JP2003218042A - ガス供給方法、ガス逆拡散防止方法、ガス逆拡散防止装置、ガス逆拡散防止機構付き操作弁、ガス逆拡散防止機構付き気化器、液体材料気化供給方法と液体材料気化供給装置、及び半導体製造装置におけるガス供給方法と半導体製造装置 - Google Patents
ガス供給方法、ガス逆拡散防止方法、ガス逆拡散防止装置、ガス逆拡散防止機構付き操作弁、ガス逆拡散防止機構付き気化器、液体材料気化供給方法と液体材料気化供給装置、及び半導体製造装置におけるガス供給方法と半導体製造装置Info
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- JP2003218042A JP2003218042A JP2002017231A JP2002017231A JP2003218042A JP 2003218042 A JP2003218042 A JP 2003218042A JP 2002017231 A JP2002017231 A JP 2002017231A JP 2002017231 A JP2002017231 A JP 2002017231A JP 2003218042 A JP2003218042 A JP 2003218042A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 主たるガスの供給に際して、配管上流側への
ガスの逆拡散の防止を図る。 【解決手段】 ガス供給方法において、ガス供給配管２
の途中に管内壁の不連続部５を形成し、不連続部５を通
して下流側のガス供給配管２Ｂの内壁面に沿ってシール
ドガス１４を導入しながら上流側のガス供給配管２Ａか
ら主たるガス１３を供給する。
ガスの逆拡散の防止を図る。 【解決手段】 ガス供給方法において、ガス供給配管２
の途中に管内壁の不連続部５を形成し、不連続部５を通
して下流側のガス供給配管２Ｂの内壁面に沿ってシール
ドガス１４を導入しながら上流側のガス供給配管２Ａか
ら主たるガス１３を供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気体輸送配管中の
気体の逆拡散防止に関するもので、より詳しくは、例え
ば、半導体製造装置等における液体材料を気化供給する
システムに適応可能な、ガス供給方法、ガス逆拡散防止
方法、ガス逆拡散防止装置、ガス逆拡散防止機構付き操
作弁、ガス逆拡散防止機構付き気化器、液体材料気化供
給方法と液体材料気化供給装置、及び半導体製造装置に
おけるガス供給方法と半導体製造装置に関する。
気体の逆拡散防止に関するもので、より詳しくは、例え
ば、半導体製造装置等における液体材料を気化供給する
システムに適応可能な、ガス供給方法、ガス逆拡散防止
方法、ガス逆拡散防止装置、ガス逆拡散防止機構付き操
作弁、ガス逆拡散防止機構付き気化器、液体材料気化供
給方法と液体材料気化供給装置、及び半導体製造装置に
おけるガス供給方法と半導体製造装置に関する。
【０００２】
【０００３】図１２は、半導体製造装置の一つである、
液体材料気化供給システムを備えたＣＶＤ（化学気相成
長）装置の一例を示す。このＣＶＤ装置７０は、液体材
料を収容した液体材料タンク７１と、この液体材料タン
ク７１からの液体材料を気化する気化器７３と、気化さ
れた材料ガス（いわゆる気化材料ガス）がキャリアガス
７９と共に供給され、配置された半導体ウェーハ上に所
要の成膜を行う半導体ウェーハ処理室（いわゆるプロセ
スチャンバ）７３と、気化器７２と半導体ウェーハ処理
室７３との間にあって気化材料ガスとキャリアガスとの
混合ガス８０の通路を切り換える、即ち成膜時には半導
体ウェーハ処理室７３へ供給し、処理時以外、例えば半
導体ウェーハ処理室のパージ中や処理ウェーハの入れ替
え時にはベント側へ排気するための配管切替えバルブ７
４とを有してなる。配管切替えバルブ７４は、成膜時に
開き、成膜時以外の時に閉じるチャンバ側開閉弁７４ａ
と、成膜時以外の時に開き、成膜時に閉じるベント側開
閉弁７４ｂとを有してなる。７５は液体材料７８の流量
を制御する液体材料流量コントローラ、７６はキャリア
ガス７９の流量を制御するキャリアガス流量コントロー
ラを示す。これ等の液体材料タンク７１、気化器７２、
半導体ウェーハ処理室７３、配管切替えバルブ７４、流
量コントローラ７５、７６は、相互に配管４７によって
連結されている。
液体材料気化供給システムを備えたＣＶＤ（化学気相成
長）装置の一例を示す。このＣＶＤ装置７０は、液体材
料を収容した液体材料タンク７１と、この液体材料タン
ク７１からの液体材料を気化する気化器７３と、気化さ
れた材料ガス（いわゆる気化材料ガス）がキャリアガス
７９と共に供給され、配置された半導体ウェーハ上に所
要の成膜を行う半導体ウェーハ処理室（いわゆるプロセ
スチャンバ）７３と、気化器７２と半導体ウェーハ処理
室７３との間にあって気化材料ガスとキャリアガスとの
混合ガス８０の通路を切り換える、即ち成膜時には半導
体ウェーハ処理室７３へ供給し、処理時以外、例えば半
導体ウェーハ処理室のパージ中や処理ウェーハの入れ替
え時にはベント側へ排気するための配管切替えバルブ７
４とを有してなる。配管切替えバルブ７４は、成膜時に
開き、成膜時以外の時に閉じるチャンバ側開閉弁７４ａ
と、成膜時以外の時に開き、成膜時に閉じるベント側開
閉弁７４ｂとを有してなる。７５は液体材料７８の流量
を制御する液体材料流量コントローラ、７６はキャリア
ガス７９の流量を制御するキャリアガス流量コントロー
ラを示す。これ等の液体材料タンク７１、気化器７２、
半導体ウェーハ処理室７３、配管切替えバルブ７４、流
量コントローラ７５、７６は、相互に配管４７によって
連結されている。
【０００４】このＣＶＤ装置７０では、液体材料７８が
液体材料タンク７１から例えばＨｅ（ヘリウム）等の不
活性ガス（図示せず）により圧送され、液体材料流量コ
ントローラ７５にて供給量が制御されて気化器７２に供
給される。気化器７２内で液体材料が気化され気化材料
ガス、いわゆる反応性ガスが生成されると共に、気化器
７２に気化材料ガスの輸送に必要なキャリアガス７９が
供給され、気化器７２で両者が混合され、混合ガス８０
として排出される。キャリアガス７９は、キャリアガス
コントローラ７６にて供給量が制御される。気化材料ガ
ス及びキャリアガスの混合ガス８０は、成膜時に配管切
替えバルブ７４の開状態のチャンバ側開閉弁７４ａを通
じて半導体ウェーハ処理室７３に供給される。これによ
り、半導体ウェーハ上に所要の成膜が行われる。成膜時
以外の例えば半導体ウェーハ処理室７３のパージ中や処
理ウェーハの入れ替え時には、上記混合ガス８０は配管
切替えバルブ７４の開状態のベント側開閉弁７４ｂを通
じてベント側へ排気される。これは、気化器７２の気化
性能の応答速度やその再現性が所望の成膜速度制御性を
満たさないためであり、実質的に配管切替えバルブ７４
〔７４ａ，７４ｂ〕の切り替えタイミングで成膜時間の
制御を行う方が有効なためである。
液体材料タンク７１から例えばＨｅ（ヘリウム）等の不
活性ガス（図示せず）により圧送され、液体材料流量コ
ントローラ７５にて供給量が制御されて気化器７２に供
給される。気化器７２内で液体材料が気化され気化材料
ガス、いわゆる反応性ガスが生成されると共に、気化器
７２に気化材料ガスの輸送に必要なキャリアガス７９が
供給され、気化器７２で両者が混合され、混合ガス８０
として排出される。キャリアガス７９は、キャリアガス
コントローラ７６にて供給量が制御される。気化材料ガ
ス及びキャリアガスの混合ガス８０は、成膜時に配管切
替えバルブ７４の開状態のチャンバ側開閉弁７４ａを通
じて半導体ウェーハ処理室７３に供給される。これによ
り、半導体ウェーハ上に所要の成膜が行われる。成膜時
以外の例えば半導体ウェーハ処理室７３のパージ中や処
理ウェーハの入れ替え時には、上記混合ガス８０は配管
切替えバルブ７４の開状態のベント側開閉弁７４ｂを通
じてベント側へ排気される。これは、気化器７２の気化
性能の応答速度やその再現性が所望の成膜速度制御性を
満たさないためであり、実質的に配管切替えバルブ７４
〔７４ａ，７４ｂ〕の切り替えタイミングで成膜時間の
制御を行う方が有効なためである。
【０００５】図１２に示したＣＶＤ装置７０により成膜
を行う半導体装置の製造プロセスに於いて、液体材料を
気化した反応ガスをキャリアガスと共にチャンバ７３へ
供給する際、液体材料の気化量はＣＶＤ反応によって得
られる膜質が所望の特性を有するように最適化される。
また、キャリアガス種及びその流量は、気化効率、輸送
効率、及びＣＶＤ反応条件が最適となるように選定され
る。
を行う半導体装置の製造プロセスに於いて、液体材料を
気化した反応ガスをキャリアガスと共にチャンバ７３へ
供給する際、液体材料の気化量はＣＶＤ反応によって得
られる膜質が所望の特性を有するように最適化される。
また、キャリアガス種及びその流量は、気化効率、輸送
効率、及びＣＶＤ反応条件が最適となるように選定され
る。
【０００６】ＣＶＤ法に於いては、反応ガスが２種類以
上の場合も少なくなく、この場合、主たる反応ガスに加
え、酸化や窒化、還元性ガスを半導体ウェーハ処理室で
混合させ反応させている。液体材料を気化させて供給す
る場合にもこのことが言え、例えばＴＥＯＳ（テトラエ
トキシシラン）を気化し供給してチャンバ７３内で酸素
と反応させる、あるいはＰＥＴ（ペンタエトキシタンタ
ル）を気化し供給してチャンバ７３内で酸素と反応させ
る、といった材料の供給形態を採ることがある。
上の場合も少なくなく、この場合、主たる反応ガスに加
え、酸化や窒化、還元性ガスを半導体ウェーハ処理室で
混合させ反応させている。液体材料を気化させて供給す
る場合にもこのことが言え、例えばＴＥＯＳ（テトラエ
トキシシラン）を気化し供給してチャンバ７３内で酸素
と反応させる、あるいはＰＥＴ（ペンタエトキシタンタ
ル）を気化し供給してチャンバ７３内で酸素と反応させ
る、といった材料の供給形態を採ることがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、配管７７の
内径ｄ1 に対し十分な量のキャリアガス７９が流せれば
何ら問題は発生しない（図１３Ａ参照）。しかし、上述
のように高真空下におけるＣＶＤ反応の場合に、成膜特
性によるキャリアガス流量の制限がしばしば発生し、配
管７７に対して十分なキャリアガス流量が確保できない
とき、チャンバ７３内に供給した酸素等のガスが、液体
材料を気化供給中にチャンバ７３から気化器７２に向か
って配管の内壁を伝って非常に僅かな量ではあるが逆拡
散（いわゆる逆流：符号８２参照）する現象が発生す
る。これは、高真空下においてガスの平均自由行程が増
すことと、配管７９内におけるガス流の作用反作用によ
って発生するものと考えられる。
内径ｄ1 に対し十分な量のキャリアガス７９が流せれば
何ら問題は発生しない（図１３Ａ参照）。しかし、上述
のように高真空下におけるＣＶＤ反応の場合に、成膜特
性によるキャリアガス流量の制限がしばしば発生し、配
管７７に対して十分なキャリアガス流量が確保できない
とき、チャンバ７３内に供給した酸素等のガスが、液体
材料を気化供給中にチャンバ７３から気化器７２に向か
って配管の内壁を伝って非常に僅かな量ではあるが逆拡
散（いわゆる逆流：符号８２参照）する現象が発生す
る。これは、高真空下においてガスの平均自由行程が増
すことと、配管７９内におけるガス流の作用反作用によ
って発生するものと考えられる。
【０００８】この結果、逆拡散した酸素により気化器７
２内で酸化反応を発生させ酸化物を形成し、気化器７２
を閉塞させてしまう問題がしばしば発生する。特に、気
化ガスの分子量が大きく重いガスは、配管７９内でのガ
ス密度分布が発生しやすく、この傾向が顕著となる（図
１３Ｂ参照）。
２内で酸化反応を発生させ酸化物を形成し、気化器７２
を閉塞させてしまう問題がしばしば発生する。特に、気
化ガスの分子量が大きく重いガスは、配管７９内でのガ
ス密度分布が発生しやすく、この傾向が顕著となる（図
１３Ｂ参照）。
【０００９】一般的にガス材料の場合、いわゆる逆止弁
（図示せず）を配管経路に設置することで、ガスの逆流
を防いでいるが、この場合は圧力差による機械的作動で
あり、主たるガスが正常な状態で流れている環境下にお
いて部分的な逆拡散を阻止する性能はない。逆に液体材
料の場合、特に蒸気圧の低い材料では輸送配管を加熱し
て再液化を防いでいる。しかし、輸送経路に逆止弁等の
細いオリフィスが存在したり、熱容量の異なる構成部品
が多数存在した場合、再液化の要因となり好ましくな
い。
（図示せず）を配管経路に設置することで、ガスの逆流
を防いでいるが、この場合は圧力差による機械的作動で
あり、主たるガスが正常な状態で流れている環境下にお
いて部分的な逆拡散を阻止する性能はない。逆に液体材
料の場合、特に蒸気圧の低い材料では輸送配管を加熱し
て再液化を防いでいる。しかし、輸送経路に逆止弁等の
細いオリフィスが存在したり、熱容量の異なる構成部品
が多数存在した場合、再液化の要因となり好ましくな
い。
【００１０】従来、これを防ぐには、キャリアガス流量
を輸送配管内径に適した量に増やすか、もしくは、輸送
配管内径をキャリアガス流量に適した内径に設定するこ
とが有効である。しかし、キャリアガス流量の制御はＣ
ＶＤ反応を優先した場合に不可能であることが多く、ま
た、配管内径の最適化も配管の流通規格があるため、任
意に設定するこは非常に困難であるといえる。
を輸送配管内径に適した量に増やすか、もしくは、輸送
配管内径をキャリアガス流量に適した内径に設定するこ
とが有効である。しかし、キャリアガス流量の制御はＣ
ＶＤ反応を優先した場合に不可能であることが多く、ま
た、配管内径の最適化も配管の流通規格があるため、任
意に設定するこは非常に困難であるといえる。
【００１１】本発明は、上述の点に鑑み、逆拡散ガス
（例えば主たるガス以外の異なるガスの逆拡散）を、機
械作動的な逆流防止手段を用いることなく、また、気
化、輸送、プロセス条件等を変更することなく可能にす
る、ガス供給方法、ガス逆拡散防止方法、ガス逆拡散防
止装置、ガス逆拡散防止機構付き操作弁、ガス逆拡散防
止機構付き気化器、液体材料気化供給方法と液体材料気
化供給装置、及び半導体製造装置におけるガス供給方法
と半導体製造装置を提供するものである。
（例えば主たるガス以外の異なるガスの逆拡散）を、機
械作動的な逆流防止手段を用いることなく、また、気
化、輸送、プロセス条件等を変更することなく可能にす
る、ガス供給方法、ガス逆拡散防止方法、ガス逆拡散防
止装置、ガス逆拡散防止機構付き操作弁、ガス逆拡散防
止機構付き気化器、液体材料気化供給方法と液体材料気
化供給装置、及び半導体製造装置におけるガス供給方法
と半導体製造装置を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガス供給に際
して、ガス供給配管の途中に管内壁の不連続部を形成
し、この不連続部を通して下流側のガス供給配管の内壁
に沿ってシールド用ガスを導入しながら、ガス供給配管
の上流側から主たるガスを供給する。
して、ガス供給配管の途中に管内壁の不連続部を形成
し、この不連続部を通して下流側のガス供給配管の内壁
に沿ってシールド用ガスを導入しながら、ガス供給配管
の上流側から主たるガスを供給する。
【００１３】本発明のガス供給法によれば、主たるガス
の供給と共に、不連続部からシールド用ガスをガス供給
配管の内壁に沿って導入することにより、配管内壁に沿
って不連続部まで来た逆拡散（逆流）ガスは不連続部付
近において阻止される。
の供給と共に、不連続部からシールド用ガスをガス供給
配管の内壁に沿って導入することにより、配管内壁に沿
って不連続部まで来た逆拡散（逆流）ガスは不連続部付
近において阻止される。
【００１４】本発明は、ガス逆拡散防止に際して、内径
をガス流の下流側に向かってガス供給配管の内径より細
くした異径管を設け、異径管の内径が細い端部とガス供
給配管との間に形成した不連続部を通してガス供給配管
の内壁に沿ってシールド用ガスを導入し、下流側からの
逆拡散ガスを防止する。
をガス流の下流側に向かってガス供給配管の内径より細
くした異径管を設け、異径管の内径が細い端部とガス供
給配管との間に形成した不連続部を通してガス供給配管
の内壁に沿ってシールド用ガスを導入し、下流側からの
逆拡散ガスを防止する。
【００１５】本発明のガス逆拡散防止方法によれば、ガ
ス流の下流側に向かって内径を小さくした異径管を設け
ることにより、異径管内を流れる主たるガスのガス密
度、流速が増し、逆拡散ガスを抑制できる。しかも、異
径管とガス供給配管との間に形成した不連続部を通して
下流側にシールド用ガスを導入することにより、配管内
壁に沿って不連続部まで来た逆拡散（逆流）ガスは不連
続部付近において阻止される。
ス流の下流側に向かって内径を小さくした異径管を設け
ることにより、異径管内を流れる主たるガスのガス密
度、流速が増し、逆拡散ガスを抑制できる。しかも、異
径管とガス供給配管との間に形成した不連続部を通して
下流側にシールド用ガスを導入することにより、配管内
壁に沿って不連続部まで来た逆拡散（逆流）ガスは不連
続部付近において阻止される。
【００１６】本発明に係るガス逆拡散防止装置は、内径
を主ガス流の下流側に向かってガス供給配管の内径より
細くした異径管と、異径管の内径が細い端部とガス供給
配管との間に形成された不連続部と、不連続部を通して
ガス供給配管の内壁に沿って、シールド用ガスを導入す
るシールド用ガス導入部とから成る。
を主ガス流の下流側に向かってガス供給配管の内径より
細くした異径管と、異径管の内径が細い端部とガス供給
配管との間に形成された不連続部と、不連続部を通して
ガス供給配管の内壁に沿って、シールド用ガスを導入す
るシールド用ガス導入部とから成る。
【００１７】本発明のガス逆拡散防止装置によれば、内
径を主ガス流の下流側に向かってガス供給配管の内径よ
り細くした異径管を有するので、異径管内を流れる主た
るガスのガス密度、流速が増し、逆拡散ガスを抑制でき
る。しかも、異径管と、ガス供給配管との間に不連続部
を形成し、この不連続部からガス供給配管の内壁に沿っ
て、シールド用ガス導入部からのシールド用ガスを導入
することにより、配管内壁に沿って不連続部まで来た逆
拡散（逆流）ガスは不連続部付近において阻止される。
径を主ガス流の下流側に向かってガス供給配管の内径よ
り細くした異径管を有するので、異径管内を流れる主た
るガスのガス密度、流速が増し、逆拡散ガスを抑制でき
る。しかも、異径管と、ガス供給配管との間に不連続部
を形成し、この不連続部からガス供給配管の内壁に沿っ
て、シールド用ガス導入部からのシールド用ガスを導入
することにより、配管内壁に沿って不連続部まで来た逆
拡散（逆流）ガスは不連続部付近において阻止される。
【００１８】本発明は、上記のガス逆拡散防止機能を、
液体材料を気化して供給する液体材料気化供給方法、或
いは半導体製造装置におけるガス供給方法に持たせる。
本発明は、上記のガス逆拡散防止機構を、液体材料を気
化して供給する液体材料気化供給装置、或いは半導体製
造装置に組み入れる。このようにすれば、逆拡散ガスを
防止して主たるガスの供給を可能にする。
液体材料を気化して供給する液体材料気化供給方法、或
いは半導体製造装置におけるガス供給方法に持たせる。
本発明は、上記のガス逆拡散防止機構を、液体材料を気
化して供給する液体材料気化供給装置、或いは半導体製
造装置に組み入れる。このようにすれば、逆拡散ガスを
防止して主たるガスの供給を可能にする。
【００１９】本発明は、上記のガス逆拡散防止機構を、
ガス供給配管の配置される操作弁、或いは気化器に一体
に設けるようにする。このようにすれば、操作弁、気化
器で逆拡散ガス防止が可能なる。
ガス供給配管の配置される操作弁、或いは気化器に一体
に設けるようにする。このようにすれば、操作弁、気化
器で逆拡散ガス防止が可能なる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明に係るガス供給方法は、ガ
ス供給配管の途中に管内壁の不連続部を形成し、不連続
部を通して下流側のガス供給配管の内壁に沿ってシール
ド用ガスを導入しながら、ガス供給配管の上流側から主
たるガスを供給する。本発明に係るガス逆拡散防止方法
は、内径をガス流の下流側に向かってガス供給配管の内
径より細くした異径管を設け、異径管の内径が細い端部
とガス供給配管との間に形成した不連続部を通してガス
供給配管の内壁に沿ってシールド用ガスを導入し、下流
側からの逆拡散ガス（例えば、異ガスの逆拡散）を防止
する。本発明に係るガス逆拡散防止装置は、内径を主ガ
ス流の下流側に向かってガス供給配管の内径より細くし
た異径管と、異径管の内径が細い端部とガス供給配管と
の間に形成された不連続部と、不連続部を通してガス供
給配管の内壁に沿って、下流側からの逆拡散ガス（例え
ば、異ガスの逆拡散）を防止するシールド用ガスを導入
するシールド用ガス導入部とから成る。
ス供給配管の途中に管内壁の不連続部を形成し、不連続
部を通して下流側のガス供給配管の内壁に沿ってシール
ド用ガスを導入しながら、ガス供給配管の上流側から主
たるガスを供給する。本発明に係るガス逆拡散防止方法
は、内径をガス流の下流側に向かってガス供給配管の内
径より細くした異径管を設け、異径管の内径が細い端部
とガス供給配管との間に形成した不連続部を通してガス
供給配管の内壁に沿ってシールド用ガスを導入し、下流
側からの逆拡散ガス（例えば、異ガスの逆拡散）を防止
する。本発明に係るガス逆拡散防止装置は、内径を主ガ
ス流の下流側に向かってガス供給配管の内径より細くし
た異径管と、異径管の内径が細い端部とガス供給配管と
の間に形成された不連続部と、不連続部を通してガス供
給配管の内壁に沿って、下流側からの逆拡散ガス（例え
ば、異ガスの逆拡散）を防止するシールド用ガスを導入
するシールド用ガス導入部とから成る。
【００２１】本発明に係るガス逆拡散防止機構付き操作
弁は、ガス流通路を有し主ガス流通の開閉弁が設けられ
たハウジング内に、下流側からの逆拡散ガス（例えば、
異ガスの逆拡散）を防止するガス逆流防止機構が一体に
組み込まれ、ガス逆流防止機構が、内径を主ガス流の下
流側に向かって前記開閉弁に通じるガス流通路の内径よ
り細くした異径管と、異径管の内径が細い端部と前記ガ
ス流通路との間に形成された不連続部と、不連続部を通
してガス供給配管の内壁に沿ってシールド用ガスを導入
するシールド用ガス導入部とからなる構成とする。本発
明に係るガス逆拡散防止機構付き操作弁は、主ガス流通
の開閉弁が設けられたハウジング内に、シールド用ガス
を導入して下流側からの逆拡散ガス（例えば、異ガスの
逆拡散）を防止するガス逆流防止機構と、シールド用ガ
スの遮断弁とが一体に組み込まれ、ガス逆流防止機構
が、内径を主ガス流の下流側に向かって開閉弁に通じる
ガス流通路の内径より細くした異径管と、異径管の内径
が細い端部と前記ガス流通路との間に形成された不連続
部と、不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に沿っ
て前記シールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部
とからなる構成とする。
弁は、ガス流通路を有し主ガス流通の開閉弁が設けられ
たハウジング内に、下流側からの逆拡散ガス（例えば、
異ガスの逆拡散）を防止するガス逆流防止機構が一体に
組み込まれ、ガス逆流防止機構が、内径を主ガス流の下
流側に向かって前記開閉弁に通じるガス流通路の内径よ
り細くした異径管と、異径管の内径が細い端部と前記ガ
ス流通路との間に形成された不連続部と、不連続部を通
してガス供給配管の内壁に沿ってシールド用ガスを導入
するシールド用ガス導入部とからなる構成とする。本発
明に係るガス逆拡散防止機構付き操作弁は、主ガス流通
の開閉弁が設けられたハウジング内に、シールド用ガス
を導入して下流側からの逆拡散ガス（例えば、異ガスの
逆拡散）を防止するガス逆流防止機構と、シールド用ガ
スの遮断弁とが一体に組み込まれ、ガス逆流防止機構
が、内径を主ガス流の下流側に向かって開閉弁に通じる
ガス流通路の内径より細くした異径管と、異径管の内径
が細い端部と前記ガス流通路との間に形成された不連続
部と、不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に沿っ
て前記シールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部
とからなる構成とする。
【００２２】本発明に係るガス逆拡散防止機構付き気化
器は、液体材料を気化する気化器の出口側に、シールド
用ガスを導入して下流側からの逆拡散ガス（例えば、異
ガスの逆拡散）を防止するガス逆流防止機構が取り付け
られ、ガス逆流防止機構が、内径を主ガス流の下流側に
向かって開閉弁に通じるガス流通路の内径より細くした
異径管と、異径管の内径が細い端部とガス流通路との間
に形成された不連続部と、不連続部を通してガス供給配
管の内壁に沿ってシールド用ガスを導入するシールド用
ガス導入部とからなる構成とする。
器は、液体材料を気化する気化器の出口側に、シールド
用ガスを導入して下流側からの逆拡散ガス（例えば、異
ガスの逆拡散）を防止するガス逆流防止機構が取り付け
られ、ガス逆流防止機構が、内径を主ガス流の下流側に
向かって開閉弁に通じるガス流通路の内径より細くした
異径管と、異径管の内径が細い端部とガス流通路との間
に形成された不連続部と、不連続部を通してガス供給配
管の内壁に沿ってシールド用ガスを導入するシールド用
ガス導入部とからなる構成とする。
【００２３】本発明に係る液体材料気化供給方法は、液
体材料供給手段からの液体材料を気化手段により気化
し、この気化材料ガスを、内径をガス流の下流側に向か
ってガス供給配管の内径より細くした異径管を有し、異
径管と下流側のガス供給管との間の不連続部からシール
ド用ガスを導入するように構成されたガス逆拡散防止機
構を通して、不連続部から下流側のガス供給配管の内壁
に沿ってシールド用ガスを供給しながら切替え手段を通
じて処理室に供給する。本発明に係る液体材料気化供給
方法は、液体材料供給手段からの液体材料を気化手段に
より気化し、この気化材料ガスを、内径をガス流の下流
側に向かってガス供給配管の内径より細くした異径管を
有し、異径管と下流側のガス供給管との間の不連続部か
らシールド用ガスを導入するように構成されたガス逆拡
散防止機構が主ガス流通の開閉弁が設けられたハウジン
グ内に一体に組み込まれてなるガス逆拡散防止機構付き
切替え手段を通じて、ガス逆拡散防止機構の不連続部か
ら下流側のガス供給配管の内壁に沿ってシールド用ガス
を供給しながら処理室に供給する。
体材料供給手段からの液体材料を気化手段により気化
し、この気化材料ガスを、内径をガス流の下流側に向か
ってガス供給配管の内径より細くした異径管を有し、異
径管と下流側のガス供給管との間の不連続部からシール
ド用ガスを導入するように構成されたガス逆拡散防止機
構を通して、不連続部から下流側のガス供給配管の内壁
に沿ってシールド用ガスを供給しながら切替え手段を通
じて処理室に供給する。本発明に係る液体材料気化供給
方法は、液体材料供給手段からの液体材料を気化手段に
より気化し、この気化材料ガスを、内径をガス流の下流
側に向かってガス供給配管の内径より細くした異径管を
有し、異径管と下流側のガス供給管との間の不連続部か
らシールド用ガスを導入するように構成されたガス逆拡
散防止機構が主ガス流通の開閉弁が設けられたハウジン
グ内に一体に組み込まれてなるガス逆拡散防止機構付き
切替え手段を通じて、ガス逆拡散防止機構の不連続部か
ら下流側のガス供給配管の内壁に沿ってシールド用ガス
を供給しながら処理室に供給する。
【００２４】本発明に係る液体材料気化供給方法は、液
体材料供給手段からの液体材料を気化手段により気化
し、この気化材料ガスを、 内径をガス流の下流側に向
かってガス供給配管の内径より細くした異径管を有し、
異径管と下流側のガス供給管との間の不連続部からシー
ルド用ガスを導入するように構成されたガス逆拡散防止
機構と前記シールド用ガスの遮断弁とが主ガス流通の開
閉弁が設けられたハウジング内に一体に組み込まれてな
るガス逆拡散防止機構付き切替え手段を通じて、ガス逆
拡散防止機構の不連続部から下流側のガス供給配管の内
壁に沿ってシールド用ガスを供給しながら処理室に供給
する。本発明に係る液体材料気化供給方法は、液体材料
供給手段からの液体材料を、内径をガス流の下流側に向
かってガス供給配管の内径より細くした異径管を有しこ
の異径管と下流側のガス供給管との間の不連続部からシ
ールド用ガスを導入するように構成されたガス逆拡散防
止機構が、出口側に取付けられてなるガス逆拡散防止機
構付き気化手段により気化し、この気化材料ガスを、ガ
ス逆拡散防止機構の不連続部から下流側のガス供給配管
の内壁に沿ってシールド用ガスを供給しながら切替え手
段を通じて処理室に供給する。
体材料供給手段からの液体材料を気化手段により気化
し、この気化材料ガスを、 内径をガス流の下流側に向
かってガス供給配管の内径より細くした異径管を有し、
異径管と下流側のガス供給管との間の不連続部からシー
ルド用ガスを導入するように構成されたガス逆拡散防止
機構と前記シールド用ガスの遮断弁とが主ガス流通の開
閉弁が設けられたハウジング内に一体に組み込まれてな
るガス逆拡散防止機構付き切替え手段を通じて、ガス逆
拡散防止機構の不連続部から下流側のガス供給配管の内
壁に沿ってシールド用ガスを供給しながら処理室に供給
する。本発明に係る液体材料気化供給方法は、液体材料
供給手段からの液体材料を、内径をガス流の下流側に向
かってガス供給配管の内径より細くした異径管を有しこ
の異径管と下流側のガス供給管との間の不連続部からシ
ールド用ガスを導入するように構成されたガス逆拡散防
止機構が、出口側に取付けられてなるガス逆拡散防止機
構付き気化手段により気化し、この気化材料ガスを、ガ
ス逆拡散防止機構の不連続部から下流側のガス供給配管
の内壁に沿ってシールド用ガスを供給しながら切替え手
段を通じて処理室に供給する。
【００２５】本発明に係る液体材料気化供給装置は、液
体材料供給手段と、液体材料の気化手段と、液体材料を
気化した気化材料ガスを供給して処理を行う処理室と、
気化手段と処理室との間に気化材料ガスの流路を切り換
える切替え手段と、気化手段と切替え手段との間にシー
ルド用ガスを導入して下流側からの逆拡散ガス（例え
ば、異ガスの逆拡散）を防止するガス逆流防止機構とを
備え、ガス逆流防止機構が、内径を主ガス流の下流側に
向かって開閉弁に通じるガス流通路の内径より細くした
異径管と、異径管の内径が細い端部と前記ガス流通路と
の間に形成された不連続部と、不連続部を通してガス供
給配管の内壁に沿ってシールド用ガスを導入するシール
ド用ガス導入部とからなる構成とする。本発明に係る液
体材料気化供給装置は、液体材料供給手段と、液体材料
の気化手段と、液体材料を気化した気化材料ガスを供給
して処理を行う処理室と、気化手段と処理室との間に気
化材料ガスの流路を切り換える切替え手段とを備え、切
替え手段は、主ガス流通の開閉弁が設けられたハウジン
グ内に、下流側からの逆拡散ガス（例えば、異ガスの逆
拡散）を防止するガス逆流防止機構が一体に組み込まれ
たガス逆拡散防止機構付き切替え弁から成り、ガス逆流
防止機構が、内径を主ガス流の下流側に向かって前記開
閉弁に通じるガス流通路の内径より細くした異径管と、
異径管の内径が細い端部とガス流通路との間に形成され
た不連続部と、不連続部を通してガス供給配管の内壁に
沿って前記シールド用ガスを導入するシールド用ガス導
入部とからなる構成とする。
体材料供給手段と、液体材料の気化手段と、液体材料を
気化した気化材料ガスを供給して処理を行う処理室と、
気化手段と処理室との間に気化材料ガスの流路を切り換
える切替え手段と、気化手段と切替え手段との間にシー
ルド用ガスを導入して下流側からの逆拡散ガス（例え
ば、異ガスの逆拡散）を防止するガス逆流防止機構とを
備え、ガス逆流防止機構が、内径を主ガス流の下流側に
向かって開閉弁に通じるガス流通路の内径より細くした
異径管と、異径管の内径が細い端部と前記ガス流通路と
の間に形成された不連続部と、不連続部を通してガス供
給配管の内壁に沿ってシールド用ガスを導入するシール
ド用ガス導入部とからなる構成とする。本発明に係る液
体材料気化供給装置は、液体材料供給手段と、液体材料
の気化手段と、液体材料を気化した気化材料ガスを供給
して処理を行う処理室と、気化手段と処理室との間に気
化材料ガスの流路を切り換える切替え手段とを備え、切
替え手段は、主ガス流通の開閉弁が設けられたハウジン
グ内に、下流側からの逆拡散ガス（例えば、異ガスの逆
拡散）を防止するガス逆流防止機構が一体に組み込まれ
たガス逆拡散防止機構付き切替え弁から成り、ガス逆流
防止機構が、内径を主ガス流の下流側に向かって前記開
閉弁に通じるガス流通路の内径より細くした異径管と、
異径管の内径が細い端部とガス流通路との間に形成され
た不連続部と、不連続部を通してガス供給配管の内壁に
沿って前記シールド用ガスを導入するシールド用ガス導
入部とからなる構成とする。
【００２６】本発明に係る液体材料気化供給装置は、液
体材料供給手段と、液体材料の気化手段と、液体材料を
気化した気化材料ガスを供給して処理を行う処理室と、
気化手段と処理室との間に気化材料ガスの流路を切り換
える切替え手段とを備え、切替え手段は、主ガス流通の
開閉弁が設けられたハウジング内に、シールド用ガスを
導入して下流側からの逆拡散ガス（例えば、異ガスの逆
拡散）を防止するガス逆流防止機構と、シールド用ガス
の遮断弁とが一体に組み込まれたガス逆拡散防止機構付
き切替え手段から成り、ガス逆流防止機構が、内径を主
ガス流の下流側に向かって開閉弁に通じるガス流通路の
内径より細くした異径管と、異径管の内径が細い端部と
ガス流通路との間に形成された不連続部と、不連続部を
通してガス供給配管の内壁に沿って前記シールド用ガス
を導入するシールド用ガス導入部とからなる構成とす
る。本発明に係る液体材料気化供給装置は、液体材料供
給手段と、液体材料の気化手段と、液体材料を気化した
気化材料ガスを供給して処理を行う処理室と、気化手段
と処理室との間に気化材料ガスの流路を切り換える切替
え手段とを備え、気化器は、出口側に、シールド用ガス
を導入して下流側からの逆拡散ガス（例えば、異ガスの
逆拡散）を防止するガス逆流防止機構が取り付けられた
ガス逆拡散防止機構付き気化器から成り、ガス逆流防止
機構が、内径を主ガス流の下流側に向かって開閉弁に通
じるガス流通路の内径より細くした異径管と、異径管の
内径が細い端部と前記ガス流通路との間に形成された不
連続部と、不連続部を通してガス供給配管の内壁に沿っ
てシールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部とか
らなる構成とする。
体材料供給手段と、液体材料の気化手段と、液体材料を
気化した気化材料ガスを供給して処理を行う処理室と、
気化手段と処理室との間に気化材料ガスの流路を切り換
える切替え手段とを備え、切替え手段は、主ガス流通の
開閉弁が設けられたハウジング内に、シールド用ガスを
導入して下流側からの逆拡散ガス（例えば、異ガスの逆
拡散）を防止するガス逆流防止機構と、シールド用ガス
の遮断弁とが一体に組み込まれたガス逆拡散防止機構付
き切替え手段から成り、ガス逆流防止機構が、内径を主
ガス流の下流側に向かって開閉弁に通じるガス流通路の
内径より細くした異径管と、異径管の内径が細い端部と
ガス流通路との間に形成された不連続部と、不連続部を
通してガス供給配管の内壁に沿って前記シールド用ガス
を導入するシールド用ガス導入部とからなる構成とす
る。本発明に係る液体材料気化供給装置は、液体材料供
給手段と、液体材料の気化手段と、液体材料を気化した
気化材料ガスを供給して処理を行う処理室と、気化手段
と処理室との間に気化材料ガスの流路を切り換える切替
え手段とを備え、気化器は、出口側に、シールド用ガス
を導入して下流側からの逆拡散ガス（例えば、異ガスの
逆拡散）を防止するガス逆流防止機構が取り付けられた
ガス逆拡散防止機構付き気化器から成り、ガス逆流防止
機構が、内径を主ガス流の下流側に向かって開閉弁に通
じるガス流通路の内径より細くした異径管と、異径管の
内径が細い端部と前記ガス流通路との間に形成された不
連続部と、不連続部を通してガス供給配管の内壁に沿っ
てシールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部とか
らなる構成とする。
【００２７】本発明に係る半導体製造装置におけるガス
供給方法は、液体材料供給手段からの液体材料を気化手
段により気化し、この気化材料ガスを、内径をガス流の
下流側に向かってガス供給配管の内径より細くした異径
管を有し、異径管と下流側のガス供給管との間の不連続
部からシールド用ガスを導入するように構成されたガス
逆拡散防止機構を通して、不連続部から下流側のガス供
給配管の内壁に沿ってシールド用ガスを供給しながら切
替え手段を通じて半導体ウェーハ処理室に供給する。本
発明に係る半導体製造装置におけるガス供給方法は、液
体材料供給手段からの液体材料を気化手段により気化
し、この気化材料ガスを、内径をガス流の下流側に向か
ってガス供給配管の内径より細くした異径管を有し、異
径管と下流側のガス供給管との間の不連続部からシール
ド用ガスを導入するように構成されたガス逆拡散防止機
構が主ガス流通の開閉弁が設けられたハウジング内に一
体に組み込まれてなるガス逆拡散防止機構付き切替え手
段を通じて、ガス逆拡散防止機構の不連続部から下流側
のガス供給配管の内壁に沿ってシールド用ガスを供給し
ながら半導体ウェーハ処理室に供給する。
供給方法は、液体材料供給手段からの液体材料を気化手
段により気化し、この気化材料ガスを、内径をガス流の
下流側に向かってガス供給配管の内径より細くした異径
管を有し、異径管と下流側のガス供給管との間の不連続
部からシールド用ガスを導入するように構成されたガス
逆拡散防止機構を通して、不連続部から下流側のガス供
給配管の内壁に沿ってシールド用ガスを供給しながら切
替え手段を通じて半導体ウェーハ処理室に供給する。本
発明に係る半導体製造装置におけるガス供給方法は、液
体材料供給手段からの液体材料を気化手段により気化
し、この気化材料ガスを、内径をガス流の下流側に向か
ってガス供給配管の内径より細くした異径管を有し、異
径管と下流側のガス供給管との間の不連続部からシール
ド用ガスを導入するように構成されたガス逆拡散防止機
構が主ガス流通の開閉弁が設けられたハウジング内に一
体に組み込まれてなるガス逆拡散防止機構付き切替え手
段を通じて、ガス逆拡散防止機構の不連続部から下流側
のガス供給配管の内壁に沿ってシールド用ガスを供給し
ながら半導体ウェーハ処理室に供給する。
【００２８】本発明に係る半導体製造装置におけるガス
供給方法は、液体材料供給手段からの液体材料を気化手
段により気化し、この気化材料ガスを、内径をガス流の
下流側に向かってガス供給配管の内径より細くした異径
管を有し、異径管と下流側のガス供給管との間の不連続
部からシールド用ガスを導入するように構成されたガス
逆拡散防止機構とシールド用ガスの遮断弁とが主ガス流
通の開閉弁が設けられたハウジング内に一体に組み込ま
れてなるガス逆拡散防止機構付き切替え手段を通じて、
ガス逆拡散防止機構の不連続部から下流側のガス供給配
管の内壁に沿ってシールド用ガスを供給しながら半導体
ウェーハ処理室に供給する。本発明に係る半導体製造装
置におけるガス供給方法は、液体材料供給手段からの液
体材料を、内径をガス流の下流側に向かってガス供給配
管の内径より細くした異径管を有し、異径管と下流側の
ガス供給管との間の不連続部からシールド用ガスを導入
するように構成されたガス逆拡散防止機構が、出口側に
取付けられてなるガス逆拡散防止機構付き気化手段によ
り気化し、気化材料ガスを、ガス逆拡散防止機構の不連
続部から下流側のガス供給配管の内壁に沿ってシールド
用ガスを供給しながら切替え手段を通じて半導体ウェー
ハ処理室に供給する。
供給方法は、液体材料供給手段からの液体材料を気化手
段により気化し、この気化材料ガスを、内径をガス流の
下流側に向かってガス供給配管の内径より細くした異径
管を有し、異径管と下流側のガス供給管との間の不連続
部からシールド用ガスを導入するように構成されたガス
逆拡散防止機構とシールド用ガスの遮断弁とが主ガス流
通の開閉弁が設けられたハウジング内に一体に組み込ま
れてなるガス逆拡散防止機構付き切替え手段を通じて、
ガス逆拡散防止機構の不連続部から下流側のガス供給配
管の内壁に沿ってシールド用ガスを供給しながら半導体
ウェーハ処理室に供給する。本発明に係る半導体製造装
置におけるガス供給方法は、液体材料供給手段からの液
体材料を、内径をガス流の下流側に向かってガス供給配
管の内径より細くした異径管を有し、異径管と下流側の
ガス供給管との間の不連続部からシールド用ガスを導入
するように構成されたガス逆拡散防止機構が、出口側に
取付けられてなるガス逆拡散防止機構付き気化手段によ
り気化し、気化材料ガスを、ガス逆拡散防止機構の不連
続部から下流側のガス供給配管の内壁に沿ってシールド
用ガスを供給しながら切替え手段を通じて半導体ウェー
ハ処理室に供給する。
【００２９】本発明に係る半導体製造装置は、液体材料
供給手段と、液体材料の気化手段と、液体材料を気化し
た気化材料ガスを供給して処理を行う半導体ウェーハ処
理室と、気化手段と処理室との間に気化材料ガスの流路
を切り換える切替え手段と、気化手段と切替え手段との
間にシールド用ガスを導入して下流側からの逆拡散ガス
（例えば、異ガスの逆拡散）を防止するガス逆流防止機
構とを備え、ガス逆流防止機構が、内径を主ガス流の下
流側に向かって開閉弁に通じるガス流通路の内径より細
くした異径管と、異径管の内径が細い端部とガス流通路
との間に形成された不連続部と、不連続部を通してガス
供給配管の内壁に沿ってシールド用ガスを導入するシー
ルド用ガス導入部とからなる構成とする。本発明に係る
半導体製造装置は、液体材料供給手段と、液体材料の気
化手段と、液体材料を気化した気化材料ガスを供給して
処理を行う半導体ウェーハ処理室と、気化手段と処理室
との間に気化材料ガスの流路を切り換える切替え手段と
を備え、切替え手段は、主ガス流通の開閉弁が設けられ
たハウジング内に、下流側からの逆拡散ガス（例えば、
異ガスの逆拡散）を防止するガス逆流防止機構が一体に
組み込まれたガス逆拡散防止機構付き切替え手段から成
り、ガス逆流防止機構が、内径を主ガス流の下流側に向
かって開閉弁に通じるガス流通路の内径より細くした異
径管と、異径管の内径が細い端部とガス流通路との間に
形成された不連続部と、不連続部を通してガス供給配管
の内壁に沿って前記シールド用ガスを導入するシールド
用ガス導入部とからなる構成とする。
供給手段と、液体材料の気化手段と、液体材料を気化し
た気化材料ガスを供給して処理を行う半導体ウェーハ処
理室と、気化手段と処理室との間に気化材料ガスの流路
を切り換える切替え手段と、気化手段と切替え手段との
間にシールド用ガスを導入して下流側からの逆拡散ガス
（例えば、異ガスの逆拡散）を防止するガス逆流防止機
構とを備え、ガス逆流防止機構が、内径を主ガス流の下
流側に向かって開閉弁に通じるガス流通路の内径より細
くした異径管と、異径管の内径が細い端部とガス流通路
との間に形成された不連続部と、不連続部を通してガス
供給配管の内壁に沿ってシールド用ガスを導入するシー
ルド用ガス導入部とからなる構成とする。本発明に係る
半導体製造装置は、液体材料供給手段と、液体材料の気
化手段と、液体材料を気化した気化材料ガスを供給して
処理を行う半導体ウェーハ処理室と、気化手段と処理室
との間に気化材料ガスの流路を切り換える切替え手段と
を備え、切替え手段は、主ガス流通の開閉弁が設けられ
たハウジング内に、下流側からの逆拡散ガス（例えば、
異ガスの逆拡散）を防止するガス逆流防止機構が一体に
組み込まれたガス逆拡散防止機構付き切替え手段から成
り、ガス逆流防止機構が、内径を主ガス流の下流側に向
かって開閉弁に通じるガス流通路の内径より細くした異
径管と、異径管の内径が細い端部とガス流通路との間に
形成された不連続部と、不連続部を通してガス供給配管
の内壁に沿って前記シールド用ガスを導入するシールド
用ガス導入部とからなる構成とする。
【００３０】本発明に係る半導体製造装置は、液体材料
供給手段と、液体材料の気化手段と、液体材料を気化し
た気化材料ガスを供給して処理を行う半導体ウェーハ処
理室と、気化手段と処理室との間に気化材料ガスの流路
を切り換える切替え手段とを備え、切替え手段は、主ガ
ス流通の開閉弁が設けられたハウジング内に、シールド
用ガスを導入して下流側からの逆拡散ガス（例えば、異
ガスの逆拡散）を防止するガス逆流防止機構と、シール
ド用ガスの遮断弁とが一体に組み込まれたガス逆拡散防
止機構付き切替え手段から成り、ガス逆流防止機構が、
内径を主ガス流の下流側に向かって開閉弁に通じるガス
流通路の内径より細くした異径管と、異径管の内径が細
い端部とガス流通路との間に形成された不連続部と、不
連続部を通してガス供給配管の内壁に沿ってシールド用
ガスを導入するシールド用ガス導入部とからなる構成と
する。本発明に係る半導体製造装置は、液体材料供給手
段と、液体材料の気化手段と、液体材料を気化した気化
材料ガスを供給して処理を行う半導体ウェーハ処理室
と、気化手段と処理室との間に気化材料ガスの流路を切
り換える切替え手段とを備え、気化器は、出口側に、シ
ールド用ガスを導入して下流側からの逆拡散ガス（例え
ば、異ガスの逆拡散）を防止するガス逆流防止機構が取
り付けられたガス逆拡散防止機構付き気化器から成り、
ガス逆流防止機構が、内径を主ガス流の下流側に向かっ
て開閉弁に通じるガス流通路の内径より細くした異径管
と、異径管の内径が細い端部とガス流通路との間に形成
された不連続部と、不連続部を通して前記ガス供給配管
の内壁に沿って前記シールド用ガスを導入するシールド
用ガス導入部とからなる構成とする。
供給手段と、液体材料の気化手段と、液体材料を気化し
た気化材料ガスを供給して処理を行う半導体ウェーハ処
理室と、気化手段と処理室との間に気化材料ガスの流路
を切り換える切替え手段とを備え、切替え手段は、主ガ
ス流通の開閉弁が設けられたハウジング内に、シールド
用ガスを導入して下流側からの逆拡散ガス（例えば、異
ガスの逆拡散）を防止するガス逆流防止機構と、シール
ド用ガスの遮断弁とが一体に組み込まれたガス逆拡散防
止機構付き切替え手段から成り、ガス逆流防止機構が、
内径を主ガス流の下流側に向かって開閉弁に通じるガス
流通路の内径より細くした異径管と、異径管の内径が細
い端部とガス流通路との間に形成された不連続部と、不
連続部を通してガス供給配管の内壁に沿ってシールド用
ガスを導入するシールド用ガス導入部とからなる構成と
する。本発明に係る半導体製造装置は、液体材料供給手
段と、液体材料の気化手段と、液体材料を気化した気化
材料ガスを供給して処理を行う半導体ウェーハ処理室
と、気化手段と処理室との間に気化材料ガスの流路を切
り換える切替え手段とを備え、気化器は、出口側に、シ
ールド用ガスを導入して下流側からの逆拡散ガス（例え
ば、異ガスの逆拡散）を防止するガス逆流防止機構が取
り付けられたガス逆拡散防止機構付き気化器から成り、
ガス逆流防止機構が、内径を主ガス流の下流側に向かっ
て開閉弁に通じるガス流通路の内径より細くした異径管
と、異径管の内径が細い端部とガス流通路との間に形成
された不連続部と、不連続部を通して前記ガス供給配管
の内壁に沿って前記シールド用ガスを導入するシールド
用ガス導入部とからなる構成とする。
【００３１】以下、図面を参照して本発明の実施の形態
を詳細説明する。
を詳細説明する。
【００３２】図１は、本発明に係るガス逆拡散防止装置
の一実施の形態を示す。本実施の形態に係るガス逆拡散
防止装置１は、所要のガス１３が供給されるガス供給配
管２の途上に配設されるもので、矢印方向に流れるガス
流Ｘの下流側に向かってガス供給管２の内径が漸次小さ
くなるように内壁を細く絞った異径管（いわゆるレデュ
ーサ）３と、この異径管３の外周からシールド用ガス
（以下、シールドガスという）１４を流すための隙間６
を形成する外囲部材（いわゆるボディー）７と、外囲部
材７とガス供給管２とを接続する取付け部材（いわゆる
フィッティング）１１とを有して成る。
の一実施の形態を示す。本実施の形態に係るガス逆拡散
防止装置１は、所要のガス１３が供給されるガス供給配
管２の途上に配設されるもので、矢印方向に流れるガス
流Ｘの下流側に向かってガス供給管２の内径が漸次小さ
くなるように内壁を細く絞った異径管（いわゆるレデュ
ーサ）３と、この異径管３の外周からシールド用ガス
（以下、シールドガスという）１４を流すための隙間６
を形成する外囲部材（いわゆるボディー）７と、外囲部
材７とガス供給管２とを接続する取付け部材（いわゆる
フィッティング）１１とを有して成る。
【００３３】異径管３の上流側の内径φ1 は上流側のガ
ス供給配管２Ａの内径２φ1 と同じになるように設定さ
れる。異径管３の下流側の内径φ2 は下流側のガス供給
配管２Ｂの内径２φ1 より小さく設定される。この異径
管３の細く絞られた下流側端部３Ｂと下流側のガス供給
配管２Ｂとの連結部で内壁面に不連続部５が形成され、
ここにシールドガス１４を下流側のガス供給配管２Ｂへ
流す隙間６が形成される。即ち、異径管３の細く絞られ
た端部３Ｂは下流側のガス供給配管２Ｂ内に入り込むよ
うに配され、異径管３と下流側のガス供給配管２Ｂの接
続部に隙間６を形成する不連続部５が形成される。異径
管３のガス供給配管２Ｂ内へ挿入された部分は、シール
ドガスを不連続部５の隙間６を通してガス供給配管２Ｂ
の内壁面に沿って導入させるためには、ガス供給配管２
Ｂの内壁面と平行になるように形成するのが好ましい。
外囲部材７の上流側はキャップ８で気密的に封止され、
異径管３と外囲部材７とキャップ８で隙間６に連通する
空間４が形成される。１１は外囲部材７と配管１０を接
続する取付け部材である。この空間４に連通するように
シールドガス１４を供給する配管１０が外囲部材７に取
付けられ、この配管１０を通じてシールドガス供給部
（図示せず）から空間４内へシールドガス１４が供給さ
れるように成される。
ス供給配管２Ａの内径２φ1 と同じになるように設定さ
れる。異径管３の下流側の内径φ2 は下流側のガス供給
配管２Ｂの内径２φ1 より小さく設定される。この異径
管３の細く絞られた下流側端部３Ｂと下流側のガス供給
配管２Ｂとの連結部で内壁面に不連続部５が形成され、
ここにシールドガス１４を下流側のガス供給配管２Ｂへ
流す隙間６が形成される。即ち、異径管３の細く絞られ
た端部３Ｂは下流側のガス供給配管２Ｂ内に入り込むよ
うに配され、異径管３と下流側のガス供給配管２Ｂの接
続部に隙間６を形成する不連続部５が形成される。異径
管３のガス供給配管２Ｂ内へ挿入された部分は、シール
ドガスを不連続部５の隙間６を通してガス供給配管２Ｂ
の内壁面に沿って導入させるためには、ガス供給配管２
Ｂの内壁面と平行になるように形成するのが好ましい。
外囲部材７の上流側はキャップ８で気密的に封止され、
異径管３と外囲部材７とキャップ８で隙間６に連通する
空間４が形成される。１１は外囲部材７と配管１０を接
続する取付け部材である。この空間４に連通するように
シールドガス１４を供給する配管１０が外囲部材７に取
付けられ、この配管１０を通じてシールドガス供給部
（図示せず）から空間４内へシールドガス１４が供給さ
れるように成される。
【００３４】本実施の形態のガス逆拡散防止装置１は、
ガス流路の途中、いわゆるガス供給配管２の途中に配設
される。主たるガス１３は、上流側のガス供給配管２Ａ
からガス逆拡散防止装置１を経由して下流側のガス供給
配管２Ｂへ流れる。ガス逆拡散防止装置１では、ガス供
給配管２の管内径２φ1 に対してその流量が十分でない
主たるガス１３が供給されたとき、下流側に向かって内
径を小さくした異径管３を通過することで局部的にガス
密度と流速が増し、下流側のガス供給配管２Ｂからの微
小量の異ガス９の上流側への逆拡散（いわゆる逆流）が
低減する。一方、単に異径管３の内径を絞り込んだだけ
の場合では、異径管３とガス供給配管２Ｂの内壁が連続
していると壁面を伝って微小量の異ガスの逆拡散がどう
しても生じてしまう。本実施の形態では、意図的に配管
内壁の不連続部５を形成し、異径管３とガス供給配管２
Ｂとの不連続部５で形成される隙間６から微小量のシー
ルドガス１４を下流側のガス供給配管２Ｂ内壁面に沿っ
て導入しながら主たるガス１３を供給することにより、
異ガス９の逆拡散は完全に阻止される。即ち、不連続部
５の近傍まで逆拡散してきた異ガス９は不連続部５付近
以上に逆拡散することが困難になり、ガス逆拡散防止の
目的が達成される。
ガス流路の途中、いわゆるガス供給配管２の途中に配設
される。主たるガス１３は、上流側のガス供給配管２Ａ
からガス逆拡散防止装置１を経由して下流側のガス供給
配管２Ｂへ流れる。ガス逆拡散防止装置１では、ガス供
給配管２の管内径２φ1 に対してその流量が十分でない
主たるガス１３が供給されたとき、下流側に向かって内
径を小さくした異径管３を通過することで局部的にガス
密度と流速が増し、下流側のガス供給配管２Ｂからの微
小量の異ガス９の上流側への逆拡散（いわゆる逆流）が
低減する。一方、単に異径管３の内径を絞り込んだだけ
の場合では、異径管３とガス供給配管２Ｂの内壁が連続
していると壁面を伝って微小量の異ガスの逆拡散がどう
しても生じてしまう。本実施の形態では、意図的に配管
内壁の不連続部５を形成し、異径管３とガス供給配管２
Ｂとの不連続部５で形成される隙間６から微小量のシー
ルドガス１４を下流側のガス供給配管２Ｂ内壁面に沿っ
て導入しながら主たるガス１３を供給することにより、
異ガス９の逆拡散は完全に阻止される。即ち、不連続部
５の近傍まで逆拡散してきた異ガス９は不連続部５付近
以上に逆拡散することが困難になり、ガス逆拡散防止の
目的が達成される。
【００３５】このガス逆拡散防止装置１を用いたガス逆
拡散防止方法は、半導体製造装置、例えば前述の液体材
料を気化して成膜するＣＶＤ装置等に適用できる。ここ
で、シールドガスの目的は逆拡散を防止するための配管
の不連続部への混合ガス及び反応ガスの進入を防ぐこと
が主目的である為、シールドガスは主たるキャリアガス
流量に対して、プロセスに影響を及ぼさない程度の非常
に僅かな量で目的を達成することが可能である。
拡散防止方法は、半導体製造装置、例えば前述の液体材
料を気化して成膜するＣＶＤ装置等に適用できる。ここ
で、シールドガスの目的は逆拡散を防止するための配管
の不連続部への混合ガス及び反応ガスの進入を防ぐこと
が主目的である為、シールドガスは主たるキャリアガス
流量に対して、プロセスに影響を及ぼさない程度の非常
に僅かな量で目的を達成することが可能である。
【００３６】本実施の形態のガス逆拡散防止方法を、低
蒸気圧の液体材料を気化供給する手段を用いた比較的高
真空度ＣＶＤプロセスに適用した場合、半導体ウェーハ
処理室（いわゆる反応容器）内に供給された気化材料ガ
ス以外の材料ガスが、ＣＶＤプロセス中の気化材料ガス
輸送配管内を逆拡散することを、機械作動的な逆流防止
装置手段を用いることなく、また、気化、ガス輸送、プ
ロセス条件等を大きく変更することなく、実現すること
が可能になり、気化器内での液体材料と逆拡散する反応
ガスとの反応を防ぐことが可能である。
蒸気圧の液体材料を気化供給する手段を用いた比較的高
真空度ＣＶＤプロセスに適用した場合、半導体ウェーハ
処理室（いわゆる反応容器）内に供給された気化材料ガ
ス以外の材料ガスが、ＣＶＤプロセス中の気化材料ガス
輸送配管内を逆拡散することを、機械作動的な逆流防止
装置手段を用いることなく、また、気化、ガス輸送、プ
ロセス条件等を大きく変更することなく、実現すること
が可能になり、気化器内での液体材料と逆拡散する反応
ガスとの反応を防ぐことが可能である。
【００３７】上述のガス逆拡散防止装置１は、実際には
配管径、混合ガス流量、圧力、ガス種、等によって、図
２に示す各寸法ａ〜ｄ、シールドガス流量Ｑ及びシール
ドガス種を適正に選択することで、最大の逆拡散防止効
果が得られる。但し、ａ：異径管３の下流側端部の内径
φ2 、ｂ：不連続部の隙間寸法、ｃ：異径管３の下流側
端部が下流側のガス供給配管２Ｂへ入り込んだ寸法、
ｄ：異径管３の漸次絞られるテーパ部分の長さである。
配管径、混合ガス流量、圧力、ガス種、等によって、図
２に示す各寸法ａ〜ｄ、シールドガス流量Ｑ及びシール
ドガス種を適正に選択することで、最大の逆拡散防止効
果が得られる。但し、ａ：異径管３の下流側端部の内径
φ2 、ｂ：不連続部の隙間寸法、ｃ：異径管３の下流側
端部が下流側のガス供給配管２Ｂへ入り込んだ寸法、
ｄ：異径管３の漸次絞られるテーパ部分の長さである。
【００３８】図３及び図４は、本発明のガス逆拡散防止
装置の他の実施の形態を示す。本例は図１のガス逆拡散
防止装置の変形例である。図１、図２と対応する部分は
同一符号を付して詳細説明を省略する。本実施の形態に
係るガス逆拡散防止装置１５は、特に、下流側のガス供
給配管２Ｂの不連続部５の近傍部を、その内径２φ2 が
本来の配管内径２φ1 に対して絞り込まれた形状に形成
する。その他の構成は、図１、図２と同様である。この
ように、不連続部５近傍の配管内径２φ2 がその前後の
配管内径２φ1 、φ1 に対して絞り込まれた形態をとる
ことも効果として有効である。
装置の他の実施の形態を示す。本例は図１のガス逆拡散
防止装置の変形例である。図１、図２と対応する部分は
同一符号を付して詳細説明を省略する。本実施の形態に
係るガス逆拡散防止装置１５は、特に、下流側のガス供
給配管２Ｂの不連続部５の近傍部を、その内径２φ2 が
本来の配管内径２φ1 に対して絞り込まれた形状に形成
する。その他の構成は、図１、図２と同様である。この
ように、不連続部５近傍の配管内径２φ2 がその前後の
配管内径２φ1 、φ1 に対して絞り込まれた形態をとる
ことも効果として有効である。
【００３９】具体的には、ＰＥＴ（ペンタエトキシタン
タル）を気化して輸送する輸送配管径が通称１／４イン
チであるガス供給系に於いて、本来キャリアガスのみで
逆拡散を防ぐにはキャリアガスとして３００ｓｃｃｍ相
当以上の流量が必要であるが、本実施の形態によれば、
例えば図２、図４のガス逆拡散防止装置１５の各ａ〜ｄ
寸法を例えばａ＝３ｍｍ，ｂ＝０．３ｍｍ，ｃ＝５ｍ
ｍ，ｄ＝１０ｍとし、シールドガス（例えばＮ2 ガス）
流量Ｑを１０ｓｃｃｍとすることで、キャリアガスの例
えばＮ2 ガスの流量が１００ｓｃｃｍ程度の場合も逆拡
散を防止することが可能である。
タル）を気化して輸送する輸送配管径が通称１／４イン
チであるガス供給系に於いて、本来キャリアガスのみで
逆拡散を防ぐにはキャリアガスとして３００ｓｃｃｍ相
当以上の流量が必要であるが、本実施の形態によれば、
例えば図２、図４のガス逆拡散防止装置１５の各ａ〜ｄ
寸法を例えばａ＝３ｍｍ，ｂ＝０．３ｍｍ，ｃ＝５ｍ
ｍ，ｄ＝１０ｍとし、シールドガス（例えばＮ2 ガス）
流量Ｑを１０ｓｃｃｍとすることで、キャリアガスの例
えばＮ2 ガスの流量が１００ｓｃｃｍ程度の場合も逆拡
散を防止することが可能である。
【００４０】図５は、上述の図１のガス逆拡散防止装置
１を組み込んだ本発明の半導体製造装置の一実施の形態
を示す。本例は液体材料気化供給システムを備えたＣＶ
Ｄ装置に適用した場合である。本実施の形態に係るＣＶ
Ｄ装置１６は、液体材料を収容した液体材料タンク１７
と、この液体材料タンク１７からの液体材料を気化する
気化器１８と、気化された材料ガス（いわゆる気化材料
ガス）がキャリアガス１９と共に供給され、配置された
半導体ウェーハ上に所要の成膜を行う半導体ウェーハ処
理室（反応容器：いわゆるプロセスチャンバ）２０と、
気化器１８と処理室２０との間にあって気化材料ガスと
キャリアガス１９との混合ガス２１の通路を切り換え
る、即ち成膜時には半導体ウェーハ処理室２０へ供給
し、処理時以外、例えば処理室２０のパージ中や処理ウ
ェーハの入れ替え時にはベント側へ排気するための配管
切替えバルブ２２とを備える。配管切替えバルブ２２
は、成膜時に開き、成膜時以外の時に閉じるチャンバ側
開閉弁２２ａと、成膜時以外の時に開き、成膜時に閉じ
るベント側開閉弁２２ｂとを有してなる。２３は液体材
料２４の流量を制御する液体材料流量コントローラ、２
５はキャリアガス１９の流量を制御するキャリアガス流
量コントローラを示す。これ等の液体材料タンク１７、
気化器１８、半導体ウェーハ処理室２０、配管切替えバ
ルブ２２、流量コントローラ２３、２５は、相互に配管
２８によって連結されている。
１を組み込んだ本発明の半導体製造装置の一実施の形態
を示す。本例は液体材料気化供給システムを備えたＣＶ
Ｄ装置に適用した場合である。本実施の形態に係るＣＶ
Ｄ装置１６は、液体材料を収容した液体材料タンク１７
と、この液体材料タンク１７からの液体材料を気化する
気化器１８と、気化された材料ガス（いわゆる気化材料
ガス）がキャリアガス１９と共に供給され、配置された
半導体ウェーハ上に所要の成膜を行う半導体ウェーハ処
理室（反応容器：いわゆるプロセスチャンバ）２０と、
気化器１８と処理室２０との間にあって気化材料ガスと
キャリアガス１９との混合ガス２１の通路を切り換え
る、即ち成膜時には半導体ウェーハ処理室２０へ供給
し、処理時以外、例えば処理室２０のパージ中や処理ウ
ェーハの入れ替え時にはベント側へ排気するための配管
切替えバルブ２２とを備える。配管切替えバルブ２２
は、成膜時に開き、成膜時以外の時に閉じるチャンバ側
開閉弁２２ａと、成膜時以外の時に開き、成膜時に閉じ
るベント側開閉弁２２ｂとを有してなる。２３は液体材
料２４の流量を制御する液体材料流量コントローラ、２
５はキャリアガス１９の流量を制御するキャリアガス流
量コントローラを示す。これ等の液体材料タンク１７、
気化器１８、半導体ウェーハ処理室２０、配管切替えバ
ルブ２２、流量コントローラ２３、２５は、相互に配管
２８によって連結されている。
【００４１】さらに、本実施の形態においては、気化器
１８と配管切替えバルブ２２との間の配管２８の途中
に、上述の図１に示す本発明のガス逆拡散防止装置１が
配設される。即ち、ガス逆拡散防止装置１の異径管３の
一端、つまりガス流の上流側の一端が上流側の配管２８
に、異径管３の下流側の他端が下流側の配管２８に連結
される。ガス逆拡散防止装置１のシールドガス供給用の
配管１０は、開閉バルブ２９及びシールドガスの流量を
制御するシールドガス流量コントローラ３０を介して、
図示せざるもシールドガス供給部に接続される。
１８と配管切替えバルブ２２との間の配管２８の途中
に、上述の図１に示す本発明のガス逆拡散防止装置１が
配設される。即ち、ガス逆拡散防止装置１の異径管３の
一端、つまりガス流の上流側の一端が上流側の配管２８
に、異径管３の下流側の他端が下流側の配管２８に連結
される。ガス逆拡散防止装置１のシールドガス供給用の
配管１０は、開閉バルブ２９及びシールドガスの流量を
制御するシールドガス流量コントローラ３０を介して、
図示せざるもシールドガス供給部に接続される。
【００４２】次に、本実施の形態のＣＶＤ装置１６の動
作を説明する。半導体ウェーハ処理室２０内には成膜す
べき半導体ウェーハが配置される。液体材料タンク１７
に収容された液体材料、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキ
シシラン）やＰＥＴ（ペンタエトキシタンタル）等が、
液体材料タンク１７からＨｅ等の不活性ガス（図示せ
ず）によって圧送され、液体材料流量コントローラ２２
にて供給量（流量）が制御されて気化器１８に供給され
気化される。一方、気化器１８に気化材料ガスの輸送に
必要なキャリアガス、例えば窒素（Ｎ2 ）ガスが供給さ
る。気化器１８で気化材料ガス（いわゆる反応ガス）と
キャリアガスが混合され輸送される。成膜時は、この混
合ガスが、配管２８を通じてガス逆拡散防止装置１、さ
らに配管切替えバルブ２２を経て処理室２０内に供給さ
れる。 配管切替えバルブ２２では、ベント側開閉弁２
２ｂが閉じられ、チャンバ側開閉弁２２ａが開かれ気化
材料ガスが処理室２０へ供給される。処理室２０内に
は、成膜材料に応じて上記気化材料ガス（主たる反応ガ
ス）に加えて、酸素、窒素、還元性ガス等が供給され
る。気化材料ガスが処理室２０に供給されることによ
り、ＣＶＤ反応で所要の膜が成膜される。成膜時以外、
例えば処理室２０のパージ中や処理ウェーハの入れ替え
時等では、配管切替えバルブ２２が切り替わり、チャン
バ側開閉弁２２ａが閉じ、ベント側開閉弁２２ｂが開
き、気化器１８からの混合ガス２１は、ベント側開閉弁
２２ｂを通じてベント側へ排気される。このとき、開閉
弁２９が閉じられてシールドガス１４のガス逆拡散防止
装置１への供給が停止される。
作を説明する。半導体ウェーハ処理室２０内には成膜す
べき半導体ウェーハが配置される。液体材料タンク１７
に収容された液体材料、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキ
シシラン）やＰＥＴ（ペンタエトキシタンタル）等が、
液体材料タンク１７からＨｅ等の不活性ガス（図示せ
ず）によって圧送され、液体材料流量コントローラ２２
にて供給量（流量）が制御されて気化器１８に供給され
気化される。一方、気化器１８に気化材料ガスの輸送に
必要なキャリアガス、例えば窒素（Ｎ2 ）ガスが供給さ
る。気化器１８で気化材料ガス（いわゆる反応ガス）と
キャリアガスが混合され輸送される。成膜時は、この混
合ガスが、配管２８を通じてガス逆拡散防止装置１、さ
らに配管切替えバルブ２２を経て処理室２０内に供給さ
れる。 配管切替えバルブ２２では、ベント側開閉弁２
２ｂが閉じられ、チャンバ側開閉弁２２ａが開かれ気化
材料ガスが処理室２０へ供給される。処理室２０内に
は、成膜材料に応じて上記気化材料ガス（主たる反応ガ
ス）に加えて、酸素、窒素、還元性ガス等が供給され
る。気化材料ガスが処理室２０に供給されることによ
り、ＣＶＤ反応で所要の膜が成膜される。成膜時以外、
例えば処理室２０のパージ中や処理ウェーハの入れ替え
時等では、配管切替えバルブ２２が切り替わり、チャン
バ側開閉弁２２ａが閉じ、ベント側開閉弁２２ｂが開
き、気化器１８からの混合ガス２１は、ベント側開閉弁
２２ｂを通じてベント側へ排気される。このとき、開閉
弁２９が閉じられてシールドガス１４のガス逆拡散防止
装置１への供給が停止される。
【００４３】ガス逆拡散防止装置１では、シールドガス
供給部（図示せず）からのシールドガス１４が流量コン
トローラ３０で流量制御されて空間４内へ供給され、さ
らに不連続部５の隙間６を通じて下流側ガス供給配管２
８にその内壁面に沿って導入される。成膜時には、この
シールドガス１４を導入しながら気化材料ガスを供給す
るので、仮に処理室２０から微小量の反応ガスが配管内
壁面に沿って逆拡散してきても、この微小量の反応ガス
は配管切替えバルブ２２を経て気化器１８に到達する前
に、ガス逆拡散防止装置１において阻止され、気化器１
８内へ進入することがない。即ち、ガス逆拡散防止装置
１の不連続部５近傍で配管内壁面に沿って導入されたシ
ールドガス１４によって微小量反応ガスの逆拡散は阻止
され、それ以降へのガス逆拡散するのが防止される。
供給部（図示せず）からのシールドガス１４が流量コン
トローラ３０で流量制御されて空間４内へ供給され、さ
らに不連続部５の隙間６を通じて下流側ガス供給配管２
８にその内壁面に沿って導入される。成膜時には、この
シールドガス１４を導入しながら気化材料ガスを供給す
るので、仮に処理室２０から微小量の反応ガスが配管内
壁面に沿って逆拡散してきても、この微小量の反応ガス
は配管切替えバルブ２２を経て気化器１８に到達する前
に、ガス逆拡散防止装置１において阻止され、気化器１
８内へ進入することがない。即ち、ガス逆拡散防止装置
１の不連続部５近傍で配管内壁面に沿って導入されたシ
ールドガス１４によって微小量反応ガスの逆拡散は阻止
され、それ以降へのガス逆拡散するのが防止される。
【００４４】ここで、成膜時以外ではシールドガス１４
の導入は停止される。一方、気化器１８からの混合ガス
が配管切替えバルブ２２によってベント側に切り替わっ
た時点でチャンバ側開閉弁２２ａの二次側（処理室２０
側）と処理室２０は実質的に同一空間となる。このた
め、気化器１８からの混合ガス１４が断たれた後も継続
して処理室２０で他のプロセスガス（反応ガス）を導入
していたとすると、このプロセスガスはチャンバ側開閉
弁２２ａの二次側まで逆流する。また、処理室２０内に
プロセスガスを導入せずに真空引きをしていたとして
も、処理室２０内の雰囲気は程度の差が有るものの基本
的には逆拡散してくることは否めない。
の導入は停止される。一方、気化器１８からの混合ガス
が配管切替えバルブ２２によってベント側に切り替わっ
た時点でチャンバ側開閉弁２２ａの二次側（処理室２０
側）と処理室２０は実質的に同一空間となる。このた
め、気化器１８からの混合ガス１４が断たれた後も継続
して処理室２０で他のプロセスガス（反応ガス）を導入
していたとすると、このプロセスガスはチャンバ側開閉
弁２２ａの二次側まで逆流する。また、処理室２０内に
プロセスガスを導入せずに真空引きをしていたとして
も、処理室２０内の雰囲気は程度の差が有るものの基本
的には逆拡散してくることは否めない。
【００４５】このような理由から、本実施の形態による
ガス逆拡散防止機構（装置）１としては、図５におい
て、配管切替えバルブ２２におけるチャンバ側開閉弁２
２ａの二次側（処理室２０側）に配設するよりは、チャ
ンバ側開閉弁２２ａの一次側（気化器１８側）に配設す
ることで、そのガス逆拡散防止効果を最大限に発揮する
ことができる。
ガス逆拡散防止機構（装置）１としては、図５におい
て、配管切替えバルブ２２におけるチャンバ側開閉弁２
２ａの二次側（処理室２０側）に配設するよりは、チャ
ンバ側開閉弁２２ａの一次側（気化器１８側）に配設す
ることで、そのガス逆拡散防止効果を最大限に発揮する
ことができる。
【００４６】図６は、本発明に係るガス逆拡散防止機構
付き操作弁の実施の形態を示す。本実施の形態に係るガ
ス逆拡散防止機構付き操作弁３１は、主ガス流通の開閉
弁３２が設けられたハウジング３３内に前述の図１に示
すガス逆拡散防止機構１が一体に組み込まれて成る。即
ち、このガス逆拡散防止機構付き操作弁３１は、上流側
ガス供給配管２Ａと下流側ガス供給配管２Ｂとの間に配
設されるものである。操作弁３１のハウジング３３内に
は、上流側ガス供給配管２Ａと下流側ガス供給配管２Ｂ
に連通するガス流通路３４が形成され、ガス流通路３４
の途中に弁座３５とこの弁座３５に接触、離間するダイ
アフラム３６からなる開閉弁３２が形成される。ダイア
フラム３６は、図示せざるもアクチュエータによって矢
印ａ方向に変位し、弁座３５に接触した状態でガス流通
路３４が途中で遮断され、弁座３５から離間した状態で
ガス流通路３４が全長開通するように形成される。開閉
弁３２の上流側のガス流通路３４、したがって上流側ガ
ス供給配管２Ａ側にガス逆拡散防止機構１が組み込まれ
る。
付き操作弁の実施の形態を示す。本実施の形態に係るガ
ス逆拡散防止機構付き操作弁３１は、主ガス流通の開閉
弁３２が設けられたハウジング３３内に前述の図１に示
すガス逆拡散防止機構１が一体に組み込まれて成る。即
ち、このガス逆拡散防止機構付き操作弁３１は、上流側
ガス供給配管２Ａと下流側ガス供給配管２Ｂとの間に配
設されるものである。操作弁３１のハウジング３３内に
は、上流側ガス供給配管２Ａと下流側ガス供給配管２Ｂ
に連通するガス流通路３４が形成され、ガス流通路３４
の途中に弁座３５とこの弁座３５に接触、離間するダイ
アフラム３６からなる開閉弁３２が形成される。ダイア
フラム３６は、図示せざるもアクチュエータによって矢
印ａ方向に変位し、弁座３５に接触した状態でガス流通
路３４が途中で遮断され、弁座３５から離間した状態で
ガス流通路３４が全長開通するように形成される。開閉
弁３２の上流側のガス流通路３４、したがって上流側ガ
ス供給配管２Ａ側にガス逆拡散防止機構１が組み込まれ
る。
【００４７】ガス逆拡散防止機構１は、前述の図１で説
明したと同様に、ガス流の下流側に向かって開閉弁３２
に通じるガス流通路３４の内径より漸次小さくなるよう
に細く絞った異径管３と、この異径管３の外周からシー
ルドガス１４を流すための隙間、即ち異径管３の外周と
ハウジング３３の内壁との間で下流側に向かって漸次狭
くなる隙間６と、下流側ガス流通路３４との間で形成さ
れる内壁面の不連続部５と、この隙間６と連通して異径
管３の外周に空間４を形成すると共に、ハウジング３３
内に形成された空間４に連通するシールドガス供給路３
９とを有して成る。シールドガス供給路３９にはシール
ドガスを供給する供給管３７が取付けられる。３８〔３
８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃ〕は配管とハウジング３３とを接
続する取付け部材（いわゆるフィッティング）である。
３８Ａはハウジング３３と上流側ガス供給配管２Ａとの
接続、３８Ｂはハウジング３３と下流側ガス供給配管２
Ｂとの接続、３８Ｃはハウジング３３とシールドガス供
給管３７との接続に夫々供される。
明したと同様に、ガス流の下流側に向かって開閉弁３２
に通じるガス流通路３４の内径より漸次小さくなるよう
に細く絞った異径管３と、この異径管３の外周からシー
ルドガス１４を流すための隙間、即ち異径管３の外周と
ハウジング３３の内壁との間で下流側に向かって漸次狭
くなる隙間６と、下流側ガス流通路３４との間で形成さ
れる内壁面の不連続部５と、この隙間６と連通して異径
管３の外周に空間４を形成すると共に、ハウジング３３
内に形成された空間４に連通するシールドガス供給路３
９とを有して成る。シールドガス供給路３９にはシール
ドガスを供給する供給管３７が取付けられる。３８〔３
８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃ〕は配管とハウジング３３とを接
続する取付け部材（いわゆるフィッティング）である。
３８Ａはハウジング３３と上流側ガス供給配管２Ａとの
接続、３８Ｂはハウジング３３と下流側ガス供給配管２
Ｂとの接続、３８Ｃはハウジング３３とシールドガス供
給管３７との接続に夫々供される。
【００４８】このガス逆拡散防止機構付き操作弁３１で
は、開閉弁３２が開状態の時に、上流側ガス供給配管２
Ａよりの主たるガスをガス逆拡散防止機構１を介して上
流側ガス流通路３４に流し、さらにダイアフラム３６が
開いた状態の開閉弁３２、及び下流側ガス流通路３４を
経て下流側ガス供給配管２Ｂへ輸送するようになされ
る。このとき、同時にシールドガス１４を不連続部５の
隙間６からガス流通路３４の内壁面に沿って供給する。
このシールドガス１４により、下流側ガス供給配管２Ｂ
からの微小量なガスの逆流を防止することができる。こ
のように操作弁単体にガス逆拡散防止機構を持たせるこ
とにより、非常にコンパクトに且つ安価に操作弁とガス
逆拡散防止を機能する多機能構成部品を提供できる。
は、開閉弁３２が開状態の時に、上流側ガス供給配管２
Ａよりの主たるガスをガス逆拡散防止機構１を介して上
流側ガス流通路３４に流し、さらにダイアフラム３６が
開いた状態の開閉弁３２、及び下流側ガス流通路３４を
経て下流側ガス供給配管２Ｂへ輸送するようになされ
る。このとき、同時にシールドガス１４を不連続部５の
隙間６からガス流通路３４の内壁面に沿って供給する。
このシールドガス１４により、下流側ガス供給配管２Ｂ
からの微小量なガスの逆流を防止することができる。こ
のように操作弁単体にガス逆拡散防止機構を持たせるこ
とにより、非常にコンパクトに且つ安価に操作弁とガス
逆拡散防止を機能する多機能構成部品を提供できる。
【００４９】図７は、上述の図６のガス逆拡散防止機構
付き操作弁３１を用いた半導体製造装置の他の実施の形
態を示す。本例も液体材料気化供給システムを備えたＣ
ＶＤ装置に適用した場合である。本実施の形態に係るＣ
ＶＤ装置４１は、前述の図５と同様に、半導体ウェーハ
が配置される処理装置２０と、液体材料が収容される液
体材料タンク１７と、気化器１８と、各流量コントロー
ラ２３、２５、３０を備え、さらに気化器１８と処理室
２０との間に配設した配管切替えバルブ機構４２を備え
る。本実施の形態においては、特に、配管切替えバルブ
機構４２を図６に示したガス逆拡散防止機構付き操作弁
３１とベント側開閉弁４３とから構成される。操作弁３
１の開閉弁３２がチャンバ側開閉弁に相当する。その他
の構成は図５と同様であり、対応する部分には同一符号
を付して重複説明を省略する。
付き操作弁３１を用いた半導体製造装置の他の実施の形
態を示す。本例も液体材料気化供給システムを備えたＣ
ＶＤ装置に適用した場合である。本実施の形態に係るＣ
ＶＤ装置４１は、前述の図５と同様に、半導体ウェーハ
が配置される処理装置２０と、液体材料が収容される液
体材料タンク１７と、気化器１８と、各流量コントロー
ラ２３、２５、３０を備え、さらに気化器１８と処理室
２０との間に配設した配管切替えバルブ機構４２を備え
る。本実施の形態においては、特に、配管切替えバルブ
機構４２を図６に示したガス逆拡散防止機構付き操作弁
３１とベント側開閉弁４３とから構成される。操作弁３
１の開閉弁３２がチャンバ側開閉弁に相当する。その他
の構成は図５と同様であり、対応する部分には同一符号
を付して重複説明を省略する。
【００５０】本実施の形態のＣＶＤ装置４１の基本的な
動作は、前述の図５と同様である。このＣＶＤ装置４１
では、配管切替えバルブ機構４２にガス逆拡散防止機構
付き操作弁４１を用いるので、ガス逆拡散防止を可能に
したＣＶＤ装置の構成を簡素化することができる。
動作は、前述の図５と同様である。このＣＶＤ装置４１
では、配管切替えバルブ機構４２にガス逆拡散防止機構
付き操作弁４１を用いるので、ガス逆拡散防止を可能に
したＣＶＤ装置の構成を簡素化することができる。
【００５１】図８は、本発明に係るガス逆拡散防止機構
付き操作弁の他の実施の形態を示す。本実施の形態に係
るガス逆拡散防止機構付き操作弁４５は、主ガス流通の
開閉弁３２が設けられたハウジング３３内に、前述の図
１に示すガス逆拡散防止機構１と、シールドガスの遮断
弁２９とが一体に組み込まれて成る。即ち、このガス逆
拡散防止機構付き操作弁４５は、上流側ガス供給配管２
Ａと下流側ガス供給配管２Ｂとの間に配設されるもので
ある。操作弁４５のハウジング３３内には、図６と同様
の構成を採る開閉弁、即ち、上流側ガス供給配管２Ａと
下流側ガス供給配管２Ｂに連通するガス流通路３４が形
成され、ガス流通路３４の途中に弁座３５とこの弁座３
５に接触、離間するダイアフラム３６からなる主たるガ
ス流の開閉を行う開閉弁３２と、ガス逆拡散防止機構１
と、さらにシールドガスの遮断弁２９とが組み込まれ
る。
付き操作弁の他の実施の形態を示す。本実施の形態に係
るガス逆拡散防止機構付き操作弁４５は、主ガス流通の
開閉弁３２が設けられたハウジング３３内に、前述の図
１に示すガス逆拡散防止機構１と、シールドガスの遮断
弁２９とが一体に組み込まれて成る。即ち、このガス逆
拡散防止機構付き操作弁４５は、上流側ガス供給配管２
Ａと下流側ガス供給配管２Ｂとの間に配設されるもので
ある。操作弁４５のハウジング３３内には、図６と同様
の構成を採る開閉弁、即ち、上流側ガス供給配管２Ａと
下流側ガス供給配管２Ｂに連通するガス流通路３４が形
成され、ガス流通路３４の途中に弁座３５とこの弁座３
５に接触、離間するダイアフラム３６からなる主たるガ
ス流の開閉を行う開閉弁３２と、ガス逆拡散防止機構１
と、さらにシールドガスの遮断弁２９とが組み込まれ
る。
【００５２】シールドガスの遮断弁２９は、シールドガ
ス供給路３９の途中に弁座４６とこの弁座４６に接触、
離間するダイアフラム４７からなる。ダイアフラム４７
は、図示せざるもアクチュエータによって矢印ｂ方向に
変位し、弁座４６に接触した状態でシールドガスの供給
が遮断され、弁座から離間した状態でシールドガスが供
給されるように形成される。遮断弁２９の上流側シール
ドガス供給路３９は、ハウジング３３外に配設されるシ
ールドガスを供給する配管３７と接続される。なお、図
６と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略
する。
ス供給路３９の途中に弁座４６とこの弁座４６に接触、
離間するダイアフラム４７からなる。ダイアフラム４７
は、図示せざるもアクチュエータによって矢印ｂ方向に
変位し、弁座４６に接触した状態でシールドガスの供給
が遮断され、弁座から離間した状態でシールドガスが供
給されるように形成される。遮断弁２９の上流側シール
ドガス供給路３９は、ハウジング３３外に配設されるシ
ールドガスを供給する配管３７と接続される。なお、図
６と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略
する。
【００５３】このガス逆拡散防止機構付き操作弁４５で
は、開閉弁３２が開状態の時に、上流側ガス供給配管２
Ａよりの主たるガスをガス逆拡散防止機構１を介して上
流側ガス流通路３４に流し、さらにダイアフラム３６が
開いた状態の開閉弁３２、及び下流側ガス流通路３４を
経て下流側ガス供給配管２Ｂへ輸送するようになされ
る。このとき、同時に遮断弁２９のダイアフラム４７が
開状態になり、シールドガス１４がシールドガス供給配
管３７を通じてガス逆拡散防止機構１に供給され、ガス
逆拡散防止機構１の不連続部５の隙間６からガス流通路
３４の内壁面に沿って供給される。このシールドガス１
４により、下流側ガス供給配管２Ｂからの微小量な異ガ
スの逆流を防止することができる。主たるガスを下流側
ガス供給配管２Ｂ側に輸送しないときは、遮断弁２９の
ダイアフラム４７が閉じられ、シールドガス１４の供給
を停止する。このガス逆拡散防止機構付き操作弁４５に
よれば、シールドガスの供給に係わる容積が最小化され
るため、主たるガス供給系の真空引きや、パージ等のガ
ス制御操作の際の応答性、効率を損ねることなく、所望
の性能を最大限に発揮することができる。
は、開閉弁３２が開状態の時に、上流側ガス供給配管２
Ａよりの主たるガスをガス逆拡散防止機構１を介して上
流側ガス流通路３４に流し、さらにダイアフラム３６が
開いた状態の開閉弁３２、及び下流側ガス流通路３４を
経て下流側ガス供給配管２Ｂへ輸送するようになされ
る。このとき、同時に遮断弁２９のダイアフラム４７が
開状態になり、シールドガス１４がシールドガス供給配
管３７を通じてガス逆拡散防止機構１に供給され、ガス
逆拡散防止機構１の不連続部５の隙間６からガス流通路
３４の内壁面に沿って供給される。このシールドガス１
４により、下流側ガス供給配管２Ｂからの微小量な異ガ
スの逆流を防止することができる。主たるガスを下流側
ガス供給配管２Ｂ側に輸送しないときは、遮断弁２９の
ダイアフラム４７が閉じられ、シールドガス１４の供給
を停止する。このガス逆拡散防止機構付き操作弁４５に
よれば、シールドガスの供給に係わる容積が最小化され
るため、主たるガス供給系の真空引きや、パージ等のガ
ス制御操作の際の応答性、効率を損ねることなく、所望
の性能を最大限に発揮することができる。
【００５４】図９は、上述の図８のガス逆拡散防止機構
付き操作弁４５を用いた半導体製造装置の他の実施の形
態を示す。本例も液体材料気化供給システムを備えたＣ
ＶＤ装置に適用した場合である。本実施の形態に係るＣ
ＶＤ装置５１は、前述の図５と同様に、半導体ウェーハ
が配置される処理装置２０と、液体材料が収容される液
体材料タンク１７と、気化器１８と、各流量コントロー
ラ２３、２５、３０を備え、さらに気化器１８と処理室
２０との間に配設した配管切替えバルブ機構５２を備え
る。本実施の形態においては、特に、配管切替えバルブ
機構５２を図８に示したガス逆拡散防止機構付き操作弁
４５とベント側開閉弁５３とから構成される。操作弁４
５の開閉弁３２がチャンバ側開閉弁に相当する。その他
の構成は図５と同様であり、対応する部分には同一符号
を付して重複説明を省略する。
付き操作弁４５を用いた半導体製造装置の他の実施の形
態を示す。本例も液体材料気化供給システムを備えたＣ
ＶＤ装置に適用した場合である。本実施の形態に係るＣ
ＶＤ装置５１は、前述の図５と同様に、半導体ウェーハ
が配置される処理装置２０と、液体材料が収容される液
体材料タンク１７と、気化器１８と、各流量コントロー
ラ２３、２５、３０を備え、さらに気化器１８と処理室
２０との間に配設した配管切替えバルブ機構５２を備え
る。本実施の形態においては、特に、配管切替えバルブ
機構５２を図８に示したガス逆拡散防止機構付き操作弁
４５とベント側開閉弁５３とから構成される。操作弁４
５の開閉弁３２がチャンバ側開閉弁に相当する。その他
の構成は図５と同様であり、対応する部分には同一符号
を付して重複説明を省略する。
【００５５】本実施の形態のＣＶＤ装置５１の基本的な
動作は、前述の図４と同様である。本例では成膜時以外
のときは、開閉弁３２が閉じ、シールドガスの遮断弁が
閉じられ、混合ガス２１はベント側開閉弁５３を通じて
ベント側へ排気され、シールドガス１４もガス逆拡散防
止機構１への供給が遮断される。このＣＶＤ装置５１で
は、配管切替えバルブ機構５２にガス逆拡散防止機構付
き操作弁４５を用いるので、逆拡散ガスの防止を可能に
したＣＶＤ装置の構成を簡素化することができる。
動作は、前述の図４と同様である。本例では成膜時以外
のときは、開閉弁３２が閉じ、シールドガスの遮断弁が
閉じられ、混合ガス２１はベント側開閉弁５３を通じて
ベント側へ排気され、シールドガス１４もガス逆拡散防
止機構１への供給が遮断される。このＣＶＤ装置５１で
は、配管切替えバルブ機構５２にガス逆拡散防止機構付
き操作弁４５を用いるので、逆拡散ガスの防止を可能に
したＣＶＤ装置の構成を簡素化することができる。
【００５６】図１０は、本発明に係るガス逆拡散防止機
構付き気化器の実施の形態を示す。本実施の形態に係る
ガス逆拡散防止機構付き気化器６１は、液体材料を導入
する液体材料導入口６２、キャリアガスを導入するキャ
リアガス導入口６３を備えた気化器本体１８Ａと、気化
器本体１８Ａの気化材料ガスを排出する出口、即ち液体
材料を気化し、気化材料ガスとキャリアガスとの混合ガ
スを排出する出口６４に一体に取付けたガス逆拡散防止
機構１とを有して成る。ガス逆拡散防止機構１は、前述
の図１と同様の構成であるので、図１と対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略する。
構付き気化器の実施の形態を示す。本実施の形態に係る
ガス逆拡散防止機構付き気化器６１は、液体材料を導入
する液体材料導入口６２、キャリアガスを導入するキャ
リアガス導入口６３を備えた気化器本体１８Ａと、気化
器本体１８Ａの気化材料ガスを排出する出口、即ち液体
材料を気化し、気化材料ガスとキャリアガスとの混合ガ
スを排出する出口６４に一体に取付けたガス逆拡散防止
機構１とを有して成る。ガス逆拡散防止機構１は、前述
の図１と同様の構成であるので、図１と対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略する。
【００５７】本実施の形態のガス逆拡散防止機構付き気
化器６１によれば、気化器本体１８Ａの出口６４の直後
で下流側からの逆拡散ガスの気化器本体１８Ａ内への進
入を阻止することができる。
化器６１によれば、気化器本体１８Ａの出口６４の直後
で下流側からの逆拡散ガスの気化器本体１８Ａ内への進
入を阻止することができる。
【００５８】図１１は、上述の図１０のガス逆拡散防止
機構付き気化器６１を用いた半導体製造装置の他の実施
の形態を示す。本例も液体材料気化供給システムを備え
たＣＶＤ装置に適用した場合である。本実施の形態に係
るＣＶＤ装置６７は、前述の図５と同様に、半導体ウェ
ーハが配置される処理装置２０と、液体材料が収容され
る液体材料タンク１７と、配管切替えバルブ２２と、各
流量コントローラ２３、２５、３０を備え、さらに配管
切替えバルブ２２の下流側に本発明によるガス逆拡散防
止機構付き気化器６１を備えて成る。その他の構成は図
５と同様であり、対応する部分には同一符号を付して重
複説明を省略する。
機構付き気化器６１を用いた半導体製造装置の他の実施
の形態を示す。本例も液体材料気化供給システムを備え
たＣＶＤ装置に適用した場合である。本実施の形態に係
るＣＶＤ装置６７は、前述の図５と同様に、半導体ウェ
ーハが配置される処理装置２０と、液体材料が収容され
る液体材料タンク１７と、配管切替えバルブ２２と、各
流量コントローラ２３、２５、３０を備え、さらに配管
切替えバルブ２２の下流側に本発明によるガス逆拡散防
止機構付き気化器６１を備えて成る。その他の構成は図
５と同様であり、対応する部分には同一符号を付して重
複説明を省略する。
【００５９】本実施の形態のＣＶＤ装置６７の基本的な
動作は、前述の図５と同様である。このＣＶＤ装置６７
では、ガス逆拡散防止機構付き気化器６１を用いるの
で、ガス逆拡散防止を可能にしたＣＶＤ装置の構成を簡
素化することができる。
動作は、前述の図５と同様である。このＣＶＤ装置６７
では、ガス逆拡散防止機構付き気化器６１を用いるの
で、ガス逆拡散防止を可能にしたＣＶＤ装置の構成を簡
素化することができる。
【００６０】上述の実施の形態を、例えば低蒸気圧の液
体材料を気化供給する手段を用いた比較的高真空度ＣＶ
Ｄプロセスに適用するときは、処理室（反応容器）内に
供給された液体気化材料ガス以外の材料ガスが、ＣＶＤ
プロセス中に液体気化材料ガスの輸送配管を逆拡散する
ことを、機械作動的な逆流防止措置手段を用いることな
く、また、気化、輸送、プロセス条件等を大きく変更す
ること無く実現し、気化器内での液体材料との逆拡散ガ
スの反応を防ぐことができる。
体材料を気化供給する手段を用いた比較的高真空度ＣＶ
Ｄプロセスに適用するときは、処理室（反応容器）内に
供給された液体気化材料ガス以外の材料ガスが、ＣＶＤ
プロセス中に液体気化材料ガスの輸送配管を逆拡散する
ことを、機械作動的な逆流防止措置手段を用いることな
く、また、気化、輸送、プロセス条件等を大きく変更す
ること無く実現し、気化器内での液体材料との逆拡散ガ
スの反応を防ぐことができる。
【００６１】本発明の実施においては、液体材料を特定
するものではなく、例示したＴＥＯＳ及びＰＥＴ以外の
液体材料にも適応可能である。さらに、図６、図８に示
すようにガス逆拡散防止機構をバルブハウジングに組み
込んだ構造、図１０に示すようにガス逆拡散防止機構を
気化器に組み込んだ構造は、これに限ったものでなく、
材料、加工手順、バルブ及び気化器の構造、性能に応じ
て機能的に様態を変えて適応できるものである。
するものではなく、例示したＴＥＯＳ及びＰＥＴ以外の
液体材料にも適応可能である。さらに、図６、図８に示
すようにガス逆拡散防止機構をバルブハウジングに組み
込んだ構造、図１０に示すようにガス逆拡散防止機構を
気化器に組み込んだ構造は、これに限ったものでなく、
材料、加工手順、バルブ及び気化器の構造、性能に応じ
て機能的に様態を変えて適応できるものである。
【００６２】上例では、本発明の液体材料気化供給装置
を、半導体装置の一つであるＣＶＤ装置に適用したが、
その他の半導体製造装置、或いは半導体製造装置以外の
液体材料気化供給装置に適用できるものである。上例で
は、本発明の液体材料気化供給方法を、半導体製造装置
の一つであるＣＶＤ装置のガス供給方法に適用したが、
その他の半導体製造装置のガス供給方法、或いは半導体
製造装置以外の液体材料気化供給方法に適用できる。本
発明のガス逆拡散防止を可能にしたガス供給方法は、半
導体製造用に限らず、他のガス供給方法にも適用でき
る。
を、半導体装置の一つであるＣＶＤ装置に適用したが、
その他の半導体製造装置、或いは半導体製造装置以外の
液体材料気化供給装置に適用できるものである。上例で
は、本発明の液体材料気化供給方法を、半導体製造装置
の一つであるＣＶＤ装置のガス供給方法に適用したが、
その他の半導体製造装置のガス供給方法、或いは半導体
製造装置以外の液体材料気化供給方法に適用できる。本
発明のガス逆拡散防止を可能にしたガス供給方法は、半
導体製造用に限らず、他のガス供給方法にも適用でき
る。
【００６３】
【発明の効果】本発明のガス供給方法によれば、ガス供
給配管途中の管内壁に形成した不連続部を通して下流側
配管内壁に沿ってシールド用ガスを導入することで、主
たるガスの供給に際して、機械作動的な逆流防止手段を
用いずに下流側からのガス逆拡散を防止することができ
る。従って、例えば逆拡散ガスとの不要な反応を起こさ
せることなく、正常な状態で主たるガスの供給を可能に
する。本発明のガス逆拡散防止方法によれば、ガス下流
側に向かってガス供給配管の内径より細くした異径管を
設けて、異径管と下流側ガス供給管との間に形成した不
連続部を通して下流側配管内壁に沿ってシールド用ガス
を導入することにより、主たるガスの供給に際して、機
械作動的な逆流防止手段を用いずに、下流側からの逆拡
散ガスを防止することができる。本発明のガス逆拡散防
止装置によれば、機械作動的な逆流防止手段を用いるこ
となく、また、ガス輸送等の条件を大幅に変更すること
なく、下流側からの逆拡散ガスを防止することができ
る。
給配管途中の管内壁に形成した不連続部を通して下流側
配管内壁に沿ってシールド用ガスを導入することで、主
たるガスの供給に際して、機械作動的な逆流防止手段を
用いずに下流側からのガス逆拡散を防止することができ
る。従って、例えば逆拡散ガスとの不要な反応を起こさ
せることなく、正常な状態で主たるガスの供給を可能に
する。本発明のガス逆拡散防止方法によれば、ガス下流
側に向かってガス供給配管の内径より細くした異径管を
設けて、異径管と下流側ガス供給管との間に形成した不
連続部を通して下流側配管内壁に沿ってシールド用ガス
を導入することにより、主たるガスの供給に際して、機
械作動的な逆流防止手段を用いずに、下流側からの逆拡
散ガスを防止することができる。本発明のガス逆拡散防
止装置によれば、機械作動的な逆流防止手段を用いるこ
となく、また、ガス輸送等の条件を大幅に変更すること
なく、下流側からの逆拡散ガスを防止することができ
る。
【００６４】本発明のガス逆拡散防止機構付き操作弁に
よれば、操作弁のハウジング内にガス逆拡散防止機構が
一体に組み込まれるので、操作弁とガス逆拡散防止の両
機能を併せ持つ単一構成品としてコンパクト化され、ガ
ス供給装置に適用した場合に構成の簡略化を図ることが
できる。本発明のガス逆拡散防止機構付き気化器によれ
ば、気化器にガス逆拡散防止機構が一体に組み込まれる
ので、気化器とガス逆拡散防止の両機能を併せ持つ単一
構成品としてコンパクト化され、ガス供給装置に適用し
た場合に構成の簡略化を図ることができる。
よれば、操作弁のハウジング内にガス逆拡散防止機構が
一体に組み込まれるので、操作弁とガス逆拡散防止の両
機能を併せ持つ単一構成品としてコンパクト化され、ガ
ス供給装置に適用した場合に構成の簡略化を図ることが
できる。本発明のガス逆拡散防止機構付き気化器によれ
ば、気化器にガス逆拡散防止機構が一体に組み込まれる
ので、気化器とガス逆拡散防止の両機能を併せ持つ単一
構成品としてコンパクト化され、ガス供給装置に適用し
た場合に構成の簡略化を図ることができる。
【００６５】本発明の液体材料気化供給方法によれば、
機械作動的な逆流防止手段を用いずに、下流側からの逆
拡散ガスを防止し、正常な状態で処理室内へ気化材料ガ
スを供給することができる。本発明の液体材料気化供給
装置によれば、機械作動的な逆流防止手段を用いずに、
下流側からの逆拡散ガスを防止し、正常な状態で処理室
内へ気化材料ガスを供給することができる。
機械作動的な逆流防止手段を用いずに、下流側からの逆
拡散ガスを防止し、正常な状態で処理室内へ気化材料ガ
スを供給することができる。本発明の液体材料気化供給
装置によれば、機械作動的な逆流防止手段を用いずに、
下流側からの逆拡散ガスを防止し、正常な状態で処理室
内へ気化材料ガスを供給することができる。
【００６６】本発明の半導体製造装置におけるガス供給
方法によれば、機械作動的な逆流防止手段を用いずに、
下流側からの逆拡散ガスを防止し、液体材料を気化した
気化材料ガスを正常な状態で処理室内へ供給することが
できる。本発明の半導体製造装置によれば、機械作動的
な逆流防止手段を用いずに、下流側からの逆拡散ガスを
防止し、液体材料を気化した気化材料ガスを正常な状態
で処理室内へ供給することができ、半導体ウェーハに対
する例えば成膜等の処理を適正に行うことができる。
方法によれば、機械作動的な逆流防止手段を用いずに、
下流側からの逆拡散ガスを防止し、液体材料を気化した
気化材料ガスを正常な状態で処理室内へ供給することが
できる。本発明の半導体製造装置によれば、機械作動的
な逆流防止手段を用いずに、下流側からの逆拡散ガスを
防止し、液体材料を気化した気化材料ガスを正常な状態
で処理室内へ供給することができ、半導体ウェーハに対
する例えば成膜等の処理を適正に行うことができる。
【００６７】本発明を、例えば、低蒸気圧の液体材料を
気化供給する手段を用いた比較的高真空度ＣＶＤプロセ
スに適用するときは、処理室（反応容器）内に供給され
た気化材料ガス以外の材料ガスが、ＣＶＤプロセス中に
気化材料ガスの輸送配管を逆拡散することを防止するこ
とができ、即ち、機械作動的な逆流防止措置手段を用い
ることなく、また気化、輸送、プロセス条件等を大きく
変更することなく逆拡散ガスの防止を実現し、気化器内
での液体材料と逆拡散ガスの反応を阻止することができ
る。
気化供給する手段を用いた比較的高真空度ＣＶＤプロセ
スに適用するときは、処理室（反応容器）内に供給され
た気化材料ガス以外の材料ガスが、ＣＶＤプロセス中に
気化材料ガスの輸送配管を逆拡散することを防止するこ
とができ、即ち、機械作動的な逆流防止措置手段を用い
ることなく、また気化、輸送、プロセス条件等を大きく
変更することなく逆拡散ガスの防止を実現し、気化器内
での液体材料と逆拡散ガスの反応を阻止することができ
る。
【図１】本発明に係るガス逆拡散防止装置の一実施の形
態を示す構成図である。
態を示す構成図である。
【図２】図１のガス逆拡散防止装置の各部の寸法を示す
説明図である。
説明図である。
【図３】本発明に係るガス逆拡散防止装置の他の実施の
形態を示す構成図である。
形態を示す構成図である。
【図４】図３のガス逆拡散防止装置の各部の寸法を示す
説明図である。
説明図である。
【図５】本発明に係る半導体製造装置の一実施の形態を
示すもので、図１のガス逆拡散防止装置を適用したＣＶ
Ｄ装置の構成図である。
示すもので、図１のガス逆拡散防止装置を適用したＣＶ
Ｄ装置の構成図である。
【図６】本発明にに係るガス逆拡散防止機構付き操作弁
の一実施の形態を示す構成図である。
の一実施の形態を示す構成図である。
【図７】本発明に係る半導体製造装置の他の実施の形態
を示すもので、図６のガス逆拡散防止機構付き操作弁を
適用したＣＶＤ装置の構成図である。
を示すもので、図６のガス逆拡散防止機構付き操作弁を
適用したＣＶＤ装置の構成図である。
【図８】本発明に係るガス逆拡散防止機構付き操作弁の
他の実施の形態を示す構成図である。
他の実施の形態を示す構成図である。
【図９】本発明に係る半導体製造装置の他の実施の形態
を示すもので、図８のガス逆拡散防止機構付き操作弁を
適用したＣＶＤ装置の構成図である。
を示すもので、図８のガス逆拡散防止機構付き操作弁を
適用したＣＶＤ装置の構成図である。
【図１０】本発明に係るガス逆拡散防止付き気化器の実
施の形態を示す構成図である。
施の形態を示す構成図である。
【図１１】本発明に係る半導体製造装置の他の実施の形
態を示すもので、図１０のガス逆拡散防止機構付き気化
器を適用したＣＶＤ装置の構成図である。
態を示すもので、図１０のガス逆拡散防止機構付き気化
器を適用したＣＶＤ装置の構成図である。
【図１２】従来のＣＶＤ装置を示す構成図である。
【図１３】Ａ〜Ｂ 配管内のガスフロー概念図である。
１・・・ガス逆拡散防止装置、２〔２Ａ，２Ｂ〕・・・
ガス供給配管、３・・・異径管、４・・・空間、５・・
・不連続部、６・・・隙間、７・・・外囲部材、８・・
・キャップ、９・・・逆拡散ガス、１０・・・シールド
ガス供給配管、１１・・・取付け部材、１３・・・主た
るガス、１４・・・シールドガス、１６、４１、５１、
６７・・・ＣＶＤ装置、１７・・・液体材料タンク、１
８・・・気化器、１８Ａ・・・気化器本体、１９シール
ドガス、２０・・・処理室、２１・・・混合ガス、２２
・・・配管切替えバルブ、２２ａ・・・チャンバ側開閉
弁、２２ｂ・・・ベント開閉弁、２４・・・液体材料、
２３、２５、３０・・・流量コントローラ、２９・・・
開閉弁、３１、４５・・・ガス逆拡散防止機構付き操作
弁、３２・・・開閉弁、３３・・・ハウジング、３４・
・・ガス流通路、３５、４６・・・弁座、３６、４７・
・・ダイアフラム、３９・・・シールドガス流通路、４
２、５２・・・配管切替え機構、４３、５３・・・開閉
弁、６１・・・ガス逆拡散防止機構付き気化器、６２・
・・出口、６３・・・導入口
ガス供給配管、３・・・異径管、４・・・空間、５・・
・不連続部、６・・・隙間、７・・・外囲部材、８・・
・キャップ、９・・・逆拡散ガス、１０・・・シールド
ガス供給配管、１１・・・取付け部材、１３・・・主た
るガス、１４・・・シールドガス、１６、４１、５１、
６７・・・ＣＶＤ装置、１７・・・液体材料タンク、１
８・・・気化器、１８Ａ・・・気化器本体、１９シール
ドガス、２０・・・処理室、２１・・・混合ガス、２２
・・・配管切替えバルブ、２２ａ・・・チャンバ側開閉
弁、２２ｂ・・・ベント開閉弁、２４・・・液体材料、
２３、２５、３０・・・流量コントローラ、２９・・・
開閉弁、３１、４５・・・ガス逆拡散防止機構付き操作
弁、３２・・・開閉弁、３３・・・ハウジング、３４・
・・ガス流通路、３５、４６・・・弁座、３６、４７・
・・ダイアフラム、３９・・・シールドガス流通路、４
２、５２・・・配管切替え機構、４３、５３・・・開閉
弁、６１・・・ガス逆拡散防止機構付き気化器、６２・
・・出口、６３・・・導入口
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K030 AA11 AA14 AA18 BA29 CA04
CA12 EA01 EA05 FA10 JA20
KA43
5F045 AA06 EB02 EE01 EE20
(54)【発明の名称】 ガス供給方法、ガス逆拡散防止方法、ガス逆拡散防止装置、ガス逆拡散防止機構付き操作弁、ガ
ス逆拡散防止機構付き気化器、液体材料気化供給方法と液体材料気化供給装置、及び半導体製造
装置におけるガス供給方法と半導体製造装置
Claims (22)
- 【請求項１】 ガス供給配管の途中に管内壁の不連続部
を形成し、 前記不連続部を通して下流側のガス供給配管の内壁に沿
ってシールド用ガスを導入しながら、ガス供給配管の上
流側から主たるガスを供給することを特徴とするガス供
給方法。 - 【請求項２】 内径をガス流の下流側に向かってガス供
給配管の内径より細くした異径管を設け、 前記異径管の内径が細い端部と前記ガス供給配管との間
に形成した不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に
沿ってシールド用ガスを導入し、下流側からの逆拡散ガ
スを防止することを特徴とするガス逆拡散防止方法。 - 【請求項３】 内径を主ガス流の下流側に向かってガス
供給配管の内径より細くした異径管と、 前記異径管の内径が細い端部と前記ガス供給配管との間
に形成された不連続部と、 前記不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に沿っ
て、下流側からの逆拡散ガスを防止するシールド用ガス
を導入するシールド用ガス導入部とから成ることを特徴
とするガス逆拡散防止装置。 - 【請求項４】 ガス流通路を有し主ガス流通の開閉弁が
設けられたハウジング内に、下流側からの逆拡散ガスを
防止するガス逆流防止機構が一体に組み込まれ、 前記ガス逆流防止機構が、 内径を主ガス流の下流側に向かって前記開閉弁に通じる
ガス流通路の内径より細くした異径管と、 前記異径管の内径が細い端部と前記ガス流通路との間に
形成された不連続部と、 前記不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に沿って
シールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部とから
成ることを特徴とするガス逆拡散防止機構付き操作弁。 - 【請求項５】 主ガス流通の開閉弁が設けられたハウジ
ング内に、シールド用ガスを導入して下流側からの逆拡
散ガスを防止するガス逆流防止機構と、前記シールド用
ガスの遮断弁とが一体に組み込まれ、 前記ガス逆流防止機構が、 内径を主ガス流の下流側に向かって前記開閉弁に通じる
ガス流通路の内径より細くした異径管と、 前記異径管の内径が細い端部と前記ガス流通路との間に
形成された不連続部と、 前記不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に沿って
前記シールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部と
から成ることを特徴とするガス逆拡散防止機構付き操作
弁。 - 【請求項６】 液体材料を気化する気化器の出口側に、
シールド用ガスを導入して下流側からの逆拡散ガスを防
止するガス逆流防止機構が取り付けられ、 前記ガス逆流防止機構が、 内径を主ガス流の下流側に向かって前記開閉弁に通じる
ガス流通路の内径より細くした異径管と、 前記異径管の内径が細い端部と前記ガス流通路との間に
形成された不連続部と、 前記不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に沿って
前記シールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部と
から成ることを特徴とするガス逆拡散防止機構付き気化
器。 - 【請求項７】 液体材料供給手段からの液体材料を気化
手段により気化し、 該気化材料ガスを、 内径をガス流の下流側に向かってガス供給配管の内径よ
り細くした異径管を有し、該異径管と下流側のガス供給
管との間の不連続部からシールド用ガスを導入するよう
に構成されたガス逆拡散防止機構を通して、前記不連続
部から下流側のガス供給配管の内壁に沿ってシールド用
ガスを供給しながら切替え手段を通じて処理室に供給す
ることを特徴とする液体材料気化供給方法。 - 【請求項８】 液体材料供給手段からの液体材料を気化
手段により気化し、 該気化材料ガスを、 内径をガス流の下流側に向かってガス供給配管の内径よ
り細くした異径管を有し、該異径管と下流側のガス供給
管との間の不連続部からシールド用ガスを導入するよう
に構成されたガス逆拡散防止機構が、主ガス流通の開閉
弁が設けられたハウジング内に一体に組み込まれてなる
ガス逆拡散防止機構付き切替え手段を通じて、前記ガス
逆拡散防止機構の不連続部から下流側のガス供給配管の
内壁に沿ってシールド用ガスを供給しながら処理室に供
給することを特徴とする液体材料気化供給方法。 - 【請求項９】 液体材料供給手段からの液体材料を気化
手段により気化し、 該気化材料ガスを、 内径をガス流の下流側に向かってガス供給配管の内径よ
り細くした異径管を有し、該異径管と下流側のガス供給
管との間の不連続部からシールド用ガスを導入するよう
に構成されたガス逆拡散防止機構と前記シールド用ガス
の遮断弁とが、主ガス流通の開閉弁が設けられたハウジ
ング内に一体に組み込まれてなるガス逆拡散防止機構付
き切替え手段を通じて、前記ガス逆拡散防止機構の不連
続部から下流側のガス供給配管の内壁に沿ってシールド
用ガスを供給しながら処理室に供給することを特徴とす
る液体材料気化供給方法。 - 【請求項１０】 液体材料供給手段からの液体材料を、 内径をガス流の下流側に向かってガス供給配管の内径よ
り細くした異径管を有し、該異径管と下流側のガス供給
管との間の不連続部からシールド用ガスを導入するよう
に構成されたガス逆拡散防止機構が、出口側に取付けら
れてなるガス逆拡散防止機構付き気化手段により気化
し、 該気化材料ガスを、前記ガス逆拡散防止機構の不連続部
から下流側のガス供給配管の内壁に沿ってシールド用ガ
スを供給しながら切替え手段を通じて処理室に供給する
ことを特徴とする液体材料気化供給方法。 - 【請求項１１】 液体材料供給手段と、 液体材料の気化手段と、 液体材料を気化した気化材料ガスを供給して処理を行う
処理室と、 前記気化手段と前記処理室との間に気化材料ガスの流路
を切り換える切替え手段と、 前記気化手段と前記切替え手段との間にシールド用ガス
を導入して下流側からの逆拡散ガスを防止するガス逆流
防止機構とを備え、 前記ガス逆流防止機構が、 内径を主ガス流の下流側に向かって前記開閉弁に通じる
ガス流通路の内径より細くした異径管と、 前記異径管の内径が細い端部と前記ガス流通路との間に
形成された不連続部と、 前記不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に沿って
前記シールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部と
から成ることを特徴とする液体材料気化供給装置。 - 【請求項１２】 液体材料供給手段と、 液体材料の気化手段と、 液体材料を気化した気化材料ガスを供給して処理を行う
処理室と、 前記気化手段と前記処理室との間に気化材料ガスの流路
を切り換える切替え手段とを備え、 前記切替え手段は、主ガス流通の開閉弁が設けられたハ
ウジング内に、下流側からの逆拡散ガスを防止するガス
逆流防止機構が一体に組み込まれたガス逆拡散防止機構
付き切替え弁から成り、 前記ガス逆流防止機構が、 内径を主ガス流の下流側に向かって前記開閉弁に通じる
ガス流通路の内径より細くした異径管と、 前記異径管の内径が細い端部と前記ガス流通路との間に
形成された不連続部と、 前記不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に沿って
前記シールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部と
から成ることを特徴とする液体材料気化供給装置。 - 【請求項１３】 液体材料供給手段と、 液体材料の気化手段と、 液体材料を気化した気化材料ガスを供給して処理を行う
処理室と、 前記気化手段と前記処理室との間に気化材料ガスの流路
を切り換える切替え手段とを備え、 前記切替え手段は、主ガス流通の開閉弁が設けられたハ
ウジング内に、シールド用ガスを導入して下流側からの
逆拡散ガスを防止するガス逆流防止機構と、前記シール
ド用ガスの遮断弁とが一体に組み込まれたガス逆拡散防
止機構付き切替え手段から成り、 前記ガス逆流防止機構が、 内径を主ガス流の下流側に向かって前記開閉弁に通じる
ガス流通路の内径より細くした異径管と、 前記異径管の内径が細い端部と前記ガス流通路との間に
形成された不連続部と、 前記不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に沿って
前記シールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部と
から成ることを特徴とする液体材料気化供給装置。 - 【請求項１４】 液体材料供給手段と、 液体材料の気化手段と、 液体材料を気化した気化材料ガスを供給して処理を行う
処理室と、 前記気化手段と前記処理室との間に気化材料ガスの流路
を切り換える切替え手段とを備え、 前記気化器は、出口側に、シールド用ガスを導入して下
流側からの逆拡散ガスを防止するガス逆流防止機構が取
り付けられたガス逆拡散防止機構付き気化器から成り、 前記ガス逆流防止機構が、 内径を主ガス流の下流側に向かって前記開閉弁に通じる
ガス流通路の内径より細くした異径管と、 前記異径管の内径が細い端部と前記ガス流通路との間に
形成された不連続部と、 前記不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に沿って
前記シールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部と
から成ることを特徴とする液体材料気化供給装置。 - 【請求項１５】 液体材料供給手段からの液体材料を気
化手段により気化し、 該気化材料ガスを、 内径をガス流の下流側に向かってガス供給配管の内径よ
り細くした異径管を有し、該異径管と下流側のガス供給
管との間の不連続部からシールド用ガスを導入するよう
に構成されたガス逆拡散防止機構を通して、前記不連続
部から下流側のガス供給配管の内壁に沿ってシールド用
ガスを供給しながら切替え手段を通じて半導体ウェーハ
処理室に供給することを特徴とする半導体製造装置にお
けるガス供給方法。 - 【請求項１６】 液体材料供給手段からの液体材料を気
化手段により気化し、 該気化材料ガスを、 内径をガス流の下流側に向かってガス供給配管の内径よ
り細くした異径管を有し、該異径管と下流側のガス供給
管との間の不連続部からシールド用ガスを導入するよう
に構成されたガス逆拡散防止機構が、主ガス流通の開閉
弁が設けられたハウジング内に一体に組み込まれてなる
ガス逆拡散防止機構付き切替え手段を通じて、前記ガス
逆拡散防止機構の不連続部から下流側のガス供給配管の
内壁に沿ってシールド用ガスを供給しながら半導体ウェ
ーハ処理室に供給することを特徴とする半導体製造装置
におけるガス供給方法。 - 【請求項１７】 液体材料供給手段からの液体材料を気
化手段により気化し、 該気化材料ガスを、 内径をガス流の下流側に向かってガス供給配管の内径よ
り細くした異径管を有し、該異径管と下流側のガス供給
管との間の不連続部からシールド用ガスを導入するよう
に構成されたガス逆拡散防止機構と前記シールド用ガス
の遮断弁とが、主ガス流通の開閉弁が設けられたハウジ
ング内に一体に組み込まれてなるガス逆拡散防止機構付
き切替え手段を通じて、前記ガス逆拡散防止機構の不連
続部から下流側のガス供給配管の内壁に沿ってシールド
用ガスを供給しながら半導体ウェーハ処理室に供給する
ことを特徴とする半導体製造装置におけるガス供給方
法。 - 【請求項１８】 液体材料供給手段からの液体材料を、 内径をガス流の下流側に向かってガス供給配管の内径よ
り細くした異径管を有し、該異径管と下流側のガス供給
管との間の不連続部からシールド用ガスを導入するよう
に構成されたガス逆拡散防止機構が、出口側に取付けら
れてなるガス逆拡散防止機構付き気化手段により気化
し、 該気化材料ガスを、前記ガス逆拡散防止機構の不連続部
から下流側のガス供給配管の内壁に沿ってシールド用ガ
スを供給しながら切替え手段を通じて半導体ウェーハ処
理室に供給することを特徴とする半導体製造装置におけ
るガス供給方法。 - 【請求項１９】 液体材料供給手段と、 液体材料の気化手段と、 液体材料を気化した気化材料ガスを供給して処理を行う
半導体ウェーハ処理室と、 前記気化手段と前記処理室との間に気化材料ガスの流路
を切り換える切替え手段と、 前記気化手段と前記切替え手段との間にシールド用ガス
を導入して下流側からの逆拡散ガスを防止するガス逆流
防止機構とを備え、 前記ガス逆流防止機構が、 内径を主ガス流の下流側に向かって前記開閉弁に通じる
ガス流通路の内径より細くした異径管と、 前記異径管の内径が細い端部と前記ガス流通路との間に
形成された不連続部と、 前記不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に沿って
前記シールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部と
から成ることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２０】 液体材料供給手段と、 液体材料の気化手段と、 液体材料を気化した気化材料ガスを供給して処理を行う
半導体ウェーハ処理室と、 前記気化手段と前記処理室との間に気化材料ガスの流路
を切り換える切替え手段とを備え、 前記切替え手段は、主ガス流通の開閉弁が設けられたハ
ウジング内に、下流側からの逆拡散ガスを防止するガス
逆流防止機構が一体に組み込まれたガス逆拡散防止機構
付き切替え手段から成り、 前記ガス逆流防止機構が、 内径を主ガス流の下流側に向かって前記開閉弁に通じる
ガス流通路の内径より細くした異径管と、 前記異径管の内径が細い端部と前記ガス流通路との間に
形成された不連続部と、 前記不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に沿って
前記シールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部と
から成ることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２１】 液体材料供給手段と、 液体材料の気化手段と、 液体材料を気化した気化材料ガスを供給して処理を行う
半導体ウェーハ処理室と、 前記気化手段と前記処理室との間に気化材料ガスの流路
を切り換える切替え手段とを備え、 前記切替え手段は、主ガス流通の開閉弁が設けられたハ
ウジング内に、シールド用ガスを導入して下流側からの
逆拡散ガスを防止するガス逆流防止機構と、前記シール
ド用ガスの遮断弁とが一体に組み込まれたガス逆拡散防
止機構付き切替え手段から成り、 前記ガス逆流防止機構が、 内径を主ガス流の下流側に向かって前記開閉弁に通じる
ガス流通路の内径より細くした異径管と、 前記異径管の内径が細い端部と前記ガス流通路との間に
形成された不連続部と、 前記不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に沿って
前記シールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部と
から成ることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２２】 液体材料供給手段と、 液体材料の気化手段と、 液体材料を気化した気化材料ガスを供給して処理を行う
半導体ウェーハ処理室と、 前記気化手段と前記処理室との間に気化材料ガスの流路
を切り換える切替え手段とを備え、 前記気化器は、出口側に、シールド用ガスを導入して下
流側からの逆拡散ガスを防止するガス逆流防止機構が取
り付けられたガス逆拡散防止機構付き気化器から成り、 前記ガス逆流防止機構が、 内径を主ガス流の下流側に向かって前記開閉弁に通じる
ガス流通路の内径より細くした異径管と、 前記異径管の内径が細い端部と前記ガス流通路との間に
形成された不連続部と、 前記不連続部を通して前記ガス供給配管の内壁に沿って
前記シールド用ガスを導入するシールド用ガス導入部と
から成ることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002017231A JP2003218042A (ja) | 2002-01-25 | 2002-01-25 | ガス供給方法、ガス逆拡散防止方法、ガス逆拡散防止装置、ガス逆拡散防止機構付き操作弁、ガス逆拡散防止機構付き気化器、液体材料気化供給方法と液体材料気化供給装置、及び半導体製造装置におけるガス供給方法と半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002017231A JP2003218042A (ja) | 2002-01-25 | 2002-01-25 | ガス供給方法、ガス逆拡散防止方法、ガス逆拡散防止装置、ガス逆拡散防止機構付き操作弁、ガス逆拡散防止機構付き気化器、液体材料気化供給方法と液体材料気化供給装置、及び半導体製造装置におけるガス供給方法と半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003218042A true JP2003218042A (ja) | 2003-07-31 |
Family
ID=27652992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002017231A Pending JP2003218042A (ja) | 2002-01-25 | 2002-01-25 | ガス供給方法、ガス逆拡散防止方法、ガス逆拡散防止装置、ガス逆拡散防止機構付き操作弁、ガス逆拡散防止機構付き気化器、液体材料気化供給方法と液体材料気化供給装置、及び半導体製造装置におけるガス供給方法と半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003218042A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017121704A1 (de) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Aixtron Se | Vorrichtung zum bereitstellen eines prozessgases in einer beschichtungseinrichtung |
-
2002
- 2002-01-25 JP JP2002017231A patent/JP2003218042A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017121704A1 (de) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Aixtron Se | Vorrichtung zum bereitstellen eines prozessgases in einer beschichtungseinrichtung |
| CN108699689A (zh) * | 2016-01-15 | 2018-10-23 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 用于在涂层设备中制备过程气体的装置 |
| CN108699689B (zh) * | 2016-01-15 | 2021-06-15 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 用于在涂层设备中制备过程气体的装置 |
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