CN108630619A - 一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法，包括铁镍钴合金边框、碳化铝陶瓷片、键合金丝、导线、记忆海绵柱、清洁防护装置、引脚、第一通孔、玻璃绝缘子、铜钼铜片、第一卡槽、芯片、铁镍钴合金盖板、钼片、铁镍钴合金底板和第二卡槽组成，铁镍钴合金底板的一侧均匀开设有四个第二卡槽，第二卡槽的内部通过钎焊固定有钼片，钼片的顶部通过钎焊固定有碳化铝陶瓷片，碳化铝陶瓷片的顶部通过钎焊固定有四个铜钼铜片，且四个铜钼铜片的顶部均开设有第一卡槽，第一卡槽的内部通过钎焊固定有芯片，且芯片与相邻的铜钼铜片之间均通过键合金丝连接，该整流桥，具有清洁防护效果好和气密性好的特点。
Description
技术领域
本发明涉及整流桥技术领域，具体为一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法。
背景技术
在我们日常生活所使用的大部分家用电器中，开关电源的使用频率非常高，而整流桥是开关电源中必不可少的电子元器件之一。
整流桥就是将整流管封在一个壳内，且整体可分为全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起，半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起。用两个半桥可组成一个桥式整流电路，用一个半桥可组成变压器带中心抽头的全波整流电路，且选择整流桥时要优先考虑整流电路的工作情况及工作电压。
而在现有的高压大功率碳化硅肖特基整流桥中，存在清洁防护效果差和气密性差的问题。且不能够很好的对该高压大功率碳化硅肖特基整流桥内部及外部的零部件进行防护。因此，设计一种清洁防护效果好和气密性好的高压大功率碳化硅肖特基整流桥是很有必要的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥，包括铁镍钴合金边框、碳化铝陶瓷片、键合金丝、导线、记忆海绵柱、清洁防护装置、引脚、第一通孔、玻璃绝缘子、铜钼铜片、第一卡槽、芯片、铁镍钴合金盖板、钼片、铁镍钴合金底板和第二卡槽组成，所述铁镍钴合金底板的一侧均匀开设有四个第二卡槽，所述第二卡槽的内部通过钎焊固定有钼片，所述钼片的顶部通过钎焊固定有碳化铝陶瓷片，所述碳化铝陶瓷片的顶部通过钎焊固定有四个铜钼铜片，且四个铜钼铜片的顶部均开设有第一卡槽，所述第一卡槽的内部通过钎焊固定有芯片，且芯片与相邻的铜钼铜片之间均通过键合金丝连接，所述铁镍钴合金底板的外部通过钎焊固定有铁镍钴合金边框，所述铁镍钴合金边框的顶部通过钎焊固定有铁镍钴合金盖板，所述铁镍钴合金边框的一侧中心处均匀开设有四个第一通孔，且四个第一通孔的内部均通过钎焊固定有玻璃绝缘子，所述玻璃绝缘子的内部通过钎焊固定有引脚，且引脚与相邻的铜钼铜片之间通过导线连接，所述记忆海绵柱的一端通过粘接固定在玻璃绝缘子同侧的铁镍钴合金边框上，所述记忆海绵柱的另一端通过粘接固定有清洁防护装置；
所述清洁防护装置由缓冲橡胶块、挡板、防尘密封条、第一伸缩弹簧、防尘罩、第二伸缩弹簧、第三卡槽、清洁毛刷、清洁海绵球和第二通孔组成，所述缓冲橡胶块的一侧对应开设有第三卡槽，且第三卡槽与记忆海绵柱相互配合，所述缓冲橡胶块的另一侧对应安装有两个防尘罩，且两个防尘罩与缓冲橡胶块之间均通过第二伸缩弹簧连接，所述防尘罩的一侧通过铰链活动连接有挡板，且挡板与防尘罩之间通过第一伸缩弹簧连接，所述挡板的一侧通过粘接固定有防尘密封条，所述缓冲橡胶块上均匀开设有四个第二通孔，且四个第二通孔的顶部内壁和底部内壁均对应安装有清洁毛刷，且四个第二通孔的两侧内壁均对应嵌入有清洁海绵球。
一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥制备方法，包括如下步骤：步骤一，镀层处理；步骤二，整体组装；步骤三，清洁防护装置的连接及安装；步骤四，灌胶及密封处理；
其中在上述的步骤一中，将铁镍钴合金边框、碳化铝陶瓷片、导线、引脚、铜钼铜片、铁镍钴合金盖板、钼片和铁镍钴合金底板的所有外露的金属表面由内至外先镀上一层锌，再镀上一层锡，最后再镀上一层金，从而完成镀层处理；
其中在上述的步骤二中，先将四个钼片依次放入铁镍钴合金底板上开设的四个第二卡槽内，并通过钎焊焊枪将钼片与第二卡槽通过铝硅铜钎料钎焊固定，而后将碳化铝陶瓷片放置于四个钼片的顶部，并通过钎焊焊枪将碳化铝陶瓷片与钼片通过铝硅铜钎料钎焊固定，之后将四个铜钼铜片依次放置于碳化铝陶瓷片的顶部，且使得四个铜钼铜片构成导电图形，并通过钎焊焊枪将铜钼铜片与碳化铝陶瓷片通过银铜钎料钎焊固定，然后将四个芯片依次放入四个铜钼铜片上开设的四个第一卡槽内，且通过键合金丝将芯片与相邻的铜钼铜片上的键合区相连接，并通过钎焊焊枪将第一卡槽与芯片通过银铜钎料钎焊固定，再将四个玻璃绝缘子依次放入铁镍钴合金边框上开设的四个第一通孔内，并通过钎焊焊枪将玻璃绝缘子与第一通孔通过银铜钎料钎焊固定，而后将引脚插入玻璃绝缘子内至合适位置，并通过导线将引脚与相邻的铜钼铜片之间进行电性连接，最后将铁镍钴合金盖板盖在铁镍钴合金边框上，并通过钎焊焊枪将铁镍钴合金盖板与铁镍钴合金边框通过银铜钎料钎焊固定，进而完成整体的组装处理；
其中在上述的步骤三中，先将四个第二通孔与四个引脚一一对应，并使四个引脚缓缓穿过四个第二通孔，而后将记忆海绵柱的一端与玻璃绝缘子同侧的铁镍钴合金边框相连接，且通过胶枪将记忆海绵柱与铁镍钴合金边框粘接固定，最后将记忆海绵柱的另一端与缓冲橡胶块相连接，且通过胶枪将记忆海绵柱与缓冲橡胶块粘接固定，从而完成清洁防护装置的连接及安装处理；
其中在上述的步骤四中，先通过胶枪向铁镍钴合金边框、铁镍钴合金盖板和铁镍钴合金底板所组成的空腔中灌入高绝缘电阻灌封胶，之后再通过胶枪对需要粘接固定的位置灌封胶，进而完成灌胶及密封处理。
根据上述技术方案，所述防尘罩由防水层、防火层、防静电层和耐高温层组成，所述防水层的一侧通过粘接覆盖有防火层，所述防火层的一侧通过粘接覆盖有防静电层，所述防静电层的一侧通过粘接覆盖有耐高温层。
根据上述技术方案，所述缓冲橡胶块与防尘罩通过铰链活动连接。
根据上述技术方案，所述键合金丝有八根，其中每两根为一组，共分为四组。
根据上述技术方案，所述步骤二中的银铜钎料的组成成份为74％的Ag及26％的Cu。
根据上述技术方案，所述步骤三和步骤四中的胶枪为一种德国司登利GL-3002型胶枪。
根据上述技术方案，所述步骤二中的铝硅铜钎料的组成成份为92.5％的Al、5％的Si和2.5％的Cu。
根据上述技术方案，所述步骤一中镀锌所形成的锌镀层厚度大于3μm，镀锡所形成的锡镀层厚度大于1.5μm，镀金所形成的金镀层厚度大于1.5μm。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1：本发明在铁镍钴合金边框、铁镍钴合金盖板和铁镍钴合金底板的所有外露的金属表面均镀有锌、锡和金，大大提高了其使用寿命，且通过胶枪向铁镍钴合金边框、铁镍钴合金盖板和铁镍钴合金底板所组成的空腔中灌入高绝缘电阻灌封胶，大大提升了该整流桥的整体密封效果，且内部电路元件相互连接时所涉及的钎焊工艺及键合金丝，使得该整流桥电路的密封效果得到了提升，有助于提高该整流桥的气密性；
2：当该整流桥与其它外部元件连接时，通过外力的作用，会使得挡板向内运动及防尘罩向外运动，从而露出引脚，使其能够与其它外部元件进行连接，且在挡板及防尘罩的运动过程中，会使得第一伸缩弹簧和第二伸缩弹簧发生形变，当引脚与其它外部元件断开连接时，由第一伸缩弹簧和第二伸缩弹簧共同的回复力作用，使得挡板及防尘罩回到原来位置，对引脚进行防护，避免因意外情况而导致引脚受损，从而影响该整流桥的正常使用寿命，同时在外力的作用下，会使得记忆海绵柱逐渐被压缩及缓冲橡胶块缓缓移动，而在缓冲橡胶块缓缓移动的过程中，由清洁毛刷和清洁海绵球将引脚上的灰尘及脏污除去，且当外力逐渐消失时，可通过记忆海绵柱的回复力作用，使得缓冲橡胶块回到原来位置，以便进行下一次的清洁处理，有助于提高该整流桥的清洁防护效果。
附图说明
图1是本发明的整体俯视剖面结构图；
图2是本发明的整体侧视剖面结构图；
图3是本发明的清洁防护装置结构图；
图4是本发明的缓冲橡胶块结构图；
图5是本发明的防护罩结构图；
图6是本发明的高压大功率碳化硅肖特基整流桥制备方法流程图；
图中标号：1、铁镍钴合金边框；2、碳化铝陶瓷片；3、键合金丝；4、导线；5、记忆海绵柱；6、清洁防护装置；7、引脚；8、第一通孔；9、玻璃绝缘子；10、铜钼铜片；11、第一卡槽；12、芯片；13、铁镍钴合金盖板；14、钼片；15、铁镍钴合金底板；16、第二卡槽；17、缓冲橡胶块；18、挡板；19、防尘密封条；20、第一伸缩弹簧；21、防尘罩；22、第二伸缩弹簧；23、第三卡槽；24、清洁毛刷；25、清洁海绵球；26、第二通孔；27、防水层；28、防火层；29、防静电层；30、耐高温层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-5，本发明提供一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥，包括铁镍钴合金边框1、碳化铝陶瓷片2、键合金丝3、导线4、记忆海绵柱5、清洁防护装置6、引脚7、第一通孔8、玻璃绝缘子9、铜钼铜片10、第一卡槽11、芯片12、铁镍钴合金盖板13、钼片14、铁镍钴合金底板15和第二卡槽16组成，铁镍钴合金底板15的一侧均匀开设有四个第二卡槽16，第二卡槽16的内部通过钎焊固定有钼片14，钼片14的顶部通过钎焊固定有碳化铝陶瓷片2，碳化铝陶瓷片2的顶部通过钎焊固定有四个铜钼铜片10，且四个铜钼铜片10的顶部均开设有第一卡槽11，第一卡槽11的内部通过钎焊固定有芯片12，且芯片12与相邻的铜钼铜片10之间均通过键合金丝3连接，铁镍钴合金底板15的外部通过钎焊固定有铁镍钴合金边框1，铁镍钴合金边框1的顶部通过钎焊固定有铁镍钴合金盖板13，铁镍钴合金边框1的一侧中心处均匀开设有四个第一通孔8，且四个第一通孔8的内部均通过钎焊固定有玻璃绝缘子9，玻璃绝缘子9的内部通过钎焊固定有引脚7，且引脚7与相邻的铜钼铜片10之间通过导线4连接，记忆海绵柱5的一端通过粘接固定在玻璃绝缘子9同侧的铁镍钴合金边框1上，记忆海绵柱5的另一端通过粘接固定有清洁防护装置6；
清洁防护装置6由缓冲橡胶块17、挡板18、防尘密封条19、第一伸缩弹簧20、防尘罩21、第二伸缩弹簧22、第三卡槽23、清洁毛刷24、清洁海绵球25和第二通孔26组成，缓冲橡胶块17的一侧对应开设有第三卡槽23，且第三卡槽23与记忆海绵柱5相互配合，缓冲橡胶块17的另一侧对应安装有两个防尘罩21，且两个防尘罩21与缓冲橡胶块17之间均通过第二伸缩弹簧22连接，防尘罩21的一侧通过铰链活动连接有挡板18，且挡板18与防尘罩21之间通过第一伸缩弹簧20连接，挡板18的一侧通过粘接固定有防尘密封条19，缓冲橡胶块17上均匀开设有四个第二通孔26，且四个第二通孔26的顶部内壁和底部内壁均对应安装有清洁毛刷24，且四个第二通孔26的两侧内壁均对应嵌入有清洁海绵球25。
请参阅图6，一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥制备方法，包括如下步骤：步骤一，镀层处理；步骤二，整体组装；步骤三，清洁防护装置6的连接及安装；步骤四，灌胶及密封处理；
其中在上述的步骤一中，将铁镍钴合金边框1、碳化铝陶瓷片2、导线4、引脚7、铜钼铜片10、铁镍钴合金盖板13、钼片14和铁镍钴合金底板15的所有外露的金属表面由内至外先镀上一层锌，再镀上一层锡，最后再镀上一层金，从而完成镀层处理；
其中在上述的步骤二中，先将四个钼片14依次放入铁镍钴合金底板15上开设的四个第二卡槽16内，并通过钎焊焊枪将钼片14与第二卡槽16通过铝硅铜钎料钎焊固定，而后将碳化铝陶瓷片2放置于四个钼片14的顶部，并通过钎焊焊枪将碳化铝陶瓷片2与钼片14通过铝硅铜钎料钎焊固定，之后将四个铜钼铜片10依次放置于碳化铝陶瓷片2的顶部，且使得四个铜钼铜片10构成导电图形，并通过钎焊焊枪将铜钼铜片10与碳化铝陶瓷片2通过银铜钎料钎焊固定，然后将四个芯片12依次放入四个铜钼铜片10上开设的四个第一卡槽11内，且通过键合金丝3将芯片12与相邻的铜钼铜片10上的键合区相连接，并通过钎焊焊枪将第一卡槽11与芯片12通过银铜钎料钎焊固定，再将四个玻璃绝缘子9依次放入铁镍钴合金边框1上开设的四个第一通孔8内，并通过钎焊焊枪将玻璃绝缘子9与第一通孔8通过银铜钎料钎焊固定，而后将引脚7插入玻璃绝缘子9内至合适位置，并通过导线4将引脚7与相邻的铜钼铜片10之间进行电性连接，最后将铁镍钴合金盖板13盖在铁镍钴合金边框1上，并通过钎焊焊枪将铁镍钴合金盖板13与铁镍钴合金边框1通过银铜钎料钎焊固定，进而完成整体的组装处理；
其中在上述的步骤三中，先将四个第二通孔26与四个引脚7一一对应，并使四个引脚7缓缓穿过四个第二通孔26，而后将记忆海绵柱5的一端与玻璃绝缘子9同侧的铁镍钴合金边框1相连接，且通过胶枪将记忆海绵柱5与铁镍钴合金边框1粘接固定，最后将记忆海绵柱5的另一端与缓冲橡胶块17相连接，且通过胶枪将记忆海绵柱5与缓冲橡胶块17粘接固定，从而完成清洁防护装置6的连接及安装处理；
其中在上述的步骤四中，先通过胶枪向铁镍钴合金边框1、铁镍钴合金盖板13和铁镍钴合金底板15所组成的空腔中灌入高绝缘电阻灌封胶，之后再通过胶枪对需要粘接固定的位置灌封胶，进而完成灌胶及密封处理。
根据上述技术方案，防尘罩21由防水层27、防火层28、防静电层29和耐高温层30组成，防水层27的一侧通过粘接覆盖有防火层28，防火层28的一侧通过粘接覆盖有防静电层29，防静电层29的一侧通过粘接覆盖有耐高温层30，便于提高防尘罩21的使用寿命。
根据上述技术方案，缓冲橡胶块17与防尘罩21通过铰链活动连接，便于防尘罩21的活动。
根据上述技术方案，键合金丝3有八根，其中每两根为一组，共分为四组，便于提高电性连接时的稳定性。
根据上述技术方案，步骤二中的银铜钎料的组成成份为74％的Ag及26％的Cu，便于提高银铜钎料的使用效果。
根据上述技术方案，步骤三和步骤四中的胶枪为一种德国司登利GL-3002型胶枪，具有高效安全的特点
根据上述技术方案，步骤二中的铝硅铜钎料的组成成份为92.5％的Al、5％的Si和2.5％的Cu，便于提高铝硅铜钎料的使用效果。
根据上述技术方案，步骤一中镀锌所形成的锌镀层厚度大于3μm，镀锡所形成的锡镀层厚度大于1.5μm，镀金所形成的金镀层厚度大于1.5μm，便于提高电镀质量。
基于上述，本发明的优点在于，在铁镍钴合金边框1、铁镍钴合金盖板13和铁镍钴合金底板15的所有外露的金属表面均镀有锌、锡和金，大大提高了其使用寿命，且通过胶枪向铁镍钴合金边框1、铁镍钴合金盖板13和铁镍钴合金底板15所组成的空腔中灌入高绝缘电阻灌封胶，大大提升了该整流桥的整体密封效果，且内部电路元件相互连接时所涉及的钎焊工艺及键合金丝3，使得该整流桥电路的密封效果得到了提升，有助于提高该整流桥的气密性；当该整流桥与其它外部元件连接时，通过外力的作用，会使得挡板18向内运动及防尘罩21向外运动，从而露出引脚7，使其能够与其它外部元件进行连接，且在挡板18及防尘罩21的运动过程中，会使得第一伸缩弹簧20和第二伸缩弹簧22发生形变，当引脚7与其它外部元件断开连接时，由第一伸缩弹簧20和第二伸缩弹簧22共同的回复力作用，使得挡板18及防尘罩21回到原来位置，对引脚7进行防护，避免因意外情况而导致引脚7受损，从而影响该整流桥的正常使用寿命，同时在外力的作用下，会使得记忆海绵柱5逐渐被压缩及缓冲橡胶块17缓缓移动，而在缓冲橡胶块17缓缓移动的过程中，由清洁毛刷24和清洁海绵球25将引脚7上的灰尘及脏污除去，且当外力逐渐消失时，可通过记忆海绵柱5的回复力作用，使得缓冲橡胶块17回到原来位置，以便进行下一次的清洁处理，有助于提高该整流桥的清洁防护效果。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (9)
1.一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥，包括铁镍钴合金边框(1)、碳化铝陶瓷片(2)、键合金丝(3)、导线(4)、记忆海绵柱(5)、清洁防护装置(6)、引脚(7)、第一通孔(8)、玻璃绝缘子(9)、铜钼铜片(10)、第一卡槽(11)、芯片(12)、铁镍钴合金盖板(13)、钼片(14)、铁镍钴合金底板(15)和第二卡槽(16)组成，其特征在于：所述铁镍钴合金底板(15)的一侧均匀开设有四个第二卡槽(16)，所述第二卡槽(16)的内部通过钎焊固定有钼片(14)，所述钼片(14)的顶部通过钎焊固定有碳化铝陶瓷片(2)，所述碳化铝陶瓷片(2)的顶部通过钎焊固定有四个铜钼铜片(10)，且四个铜钼铜片(10)的顶部均开设有第一卡槽(11)，所述第一卡槽(11)的内部通过钎焊固定有芯片(12)，且芯片(12)与相邻的铜钼铜片(10)之间均通过键合金丝(3)连接，所述铁镍钴合金底板(15)的外部通过钎焊固定有铁镍钴合金边框(1)，所述铁镍钴合金边框(1)的顶部通过钎焊固定有铁镍钴合金盖板(13)，所述铁镍钴合金边框(1)的一侧中心处均匀开设有四个第一通孔(8)，且四个第一通孔(8)的内部均通过钎焊固定有玻璃绝缘子(9)，所述玻璃绝缘子(9)的内部通过钎焊固定有引脚(7)，且引脚(7)与相邻的铜钼铜片(10)之间通过导线(4)连接，所述记忆海绵柱(5)的一端通过粘接固定在玻璃绝缘子(9)同侧的铁镍钴合金边框(1)上，所述记忆海绵柱(5)的另一端通过粘接固定有清洁防护装置(6)；
所述清洁防护装置(6)由缓冲橡胶块(17)、挡板(18)、防尘密封条(19)、第一伸缩弹簧(20)、防尘罩(21)、第二伸缩弹簧(22)、第三卡槽(23)、清洁毛刷(24)、清洁海绵球(25)和第二通孔(26)组成，所述缓冲橡胶块(17)的一侧对应开设有第三卡槽(23)，且第三卡槽(23)与记忆海绵柱(5)相互配合，所述缓冲橡胶块(17)的另一侧对应安装有两个防尘罩(21)，且两个防尘罩(21)与缓冲橡胶块(17)之间均通过第二伸缩弹簧(22)连接，所述防尘罩(21)的一侧通过铰链活动连接有挡板(18)，且挡板(18)与防尘罩(21)之间通过第一伸缩弹簧(20)连接，所述挡板(18)的一侧通过粘接固定有防尘密封条(19)，所述缓冲橡胶块(17)上均匀开设有四个第二通孔(26)，且四个第二通孔(26)的顶部内壁和底部内壁均对应安装有清洁毛刷(24)，且四个第二通孔(26)的两侧内壁均对应嵌入有清洁海绵球(25)。
2.一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥制备方法，包括如下步骤：步骤一，镀层处理；步骤二，整体组装；步骤三，清洁防护装置(6)的连接及安装；步骤四，灌胶及密封处理；其特征在于：
其中在上述的步骤一中，将铁镍钴合金边框(1)、碳化铝陶瓷片(2)、导线(4)、引脚(7)、铜钼铜片(10)、铁镍钴合金盖板(13)、钼片(14)和铁镍钴合金底板(15)的所有外露的金属表面由内至外先镀上一层锌，再镀上一层锡，最后再镀上一层金，从而完成镀层处理；
其中在上述的步骤二中，先将四个钼片(14)依次放入铁镍钴合金底板(15)上开设的四个第二卡槽(16)内，并通过钎焊焊枪将钼片(14)与第二卡槽(16)通过铝硅铜钎料钎焊固定，而后将碳化铝陶瓷片(2)放置于四个钼片(14)的顶部，并通过钎焊焊枪将碳化铝陶瓷片(2)与钼片(14)通过铝硅铜钎料钎焊固定，之后将四个铜钼铜片(10)依次放置于碳化铝陶瓷片(2)的顶部，且使得四个铜钼铜片(10)构成导电图形，并通过钎焊焊枪将铜钼铜片(10)与碳化铝陶瓷片(2)通过银铜钎料钎焊固定，然后将四个芯片(12)依次放入四个铜钼铜片(10)上开设的四个第一卡槽(11)内，且通过键合金丝(3)将芯片(12)与相邻的铜钼铜片(10)上的键合区相连接，并通过钎焊焊枪将第一卡槽(11)与芯片(12)通过银铜钎料钎焊固定，再将四个玻璃绝缘子(9)依次放入铁镍钴合金边框(1)上开设的四个第一通孔(8)内，并通过钎焊焊枪将玻璃绝缘子(9)与第一通孔(8)通过银铜钎料钎焊固定，而后将引脚(7)插入玻璃绝缘子(9)内至合适位置，并通过导线(4)将引脚(7)与相邻的铜钼铜片(10)之间进行电性连接，最后将铁镍钴合金盖板(13)盖在铁镍钴合金边框(1)上，并通过钎焊焊枪将铁镍钴合金盖板(13)与铁镍钴合金边框(1)通过银铜钎料钎焊固定，进而完成整体的组装处理；
其中在上述的步骤三中，先将四个第二通孔(26)与四个引脚(7)一一对应，并使四个引脚(7)缓缓穿过四个第二通孔(26)，而后将记忆海绵柱(5)的一端与玻璃绝缘子(9)同侧的铁镍钴合金边框(1)相连接，且通过胶枪将记忆海绵柱(5)与铁镍钴合金边框(1)粘接固定，最后将记忆海绵柱(5)的另一端与缓冲橡胶块(17)相连接，且通过胶枪将记忆海绵柱(5)与缓冲橡胶块(17)粘接固定，从而完成清洁防护装置(6)的连接及安装处理；
其中在上述的步骤四中，先通过胶枪向铁镍钴合金边框(1)、铁镍钴合金盖板(13)和铁镍钴合金底板(15)所组成的空腔中灌入高绝缘电阻灌封胶，之后再通过胶枪对需要粘接固定的位置灌封胶，进而完成灌胶及密封处理。
3.根据权利要求1的一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥，其特征在于：所述防尘罩(21)由防水层(27)、防火层(28)、防静电层(29)和耐高温层(30)组成，所述防水层(27)的一侧通过粘接覆盖有防火层(28)，所述防火层(28)的一侧通过粘接覆盖有防静电层(29)，所述防静电层(29)的一侧通过粘接覆盖有耐高温层(30)。
4.根据权利要求1的一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥，其特征在于：所述缓冲橡胶块(17)与防尘罩(21)通过铰链活动连接。
5.根据权利要求1的一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥，其特征在于：所述键合金丝(3)有八根，其中每两根为一组，共分为四组。
6.根据权利要求2的一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥制备方法，其特征在于：所述步骤二中的银铜钎料的组成成份为74％的Ag及26％的Cu。
7.根据权利要求2的一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥制备方法，其特征在于：所述步骤三和步骤四中的胶枪为一种德国司登利GL-3002型胶枪。
8.根据权利要求2的一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥制备方法，其特征在于：所述步骤二中的铝硅铜钎料的组成成份为92.5％的Al、5％的Si和2.5％的Cu。
9.根据权利要求2的一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥制备方法，其特征在于：所述步骤一中镀锌所形成的锌镀层厚度大于3μm，镀锡所形成的锡镀层厚度大于1.5μm，镀金所形成的金镀层厚度大于1.5μm。
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