CN108648614A - 电子装置 - Google Patents
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Abstract
一种电子装置,包含基板、第一导电层、第二导电层以及第三导电层。第一导电层包含至少二第一线段以及至少一第一连接线。第一连接线连接至少二第一线段。第二导电层包含至少二第二线段以及至少一第二连接线。至少二第二线段在基板的法线方向上不重叠于至少二第一线段。第二连接线连接至少二第二线段。第二连接线于基板的法线方向上重叠于第一连接线。第三导电层包含至少一第一连接电极。第一连接电极电性连接至少二第一线段与至少二第二线段。
Description
技术领域
本发明是有关于一种电子装置,且特别是有关于一种具有压合垫的电子装置。
背景技术
随着科技的进展,显示装置的解析度也越来越高。然而,为了提高显示装置的解析度,在显示装置中相同的面积内需要设置更多的导线,这导致了导线的宽度需要随之下降。然而,越细的导线越容易因为阻抗过大,耐不住电流而烧毁,使得显示装置的解析度无法顺利提升。因此,目前亟需一种能解决前述问题的方法。
发明内容
本发明提供一种电子装置,可改善导线阻抗过大的问题,并降低芯片接合制程的制程难度。更甚者,可改善在高解析度下(例如:解析度为4K以上,较佳地:解析度为8K),热量集中于导线(例如:信号连接线)阻抗较大之处及/或多条导线(例如:信号连接线)累积热量过多于电子装置(例如为显示面板)边缘(例如:角落)所造成的画面缺陷现象。
本发明的一实施例中提供一种电子装置,包含基板、至少一子画素、至少一信号线、第一导电层、第二导电层、第一绝缘层、第二绝缘层以及第三导电层。基板具有显示区与位于显示区至少一侧的至少一周边区。子画素位于显示区。信号线设置于基板上,且分别与子画素电性连接。第一导电层设置于基板上,且其包含至少二第一线段以及至少一第一连接线。至少二第一线段设置于周边区上且相互分隔开来。第一连接线设置于周边区上且连接至少二第一线段。第二导电层设置于基板上,且其包含至少二第二线段以及至少一第二连接线。至少二第二线段设置于周边区上且相互分隔开来。至少二第二线段在基板的法线方向上不重叠于至少二第一线段。至少一第二连接线设置于周边区上且连接至少二第二线段。至少一第二连接线于基板的法线方向上重叠于至少一第一连接线以基本构成重叠区。至少一第一连接线与至少一第二连接线相互电性连接以构成至少一信号连接线的一部份并电性连接于至少一信号线。第一绝缘层设置于第一导电层以及第二导电层之间。第二绝缘层设置于第二导电层上。第一绝缘层与第二绝缘层具有分别对应至少二第一线段的至少二第一接触窗。第二绝缘层更具有分别对应至少二第二线段的至少二第二接触窗。第二绝缘层于至少一第一连接线与至少一第二连接线上的厚度为A。第二绝缘层于至少二第一线段与至少二第二线段上的厚度为B,A>B。第三导电层设置于基板上,且其包含至少一第一连接电极以及至少一电极。至少一第一连接电极设置于第二绝缘层上且经由至少二第一接触窗以及至少二第二接触窗电性连接至少二第一线段与至少二第二线段。至少一第一连接电极、至少二第一线段与至少二第二线段基本构成至少一压合垫且电性连接于至少一信号连接线。至少一电极设置于子画素。
本发明的一实施例中提供一种电子装置,包含基板、至少一个子画素、至少一信号线、第一导电层、第二导电层、第一绝缘层、第二绝缘层以及第三导电层。基板具有显示区与位于显示区至少一侧的至少一周边区。至少一个子画素位于显示区。至少一信号线设置于基板上,且分别与至少一子画素电性连接。第一导电层设置于基板上,且其包含至少一第一线段以及至少一第一连接线。至少一第一线段设置于周边区上。至少一第一连接线设置于周边区上且连接至少一第一线段。第二导电层设置于基板上,且其包含至少一第二线段以及至少一第二连接线。至少一第二线段设置于周边区上。至少一第二线段在基板的法线方向上不重叠于至少一第一线段。至少一第二连接线设置于周边区上。至少一第二连接线连接至少一第二线段。至少一第二连接线于基板的法线方向上重叠于至少一第一连接线以构成重叠区。至少一第一连接线与至少一第二连接线相互电性连接以基本构成至少一修补线的一部份并与至少一信号线交错。第一绝缘层设置于第一导电层以及第二导电层之间。第二绝缘层设置于第二导电层上。第一绝缘层与第二绝缘层具有对应至少一第一线段的至少一第一接触窗。第二绝缘层更具有对应至少一第二线段的至少一第二接触窗。第二绝缘层于至少一第一连接线与至少一第二连接线上的厚度为A。第二绝缘层于至少一第一线段与至少一第二线段上的厚度为B。A>B。第三导电层设置基板上,且其包含至少一第一连接电极以及至少一电极。至少一第一连接电极设置于第二绝缘层上且经由至少一第一接触窗以及至少一第二接触窗电性连接至少一第一线段与至少一第二线段。至少一第一连接电极、至少一第一线段与至少一第二线段基本构成至少一接合垫且电性连接于修补线。至少一电极设置于至少一子画素。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A是依照本发明的一实施例的一种电子装置的上视示意图。
图1B是图1A线AA’的剖面示意图。
图1C是图1A线BB’的剖面示意图。
图1D是图1A线CC’的剖面示意图。
图1E是图1A线DD’的剖面示意图。
图1F是图1A线EE’的剖面示意图。
图1G是图1A线FF’的剖面示意图。
图1H是依照本发明的一实施例的一种子画素的电路示意图。
图2A是依照本发明的一实施例的一种电子装置的上视示意图。
图2B是图2A线GG’的剖面示意图。
图2C是图2A线HH’的剖面示意图。
其中,附图标记
10、20:电子装置
100:基板
110:第一导电层
112、112a、122、122a:线段
112A、112aA:第一部
112B、112aB:第二部
114、114a、124、124a:连接线
120:第二导电层
122A、122aA:第三部
122B、122aB:第四部
130:第三导电层
132、132a、134、134a:连接电极
200:电子元件
X、Y:厚度
C:电容
C1:信号连接线
BA:周边区
BP:压合垫
BPa、CPa:接合垫
CH1、CH1a、CH2、CH2a、CH3、CH3a、CH4、CH4a、H、H1、H2:接触窗
CP:接合垫
D1:方向
DA:显示区
DR1、DR2:驱动电路
E:电极
I1:第一绝缘层
I2:第二绝缘层
I2A、I2B:绝缘层
L:切痕
LL、L1、L2、L3:信号线
LM:对位标记
TL、TLa:测试线
O1、O2、OP1、OP2:开口
OR1、OR2:重叠区
P、Pa:测试接垫
PX:子画素
RJ:修补线
T1:开关元件
T2:驱动元件
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明技术方案进行详细的描述,以更进一步了解本发明的目的、方案及功效,但并非作为本发明所附权利要求保护范围的限制。
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式,为明确说明,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解的是,这些实务上的细节不应用被以限制本发明。也就是说,在本发明部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化图式起见,一些习知的结构与元件在图式中将省略或以简单示意的方式为之。
在附图中,为了清楚起见,放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的元件。应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接,或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到」另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,「连接」可以指物理及/或电性连接。再者,「电性连接」或「耦合」可为二元件间存在其它元件。
应当理解,尽管术语「第一」与「第二」等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分,但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。
本文使用的术语仅仅是为了描述本发明特定的实施例,而不是用来限制本发明。举例来说,本文使用的「一」、「一个」和「该」并非限制元件为单数形式或复数形式。本文使用的「或」表示「及/或」。如本文所使用的,术语「及/或」包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解,当在本说明书中使用时,术语「包括」或「包含」指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件,但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
此外,诸如「下」或「底部」和「上」或「顶部」的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系,如图所示。应当理解,相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其他元件的「下」侧的元件将被定向在其他元件的「上」侧。因此,示例性术语「下」可以包括「下」和「上」的取向,取决于附图的特定取向。类似地,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其它元件「下」或「下方」的元件将被定向为在其它元件「上方」。因此,示例性术语「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。
本文使用的「约」或「实质上」包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值,考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即,测量系统的限制)。例如,「约」可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内,或±30%、±20%、±10%、±5%内。再者,本文使用的「约」或「实质上」可依光学性质、蚀刻性质或其它性质,来选择较可接受的偏差范围或标准偏差,而可不用一个标准偏差适用全部性质。
除非另有定义,本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是,诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义,并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义,除非本文中明确地这样定义。
图1A是依照本发明的一实施例的一种电子装置的上视示意图。图1B是图1A线AA’的剖面示意图。图1C是图1A线BB’的剖面示意图。图1D是图1A线CC’的剖面示意图。图1E是图1A线DD’的剖面示意图。图1F是图1A线EE’的剖面示意图。
请参考图1A、图1B与图1C,电子装置10包含基板100、子画素PX、信号线LL(例如:信号线L1)、第一导电层110、第二导电层120、第一绝缘层I1、第二绝缘层I2以及第三导电层130。
基板100具有显示区DA与位于显示区DA至少一侧的周边区BA。子画素PX可位于显示区DA,但不限于此。于其它实施例中,子画素PX亦可位于显示区DA与部份周边区BA。至少一信号线LL,例如:信号线L1及/或信号线L2,设置于基板100上,且分别与子画素PX电性连接。
第一导电层110设置于基板100上,且其包含至少二线段112以及至少一连接线114。线段112设置于周边区BA上且相互分隔开来。每条连接线114设置于周边区BA上且连接对应的至少二线段112。虽然本实施例是以每条连接线114连接两条线段112为例,但本发明不以此为限。在其他实施例中,每条连接线114连接三条以上的线段112,藉由多条线段112以分散电流并降低阻抗。
第二导电层120设置于基板100上,且其包含至少二线段122以及至少一连接线124。线段122设置于周边区BA上且相互分隔开来。线段122在基板100的法线方向D1上不重叠于线段112。换言之,于垂直投影于基板100方向上,线段122不重叠于线段112。每条连接线124设置于周边区BA上且连接对应的至少二线段122。虽然本实施例是以每条连接线124连接两条线段122为例,但本发明不以此为限。在其他实施例中,每条连接线124连接三条以上的线段122,藉由多条线段122以分散电流并降低阻抗。在本实施例中,线段112的其中一者位于至少二线段122之间,也可以说线段112与线段122交替排列(alternatingarrangement or staggered arrangement),但不限于此。
请参考图1A与图1B,连接线124于基板100的法线方向D1上可至少部份重叠于连接线114以基本构成重叠区OR1,较佳地连接线124于基板100的法线方向D1上可重叠于连接线114以基本构成重叠区OR1。换言之,于垂直投影于基板100方向上,连接线124可至少部份重叠于连接线114以基本构成重叠区OR1。连接线124与连接线114相互电性连接以构成信号连接线C1的一部份且电性连接于对应的信号线LL(例如:信号线L1)。
在本实施例中,连接线114可包括多个第一开口O1。连接线124可包括多个第二开口O2。第一开口O1的至少一部份与第二开口O2的至少一部份位于重叠区OR1。藉由第一开口O1与第二开口O2的至少部份重叠设置,较佳的第一开口O1与第二开口O2的完全重叠,当于重叠区OR1中设置框胶(Sealant)时,光线能穿透第一开口O1与第二开口O2,使得重叠区OR1中的框胶可以更佳的固化。
第一绝缘层I1设置于第一导电层110以及第二导电层120之间。在本实施例中,第一绝缘层I1可为单层绝缘层,但本发明不以此为限。在其他实施例中,第一绝缘层I1可以由两层以上的绝缘层所构成。在本实施例中,第一绝缘层I1例如可作为闸极绝缘层,但本发明不以此为限。第一绝缘层I1的材料可为无机材料(例如:氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、或其它合适的材料)、有机材料(例如:光阻、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、或其它合适的材料)、或其它合适的材料、或前述的组合。
请参考图1A以及图1C,第二绝缘层I2设置于第二导电层120上。第一绝缘层I1与第二绝缘层I2具有分别对应至少二线段112的至少二接触窗CH1。第二绝缘层I2更具有分别对应至少二线段122的至少二接触窗CH2。在本实施例中,第二绝缘层I2包括绝缘层I2A以及绝缘层I2B两层,但本发明不以此为限。在其他实施例中,第二绝缘层I2可以由单层绝缘层或三层以上的绝缘层所构成。在一些实施例中,绝缘层I2A可为钝化层,例如:无机材料,且绝缘层I2B为平坦层,例如:有机材料,但本发明不以此为限。
请同时参考图1A、图1B以及图1C,第二绝缘层I2于连接线114与连接线124上的厚度为X,第二绝缘层I2于至少二线段112与至少二线段122上的厚度为Y,且厚度X大于厚度Y。这里的厚度X指的例如是连接线124的上表面至第二绝缘层I2的上表面的距离,这里的厚度Y指的例如是线段112的上表面至第二绝缘层I2的表面的距离。在一些实施例中,X约为1.5微米至1.8微米,但不限于此。在一些实施例中,Y约为0.8微米至1.0微米,但不限于此。
第三导电层130设置于基板100上,且其包含至少一连接电极132以及至少一电极E(绘于图1H)或者是至少一连接电极132。至少一连接电极132设置于第二绝缘层I2上且经由至少二接触窗CH1以及至少二接触窗CH2电性连接至少二线段112与至少二线段122。至少一连接电极132、至少二线段112与至少二线段122基本构成压合垫BP且电性连接于信号连接线C1。较佳地,第三导电层130可为单层或多层结构,且其材料包含透明导电材料,例如:铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、奈米碳管或杆、厚度小于60埃的金属及/或合金、或其它合适的材料。于部份实施例中,第三导电层130可为非透明材料、或透明材料与非透明材料的组合。
在一些实施例中,电子装置10还包括电子元件200。电子元件200可包含电路板(例如:软性电路板)、芯片、或其它合适的元件、或前述的组合。电子元件200具有对应于压合垫BP的接合垫CP,以电性连接于子画素PX。在本实施例中,压合垫BP与接合垫CP之间例如是透过导电结构210电性连接。导电结构210例如是焊料、含有导电粒子(例如:金球)的导电胶、导电胶、导电膜、异方性导电胶、异方性导电膜、或其他合适的材料。在本实施例中,第二绝缘层I2于连接线114、124上的厚度X大于第二绝缘层I2于线段112、122上的厚度Y,藉此能使电子元件200的接合制程更易进行。在本实施例中,由于线段122以及线段112不互相重叠,因此,线段112与线段122上的部分第一绝缘层I1以及部分第二绝缘层I2相较于连接线114与连接线124上的部分第一绝缘层I1以及部分第二绝缘层I2实质上较为平坦,藉此能降低电子元件200接合制程的难度。举例来说,第二绝缘层I2在电子元件200的接合制程中比较不容易出现剥离的现象,因此电子元件200接合制程的难度得以被降低。在本实施例中,单层且不互相重叠的线段112与线段122于重叠区OR1连接至互相重叠的连接线124与连接线114(例如:可视为重叠区OR1具有双层导电层)可使得连接信号线LL的信号连接线C1具有较低阻抗,换句话说,本实施例可以在维持较低接合制程难度的同时,可减少连接信号线LL的信号连接线C1的阻抗,藉此改善电子装置10(例如为显示面板)在高解析度(例如:解析度为4K以上,较佳为8K)下,热量集中于导线(例如:信号连接线C1)阻抗较大之处及/或多条导线(例如:信号连接线C1)累积热量的问题,使电子装置(例如为显示面板)在高解析度(例如:解析度为4K以上,较佳为8K)下,可较不易于电子装置10(例如为显示面板)边缘(例如:角落)出现画面缺陷(mura)。4K解析度,例如:3840×2160或4096×2160画素,但不限于此。8K解析度,例如:7680×4320画素,但不限于此。
若,电子元件200为电路板(例如:软性电路板)且其上无芯片时,在本实施例中,基板100上可选择性设置有驱动电路DR1以及驱动电路DR2其中至少一者,但本发明不以此为限。于其它实施例中,若,电子元件200为芯片或电路板(例如:软性电路板)上有芯片时,本实施例的基板100上可不设置有驱动电路DR1与以及驱动电路DR2其中至少一者。
驱动电路DR1设置于基板100上且电性连接于信号线LL(例如:信号线L1)与信号连接线C1。驱动电路DR2设置于基板100上且电性连接于信号线LL(例如:信号线L2)。至少一信号线LL(例如:信号线L1或L2)包含至少一扫描线或至少一数据线。举例而言,信号线L1与信号线L2其中一者为扫描线,另一者为数据线,其中以信号线L1为扫描线且驱动电路DR1为闸极驱动电路较佳,但不限于此。闸极驱动电路DR1,较佳地,可与后述图1H中制造开关元件T1及/或驱动元件T2与至少一电容C的流程一起形成于基板10上,但不限于此。
在本实施例中,信号连接线C1与信号线LL(例如:信号线L1)可藉由驱动电路DR1电性连接为范例。请参考图1A与图1D,第一绝缘层I1与第二绝缘层I2更具有至少一接触窗CH3。第二绝缘层I2更具有至少一接触窗CH4。第三导电层130更具有至少一连接电极134。连接电极134设置于第二绝缘层I2上且经由接触窗CH3以及接触窗CH4电性连接连接线114与连接线124,并电性连接线段112与线段122。接触窗CH3与接触窗CH4可位于重叠区OR1与子画素PX之间。在一些实施例中,接触窗CH3与接触窗CH4位于驱动电路DR1中,但本发明不以此为限。在本实施例中,信号连接线C1是透过第一导电层110而与驱动电路DR1电性连接,但本发明不以此为限。在其他实施例中,信号连接线C1是透过第二导电层120而与驱动电路DR1电性连接,但不限于此。于再一实施例中,依前述实施例所述,信号连接线C1与信号线LL(例如:信号线L1)之间可电性连接,且不用额外设置驱动电路来电性连接。
请同时参考图1A与图1H,在本实施例中,依照电子装置10所驱动的子画素PX若为非自发光子画素,则子画素PX中例如有至少一开关元件T1与至少一电容C。第三导电层130的至少一电极E(例如为画素电极)设置于子画素PX且电性连接于开关元件T1。开关元件T1电性连接至至少一信号线LL(例如:信号线L1及/或信号线L2)。其中,非自发光子画素中的显示介质材料包含液晶、电湿润、电泳、电粉尘、或其它合适的材料、或前述的组合。于其它实施例中依照电子装置10所驱动的子画素PX若为自发光子画素,则子画素PX中例如有至少一开关元件T1、至少一电容C以及至少一驱动元件T2。第三导电层130的至少一电极E(例如为画素电极)设置于子画素PX。开关元件T1电性连接至少一信号线LL(例如:信号线L1及/或信号线L2)。驱动元件T2电性连接至电容C以及其它的信号线L3(例如:高电源供应线、低电源供应线、或其它合适的线段)。在一些实施例中,驱动元件T2电性连接至电极E(例如为画素电极),但本发明不以此为限。在一些实施例中,子画素PX还可以包括其他主动元件与被动元件。于部份实施例中,开关元件T1、驱动元件T2与电容C其中至少一者的个数可依需求来加以变更为大于1个或等于1个。其中,自发光子画素中的显示介质材料包含有机材料、无机材料、钙钛矿、或其它合适的材料、或前述材料的组合。开关元件T1及驱动元件T2其中至少一者可为N型电晶体、P型电晶体、或其它合适型态的电晶体、或前述的组合,电晶体的半导体层可为单层或多层,且其材料包含非晶硅、多晶硅、微或奈米晶硅、单晶硅、透明半导体材料、奈米碳管或杆、钙钛矿、或其它合适的材料。电晶体的类型可为底闸型(例如:闸极在半导体层下)、顶闸型(例如:闸极在半导体层上)、垂直型(半导体层的电流路径非为平面)、或其它合适的类型。
请一起参考图1A、图1E以及图1F,在本实施例的其它实施方式中,第一导电层110可选择性的更具有至少一线段112a以及至少一连接线114a。线段112a以及连接线114a设置于周边区BA上。连接线114a连接线段112a。
第二导电层可选择性的更具有至少一线段122a以及至少一连接线124a。线段122a以及连接线124a设置于周边区BA上。线段122a在基板100的法线方向D1上不重叠于线段112a。换言之,于垂直投影于基板100上,线段122a不重叠于线段112a。连接线124a连接线段122a。连接线124a于基板100的法线方向D1上至少部份重叠于连接线114a以构成另一重叠区OR2。换言之,于垂直投影于基板100上,连接线124a至少部份重叠于连接线114a以构成另一重叠区OR2。较佳地,连接线124a于基板100的法线方向D1上重叠于连接线114a以构成另一重叠区OR2。连接线114a与连接线124a相互电性连接以基本构成修补线RJ的一部份并与至少一信号线LL(例如:信号线L1及/或信号线L2)交错(interlace)。
在本实施例中,第一绝缘层I1与第二绝缘层I2更具有分别对应线段112a的至少一接触窗CH1a。第二绝缘层I2更具有分别对应线段122a的至少一接触窗CH2a。
第三导电层130可选择性的更具有至少一连接电极132a。连接电极132a设置于第二绝缘层I2上且经由接触窗CH1a以及接触窗CH2a电性连接线段112a与线段122a。连接电极132a与线段112a与线段122a基本构成至少一接合垫BPa且电性连接于修补线RJ。
请参考图1A与图1G,第一绝缘层I1与第二绝缘层I2更具有接触窗CH3a,第二绝缘层I2更具有接触窗CH4a。第三导电层130可选择性的更具有连接电极134a。连接电极134a设置于第二绝缘层I2上且经由接触窗CH3a以及接触窗CH4a电性连接连接线114a与连接线124a,并电性连接线段112a与线段114a。
在本实施例中,修补线RJ可选择性的具有多个接触窗H。在一些实施例中,多个连接电极134a填入多个接触窗H以电性连接连接线114a与连接线124a,但本发明不以此为限。在一些实施例中,连接线124a可填入接触窗H以电性连接连接线114a,且可依需求来选择性让连接电极134a存在与否。连接线124a于修补线RJ在重叠于信号线LL(例如:信号线L2)处分隔或断开,且连接线114a于修补线RJ在重叠于信号线LL(例如:信号线L1)处分隔或断开,藉此,修补线RJ、信号线LL(例如:信号线L1与信号线L2)在电子元件200未故障的情况下不会短路。
在一些实施例中,电子元件200可选择性的具有对应于接合垫BPa的接合垫CPa,以电性连接于修补线RJ,但不限于此。于其它实施例中,亦可不存在对应于接合垫BPa的接合垫CPa,且修补线RJ的接合垫仍可电性连接于所需要的其它的信号线LL或电子元件200所传输的信号。
在本实施例的其它实施方式中,电子装置10可选择性的更包括至少一测试线TL以及测试线TLa,但不限于此。测试线TL设置于基板100上且电性连接线段112、线段122。测试线TLa设置于基板100上且电性连接线段112a、线段122a。在本实施例中,测试线TL与测试线TLa可属于第一导电层110,线段122透过接触窗H1而电性连接至测试线TL,且线段122a透过接触窗H2而电性连接至测试线TLa,但发明不以此为限。在其他实施例中,测试线TL与测试线TLa可属于第二导电层120、或者其它合适的膜层、或前述的组合。
测试线TL可电性连接至测试接垫P,测试线TLa可电性连接至测试接垫Pa。在本实施例中,测试线TL与测试接垫P可以用来检测信号线LL(例如:信号线L1)是否正常运作,测试线TLa与测试接垫Pa可以用来检测修补线RJ是否正常运作。在检测完后,可以用雷射切割制程使部分线段112以及部分线段122分离于测试线TL,且使部分线段112a以及部分线段122a分离于测试线TLa。举例来说,进行雷射切割制程并留下切痕L。在一些实施例中,可以用对位标记LM来辅助定位切痕L的位置。在进行切割制程后,线段112包括互相分离的第一部112A以及第二部112B。第一部112A连接测试线TL,且第二部112B连接对应的连接线114。线段122包括互相分离的第三部122A以及第四部122B。第三部122A连接测试线TL,且第四部122B连接对应的连接线124。线段112a包括互相分离的第一部112aA以及第二部112aB。第一部112aA连接测试线TLa,且第二部112aB连接对应的连接线114a。线段122a包括互相分离的第三部122aA以及第四部122aB。第三部122aA连接测试线TLa,且第四部122aB连接对应的连接线124a。于部份实施例中,切痕L的一边的线路(例如:第一部112A和第三部122A连接所对应的测试线TL与第一部112aA和第三部122aA所对应的测试线TLa)、部份基板100与至少一部份对位标记LM也可被移除之。
图2A是依照本发明的一实施例的一种电子装置的上视示意图。图2B是图2A线GG’的剖面示意图。图2C是图2A线HH’的剖面示意图。在此必须说明的是,图2A~图2C的实施例沿用图1A~图1H的实施例的元件标号与部分内容,其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例,在此不赘述。
图2A~图2C的电子装置20与图1A的电子装置10的主要差异在于:电子装置20的连接线114与连接线124透过第一绝缘层I1的开口OP1而电性连接。
请参考图2A与图2B,第一绝缘层I1更包含开口OP1。连接线114与连接线124经由开口OP1相互电性连接。举例来说,连接线124填入开口OP1并与连接线114连接。且开口OP1位于重叠区OR1与该子画素PX之间。
请参考图2A与图2C,在本实施例中,第一绝缘层I1更包含开口OP2,连接线114a与连接线124a经由开口OP2相互电性连接。举例来说,连接线124a填入开口OP2并与连接线114a连接。
此外,于前述实施例中,依照信号连接线C1与修补线RJ其中至少一者设计于电子装置10中,可来决定连接线、线段、连接电极、接触窗的依序名称。举例而言,当电子装置10具有信号连接线C1与修补线RJ,则与信号连接线C1相关联的连接线114、124可分别被称为第一连接线与第二连接线,与信号连接线C1相关联的线段112、122可分别被称为第一线段与第二线段,连接电极132可被称为第一连接电极,而与修补线RJ相关联的连接线114a、124a可分别被称为第三连接线与第四连接线,与修补线RJ相关联的线段112a、122a可分别被称为第三线段与第四线段,连接电极132a可被称为第二连接电极。当电子装置10具有信号连接线C1或修补线RJ,且以修补线RJ为范例,则与修补线RJ相关联的连接线114a、124a亦可分别被称为第一连接线与第二连接线,与修补线RJ相关联的线段112a、122a亦可分别被称为第一线段与第二线段,连接电极132a亦可被称为第一连接电极。同理,其它有相关的元件(例如:接触窗、开口、或其它元件)可参阅前述,可被称为其它的依序名称。
综上所述,在接合区或压合区中的第一导电层的线段不重叠于第二导电层的线段,可较为降低芯片接合制程的制程难度。举例来说,第二绝缘层在电子元件的接合制程中比较不容易出现剥离的现象,因此电子元件接合制程的难度得以被降低。在本实施例中,单层且不互相重叠的线段与线段(例如:线段112与线段122)于重叠区连接至互相重叠的连接线与连接线(例如:连接线124与连接线114,可视为重叠区OR1具有双层导电层)可使得连接信号线的信号连接线具有较低阻抗,换句话说,本实施例可以在维持较低接合制程难度的同时,可减少连接信号线的信号连接线的阻抗,藉此改善电子装置(例如为显示面板)在高解析度(例如:解析度为4K以上,较佳为8K)下,热量集中于导线(例如:信号连接线)阻抗大之处及/或多条导线(例如:信号连接线)累积热量的问题,使电子装置(例如为显示面板)在高解析度(例如:解析度为4K以上,较佳为8K)下,可较不易于电子装置(例如为显示面板)边缘(例如:角落)出现画面缺陷(mura)。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (16)
1.一种电子装置,其特征在于,包含:
一基板,具有一显示区与位于该显示区至少一侧的至少一周边区;
至少一子画素,位于该显示区;
至少一信号线,设置于该基板上,且分别与该至少一子画素电性连接;
一第一导电层,设置于该基板上,且其包含:
至少二第一线段,设置于该周边区上且相互分隔开来;以及
至少一第一连接线,设置于该周边区上且连接该至少二第一线段;
一第二导电层,设置于该基板上,且其包含:
至少二第二线段,设置于该周边区上且相互分隔开来,其中,该至少二第二线段在该基板的法线方向上不重叠于该至少二第一线段;以及
至少一第二连接线,设置于该周边区上且连接该至少二第二线段,其中,该至少一第二连接线于该基板的法线方向上重叠于该至少一第一连接线以基本构成一重叠区,且该至少一第一连接线与该至少一第二连接线相互电性连接以构成至少一信号连接线的一部份并电性连接于该至少一信号线;
一第一绝缘层,设置于该第一导电层以及该第二导电层之间;
一第二绝缘层,设置于该第二导电层上,其中,该第一绝缘层与该第二绝缘层具有分别对应该至少二第一线段的至少二第一接触窗,且该第二绝缘层更具有分别对应该至少二第二线段的至少二第二接触窗,该第二绝缘层于该至少一第一连接线与该至少一第二连接线上的厚度为X,该第二绝缘层于该至少二第一线段与该至少二第二线段上的厚度为Y,X>Y;以及
一第三导电层,设置于该基板上,且其包含:
至少一第一连接电极,设置于该第二绝缘层上且经由该至少二第一接触窗以及该至少二第二接触窗电性连接该至少二第一线段与该至少二第二线段,其中,该至少一第一连接电极、该至少二第一线段与该至少二第二线段基本构成至少一压合垫且电性连接于该至少一信号连接线;以及
至少一电极,设置于该子画素。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,更包含:
至少一电子元件,具有对应于该至少一压合垫的至少一接合垫,以电性连接于该子画素。
3.如权利要求2所述的电子装置,其特征在于,该电子元件包含一电路板或一芯片。
4.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,更包含:
至少一驱动电路,设置于该基板上且电性连接于该至少一信号线与该至少一信号连接线。
5.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该至少二第一线段的其中一者位于该至少二第二线段之间。
6.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该至少一信号线包含至少一扫描线或至少一数据线。
7.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,
该第一绝缘层与该第二绝缘层更具有至少一第三接触窗,
该第二绝缘层更具有至少一第四接触窗,且
该第三导电层更具有至少一第二连接电极,设置于该第二绝缘层上且经由该第三接触窗以及该第四接触窗电性连接该些第一线段与该些第二线段,其中,该至少一第三接触窗与该至少一第四接触窗位于该重叠区与该至少一子画素之间。
8.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该第一绝缘层更包含至少一开口,且该至少一第一连接线与该至少一第二连接线经由该至少一开口相互电性连接,且该开口位于该重叠区与该子画素之间。
9.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该至少一第一连接线包括多个第一开口,该至少一第二连接线包括多个第二开口,且该些第一开口的至少一部份与该些第二开口的至少一部份位于该重叠区。
10.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,
该第一导电层更具有:
至少一第三线段,设置于该周边区上;以及
至少一第三连接线,设置于该周边区上且连接该至少一第三线段;
该第二导电层更具有:
至少一第四线段,设置于该周边区上,其中,该至少一第四线段在该基板的法线方向上不重叠于该至少一第三线段;以及
至少一第四连接线,设置于该周边区上且连接该至少一第四线段,其中,该至少一第四连接线于该基板的法线方向上重叠于该至少一第三连接线以构成另一重叠区,且该至少一第三连接线与该至少一第四连接线相互电性连接以基本构成至少一修补线的一部份并与该至少一信号线交错;
该第一绝缘层与该第二绝缘层更具有分别对应该至少一第三线段的至少一第三接触窗,且该第二绝缘层更具有分别对应该至少一第四线段的至少一第四接触窗;以及
该第三导电层,更具有:
至少一第二连接电极,设置于该第二绝缘层上且经由该至少一第三接触窗以及该至少一第四接触窗电性连接该至少一第三线段与该至少一第四线段,其中,该至少一第二连接电极与该至少一第三线段与该至少一第四线段基本构成至少一接合垫且电性连接于该修补线。
11.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,更包括:
至少一测试线,设置于该基板上且电性连接该至少一第一线段与该至少一第二线段。
12.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,更包括:
至少一测试线,设置于该基板上,且
各该至少一第一线段包括:
互相分离的一第一部以及一第二部,其中该第一部连接该至少一测试线,且该第二部连接对应的该至少一第一连接线;以及
各该至少一第二线段包括:
互相分离的一第三部以及一第四部,其中该第三部连接该至少一测试线,且该第四部连接对应的该至少一第二连接线。
13.一种电子装置,其特征在于,包含:
一基板,具有一显示区与位于该显示区至少一侧的至少一周边区;
至少一个子画素,位于该显示区;
至少一信号线,设置于该基板上,且分别与该至少一子画素电性连接;
一第一导电层,设置于该基板上,且其包含:
至少一第一线段,设置于该周边区上;以及
至少一第一连接线,设置于该周边区上且连接该至少一第一线段;
一第二导电层,设置于该基板上,且其包含:
至少一第二线段,设置于该周边区上,其中,该至少一第二线段在该基板的法线方向上不重叠于该至少一第一线段;以及
至少一第二连接线,设置于该周边区上且该至少一第二连接线连接该至少一第二线段,其中,该至少一第二连接线于该基板的法线方向上重叠于该至少一第一连接线以构成一重叠区,且该至少一第一连接线与该至少一第二连接线相互电性连接以基本构成至少一修补线的一部份并与该至少一信号线交错;
一第一绝缘层,设置于该第一导电层以及该第二导电层之间;
一第二绝缘层,设置于该第二导电层上,其中,该第一绝缘层与该第二绝缘层具有对应该至少一第一线段的至少一第一接触窗,且该第二绝缘层更具有对应该至少一第二线段的至少一第二接触窗,该第二绝缘层于该至少一第一连接线与该至少一第二连接线上的厚度为X,该第二绝缘层于该至少一第一线段与该至少一第二线段上的厚度为Y,X>Y;以及
一第三导电层,设置于该基板上,且其包含:
至少一第一连接电极,设置于该第二绝缘层上且经由该至少一第一接触窗以及该至少一第二接触窗电性连接该至少一第一线段与该至少一第二线段,其中,该至少一第一连接电极、该至少一第一线段与该至少一第二线段基本构成至少一接合垫且电性连接于该修补线;以及
至少一电极,设置于该至少一子画素。
14.如权利要求13所述的电子装置,其特征在于,该至少一信号线包含至少一扫描线或至少一数据线。
15.如权利要求13所述的电子装置,其特征在于,
该第一绝缘层与该第二绝缘层更具有至少一第三接触窗,
该第二绝缘层更具有至少一第四接触窗,且
该第三导电层更具有至少一第二连接电极,设置于该第二绝缘层上且经由该至少一第三接触窗以及该至少一第四接触窗电性连接该至少一第一线段与该至少一第二线段。
16.如权利要求13所述的电子装置,其特征在于,,该第一绝缘层更包含至少一开口,且该至少一第一连接线与该至少一第二连接线经由该至少一开口相互电性连接。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110955071A (zh) * | 2018-11-26 | 2020-04-03 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
WO2024011533A1 (zh) * | 2022-07-14 | 2024-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10239655A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の駆動電源線の配線方法 |
CN1499246A (zh) * | 2002-10-28 | 2004-05-26 | 夏普株式会社 | 电子组件和其制造方法 |
CN1670596A (zh) * | 2004-03-16 | 2005-09-21 | 日本电气株式会社 | 半导体芯片的结构和利用其的显示设备 |
CN104240609A (zh) * | 2013-06-06 | 2014-12-24 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN105489162A (zh) * | 2016-02-19 | 2016-04-13 | 友达光电股份有限公司 | 一种显示面板的信号驱动电路 |
US20160148549A1 (en) * | 2014-11-26 | 2016-05-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display apparatus |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100776768B1 (ko) | 2001-07-21 | 2007-11-16 | 삼성전자주식회사 | 액정표시패널용 기판 및 그 제조방법 |
KR20100005883A (ko) * | 2008-07-08 | 2010-01-18 | 삼성전자주식회사 | 어레이 기판 및 이를 갖는 액정표시장치 |
TW201022779A (en) | 2008-12-12 | 2010-06-16 | Au Optronics Corp | Pixel array and manufacturing method thereof |
CN101794048A (zh) * | 2009-02-03 | 2010-08-04 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板及其维修方法 |
WO2013077262A1 (ja) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
CN104603685B (zh) * | 2012-09-04 | 2017-04-19 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
KR102004397B1 (ko) * | 2012-09-19 | 2019-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
JP2017111297A (ja) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102457246B1 (ko) * | 2016-01-12 | 2022-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP6539214B2 (ja) * | 2016-01-19 | 2019-07-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | センサ付き表示装置 |
JP6702760B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2020-06-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102515143B1 (ko) * | 2016-03-04 | 2023-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101913395B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2018-10-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
TWI602002B (zh) | 2016-11-30 | 2017-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
-
2018
- 2018-03-15 TW TW107108899A patent/TWI684170B/zh active
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-
2019
- 2019-04-28 US US16/396,757 patent/US10451935B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10239655A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の駆動電源線の配線方法 |
CN1499246A (zh) * | 2002-10-28 | 2004-05-26 | 夏普株式会社 | 电子组件和其制造方法 |
CN1670596A (zh) * | 2004-03-16 | 2005-09-21 | 日本电气株式会社 | 半导体芯片的结构和利用其的显示设备 |
CN104240609A (zh) * | 2013-06-06 | 2014-12-24 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
US20160148549A1 (en) * | 2014-11-26 | 2016-05-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display apparatus |
CN105489162A (zh) * | 2016-02-19 | 2016-04-13 | 友达光电股份有限公司 | 一种显示面板的信号驱动电路 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110955071A (zh) * | 2018-11-26 | 2020-04-03 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
WO2024011533A1 (zh) * | 2022-07-14 | 2024-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201939460A (zh) | 2019-10-01 |
TWI684170B (zh) | 2020-02-01 |
CN108648614B (zh) | 2020-04-14 |
US10274795B1 (en) | 2019-04-30 |
US10451935B2 (en) | 2019-10-22 |
US20190285929A1 (en) | 2019-09-19 |
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