CN103811329A - 一种新的减薄工艺 - Google Patents

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    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes

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Abstract

本发明涉及一种新的减薄工艺,其特征在于,所述工艺步骤包括上蜡,去蜡,粗磨,精磨,推片,清洗,本工艺通过改进减薄顺序及减薄时间,进一步提高了减薄的精度,保证在减薄过程中不会出现碎片,从而提高了芯片良率,降低生产成本。

Description

一种新的减薄工艺
技术领域
本发明涉及一种新的减薄工艺,属于LED生产领域。
背景技术
    蓝光LED生产中广泛应该蓝宝石作为衬底,用该衬底具有高温稳定性好、机械强度高、易于加工和生产技术成熟等优点,但蓝宝石衬底硬度大,且需要将衬底厚度从400um减薄至100um左右,需要的精度很高,且减薄完后芯片容易碎裂,导致后续加工成本增大。
发明内容
本发明针对现有技术存在的不足,提供一种新的减薄工艺。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种新的减薄工艺,其特征在于,所述工艺步骤如下:
(1)     上蜡:用氮气枪吹净芯片表面,气压0.3MPa,将蜡棒和陶瓷盘加热至100℃,再将蜡滴涂在盘上,每片消耗0.2g蜡,将芯片贴在陶瓷盘上,铺盖3张无尘纸,压盘加压2min,压力0.6MPa,之后冷却至35℃,即可取出陶瓷盘,上蜡后蜡层厚度为1-3um;
(2)     去蜡:使用小无尘纸和无水乙醇擦拭芯片表面残蜡;
(3)     粗磨:用无水乙醇和无尘纸将陶瓷盘背面以及粗磨机工作盘擦拭干净,开始研磨,砂轮盘转速为600rad/min,工作盘转速120rad/min,砂轮盘推进速率0.3-0.6um/s,分三步进行研磨,第一步测厚6片,研磨前修盘,第二、三步测厚1片,边磨边修,研磨完毕后,纯水冲洗陶瓷盘,氮气枪吹净陶瓷盘和工作盘;
(4)     精磨:擦拭陶瓷盘背面及细磨机吊臂吸盘,开始研磨,铜盘转速为60rad/min,吊臂转速为45rad/min,吊臂压力为45kg,研磨液喷吐量为3mL/min,磨好后,使用毛刷、纯水和碳酸钠刷洗,氮气枪吹净陶瓷盘表面,无尘纸擦干背面;
(5)     推片:将陶瓷盘放在加热板上加热,温度设定95℃,加热2min,温度到达95℃时用刀片和镊子将芯片推下,放入传片盒;
(6)清洗:将推下的芯片放入花篮,准备清洗,药品倒入烧杯1800ml,水浴加热药剂,水浴温度为75℃,丙酮一清洗药剂预热5min,丙酮二清洗和乙醇清洗药剂需预热5min,芯片在丙酮一中煮8min,再在丙酮二中煮5min,之后在乙醇中煮5min,最后60℃热氮吹干,气压0.1MPa,每杯药品只煮两个花篮,吹干后取出芯片放入传片盒。
本发明的有益效果是:本工艺通过改进减薄顺序及减薄时间,进一步提高了减薄的精度,保证在减薄过程中不会出现碎片,从而提高了芯片良率,降低生产成本。
具体实施方式
以下对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
一种新的减薄工艺,其特征在于,所述工艺步骤如下:
(1)     上蜡:用氮气枪吹净芯片表面,气压0.3MPa,将蜡棒和陶瓷盘加热至100℃,再将蜡滴涂在盘上,每片消耗0.2g蜡,将芯片贴在陶瓷盘上,铺盖3张无尘纸,压盘加压2min,压力0.6MPa,之后冷却至35℃,即可取出陶瓷盘,上蜡后蜡层厚度为1-3um;
(2)     去蜡:使用小无尘纸和无水乙醇擦拭芯片表面残蜡;
(3)     粗磨:用无水乙醇和无尘纸将陶瓷盘背面以及粗磨机工作盘擦拭干净,开始研磨,砂轮盘转速为600rad/min,工作盘转速120rad/min,砂轮盘推进速率0.3-0.6um/s,分三步进行研磨,第一步测厚6片,研磨前修盘,第二、三步测厚1片,边磨边修,研磨完毕后,纯水冲洗陶瓷盘,氮气枪吹净陶瓷盘和工作盘;
(4)     精磨:擦拭陶瓷盘背面及细磨机吊臂吸盘,开始研磨,铜盘转速为60rad/min,吊臂转速为45rad/min,吊臂压力为45kg,研磨液喷吐量为3mL/min,磨好后,使用毛刷、纯水和碳酸钠刷洗,氮气枪吹净陶瓷盘表面,无尘纸擦干背面;
(5)     推片:将陶瓷盘放在加热板上加热,温度设定95℃,加热2min,温度到达95℃时用刀片和镊子将芯片推下,放入传片盒;
(6)清洗:将推下的芯片放入花篮,准备清洗,药品倒入烧杯1800ml,水浴加热药剂,水浴温度为75℃,丙酮一清洗药剂预热5min,丙酮二清洗和乙醇清洗药剂需预热5min,芯片在丙酮一中煮8min,再在丙酮二中煮5min,之后在乙醇中煮5min,最后60℃热氮吹干,气压0.1MPa,每杯药品只煮两个花篮,吹干后取出芯片放入传片盒。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种新的减薄工艺,其特征在于,所述工艺步骤如下:
(1)上蜡:用氮气枪吹净芯片表面,气压0.3MPa,将蜡棒和陶瓷盘加热至100℃,再将蜡滴涂在盘上,每片消耗0.2g蜡,将芯片贴在陶瓷盘上,铺盖3张无尘纸,压盘加压2min,压力0.6MPa,之后冷却至35℃,即可取出陶瓷盘,上蜡后蜡层厚度为1-3um;
(2)去蜡:使用小无尘纸和无水乙醇擦拭芯片表面残蜡;
(3)粗磨:用无水乙醇和无尘纸将陶瓷盘背面以及粗磨机工作盘擦拭干净,开始研磨,砂轮盘转速为600rad/min,工作盘转速120rad/min,砂轮盘推进速率0.3-0.6um/s,分三步进行研磨,第一步测厚6片,研磨前修盘,第二、三步测厚1片,边磨边修,研磨完毕后,纯水冲洗陶瓷盘,氮气枪吹净陶瓷盘和工作盘;
(4)精磨:擦拭陶瓷盘背面及细磨机吊臂吸盘,开始研磨,铜盘转速为60rad/min,吊臂转速为45rad/min,吊臂压力为45kg,研磨液喷吐量为3mL/min,磨好后,使用毛刷、纯水和碳酸钠刷洗,氮气枪吹净陶瓷盘表面,无尘纸擦干背面;
(5)推片:将陶瓷盘放在加热板上加热,温度设定95℃,加热2min,温度到达95℃时用刀片和镊子将芯片推下,放入传片盒;
(6)清洗:将推下的芯片放入花篮,准备清洗,药品倒入烧杯1800ml,水浴加热药剂,水浴温度为75℃,丙酮一清洗药剂预热5min,丙酮二清洗和乙醇清洗药剂需预热5min,芯片在丙酮一中煮8min,再在丙酮二中煮5min,之后在乙醇中煮5min,最后60℃热氮吹干,气压0.1MPa,每杯药品只煮两个花篮,吹干后取出芯片放入传片盒。
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PB01 Publication
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