CN108611502A - 一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,属于冶金技术领域。所述方法通过将现有Mg还原HfCl4工艺进行改进,对热还原反应的HfCl4物料进行预处理,入罐前将其与添加剂充分混合均匀,并在入罐后在混合物料表面再覆盖一层的添加剂,能有效吸收HfCl4物料制备工艺中吸收的水分;所述方法具有操作工艺简单的特点,与现有技术相比能有效降低制取海绵铪中的氧含量。
Description
技术领域
本发明涉及一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,具体地说,涉及一种采用混料工艺降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,属于冶金技术领域。
背景技术
铪具有熔点高、热中子吸收截面高、抗氧化性能好以及优异的耐腐蚀性能等优点,主要用作核反应堆的控制组件材料,是核电工业的必需材料。锆铪在矿物中共生,铪与锆性质相似,冶炼工艺和设备大同小异,原子能工业中铪中含锆应小于3wt%,锆铪分离技术难度大,金属铪制备工艺极其复杂,铪冶金原料来自锆铪分离后所得含锆小于2wt%的铪化合物。
金属铪的制备方法主要有Mg还原HfCl4法(Kroll法)、K2HfF6熔盐电解法以及碱金属热还原法等。对于铪的精炼,工业上一般采用碘化精炼、电解精炼、电子束熔炼和悬浮区熔法。Mg还原HfCl4法仍是目前制备金属铪的主要方法,铪中氧含量是衡量高纯铪质量的关键指标,目前公开报道制备高纯金属铪专利主要有:高纯度铪、由该高纯度铪形成的靶及薄膜和高纯度铪的制造方法(CN1882711B)、一种超细高纯铪粉及其制备方法和应用(CN102528066A)、一种低氧高纯金属铪粉的制造方法(CN104646659A),以及US3114611、US4668287、US4637831、US4613366等。
Mg还原HfCl4法(Kroll法),即用高纯熔融镁还原四氯化铪,将盛有HfCl4的容器与盛有镁坩埚置于反应器的上下部,在900℃进行气液反应,再将制取的海绵铪真空蒸馏得到海绵铪。现有Mg还原HfCl4法优点是工艺成熟、产品质量稳定,是目前工业上生产铪的主要方法,但是存在生产效率低、环境污染严重以及生产过程间歇等问题,铪是一种良好的吸气剂,在制备工序中易引入杂质气体,特别与氧极易结合。目前国内外研究替代镁还原法的有钙还原二氧化铪、铝还原二氧化铪法等,但是这些方法制备的铪中氧含量都很高,不易后续锻造。
发明内容
针对现有技术存在的缺陷,本发明目的在于提供一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,所述方法通过在现有Mg还原HfCl4法的条件下,提供一种采用混料工艺处理HfCl4原料从而实现有效降低制取海绵铪中氧含量的方法。
为实现上述目的,提供如下技术方案。
一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,所述方法步骤如下:
(1)将HfCl4和添加剂混合搅拌,得到预混料;
(2)将预混料倒入密闭反应容器中,在预混料上表面覆盖一层的添加剂,并在700℃~1200℃加热使HfCl4气化,通过与密闭反应容器连通的管道进入密闭还原炉内与Mg进行热还原反应,得到反应产物;
(3)真空蒸馏分离除去副产物,得到氧含量降低的海绵铪。
步骤(1)中:
优选HfCl4为纯度大于等于99.9wt%的HfCl4;
优选添加剂的质量为HfCl4质量的0.5%~5%。
步骤(2)中:
优选覆盖的添加剂厚度为0.1mm~5mm;
步骤(1)和(2)中:
所述添加剂为具有吸水性且吸水后不易分解的固体物质,如氧化钙、氯化钙、氯化镁等,优选为氧化钙(CaO);优选CaO的粒径≤30mm。
步骤(3)中:
优选真空蒸馏温度为850℃。
本发明制备得到的氧含量降低的海绵铪可以按照常规技术进行破碎,得到适用不同需求的颗粒粒径的海绵铪。
有益效果
本发明提供了一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,所述方法通过将现有Mg还原HfCl4工艺进行改进,对热还原反应的HfCl4物料进行预处理,入罐前将其与添加剂充分混合均匀,并在入罐后在混合物料表面再覆盖一层的添加剂,能有效吸收HfCl4物料制备工艺中吸收的水分;所述方法具有操作工艺简单的特点,与现有技术相比能有效降低制取海绵铪中的氧含量。
附图说明
图1为实施例和对比例制取海绵铪中氧含量,以及海绵铪行业标准(YST399-2013)中氧含量的对比图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明做进一步说明。应该强调的是,下述说明仅仅是示例性的,而不是为了限制本发明的范围及其应用。
对比例——现有技术镁还原法制备海绵铪
选用纯度大于等于99.9wt%的50kg HfCl4作为反应原料,将盛有Mg坩埚置于反应器下部,HfCl4的容器置于反应器上部,在900℃时使其进行气-液反应。利用反应产物MgCl2、Mg和Hf蒸气压性质的差异,在高温真空蒸馏炉内蒸馏除去MgCl2和Mg,余下的产物即为海绵铪。
经惰气脉冲红外导热法测定,本对比例制得的海绵铪中氧含量为1800ppm。
实施例1
一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,所述方法步骤如下:
(1)选用纯度大于等于99.9wt%的50kg HfCl4作为反应原料,0.25kg粒径≤30mm的CaO作为添加剂,将HfCl4和CaO在坩埚内混合搅拌均匀,得到预混料;
(2)将预混料倒入密闭反应罐,在预混料全部表面覆盖上5mm厚,粒径≤30mm的CaO作为添加剂;在700℃下加热使HfCl4气化,通过与密闭反应罐连通的管道进入密闭还原炉内与Mg进行热还原反应,反应温度为900℃,得到反应产物;
(3)真空蒸馏分离除去MgCl2和Mg,得到氧含量降低的海绵铪。
经惰气脉冲红外导热法测定,本实施例制得的海绵铪中氧含量为400ppm。
实施例2
一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,所述方法步骤如下:
(1)选用纯度大于等于99.9wt%的50kg HfCl4作为反应原料,1kg粒径≤30mm的CaO作为添加剂,将HfCl4和CaO在坩埚内混合搅拌均匀,得到预混料;
(2)将预混料倒入密闭反应罐,在预混料全部表面覆盖上3mm厚,粒径≤30mm的CaO作为添加剂;在900℃下加热使HfCl4气化,通过与密闭反应罐连通的管道进入密闭还原炉内与Mg进行热还原反应,反应温度为900℃,得到反应产物;
(3)真空蒸馏分离除去MgCl2和Mg,得到氧含量降低的海绵铪。
经惰气脉冲红外导热法测定,本实施例制得的海绵铪中氧含量为280ppm。
实施例3
一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,所述方法步骤如下:
(1)选用纯度大于等于99.9wt%的50kg HfCl4作为反应原料,2.5kg粒径≤30mm的CaO作为添加剂,将HfCl4和CaO在坩埚内混合搅拌均匀,得到预混料;
(2)将预混料倒入密闭反应罐,在预混料全部表面覆盖上0.1mm厚,粒径≤30mm的CaO作为添加剂;在1200℃下加热使HfCl4气化,通过与密闭反应罐连通的管道进入密闭还原炉内与Mg进行热还原反应,反应温度为900℃,得到反应产物;
(3)真空蒸馏分离除去MgCl2和Mg,得到氧含量降低的海绵铪。
经惰气脉冲红外导热法测定,本实施例制得的海绵铪中氧含量为220ppm。
实施例4
一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,所述方法步骤如下:
(1)选用纯度≥99.9wt%的50kg HfCl4作为反应原料,2.5kg粒径≤30mm的CaO作为添加剂,将HfCl4和CaO在坩埚内混合搅拌均匀,得到预混料;
(2)将预混料倒入密闭反应罐,在预混料全部表面覆盖上5mm厚,粒径≤30mm的CaO作为添加剂;在800℃下加热使HfCl4气化,通过与密闭反应罐连通的管道进入密闭还原炉内与Mg进行热还原反应,反应温度为900℃,得到反应产物;
(3)真空蒸馏分离除去MgCl2和Mg,得到氧含量降低的海绵铪。
经惰气脉冲红外导热法测定,本实施例制得的海绵铪中氧含量为310ppm。
Claims (10)
1.一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,其特征在于:所述方法步骤如下:
(1)将HfCl4和添加剂混合搅拌,得到预混料;
(2)将预混料倒入密闭反应容器中,在预混料上表面覆盖一层的添加剂,并在700℃~1200℃加热使HfCl4气化,通过与密闭反应容器连通的管道进入密闭还原炉内与Mg进行热还原反应,得到反应产物;
(3)真空蒸馏分离除去副产物,得到氧含量降低的海绵铪;
所述添加剂为具有吸水性且吸水后不易分解的固体物质。
2.根据权利要求1所述的一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,其特征在于:添加剂为CaO;添加剂的粒径≤30mm。
3.根据权利要求1或2所述的一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,其特征在于:步骤(1)中添加剂的质量为HfCl4质量的0.5%~5%。
4.根据权利要求1或2所述的一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,其特征在于:步骤(2)中覆盖的添加剂厚度为0.1mm~5mm。
5.根据权利要求1或2所述的一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,其特征在于:HfCl4为纯度大于等于99.9wt%的HfCl4。
6.根据权利要求1或2所述的一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,其特征在于:真空蒸馏温度为850℃。
7.根据权利要求3所述的一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,其特征在于:步骤(2)中覆盖的添加剂厚度为0.1mm~5mm。
8.根据权利要求7所述的一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,其特征在于:HfCl4为纯度大于等于99.9wt%的HfCl4。
9.根据权利要求7所述的一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,其特征在于:真空蒸馏温度为850℃。
10.根据权利要求3所述的一种降低镁还原法制备海绵铪中氧含量的方法,其特征在于:步骤(2)中覆盖的添加剂厚度为0.1mm~5mm;HfCl4为纯度大于等于99.9wt%的HfCl4;真空蒸馏温度为850℃。
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