KR20180102168A - 코팅 장치 내에서 공정 가스를 공급하기 위한 장치 - Google Patents
코팅 장치 내에서 공정 가스를 공급하기 위한 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180102168A KR20180102168A KR1020187023579A KR20187023579A KR20180102168A KR 20180102168 A KR20180102168 A KR 20180102168A KR 1020187023579 A KR1020187023579 A KR 1020187023579A KR 20187023579 A KR20187023579 A KR 20187023579A KR 20180102168 A KR20180102168 A KR 20180102168A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- housing
- barrier
- discharge channel
- gas discharge
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 149
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 239000008259 solid foam Substances 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000003100 immobilizing effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 171
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 7
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 210000000936 intestine Anatomy 0.000 description 1
- 239000008263 liquid aerosol Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- IHQKEDIOMGYHEB-UHFFFAOYSA-M sodium dimethylarsinate Chemical class [Na+].C[As](C)([O-])=O IHQKEDIOMGYHEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000008275 solid aerosol Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material using a porous body
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 코팅 장치 내에서 공정 가스를 제공하기 위한 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 하우징(1)과 이러한 하우징 내에 배치되어 있고, 액체 또는 고체 출발 물질들을 위한 증발 장치(3, 3', 3")를 포함하는 소스 하우징(2); 상기 소스 하우징(2)을 통해 제1 가스 흐름(5)을 발생시키기 위해 상기 소스 하우징(2) 내로 안내되는 제1 가스 공급 라인(4); 상기 제1 가스 흐름(5)을 상기 소스 하우징(2)으로부터 운반 라인(7) 내로 배출하기 위한 제1 가스 배출 채널(6); 상기 소스 하우징(2) 밖에서 상기 하우징(1)을 통해 제2 가스 흐름(9)을 발생시키기 위해 상기 하우징(1) 내로 안내되는 제2 가스 공급 라인(8); 그리고 상기 제2 가스 흐름(9)을 상기 하우징(1)으로부터 상기 운반 라인(7) 내로 배출하기 위한 제2 가스 배출 채널(10)을 포함하고, 이때 상기 제2 가스 배출 채널은 상기 제1 가스 배출 채널(6)을 둘러싸고, 그 내부에 역확산 배리어(11)가 배치되어 있다. 본 발명에 따르면, 상기 역확산 배리어(11)는 특히, 상기 가스 배출 채널(6)의 대향하는 2개의 벽 섹션의 위치 변화가 서로 상대적으로 가능하도록 형성되어 있다.
Description
본 발명은 코팅 장치 내에서 공정 가스(process gas)를 제공하기 위한 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 소스 하우징(source housing) 내에 배치된, 액체 또는 고체 출발 물질들을 위한 증발 장치를 포함한다. 제1 가스 공급 라인에 의해서는 상기 소스 하우징 내로, 액체 또는 고체 에어로졸 입자를 포함하는 에어로졸이 공급된다. 상기 에어로졸 입자들은 상기 위치에서 증발된다. 증기는 가스 배출 채널을 통해 소스 하우징으로부터 배출된다. 운반 라인에 의해서는 증발 장치에 의해 생성된 증기가 공정 챔버로 공급되고, 이러한 공정 챔버 내에는 가스 배출 부재가 있으며, 이 경우 상기 증기는 상기 가스 배출 부재를 통해 배출되며, 이렇게 함으로써 상기 공정 챔버 내에서 특히, 냉각된 서셉터(susceptor) 상에 배치된 기판(substrate)이 응축된다.
WO 2012/175128 A1호는 증발 장치를 기술하며, 이 경우 상기 증발 장치는 에어로졸의 유동 방향으로 연이어 배치된 2개의 열전달체(heat transfer body)를 포함한다. 상기 2개의 열전달체는 전류를 통과시켜 가열되는 전도성 고체 발포재들에 의해 형성된다. WO 2012/175124 A1호, WO 2010/175126 A1호, DE 10 2011 051 261 A1호 또는 DE 10 2011 051 260 A1호는 유사한 장치들을 기술한다.
US 4,769,296호 및 US 4,885,211호에는 유기 출발 물질들로 이루어진 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diodes)의 제조가 공지되어 있다. OLED의 제조를 위해서는, 고체 또는 액체 출발 물질들이 가스 형태로 제공되어야 한다. 이러한 공정은 증발기에 의해 수행된다.
DE 10 2014 115 497 A1호는 OLED를 증착하기 위한 장치를 기술한다. 상기 문서에는, 코팅 장치 내에서 공정 가스를 제공하기 위한 장치가 기재되어 있으며, 이 경우 액체 또는 고체 출발 물질은 증발 장치에 의해 증발된다. 캐리어 가스(carrier gas)에 의해 운반된 증기는 제1 가스 배출 채널을 통해 소스 하우징으로부터 나와 운반 라인 내로 안내된다. 제2 가스 공급 라인은 증기를 포함하는 제1 가스 흐름이 희석되는 제2 가스 흐름을 배출하기 위한 운반 라인에 도달한다.
DE 10 2014 109 196호는 CVD 또는 PVD 장치를 위한 고체 또는 액체 출발 물질로부터 증기를 발생시키기 위한 장치를 기술하며, 이 경우 제1 가스 흐름은 제1 공급 라인들에 의해 소스 하우징으로 공급된다. 제1 가스 공급 라인은 관들에 의해 형성되며, 이러한 관들의 개방 단부들은 열전달체 내에서 합류한다. 상기 열전달체의 하류 측에는 각각 전류를 통과시켜 가열되는 추가 열전달체들이 있다.
US 2010/0206231 A1호, US 2010/0012036 A1호, JP 0800823 A호 및 EP 2 819 150 A2호는, 공정 챔버 내로의 역확산((back-diffusion)을 방지하기 위해 CVD 반응기의 공정 챔버의 하류 측에서 가스 배출 라인 내에 배치된 래버린스 밀봉부들 또는 역확산 배리어들을 기술한다.
본 발명의 과제는 공정 가스를 제공하기 위한 장치를 사용상 유용하게 개선하는 것이다.
상기 과제는, 먼저 그리고 실질적으로 코팅 장치 내에서 공정 가스를 제공하기 위한 장치에 의해 해결되며, 이 경우 상기 장치는 하우징과 이러한 하우징 내에 배치되어 있고, 액체 또는 고체 출발 물질들을 위한 증발 장치를 포함하는 소스 하우징, 상기 소스 하우징을 통해 제1 가스 흐름을 발생시키기 위해 상기 소스 하우징 내로 안내되는 제1 가스 공급 라인, 상기 제1 가스 흐름을 상기 소스 하우징으로부터 운반 라인 내로 배출하기 위한 제1 가스 배출 채널, 상기 소스 하우징 밖에서 상기 하우징을 통해 제2 가스 흐름을 발생시키기 위해 상기 하우징 내로 안내되는 제2 가스 공급 라인 그리고 상기 제2 가스 흐름을 상기 하우징으로부터 상기 운반 라인 내로 배출하기 위한 제2 가스 배출 채널을 포함하고, 이 경우 상기 제2 가스 배출 채널은 상기 제1 가스 배출 채널을 둘러싸고, 그 내부에 역확산 배리어(back-diffusion barrier)가 배치되어 있다.
종속항들은 상기와 같은 장치의 바람직한 개선예들뿐만 아니라 상기 과제의 독자적인 해결책도 제공한다.
하기 특징들은, 상기 과제를 해결하기 위해 또는 앞서 제시된 장치를 기술적으로 최적화하기 그 자체로 개별적으로뿐만 아니라 조합 방식으로도 제공된다: 제2 가스 배출 채널 영역에서는 소스 하우징이 이러한 소스 하우징을 수용하는 하우징에 대해 약간 이동될 수 있으며, 이러한 이동은 제2 가스 배출 채널의 대향하는 2개의 벽의 간격 변화를 수반한다. 역확산 배리어는 상기와 같은 상대 이동을 허용한다. 상기 역확산 배리어는 다수의 배리어 소자로 구성된다. 제1 배리어 소자는 소스 하우징에 고정될 수 있다. 제2 배리어 소자는 소스 하우징을 둘러싸는 장치 하우징에 고정될 수 있다. 제2 가스 배출 채널의 벽은 소스 하우징의 구성 부품에 의해 그리고 제2 가스 배출 채널의 또 다른 벽은 장치 하우징의 구성 부품에 의해 형성된다. 횡단면으로 볼 때, 제2 가스 배출 채널은 링 형상을 갖고, 이 경우 반경 방향 내측 채널 벽은 소스 하우징에 의해 그리고 반경 방향 외측 채널 벽은 장치 하우징에 의해 형성되어 있다. 소스 하우징에 고정된 제1 배리어 소자는 자유 가장자리를 갖고, 이러한 자유 가장자리에 의해 상기 제1 배리어 소자는 제2 가스 배출 채널의 대향하는 벽으로부터 이격되어 있다. 제2 배리어 소자는 장치 하우징에 고정되어 있고 자유 가장자리를 가지며, 이러한 자유 가장자리는 가스 배출 채널의 대향하는 벽으로부터 이격되어 있다. 상기 2개의 배리어 소자는 서로 상대적으로 이동할 수 있다. 상기 2개의 배리어 소자는 밀봉 방식으로 서로 접촉하는 방식으로 제공되어 있다. 상기 2개의 배리어 소자는 전단되어 접촉면들을 따라 슬라이딩할 수 있다. 배리어 소자 중 적어도 하나의 배리어 소자는 가스 투과성일 수 있다. 이러한 가스 투과성 배리어 소자는 다수의 가스 관통 개구를 가질 수 있다. 가스 배리어 소자들은 환형 디스크 모양의 바디들에 의해 형성될 수 있다. 소스 하우징에 연결된 제1 배리어 소자는 고정 가장자리인 반경 방향 내측 가장자리 그리고 자유 가장자리인 반경 방향 외측 가장자리를 가지며, 이 경우 상기 반경 방향 내측 가장자리에 의해 상기 제1 배리어 소자는 소스 하우징에 고정되어 있다. 제2 배리어 소자는 고정 가장자리인 반경 방향 외측 가장자리를 구비하고, 이러한 반경 방향 외측 가장자리에 의해 상기 제2 배리어 소자는 장치 하우징에 고정되어 있다. 상기 제2 배리어 소자는 자유 가장자리를 갖고, 상기 자유 가장자리는 제2 가스 배출 채널의 대향하는 벽으로부터 이격되어 있다. 따라서 상기 2개의 바람직한 배리어 소자는 소스 하우징에 부동으로 (그러나 장치 하우징에 대해) 고정되어 있거나, 또는 장치 하우징에 부동으로 (그러나 소스 하우징에 대해 가동성으로) 고정되어 있다. 가스 비투과성 배리어 소자는 서로로부터 멀리 가이드되는 2개의 표면에 의해 각각 접촉하는 방식으로 가스 배출 개구들을 갖는 배리어 소자에 인접하는 방식으로 제공되어 있다. 가스 비투과성 배리어 소자는 장치 하우징에 고정될 수 있다. 가스 배출 개구들을 갖는 2개의 배리어 소자는 소스 하우징에 고정될 수 있다. 물론 반대로 할당하는 것도 가능하다. 상기 배리어 소자들은 제2 가스 흐름의 유동 방향으로 교대로 접촉하는 방식으로 서로 인접하는 평평한 환형 바디일 수 있다. 상기와 같은 배리어 소자들은 제2 가스 배출 채널의 대향하는 벽들에 고정되어 있으며, 바람직하게는 소스 하우징 또는 장치 하우징에 교대로 고정되어 있다. 소스 하우징은, 배리어 소자들이 상호 이동할 수 있는 평면 내에서 장치 하우징에 대해 움직일 수 있다. 상기와 같은 움직임은 증발 장치의 가열 시 열팽창에 의해 야기될 수 있다. 가스 배출 개구들은, 배리어 소자들의 상대 이동 시 서로 밀폐되지 않도록 형성되고 배치되어 있다. 특히, 배리어 소자의 자유 가장자리로부터 가스 투과성 배리어 소자의 가스 관통 개구들의 간격은 가스 비투과성 배리어 소장의 고정 가장자리까지의 자유 가장자리의 간격보다 크다. 이러한 2개의 배리어 소자는 제2 가스 배출 채널의 상호 이동 가능한 벽들에 할당되어 있음으로써, 가스 배출 채널의 두 벽의 극단적인 상대 이동 위치들에서도 가스 관통 개구가 폐쇄되지 않고, 상호 이동하는 배리어 소자들이 오버랩되는 것이 보장된다. 이를 위해, 가스 비투과성 배리어 소자의 고정 가장자리까지의 자유 가장자리의 간격과 가스 투과성 배리어 소자의 고정 가장자리로부터 상기 가스 투과성 배리어 소자의 자유 가장자리의 합은 상기 배리어 소자들을 지지하는 제2 가스 배출 채널의 2개의 벽의 최대 가능한 간격보다 크다. 그 결과 적어도 2개의 배리어 소자가 소스 하우징의 최대 이동 시에도 장치 하우징에 대해 제2 가스 배출 채널의 전체 둘레 연장부에 걸쳐 오버랩되는 것이 보장된다. 소스 하우징은 배리어 소자가 고정된 하부 정면을 가질 수 있다. 상기 하부 정면은 제1 가스 배출 채널의 개구를 둘러싸고, 상기 제1 가스 배출 채널을 통해서는 증기를 포함하는 제1 가스 흐름이 배출된다. 상기 개구 또는 정면 가장자리는 소스 하우징의 실제로 관 모양의 섹션에 의해 형성된다. 상기 관 모양의 섹션의 반경 방향 내벽은 제1 가스 배출 채널의 벽을 형성한다. 관 모양의 섹션의 반경 방향 외향 벽은 제2 가스 배출 채널의 벽을 형성한다. 유동 방향으로 제1 가스 배출 채널의 입구의 하류 측에는 운반 라인을 환형으로 둘러싸는 갭 공간이 있다. 이러한 갭 공간에는 확산 배리어의 가스 관통 개구들이 합류한다. 특히, 증발 장치를 형성하는 고체 발포체를 가열하기 위한 가열 장치에 의해서는 증발 장치 또는 소스 하우징이 장치 하우징이 유지되는 온도보다 높은 온도로 가열될 수 있다. 따라서 장치는 가스 관통 개구가 배치된 제1 하우징을 갖고, 상기 제1 하우징은 제1 하우징을 둘러싸고 퍼지 가스에 의해 관류되는 제2 하우징보다 높은 온도를 가질 수 있으며, 이 경우 상기 퍼지 가스는 운반 라인 내에서 제1 하우징을 관류하는 가스 흐름과 혼합되고, 이로 인해 운반 라인으로부터 제1 하우징을 둘러싸는 제2 하우징의 부피 영역으로의 역확산을 방지하기 위해 역확산 배리어가 제공되어 있으며, 제2 가스 흐름을 형성하는 퍼지 가스 흐름은 상기 역확산 배리어를 관통해야 한다. 역확산 배리어의 가스 관통 개구들은 국부적으로 증가된 유동 속도를 야기한다. 증발 장치는 개구를 갖는 열전달체를 구비하고, 이때 상기 개구 내에는 공급 라인 관이 삽입된다. 상기 공급 라인의 관의 입구는 제2 열전달체의 상류 측 영역에 위치한다. 2개의 열전달체 사이에는 간극이 제공될 수 있다. 상기와 같은 증발 장치의 실시예와 관련하여서는, 본 출원서의 공개 내용에 전체 내용적으로 포함되는 DE 10 2014 109 196호의 내용이 참조된다. 증발 장치 내에서 생성되는 증기가 여러 번의 희석을 통해 반응기의 공정 챔버로 유입시키는 공급 라인 시스템은 DE 10 2014 115 497호가 기술하며, 상기 문서의 공개 내용은 완전히 본 특허 출원서의 공개 내용에 통합된다. 바람직한 일 실시예에 따르면, 장치는 3개의 링을 가지며, 그 중 적어도 2개의 링은 원호 라인 상에 균일하게 분포된 가스 관통 개구를 형성하는 홀들을 갖는다. 링들은 서로 겹쳐서 배치되어 있고 외측과 내측에 교대로 센터링되어 있다. 따라서 역확산이 방지되고 장치 하우징에 대한 소스 하우징의 중심 위치와 관련하여 공차가 보상된다. 가스 관통 개구의 균일한 배치에 의해 균일한 유동 분포가 형성된다. 상기 장치는 액체 또는 분말 형태의 물질을 증발시키기 위해 사용되며, 제1 하우징 내에 배치된 증발 유닛으로 구성된다. 제2 하우징은 제1 하우징을 캡슐화하고 제1 하우징의 벽들로부터 이격된 하우징 벽들을 구비함으로써, 제1 하우징을 둘러싸는 공동이 형성된다. 제1 하우징은 증기를 포함하는 제1 가스 흐름을 배출하기 위한 가스 배출 채널을 구비한다. 상기 가스 배출 채널은 생성된 증기가 수집되는 수집 구역을 형성하며, 증발된 물질은 상기 수집 구역을 통과하여 제2 가스 흐름이 공급되는 교차점으로 흐른다. 제2 가스 흐름에 의해 상기 교차점은, 제1 하우징을 둘러싸는 제2 하우징의 공동 내로 증기의 역류가 일어날 수 없도록 퍼징(purging)된다. 역확산 배리어는 제1 하우징의 영역에서의 온도 변화가 교차점으로 흐르는 가스 흐름의 변화를 야기하지 않도록 형성되어 있다. 가스 흐름을 제어하기 위한 장치가 제공된다. 이 목적으로 질량 흐름 제어기 등이 사용될 수 있다. 링 부재들에 의해 형성된 배리어 소자들은 형상 결합 방식으로 겹쳐서 놓일 수 있다.
하기에서 본 발명은 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명된다. 도면부에서:
도 1은 장치의 중심(Z)을 따라 절단한 단면도를 도시하고,
도 2는 도 1의 컷아웃(II)에 따른 단면도를 도시하며,
도 3은 도 1의 컷아웃(III)에 따른 단면도를 도시하고,
도 4는 도 1의 라인(IV-IV)에 따른 단면도를 도시하며,
도 5는 도 1에서 횡단면으로 도시된 장치의 컷아웃을 상승된 상태에서 사시도로 도시하고,
도 6은 편심 오프셋을 갖는 도 2에 따른 도면을 도시하며, 그리고
도 7은 편심 오프셋을 갖는 도 3에 따른 도면이다.
도 1은 장치의 중심(Z)을 따라 절단한 단면도를 도시하고,
도 2는 도 1의 컷아웃(II)에 따른 단면도를 도시하며,
도 3은 도 1의 컷아웃(III)에 따른 단면도를 도시하고,
도 4는 도 1의 라인(IV-IV)에 따른 단면도를 도시하며,
도 5는 도 1에서 횡단면으로 도시된 장치의 컷아웃을 상승된 상태에서 사시도로 도시하고,
도 6은 편심 오프셋을 갖는 도 2에 따른 도면을 도시하며, 그리고
도 7은 편심 오프셋을 갖는 도 3에 따른 도면이다.
도면들에 도시된 장치는, DE 10 2014 109 196호에 기술된 바와 같이 CVD 또는 PVD 장치에서 사용하기 위한 증기원이거나, 또는 DE 10 2014 115 497호에 기술된 바와 같이 CVD 또는 PVD 장치에서 시스템 컴포넌트로서 사용된다.
상기 장치는 실질적으로 중심선(Z)을 중심으로 회전 대칭적인, 2개의 하우징(1, 2)의 어셈블리를 갖는다. 제1 하우징은 장치 하우징에 의해 둘러싸인 소스 하우징(2)을 형성하고, 이 소스 하우징은 제2 하우징(1)을 형성한다. 상기 하우징(1)의 내벽과 상기 하우징(1) 내에 배치된 소스 하우징(2)의 외벽 사이에는 공동이 위치한다. 소스 하우징(2)은 하우징(1)의 덮개(18)에 고정되어 있고, 상기 덮개는 하우징(1)의 원통형 측벽 또는 소스 하우징(2)의 원통형 측벽에 고정 연결될 수 있다.
상기 덮개(18)를 통해, 제1 가스 공급 라인(4)들은 소스 하우징(2)의 공동 내로 돌출한다. 소스 하우징(2) 내부에는 유동 방향으로 연이어 배치된 3개의 증발 장치(3, 3', 3")가 있고, 이들 증발 장치는 전류를 통과시킴으로써 가열될 수 있으며, 개방 기공형 발포체로 이루어져 있다. 상기 증발 장치(3, 3', 3")들은 소스 하우징(2)의 공동의 단면적을 완전히 채운다. 제1 가스 공급 라인(4)들을 통해, 캐리어 가스 흐름에 의해서는 액체 또는 고체 유기 입자들을 포함하는 에어로졸이 공급된다. 상기 에어로졸은 제1 가스 공급 라인(4)의 개구들로부터 나와 증발 장치 중 하나의 증발 장치(3, 3', 3")로 유입되며, 상기 위치에서는 에어로졸 입자들이 열 흡수에 의해 증발된다. 이를 위해 증발 장치(3, 3', 3")는 상승된 온도(T1)로 가열되는데, 이때 상기 상승된 온도는 응축 온도보다 높으며, 즉 유기 입자들의 증발 온도보다 높다. 이는 증발된 에어로졸 입자들의 증기를 포함하는 제1 가스 흐름(5)을 형성한다. 증발 장치(3, 3', 3")들의 동작 및 추가 실시예 옵션과 관련하여서는 DE 10 2014 109 196호가 참조된다.
단면적이 좁아지는 섹션을 통해 제1 가스 흐름(5)은 제1 가스 배출 채널(6)로 유입되고, 상기 제1 가스 배출 채널은 원형 디스크 형상의 단면적을 갖고 소스 하우징(2)의 입구 섹션에 의해 형성되며, 이때 상기 입구 섹션은 관 형태를 갖는다. 상기 입구 섹션은 정면(19)을 형성하고, 상기 정면은 제1 가스 배출 채널(6)의 배출 개구를 둘러싼다.
상기 정면(19)에는 하우징(1)의 벽 섹션에 의해 형성되는 계단부(20)가 마주 놓여 있다. 상기 계단부(20)에는 운반 라인(7)이 연결되고, 이 운반 라인은 제1 가스 흐름(5)을 CVD 또는 PVD 장치의 공정 챔버로 안내하며, 상기 공정 챔버 내에서 서셉터 상에 있는 기판들 상에는 OLED 층이 증착된다. 운반 라인 시스템의 가능한 실시예들과 관련하여서는 DE 10 2014 115 497호가 참조된다.
덮개(18) 내에는 제1 가스 공급 라인(4)들에 대하여 반경 방향으로 외부로 오프셋된 제2 가스 공급 라인(8)들이 위치하고, 이들 공급 라인을 통해 캐리어 가스 또는 퍼지 가스는 소스 하우징(2)을 둘러싸는 하우징(1)의 공동 내로 공급될 수 있으며, 그 결과 상기 소스 하우징(2) 옆으로 흐르는 제2 가스 흐름(9)이 형성된다. 상기 제2 가스 흐름(9)은 원형 링 모양의 공동을 통해 흐르고, 상기 공동은 (흐름 방향으로 볼 때) 하류 방향으로 단면적을 감소시키고, 그곳에서 제2 가스 배출 채널(10)을 형성한다. 상기 제2 가스 배출 채널(10)의 내벽은 소스 하우징(2)의 관형 단부 섹션에 의해 형성된다. 따라서 상기 관형 단부 섹션은 내부면이 제1 가스 배출 채널(6)의 벽을 형성하고, 외부면이 제2 가스 배출 채널(10)의 벽을 형성한다. 제2 가스 배출 채널(10)은 제1 가스 유출 채널(6)을 링 모양으로 둘러싼다. 제2 가스 배출 채널(10)의 제2 벽은 하우징(1)의 섹션에 의해 형성된다. 제2 가스 배출 채널(10)은 제1 가스 배출 채널(6) 및 운반 라인(7)의 입구 개구들을 링 모양으로 둘러싸는 갭 공간(17)으로 이어져 있다. 상기 갭 공간은 정면(19)과 계단부(20) 사이에서 연장된다.
제1 가스 흐름(5)에 포함된 증기가 증발된 유기 출발 물질들로부터 제2 가스 배출 채널(10)의 상대적으로 더 저온인 영역으로 흐르는 것을 방지하기 위해, 제2 가스 배출 채널(10)과 제1 가스 배출 채널(6)의 교차점에는 확산 배리어(11)가 제공되어 있다. 상기 확산 배리어는 유기 증기가 소스 하우징(2)을 둘러싸는 공동으로 역확산되는 것을 방지하고, 상기 공동의 벽들은 증기의 응축 온도보다 낮은 온도(T2)로 유지되며, 그렇지 않으면 상기 증기는 상기 위치에 침전될 수 있다.
확산 배리어(11)는 다수의 평평한 그리고 링 모양의 배리어 소자(12, 14, 16)로 이루어진다. 상기 배리어 소자(12, 14, 16)들은 각각 고정 가장자리를 갖고, 이러한 고정 가장자리에 의해 상기 배리어 소자들은 제2 가스 배출 채널(10)의 벽에 고정되어 있고, 자유 가장자리를 가지며, 이러한 자유 가장자리는 가스 배출 채널(10)의 각각 대향하는 벽으로부터 이격되어 있다. 이러한 간격 공간 그리고 가스 배출 채널(10)의 상이한 벽들에 할당된 배리어 소자(12, 14, 16)들의 오로지 접촉하는 장치에 따라서, 소스 하우징(2)의 입구 단부는 하우징(1)에 대해 상대적으로 이동할 수 있다. 도 2는 하우징(1)에 대한 소스 하우징(2)의 상대 위치를 도시하며, 이 경우 소스 하우징(2)과 하우징(1)의 중심축(Z)들이 일치한다. 이 경우 하우징(1)에 대한 소스 하우징(2)의 중앙 배치가 다루어진다.
도 6 및 도 7은 하우징(1)에 대한 소스 하우징(2)의 편심 배치를 도시한다. 상기와 같은 편심 배치의 이유로는 소스 하우징(2)의 기계적 변형이 언급될 수 있으며, 이러한 변형은 증발 장치(3, 3', 3") 내부에서 상승된 온도(T1)에 의해 야기된다. 증발 장치(3, 3', 3")의 온도는 증기의 응축 온도보다 높고, 하우징(1)의 벽 온도(T2)보다 높다.
환형 디스크 모양의 배리어 소자(12)는, 원호 라인 상에서 배리어 소자(12)의 전체 둘레에 걸쳐 배치된 다수의 가스 관통 개구(13)를 갖는다. 상기 가스 관통 개구(13)들은 소스 하우징(2)의 외벽에 바로 인접한다. 배리어 소자(12)는 그의 고정 가장자리에 의해 입구 섹션 또는 소스 하우징(2)의 정면(19)의 링 모양의 리세스 내에 고정되어 있다. 배리어 소자(12)의 자유 가장자리 섹션은 하우징(1)에 의해 형성된 제2 가스 배출 채널(10)의 대향하는 벽으로부터 이격되어 있다.
배리어 소자(14)는 유동 방향으로 배리어 소자(12) 이전에 제2 가스 배출 채널(10)의 반경 방향 내측 벽에 고정되어 있고, 마찬가지로 원형 둘레 라인에 걸쳐 균일하게 분포되는 방식으로 배치된 가스 관통 개구(15)들을 갖는다.
배리어 소자(16)는 고정 가장자리 섹션을 갖는 제2 가스 배출 채널(10)의 반경 방향 외측 벽에 고정되어 있다. 상기 배리어 소자(16)는 2개의 배리어 소자(12, 14) 사이에 놓여, 서로로부터 멀리 가이드되는 2개의 넓은 측면을 형성한다. 이러한 넓은 측면들 각각에는 배리어 소자 중 하나의 배리어 소자(12, 14)의 넓은 측면이 접촉하는 방식으로 인접한다. 따라서 배리어 소자(12, 14)들 서로 간의 간격은 배리어 소자(16)의 재료 두께에 상응한다. 배리어 소자(12, 14, 16)들은 접촉하고 밀봉되는 방식으로 겹쳐서 놓여 있으며, 중심선(Z)에 대해 수직으로 연장되는 평면 내에서 상대적으로 이동할 수 있는데, 예를 들면 도 2 및 도 3에 도시된 위치에서 도 6 및 도 7에 도시된 위치로 이동할 수 있다.
가스 관통 개구(13, 15)들은, 극단적인 이동 위치들 내에서도 배리어 소자(16)에 의해 폐쇄되지 않도록 관련 배리어 소자(12, 14)들의 자유 가장자리로부터 멀리 이격되어 있다. 이 때문에 배리어 소자(16)는, 배리어 소자(12, 14)의 각각의 자유 단부로부터 가스 관통 개구(13, 15)들의 간격보다 작거나 같은 간격만큼만 제2 가스 배출 채널(10) 내로 돌출한다. 더 나아가 배리어 소자(12, 14, 16)들은 장치 하우징(1)에 대한 소스 하우징(2)의 최대 이동 시에도 둘레에서 오버랩되는 방식의 폭도 갖는다. 이를 위해 가스 투과성 배리어 소자(12, 14)의 가스 관통 개구(13, 15)들의 반경 방향 간격은 그의 자유 가장자리로부터 제1 간격을 형성한다. 가스 불투과성 배리어 소자(16)의 고정 가장자리까지 자유 가장자리의 간격, 즉 상기 가스 불투과성 배리어 소자의 반경 방향 폭은 제2 간격을 형성한다. 제3 간격은 가스 투과성 배리어 소자(12, 14)의 자유 가장자리에 의해 상기 가스 투과성 배리어 소자의 고정 가장자리로부터 형성되는데, 즉, 제2 가스 배출 채널(10) 내부에서 상기 가스 투과성 배리어 소자의 반경 방향 폭에 의해 형성된다. 제4 간격은 가스 배출 채널(10)의 최대 폭으로서, 즉 하우징(1)에 의해 형성된, 가스 배출 채널(10)의 벽까지 소스 하우징(2)에 의해 형성된 벽의 최대 간격이다. 특히, 제1 간격은 제2 간격보다 크고, 제2 간격과 제3 간격의 합은 제4 간격보다 크다.
배리어 소자(12, 14, 16)들은 바람직하게는 내부식성 금속 또는 세라믹 재료로 제조되어 있다. 자체 자유 가장자리들 영역에서 상호 접촉하고 그리고 밀봉 방식으로 오버랩되는 배리어 소자(12, 14, 16)들이 사용되며, 이 경우 상기 배리어 소자(12, 14, 16)들은 원형 링 형상을 갖고, 배리어 소자(16)는 가스 비투과성이며, 그리고 바람직하게 가스 배출 채널(10)의 동일한 벽과 고정 연결된 2개의 배리어 소자(12, 14)는 가스 관통 개구(13, 15)들을 가지며, 상기 가스 관통 개구들은 바람직하게는 서로 오프셋되어 배치되어 있다. 흐름 방향으로 상류 측 가스 관통 개구(15)를 통해서는 제2 가스 흐름(9)이 링 모양의 중간 챔버 내로 유입되고, 상기 중간 챔버는 2개의 배리어 소자(12, 14) 사이에 형성되어 있다. 상기 중간 챔버로부터 나와 제2 가스 흐름(9)은 가스 관통 개구(13)를 지나 갭 공간(17) 내로 유입되고, 이때 상기 갭 공간은 링 모양으로 운반 라인(7)의 입구를 둘러싼다. 상기 갭 공간(17)으로부터 나와 제2 가스 흐름(9)은 제1 가스 배출 채널(6)로부터 배출되는 제1 가스 흐름(5)과 함께 운반 라인(7) 내로 유입되고, 상기 위치에서 상기 두 가스 흐름은 혼합된다. 제2 가스 흐름(9)은 반응 관성의 불활성 가스에 의해 형성될 수 있다. 제1 가스 흐름(5)은 제1 가스 공급 라인(4)을 통해 공급된, 특히 불활성 캐리어 가스 및 증발 장치(3, 3', 3") 내에서 생성된 증기를 포함한다. 따라서 제2 가스 흐름(9)을 제1 가스 흐름(5)에 공급함으로써, 희석이 이루어진다.
전술한 실시예들은 본 출원서에 의해 전체적으로 파악되는 발명들을 설명하기 위해 사용되며, 이때 상기 발명들은 종래 기술을 적어도 하기와 같은 특징 조합을 통해서뿐만 아니라 각각 독자적으로도 개선하며, 구체적으로는 다음과 같다:
코팅 장치 내에서 공정 가스를 제공하기 위한 장치로서, 상기 장치는 하우징(1)과 이러한 하우징 내에 배치되어 있고, 액체 또는 고체 출발 물질들을 위한 증발 장치(3, 3', 3")를 포함하는 소스 하우징(2), 상기 소스 하우징(2)을 통해 제1 가스 흐름(5)을 발생시키기 위해 상기 소스 하우징(2) 내로 안내되는 제1 가스 공급 라인(4), 상기 제1 가스 흐름(5)을 상기 소스 하우징(2)으로부터 운반 라인(7) 내로 배출하기 위한 제1 가스 배출 채널(6), 상기 소스 하우징(2) 밖에서 상기 하우징(1)을 통해 제2 가스 흐름(9)을 발생시키기 위해 상기 하우징(1) 내로 안내되는 제2 가스 공급 라인(8) 그리고 상기 제2 가스 흐름(9)을 상기 하우징(1)으로부터 상기 운반 라인(7) 내로 배출하기 위한 제2 가스 배출 채널(10)을 포함하고, 상기 제2 가스 배출 채널은 상기 제1 가스 배출 채널(6)을 둘러싸고, 그 내부에 역확산 배리어(11)가 배치된, 장치.
상기 역확산 배리어(11)는, 특히 상기 가스 배출 채널(6)의 대향하는 2개의 벽 섹션의 위치 변화가 서로 상대적으로 가능하도록 형성된 것을 특징으로 하는, 장치.
상기 역확산 배리어(11)가 상기 소스 하우징(2) 상에 부동 고정된 하나 이상의 제1 배리어 소자(12) 그리고 상기 하우징(1) 상에 부동 고정된 하나 이상의 제2 배리어 소자(16)를 구비하고, 이 경우 상기 두 배리어 소자(12, 16)는 밀봉 방식으로 그리고 서로 맞서서 이동 가능하게 접촉하며, 그리고 하나 이상의 배리어 소자(12, 16)가 가스 투과성인 것을 특징으로 하는, 장치.
상기 역확산 배리어(11)의 가스 투과성 배리어 소자(12)가 다수의 가스 관통 개구(13)를 갖는 것을 특징으로 하는, 장치.
상기 역확산 배리어(11)의 가스 비투과성 배리어 소자가 서로로부터 멀리 가이드되는 표면들과 각각 접촉하는 방식으로, 가스 관통 개구(13, 15)들을 갖는 배리어 소자(12, 14)에 인접하는 것을 특징으로 하는, 장치.
상기 역확산 배리어(11)가 하나 이상의 배리어 소자(12, 14) 및 하나 이상의 배리어 소자(16)를 구비하고, 이 경우 상기 하나 이상의 배리어 소자(12, 14)는 고정 가장자리에 의해서, 상기 소스 하우징(2)에 의해 형성된, 제2 가스 배출 채널(10)의 벽에 고정되어 있고 자유 가장자리를 가지며, 상기 자유 가장자리는 상기 하우징(1)에 의해 형성된, 제2 가스 배출 채널(10)의 대향하는 벽으로부터 이격되어 있으며, 그리고 상기 하나 이상의 배리어 소자(16)는 그의 고정 가장자리에 의해서, 상기 하우징(1)에 의해 형성된, 제2 가스 배출 채널(10)의 벽에 고정되어 있고, 상기 하나 이상의 배리어 소자(16)의 자유 가장자리는 상기 소스 하우징(2)에 의해 형성된, 제2 가스 배출 채널(10)의 대향하는 벽으로부터 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는, 장치.
상기 배리어 소자(12, 14, 16)들이 링 모양의 평평한 바디이고, 이들 바디는 상기 제2 가스 흐름(9)의 유동 방향으로 교대로 상기 소스 하우징(2)에 의해 형성된, 제2 가스 배출 채널(10)의 내벽에 또는 상기 하우징(1)에 의해 형성된, 제2 가스 배출 채널(10)의 외벽에 배치된 것을 특징으로 하는, 장치.
상기 배리어 소자(12, 14)의 고체 단부로부터 가스 투과성 배리어 소자(12, 14)의 가스 관통 개구(13, 15)들의 제1 간격이, 가스 비투과성 배리어 소자(16)의 고정 가장자리까지의 상기 가스 비투과성 배리어 소자의 자유 가장자리의 제2 간격보다 크고, 상기 제2 간격과 가스 투과성 배리어 소자(12, 14)의 고정 가장자리로부터 상기 가스 투과성 배리어 소자의 자유 가장자리의 제3 간격의 합이 상기 배리어 소자(12, 14, 16)들을 지지하는, 제2 가스 배출 채널(10)의 2개의 벽 섹션의 최대 간격보다 큰 것을 특징으로 하는, 장치.
다수의 배리어 소자(12, 14, 16)로 이루어진 역확산 배리어(11)가 상기 하우징(1)의 덮개(18)에 고정된 소스 하우징(2)의 하류 측 자유 단부에 배치되어 있고, 상기 소스 하우징의 정면(19)이 수직 방향으로 계단부(20)로부터 이격되어 있음으로써, 상기 확산 배리어(11)의 가스 관통 개구(13)들이 갭 공간(17)과 이어져 있는 것을 특징으로 하는, 장치.
상기 확산 배리어의 자유 가스 관통 단면적이 상기 배리어 소자(12)들의 상호 이동 시 변하지 않고 그대로 유지되는 것을 특징으로 하는, 장치.
상기 증발 장치(3, 3, 3")는 상기 하우징(1)의 온도(T2)보다 높은 온도(T1)로 가열될 수 있는 것을 특징으로 하는, 장치.
상기 증발 장치(3, 3', 3")가 개방 기공형 고체 발포체들에 의해 형성되어 있고, 상기 고체 발포체들은 전류를 통과시킴으로써 상승된 온도(T1)로 가열될 수 있는 것을 특징으로 하는, 장치.
상기 장치가 CVD 또는 PVD 장치의 부분으로서, 상기 운반 라인(7)과 이어져 있고 그 내부에 기판이 코팅되는 공정 챔버를 갖는 것을 특징으로 하는, 장치.
공개된 모든 특징은 (그 자체로, 물론 서로 조합하여서도) 본 발명에 중요하다. 따라서 관련/첨부된 우선권 서류(예비 출원서의 사본)의 특징들을 본 출원서의 청구범위에 수용하기 위해서도 상기 우선권 서류의 공개 내용은 전체 내용적으로 본 공개 출원서에 포함된다. 종속 청구항들의 특징들은, 특히 이러한 청구항들을 기초로 부분 출원을 수행하기 위해 종래 기술의 독창적이고 진보적인 개선예들을 특징으로 한다.
1: 하우징
2: 소스 하우징
3: 증발 장치
3': 증발 장치
3": 증발 장치
4: 제1 가스 공급 라인
5: 제1 가스 흐름
6: 제1 가스 배출 채널
7: 운반 라인
8: 제2 가스 공급 라인
9: 제2 가스 흐름
10: 제2 가스 배출 채널
11: 확산 배리어
12: 배리어 소자
13: 가스 관통 개구
14: 배리어 소자
15: 가스 관통 개구
16: 배리어 소자
17: 갭 공간
18: 덮개
19: 정면
20: 계단부
Z: 중심선
2: 소스 하우징
3: 증발 장치
3': 증발 장치
3": 증발 장치
4: 제1 가스 공급 라인
5: 제1 가스 흐름
6: 제1 가스 배출 채널
7: 운반 라인
8: 제2 가스 공급 라인
9: 제2 가스 흐름
10: 제2 가스 배출 채널
11: 확산 배리어
12: 배리어 소자
13: 가스 관통 개구
14: 배리어 소자
15: 가스 관통 개구
16: 배리어 소자
17: 갭 공간
18: 덮개
19: 정면
20: 계단부
Z: 중심선
Claims (14)
- 코팅 장치 내에서 공정 가스(process gas)를 제공하기 위한 장치로서, 상기 장치는 하우징(1)과 이러한 하우징 내에 배치되어 있고, 액체 또는 고체 출발 물질들을 위한 증발 장치(3, 3', 3")를 포함하는 소스 하우징(source housing)(2), 상기 소스 하우징(2)을 통해 제1 가스 흐름(5)을 발생시키기 위해 상기 소스 하우징(2) 내로 안내되는 제1 가스 공급 라인(4), 상기 제1 가스 흐름(5)을 상기 소스 하우징(2)으로부터 운반 라인(7) 내로 배출하기 위한 제1 가스 배출 채널(6), 상기 소스 하우징(2) 밖에서 상기 하우징(1)을 통해 제2 가스 흐름(9)을 발생시키기 위해 상기 하우징(1) 내로 안내되는 제2 가스 공급 라인(8) 그리고 상기 제2 가스 흐름(9)을 상기 하우징(1)으로부터 상기 운반 라인(7) 내로 배출하기 위한 제2 가스 배출 채널(10)을 포함하고, 상기 제2 가스 배출 채널은 상기 제1 가스 배출 채널(6)을 둘러싸고, 그 내부에 역확산 배리어(back-diffusion barrier)(11)가 배치된,
장치. - 제1항에 있어서,
상기 역확산 배리어(11)는, 특히 상기 가스 배출 채널(6)의 대향하는 2개의 벽 섹션의 위치 변화가 서로 상대적으로 가능하도록 형성된 것을 특징으로 하는,
장치. - 제2항에 있어서,
상기 역확산 배리어(11)가 상기 소스 하우징(2)에 부동(unmovable) 고정된 하나 이상의 제1 배리어 소자(12)와 상기 하우징(1)에 부동 고정된 하나 이상의 제2 배리어 소자(16)를 구비하고, 상기 두 배리어 소자(12, 16)는 밀봉 방식으로 그리고 서로 맞서서 이동 가능하게 접촉하며, 그리고 하나 이상의 배리어 소자(12, 16)가 가스 투과성인 것을 특징으로 하는,
장치. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 역확산 배리어(11)의 가스 투과성 배리어 소자(12)가 다수의 가스 관통 개구(13)를 갖는 것을 특징으로 하는,
장치. - 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 역확산 배리어(11)의 가스 비투과성 배리어 소자가 서로로부터 멀리 가이드되는 표면들과 각각 접촉하는 방식으로, 가스 관통 개구(13, 15)들을 갖는 배리어 소자(12, 14)에 인접하는 것을 특징으로 하는,
장치. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 역확산 배리어(11)가 하나 이상의 배리어 소자(12, 14) 및 하나 이상의 배리어 소자(16)를 구비하고, 상기 하나 이상의 배리어 소자(12, 14)는 고정 가장자리에 의해서, 상기 소스 하우징(2)에 의해 형성된, 제2 가스 배출 채널(10)의 벽에 고정되어 있고 자유 가장자리를 가지며, 상기 자유 가장자리는 상기 하우징(1)에 의해 형성된, 제2 가스 배출 채널(10)의 대향하는 벽으로부터 이격되어 있으며, 그리고 상기 하나 이상의 배리어 소자(16)는 그의 고정 가장자리에 의해서, 상기 하우징(1)에 의해 형성된, 제2 가스 배출 채널(10)의 벽에 고정되어 있고, 상기 하나 이상의 배리어 소자(16)의 자유 가장자리는 상기 소스 하우징(2)에 의해 형성된, 제2 가스 배출 채널(10)의 대향하는 벽으로부터 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는,
장치. - 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배리어 소자(12, 14, 16)들이 링 모양의 평평한 바디이고, 이들 바디는 상기 제2 가스 흐름(9)의 유동 방향으로 교대로 상기 소스 하우징(2)에 의해 형성된, 제2 가스 배출 채널(10)의 내벽에 또는 상기 하우징(1)에 의해 형성된, 제2 가스 배출 채널(10)의 외벽에 배치된 것을 특징으로 하는,
장치. - 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배리어 소자(12, 14)의 고체 단부로부터 가스 투과성 배리어 소자(12, 14)의 가스 관통 개구(13, 15)들의 제1 간격이, 가스 비투과성 배리어 소자(16)의 고정 가장자리까지 상기 가스 비투과성 배리어 소자의 자유 가장자리의 제2 간격보다 크고, 상기 제2 간격과 상기 가스 투과성 배리어 소자(12, 14)의 고정 가장자리로부터 상기 가스 투과성 배리어 소자의 자유 가장자리의 제3 간격의 합이 상기 배리어 소자(12, 14, 16)들을 지지하는, 제2 가스 배출 채널(10)의 2개의 벽 섹션의 최대 간격보다 큰 것을 특징으로 하는,
장치. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
다수의 배리어 소자(12, 14, 16)로 이루어진 역확산 배리어(11)가 상기 하우징(1)의 덮개(18)에 고정된 소스 하우징(2)의 하류 측 자유 단부에 배치되어 있고, 상기 소스 하우징의 정면(19)이 수직 방향으로 계단부(20)로부터 이격되어 있음으로써, 상기 확산 배리어(11)의 가스 관통 개구(13)들이 갭 공간(17)과 이어져 있는 것을 특징으로 하는,
장치. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 확산 배리어의 자유 가스 관통 단면적이 상기 배리어 소자(12)들의 상호 이동 시 변하지 않고 그대로 유지되는 것을 특징으로 하는,
장치. - 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증발 장치(3, 3, 3")는 상기 하우징(1)의 온도(T2)보다 높은 온도(T1)로 가열될 수 있는 것을 특징으로 하는,
장치. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증발 장치(3, 3', 3")가 개방 기공형 고체 발포체들에 의해 형성되어 있고, 상기 고체 발포체들은 전류를 통과시킴으로써, 상승된 온도(T1)로 가열될 수 있는 것을 특징으로 하는,
장치. - 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치는 CVD 또는 PVD 장치의 부분으로서, 상기 운반 라인(7)과 이어져 있고 기판(substrate)이 코팅되는 공정 챔버를 갖는 것을 특징으로 하는,
장치. - 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 특징 중 하나 이상을 갖는 것을 특징으로 하는,
장치.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102016100625.4A DE102016100625A1 (de) | 2016-01-15 | 2016-01-15 | Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschichtungseinrichtung |
| DE102016100625.4 | 2016-01-15 | ||
| PCT/EP2017/050362 WO2017121704A1 (de) | 2016-01-15 | 2017-01-10 | Vorrichtung zum bereitstellen eines prozessgases in einer beschichtungseinrichtung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180102168A true KR20180102168A (ko) | 2018-09-14 |
Family
ID=57860826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020187023579A KR20180102168A (ko) | 2016-01-15 | 2017-01-10 | 코팅 장치 내에서 공정 가스를 공급하기 위한 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20180102168A (ko) |
| CN (1) | CN108699689B (ko) |
| DE (1) | DE102016100625A1 (ko) |
| TW (1) | TWI706050B (ko) |
| WO (1) | WO2017121704A1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109778145B (zh) * | 2019-03-26 | 2020-09-15 | 信阳师范学院 | 一种用于生产太阳能电池的cvd设备供气装置及其供气方法 |
| DE102020110571A1 (de) * | 2020-04-17 | 2021-10-21 | Apeva Se | Pulverdosierer für einen Aerosolerzeuger |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3640206A1 (de) | 1986-11-25 | 1988-06-01 | Basf Ag | Batterien aus methanol/luft-brennstoffzellen hoher energie- und leistungsdichte |
| US4885211A (en) | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
| US5900103A (en) * | 1994-04-20 | 1999-05-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| US6391147B2 (en) * | 1994-04-28 | 2002-05-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| JPH08823A (ja) | 1994-06-24 | 1996-01-09 | Taito Corp | 景品搬送装置 |
| US6352592B1 (en) * | 1998-01-16 | 2002-03-05 | Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc | Free floating shield and semiconductor processing system |
| JP3577963B2 (ja) * | 1998-08-06 | 2004-10-20 | 三菱電機株式会社 | Ｃｖｄ用液体原料の気化方法、気化装置及びそれを用いたｃｖｄ装置 |
| JP2003218042A (ja) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | Sony Corp | ガス供給方法、ガス逆拡散防止方法、ガス逆拡散防止装置、ガス逆拡散防止機構付き操作弁、ガス逆拡散防止機構付き気化器、液体材料気化供給方法と液体材料気化供給装置、及び半導体製造装置におけるガス供給方法と半導体製造装置 |
| JP4877748B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および処理ガス吐出機構 |
| KR100927375B1 (ko) | 2007-09-04 | 2009-11-19 | 주식회사 유진테크 | 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기 조절 방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 |
| US20100012036A1 (en) | 2008-07-11 | 2010-01-21 | Hugo Silva | Isolation for multi-single-wafer processing apparatus |
| DE102011051260A1 (de) | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Aixtron Se | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs |
| WO2012175124A1 (en) | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Aixtron Se | Vapor deposition material source and method for making same |
| WO2012175128A1 (en) | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Aixtron Se | Vapor deposition system and supply head |
| KR101711502B1 (ko) | 2011-06-22 | 2017-03-02 | 아익스트론 에스이 | 기상 증착 방법 및 장치 |
| DE102011051261A1 (de) | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Aixtron Se | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs insbesondere Verdampfungsvorrichtung dazu |
| JP6017170B2 (ja) | 2012-04-18 | 2016-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 堆積物除去方法及びガス処理装置 |
| FR3002242B1 (fr) * | 2013-02-21 | 2015-04-03 | Altatech Semiconductor | Dispositif de depot chimique en phase vapeur |
| DE102014109196A1 (de) | 2014-07-01 | 2016-01-07 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes aus einem festen oder flüssigen Ausgangsstoff für eine CVD- oder PVD-Einrichtung |
| DE102014115497A1 (de) | 2014-10-24 | 2016-05-12 | Aixtron Se | Temperierte Gaszuleitung mit an mehreren Stellen eingespeisten Verdünnungsgasströmen |
-
2016
- 2016-01-15 DE DE102016100625.4A patent/DE102016100625A1/de active Pending
-
2017
- 2017-01-10 CN CN201780013619.8A patent/CN108699689B/zh active Active
- 2017-01-10 KR KR1020187023579A patent/KR20180102168A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-01-10 WO PCT/EP2017/050362 patent/WO2017121704A1/de active Application Filing
- 2017-01-11 TW TW106100834A patent/TWI706050B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017121704A1 (de) | 2017-07-20 |
| CN108699689A (zh) | 2018-10-23 |
| TW201734257A (zh) | 2017-10-01 |
| CN108699689B (zh) | 2021-06-15 |
| TWI706050B (zh) | 2020-10-01 |
| DE102016100625A1 (de) | 2017-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11746414B2 (en) | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same | |
| US11713506B2 (en) | Evaporator, deposition arrangement, deposition apparatus and methods of operation thereof | |
| JP6796380B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族半導体層の堆積方法及び堆積装置 | |
| EP2227576B1 (en) | Apparatus for delivering precursor gases to an epitaxial growth substrate | |
| JP5619164B2 (ja) | Ｃｖｄ方法およびｃｖｄ反応炉 | |
| US20120135609A1 (en) | Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition | |
| TW555900B (en) | Gas inlet device | |
| US20110079179A1 (en) | Liquid material vaporizer and film deposition apparatus using the same | |
| TWI662147B (zh) | 用固態或液態起始材料為ｃｖｄ裝置或ｐｖｄ裝置產生蒸汽之裝置 | |
| TWI828737B (zh) | 用於提供多種材料至處理腔室的噴淋頭 | |
| KR20180102168A (ko) | 코팅 장치 내에서 공정 가스를 공급하기 위한 장치 | |
| US20220403512A1 (en) | Bottom Fed Sublimation Bed for High Saturation Efficiency in Semiconductor Applications | |
| US20170114445A1 (en) | Device and method for generating a vapor for a cvd or pvd device from multiple liquid or solid source materials | |
| JP2018537580A (ja) | Ｈｄｐ−ｃｖｄチャンバのアーク発生を防止するための高度なコーティング方法および材料 | |
| WO2020114580A1 (en) | Evaporation apparatus for evaporating a material and method for evaporating a material with an evaporation apparatus | |
| CN116171336A (zh) | 蒸气源、用于蒸气源的喷嘴、真空沉积系统和用于沉积蒸镀材料的方法 | |
| KR20210002607A (ko) | 진공 증착 장치용 증착원 | |
| US11584990B2 (en) | Bottom fed sublimation bed for high saturation efficiency in semiconductor applications | |
| JP6712592B2 (ja) | 基板上に層を堆積するための装置 | |
| US20150059646A1 (en) | Vapor-deposition device for coating two-dimensional substrates | |
| EP3710615A1 (en) | Method of cooling a deposition source, chamber for cooling a deposition source and deposition system | |
| JP2005330519A (ja) | 蒸着装置および蒸着方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal |