CN109262373A - 氧化锆陶瓷的研磨方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种氧化锆陶瓷的研磨方法。一种氧化锆陶瓷的研磨方法，包括以下步骤：采用磨削液和金刚石砂轮对氧化锆陶瓷进行磨削处理4min～6min；采用氮化硼研磨液和铸铁盘对氧化锆陶瓷进行粗磨处理5min～6min；采用第一金刚石研磨液和第一铜盘对氧化锆陶瓷进行中磨处理20min～30min；采用第二金刚石研磨液和第二铜盘对氧化锆陶瓷进行精磨处理15min～25min；及采用抛光垫及抛光液对氧化锆陶瓷进行抛光处理50min～70min。上述氧化锆陶瓷的研磨方法先进行磨削处理，再经过粗磨处理降低表面粗糙度和平面度，经过中磨处理及精磨处理进一步降低裂纹深度、表面粗糙度和平整度，减小抛光处理时的加工难度，总的加工时间低于130min，加工时间明显降低，提高了加工效率，且加工产品的良率有所提高。

Description

氧化锆陶瓷的研磨方法
技术领域
本发明涉及氧化锆陶瓷加工技术领域，特别是涉及氧化锆陶瓷的研磨方法。
背景技术
氧化锆陶瓷由于具有高韧性、高抗弯折性和高耐磨性的优点而被广泛应用于结构陶瓷、功能陶瓷及装饰品中，因此，对于氧化锆陶瓷的表面加工工艺也有了更高的要求。然而，氧化锆陶瓷具有硬度高、耐腐蚀、脆性大等性能，使得其研磨抛光变得更为复杂，为达到较高的表面光滑度，常规性的氧化锆陶瓷的研磨抛光加工工艺一般包括粗磨、精磨及抛光三步工序，然而，目前的研磨抛光方法要达到氧化锆陶瓷较好的表面光滑度时往往加工时间较长效率较低，且加工过程中氧化锆陶瓷的脆性大，易被损坏使得产品的良率低。
发明内容
基于此，有必要针对目前氧化锆陶瓷的研磨方法效率较低且加工产品的良率低的问题，提供一种氧化锆陶瓷的研磨方法。
一种氧化锆陶瓷的研磨方法，包括以下步骤：
采用磨削液和金刚石砂轮对氧化锆陶瓷进行磨削处理4min～6min；
采用氮化硼研磨液和铸铁盘对所述氧化锆陶瓷进行粗磨处理5min～6min；
采用第一金刚石研磨液和第一铜盘对所述氧化锆陶瓷进行中磨处理20min～30min；
采用第二金刚石研磨液和第二铜盘对所述氧化锆陶瓷进行精磨处理15min～25min；及
采用抛光垫及抛光液对所述氧化锆陶瓷进行抛光处理50min～70min。
在其中一个实施方式中，制备所述金刚石砂轮的材料包括金刚石磨料、金属结合剂及基体；所述金刚石磨料的粒径为80μm～180μm；所述金属结合剂选自青铜结合剂和铸铁结合剂中的至少一种；所述基体选自钢、合金钢和铝合金中的至少一种。
在其中一个实施方式中，按质量份数计，所述氮化硼研磨液包括5份～30份的氮化硼微粉、1份～2份的分散剂、0.1份～1份的悬浮剂、0.1份～1份的防锈剂及50份～90份的水；所述氮化硼微粉的粒径为45μm～65μm。
在其中一个实施方式中，所述分散剂选自聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚和三乙醇胺中的至少一种；
及/或，所述悬浮剂选自聚丙烯酰胺、聚丙烯酸、聚丙烯酸钠、丙三醇和甘二醇中的至少一种；
及/或，所述防锈剂选自二甲基甲酰胺、氮氮二甲基乙二胺、氮氮二甲基乙醇胺和氮氮二甲基乙酰胺中的至少一种。
在其中一个实施方式中，所述铸铁盘的材料选自球墨铸铁、灰铸铁、白口铸铁、可锻铸铁及合金铸铁中的至少一种。
在其中一个实施方式中，按质量份数计，所述第一金刚石研磨液包括0.1份～10份的第一金刚石微粉、0.1份～20份的表面活性剂、0.1份～20份的分散剂、0.1份～10份的pH调节剂及40份～70份的油；所述第一金刚石微粉的粒径为3μm～9μm。
在其中一个实施方式中，按质量份数计，所述第二金刚石研磨液包括0.1份～10份的第二金刚石微粉、0.1份～20份的表面活性剂、0.1份～20份的分散剂、0.1份～10份的pH调节剂及40份～70份的油；所述第二金刚石微粉的粒径为0.5μm～3μm。
在其中一个实施方式中，按质量份数计，制备所述第一铜盘及所述第二铜盘的材料均包括40份～80份的铜粉、0.5份～5份的镍粉、0.5份～5份的铈粉及20份～60份的环氧树脂。
在其中一个实施方式中，所述抛光处理至所述氧化锆陶瓷的表面粗糙度Sa为1nm～5nm。
在其中一个实施方式中，所述抛光液选自氧化锆抛光液、氧化铝抛光液、氧化锆抛光液和氧化铈抛光液中的至少一种；
及/或，抛光垫选自无纺布抛光垫、阻尼布抛光垫或聚氨酯抛光垫。
上述氧化锆陶瓷的研磨方法先对氧化锆陶瓷进行磨削处理快速去除成型和烧结过程中的表面缺陷和大部分尺寸余量，再经过粗磨处理降低氧化锆陶瓷的表面粗糙度和平面度，再经过中磨处理降低氧化锆陶瓷的裂纹深度、表面粗糙度和平面度，再经过精磨处理进一步降低裂纹深度、表面粗糙度和平整度，减小抛光处理时的加工难度，最后进行抛光处理，上述氧化锆陶瓷的研磨方法总的加工时间低于130min，加工时间明显降低，提高了加工效率，且加工产品的良率有所提高。
附图说明
图1为一实施方式的氧化锆陶瓷的研磨方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合具体实施方式及附图对氧化锆陶瓷的研磨方法做进一步的详细说明。
请参阅图1，一实施方式的氧化锆陶瓷的研磨方法，包括以下步骤：
S110、采用磨削液和金刚石砂轮对氧化锆陶瓷进行磨削处理4min～6min。
在其中一个实施方式中，磨削处理为单面磨削处理。
在其中一个实施方式中，磨削液为中瑞牌牌号为ZR-SPX水溶性磨削液。
在其中一个实施方式中，磨削液的加注方式为普通切向供液法。
在其中一个实施方式中，制备金刚石砂轮的材料包括金刚石磨料、金刚石结合剂及基体。
在其中一个实施方式中，金刚石磨料的粒径为80μm～180μm。
在其中一个实施方式中，金属结合剂选自青铜结合剂和铸铁结合剂中的至少一种。
在其中一个实施方式中，基体选自钢、合金钢和铝合金中的至少一种。
在其中一个实施方式中，氧化锆陶瓷经过磨削处理后的平面度为0.02mm～0.04mm。
在其中一个实施方式中，在进行磨削处理时金刚石砂轮的线转速为20m/s～40m/s，主轴转速为800r/min～1200r/min，背吃刀量为0.015mm～0.02mm。
在其中一个实施方式中，进行磨削处理时氧化锆陶瓷表面的去除量为0.1mm～0.4mm。
在其中一个实施方式中，进行磨削处理至氧化锆陶瓷表面的表面粗糙度Sa为200nm～600nm。
对氧化锆陶瓷进行磨削处理可以快速去除成型剂和烧结过程中氧化锆陶瓷的表面缺陷和大部分尺寸余量。
S120、采用氮化硼研磨液和铸铁盘对氧化锆陶瓷进行粗磨处理5min～6min。
在其中一个实施方式中，粗磨处理为双面粗磨处理。
在其中一个实施方式中，按质量份数计，氮化硼研磨液包括5份～30份的氮化硼微粉、1份～2份的分散剂、0.1份～1份的悬浮剂、0.1份～1份的防锈剂及50份～90份的水。
在其中一个实施方式中，氮化硼微粉的粒径为45μm～65μm。
在其中一个实施方式中，分散剂选自聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚和三乙醇胺中的至少一种。
在其中一个实施方式中，悬浮剂选自聚丙烯酰胺、聚丙烯酸、聚丙烯酸钠、丙三醇和甘二醇中的至少一种。
在其中一个实施方式中，防锈剂选自二甲基甲酰胺、氮氮二甲基乙二胺、氮氮二甲基乙醇胺和氮氮二甲基乙酰胺中的至少一种。
在其中一个实施方式中，铸铁盘的材料选自球墨铸铁、灰铸铁、白口铸铁、可锻铸铁及合金铸铁中的至少一种。
在其中一个实施方式中，铸铁盘为圆环形，铸铁盘的外径为400mm～1300mm，铸铁盘的内径为100mm～600mm。
在其中一个实施方式中，铸铁盘的开槽方式为网格型。开槽的规格为：宽度为1mm～3mm，深度为5mm～15mm，间距为15mm～30mm。
在其中一个实施方式中，在进行粗磨处理时铸铁盘的转速为30r/min～40r/min；加工压力为100g/cm2～120g/cm2。
在其中一个实施方式中，在进行粗磨处理时氮化硼研磨液的流量为2L/min～10L/min。
在其中一个实施方式中，进行粗磨处理时氧化锆陶瓷表面的去除量为0.05mm～0.2mm。
在其中一个实施方式中，进行粗磨处理至氧化钛陶瓷的表面粗糙度Sa为50nm～200nm。
在其中一个实施方式中，氧化锆陶瓷经过粗磨处理后的平面度为0.01mm～0.02mm。
对氧化锆陶瓷进行粗磨处理可以降低氧化锆陶瓷的表面粗糙度和平面度。
S130、采用第一金刚石研磨液和第一铜盘对氧化锆陶瓷进行中磨处理20min～30min。
在其中一个实施方式中，中磨处理为双面中磨处理。
在其中一个实施方式中，按质量份数计，第一金刚石研磨液包括0.1份～10份的第一金刚石微粉、0.1份～20份的表面活性剂、0.1份～20份的分散剂、0.1份～10份的pH调节剂及40份～70份的油。
在其中一个实施方式中，第一金刚石微粉的粒径为3μm～9μm。
在其中一个实施方式中，表面活性剂选自油酸聚氧乙烯酯、硬脂酸聚氧乙烯酯、脂肪胺聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基醇酰胺聚氧乙烷醚、乙二醇单硬脂酸酯和聚乙二醇双硬脂酸酯中的至少一种。
在其中一个实施方式中，分散剂选自丙三醇、三乙醇胺、聚乙烯醇、聚丙二醇和壬基酚聚氧乙烯醚中的至少一种。
在其中一个实施方式中，pH调节剂选自氢氧化钠和氢氧化钾中的至少一种。
在其中一个实施方式中，油选自花生油、橄榄油、大豆油和菜籽油中的至少一种。
在其中一个实施方式中，调节金刚石研磨液的pH值为3～12。
在其中一个实施方式中，按质量份数计，制备第一铜盘的材料包括40份～80份的铜粉、0.5份～5份的镍粉、0.5份～5份的铈粉及20份～60份的环氧树脂。
在其中一个实施方式中，第一铜盘为圆环形，第一铜盘的外径为400mm～1300mm，第一铜盘的内径为100mm～600mm。
在其中一个实施方式中，第一铜盘的开槽方式为螺旋型。开槽的规格为：宽度为0.5mm～2mm，深度为0.5mm～2mm，间距为1mm～5mm。
在其中一个实施方式中，在进行中磨处理时第一铜盘的转速为35r/min～40r/min；加工压力为150g/cm2～250g/cm2。
在其中一个实施方式中，在进行中磨处理时金刚石研磨液的流量为20L/min～30L/min。
在其中一个实施方式中，在进行中磨处理时氧化锆陶瓷表面的去除量为0.02mm～0.06mm。
在其中一个实施方式中，氧化锆陶瓷经过中磨处理后的表面粗糙度Sa为6nm～15nm。
在其中一个实施方式中，氧化锆陶瓷经过中磨处理后的平面度为0.005mm～0.01mm。
对氧化锆陶瓷进行中磨处理可以降低氧化锆陶瓷在前序处理中出现的裂纹深度，并且降低表面粗糙度和平面度。
S140、采用第二金刚石研磨液和第二铜盘对氧化锆陶瓷进行精磨处理15min～25min。
在其中一个实施方式中，精磨处理为双面精磨处理。
在其中一个实施方式中，按质量份数计，第二金刚石研磨液包括0.1份～10份的第二金刚石微粉、0.1份～20份的表面活性剂、0.1份～20份的分散剂、0.1份～10份的pH调节剂及40份～70份的油。
在其中一个实施方式中，第二金刚石微粉的粒径为0.5μm～3μm。
在其中一个实施方式中，表面活性剂选自油酸聚氧乙烯酯、硬脂酸聚氧乙烯酯、脂肪胺聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基醇酰胺聚氧乙烷醚、乙二醇单硬脂酸酯和聚乙二醇双硬脂酸酯中的至少一种。
在其中一个实施方式中，分散剂选自丙三醇、三乙醇胺、聚乙烯醇、聚丙二醇和壬基酚聚氧乙烯醚中的至少一种。
在其中一个实施方式中，pH调节剂选自氢氧化钠和氢氧化钾中的至少一种。
在其中一个实施方式中，油选自花生油、橄榄油、大豆油和菜籽油中的至少一种。
在其中一个实施方式中，调节金刚石研磨液的pH值为3～12。
在其中一个实施方式中，按质量份数计，制备第二铜盘的材料包括40份～80份的铜粉、0.5份～5份的镍粉、0.5份～5份的铈粉及20份～60份的环氧树脂。
在其中一个实施方式中，第二铜盘为圆环形，第二铜盘的外径为400mm～1300mm，第二铜盘的内径为100mm～600mm。
在其中一个实施方式中，第二铜盘的开槽方式为螺旋型。开槽的规格为：宽度为0.5mm～2mm，深度为0.5mm～2mm，间距为1mm～5mm。
在其中一个实施方式中，在进行精磨处理时第二铜盘的转速为20r/min～50r/min；加工压力为200g/cm2～250g/cm2。
在其中一个实施方式中，在进行精磨处理时金刚石研磨液的流量为20mL/min～40mL/min。
在其中一个实施方式中，在进行精磨处理时氧化锆陶瓷表面的去除量为0.02mm～0.06mm。
在其中一个实施方式中，精磨处理至氧化锆陶瓷的表面粗糙度Sa为4nm～10nm。
在其中一个实施方式中，氧化锆陶瓷经过精磨处理后的平面度为0.003mm～0.005mm。
对氧化锆陶瓷进行精磨处理可以进一步降低氧化锆陶瓷在前序处理中出现的裂纹深度，并且降低表面粗糙度和平面度。
S150、采用抛光垫及抛光液对氧化锆陶瓷进行抛光处理50min～70min。
在其中一个实施方式中，对氧化锆陶瓷进行双面抛光。
在其中一个实施方式中，抛光液选自氧化锆抛光液、氧化铝抛光液、氧化锆抛光液和氧化铈抛光液中的至少一种。
在其中一个实施方式中，抛光液中颗粒的粒径为20nm～100nm。
在其中一个实施方式中，抛光垫选自无纺布抛光垫、阻尼布抛光垫或聚氨酯抛光垫。
在其中一个实施方式中，抛光垫为圆环形，抛光垫的外径为400mm～1300mm，抛光垫的内径为100mm～600mm。
在其中一个实施方式中，抛光垫的开槽方式为网格型。开槽的规格为：宽度为0.5mm～2mm，高度为0.5mm～2mm，间距为5mm～25mm。
在其中一个实施方式中，在进行抛光处理时抛光垫的转速为30r/min～60r/min；加工压力为200g/cm2～500g/cm2。
在其中一个实施方式中，在进行抛光处理时抛光液的流量为5L/min～10L/min。
在其中一个实施方式中，在进行抛光处理时氧化锆陶瓷表面的去除量为0.005mm～0.01mm。
在其中一个实施方式中，氧化锆陶瓷经过抛光处理后的表面粗糙度Sa为1nm～5nm。
在其中一个实施方式中，氧化锆陶瓷经过抛光处理后的平面度为0.003mm～0.005mm。
上述氧化锆陶瓷的研磨方法先对氧化锆陶瓷进行磨削处理快速去除成型和烧结过程中的表面缺陷和大部分尺寸余量，再经过粗磨处理降低氧化锆陶瓷的表面粗糙度和平面度，再经过中磨处理降低氧化锆陶瓷的裂纹深度、表面粗糙度和平面度，再经过精磨处理进一步降低裂纹深度、表面粗糙度和平整度，减小抛光处理时的加工难度，最后进行抛光处理，上述氧化锆陶瓷的研磨方法总的加工时间低于130min，加工时间明显降低，提高了加工效率，且加工产品的良率有所提高。
下面是具体实施例的说明，以下实施例如无特殊说明，则不含有除不可避免的杂质以外的其他未明确指出的组分。
实施例1
(1)采用磨削液和金刚石砂轮对氧化锆陶瓷进行磨削处理。其中，制备金刚石砂轮的金刚石磨料的粒径为80μm；金刚石砂轮的线转速为35m/s，主轴转速为1100r/min，背吃刀量为0.015mm；进行磨削处理的时间为6min。
(2)采用氮化硼研磨液和铸铁盘对经过磨削处理的氧化锆陶瓷进行粗磨处理。其中，氮化硼研磨液包括30g的氮化硼微粉、2g的分散剂聚氧乙烯醚、1g的悬浮剂聚丙烯酰胺、1g的防锈剂二甲基甲酰胺及90g的水，氮化硼微粉的粒径为65μm，铸铁盘的材料为球墨铸铁；在进行粗磨处理时，铸铁盘的转速为30r/min；加工压力为100g/cm2，氮化硼研磨液的流量为5L/min粗磨处理的时间为5min。
(3)采用第一金刚石研磨液和第一铜盘对经过粗磨处理的氧化锆陶瓷进行中磨处理。其中，第一金刚石研磨液包括10g的第一金刚石微粉、20g的表面活性剂油酸聚氧乙烯酯、20g的分散剂丙三醇、10g的pH调节剂氢氧化钠及70g的花生油，金刚石研磨液的pH值为10；第一金刚石微粉的粒径为5μm，制备第一铜盘的材料包括40g的铜粉、5g的镍粉、5g的铈粉及60g的环氧树脂；在进行中磨处理时，第一铜盘的转速为35r/min；加工压力为150g/cm2，第一金刚石研磨液的流量为20L/min；中磨处理的时间为20min。
(4)采用第二金刚石研磨液和第二铜盘对经过中磨处理的氧化锆陶瓷进行精磨处理。其中，第二金刚石研磨液包括10g的第二金刚石微粉、20g的表面活性剂油酸聚氧乙烯酯、20g的分散剂丙三醇、10g的pH调节剂氢氧化钠及70g的花生油，金刚石研磨液的pH值为10；第二金刚石微粉的粒径为3μm，制备第二铜盘的材料包括40g的铜粉、5g的镍粉、5g的铈粉及60g的环氧树脂；在进行精磨处理时，铜盘的转速为35r/min；加工压力为200g/cm2，第二金刚石研磨液的流量为25L/min；精磨处理的时间为20min。
(5)采用抛光垫和抛光液对氧化锆陶瓷进行抛光处理。其中，抛光垫为无纺布抛光垫，抛光液为氧化锆抛光液，抛光液中颗粒的粒径为100nm；在进行抛光处理时，抛光垫的转速为50r/min，加工压力为400g/cm2，抛光液的流量为10L/min；抛光处理的时间为60min。
实施例2
(1)采用磨削液和金刚石砂轮对氧化锆陶瓷进行磨削处理。其中，制备金刚石砂轮的金刚石磨料的粒径为180μm；金刚石砂轮的线转速为35m/s，主轴转速为1100r/min，背吃刀量为0.02mm；磨削处理的去除量为0.2mm；进行磨削处理的时间为4min。
(2)采用氮化硼研磨液和铸铁盘对经过磨削处理的氧化锆陶瓷进行粗磨处理。其中，氮化硼研磨液包括5g的氮化硼微粉、1g的分散剂壬基酚聚氧乙烯醚、0.1g的悬浮剂聚丙烯酸钠、0.1g的防锈剂氮氮二甲基乙酰胺及50g的水，氮化硼微粉的粒径为65μm，铸铁盘的材料为灰铸铁；在进行粗磨处理时，铸铁盘的转速为30r/min；加工压力为100g/cm2，氮化硼研磨液的流量为5L/min；粗磨处理的时间为5min。
(3)采用第一金刚石研磨液和第一铜盘对经过粗磨处理的氧化锆陶瓷进行中磨处理。其中，第一金刚石研磨液包括10g的第一金刚石微粉、10g的表面活性剂、10g的分散剂、5g的pH调节剂及60g的油，第一金刚石研磨液的pH值为9；第一金刚石微粉的粒径为5μm，制备第一铜盘的材料包括80g的铜粉、0.5g的镍粉、0.5g的铈粉及20g的环氧树脂；在进行中磨处理时，第一铜盘的转速为35r/min；加工压力为150g/cm2，第一金刚石研磨液的流量为20L/min；中磨处理的时间为20min。
(4)采用第二金刚石研磨液和第二铜盘对经过中磨处理的氧化锆陶瓷进行精磨处理。其中，第二金刚石研磨液包括10g的第二金刚石微粉、10g的表面活性剂、10g的分散剂、5g的pH调节剂及60g的油，第二金刚石研磨液的pH值为9；第二金刚石微粉的粒径为3μm，制备第二铜盘的材料包括80g的铜粉、0.5g的镍粉、0.5g的铈粉及20g的环氧树脂；在进行精磨处理时，第二铜盘的转速为35r/min；加工压力为200g/cm2，第二金刚石研磨液的流量为25L/min；精磨处理的时间为20min。
(5)采用抛光垫和抛光液对氧化锆陶瓷进行抛光处理。其中，抛光垫为无纺布抛光垫，抛光液为氧化锆抛光液，抛光液中颗粒的粒径为100nm；在进行抛光处理时，抛光垫的转速为50r/min，加工压力为400g/cm2，抛光液的流量为10L/min；抛光处理的时间为60min。
实施例3
(1)采用磨削液和金刚石砂轮对氧化锆陶瓷进行磨削处理。其中，制备金刚石砂轮的金刚石磨料的粒径为180μm；金刚石砂轮的线转速为35m/s，主轴转速为1100r/min，背吃刀量为0.02mm；磨削处理的去除量为0.2mm；进行磨削处理的时间为4min。
(2)采用氮化硼研磨液和铸铁盘对经过磨削处理的氧化锆陶瓷进行粗磨处理。其中，氮化硼研磨液包括20g的氮化硼微粉、2g的分散剂三乙醇胺、1g的悬浮剂聚丙烯酸钠、1g的防锈剂氮氮二甲基乙醇胺及80g的水，氮化硼微粉的粒径为45μm，铸铁盘的材料为球墨铸铁；在进行粗磨处理时，铸铁盘的转速为40r/min；加工压力为120g/cm2，氮化硼研磨液的流量为5L/min；粗磨处理的时间为5min。
(3)采用第一金刚石研磨液和第一铜盘对经过粗磨处理的氧化锆陶瓷进行中磨处理。其中，第一金刚石研磨液包括0.1g的第一金刚石微粉、0.1g的表面活性剂、0.1g的分散剂、0.1g的pH调节剂及40g的油，第一金刚石研磨液的pH值为6；第一金刚石微粉的粒径为5μm，制备第一铜盘的材料包括60g的铜粉、5g的镍粉、5g的铈粉及40g的环氧树脂；在进行中磨处理时，第一铜盘的转速为35r/min；加工压力为150g/cm2，第一金刚石研磨液的流量为20L/min；中磨处理的时间为20min。
(4)采用第二金刚石研磨液和第二铜盘对经过中磨处理的氧化锆陶瓷进行精磨处理。其中，第二金刚石研磨液包括0.1g的第二金刚石微粉、0.1g的表面活性剂、0.1g的分散剂、0.1g的pH调节剂及40g的油，第二金刚石研磨液的pH值为6；第二金刚石微粉的粒径为1μm，制备第二铜盘的材料包括60g的铜粉、5g的镍粉、5g的铈粉及40g的环氧树脂；在进行精磨处理时，第二铜盘的转速为35r/min；加工压力为250g/cm2，第二金刚石研磨液的流量为25L/min；精磨处理的时间为25min。
(5)采用抛光垫和抛光液对氧化锆陶瓷进行抛光处理。其中，抛光垫为无纺布抛光垫，抛光液为氧化锆抛光液，抛光液中颗粒的粒径为80nm；在进行抛光处理时，抛光垫的转速为50r/min，加工压力为400g/cm2，抛光液的流量为10L/min；抛光处理的时间为60min。
实施例4
(1)采用磨削液和金刚石砂轮对氧化锆陶瓷进行磨削处理。其中，制备金刚石砂轮的金刚石磨料的粒径为180μm；金刚石砂轮的线转速为35m/s，主轴转速为1100r/min，背吃刀量为0.02mm；进行磨削处理的时间为4min。
(2)采用氮化硼研磨液和铸铁盘对经过磨削处理的氧化锆陶瓷进行粗磨处理。其中，氮化硼研磨液包括5g的氮化硼微粉、1g的分散剂三乙醇胺、0.1g的悬浮剂聚丙烯酸、1g的防锈剂氮氮二甲基乙二胺及60g的水，氮化硼微粉的粒径为45μm，铸铁盘的材料为白口铸铁；在进行粗磨处理时，铸铁盘的转速为40r/min；加工压力为120g/cm2，氮化硼研磨液的流量为5L/min；粗磨处理的时间为5min。
(3)采用第一金刚石研磨液和第一铜盘对经过粗磨处理的氧化锆陶瓷进行中磨处理。其中，第一金刚石研磨液包括5g的第一金刚石微粉、20g的表面活性剂、10g的分散剂、8g的pH调节剂及60g的油，第一金刚石研磨液的pH值为11；金刚石微粉的粒径为3μm，制备第一铜盘的材料包括40g的铜粉、5g的镍粉、5g的铈粉及60g的环氧树脂；在进行中磨处理时，第一铜盘的转速为35r/min；加工压力为250g/cm2，第一金刚石研磨液的流量为20L/min；中磨处理的时间为30min。
(4)采用第二金刚石研磨液和第二铜盘对经过中磨处理的氧化锆陶瓷进行精磨处理。其中，第二金刚石研磨液包括5g的第二金刚石微粉、20g的表面活性剂、10g的分散剂、8g的pH调节剂及60g的油，第二金刚石研磨液的pH值为11；金刚石微粉的粒径为1μm，制备第二铜盘的材料包括40g的铜粉、5g的镍粉、5g的铈粉及60g的环氧树脂；在进行精磨处理时，第二铜盘的转速为35r/min；加工压力为250g/cm2，第二金刚石研磨液的流量为25L/min；精磨处理的时间为25min。
(5)采用抛光垫和抛光液对氧化锆陶瓷进行抛光处理。其中，抛光垫为无纺布抛光垫，抛光液为氧化锆抛光液，抛光液中颗粒的粒径为80nm；在进行抛光处理时，抛光垫的转速为50r/min，加工压力为400g/cm2，抛光液的流量为10L/min；抛光处理的时间为60min。
实施例5
(1)采用磨削液和金刚石砂轮对氧化锆陶瓷进行磨削处理。其中，制备金刚石砂轮的金刚石磨料的粒径为180μm；金刚石砂轮的线转速为35m/s，主轴转速为1100r/min，背吃刀量为0.02mm；磨削处理的去除量为0.2mm；进行磨削处理的时间为4min。
(2)采用氮化硼研磨液和铸铁盘对经过磨削处理的氧化锆陶瓷进行粗磨处理。其中，氮化硼研磨液包括10g的氮化硼微粉、1g的分散剂壬基酚聚氧乙烯醚、0.5g的悬浮剂甘二醇、0.5g的防锈剂二甲基甲酰胺及70g的水，氮化硼微粉的粒径为45μm，铸铁盘的材料为球墨铸铁；在进行粗磨处理时，铸铁盘的转速为40r/min；加工压力为120g/cm2，氮化硼研磨液的流量为5L/min；粗磨处理的时间为5min。
(3)采用第一金刚石研磨液和第一铜盘对经过粗磨处理的氧化锆陶瓷进行中磨处理。其中，第一金刚石研磨液包括10g的第一金刚石微粉、20g的表面活性剂、20g的分散剂、10g的pH调节剂及70g的油，第一金刚石研磨液的pH值为10；第一金刚石微粉的粒径为5μm，制备第一铜盘的材料包括40g的铜粉、5g的镍粉、5g的铈粉及60g的环氧树脂；在进行中磨处理时，第一铜盘的转速为35r/min；加工压力为150g/cm2，第一金刚石研磨液的流量为20L/min；中磨处理的时间为20min。
(4)采用第二金刚石研磨液和第二铜盘对经过中磨处理的氧化锆陶瓷进行精磨处理。其中，第二金刚石研磨液包括10g的金刚石微粉、20g的表面活性剂、20g的分散剂、10g的pH调节剂及70g的油，第二金刚石研磨液的pH值为10；第二金刚石微粉的粒径为3μm，制备第二铜盘的材料包括40g的铜粉、5g的镍粉、5g的铈粉及60g的环氧树脂；在进行精磨处理时，第二铜盘的转速为35r/min；加工压力为200g/cm2，第二金刚石研磨液的流量为25L/min；精磨处理的时间为20min。
(5)采用抛光垫和抛光液对氧化锆陶瓷进行抛光处理。其中，抛光垫为无纺布抛光垫，抛光液为氧化锆抛光液，抛光液中颗粒的粒径为100nm；在进行抛光处理时，抛光垫的转速为50r/min，加工压力为400g/cm2，抛光液的流量为10L/min；抛光处理的时间为60min。
实施例6
(1)采用磨削液和金刚石砂轮对氧化锆陶瓷进行磨削处理。其中，制备金刚石砂轮的金刚石磨料的粒径为120μm；金刚石砂轮的线转速为35m/s，主轴转速为1100r/min，背吃刀量为0.018mm；磨削处理的去除量为0.2mm；进行磨削处理的时间为5min。
(2)采用氮化硼研磨液和铸铁盘对经过磨削处理的氧化锆陶瓷进行粗磨处理。其中，氮化硼研磨液包括30g的氮化硼微粉、2g的分散剂聚氧乙烯醚、1g的悬浮剂丙三醇、1g的防锈剂氮氮二甲基乙二胺及90g的水，氮化硼微粉的粒径为50μm，铸铁盘的材料为球墨铸铁；在进行粗磨处理时，铸铁盘的转速为35r/min；加工压力为110g/cm2，氮化硼研磨液的流量为5L/min；粗磨处理的时间为5min。
(3)采用第一金刚石研磨液和第一铜盘对经过粗磨处理的氧化锆陶瓷进行中磨处理。其中，第一金刚石研磨液包括10g的第一金刚石微粉、20g的表面活性剂、20g的分散剂、10g的pH调节剂及70g的油，第一金刚石研磨液的pH值为10；第一金刚石微粉的粒径为3μm，制备第一铜盘的材料包括40g的铜粉、5g的镍粉、5g的铈粉及60g的环氧树脂；在进行中磨处理时，第一铜盘的转速为35r/min；加工压力为200g/cm2，第一金刚石研磨液的流量为20L/min；中磨处理的时间为30min。
(4)采用第二金刚石研磨液和第二铜盘对经过中磨处理的氧化锆陶瓷进行精磨处理。其中，第二金刚石研磨液包括10g的第二金刚石微粉、20g的表面活性剂、20g的分散剂、10g的pH调节剂及70g的油，第二金刚石研磨液的pH值为10；第二金刚石微粉的粒径为1μm，制备第二铜盘的材料包括40g的铜粉、5g的镍粉、5g的铈粉及60g的环氧树脂；在进行精磨处理时，第二铜盘的转速为35r/min；加工压力为200g/cm2，第二金刚石研磨液的流量为25L/min；精磨处理的时间为25min。
(5)采用抛光垫和抛光液对氧化锆陶瓷进行抛光处理。其中，抛光垫为无纺布抛光垫，抛光液为氧化锆抛光液，抛光液中颗粒的粒径为80nm；在进行抛光处理时，抛光垫的转速为50r/min，加工压力为400g/cm2，抛光液的流量为10L/min；抛光处理的时间为60min。
实施例7
(1)采用磨削液和金刚石砂轮对氧化锆陶瓷进行磨削处理。其中，制备金刚石砂轮的金刚石磨料的粒径为150μm；金刚石砂轮的线转速为35m/s，主轴转速为1100r/min，背吃刀量为0.016mm；进行磨削处理的时间为6min。
(2)采用氮化硼研磨液和铸铁盘对经过磨削处理的氧化锆陶瓷进行粗磨处理。其中，氮化硼研磨液包括15g的氮化硼微粉、1g的分散剂三乙醇胺、0.5g的悬浮剂聚丙烯酸、0.5g的防锈剂氮氮二甲基乙酰胺及65g的水，氮化硼微粉的粒径为55μm，铸铁盘的材料为球墨铸铁；在进行粗磨处理时，铸铁盘的转速为30r/min；加工压力为110g/cm2，氮化硼研磨液的流量为5L/min；粗磨处理的时间为5min。
(3)采用第一金刚石研磨液和第一铜盘对经过粗磨处理的氧化锆陶瓷进行中磨处理。其中，第一金刚石研磨液包括10g的第一金刚石微粉、20g的表面活性剂、20g的分散剂、10g的pH调节剂及70g的油，第一金刚石研磨液的pH值为10；第一金刚石微粉的粒径为3μm，制备第一铜盘的材料包括40g的铜粉、5g的镍粉、5g的铈粉及60g的环氧树脂；在进行中磨处理时，第一铜盘的转速为38r/min；加工压力为150g/cm2，第一金刚石研磨液的流量为20L/min；中磨处理的时间为30min。
(4)采用第二金刚石研磨液和第二铜盘对经过中磨处理的氧化锆陶瓷进行精磨处理。其中，第二金刚石研磨液包括10g的第二金刚石微粉、20g的表面活性剂、20g的分散剂、10g的pH调节剂及70g的油，第二金刚石研磨液的pH值为10；金刚石微粉的粒径为2μm，制备第二铜盘的材料包括40g的铜粉、5g的镍粉、5g的铈粉及60g的环氧树脂；在进行精磨处理时，第二铜盘的转速为35r/min；加工压力为250g/cm2，第二金刚石研磨液的流量为25L/min；精磨处理的时间为20min。
(5)采用抛光垫和抛光液对氧化锆陶瓷进行抛光处理。其中，抛光垫为无纺布抛光垫，抛光液为氧化锆抛光液，抛光液中颗粒的粒径为100nm；在进行抛光处理时，抛光垫的转速为50r/min，加工压力为400g/cm2，抛光液的流量为10L/min；抛光处理的时间为60min。
实施例8
(1)采用氮化硼研磨液和铸铁盘对经过磨削处理的氧化锆陶瓷进行粗磨处理。其中，氮化硼研磨液包括15g的氮化硼微粉、1g的分散剂三乙醇胺、0.5g的悬浮剂聚丙烯酸、0.5g的防锈剂氮氮二甲基乙酰胺及65g的水，氮化硼微粉的粒径为65μm，铸铁盘的材料为球墨铸铁；在进行粗磨处理时，铸铁盘的转速为30r/min；加工压力为100g/cm2，氮化硼研磨液的流量为5L/min；粗磨处理的时间为20min。
(2)采用金刚石研磨液和铜盘对经过中磨处理的氧化锆陶瓷进行精磨处理。其中，金刚石研磨液包括10g的金刚石微粉、20g的表面活性剂、20g的分散剂、10g的pH调节剂及70g的油，金刚石研磨液的pH值为10；金刚石微粉的粒径为3μm，制备铜盘的材料包括40g的铜粉、5g的镍粉、5g的铈粉及60g的环氧树脂；在进行精磨处理时，铜盘的转速为40r/min；加工压力为180g/cm2，金刚石研磨液的流量为25L/min；精磨处理的时间为50min。
(3)采用抛光垫和抛光液对氧化锆陶瓷进行抛光处理。其中，抛光垫为无纺布抛光垫，抛光液为氧化锆抛光液，抛光液中颗粒的粒径为100nm；在进行抛光处理时，抛光垫的转速为50r/min，加工压力为400g/cm2，抛光液的流量为10L/min；抛光处理的时间为120min。
对实施例1～8的氧化锆陶瓷的研磨方法的加工时间、处理后得到的氧化锆陶瓷的表面去除量、表面粗糙度、平面度及产品的良率进行测试，结果如表1所示。
表1
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种氧化锆陶瓷的研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用磨削液和金刚石砂轮对氧化锆陶瓷进行磨削处理4min～6min；
采用氮化硼研磨液和铸铁盘对所述氧化锆陶瓷进行粗磨处理5min～6min；
采用第一金刚石研磨液和第一铜盘对所述氧化锆陶瓷进行中磨处理20min～30min；
采用第二金刚石研磨液和第二铜盘对所述氧化锆陶瓷进行精磨处理15min～25min；及
采用抛光垫及抛光液对所述氧化锆陶瓷进行抛光处理50min～70min。
2.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷的研磨方法，其特征在于，制备所述金刚石砂轮的材料包括金刚石磨料、金属结合剂及基体；所述金刚石磨料的粒径为80μm～180μm；所述金属结合剂选自青铜结合剂和铸铁结合剂中的至少一种；所述基体选自钢、合金钢和铝合金中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷的研磨方法，其特征在于，按质量份数计，所述氮化硼研磨液包括5份～30份的氮化硼微粉、1份～2份的分散剂、0.1份～1份的悬浮剂、0.1份～1份的防锈剂及50份～90份的水；所述氮化硼微粉的粒径为45μm～65μm。
4.根据权利要求3所述的氧化锆陶瓷的研磨方法啊，其特征在于，所述分散剂选自聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚和三乙醇胺中的至少一种；
及/或，所述悬浮剂选自聚丙烯酰胺、聚丙烯酸、聚丙烯酸钠、丙三醇和甘二醇中的至少一种；
及/或，所述防锈剂选自二甲基甲酰胺、氮氮二甲基乙二胺、氮氮二甲基乙醇胺和氮氮二甲基乙酰胺中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷的研磨方法，其特征在于，所述铸铁盘的材料选自球墨铸铁、灰铸铁、白口铸铁、可锻铸铁及合金铸铁中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷的研磨方法，其特征在于，按质量份数计，所述第一金刚石研磨液包括0.1份～10份的第一金刚石微粉、0.1份～20份的表面活性剂、0.1份～20份的分散剂、0.1份～10份的pH调节剂及40份～70份的油；所述第一金刚石微粉的粒径为3μm～9μm。
7.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷的研磨方法，其特征在于，按质量份数计，所述第二金刚石研磨液包括0.1份～10份的第二金刚石微粉、0.1份～20份的表面活性剂、0.1份～20份的分散剂、0.1份～10份的pH调节剂及40份～70份的油；所述第二金刚石微粉的粒径为0.5μm～3μm。
8.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷的研磨方法，其特征在于，按质量份数计，制备所述第一铜盘及所述第二铜盘的材料均包括40份～80份的铜粉、0.5份～5份的镍粉、0.5份～5份的铈粉及20份～60份的环氧树脂。
9.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷的研磨方法，其特征在于，所述抛光处理至所述氧化锆陶瓷的表面粗糙度Sa为1nm～5nm。
10.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷的研磨方法，其特征在于，所述抛光液选自氧化锆抛光液、氧化铝抛光液、氧化锆抛光液和氧化铈抛光液中的至少一种；
及/或，抛光垫选自无纺布抛光垫、阻尼布抛光垫或聚氨酯抛光垫。
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