CN106098865A - 一种改善led用蓝宝石衬底研磨掉边的方法 - Google Patents
一种改善led用蓝宝石衬底研磨掉边的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106098865A CN106098865A CN201610488279.1A CN201610488279A CN106098865A CN 106098865 A CN106098865 A CN 106098865A CN 201610488279 A CN201610488279 A CN 201610488279A CN 106098865 A CN106098865 A CN 106098865A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sapphire substrate
- dehydrated alcohol
- deionized water
- led
- improvement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 72
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 230000006872 improvement Effects 0.000 title claims abstract description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 54
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 53
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 claims abstract description 50
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 46
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 25
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 19
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 abstract description 5
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 208000031481 Pathologic Constriction Diseases 0.000 abstract description 3
- 210000001215 vagina Anatomy 0.000 abstract description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 4
- 229910001651 emery Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 240000004343 Indigofera suffruticosa Species 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- IDGUHHHQCWSQLU-UHFFFAOYSA-N ethanol;hydrate Chemical compound O.CCO IDGUHHHQCWSQLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003913 materials processing Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000007578 phototoxic dermatitis Diseases 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种改善LED用蓝宝石衬底研磨掉边的方法,先将晶片进行粗磨,然后进行精磨,完毕后,如发现晶片边缘出现碎纹、碎裂、划伤、脱落等异常,则首先对铜盘进行擦拭,去除表面可能含有的颗粒残渣、晶片废渣等,然后向铜盘表面喷洒无水乙醇与去离子水的混合液,喷洒完毕后先旋转铜盘再开启研磨液将其均匀覆盖在铜盘表面,继续进行后续精磨作业。本发明操作简单,易实现,只需借助无水乙醇和去离子水即可实现改善蓝宝石衬底研磨碎裂、掉边和划伤等异常,成本较低,对整个减薄过程无影响,无需其他辅助设备、材料或部件,有效提高了铜盘使用寿命,降低了刻槽周期,从而降低产品成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种改善LED用蓝宝石衬底研磨掉边的方法,属于材料加工技术领域。
背景技术
蓝宝石(Al2O3)晶体材料作为蓝光、绿光、白光、紫光LED衬底,研究和应用相对其他类衬底材料较早,生产工艺成熟,成本也大幅降低,目前已经可以实现不同尺寸和厚度要求晶圆的量产,广泛用于光学元件、红外装置、高强度镭射镜片材料、光罩材料、光电材料上。作为GaN基LED衬底,蓝宝石材料生产技术成熟,自身机械强度高(莫氏硬度9),性质稳定,耐高温(熔点2050℃),适合高温下生长外延层,化学稳定性好,不受化学腐蚀,可承受各种化学清洗,透光率高,光学穿透带宽,从近紫外光(190nm)到中红外线(5.5μm)都具有很好的透光性,有利于提高LED发光亮度和外量子效率,晶格结构同GaN材料较为匹配,可实现高质量外延层的生长,降低内部缺陷。同时,因自身硬度高,蓝宝石材料也是一种相当难加工的材料,加工过程中发热量较大,而自身热膨胀系数高于GaN外延材料,造成较大的热失配,为提升蓝宝石衬底LED芯片的使用寿命,目前在LED芯片生产过程中,需对蓝宝石衬底进行减薄处理,以增强器件散热效果,延长使用寿命。
目前,在LED芯片生产制程中关于蓝宝石衬底的减薄工艺主要分为粗磨和精磨两步过程,粗磨过程主要通过砂轮大幅度将衬底减薄至接近目标厚度,这一般会导致衬底研磨面粗糙,划痕较多、较深,而精磨过程通过使用金刚石研磨液配合树脂铜盘进一步对衬底进行小幅度减薄以改善砂轮粗磨带来的表面粗糙、划痕等异常状况。砂轮粗磨过程中冷却水的加入虽然可以改善因粗磨发热问题导致的异常状况,但精磨过程中无法在研磨面直接引入冷却水,热量相对不易散失,精磨过程中随着热量的不断积聚易发生晶片边缘碎裂的异常,特别是目标厚度要求薄的晶片和正面已经过切割的晶片,且碎裂掉落的晶片残渣在精磨过程中易对晶片造成划伤而导致晶片裂片,影响后续正常生产和产品良率。目前尚无有效的措施进行改善,一般的做法为连续减薄一定数量的晶片后,停机冷却,待盘面冷却后再继续进行精磨,或直接对铜盘进行刻槽处理,无论哪一种方式均会导致生产效率降低,增加人力和产品成本。
中国专利文献CN104551971A公开了一种蓝宝石衬底研磨装置,由加压圆盘、研磨圆盘和抛光圆盘等部件组成,另外含有腊、冷却液、聚氨酯板等,装置繁琐,耗材多,且不是目前主流蓝宝石衬底减薄设备,减薄效率低,最多用于普通衬底的简单抛光,难以用于LED芯片生产制程。
中国专利文献CN102916094A公开了一种提高蓝宝石研磨质量的方法,先在蓝宝石衬底内部通过激光隐形切割技术得到一系列平行于蓝宝石衬底定位边的烧蚀图形,然后再对所述蓝宝石衬底进行研磨。由于烧蚀后蓝宝石衬底晶体结构被破坏,因此蓝宝石衬底背面受应力变化时,对蓝宝石衬底正面无相互力的作用,很大程度上降低了蓝宝石衬底因应力而发生形变的可能性。同时,烧蚀出的图形结构,增大了衬底在研磨过程中的散热面积,从另一个角度降低了热应力对蓝宝石衬底的作用。但是,该专利存在以下缺陷:操作复杂,衬底减薄前需进行激光隐形切割处理,延长了产品作业时间,增加了产品成本,且该方法主要用于减薄后的芯片切割,将晶片先用激光进行内部切割,然后借助外力将一颗颗芯片进行劈裂,而非用于提升衬底减薄良率。若在衬底减薄前进行了隐形切割处理,将更易导致衬底在后续减薄过程中碎裂,主要原因为隐形切割造成了晶片内部损伤,在同样的发热量影响下,有损伤的部分更容易发生碎裂,实际的生产制程已经得到证实。其次,该专利文献中阐述该方法可提高散热量是不正确的,虽然衬底内部产生了烧蚀图形,但热量是通过衬底内部及表面传递到外界,衬底正、反表面并无增加散热面积,烧蚀造成的缺陷只能为热量的传递增加阻力。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了改善LED用一种蓝宝石衬底研磨掉边的方法;
本发明方法简单、操作简便、成本低,改善了现有LED用蓝宝石衬底减薄过程中出现的边缘碎裂、边缘脱落、表面划伤等问题。
本发明的技术方案为:
一种改善LED用蓝宝石衬底研磨掉边的方法,具体步骤包括:
(1)将待减薄的蓝宝石衬底进行粗磨;
(2)对步骤(1)粗磨完成后的蓝宝石衬底进行精磨;
(3)采用无水乙醇将研磨铜盘表面擦拭干净;防止研磨铜盘表面颗粒物在进一步精磨过程中划伤、划裂蓝宝石衬底;
(4)旋转所述研磨铜盘,同时向所述研磨铜盘的表面喷洒无水乙醇与去离子水的混合液,所述无水乙醇纯度大于等于99%,所述无水乙醇与去离子水的混合液中,所述无水乙醇与去离子水的体积比为(0-0.5):1;
进一步优选的,所述无水乙醇与去离子水的体积比为(0-0.3):1;
特别优选的,所述无水乙醇与去离子水的体积比为(0-0.1):1;
(5)对蓝宝石衬底进一步精磨。
根据本发明优选的,所述步骤(4)中,喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的流量速度为10-40ml/min,喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的时间为5-60s,喷洒方式为连续喷洒或间歇喷洒。
进一步优选的,喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的流量速度为20-30ml/min,喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的时间为15-50s;
特别优选的,喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的流量速度为25ml/min,喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的时间为35s;
根据本发明优选的,所述步骤(5)之前执行以下操作:旋转研磨铜盘1-5min。
根据本发明优选的,所述步骤(2)之前执行以下操作:采用无水乙醇将研磨铜盘表面擦拭干净。
根据本发明优选的,所述步骤(4)之前执行以下操作:取下蓝宝石衬底并刷洗干净。去除蓝宝石衬底表面残留的研磨液。
根据本发明优选的,所述步骤(2)中,精磨过程中,将金刚石研磨液均匀喷洒或滴在研磨铜盘上;所述金刚石研磨液的流量速度为1-30ml/min;所述金刚石研磨液中,金刚石颗粒大小为0.1-10μm,所述金刚石研磨液的分散介质为油性;所述铜盘为树脂铜盘。
根据本发明优选的,所述无水乙醇纯度大于等于99.7%。
本发明的有益效果为:
本发明只需借助去离子水与无水乙醇的混合液,通过喷洒在铜盘表面实现对铜盘降温,从而改善蓝宝石衬底研磨掉边的异常,采用本发明所述方法研磨后的蓝宝石衬底表面粗糙度达到0.2纳米以下,并且,本发明操作简单,易实现,成本较低,对整个减薄过程无影响,无需其他辅助设备、材料或部件,且可有效提高研磨铜盘使用寿命,降低刻槽周期,从而降低产品成本。
附图说明
图1为未使用本发明方法研磨出的蓝宝石衬底形貌(出现边缘碎纹)示意图;
图2为未使用本发明方法研磨出的蓝宝石衬底形貌(出现边缘脱落、掉边)示意图;
图3是使用本发明方法研磨出的蓝宝石衬底形貌示意图。
1、蓝宝石衬底。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步限定,但不限于此。
实施例1
一种改善LED用蓝宝石衬底1研磨掉边的方法,具体步骤包括:
(1)将待减薄的蓝宝石衬底1进行粗磨;
(2)采用无水乙醇将研磨铜盘表面擦拭干净;
(3)对步骤(1)粗磨完成后的蓝宝石衬底1进行精磨:将金刚石研磨液均匀喷洒或滴在研磨铜盘上;所述金刚石研磨液的流量速度为20ml/min;所述金刚石研磨液中,金刚石颗粒大小为5μm;
(4)取下蓝宝石衬底1并刷洗干净,采用无水乙醇将研磨铜盘表面擦拭干净;防止研磨铜盘表面颗粒物在进一步精磨过程中划伤、划裂蓝宝石衬底;
(5)旋转所述研磨铜盘,同时向所述研磨铜盘的表面喷洒无水乙醇与去离子水的混合液35s,所述无水乙醇纯度大于等于99.7%,所述无水乙醇与去离子水的混合液中,所述无水乙醇与去离子水的体积比为0.1:1;喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的流量速度为25ml/min;
(6)旋转研磨铜盘5min,对蓝宝石衬底1进一步精磨。
金刚石研磨液的分散介质为油性;铜盘为树脂铜盘。
使用本发明方法研磨出的蓝宝石衬底形貌示意图如图3所示;图3中,研磨后的蓝宝石衬底出现边缘完好,表面粗糙度达到0.2纳米以下。
采用背景技术中的现有方法研磨出的蓝宝石衬底形貌示意图如图1、图2所示;图1中,蓝宝石衬底出现边缘碎纹现象;图2中,蓝宝石衬底出现边缘脱落现象。
实施例2
一种改善LED用蓝宝石衬底1研磨掉边的方法,具体步骤包括:
(1)将待减薄的蓝宝石衬底1进行粗磨;
(2)采用无水乙醇将研磨铜盘表面擦拭干净;
(3)对步骤(1)粗磨完成后的蓝宝石衬底1进行精磨:将金刚石研磨液均匀喷洒或滴在研磨铜盘上;所述金刚石研磨液的流量速度为30ml/min;所述金刚石研磨液中,金刚石颗粒大小为10μm;
(4)取下蓝宝石衬底1并刷洗干净,采用无水乙醇将研磨铜盘表面擦拭干净;防止研磨铜盘表面颗粒物在进一步精磨过程中划伤、划裂蓝宝石衬底;
(5)旋转所述研磨铜盘,同时向所述研磨铜盘的表面喷洒无水乙醇与去离子水的混合液50s,所述无水乙醇纯度大于等于99%,所述无水乙醇与去离子水的混合液中,所述无水乙醇与去离子水的体积比为0.5:1;喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的流量速度为30ml/min;
(6)旋转研磨铜盘5min,对蓝宝石衬底1进一步精磨。
金刚石研磨液的分散介质为油性;铜盘为树脂铜盘。
实施例3
一种改善LED用蓝宝石衬底1研磨掉边的方法,具体步骤包括:
(1)将待减薄的蓝宝石衬底1进行粗磨;
(2)采用无水乙醇将研磨铜盘表面擦拭干净;
(3)对步骤(1)粗磨完成后的蓝宝石衬底1进行精磨:将金刚石研磨液均匀喷洒或滴在研磨铜盘上;所述金刚石研磨液的流量速度为1ml/min;所述金刚石研磨液中,金刚石颗粒大小为0.1
(4)取下蓝宝石衬底1并刷洗干净,采用无水乙醇将研磨铜盘表面擦拭干净;防止研磨铜盘表面颗粒物在进一步精磨过程中划伤、划裂蓝宝石衬底;
(5)旋转所述研磨铜盘,同时向所述研磨铜盘的表面喷洒无水乙醇与去离子水的混合液20s,所述无水乙醇纯度大于等于99%,所述无水乙醇与去离子水的混合液中,所述无水乙醇与去离子水的体积比为0.3:1;喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的流量速度为20ml/min;
(6)旋转研磨铜盘1min,对蓝宝石衬底1进一步精磨。
金刚石研磨液的分散介质为油性;铜盘为树脂铜盘。
Claims (10)
1.一种改善LED用蓝宝石衬底研磨掉边的方法,其特征在于,具体步骤包括:
(1)将待减薄的蓝宝石衬底进行粗磨;
(2)对步骤(1)粗磨完成后的蓝宝石衬底进行精磨;
(3)采用无水乙醇将研磨铜盘表面擦拭干净;
(4)旋转所述研磨铜盘,同时向所述研磨铜盘的表面喷洒无水乙醇与去离子水的混合液,所述无水乙醇纯度大于等于99%,所述无水乙醇与去离子水的混合液中,所述无水乙醇与去离子水的体积比为(0-0.5):1;
(5)对蓝宝石衬底进一步精磨。
2.根据权利要求1所述的一种改善LED用蓝宝石衬底研磨掉边的方法,其特征在于,所述无水乙醇与去离子水的体积比为(0-0.3):1。
3.根据权利要求1所述的一种改善LED用蓝宝石衬底研磨掉边的方法,其特征在于,所述无水乙醇与去离子水的体积比为(0-0.1):1。
4.根据权利要求1所述的一种改善LED用蓝宝石衬底研磨掉边的方法,其特征在于,所述步骤(4)中,喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的流量速度为10-40ml/min,喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的时间为5-60s,喷洒方式为连续喷洒或间歇喷洒。
5.根据权利要求1所述的一种改善LED用蓝宝石衬底研磨掉边的方法,其特征在于,所述步骤(4)中,喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的流量速度为20-30ml/min,喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的时间为15-50s。
6.根据权利要求1所述的一种改善LED用蓝宝石衬底研磨掉边的方法,其特征在于,所述步骤(4)中,喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的流量速度为25ml/min,喷洒无水乙醇与去离子水的混合液的时间为35s。
7.根据权利要求1所述的一种改善LED用蓝宝石衬底研磨掉边的方法,其特征在于,所述步骤(2)之前执行以下操作:采用无水乙醇将研磨铜盘表面擦拭干净;所述步骤(4)之前执行以下操作:取下蓝宝石衬底并刷洗干净。
8.根据权利要求1所述的一种改善LED用蓝宝石衬底研磨掉边的方法,其特征在于,所述步骤(5)之前执行以下操作:旋转研磨铜盘1-5min。
9.根据权利要求1所述的一种改善LED用蓝宝石衬底研磨掉边的方法,其特征在于,所述步骤(2)中,精磨过程中,将金刚石研磨液均匀喷洒或滴在研磨铜盘上;所述金刚石研磨液的流量速度为1-30ml/min;所述金刚石研磨液中,金刚石颗粒大小为0.1-10μm,所述金刚石研磨液的分散介质为油性;所述铜盘为树脂铜盘。
10.根据权利要求1-9任一所述的一种改善LED用蓝宝石衬底研磨掉边的方法,其特征在于,所述无水乙醇纯度大于等于99.7%。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610488279.1A CN106098865B (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 一种改善led用蓝宝石衬底研磨掉边的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610488279.1A CN106098865B (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 一种改善led用蓝宝石衬底研磨掉边的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106098865A true CN106098865A (zh) | 2016-11-09 |
CN106098865B CN106098865B (zh) | 2018-11-09 |
Family
ID=57214977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610488279.1A Active CN106098865B (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 一种改善led用蓝宝石衬底研磨掉边的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106098865B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109262373A (zh) * | 2017-07-18 | 2019-01-25 | 东莞华晶粉末冶金有限公司 | 氧化锆陶瓷的研磨方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05285812A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-02 | Nippon Steel Corp | 研削方法 |
JPH1110524A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 化学機械的研磨のためのウエハ・キャリア・アセンブリ |
CN1469459A (zh) * | 2003-04-30 | 2004-01-21 | 东莞市福地电子材料有限公司 | 一种纳米级蓝宝石衬底的加工方法及其专用抛光液 |
CN102240967A (zh) * | 2011-06-24 | 2011-11-16 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 可用于光电器件衬底的氧化锌单晶抛光技术 |
CN103252708A (zh) * | 2013-05-29 | 2013-08-21 | 南京航空航天大学 | 基于固结磨料抛光垫的蓝宝石衬底的超精密加工方法 |
CN103495928A (zh) * | 2013-10-09 | 2014-01-08 | 广东赛翡蓝宝石科技有限公司 | 一种提高蓝宝石衬底片表面质量和产品良率的加工方法 |
CN103811329A (zh) * | 2012-11-10 | 2014-05-21 | 王红亚 | 一种新的减薄工艺 |
CN104051584A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-09-17 | 中国科学院半导体研究所 | 蓝宝石图形衬底晶片及制备方法 |
JP2014216369A (ja) * | 2013-04-23 | 2014-11-17 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤および研磨方法 |
CN105189043A (zh) * | 2013-03-15 | 2015-12-23 | 埃科莱布美国股份有限公司 | 抛光蓝宝石表面的方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1734303A (zh) * | 2004-08-13 | 2006-02-15 | 王毅 | 光纤陶瓷套筒的制作方法 |
CN103808542B (zh) * | 2012-11-10 | 2016-03-23 | 有研亿金新材料股份有限公司 | 一种镍铂合金金相样品制备并显示样品组织的方法 |
-
2016
- 2016-06-27 CN CN201610488279.1A patent/CN106098865B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05285812A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-02 | Nippon Steel Corp | 研削方法 |
JPH1110524A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 化学機械的研磨のためのウエハ・キャリア・アセンブリ |
CN1469459A (zh) * | 2003-04-30 | 2004-01-21 | 东莞市福地电子材料有限公司 | 一种纳米级蓝宝石衬底的加工方法及其专用抛光液 |
CN102240967A (zh) * | 2011-06-24 | 2011-11-16 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 可用于光电器件衬底的氧化锌单晶抛光技术 |
CN103811329A (zh) * | 2012-11-10 | 2014-05-21 | 王红亚 | 一种新的减薄工艺 |
CN105189043A (zh) * | 2013-03-15 | 2015-12-23 | 埃科莱布美国股份有限公司 | 抛光蓝宝石表面的方法 |
JP2014216369A (ja) * | 2013-04-23 | 2014-11-17 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤および研磨方法 |
CN103252708A (zh) * | 2013-05-29 | 2013-08-21 | 南京航空航天大学 | 基于固结磨料抛光垫的蓝宝石衬底的超精密加工方法 |
CN103495928A (zh) * | 2013-10-09 | 2014-01-08 | 广东赛翡蓝宝石科技有限公司 | 一种提高蓝宝石衬底片表面质量和产品良率的加工方法 |
CN104051584A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-09-17 | 中国科学院半导体研究所 | 蓝宝石图形衬底晶片及制备方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109262373A (zh) * | 2017-07-18 | 2019-01-25 | 东莞华晶粉末冶金有限公司 | 氧化锆陶瓷的研磨方法 |
CN109262373B (zh) * | 2017-07-18 | 2020-06-02 | 东莞华晶粉末冶金有限公司 | 氧化锆陶瓷的研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106098865B (zh) | 2018-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101673668B (zh) | 一种氮化镓晶体抛光的方法 | |
CN104769704B (zh) | 半导体晶片的加工方法 | |
JP2016508886A (ja) | 凹凸構造の研磨剤製品及びその調製方法 | |
CN102343547A (zh) | 一种蓝宝石衬底材料的热化学机械抛光法及抛光液 | |
CN104669454B (zh) | 一种带孔的蓝宝石手机视窗保护屏的加工方法 | |
CN100522478C (zh) | 一种磷化镓晶片双面抛光方法 | |
CN101885163B (zh) | 以水枪辅助执行化学机械抛光处理程序的方法及其系统 | |
CN102165563B (zh) | 碳化硅单晶基板 | |
CN110039382A (zh) | 一种大尺寸超薄钽酸锂晶圆片的减薄方法 | |
Uhlmann et al. | A new process design for manufacturing sapphire wafers | |
US20190348270A1 (en) | Method of polishing silicon wafer and method of producing silicon wafer | |
CN110314896A (zh) | 一种半导体衬底材料抛光方法 | |
CN103029026A (zh) | 一种超高清洗能力的单晶硅晶圆片清洗方法 | |
CN109509701A (zh) | 一种晶圆片的研磨抛光方法以及相应的晶圆片 | |
CN106098865A (zh) | 一种改善led用蓝宝石衬底研磨掉边的方法 | |
CN107749391A (zh) | 一种半导体晶圆高效精度减薄方法 | |
CN105762062B (zh) | 一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺 | |
CN112216602B (zh) | 一种用于锑化铟单晶片的抛光方法 | |
CN103846782A (zh) | 液晶面板研磨方法 | |
CN101174597A (zh) | GaN单晶衬底和GaN单晶衬底的表面加工方法 | |
CN106141918A (zh) | 基板的制备方法 | |
KR101097178B1 (ko) | 나노 다이아몬드를 포함하는 표면 연마제 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 연마제, 그리고 이 연마제를 이용한 연마 방법 | |
SG183597A1 (en) | Method for recycling a source substrate | |
CN103272796A (zh) | 一种高洁净度单晶硅研磨片的清洗方法 | |
CN106346317A (zh) | 加工制备蓝宝石晶片的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |