在排气通道的两个壁的极端的相对位移位置上，通气孔也不会被封闭，但确保相对移位的屏障元件相互重叠。为此尤其规定，不透气的屏障元件的自由边缘与固定边缘的距离与透气的屏障元件的自由边缘与其固定边缘的距离之和大于第二排气通道的两个保持所述屏障元件的壁之间的最大可能的距离。由此确保至少两个屏障元件即使在源壳体相对装置壳体的移位达到最大程度时也在第二排气通道的整个周向延伸范围内相互重叠。源壳体可以具有下端面，屏障元件固定在该下端面上。所述下端面包围第一排气通道的开口，包含蒸汽的第一气流穿过第一排气通道排出。所述开口或者说端缘由源壳体的基本上呈管形的区段构造。该管形区段的径向内壁构成第一排气通道的侧壁。该管形区段的径向朝外的侧壁构成第二排气通道的侧壁。间隙空间沿流动方向位于第一排气通道的出口的下游，该间隙空间环形地包围输送管道。扩散屏障的通气孔通入所述间隙空间中。可以用尤其用于加热构成蒸发装置的固态泡沫体的加热装置将该蒸发装置或源壳体加热至高于使装置壳体保持的温度的温度。因此，所述装置具有第一壳体，在第一壳体中布置有通气孔并且第一壳体具有比第二壳体更高的温度，第二壳体包围第一壳体并且以冲洗气体被通流，该冲洗气体在输送管道中与通流第一壳体的气流混合，为此，为避免从输送管道向第二壳体的包围第一壳体的容积区域发生反向扩散而设置反向扩散屏障，构成第二气流的冲洗气体必须穿过该反向扩散屏障。反向扩散屏障的通气孔导致局部增大的流速。所述蒸发装置具有带有开口的传热体，在所述开口中插设有输入管。输入管的出口位于第二传热体的上游区域中。可以在所述两个传热体之间设置中间室。关于这种蒸发装置的设计方案请参阅专利文献DE 10 2014 109 196的内容，该专利文献的全部内容被纳入本申请的公开内容中。专利文献DE 10 2014 115 497描述一种输入管道系统，用该输入管道系统将在蒸发装置中产生的蒸汽通过多次稀释引入反应器的过程室中，该专利文献的公开内容全部被纳入本申请的公开内容中。根据优选的扩展设计方案，所述装置具有三个环，其中至少两个环具有均匀分布在圆弧线上的孔洞，这些孔洞形成通气孔。所述环相叠布置并且交替地在外部和内部居中。由此防止反向扩散并且在源壳体相对装置壳体的中心位置方面对公差进行补偿。由于通气孔的均匀布置形成均匀的流动分布。所述装置用于蒸发液态或粉末状的材料并且由布置在第一壳体中的蒸发单元构成。第二壳体包封第一壳体并且具有与第一壳体的壁间隔距离的壳体壁，从而形成包围第一壳体的空腔。第一壳体具有用于将包含蒸汽的第一气流排出的排气通道。该排气通道形成收集区，形成的蒸汽收集在该收集区内并且已蒸发的材料穿过该收集区到交接口(Schnittstelle)，第二气流被输入到该交接口。用第二气流冲洗所述交接口，使得蒸汽不能回流入第二壳体的包围第一壳体的空腔。反向扩散屏障如此构造，使得第一壳体的区域中的温度变化不会导致进入所述交接口中的气流发生改变。设有用于气体流量调节的装置。为此可以使用质量流量调节器或类似调节器。由环形元件构成的屏障元件可以形状配合地叠置。
附图说明
以下结合附图详细阐述本发明。在附图中：
图1示出沿装置的中心线Z剖切的剖面图，
图2示出根据图1中的局部II的剖面图，
图3示出根据图1中的局部III的剖面图，
图4示出沿图1中的IV-IV线剖切的剖面图，
图5示出在图1中以横剖面示出的装置的一部分剖切的立体图，
图6为根据图2的示图，但具有偏心偏移量，和
图7为具有该偏心偏移量的根据图3的示图。
具体实施方式
如专利文献DE 10 2014 109 196 A1中所述，在附图中示出的装置为应用于CVD或PVD装置的蒸汽源，或者如专利文献DE 10 2014 115 497所述，将该装置在CVD或PVD装置中用作系统组件。
所述装置具有一种两个壳体1、2基本上围绕中心线Z旋转对称的布局结构。第一壳体构成源壳体2，源壳体2被第二壳体1构成的装置壳体包围。在壳体1的内壁与布置在壳体1中的源壳体2的外壁之间构造有空腔。在源壳体2的内部同样构造有空腔。源壳体2固定在壳体1的罩盖18上，可以将罩盖18与壳体1的柱形侧壁或源壳体2的柱形侧壁连接。
第一气体输入管道4穿过罩盖18伸入源壳体2的空腔。三个沿流动方向依次布置的蒸发装置3、3＇、3〃位于源壳体2内，所述蒸发装置3、3＇、3〃能以通电方式被加热并且由开孔的泡沫体构成。蒸发装置3、3＇、3〃将源壳体2的腔体的横截面完全填满。通过第一气体输入管道4并且借助运载气流将具有液态或固态的有机粒子的气溶胶输入。气溶胶从第一气体输入管道4的开口排入蒸发装置3、3＇、3〃之一中，气溶胶粒子在该处通过吸热被蒸发。为此将蒸发装置3、3＇、3〃加热至一个升高的温度T1，该温度T1高于冷凝温度、即高于有机粒子的蒸发温度。形成包含已蒸发的气溶胶粒子的蒸汽的第一气流5。蒸发装置3、3＇、3〃的工作原理和另外的扩展设计方案请参专利文献DE 10 2014 109 196。
第一气流5穿过横截面收窄的区段进入第一排气通道6，第一排气通道6具有圆盘形的横截面并且由源壳体2的具有管道形状的出口段构成。所述出口段构成包围第一排气通道6的排出口的端面19。
端面19与阶部20相对置，阶部20由壳体1的侧壁段形成。阶部20上连接有输送管道7，输送管道7将第一气流5导入CVD或PVD装置的过程室，在该过程室中将OLED层沉积在位于敏感体上的基底上。输送管道系统的可行的设计方案请参阅专利文献DE 10 2014 115497。
在罩盖18中布置有相对第一气体输入管道4径向向外偏移的第二气体输入管道8，可以通过第二气体输入管道8将运载气体或冲洗气体输入壳体1的包围源壳体2的腔体中，从而形成从源壳体2旁边流过的第二气流9。第二气流9流经圆环形的空腔，该空腔朝下游方向横截面缩小并且在该处构成第二排气通道10。第二排气通道10的内壁由源壳体2的管道形状的端部区段形成。因此，管道形状的端部区段以其内侧面构成第一排气通道6的侧壁并且以其外侧面构成第二排气通道10的侧壁。第二排气通道10环形包围第一排气通道6。第二排气通道10的第二侧壁由壳体1的区段构成。第二排气通道10通入间隙空间17，间隙空间17环形地包围第一排气通道6或者说输送管道7的出口。间隙空间17在端面19与阶部20之间延伸。
为避免第一气流5中所包含的已蒸发的有机起始材料的蒸汽流入第二排气通道10的较冷区域，在第二排气通道10与第一排气通道6之间的交接口设有扩散屏障11。扩散屏障11防止有机蒸汽反向扩散进入包围源壳体2的腔体，该腔体的壁保持处于低于蒸汽的冷凝温度的温度T2，否则蒸汽可能凝聚于此处。
扩散屏障11由多个扁平且环形的屏障元件12、14、16构成。屏障元件12、14、16分别具有固定边缘和自由边缘，屏障元件12、14、16用固定边缘固定在第二排气通道10的一侧壁上，并且自由边缘与排气通道10的分别相对置的壁间隔距离。根据该间隙以及配属于排气通道10的不同壁的屏障元件12、14、16的仅接触式的贴靠，源壳体2的出口端可以相对壳体1移位。图2示出源壳体2相对壳体1的相对位置，在该相对位置上，壳体1与源壳体2的中心轴线Z一致。在此，源壳体2相对壳体1居中布置。
图6和图7示出源壳体2相对壳体1的偏心布置。这种偏心布置的原因可能在于源壳体2的机械变形，由于蒸发装置3、3＇、3〃内的升高温度T1而导致该变形。蒸发装置3、3＇、3〃的温度高于蒸汽的冷凝温度并且高于壳体1的侧壁温度T2。
环盘形的屏障元件12具有多个沿屏障元件12的整个周向布置在圆弧线上的通气孔13。通气孔13紧邻源壳体2的外壁。屏障元件12以其固定边缘固定在源壳体2的或出口段的端面19的环形凹槽中。屏障元件12的自由边缘段与由壳体1构成的第二排气通道10的相对置的壁间隔距离。
屏障元件14沿流动方向在屏障元件12的前方固定在第二排气通道10的径向内侧的侧壁上，并且同样具有在圆形周周线上均匀分布地布置的通气孔15。
屏障元件16以固定边缘段固定在第二排气通道10的径向外壁上。屏障元件16位于所述两个屏障元件12、14之间并且形成两个彼此背离的宽侧面。在这些宽侧面的每个宽侧面上以接触的方式贴靠屏障元件12、14之一的宽侧面。因此，屏障元件12、14彼此间的距离等于屏障元件16的材料厚度。屏障元件12、14、16以接触并且密封的方式相互叠置，并且可以在垂直于中心线Z延伸的平面内相对移位，例如从图2和图3中所示的位置移动至图6和图7中所示的位置。
通气孔13、15与所属的屏障元件12、14的自由边缘间隔一定距离，使得通气孔13、15即使在极端位移位置上也不会被屏障元件16封闭。因此，屏障元件16仅伸入到第二排气通道10中一段距离，该距离小于或等于通气孔13、15与屏障元件12、14的相应自由边缘的距离。此外，屏障元件12、14、16也具有即使在源壳体2相对装置壳体1的移位达到最大程度时也整周重叠的宽度。为此，透气的屏障元件12、14的通气孔13、15与屏障元件12、14的自由边缘的径向距离构成第一距离。不透气的屏障元件16的自由边缘与固定边缘的距离、即屏障元件16的径向宽度构成第二距离。第三距离为透气的屏障元件12、14的自由边缘与其固定边缘的距离、即屏障元件12、14在第二排气通道10内的径向宽度。第四距离为第二排气通道10的最大宽度、即第二排气通道10的由源壳体2构成的侧壁相对由壳体1构成的侧壁的最大距离。尤其规定，第一距离大于第二距离，并且第二距离与第三距离之和大于第四距离。
屏障元件12、14、16优选由耐腐蚀金属或陶瓷材料制成。所述屏障元件是指在其自由边缘区域内相互接触且密封地重叠的屏障元件12、14、16，其中，屏障元件12、14、16具有圆环形的形状，并且屏障元件16不透气并且优选两个与排气通道10的同一壁固定连接的屏障元件12、14具有优选彼此错开布置的通气孔13、15。第二气流9穿过上游的通气孔15进入构造在两个屏障元件12、14之间的环形的中间室。第二气流9穿过通气孔13从所述中间室进入环形包围输送管道7的出口的间隙空间17。从间隙空间17排出的第二气流9与从第一排气通道6排出的第一气流5一同进入输送管道7，这两个气流在该处混合。第二气流9可以由不易发生反应的惰性气体构成。第一气流5包含通过第一气体输入管道4输入的、尤其惰性的运载气体和在蒸汽装置3、3＇、3〃中形成的蒸汽。因此，通过将第二气流9输入第一气流5发生稀释。
前述实施方式用于说明本申请整体包含的发明，这些发明至少通过以下特征组合分别独立地改进现有技术，即：
一种用于在涂层装置中制备过程气体的装置，所述装置具有壳体1和布置在所述壳体1中的、包含用于液态或固态的起始材料的蒸发装置3、3＇、3〃的源壳体2，具有通入所述源壳体2以产生穿过源壳体2的第一气流5的第一气体输入管道4，具有将第一气流5从所述源壳体2排出到输送管道7中的第一排气通道6，具有通入所述壳体1以产生在所述源壳体2外穿过壳体1的第二气流9的第二气体输入管道8，并且具有将第二气流9从所述壳体1排出到所述输送管道7中的第二排气通道10，第二排气通道10包围第一排气通道6，并且在第二排气通道10中布置有反向扩散屏障11。
一种装置，其特征在于，所述反向扩散屏障11构造为，能够实现所述排气通道6的两个尤其相对置的壁段彼此相对的位置改变。
一种装置，其特征在于，所述反向扩散屏障11具有至少一个不可动地固定在所述源壳体2上的第一屏障元件12和至少一个不可动地固定在所述壳体1上的第二屏障元件16，其中，所述两个屏障元件12、16以密封并且能相对移位的方式相接触，并且至少一个屏障元件12、16是透气的。
一种装置，其特征在于，所述反向扩散屏障11的透气的屏障元件12具有许多通气孔13。
一种装置，其特征在于，所述反向扩散屏障11的不透气的屏障元件以彼此背离的面分别接触地贴靠在具有通气孔13、15的屏障元件12、14上。
一种装置，其特征在于，所述反向扩散屏障11具有至少一个屏障元件12、14，该屏障元件12、14以固定边缘固定在第二排气通道10的由所述源壳体2构成的壁上并且具有自由边缘，该自由边缘与第二排气通道10的由所述壳体1构成的相对置的壁间隔距离，并且所述反向扩散屏障11具有至少一个屏障元件16，该屏障元件16以其固定边缘固定在第二排气通道10的由所述壳体1构成的壁上，并且其自由边缘与第二排气通道10的由所述源壳体2构成的相对置的壁间隔距离。
一种装置，其特征在于，所述屏障元件12、14、16为扁平的环形体，其沿第二气流9的流动方向交替地布置在第二排气通道10的由所述源壳体2形成的内壁上或第二排气通道10的由所述壳体1形成的外壁上。
一种装置，其特征在于，透气的屏障元件12、14的通气孔13、15与该屏障元件12、14的自由边缘的第一距离大于不透气的屏障元件16的自由边缘相对其固定边缘的第二距离，并且第二距离与透气的屏障元件12、14的自由边缘与其固定边缘的第三距离之和大于第二排气通道10的两个保持所述屏障元件12、14、16的壁段之间的最大可能的距离。
一种装置，其特征在于，由多个屏障元件12、14、16构成的反向扩散屏障11布置在固定在所述壳体1的罩盖18上的源壳体2的下游的自由端部上，所述源壳体2的端面19在竖直方向上与阶部20间隔距离，从而所述扩散屏障11的通气孔13通入到间隙空间17中。
一种装置，其特征在于，所述扩散屏障11的自由的通气横截面在所述屏障元件12相对移位时保持不变。
一种装置，其特征在于，所述蒸发装置3、3＇、3〃能被加热至温度T1，该温度T1大于所述壳体1的温度T2。
一种装置，其特征在于，所述蒸发装置3、3＇、3〃由开孔的固态泡沫体构成，所述固态泡沫体能够以通电方式被加热至升高的温度T1。
一种装置，其特征在于，所述装置是具有过程室的CVD或PVD装置的部件，所述输送管道7通入所述过程室，并且在过程室中对基底进行涂层。
所有已公开的技术特征(自身或作为技术特征组合)对于本发明都是有重要意义的。因此，本申请的公开内容也包含相关/所附优先权材料(在先申请文件副本)所公开的全部内容，该材料的技术特征也一并纳入上述申请的权利保护范围内。从属权利要求以其技术特征描述了对现有技术的独立的按照本发明的改良方案的特征，以便尤其在该权利要求的基础上进行分案申请。
附图标记列表
1 壳体
2 源壳体
3 蒸发装置
3＇ 蒸发装置
3〃 蒸发装置
4 第一气体输入管道
5 第一气流
6 第一排气通道
7 输送管道
8 第二气体输入管道
9 第二气流
10 第二排气通道
11 扩散屏障
12 屏障元件
13 通气孔
14 屏障元件
15 通气孔
16 屏障元件
17 间隙空间
18 罩盖
19 端面
20 阶部
Z 中心线

Claims (14)

1.一种用于在涂层设备中制备过程气体的装置，所述装置具有壳体(1)和布置在所述壳体(1)中的、包含用于液态或固态的起始材料的蒸发装置(3、3＇、3〃)的源壳体(2)，具有通入所述源壳体(2)以产生穿过源壳体(2)的第一气流(5)的第一气体输入管道(4)，具有将第一气流(5)从所述源壳体(2)排出到输送管道(7)中的第一排气通道(6)，具有通入所述壳体(1)以产生在所述源壳体(2)外穿过壳体(1)的第二气流(9)的第二气体输入管道(8)，并且具有将第二气流(9)从所述壳体(1)排出到所述输送管道(7)中的第二排气通道(10)，第二排气通道(10)包围第一排气通道(6)，并且在第二排气通道(10)中布置有反向扩散屏障(11)。
2.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，所述反向扩散屏障(11)构造为，能够实现所述排气通道(6)的两个尤其相对置的壁段彼此相对的位置改变。
3.按照权利要求2所述的装置，其特征在于，所述反向扩散屏障(11)具有至少一个不可动地固定在所述源壳体(2)上的第一屏障元件(12)和至少一个不可动地固定在所述壳体(1)上的第二屏障元件(16)，其中，所述两个屏障元件(12、16)密封并且能够相对移位地接触，并且至少一个屏障元件(12、16)是透气的。
4.按照前述权利要求之一所述的装置，其特征在于，所述反向扩散屏障(11)的透气的屏障元件(12)具有许多通气孔(13)。
5.按照权利要求2至4之一所述的装置，其特征在于，所述反向扩散屏障(11)的不透气的屏障元件以彼此背离的面分别接触地贴靠在具有通气孔(13、15)的屏障元件(12、14)上。
6.按照前述权利要求之一所述的装置，其特征在于，所述反向扩散屏障(11)具有至少一个屏障元件(12、14)，该屏障元件(12、14)以固定边缘固定在第二排气通道(10)的由所述源壳体(2)构成的壁上并且具有自由边缘，该自由边缘与第二排气通道(10)的由所述壳体(1)构成的相对置的壁间隔距离，并且所述反向扩散屏障(11)具有至少一个屏障元件(16)，该屏障元件(16)以其固定边缘固定在第二排气通道(10)的由所述壳体(1)构成的壁上，并且其自由边缘与第二排气通道(10)的由所述源壳体(2)构成的相对置的壁间隔距离。
7.按照权利要求2至6之一所述的装置，其特征在于，所述屏障元件(12、14、16)为扁平的环形体，其沿第二气流(9)的流动方向交替地布置在第二排气通道(10)的由所述源壳体(2)形成的内壁上或第二排气通道(10)的由所述壳体(1)形成的外壁上。
8.按照权利要求5至7之一所述的装置，其特征在于，透气的屏障元件(12、14)的通气孔(13、15)与该屏障元件(12、14)的自由边缘的第一距离大于不透气的屏障元件(16)的自由边缘相对其固定边缘的第二距离，并且第二距离与透气的屏障元件(12、14)的自由边缘与其固定边缘的第三距离之和大于第二排气通道(10)的两个保持所述屏障元件(12、14、16)的壁段之间的最大可能的距离。
9.按照前述权利要求之一所述的装置，其特征在于，由多个屏障元件(12、14、16)构成的反向扩散屏障(11)布置在固定在所述壳体(1)的罩盖(18)上的源壳体(2)的下游的自由端部上，所述源壳体(2)的端面(19)在竖直方向上与阶部(20)间隔距离，从而所述扩散屏障(11)的通气孔(13)通入到间隙空间(17)中。
10.按照前述权利要求之一所述的装置，其特征在于，所述扩散屏障(11)的自由的通气横截面在所述屏障元件(12)相对移位时保持不变。
11.按照前述权利要求之一所述的装置，其特征在于，所述蒸发装置(3、3＇、3〃)能够被加热至温度(T1)，该温度(T1)大于所述壳体(1)的温度(T2)。
12.按照前述权利要求之一所述的装置，其特征在于，所述蒸发装置(3、3＇、3〃)由开孔的固态泡沫体构成，所述固态泡沫体能够以通电方式被加热至升高的温度(T1)。
13.按照前述权利要求之一所述的装置，其特征在于，所述装置是具有过程室的CVD或PVD装置的部件，所述输送管道(7)通入所述过程室，并且在过程室中对基底进行涂层。
14.一种装置，其特征在于，所述装置具有前述权利要求之一的一个或多个区别特征。
CN201780013619.8A 2016-01-15 2017-01-10 用于在涂层设备中制备过程气体的装置 Active CN108699689B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016100625.4 2016-01-15
DE102016100625.4A DE102016100625A1 (de) 2016-01-15 2016-01-15 Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschichtungseinrichtung
PCT/EP2017/050362 WO2017121704A1 (de) 2016-01-15 2017-01-10 Vorrichtung zum bereitstellen eines prozessgases in einer beschichtungseinrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108699689A true CN108699689A (zh) 2018-10-23
CN108699689B CN108699689B (zh) 2021-06-15

Family

ID=57860826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780013619.8A Active CN108699689B (zh) 2016-01-15 2017-01-10 用于在涂层设备中制备过程气体的装置

Country Status (5)

Country Link
KR (1) KR20180102168A (zh)
CN (1) CN108699689B (zh)
DE (1) DE102016100625A1 (zh)
TW (1) TWI706050B (zh)
WO (1) WO2017121704A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109778145A (zh) * 2019-03-26 2019-05-21 信阳师范学院 一种用于生产太阳能电池的cvd设备供气装置及其供气方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020110571A1 (de) * 2020-04-17 2021-10-21 Apeva Se Pulverdosierer für einen Aerosolerzeuger

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058528A (ja) * 1998-08-06 2000-02-25 Mitsubishi Electric Corp Ｃｖｄ用液体原料の気化方法、気化装置及びそれを用いたｃｖｄ装置
US20010013504A1 (en) * 1994-04-28 2001-08-16 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
CN1319682A (zh) * 2000-01-27 2001-10-31 硅谷集团热系统责任有限公司 自由浮动屏障与半导体工艺系统
JP2003218042A (ja) * 2002-01-25 2003-07-31 Sony Corp ガス供給方法、ガス逆拡散防止方法、ガス逆拡散防止装置、ガス逆拡散防止機構付き操作弁、ガス逆拡散防止機構付き気化器、液体材料気化供給方法と液体材料気化供給装置、及び半導体製造装置におけるガス供給方法と半導体製造装置
CN101322226A (zh) * 2006-03-31 2008-12-10 东京毅力科创株式会社 基板处理装置以及处理气体喷出机构
US20100012036A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-21 Hugo Silva Isolation for multi-single-wafer processing apparatus
US20100206231A1 (en) * 2007-09-04 2010-08-19 Eugene Technology Co., Ltd. Exhaust unit, exhaust method using the exhaust unit, and substrate processing apparatus including the exhaust unit
CN105164308A (zh) * 2013-02-21 2015-12-16 阿尔塔科技半导体公司 化学气相沉积装置
DE102014109196A1 (de) * 2014-07-01 2016-01-07 Aixtron Se Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes aus einem festen oder flüssigen Ausgangsstoff für eine CVD- oder PVD-Einrichtung
DE102014115497A1 (de) * 2014-10-24 2016-05-12 Aixtron Se Temperierte Gaszuleitung mit an mehreren Stellen eingespeisten Verdünnungsgasströmen

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3640206A1 (de) 1986-11-25 1988-06-01 Basf Ag Batterien aus methanol/luft-brennstoffzellen hoher energie- und leistungsdichte
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US5900103A (en) * 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
JPH08823A (ja) 1994-06-24 1996-01-09 Taito Corp 景品搬送装置
DE102011051260A1 (de) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs
CN103930589B (zh) 2011-06-22 2016-03-30 艾克斯特朗欧洲公司 气相沉积材料源及其制造方法
DE102011051261A1 (de) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs insbesondere Verdampfungsvorrichtung dazu
JP5877245B2 (ja) 2011-06-22 2016-03-02 アイクストロン、エスイー 気相蒸着方法及び気相蒸着装置
WO2012175128A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Vapor deposition system and supply head
JP6017170B2 (ja) 2012-04-18 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 堆積物除去方法及びガス処理装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010013504A1 (en) * 1994-04-28 2001-08-16 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
JP2000058528A (ja) * 1998-08-06 2000-02-25 Mitsubishi Electric Corp Ｃｖｄ用液体原料の気化方法、気化装置及びそれを用いたｃｖｄ装置
CN1319682A (zh) * 2000-01-27 2001-10-31 硅谷集团热系统责任有限公司 自由浮动屏障与半导体工艺系统
JP2003218042A (ja) * 2002-01-25 2003-07-31 Sony Corp ガス供給方法、ガス逆拡散防止方法、ガス逆拡散防止装置、ガス逆拡散防止機構付き操作弁、ガス逆拡散防止機構付き気化器、液体材料気化供給方法と液体材料気化供給装置、及び半導体製造装置におけるガス供給方法と半導体製造装置
CN101322226A (zh) * 2006-03-31 2008-12-10 东京毅力科创株式会社 基板处理装置以及处理气体喷出机构
US20100206231A1 (en) * 2007-09-04 2010-08-19 Eugene Technology Co., Ltd. Exhaust unit, exhaust method using the exhaust unit, and substrate processing apparatus including the exhaust unit
US20100012036A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-21 Hugo Silva Isolation for multi-single-wafer processing apparatus
CN105164308A (zh) * 2013-02-21 2015-12-16 阿尔塔科技半导体公司 化学气相沉积装置
DE102014109196A1 (de) * 2014-07-01 2016-01-07 Aixtron Se Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes aus einem festen oder flüssigen Ausgangsstoff für eine CVD- oder PVD-Einrichtung
DE102014115497A1 (de) * 2014-10-24 2016-05-12 Aixtron Se Temperierte Gaszuleitung mit an mehreren Stellen eingespeisten Verdünnungsgasströmen

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109778145A (zh) * 2019-03-26 2019-05-21 信阳师范学院 一种用于生产太阳能电池的cvd设备供气装置及其供气方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI706050B (zh) 2020-10-01
WO2017121704A1 (de) 2017-07-20
CN108699689B (zh) 2021-06-15
KR20180102168A (ko) 2018-09-14
DE102016100625A1 (de) 2017-07-20
TW201734257A (zh) 2017-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI685913B (zh) 半導體反應室之噴淋頭
US20110023782A1 (en) Gas injection unit for chemical vapor desposition apparatus
TWI722725B (zh) 具有更均勻的邊緣清洗的基板支撐件
CN108699689A (zh) 用于在涂层设备中制备过程气体的装置
WO2016009608A1 (ja) ガス供給装置及びバルブ装置
CN101218543A (zh) 具有改进气体分布的碎片抑制系统
WO2021238955A1 (zh) 一种加热装置及半导体加工设备
EP2977707B1 (en) Flow distributor for heat transfer plate
TWI662147B (zh) 用固態或液態起始材料為ｃｖｄ裝置或ｐｖｄ裝置產生蒸汽之裝置
US11970775B2 (en) Showerhead for providing multiple materials to a process chamber
JPWO2015132920A1 (ja) 熱交換器および熱交換器の製造方法
JP2017521563A (ja) 複数の液体または固体の原材料からｃｖｄまたはｐｖｄ装置のために蒸気を生成する蒸気発生装置および蒸気発生方法
TWI820173B (zh) 具有嵌入式加熱器的面板
WO2009136594A1 (ja) 加熱手段を備えた配管
TW202230830A (zh) 用於半導體製造前驅物的安瓿
KR100972070B1 (ko) 두 개의 상호연결된 공정 유닛을 증기 밀봉식으로 차단시키기 위한 밸브
US11009044B2 (en) Outlet port part and vacuum pump
CN102636059A (zh) 具有复合毛细的热管及其制作方法
WO2018070463A1 (ja) 流体分散装置及び熱処理装置
TWI829829B (zh) 塊型加熱器和塊型加熱器組件
JP6382508B2 (ja) コーティング装置
US9797593B2 (en) Apparatus and method for vapor generation and film deposition
CN209430956U (zh) 保温结构
JP6348790B2 (ja) リング型蒸着源
US9404181B2 (en) Plasma enhanced atomic layer deposition system

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant