CN108682609A - 半导体8寸晶圆制程金属dps工艺陶瓷聚焦环的再生方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法,包括如下步骤:1)将陶瓷聚焦环浸泡于清洗用水内30~40分钟;2)采用刮除件初步刮除陶瓷聚焦环表面污渍;3)然后对陶瓷聚焦环进行高压喷淋清洗;4)以600~800℃的高温蒸汽对陶瓷聚焦环进行高温熏蒸;5)送入烘箱,将陶瓷聚焦环烘烤20~30分钟,烘干完成后,在无尘室内冷却至室温,完成对所述陶瓷聚焦环的再生。所述再生方法不采用任何化学试剂,通过高温烘烤,即可去除陶瓷聚焦环表面的附着物,实现对陶瓷聚焦环的清洗、再生,再生成本低、节能环保,对环境友好、无污染。
Description
技术领域
本发明属于陶瓷聚焦环再生技术领域,具体的,涉及一种半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法。
背景技术
晶元(Wafer),是生产集成电路所用的载体,多指单晶硅圆片。单晶硅圆片由普通硅砂提炼,经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制得多晶硅,多晶硅再经熔融、单晶晶核提拉制成具有一定晶体学取向的单晶硅棒,单晶硅棒经过抛光、切片之后,就成为了晶元。晶元是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等。晶元越大,同一圆片上可生产的IC就越多,可降低成本,但对材料技术和生产技术的要求更高。
对于计算机产品而言,芯片可以说是其精髓所在,毕竟芯片的等级也就决定了产品的性能表现以及功耗、发热量等额外因素,作为芯片的前身,晶圆的品质和制程就成为消费者以及厂商所共同关心的。
晶圆制程过程中,包括金属DPS工艺,基于半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺生产的陶瓷聚焦环,即是其中有一项重要产品,近年来,由于产能跟不上需求量的增长速度,使得陶瓷聚焦环的再生和重复利用,逐渐引发人们的关注。
陶瓷聚焦环的材质以陶瓷为主,对于陶瓷的清洗、再生,目前国内主要存在如下专利文献:
中国专利公开号:107639072A,公开了一种陶瓷清洗方法,包括以下步骤:除胶:采用加热至65±5℃的有机碱性洗剂进行超声波清洗;清除油污、脏污后喷淋:用加热至60-85℃、质量分数为3-10%水基环保清洗剂进行超声波清洗,然后用常温去离子水进行喷淋;纯水超声波清洗:用65±5℃的去离子水进行超声波清洗;脱水烘干:用70±5℃的去离子水对陶瓷产品进行浸泡加热再脱水;使用温度在100±10℃的空气对产品表面进行烘干。本发明采用有机碱性洗剂进行除胶、除油污以及脏污,取代传统强酸性、强碱性、强腐蚀性洗剂的使用,通过逐个不良除去以及多次喷淋清洗,减少洗剂之间的交叉污染,同时保证了陶瓷产品表面的清洗效果。然而,该专利所提供的清洗方法,会采用各种化学清洗试剂对陶瓷进行清洗、再生,过多化学试剂的使用,会对环境造成难以逆转的污染。
发明内容
为解决上述存在的问题,本发明的目的在于提供一种半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法,所述再生方法不采用任何化学试剂,通过高温烘烤,即可去除陶瓷聚焦环表面的附着物,实现对陶瓷聚焦环的清洗、再生,再生成本低、节能环保,对环境友好、无污染。
为达到上述目的,本发明的技术方案是:
一种半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法所述方法包括如下步骤:
1)取陶瓷聚焦环,放置于清洗槽内,清洗槽内装有清洗用水,将陶瓷聚焦环浸泡于清洗用水内30~40分钟;
2)取出陶瓷聚焦环,用清洗布擦干表面水渍,并采用刮除件初步刮除陶瓷聚焦环表面污渍;
3)将陶瓷聚焦环送入超声波清洗剂,进行超声波清洗,然后对陶瓷聚焦环进行高压喷淋清洗;
4)将高压喷淋清洗后的陶瓷聚焦环送入温蒸箱,以600~800℃的高温蒸汽对陶瓷聚焦环进行高温熏蒸,熏蒸时长20~30分钟;
5)将高温熏蒸后的陶瓷聚焦环送入烘箱,设置烘箱温度1000~1100℃,将陶瓷聚焦环烘烤20~30分钟,使得陶瓷聚焦环表面有机物灰化、脱落,烘干完成后,在无尘室内冷却至室温,完成对所述陶瓷聚焦环的再生。
进一步地,步骤1)所述清洗用水为去离子水。
进一步地,步骤2)所述刮除件为钢丝刷或刮刀,刮除件沿陶瓷聚焦环外周运行,完成对陶瓷聚焦环外表面污渍的刮除;刮除件陶瓷沿聚焦环内周运行,完成对陶瓷聚焦环内表面污渍的刮除。
进一步地,步骤3)中超声波清洗用水为去离子水,水温为60~80℃,超声清洗时长为5~10分钟,超声波功率为80~100KHz。
进一步地,步骤3)采用高压喷头对陶瓷聚焦环进行高压喷淋清洗,高压喷头喷射压力为1.5~3MPa。
进一步地,步骤4)高温蒸汽选用去离子水作为蒸汽源。
进一步地,步骤3)在高压喷淋清洗过程中,将聚焦环套设于一轴杆上,轴杆表面设置有用于支撑陶瓷聚焦环的支撑杆,轴杆均速旋转,使得陶瓷聚焦环外周得到充分喷淋清洗。
本发明具有如下优点:
所述再生方法在对陶瓷聚焦环完成浸泡后,会采用刮除件对附着于陶瓷聚焦环表面的附着物进行初步刮除,然后对陶瓷聚焦环表面附着物进行超声波处理,然后在600~800℃的高温下先进行高温蒸汽的熏蒸,再送入烘箱以1000~1100℃的高温进行烘烤,即可使得附着于陶瓷聚焦环表面的附着物灰化、脱落,有效剥离附着于陶瓷聚焦环表面的附着物,整个过程不采用任何化学试剂,通过高温烘烤,即可去除陶瓷聚焦环表面的附着物,实现对陶瓷聚焦环的清洗、再生,再生成本低、节能环保,对环境友好、无污染。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
本发明所提供的一种半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法所述方法包括如下步骤:
1)取陶瓷聚焦环,放置于清洗槽内,清洗槽内装有清洗用水,将陶瓷聚焦环浸泡于清洗用水内30~40分钟;
2)取出陶瓷聚焦环,用清洗布擦干表面水渍,并采用刮除件初步刮除陶瓷聚焦环表面污渍;
3)将陶瓷聚焦环送入超声波清洗剂,进行超声波清洗,然后对陶瓷聚焦环进行高压喷淋清洗;
4)将高压喷淋清洗后的陶瓷聚焦环送入温蒸箱,以600~800℃的高温蒸汽对陶瓷聚焦环进行高温熏蒸,熏蒸时长20~30分钟;
5)将高温熏蒸后的陶瓷聚焦环送入烘箱,设置烘箱温度1000~1100℃,将陶瓷聚焦环烘烤20~30分钟,使得陶瓷聚焦环表面有机物灰化、脱落,烘干完成后,在无尘室内冷却至室温,完成对所述陶瓷聚焦环的再生。
进一步地,步骤1)所述清洗用水为去离子水。
进一步地,步骤2)所述刮除件为钢丝刷或刮刀,刮除件沿陶瓷聚焦环外周运行,完成对陶瓷聚焦环外表面污渍的刮除;刮除件陶瓷沿聚焦环内周运行,完成对陶瓷聚焦环内表面污渍的刮除。
进一步地,步骤3)中超声波清洗用水为去离子水,水温为60~80℃,超声清洗时长为5~10分钟,超声波功率为80~100KHz。
进一步地,步骤3)采用高压喷头对陶瓷聚焦环进行高压喷淋清洗,高压喷头喷射压力为1.5~3MPa。
进一步地,步骤4)高温蒸汽选用去离子水作为蒸汽源。
进一步地,步骤3)在高压喷淋清洗过程中,将聚焦环套设于一轴杆上,轴杆表面设置有用于支撑陶瓷聚焦环的支撑杆,轴杆均速旋转,使得陶瓷聚焦环外周得到充分喷淋清洗。
需要说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。
Claims (7)
1.一种半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
1)取陶瓷聚焦环,放置于清洗槽内,清洗槽内装有清洗用水,将陶瓷聚焦环浸泡于清洗用水内30~40分钟;
2)取出陶瓷聚焦环,用清洗布擦干表面水渍,并采用刮除件初步刮除陶瓷聚焦环表面污渍;
3)将陶瓷聚焦环送入超声波清洗剂,进行超声波清洗,然后对陶瓷聚焦环进行高压喷淋清洗;
4)将高压喷淋清洗后的陶瓷聚焦环送入温蒸箱,以600~800℃的高温蒸汽对陶瓷聚焦环进行高温熏蒸,熏蒸时长20~30分钟;
5)将高温熏蒸后的陶瓷聚焦环送入烘箱,设置烘箱温度1000~1100℃,将陶瓷聚焦环烘烤20~30分钟,使得陶瓷聚焦环表面有机物灰化、脱落,烘干完成后,在无尘室内冷却至室温,完成对所述陶瓷聚焦环的再生。
2.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法,其特征在于,步骤1)所述清洗用水为去离子水。
3.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法,其特征在于,步骤2)所述刮除件为钢丝刷或刮刀,刮除件沿陶瓷聚焦环外周运行,完成对陶瓷聚焦环外表面污渍的刮除;刮除件陶瓷沿聚焦环内周运行,完成对陶瓷聚焦环内表面污渍的刮除。
4.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法,其特征在于,步骤3)中超声波清洗用水为去离子水,水温为60~80℃,超声清洗时长为5~10分钟,超声波功率为80~100KHz。
5.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法,其特征在于,步骤3)采用高压喷头对陶瓷聚焦环进行高压喷淋清洗,高压喷头喷射压力为1.5~3MPa。
6.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法,其特征在于,步骤4)高温蒸汽选用去离子水作为蒸汽源。
7.根据权利要求6所述的半导体8寸晶圆制程金属DPS工艺陶瓷聚焦环的再生方法,其特征在于,步骤3)在高压喷淋清洗过程中,将聚焦环套设于一轴杆上,轴杆表面设置有用于支撑陶瓷聚焦环的支撑杆,轴杆均速旋转,使得陶瓷聚焦环外周得到充分喷淋清洗。
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