CN108695227A - 解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法及芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法及芯片。所述方法包括如下步骤：砷化镓晶圆在完成线路等级制作后，以675um厚度储存于高洁净度晶圆库通有氮气的箱柜内，按照排程放料作业；晶圆背面磨片减薄；中测，进行功能测试、交流参数和直流参数测试，根据测试结果筛选合格的砷化镓晶圆；晶圆背面贴DAF膜；紫外光照射固化DAF膜；晶圆切割划片，切割后将形成一颗颗孤立的芯片和DAF膜贴合在金属环内基膜表面；包装已切割晶圆运送至封装厂；贴装芯片到框架贴片区；烤箱固化使DAF膜固化为玻璃态；完成封装后续流程。本发明避免了砷化镓晶圆反复运输过程碎片或裂片风险；降低了运输成本，提高了作业良率及时效性。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆制造工艺领域，具体涉及解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法及芯片。
背景技术
通常晶圆衬底不同对应功能也会不同，硅基晶圆应用广泛，技术成熟，但针对射频类高速处理功能，砷化镓具有明显优势。例如：砷化镓材料拥有一些比硅还要好的电子特性，使得砷化镓可以用在频率高于250GHz的场合；如果等效的砷化镓和硅元件同时都操作在高频时，砷化镓会产生较少的噪音；砷化镓有较高的击穿电压，所以砷化镓比同样的硅元件更适合操作在高功率的场合；砷化镓温度系数小，能在较高温度下正常工作。因为这些特性，砷化镓电路可以运用在移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等高频率应用系统。
在射频开关应用领域，相比于绝缘体上硅开关，砷化镓在开关频率大于3GHz有明显的性能优势，而且砷化镓开关有更大的功率能力，在3GHz以内，绝缘体上硅开关由于性价方面的优势占市场主导。
应用在功率放大射频领域通常采用芯片顶层金属晶体管连接背金孔，接地导通到芯片底部整面或局部背金。芯片工作产生热量通过芯片背金与导电胶连通，再导通到基板或框架接地焊盘，将热量及时传递到元器件金属表面，起到有效散热的作用。
而在射频开关应用中，砷化镓芯片不需要背金孔散热设计，主要原因是射频开关一般选用高电压低电流模式，不会产生高热量释放，通常被定义为：IPD，即集成电路无源器件
砷化镓晶圆切单颗裂片后废水含有有毒的砷化物，在废液处理上存在较高要求，废液处理设施复杂且昂贵，封装厂通常不投入砷化镓废液处理资源。当前业内通常在砷化镓晶圆制造厂完成整片晶圆制造后，继续进行晶圆减薄和划片切单颗工艺，由于砷化镓材料较脆，通常划片采用激光方式，整片砷化镓晶圆单颗裂片后芯片按照设计阵列仍粘附保留在划片膜上转运到封装厂进行后续制作。这样操作方便封装作业，但切割过程镭射气化切割道时将带起切割道内砷化镓衬底、电路层多种金属离子、及隔离层多种有机成分等残留物质吸附在芯片表面，会造成晶圆洁净度变差，长期放置会导致离子污染或封装作业良率下降等问题，不利于长期保存。
而硅晶圆则不存在以上问题，通常是以整片晶圆裸片固定在小容器内转运到封装厂进行晶圆减薄及切割裂片，除个别Low-K值设计晶圆需要镭射切割外，大多硅晶圆都适合使用划片刀切割，这样操作的好处有利于延长晶圆洁净度和保存寿命。
因此，在砷化镓晶圆不确定使用时间时，尽可能的先保存在晶圆制造厂专用设施内。
然而，在砷化镓开关芯片正面贴装在没有芯片的基座框架上，框架利用多个支撑引脚将砷化镓芯片悬空支撑时，如图2所示，不能通过封装常用点胶方式将砷化镓固定在半蚀刻悬空框架上，点胶会导致胶体流动扩散到框架底部，塑封后会看到胶体外露在固化树脂表面，存在明显颜色差异。
因此，需要在砷化镓芯片背面贴双面胶膜，再进一步贴装在悬空支撑框架上。因双面胶膜是具有弹性的固化形态，不会像点胶的流体形态流到框架底部，因此可以有效避免胶体外露在固化树脂表面的问题。
但贴双面胶膜是在晶圆切割前加工，封装贴膜后需要将砷化镓晶圆运送回到砷化镓晶圆制造厂进行，并且切割裂片后需要再次运送至封装厂。主要存在以下缺点：砷化镓晶圆制造厂需要将晶圆减薄后整片运送至封装厂，运送过程极易发生碎片或裂片风险；封装厂贴膜后，胶膜的有效期限较短，贴膜有效期在4周。贴膜后需要运回晶圆制造厂切割裂片，然后再运到封装厂，这个过程根据两个厂区所在地不同需要1～2周时间，容易导致胶膜失效；贴膜后仍需整片晶圆运送至晶圆制造厂，运送过程还是容易发生碎片或裂片风险；反复运送提高了运输成本，且降低了时效性；并且，晶圆减薄后单晶硅质砷化镓从空气洁净度100级的晶圆厂转至1000级的封装厂进行贴膜，极易因粉尘颗粒静电吸附原因导致晶圆碎裂。
发明内容
为了解决砷化镓晶圆制造过程中反复运输的碎裂风险；降低运输成本，提高其时效性，并解决封装溢胶的问题，本发明提供了解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法及芯片，利用砷化镓晶圆制造工厂导入DAF膜贴片机和UV照射工艺设备，在晶圆中测后进行DAF贴膜并完成UV光照射，然后再进行晶圆切单颗等后续流程。
一种解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
砷化镓晶圆在完成线路等级制作后，以675um厚度储存于高洁净度晶圆库通有氮气的箱柜内，按照排程放料作业；
砷化镓晶圆背面磨片减薄；
中测，是将砷化镓晶圆进行功能测试、交流参数和直流参数测试，根据测试结果筛选合格的砷化镓晶圆；
砷化镓晶圆背面贴DAF膜；
紫外光照射，固化DAF膜；
砷化镓晶圆切割划片，切割后将形成一颗颗孤立的芯片和所述DAF膜贴合在金属环内基膜表面；
包装固定在金属环内基膜表面上的已切割晶圆，运送至封装厂；
贴装芯片到框架贴片区；
烤箱固化，使所述DAF膜固化为玻璃态；
完成封装后续流程。
进一步地，所述高洁净度晶圆库为100级洁净度晶圆库。
进一步地，所述砷化镓晶圆背面磨片减薄，需放置在蓝宝石平台作业；所述砷化镓晶圆背面磨片减薄的厚度为150um，偏差在±8um内。
进一步地，所述砷化镓晶圆衬底砷化镓材料为单晶硅质，脆性易碎。
进一步地，所述砷化镓晶圆背面贴DAF膜，包括如下步骤：
先将固定在卷筒上的DAF膜安置在贴装机固定位置；
通过固定滚轮将DAF膜与保护膜压合在砷化镓晶圆背面，所述滚轮通过气缸来控制，所述气缸的力的大小可以人为进行调节；针对150um厚度的单晶硅质砷化镓晶圆，滚轮压合力需保持在0.25Mpa到0.35Mpa之间，既能确保DAF膜与晶圆有效压合，又不使砷化镓晶圆被压裂；
压合完成后，将贴敷于DAF膜上的保护膜水平反向分离撕下；
固定DAF砷化镓晶圆，将砷化镓晶圆背面外露DAF膜的一面再次固定贴敷于金属保护环的基膜上。
进一步地，所述砷化镓晶圆切割划片，需要利用波长为355nm的激光在砷化镓晶圆正面切割道位置进行三次激光切割；形成一颗颗孤立的芯片和DAF膜贴合在基膜表面。
进一步地，所述贴装芯片到框架贴片区，包括如下步骤：
将晶圆固定金属环加固在装片设备特定位置并顶起环内贴有芯片的基膜；
通过顶针将单颗芯片背部顶起；
芯片上方塑性真空吸嘴分拾芯片传送至金属铜框架贴芯片位置，完成芯片与铜框架的初步贴合。
进一步地，所述烤箱固化，是将贴有芯片的铜框架传送至高温烤箱内经过130度20分钟左右恒温烘烤。
本发明还提供一种解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜芯片，其特征在于，所述砷化镓芯片背面贴有DAF膜，局部DAF膜与金属铜框架支撑脚贴合，局部DAF膜处于悬空状态。
进一步地，所述砷化镓芯片厚度为150um，偏差在±8um内。
本发明取得的有益效果：
避免砷化镓晶圆减薄、封装贴膜、再晶圆切割反复运输过程碎片或裂片风险；
砷化镓晶圆可以长期裸片保存在高洁净度氮气箱内，在需要封装生产时再进行减薄-贴膜-切割流程，不会造成晶元洁净度下降问题，保持封装高的作业良率，寿命会得到长期有效延长；
降低运输成本，提高时效性。
附图说明
图1是本发明实施例方法流程示意图；
图2是本发明实施例贴装砷化镓贴膜芯片到框架贴片区俯视示意图；
图3是本发明实施例贴装砷化镓贴膜芯片到框架贴片区剖面示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合附图和实施例，对本发明技术方案的具体实施方式进行更加详细、清楚的说明。然而，以下描述的具体实施方式和实施例仅是说明的目的，而不是对本发明的限制。其只是包含了本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，本领域技术人员对于本发明的各种变化获得的其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法，如图1所示，图1是本发明实施例方法流程示意图；所述方法包括如下步骤。
步骤S1：砷化镓晶圆在完成线路等级制作后，以675um厚度储存于高洁净度晶圆库通有氮气的箱柜内，根据后端需求按照排程放料作业。
所述高洁净度晶圆库为100级洁净度晶圆库。此时晶圆储存寿命通常在1～2年。
步骤S2：砷化镓晶圆背面磨片减薄。
所述砷化镓晶圆背面磨片减薄，需放置在蓝宝石平台作业。所述砷化镓晶圆背面磨片减薄的厚度为150um，偏差在±8um内。
由于砷化镓基底为单晶体，晶圆相较多晶体类硅基晶圆机械强度较弱，磨片过程容易碎裂，磨片减薄过程需放置在蓝宝石平台作业；通常无源器件砷化镓不做芯片内部穿孔及芯片背部镀金，厚度正常设置为150um，实际研磨后厚度偏差在±8um之内。
通常芯片厚度减薄后厚度为75um、100um、150um，75um几乎都用于封装正装焊线的功率放大器类产品，且在顶层晶体管放大区域开背金孔连接到减薄后砷化镓芯片背面，背金孔和芯片背面镀金方式接地散热。100um磨片厚度基本也用于与75um类似工艺及应用终端，因芯片厚度较75um厚，散热性稍弱与75um厚度，但也可正常使用，选择100um厚度主要原因是个别砷化镓晶圆制造厂磨片能力及磨片到切割之间工艺控制能力导致。150um厚度砷化镓芯片大多应用于低电流高电压场合非功率放大类产品，如射频开关。这类砷化镓芯片不需要内部通孔及增加背金孔散热工艺，晶圆厚度磨薄至150um即可，此厚度即有利于封装及成品应用中承受更大应力，也不会使得晶圆厂无法切割切透。
步骤S3：中测，是将砷化镓晶圆进行功能测试、交流参数和直流参数测试，根据测试结果筛选合格的砷化镓晶圆。
次品标记异常标识，方便封装后续选取好的芯片，从而避免次品封装后浪费封装材料及制造成本。
也可将中测环节放于砷化镓晶圆背面贴DAF膜之后，即步骤S3和步骤S4可以互换。一方面可以检测晶圆制造及磨划工序对芯片带来的异常筛选，也可以将DAF膜贴装过程中的风险同步进行筛选确认。
步骤S4：砷化镓晶圆背面贴DAF膜。
DAF膜材料是热固性材料，通常不具有导电性，在常温状态下为双面带有粘附性高分子胶质体材料，在温度达到玻璃转换温度时会发生不可逆固化，温度通常不高于200度，固化后能够保证DAF两面贴合材质的稳定性。
DAF膜材料对应晶圆不同尺寸，未使用前以圆形形态一面贴敷在不带粘性的保护膜上，一圈圈卷在固定卷筒上，保护膜能够起到DAF膜圈与圈黏连，并保护不受外界应力及水汽等环境侵蚀；卷筒长度对应晶圆尺寸，通常无源器件砷化镓晶圆为4寸或6寸制式。
所述砷化镓晶圆背面贴DAF膜，包括如下步骤：
步骤S41：先将固定在卷筒上的DAF膜安置在DAF膜贴片机的固定位置；
步骤S42：通过固定滚轮将DAF膜与保护膜压合在砷化镓晶圆背面，所述滚轮通过气缸来控制，所述气缸的力的大小可以人为进行调节，针对150um厚度单晶硅质砷化镓晶圆，滚轮压合力需保持在0.25MPa到0.35MPa之间，既能确保DAF膜与晶圆有效压合，又不使砷化镓晶圆被压裂；
步骤S43：压合完成后，将贴敷于DAF膜上的保护膜水平反向分离撕下；完成晶圆背面DAF膜贴装；
步骤S44：固定DAF砷化镓晶圆，将砷化镓晶圆背面外露DAF膜的一面再次固定贴敷于金属保护环的基膜上，完成DAF膜晶圆贴装及固定。
另外的，也可以在砷化镓晶圆贴膜前将整片晶圆切割划片分为1/2圆或1/4圆，可以每半片或1/4片单次进行操作，特别适用于MPW(multi-project-wafer，多项目晶圆)中不同芯片尺寸切割，起到一片晶圆多次运用效果。
步骤S5：紫外光照射，固化DAF膜。
紫外光照射是为了固化DAF膜，在DAF膜贴装完成后其状态仍为带有很高粘性的胶质体，通过UV照射工艺设备的紫外光照射后DAF膜会产生交联反应，起到预固化作用，为后续切割划片做好准备，并且在切割划片后30天内不会因DAF膜胶质外溢，使切割道相邻两颗芯片底部DAF膜黏连导致封装装片分拾困难等；此时DAF膜仍为胶质体，非玻璃态。
步骤S6：砷化镓晶圆切割划片，切割后将形成一颗颗孤立的芯片和所述DAF膜贴合在金属环内基膜表面。
砷化镓晶圆切割划片，150um厚度砷化镓晶圆切割时因厚度相对较大，需要利用波长为355nm的激光在砷化镓晶圆正面切割道位置进行三次激光切割；形成一颗颗孤立的芯片和DAF膜贴合在基膜表面。
步骤S7：包装固定在金属环内基膜表面上的已切割晶圆，密封包装并贴敷信息标签后运送至封装厂。
步骤S8：贴装芯片到框架贴片区。
所述贴装芯片到框架贴片区，包括如下步骤：
将晶圆固定金属环加固在装片设备特定位置并顶起环内贴有芯片的基膜；
通过顶针将单颗芯片背部顶起；
芯片上方塑性真空吸嘴分拾芯片传送至金属铜框架贴芯片位置，完成芯片与铜框架的初步贴合。
如图2所示，图2是本发明实施例贴装砷化镓贴膜芯片到框架贴片区俯视示意图。
框架厚度在通常在100um到200um，基材为铜材料通过蚀刻或冲压形成局部镂空结构，并且每个金属端子不能孤立存在，需要连接到单元有效区9外，通过单颗间铜金属连筋固定。
单元有效区9是定义单颗产品尺寸的设计边界，单元有效区9内焊线手指7间没有功能需求时将通过手指间缝隙4保持断开状态，封装塑封切割后有效区外结构将被剔除，保留有效区内架构即为单颗产品成品。
手指间缝隙4是单元有效区9内防止不同功能焊线手指7相互隔离的结构方式，可以有效隔离不同功能焊线手指7相互短路问题，不同引脚水平间隙在100um或以上，主要基于铜框架制作时的蚀刻精度或冲压精度。
焊线手指7是铜框架的一部分，是用来焊线连接芯片1到铜框架具体位置区域，通过连线实现芯片功能外放；所述焊线手指7表面处理方式通常为电镀镍钯金或选择性镀银方式，利于焊线8与铜框架之间结合。
框架背面镂空区域6是铜框架焊线手指7半蚀刻工艺特征，有时焊线手指7可以作为芯片1支撑脚作用，如本发明中框架对应芯片1装片区域；焊线手指7在铜框架结构中可以是双面实体支撑，也可以选用半蚀刻工艺，即金属铜框架一面面积相对大，另一面面积相对小，从面积小的一面进行蚀刻，蚀刻厚度通常为铜框架整体厚度的一半，因而称之为半蚀刻；通常芯片1贴装表面面积更大，利于支撑小尺寸芯片，业内通常称为正面；金属铜框架底面封装后即为外露面，通常表面积相对较小，这样可以保证产品贴装PCB板时相邻焊盘焊锡不会短路。
所述芯片1为砷化镓无源器件芯片。
图3所示，图3是本发明实施例贴装砷化镓贴膜芯片到框架贴片区剖面示意图。
焊线手指7为铜框架一部分，铜框架焊线手指7正面可作为焊线焊垫，也可作为砷化镓芯片1的支撑脚；所述焊线手指7间不相连，存在手指间缝隙4，可以有效防止短路问题。
所述DAF膜3一面与砷化镓芯片1完全结合贴装在铜框架表面，DAF膜3与框架焊线手指7结合面为局部结合，焊线手指间缝隙4处DAF膜3处于悬空状态。
框架背面镂空区域6，手指间缝隙4，以及框架正面2未被焊线8、砷化镓芯片1、DAF膜3填充的区域在封装过程将被环氧树脂5塑封，环氧树脂5可以对产品内部结构起到有效保护作用，能够避免内部结构碰伤，擦伤，还可以阻止外部环境中水分，水汽，及气体等浸入。
步骤S9：烤箱固化，使所述DAF膜固化为玻璃态。
所述烤箱固化，是将贴有芯片的铜框架传送至高温烤箱内经过130度20分钟左右恒温烘烤，使DAF膜固化为玻璃态，起到芯片在铜框架上的固定作用。
步骤S10：完成封装后续流程。
一种解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜芯片，所述砷化镓芯片背面贴有DAF膜。
所述DAF膜，局部DAF膜与金属铜框架支撑脚贴合，局部DAF膜处于悬空状态。
所述金属铜框架厚度通常在100um到200um，所述铜框架表面处理方式通常为电镀镍钯金或选择性镀银方式，用来焊线连接芯片与铜框架，实现芯片功能外放。
所述金属铜框架不同引脚水平间隙在100um或以上，主要基于铜框架制作时的蚀刻精度或冲压精度。
所述金属铜框架可以选用半蚀刻工艺，即金属铜框架一面面积相对大，另一面面积相对小，从面积小的一面进行蚀刻，蚀刻厚度通常为铜框架整体厚度的一半，因而称之为半蚀刻；通常芯片贴装表面面积更大，利于支撑小尺寸芯片，业内通常称为正面；金属铜框架底面封装后即为外露面，通常表面积相对较小，这样可以保证产品贴装PCB板时相邻焊盘焊锡不会短路。
所述金属铜框架也可以不选用半蚀刻，当正面能达到贴片稳定且背面贴装PCB焊锡不会短路能力值时，可以不选用半蚀刻。
所述砷化镓芯片厚度为150um，偏差在±8um内，芯片长边或宽边至少一边需大于等于300um，使得芯片在被悬空支撑时两侧实际接触面的长度大于等于悬空间隙长度，使芯片贴装更稳定，利于封装焊线。
所述焊线可以选用业内常用金线、铜线、银线等材料，主要取决于成本、特性等的考量。
无源器件砷化镓芯片使用贴膜方式，不仅可以应用在支撑脚悬空铜框架基材上，也可以用在含有芯片焊垫的铜框架基材上，还可以用在密集布线的层压基板上；选择承接芯片的基材主要取决于成本、产品功能和性能要求等；选用悬空铜框架和含有焊垫铜框架基材成本较低；悬空框架外连引脚更少，产品更小；选用含有焊垫铜框架一般成品尺寸会大于选用悬空支撑脚铜框架产品；选用密集布线的层压基板基材可适用与高集成度产品。
并且，不论选用何种基材，使用贴膜的无源器件砷化镓芯片装片后空间利用一定会优于点胶方式芯片装片，贴膜装片不会存在类似点胶方式导致胶体的流动外溢而预设的缓冲区。
需要说明的是，以上参照附图所描述的各个实施例仅用以说明本发明而非限制本发明的范围，本领域的普通技术人员应当理解，在不脱离本发明的精神和范围的前提下对本发明进行的修改或者等同替换，均应涵盖在本发明的范围之内。此外，除上下文另有所指外，以单数形式出现的词包括复数形式，反之亦然。另外，除非特别说明，那么任何实施例的全部或一部分可结合任何其它实施例的全部或一部分来使用。
Claims (10)
1.一种解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
砷化镓晶圆在完成线路等级制作后，以675um厚度储存于高洁净度晶圆库通有氮气的箱柜内，按照排程放料作业；
砷化镓晶圆背面磨片减薄；
中测，是将砷化镓晶圆进行功能测试、交流参数和直流参数测试，根据测试结果筛选合格的砷化镓晶圆；
砷化镓晶圆背面贴DAF膜；
紫外光照射，固化DAF膜；
砷化镓晶圆切割划片，切割后将形成一颗颗孤立的芯片和所述DAF膜贴合在金属环内基膜表面；
包装固定在金属环内基膜表面上的已切割晶圆，运送至封装厂；
贴装砷化镓芯片到框架贴片区；
烤箱固化，使所述DAF膜固化为玻璃态；
完成封装后续流程。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高洁净度晶圆库为100级洁净度晶圆库。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述砷化镓晶圆背面磨片减薄，需放置在蓝宝石平台作业；所述砷化镓晶圆背面磨片减薄的厚度为150um，偏差在±8um内。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述砷化镓晶圆衬底砷化镓材料为单晶硅质，脆性易碎。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述砷化镓晶圆背面贴DAF膜，包括如下步骤：
先将固定在卷筒上的DAF膜安置在贴装机固定位置；
通过固定滚轮将DAF膜与保护膜压合在砷化镓晶圆背面，所述滚轮通过气缸来控制，所述气缸的力的大小可以人为进行调节；针对150um厚度的单晶硅质砷化镓晶圆，滚轮压合力需保持在0.25Mpa到0.35Mpa之间，既能确保DAF膜与晶圆有效压合，又不使砷化镓晶圆被压裂；
压合完成后，将贴敷于DAF膜上的保护膜水平反向分离撕下；
固定DAF砷化镓晶圆，将砷化镓晶圆背面外露DAF膜的一面再次固定贴敷于金属保护环的基膜上。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述砷化镓晶圆切割划片，需要利用波长为355nm的激光在砷化镓晶圆正面切割道位置进行三次激光切割；形成一颗颗孤立的芯片和DAF膜贴合在基膜表面。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述贴装芯片到框架贴片区，包括如下步骤：
将晶圆固定金属环加固在装片设备特定位置并顶起环内贴有芯片的基膜；
通过顶针将单颗芯片背部顶起；
芯片上方塑性真空吸嘴分拾芯片传送至金属铜框架贴芯片位置，完成芯片与铜框架的初步贴合。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烤箱固化，是将贴有芯片的铜框架传送至高温烤箱内经过130度20分钟左右恒温烘烤。
9.一种解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜芯片，其特征在于，所述砷化镓芯片背面贴有DAF膜，局部DAF膜与金属铜框架支撑脚贴合，局部DAF膜处于悬空状态。
10.根据权利要求9所述的无源器件砷化镓贴膜芯片，其特征在于，所述砷化镓芯片厚度为150um，偏差在±8um内。
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