CN101439341A - 一种半导体制程设备零部件的清洗方法 - Google Patents

一种半导体制程设备零部件的清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101439341A
CN101439341A CNA2007101776274A CN200710177627A CN101439341A CN 101439341 A CN101439341 A CN 101439341A CN A2007101776274 A CNA2007101776274 A CN A2007101776274A CN 200710177627 A CN200710177627 A CN 200710177627A CN 101439341 A CN101439341 A CN 101439341A
Authority
CN
China
Prior art keywords
parts
roasting
baking
deionized water
wiping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007101776274A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101439341B (zh
Inventor
钱进文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing North Microelectronics Co Ltd filed Critical Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority to CN2007101776274A priority Critical patent/CN101439341B/zh
Publication of CN101439341A publication Critical patent/CN101439341A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101439341B publication Critical patent/CN101439341B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

本发明提供了一种半导体制程设备零部件的清洗方法，其中，将待清洗零部件置于焙烧装置中焙烧；焙烧温度为500℃～1500℃，焙烧时间为1～6小时，优选为1.5～3小时；当零部件表面只存在聚合物而没有顽固污染物时，焙烧温度为500～800℃；当零部件表面存在很顽固的污染物时，焙烧温度为800～1500℃；在焙烧之前或之后，可以用去离子水或有机溶剂擦拭零部件，然后喷淋、烘干；在焙烧之前或之后，可以用菜瓜布或工业百洁布擦拭零部件表面，或者用酸液、碱液或有机溶液对零部件进行化学液浸泡，之后清洗、烘干。本发明的清洗方法，能够有效的去除零部件表面的聚合物及顽固污染物，而不会损伤零部件，同时减少了大量高浓度有毒化学液的使用，也相应的减少了废液的处理及对环境的影响。

Description

一种半导体制程设备零部件的清洗方法
技术领域
本发明涉及一种清洗方法，特别是涉及一种半导体制程设备零部件的清洗方法。
背景技术
在半导体制程工艺中，需要特别洁净的环境，半导体制程设备尤其是腔室的零部件在安装使用前必需要去除表面的颗粒杂质等污染物以达到芯片加工工艺的要求。在腔室中使用的零部件，由于在工艺环境中使用了各种工艺气体，腐蚀性化学物质及等离子体的侵蚀会与零部件表面反应而形成一些反应污染物，或者工艺过程中形成的副产物沉积吸附在零件的表面，或对零部件表面的等离子体的轰击损伤等等，这些都会在进一步的工艺过程中造成不稳定，从而影响到工艺的结果，导致零件损伤，产品良率下降或工艺故障，所以必需有效地去除这些污染物。在这些关键的腔室零部件，有很多是陶瓷(氧化铝Al2O3，氮化铝AlN)和石英(二氧化硅SiO2)材料。针对这类零部件研发了各种各样的清洗方法。
传统的清洗方法，是将零件用有机溶剂擦洗去除表面易去除的颗粒，然后再用化学溶液(如H2SO4，HNO3，HCl，HF等)浸泡零件，从而去除表面的污染物。这些方法针对腔室内的陶瓷及石英件表面由于长时间工艺而产生的聚合物并不能有效的去除。用有机溶剂的擦洗只能去除表面上一些比较疏松的颗粒和污染物，而随后采取的化学液浸泡，若采用较低的浓度会达不到化学反应去除污染物的要求，若采用的化学液浓度过高，会对零件表面产生较严重的腐蚀，采用这样的方式去除颗粒及污染物，会对零件造成损伤，缩短零件的使用寿命，并且采用高浓度的化学液不仅使清洗成本变高，更使得清洗操作的危险性增大，处理清洗完的废液更加困难。
还有一些方法对陶瓷及石英上的顽固污点(如AlF3)采取用砂布或菜瓜布蘸取化学液研磨以去除污点。采用这种研磨的方法去除陶瓷及石英件的表面出现的顽固难去除的污点，很容易造成对零件的研磨损伤，可能造成零件的表面不均匀，缩短零件的使用寿命。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种半导体制程设备零部件的清洗方法，能够有效的去除零部件表面的聚合物及顽固污染物，而不会损伤零部件，同时减少了大量高浓度有毒化学液的使用，也相应的减少了废液的处理及对环境的影响。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种半导体制程设备零部件的清洗方法，其中，将待清洗零部件置于焙烧装置中焙烧。
上述清洗方法，其中，所述焙烧温度为500℃～1500℃，焙烧时间为1～6小时，优选1.5～3小时；当零部件表面只存在一些聚合物而没有顽固污染物时，焙烧温度为500～800℃；当零部件表面存在一些很顽固的污染物不易去除时，焙烧温度为800～1500℃；零部件必需随炉冷却到常温才可取出，以防产生较大的热应力损坏零件；焙烧装置为马弗炉或煅烧炉。
上述清洗方法，其中，在焙烧之前或之后，用去离子水或有机溶剂擦拭所述零部件，用去离子水对所述零部件进行喷淋，之后烘干；所述有机溶剂为半导体制程设备零部件清洗中常用的有机溶剂，如异丙醇。
上述清洗方法，其中，在焙烧之前或之后，用菜瓜布或工业百洁布擦拭零部件表面。
上述清洗方法，其中，在焙烧之前或之后，用酸液、碱液或有机溶液对零部件进行化学液浸泡；所述化学液为体积配比为NH4:H2O2:H2O＝1:1:2～8的溶液，浸泡时间为20～30分钟；在所述化学液浸泡后，用去离子水喷淋所述零部件，超声清洗，之后用去离子水喷淋、烘干。
上述清洗方法，其中，所述零部件材料为陶瓷或石英。
在刻蚀工艺中，腔室中产生了颗粒及聚合物污染物，这些由工艺产生的聚合物结构比较复杂，基本上由Cl、Br、Al、Si、C、O及有可能相对少的F等组成。这些污染物是在工艺环境中产生的，化学性质比较稳定，很难与化学酸碱液发生反应溶解去除。但是这些聚合物在高温下会发生分解，在对零件无损的情况下可以采用高温方法有效的去除这些用普通化学液清洗很难去除的聚合物污染。
Al的卤素化合物中，如下式所示，AlF3的生成焓最低，也就是说相对比较容易生成，而且其升华温度为1276℃，相当稳定，很难去除。但是Al2O3的生成焓为-1869.9kJ/mol，熔点2000℃以上，相比于AlF3更稳定，所以在高温有氧气的情况下，AlF3会转化成Al2O3，或升华，从而被去除。
Figure A200710177627D00051
   △H°＝-168.65kJ/mol，181℃升华
Figure A200710177627D00052
   △H°＝-119kJ/mol，253.3℃气化
Figure A200710177627D00053
    △H°＝-361kJ/mol，1276℃升华
本发明提供的半导体制程设备零部件的清洗方法，通过高温焙烧能够有效地去除零部件表面的聚合物及顽固污染物，而不会损伤零部件，而且大量减少了高浓度有毒化学液的使用，也相应的减少了废液的处理及对环境的影响。
附图说明
图1为本发明较佳实施例的流程图。
具体实施方式
下面参照图1及较佳实施例详细描述本发明的清洗方法。
实施例1 陶瓷零部件的清洗方法
1、准备：在洁净间，准备好待清洗的陶瓷件；
2、擦拭：用无尘布蘸取有机溶剂如异丙醇对陶瓷件表面进行擦拭，以去除一些比较疏松易去除的颗粒及污染物；
3、喷淋：用去离子水对陶瓷件进行喷淋，并用氮气吹干，可辅助烘烤灯迅速烘干；
4、焙烧：将陶瓷件置于马弗炉中进行焙烧；根据陶瓷件实际情况设置焙烧温度和时间，如陶瓷件表面只存在一些聚合物并没有一些顽固的污染物，温度可设为600～800℃，焙烧时间依陶瓷件表面聚合物情况而定，约1～6个小时；如陶瓷件表面有一些很顽固的污染物不易去除，可设置到1000℃以上，如在1200～1500℃进行焙烧，焙烧1.5～3小时；陶瓷件必需随炉冷却到常温才可取出，以防产生较大的热应力损坏陶瓷件；
5、喷淋：将冷却的陶瓷件用去离子水喷淋，并用菜瓜布擦拭陶瓷件表面；
6、化学液浸泡：根据陶瓷件表面污染物情况配制NH4:H2O2:H2O＝1:1:2～8(体积比)的溶液，浸泡陶瓷件20～30分钟；
7、喷淋：取出陶瓷件用去离子水喷淋，并置于超声槽中超声清洗10～30分钟；
8、喷淋：用去离子水喷淋洗净陶瓷件，用氮气吹干；
9、烘干：将陶瓷件置于烘箱中100℃，1～2小时烘干。
实施例2 石英零部件的清洗方法
1、准备：在洁净间，准备好待清洗的石英件；
2、擦拭：用无尘布蘸取有机溶剂如异丙醇对零件表面进行擦拭，以去除一些比较疏松易去除的颗粒及污染物；
3、喷淋：用去离子水对石英件进行喷淋，并用氮气吹干，可辅助烘烤灯迅速烘干；
4、焙烧：将石英件置于马弗炉中进行焙烧；根据石英件实际情况设置焙烧温度和时间，如石英件表面只存在一些聚合物并没有一些顽固的污点，温度可设为500～700℃，焙烧时间依石英件表面聚合物情况而定，约1.5～3个小时；如石英件表面有一些很顽固的污染物不易去除，焙烧温度可设置在800～1000℃进行焙烧，焙烧1～6小时；石英件必需随炉冷却到常温才可取出，以防产生较大的热应力损坏石英件；
5、喷淋：将冷却的石英件用水喷淋，并用工业百洁布擦拭石英件表面；
6、化学液浸泡：根据石英件表面污染物情况配制NH4:H2O2:H2O＝1:1:2～8(体积)的溶液，浸泡石英件20～30分钟；
7、喷淋：将石英件取出用水喷淋，并置于超声槽中超声清洗10～30分钟；
8、喷淋：用水喷淋洗净石英件，用氮气吹干；
9、烘干：将零部件置于烘箱中100℃，1～2小时烘干。
本发明的清洗方法，通过高温焙烧能够有效的去除零部件上的聚合物及顽固污染物，而不会损伤零部件，将高温焙烧同去离子水或有机溶剂擦拭、菜瓜布或工业百洁布擦拭、化学液浸泡等方法结合使用能够达到更好的清洗效果。

Claims (10)

1、一种半导体制程设备零部件的清洗方法，其特征在于，将待清洗零部件置于焙烧装置中焙烧。
2、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述焙烧温度为500℃～1500℃，焙烧时间为1～6小时。
3、如权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述零部件表面只存在聚合物而没有顽固污染物时，所述焙烧温度为500℃～800℃；当所述零部件表面存在顽固污染物时，所述焙烧温度为800℃～1500℃。
4、如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述焙烧时间为1.5～3小时。
5、如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述焙烧之前或之后，用去离子水或有机溶剂擦拭所述零部件，用去离子水对所述零部件进行喷淋，之后烘干。
6、如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述焙烧之前或之后，用菜瓜布或工业百洁布擦拭零部件表面。
7、如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述焙烧之前或之后，用酸液、碱液或有机溶液对零部件进行化学液浸泡。
8、如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述化学液为体积配比为NH4:H2O2:H2O＝1:1:2～8的溶液，浸泡时间为20～30分钟。
9、如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述化学液浸泡后，用去离子水喷淋所述零部件，超声清洗，之后用去离子水喷淋、烘干。
10、如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述零部件材料为陶瓷或石英。
CN2007101776274A 2007-11-19 2007-11-19 一种半导体制程设备零部件的清洗方法 Active CN101439341B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007101776274A CN101439341B (zh) 2007-11-19 2007-11-19 一种半导体制程设备零部件的清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007101776274A CN101439341B (zh) 2007-11-19 2007-11-19 一种半导体制程设备零部件的清洗方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101439341A true CN101439341A (zh) 2009-05-27
CN101439341B CN101439341B (zh) 2011-06-15

Family

ID=40724025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101776274A Active CN101439341B (zh) 2007-11-19 2007-11-19 一种半导体制程设备零部件的清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101439341B (zh)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102069083A (zh) * 2010-12-03 2011-05-25 河南师范大学 一种微孔曝气盘/管的清洗方法
CN102153370A (zh) * 2010-12-21 2011-08-17 安徽华东光电技术研究所 一种氧化铝陶瓷的净化工艺
CN102166575A (zh) * 2010-12-21 2011-08-31 安徽华东光电技术研究所 一种氧化铍陶瓷的清洗工艺
CN103086723A (zh) * 2011-11-01 2013-05-08 上海科秉电子科技有限公司 一种用于陶瓷零部件的高温焙烧清洗方法
CN103934234A (zh) * 2014-04-11 2014-07-23 元亮科技有限公司 一种抛光片载片盒的清洗工艺
CN104289495A (zh) * 2014-09-04 2015-01-21 安徽华东光电技术研究所 一种用于行波管收集极氧化铍陶瓷的回收再处理工艺
CN108655086A (zh) * 2018-04-08 2018-10-16 苏州珮凯科技有限公司 半导体8寸晶圆蚀刻制程td/drm工艺石英绝缘环的再生方法
CN108682609A (zh) * 2018-04-08 2018-10-19 苏州珮凯科技有限公司 半导体8寸晶圆制程金属dps工艺陶瓷聚焦环的再生方法
CN108816870A (zh) * 2018-04-08 2018-11-16 苏州珮凯科技有限公司 半导体8寸晶元制造薄膜制程的WxZ工艺的陶瓷环状零部件再生方法
CN110918548A (zh) * 2019-12-10 2020-03-27 广东格斯泰气密元件有限公司 一种激光打孔氮化铝陶瓷板的清洗方法
CN111195625A (zh) * 2020-01-08 2020-05-26 上海宏科半导体技术有限公司 一种半导体陶瓷部件表面有机沉积物的去除方法
CN111775030A (zh) * 2020-07-01 2020-10-16 合肥江丰电子材料有限公司 一种lcd平面靶材侧边抛光工艺
CN112170276A (zh) * 2020-08-28 2021-01-05 富乐德科技发展（大连）有限公司 一种半导体设备中研磨装置内零件的清洗工艺
CN112317457A (zh) * 2020-09-27 2021-02-05 山东国晶新材料有限公司 一种氧化铝陶瓷制品的清洗方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6082375A (en) * 1998-05-21 2000-07-04 Micron Technology, Inc. Method of processing internal surfaces of a chemical vapor deposition reactor
CN1300290C (zh) * 2004-12-29 2007-02-14 广州泰成生化科技有限公司 一种回收玻璃瓶清洗用的洗瓶剂
CN100435967C (zh) * 2006-01-26 2008-11-26 杜建中 石英砾石分选及矿物解离提纯工艺

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102069083B (zh) * 2010-12-03 2012-07-04 河南师范大学 一种微孔曝气盘/管的清洗方法
CN102069083A (zh) * 2010-12-03 2011-05-25 河南师范大学 一种微孔曝气盘/管的清洗方法
CN102153370A (zh) * 2010-12-21 2011-08-17 安徽华东光电技术研究所 一种氧化铝陶瓷的净化工艺
CN102166575A (zh) * 2010-12-21 2011-08-31 安徽华东光电技术研究所 一种氧化铍陶瓷的清洗工艺
CN102166575B (zh) * 2010-12-21 2013-02-06 安徽华东光电技术研究所 一种氧化铍陶瓷的清洗工艺
CN102153370B (zh) * 2010-12-21 2013-04-24 安徽华东光电技术研究所 一种氧化铝陶瓷的净化工艺
CN103086723A (zh) * 2011-11-01 2013-05-08 上海科秉电子科技有限公司 一种用于陶瓷零部件的高温焙烧清洗方法
CN103934234B (zh) * 2014-04-11 2016-01-06 元亮科技有限公司 一种抛光片载片盒的清洗工艺
CN103934234A (zh) * 2014-04-11 2014-07-23 元亮科技有限公司 一种抛光片载片盒的清洗工艺
CN104289495A (zh) * 2014-09-04 2015-01-21 安徽华东光电技术研究所 一种用于行波管收集极氧化铍陶瓷的回收再处理工艺
CN108655086A (zh) * 2018-04-08 2018-10-16 苏州珮凯科技有限公司 半导体8寸晶圆蚀刻制程td/drm工艺石英绝缘环的再生方法
CN108682609A (zh) * 2018-04-08 2018-10-19 苏州珮凯科技有限公司 半导体8寸晶圆制程金属dps工艺陶瓷聚焦环的再生方法
CN108816870A (zh) * 2018-04-08 2018-11-16 苏州珮凯科技有限公司 半导体8寸晶元制造薄膜制程的WxZ工艺的陶瓷环状零部件再生方法
CN110918548A (zh) * 2019-12-10 2020-03-27 广东格斯泰气密元件有限公司 一种激光打孔氮化铝陶瓷板的清洗方法
CN110918548B (zh) * 2019-12-10 2021-07-16 广东格斯泰气密元件有限公司 一种激光打孔氮化铝陶瓷板的清洗方法
CN111195625A (zh) * 2020-01-08 2020-05-26 上海宏科半导体技术有限公司 一种半导体陶瓷部件表面有机沉积物的去除方法
CN111775030A (zh) * 2020-07-01 2020-10-16 合肥江丰电子材料有限公司 一种lcd平面靶材侧边抛光工艺
CN112170276A (zh) * 2020-08-28 2021-01-05 富乐德科技发展（大连）有限公司 一种半导体设备中研磨装置内零件的清洗工艺
CN112317457A (zh) * 2020-09-27 2021-02-05 山东国晶新材料有限公司 一种氧化铝陶瓷制品的清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101439341B (zh) 2011-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101439341B (zh) 一种半导体制程设备零部件的清洗方法
CN101152651B (zh) 一种陶瓷零件表面的清洗方法
CN101217101A (zh) 一种洗净陶瓷表面污点的方法
JP5324160B2 (ja) 陽極酸化チャンバパーツ再生のためのウェットクリーンプロセス
JP6584249B2 (ja) プラズマ処理チャンバの構成部品を洗浄する湿式洗浄工程
TW495863B (en) System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment
CN101214485B (zh) 一种多晶硅刻蚀腔室中阳极氧化零件表面的清洗方法
CN101152652B (zh) 一种阳极氧化零件表面的清洗方法
CN101204701A (zh) 一种阳极氧化零件表面的清洗方法
CN101219429A (zh) 一种多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法
US6100198A (en) Post-planarization, pre-oxide removal ozone treatment
KR100445273B1 (ko) 세라믹 절연체의 세정방법
TWI580486B (zh) Treatment of contaminants in workpieces with yttrium oxide coating
CN113299532A (zh) 一种晶圆etch制程设备静电吸盘的洗净再生方法及装置
CN101226872A (zh) 一种多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法
JP2012525705A (ja) 反応器表面の選択的エッチング
KR100987977B1 (ko) 반도체 장비 부품 세정 방법 및 이를 이용한 반도체 장비 부품 세정 장치
KR101878123B1 (ko) 웨이퍼 척 테이블용 세정액 및 이를 이용한 웨이퍼 척 테이블의 화학적 세정방법
TW201446346A (zh) 腔室元件的濕式清潔法
US6863740B2 (en) Cleaning method of ceramic member
JP2003055070A (ja) セラミックス部材の洗浄方法
JP2008153271A (ja) 使用済み治具の洗浄方法および洗浄組成物
JP2008153272A (ja) 半導体製造装置用部品の洗浄方法及び洗浄液組成物
CN102513313B (zh) 具有碳化硅包覆层的喷淋头的污染物处理方法
CN113000475A (zh) 一种用于等离子处理设备部件的清洁方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: No. 8, Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone, 100176

Patentee after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd

Address before: 100016 M5 building, No. 1 Jiuxianqiao East Road, Chaoyang District, Beijing

Patentee before: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing

CP03 Change of name, title or address