CN108666253A - 引线框架基材的输送装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能提高引线框架基材的加工精度的引线框架基材的输送装置。引线框架基材(LF)的输送装置(1)包括:能夹持直立引线框架基材的下缘部(LFa)的一对上游侧辊(11、12);使上游侧辊(11)旋转的旋转装置(13);使一对上游侧辊相对接近和分离的驱动装置(14);以及执行第一处理和第二处理的控制器(60)。第一处理中,控制器控制旋转装置,使上游侧辊(11)旋转。由此,输送具有被一对上游侧辊夹持的下缘部的引线框架基材。第二处理中,控制器控制驱动装置,断续地使一对上游侧辊相对接近和分离。由此,以规定间隔重复一对上游侧辊对下缘部的夹持和释放。
Description
技术领域
本发明涉及引线框架基材的输送装置。
背景技术
引线框架用作半导体封装的内部布线。通过对作为带状的金属薄板的引线框架基材进行加工而制成所述引线框架。线圈状缠绕在卷放辊上的引线框架基材从卷放辊释放,并由输送装置向下游侧输送。随后,由卷取辊卷取引线框架基材。在从卷放辊卷放至卷取辊卷取为止期间的输送过程中,对引线框架基材依次进行各种加工处理(例如抗蚀膜形成处理、蚀刻处理和电镀处理等)。日本专利公开公报特开平7-237746号公开了引线框架基材的输送装置的一例。所述输送装置输送具有沿着水平方向的主面的引线框架基材(以下适当地简称为“俯卧引线框架基材”)。
专利文献1:日本专利公开公报特开平7-237746号
引线框架基材通常非常薄(例如0.1mm~0.5mm左右)。因此,引线框架极易挠曲。因此,在现有的输送装置中,为了抑制引线框架基材在输送方向(行进方向)上的挠曲,需要以狭小间距配置多个从下方支撑引线框架基材的侧缘部的支撑辊。而且,即便如此使用了多个支撑辊,当引线框架基材的板宽较大时,仍存在引线框架基材的宽度方向的中央部挠曲的可能性。另外,随着引线框架基材被朝向下游侧输送,通过蚀刻等除去引线框架基材的无用部分。因此,引线框架基材的宽度方向的中央部存在特别容易挠曲的倾向。
在引线框架基材的输送过程中的实施了加工处理的部位产生这种挠曲时,引线框架基材的加工精度会降低。其结果,加工后的引线框架难以成为遵循设计的形状。因此,也考虑进一步配置用于支撑引线框架基材的宽度方向的中央部的支撑辊。可是,所述中央部是作为半导体封装发挥功能的重要部位。因此,需要满足如下的需求:回避因与支撑辊接触而在所述中央部产生变形或者伤痕等风险,以及回避混入异物的风险。
发明内容
因此,本发明提供能提高引线框架基材的加工精度的引线框架基材的输送装置。
本发明的引线框架基材的输送装置包括:一对第一辊,构成为能夹持具有沿着铅直方向的主面的引线框架基材的下缘部;第一旋转装置,构成为使所述一对第一辊的至少一方旋转;第一驱动装置,构成为使所述一对第一辊相对接近和分离;以及控制部,构成为执行第一处理和第二处理。
在所述第一处理中,利用由所述控制部控制而使所述一对第一辊的至少一方旋转的所述第一旋转装置,输送具有被所述一对第一辊夹持的所述下缘部的所述引线框架基材,而且,在所述第二处理中,利用由所述控制部控制而断续地使所述一对第一辊相对接近和分离的所述第一驱动装置,以规定间隔重复所述一对第一辊对所述下缘部的夹持和释放。
按照所述引线框架基材的输送装置,能提高引线框架基材的加工精度。
附图说明
图1是表示引线框架基材的输送装置的一例的立体图。
图2是从引线框架基材的输送方向观察上游侧输送部和下游侧输送部的附近的图。
附图标记说明
1输送装置
10上游侧输送部
11、12上游侧辊(第二辊)
13旋转装置(第二旋转装置)
14驱动装置(第二驱动装置)
20下游侧输送部
21、22下游侧辊(第一辊)
23旋转装置(第一旋转装置)
24驱动装置(第一驱动装置)
30引导部
31、32引导辊(引导构件)
40止动构件
50传感器
60控制器(控制部)
LF引线框架基材
LFa下缘部
具体实施方式
以下说明的本发明的实施方式(本实施方式)是用于说明本发明的引线框架基材的输送装置的示例。本发明的引线框架基材的输送装置不限于以下的内容。
(实施方式的概要)
(1)第一方式
本发明实施方式中的第一方式的引线框架基材的输送装置包括:一对第一辊,构成为能夹持具有沿着铅直方向的主面的引线框架基材的下缘部;第一旋转装置,构成为使所述一对第一辊的至少一方旋转;第一驱动装置,构成为使所述一对第一辊相对接近和分离;以及控制部,构成为执行第一处理和第二处理。
在所述第一处理中,利用由所述控制部控制而使所述一对第一辊的至少一方旋转的所述第一旋转装置,输送具有被所述一对第一辊夹持的所述下缘部的所述引线框架基材,而且,在所述第二处理中,利用由所述控制部控制而断续地使所述一对第一辊相对接近和分离的所述第一驱动装置,以规定间隔重复所述一对第一辊对所述下缘部的夹持和释放。
在上述第一方式的引线框架基材的输送装置中,由控制部控制的第一旋转装置使夹持引线框架基材的下缘部的一对第一辊的至少一方旋转。由此,输送具有沿着铅直方向的主面的引线框架基材(以下适当地称为“直立引线框架基材”)。引线框架基材是带状的金属薄板。因此,与俯卧引线框架基材的主面相比,在直立引线框架基材的主面上,因重力产生的挠曲更小。因此,不必为了抑制引线框架基材的挠曲而用支撑辊支撑引线框架基材的宽度方向(以下适当地简称为“宽度方向”)的中央部。由此,抑制了引线框架基材的挠曲和变形。因此,能提高引线框架基材的加工精度。此外,在输送直立引线框架基材时,容易对引线框架基材的双面进行均匀的加工处理。而且,与输送俯卧引线框架基材的情况相比,不需要用于支撑引线框架基材的主面(下表面)的多个支撑辊。因此,能抑制部件数量。
可是,由一对第一辊输送直立引线框架基材时,一对第一辊作用有被对方的辊在水平方向上按压的力,以及来自因重力而具有朝下滑落趋势的引线框架基材的朝向铅直方向下方的摩擦力。即,引线框架基材上作用有作为来自一对第一辊的反力的水平方向的力和朝向铅直方向上方的力。因此,引线框架基材在输送过程中会相对于一对第一辊逐渐上升。如果放任这种上升,则最终引线框架基材会脱离一对第一辊。其结果,不能进行引线框架基材的输送。因此,在第一方式的引线框架基材的输送装置中,由控制部控制的第一驱动装置断续地使一对第一辊相对接近和分离。由此,以规定间隔重复一对第一辊对下缘部的夹持和释放。因此,引线框架基材上升时由一对第一辊释放下缘部。随后,当引线框架基材落下规定量时,由一对第一辊夹持下缘部。由此,利用一对第一辊的瞬间释放,引线框架基材的上升被矫正。其结果,能适当地输送引线框架基材。
(2)第二方式
优选的是,上述第一方式的装置还包括:一对第二辊,配置在比所述一对第一辊更靠向所述引线框架基材的输送方向的上游侧,且构成为能夹持具有沿着所述铅直方向的主面的所述引线框架基材的所述下缘部;第二旋转装置,构成为使所述一对第二辊的至少一方旋转;以及第二驱动装置,构成为使所述一对第二辊相对接近和分离,所述控制部构成为执行第三处理和第四处理,在所述第三处理中,利用由所述控制部控制而使所述一对第二辊的至少一方旋转的所述第二旋转装置,输送具有被所述一对第二辊夹持的所述下缘部的所述引线框架基材,而且,在所述第四处理中,利用由所述控制部控制而断续地使所述一对第二辊相对接近和分离的所述第二驱动装置,以规定间隔重复所述一对第二辊对所述下缘部的夹持和释放,以便至少在所述一对第一辊释放所述下缘部时,由所述一对第二辊夹持所述下缘部,并且至少在所述一对第二辊释放所述下缘部时,由所述一对第一辊夹持所述下缘部。此时,利用一对第一辊和一对第二辊中的至少一方夹持引线框架基材的下缘部。因此,即使一对第一辊和一对第二辊中的一方释放了下缘部时,也能利用另一方夹持下缘部来输送引线框架基材。由此,能持续输送引线框架基材。特别是在抗蚀膜形成处理、蚀刻处理、电镀处理、曝光处理和抗蚀膜除去处理等加工处理时,如果不持续地输送引线框架基材,则输送临时停止。由此,处理时间不恒定。其结果,抗蚀膜厚、蚀刻量、镀膜厚、曝光量和抗蚀膜除去量等会产生偏差。可是,按照上述第二方式的装置,持续地输送引线框架基材。因此,能大幅抑制这种偏差。
(3)第三方式
优选的是,在所述第四处理中,由所述一对第一辊和所述一对第二辊双方夹持所述下缘部。此时,不会出现下缘部既不由一对第一辊夹持也不由一对第二辊夹持从而不能输送引线框架基材的情况。因此,能更可靠地实现引线框架基材的持续输送。
(4)第四方式
优选的是,在上述第二或第三方式的装置中,由所述一对第一辊夹持所述下缘部的夹持时间长于由所述一对第二辊夹持所述下缘部的夹持时间。在输送由一对第一辊或一对第二辊夹持的引线框架基材时,引线框架基材中的比这些辊更靠下游侧的部分作用有推出力。而引线框架基材是带状的金属薄板。因此,如果所述推出力施加于引线框架基材,则引线框架基材极易压曲。因此,在第三方式的装置中,引线框架基材主要由位于下游侧的一对第一辊输送。即,位于下游侧的一对第一辊作为主驱动辊发挥功能。此时,引线框架基材中的比主驱动辊更靠向下游侧的部分变得较短。因此,从主驱动辊作用的推出力的影响降低。由此,能抑制引线框架基材变形。
(5)第五方式
优选的是,上述第二~第四方式中的任意一个方式的装置都进一步包括配置在所述一对第一辊和所述一对第二辊之间的一对引导构件,所述一对引导构件构成为在所述输送方向上引导所述引线框架基材的上缘部和下缘部。此时,引线框架基材的上缘部和下缘部由一对引导构件引导。因此,能抑制引线框架基材相对于输送方向的左右振动。
(6)第六方式
优选的是,上述第一~第五方式中的任意一个方式的装置都进一步包括止动构件,所述止动构件防止引线框架基材落下。此时,因一对第一辊的释放而落下的引线框架基材被止动构件阻挡。因此,能防止引线框架基材落下必要量以上。
(实施方式的例示)
以下参照附图,更详细地说明本发明的实施方式的一例。在以下的说明中,对相同要素或具有相同功能的要素使用相同的附图标记,并省略了重复的说明。
(引线框架基材的输送装置)
参照图1和图2,说明作为带状的金属薄板的引线框架基材LF的输送装置1。输送装置1构成为能输送具有直立主面(沿着铅直方向的引线框架基材LF的主面)的引线框架基材LF。
在输送装置1输送引线框架基材LF的输送方向(以下适当地简称为“输送方向”)上,卷放引线框架基材LF的卷放辊(未图示)位于输送装置1的上游侧,卷取引线框架基材LF的卷取辊(未图示)位于输送装置1的下游侧。在卷放辊和输送装置1之间,例如可以配置用于对引线框架基材LF进行抗蚀膜形成处理、曝光处理、蚀刻处理、抗蚀膜剥离处理和电镀处理等加工处理的加工装置。在输送装置1和卷取辊之间,例如可以配置检查引线框架基材LF的检查装置等。
如图1所示,输送装置1具备上游侧输送部10、下游侧输送部20、多个引导部30、止动构件40、传感器50和控制器60(控制部)。
如图1和图2所示,上游侧输送部10具有一对上游侧辊11、12(第二辊)、旋转装置13(第二旋转装置)、驱动装置14(第二驱动装置)和摆动构件15。一对上游侧辊11、12配置成将引线框架基材LF的下缘部LFa放置在中间。即,一对上游侧辊11、12隔着下缘部LFa相对。上游侧辊11、12都呈圆柱状,且能够围绕沿着铅直方向延伸的旋转轴旋转。
旋转装置13连接于上游侧辊11。旋转装置13例如为旋转电机。旋转装置13根据来自控制器60的指示而动作,驱动上游侧辊11旋转。
驱动装置14连接于摆动构件15。驱动装置14例如为摆动伺服电机。驱动装置14根据来自控制器60的指示而动作,使摆动构件15围绕沿着铅直方向延伸的摆动轴摆动。
摆动构件15将上游侧辊12和驱动装置14间接地连接。摆动构件15具有如下功能:以使相对于驱动装置14的摆动轴处于偏心位置的上游侧辊12能够旋转的方式,支撑上游侧辊12。只要能发挥上述功能,则摆动构件15的形状没有特别限定。本实施方式中,摆动构件15呈四棱柱状。驱动装置14安装于摆动构件15的基端部。上游侧辊12安装于摆动构件15的顶端部。
利用驱动装置14使摆动构件15的顶端部摆动时,安装在所述顶端部的上游侧辊12也以相对于上游侧辊11接近和分离的方式摆动。在上游侧辊12接近上游侧辊11的情况下,利用上游侧辊11、12的彼此相对的周面夹持引线框架基材LF的下缘部LFa(参照图2)。即,输送装置1构成为可以由一对上游侧辊11、12夹持引线框架基材LF的下缘部LFa。而且,输送装置1构成为可以由驱动装置14使上游侧辊12相对于上游侧辊11接近和分离。
下游侧输送部20具有一对下游侧辊21、22(第一辊)、旋转装置23(第一旋转装置)、驱动装置24(第一驱动装置)和摆动构件25。它们的结构与上游侧输送部10相同,故省略说明。
如图1所示,多个引导部30沿着引线框架基材LF的输送方向并列配置。本实施方式中,三个引导部30配置在上游侧输送部10和下游侧输送部20之间。一个引导部30配置在比下游侧输送部20更靠下游侧。可以在上游侧输送部10和下游侧输送部20之间配置至少一个引导部30。比下游侧输送部20更靠下游侧也可以不配置引导部30。
引导部30具有一对引导辊31、32(引导构件)和支撑件33。一对引导辊31、32能旋转地安装于支撑件33的侧面。一对引导辊31、32都能围绕沿着水平方向且沿着引线框架基材LF的厚度方向延伸的旋转轴旋转。一对引导辊31、32以引导辊31比引导辊32更靠下方的方式,在上下方向分离。
引导辊31、32都呈圆柱状。引导辊31、32的周面彼此相对。在引导辊31、32的周面设有沿着周向延伸的槽。引导辊31、32构成为使上述槽在输送方向上引导引线框架基材LF的侧缘部(上缘部或下缘部)。
引导辊31、32的槽的形状没有特别限定。槽的形状可以是V形,也可以是U形。引导辊31、32的槽底彼此的分开距离可以设定为比引线框架基材LF的宽度略大。具体而言,引导辊31、32的槽底彼此的分开距离可以设定为如下程度:在输送装置1输送引线框架基材LF时,引线框架基材LF的侧缘(上缘或下缘)尽管位于所述槽内,但是不抵接于所述槽底。
止动构件40构成为用于防止引线框架基材LF落下。因此,止动构件40配置在引线框架基材LF的下缘部LFa的下方。止动构件40可以与引导辊31、32相同,为带槽的辊。此时,由输送装置1输送引线框架基材LF时,引线框架基材LF的下缘可以抵接于槽底。
传感器50构成为检测引线框架基材LF的上缘的高度位置。传感器50例如可以是激光位移传感器。传感器50将与上缘的高度位置相关的检测信号向控制器60发送。
控制器60例如根据存储介质(未图示)中存储的程序或来自操作者的操作输入等,生成用于分别使旋转装置13、23和驱动装置14、24动作的指示信号,并将所述指示信号向旋转装置13、23和驱动装置14、24发送。
具体而言,控制器60以下述方式控制旋转装置13、23和驱动装置14、24。首先,控制器60控制驱动装置24,使摆动构件25摆动。摆动的摆动构件25使下游侧辊22接近下游侧辊21。由此,一对下游侧辊21、22夹持引线框架基材LF的下缘部LFa。所述状态下,控制器60控制旋转装置23,使下游侧辊21旋转。如此,由一对下游侧辊21、22夹持的下缘部LFa被送出(第一处理)。由此,引线框架基材LF被朝向下游侧输送。
由一对下游侧辊21、22输送直立引线框架基材LF时,一对下游侧辊21、22上作用有被对方的下游侧辊22、21在水平方向上按压的力,以及来自因重力而具有朝下滑落趋势的引线框架基材LF的朝向铅直方向下方的摩擦力。即,引线框架基材LF上作用有作为来自一对下游侧辊21、22的反力的水平方向的力和朝向铅直方向上方的力。因此,引线框架基材LF在输送过程中,相对于一对下游侧辊21、22逐渐上升。如果放任这种上升,则最终引线框架基材LF会脱离一对下游侧辊21、22。其结果,不能进行引线框架基材LF的输送。
因此,控制器60根据从传感器50接收的检测信号,判断引线框架基材LF的上升量是否在规定的阈值以上。当控制器60判断引线框架基材LF的上升量未达到阈值以上时,引线框架基材LF的上升量并未过大。因此,控制器60使一对下游侧辊21、22继续输送引线框架基材LF。
另一方面,当控制器60判断引线框架基材LF的上升量在阈值以上时,引线框架基材LF的上升量过度。因此,控制器60执行所述上升的矫正处理。具体而言,在由一对下游侧辊21、22输送引线框架基材LF的状态下,控制器60进一步控制驱动装置14,使摆动构件15摆动。摆动的摆动构件15使上游侧辊12接近上游侧辊11。由此,一对上游侧辊11、12也夹持引线框架基材LF的下缘部LFa。所述状态下,控制器60控制旋转装置13,使上游侧辊11旋转。旋转的上游侧辊11将被一对上游侧辊11、12夹持的下缘部LFa送出(第三处理)。
接下来,控制器60控制驱动装置24,使摆动构件25摆动。摆动的摆动构件25使下游侧辊22离开下游侧辊21(第二处理和第四处理)。由此,引线框架基材LF的下缘部LFa从一对下游侧辊21、22释放。因此,引线框架基材LF在一对下游侧辊21、22的附近落下。落下的引线框架基材LF的下缘部LFa被止动构件40阻挡。在此期间,引线框架基材LF被一对上游侧辊11、12输送。
接下来,控制器60控制驱动装置24,使摆动构件25摆动。摆动的摆动构件25使下游侧辊22再次接近下游侧辊21。由此,利用一对下游侧辊21、22夹持引线框架基材LF的下缘部LFa。下游侧辊21利用旋转装置23继续旋转。因此,一对下游侧辊21、22将夹持的下缘部LFa送出(第一处理)。
接下来,在由一对下游侧辊21、22输送引线框架基材LF的状态下,控制器60控制驱动装置14,使摆动构件15摆动。摆动的摆动构件15使上游侧辊12离开上游侧辊11(第二处理和第四处理)。如此,引线框架基材LF的下缘部LFa从一对上游侧辊11、12释放。
通过重复以上的处理,控制器60矫正引线框架基材LF的上升。即,控制器60控制旋转装置13、23和驱动装置14、24,以规定间隔重复地使上游侧辊11、12和下游侧辊21、22夹持和释放下缘部LFa。更具体而言,控制器60控制旋转装置13、23和驱动装置14、24,以便至少在一对上游侧辊11、12释放下缘部LFa时,由一对下游侧辊21、22夹持下缘部LFa,并且至少在一对下游侧辊21、22释放下缘部LFa时,由一对上游侧辊11、12夹持下缘部LFa。
上游侧辊11、12和下游侧辊21、22的分开距离没有特别限定。所述分开距离例如可以是300mm以上,可以是600mm以上,也可以是800mm以上。上游侧辊11、12与下游侧辊21、22的分开距离越短,则在上游侧辊11、12或下游侧辊21、22释放下缘部LFa时,引线框架基材LF越难以落下。因此,存在对引线框架基材LF的上升进行矫正的效果变小的倾向。另外,引线框架基材LF落下的难易度也会根据引线框架基材LF的刚性等而变化。
下游侧辊21、22对下缘部LFa的释放时间可以是1秒以下,可以是0.5秒以下,可以是0.3秒以下,也可以是0.2秒以下。换句话说,上游侧辊11、12对下缘部LFa的夹持时间可以至少在下游侧辊21、22对下缘部LFa的释放时间以上。
下游侧辊21、22对下缘部LFa的夹持时间会根据引线框架基材LF上升的程度而进行各种变化。所述夹持时间例如可以是5秒~7秒左右。换句话说,上游侧辊11、12对下缘部LFa的释放时间可以至少在下游侧辊21、22对下缘部LFa的夹持时间以下。
在输送由上游侧辊11、12或下游侧辊21、22夹持的引线框架基材LF时,在引线框架基材LF中的比这些辊更靠下游侧的部分上,作用有推出力。而引线框架基材LF是带状的金属薄板。因此,所述推出力施加到引线框架基材LF时,引线框架基材LF极易压曲。因此,下游侧辊21、22对下缘部LFa的夹持时间可以长于上游侧辊11、12对下缘部LFa的夹持时间。此时,引线框架基材LF主要由下游侧辊21、22输送。即,下游侧辊21、22作为主驱动辊发挥功能。此时,引线框架基材LF中的比主驱动辊更靠下游侧的部分变得较短。因此,从主驱动辊作用的推出力的影响降低。由此,能抑制引线框架基材LF变形。
(作用)
如上所述,在本实施方式中,控制器60控制驱动装置24,利用一对下游侧辊21、22夹持引线框架基材LF的下缘部LFa。与此同时,控制器60控制旋转装置23,使下游侧辊21旋转。由此,输送直立引线框架基材LF。引线框架基材LF为带状的金属薄板。因此,与俯卧引线框架基材的主面相比,在直立引线框架基材的主面上,因重力产生的挠曲更小。因此,不必为了抑制引线框架基材LF的挠曲而用支撑辊等支撑引线框架基材LF的宽度方向的中央部。由此,抑制了引线框架基材LF的挠曲和变形。因此,能提高引线框架基材LF的加工精度。此外,在输送直立引线框架基材LF时,容易对引线框架基材LF的双面进行均匀的加工处理。而且,与输送俯卧引线框架基材LF的情况相比,不需要用于支撑引线框架基材LF的主面(下表面)的多个支撑辊等。因此,能抑制部件数量。
在本实施方式中,由控制器60控制的驱动装置24断续地使一对下游侧辊21、22相对接近和分离。由此,以规定间隔重复一对下游侧辊21、22对下缘部LFa的夹持和释放。因此,在引线框架基材LF上升时,由一对下游侧辊21、22释放下缘部LFa。由此,在引线框架基材LF落下规定量时,由一对下游侧辊21、22夹持下缘部LFa。因此,利用一对下游侧辊21、22的瞬间释放,来矫正引线框架基材LF的上升。其结果,能适当地输送引线框架基材LF。
在本实施方式中,利用上游侧辊11、12和下游侧辊21、22中的至少一方来夹持引线框架基材LF的下缘部LFa。因此,即使在一对上游侧辊11、12和一对下游侧辊21、22中的一方释放了下缘部LFa时,另一方也会夹持下缘部LFa来输送引线框架基材LF。因此,能持续输送引线框架基材LF。特别是在抗蚀膜形成处理、蚀刻处理、电镀处理、曝光处理和抗蚀膜除去处理等加工处理时,如果不持续地输送引线框架基材LF,则输送临时停止。由此,处理时间不恒定。其结果,抗蚀膜厚、蚀刻量、镀膜厚、曝光量和抗蚀膜除去量等会产生偏差。可是,在本实施方式中,引线框架基材LF被持续地输送。因此,能大幅抑制这种偏差。
在本实施方式中,以引导引线框架基材LF的上缘部和下缘部的方式构成的一对引导辊31、32设置在上游侧辊11、12和下游侧辊21、22之间。因此,引线框架基材LF的上缘部和下缘部被引导辊31、32引导。其结果,能抑制引线框架基材LF相对于输送方向的左右振动。
本实施方式中,止动构件40防止引线框架基材LF落下。因此,从一对下游侧辊21、22释放而落下的引线框架基材LF被止动构件40阻挡。由此,能防止引线框架基材LF落下必要量以上。
(其他实施方式)
以上具体说明了本发明的实施方式。但是,可以在本发明的要旨的范围内,对上述实施方式实施各种变形。例如,在本实施方式中,引线框架基材LF的上升量由传感器50检测。可是,也可以在利用计时器等检测到经过了规定时间时,进行下游侧辊21、22对下缘部LFa的释放。
旋转装置13可以驱动上游侧辊11、12的至少一方旋转。同样,旋转装置23可以驱动下游侧辊21、22的至少一方旋转。
驱动装置14可以驱动上游侧辊11、12的至少一方,使上游侧辊11、12相对接近和分离。同样,驱动装置24可以驱动下游侧辊21、22的至少一方,使下游侧辊21、22相对接近和分离。
上游侧辊11、12对下缘部LFa的夹持时间可以长于下游侧辊21、22对下缘部LFa的夹持时间。此时,引线框架基材LF主要由上游侧辊11、12输送。
可以存在上游侧辊11、12和下游侧辊21、22都夹持下缘部LFa的时期。即,可以使上游侧辊11、12和下游侧辊21、22双方临时夹持下缘部LFa。此时,确保不会产生引线框架基材LF不被输送的状态,即下缘部LFa既未被上游侧辊11、12夹持也未被下游侧辊21、22夹持的状态。因此,能更可靠地实现引线框架基材LF的持续输送。
在引导部30中,可以代替一对引导辊31、32,而是具有在输送方向延伸的一对导轨(未图示)。即,引导部30只要构成为能在输送方向引导引线框架基材LF即可。
输送装置1可以不具备引导部30。输送装置1可以不具备止动构件40。
本发明实施方式的引线框架基材的输送装置可以是以下的第一~第六引线框架基材的输送装置。
上述第一引线框架基材的输送装置包括:一对第一辊,能夹持处于主面沿着铅直方向的状态的引线框架基材的下缘部;第一旋转机构,构成为使所述一对第一辊的至少一方旋转;第一驱动机构,构成为使所述一对第一辊相对接近和分离;以及控制部,所述控制部执行如下处理:第一处理,控制所述第一旋转机构,使所述一对第一辊的至少一方旋转,从而输送所述下缘部被所述一对第一辊夹持的状态的所述引线框架基材;以及第二处理,控制所述第一驱动机构,断续地使所述一对第一辊相对接近和分离,从而以规定间隔重复所述一对第一辊对所述下缘部的夹持和释放。
上述第二引线框架基材的输送装置在上述第一装置的基础上,还包括:一对第二辊,比所述一对第一辊更靠向所述引线框架基材的输送方向的上游侧,能夹持处于主面沿着铅直方向的状态的所述引线框架基材的所述下缘部;第二旋转机构,构成为使所述一对第二辊的至少一方旋转;以及第二驱动机构,构成为使所述一对第二辊相对接近和分离,所述控制部执行如下处理:第三处理,控制所述第二旋转机构,使所述一对第二辊的至少一方旋转,从而输送所述下缘部被所述一对第二辊夹持的状态的所述引线框架基材;以及第四处理,控制所述第二驱动机构,断续地使所述一对第二辊相对接近和分离,从而在所述一对第一辊释放所述下缘部时,由所述一对第二辊夹持所述下缘部,在所述一对第一辊夹持所述下缘部时,由所述一对第二辊释放所述下缘部。
上述第三引线框架基材的输送装置在上述第二装置的基础上,在所述第四处理中,由所述一对第一辊和所述一对第二辊双方临时夹持所述下缘部。
上述第四引线框架基材的输送装置在上述第二装置或第三装置的基础上,由所述一对第一辊夹持所述下缘部的夹持时间长于由所述一对第二辊夹持所述下缘部的夹持时间。
上述第五引线框架基材的输送装置在上述第二~第四装置中的任意一个装置的基础上,还包括一对引导构件,所述一对引导构件构成为在所述输送方向上引导所述引线框架基材的上缘部和所述下缘部,所述一对引导构件配置在所述一对第一辊和所述一对第二辊之间。
上述第六引线框架基材的输送装置在上述第一~第五装置中的任意一个装置的基础上,还包括止动构件,所述止动构件构成为用于防止所述引线框架基材落下。
Claims (6)
1.一种引线框架基材的输送装置,其特征在于,包括:
一对第一辊,构成为能夹持具有沿着铅直方向的主面的引线框架基材的下缘部;
第一旋转装置,构成为使所述一对第一辊的至少一方旋转;
第一驱动装置,构成为使所述一对第一辊相对接近和分离;以及
控制部,构成为执行第一处理和第二处理,
在所述第一处理中,利用由所述控制部控制而使所述一对第一辊的至少一方旋转的所述第一旋转装置,输送具有被所述一对第一辊夹持的所述下缘部的所述引线框架基材,而且,
在所述第二处理中,利用由所述控制部控制而断续地使所述一对第一辊相对接近和分离的所述第一驱动装置,以规定间隔重复所述一对第一辊对所述下缘部的夹持和释放。
2.根据权利要求1所述的引线框架基材的输送装置,其特征在于,还包括:
一对第二辊,配置在比所述一对第一辊更靠向所述引线框架基材的输送方向的上游侧,且构成为能夹持具有沿着所述铅直方向的主面的所述引线框架基材的所述下缘部;
第二旋转装置,构成为使所述一对第二辊的至少一方旋转;以及
第二驱动装置,构成为使所述一对第二辊相对接近和分离,
所述控制部构成为执行第三处理和第四处理,
在所述第三处理中,利用由所述控制部控制而使所述一对第二辊的至少一方旋转的所述第二旋转装置,输送具有被所述一对第二辊夹持的所述下缘部的所述引线框架基材,而且,
在所述第四处理中,利用由所述控制部控制而断续地使所述一对第二辊相对接近和分离的所述第二驱动装置,以规定间隔重复所述一对第二辊对所述下缘部的夹持和释放,以便至少在所述一对第一辊释放所述下缘部时,由所述一对第二辊夹持所述下缘部,并且至少在所述一对第二辊释放所述下缘部时,由所述一对第一辊夹持所述下缘部。
3.根据权利要求2所述的引线框架基材的输送装置,其特征在于,在所述第四处理中,由所述一对第一辊和所述一对第二辊双方夹持所述下缘部。
4.根据权利要求2或3所述的引线框架基材的输送装置,其特征在于,由所述一对第一辊夹持所述下缘部的夹持时间长于由所述一对第二辊夹持所述下缘部的夹持时间。
5.根据权利要求2~4中任意一项所述的引线框架基材的输送装置,其特征在于,
还包括配置在所述一对第一辊和所述一对第二辊之间的一对引导构件,
所述一对引导构件构成为在所述输送方向上引导所述引线框架基材的上缘部和所述下缘部。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的引线框架基材的输送装置,其特征在于,还包括构成为用于防止所述引线框架基材落下的止动构件。
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